JP2020043366A - 光源装置 - Google Patents
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Abstract
Description
源装置では、発光装置の配向が光源装置の出射光に影響を及ぼすことが知られている(特
許文献1等)。そのため、発光装置の実装後に、発光装置の配光が望ましい配光となるよ
うに、発光装置の位置ずれが抑制された光源装置が求められている。
提供することを目的とする。
第1電極は、分離領域を介して分離された、第1部及び第2部を有する電子部品と、基材
と、基材の上面に配置される一対の配線層とを有する基板と、を備え、一対の配線層の上
面と、電子部品の下面にある第1電極及び第2電極とが対面するように電子部品が載置さ
れる光源装置であって、基板は、分離領域と対面する位置に第1領域を有し、第1領域は
、第1領域以外に位置する一対の配線層の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。
装置を提供することができる。
する実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を以下に限
定しない。また、一の実施の形態において説明する内容は、他の実施の形態にも適用可能
である。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張してい
ることがある。
本発明の一実施の形態の光源装置10は、図1に示すように、電子部品11aと、基板
12とを備える。
電子部品11aは、基板12に搭載され、光源装置10を構成する一部品である。
電子部品11aは、例えば、発光ダイオードやレーザダイオード等の半導体発光素子1
4、または、半導体発光素子14を有する発光装置11を用いることができる。
る。図2Aは発光装置11の模式上面図であり、図2Bは発光装置11の模式下面図であ
り、図2Cは図2Aに示すI−I’線における模式断面図である。図2Cでは、ワイヤの
図示は省略している。発光装置11は、パッケージ13と、半導体発光素子14とを備え
る。パッケージ13は、母体131と、第1電極15及び第2電極16とを有する。図2
Aで示すパッケージ13は、母体131として光反射性の樹脂材料を固化して得られる樹
脂部が用いられ、母体131と第1電極15および第2電極16は一体に形成されている
。
はこれらに近い形状が挙げられる。例えば、発光装置11は、上面視における外形形状が
、第1方向に延びる一対の辺と、第2方向に延びる一対の辺とを有する四角形である。
ため、第1電極15および第2電極16は、導電性を有し、半田等の接合部材との濡れ性
が良好な材料が好適に用いられる。図2Aで示す発光装置11は、2つの半導体発光素子
14が第1電極15の上面に配置され、2つの半導体発光素子14は第1電極15及び第
2電極16とワイヤを介して電気的に接続されている。なお、半導体発光素子14の配置
は、これに限らず、例えば、第1電極15および第2電極16それぞれに跨るように配置
されていてもよい。また、第1電極21および第2電極22それぞれの上面に少なくとも
1つの半導体発光素子14が配置されてもよい。
で示す発光装置11では、第1電極15及び第2電極16は、発光装置11の下面11b
において母体131から露出するように配置されている。電子部品11aの下面11bに
配置される第1電極15および第2電極16は、後述する基板12の一対の配線層19と
半田を介して接合される。
bを有している。第1部15a及び第2部15bは、分離領域13aを介して分離されて
いる。より具体的には、第1部15a及び第2部15bは、電子部品11aの下面11b
において、分離領域13aを介して分離されており、下面11bと反対側の上面側におい
て第1部15a及び第2部15bは一体に連結されている。図2Bで示す発光装置11で
は、第1電極15は、下面において、窪み部13b(破線で囲まれる領域)を有し、窪み
部13b内には母体131の一部が配置されている。そして、下面11bにおいて、第1
部15aと第2部15bとは、窪み部13b内に配置された母体131によって分離され
ている。なお、第1電極15の第1部15aと第2部15bとの間の窪み部13bは、公
知の方法によって形成することができる。例えば、平板状の金属板を準備し、エッチング
加工又はプレス加工を施すことによって、第1電極15となる部分および第2電極16と
なる部分とを備えるリードフレームを形成する。そして、第1電極15となる部分および
第2電極16となる部分とを形成する工程と同時に、又は別の工程において、リードフレ
ームに窪み部13bを形成する。具体的には、窪み部13bは、金属板又はリードフレー
ムの下面において、第1電極15となる部分の一部を、厚み方向に貫通しないようにエッ
チング加工又はプレス加工を施すことによって形成される。
面形状と異なっている。図2Bで示す発光装置11では、第1部15aおよび第2部15
bは、第1方向に並んで配置され、第1部15aの第2方向に延びる幅は、第2部15b
の第2方向に延びる幅よりも広い。また、第1部15aの第1方向に延びる幅は、第2部
15bの第1方向に延びる幅よりも広くなっている。第1電極15の第1部15aと第2
部15bとが異なる形状である場合、基板12に電子部品11aを実装した時に、第1部
15aおよび第2部15bそれぞれにかかる半田の引っ張る強さが異なる。これにより、
基板12上に電子部品11aを実装した時に、電子部品11aに位置ずれが起きる可能性
がある。なお、本開示の光源装置10では、基板12が後述する半田濡れ性の悪い第1領
域21を有し、第1領域21が第1部15aと第2部15bとの間にある分離領域13a
と対面する位置に設けられている。基板12の特定の位置に第1領域21が設けられてい
ることによって、第1電極15の第1部15aと第2部15bとが異なる形状の電子部品
を用いたとしても、電子部品11aの位置ずれを第1領域21で抑制することができ、電
子部品11aの実装精度を向上させることができる。
は発光装置に限られない。電子部品11aは、その他に、半導体発光素子、パワー半導体
、電源整流用ダイオード、ツェナーダイオード、可変容量ダイオード、PINダイオード
、ショットキーバリアダイオード、フォトダイオード、太陽電池、サージ保護用ダイオー
ド、バリスタ、コンデンサ、抵抗等の2端子装置、トランジスタ、バイポーラトランジス
タ、電界効果トランジスタ、フォトトランジスタ、CCDイメージセンサ、サイリスタ、
光トリガサイリスタ等の3端子装置、DRAM及びSRAM等のメモリ、マイクロプロセ
ッサ等であってよい。なお、光源装置10が複数の電子部品11aを備える場合は、複数
の電子部品11aは、発光装置11や上記の電子部品を組み合わせて使用することができ
る。
Ga1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)を含むことが好ましい。また、電子部品1
1aとして発光装置11を用いる場合、発光装置11は1つの半導体発光素子14を備え
ていてよいし、2つ以上の半導体発光素子14を備えていてよい。発光装置11が2つの
半導体発光素子14を備える場合は、例えば、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射
する発光素子とを組み合わせて用いることができる。また、発光装置11が3つの半導体
発光素子14を備える場合は、例えば、青色光を出射する発光素子、緑色光を出射する発
光素子および赤色光を出射する発光素子を組み合わせて用いることができる。半導体発光
素子14が2つ以上ある場合は、各半導体発光素子は直列、並列または直列と並列の組み
合わせで電気的に接続される。また、電子部品11aとして発光装置11を用いる場合、
半導体発光素子14は、電極形成面を上側にしてパッケージ13上に載置(フェイスアッ
プ実装)する、または、電極形成面を下側にしてパッケージ13上に載置(フリップチッ
プ実装)する、のいずれでもよい。なお、電子部品11aとして半導体発光素子14を用
いる場合、半導体発光素子14の第1電極15および第2電極16は同一面に形成され、
半導体発光素子14は電極形成面を下側にして基板12上に載置(フリップチップ実装)
される。
する材料は、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等のセラミックス、樹脂(例
えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチル
ペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂
等)、パルプ、ガラス、又はこれらの複合材料等である。また、パッケージ13の母体1
31は、単層構造でもよいし、複数の層を含む多層構造でもよい。
タングステン、鉄、ニッケル等の金属、又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等を用い
ることができる。また、第1電極15及び第2電極16は、母材の表面に金属層を備えて
いてもよい。金属層は、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ロジウム、
金、銅、又はこれらの合金などを単層又は複数層とすることができる。なお、第1電極1
5及び第2電極16は、金属層が設けられていない領域があってもよい。また、第1電極
15及び第2電極16において、上面に形成される金属層と、下面に形成される金属層と
は異なっていてもよい。例えば、上面に形成される金属層はニッケルの金属層を含む複数
層からなる金属層であり、下面に形成される金属層はニッケルの金属層を含まない金属層
とすることができる。また、上面に形成された金属層の厚みは、下面に形成された金属層
の厚みよりも厚いほうが好ましい。上面側の金属層が厚いことで、半導体発光素子14か
らの光を効率的に上側に反射させることができる。また、半導体発光素子14からの光を
直接的に反射しない下面側の金属層を薄くすることで、発光装置11のコストを抑えるこ
とができる。上面の金属層の厚みと、下面の金属層の厚みとが異なる場合は、それぞれの
金属層の層数は同じで、そのうちの一部又は全ての層の厚みを異ならせることで、全体の
厚みを変えてもよい。あるいは、上面の金属層と下面の金属層の層数を異なるようにする
ことで、全体の厚みを変えてもよい。
場合は、銀または銀合金の金属層の表面に酸化ケイ素等の保護層が設けられることが好ま
しい。これにより、大気中の硫黄成分等により銀または銀合金の金属層が変色することを
抑制できる。保護層の成膜方法は、例えばスパッタ、原子層堆積法等の真空プロセスによ
って成膜することができ、その他の既知の方法を用いてもよい。
図3Aは電子部品11aが搭載される前の基板12の模式上面図であり、図3Bは電子
部品11aが搭載された後の基板12と電子部品11aとの位置関係を説明するための模
式透過図である。図3Aで示すように、基板12は、基材17と、一対の配線層19(第
1配線層19aおよび第2配線層19b)とを備える。基板12は、電子部品11aを搭
載するための部材であり、光源装置10を構成する一部材である。図3Bで示すように、
電子部品11aの直下に一対の配線層19の一部が配置される。具体的には、電子部品1
1aの第1電極15の直下には第1配線層19aの一部が配置し、電子部品11aの第2
電極16の直下には第2配線層19bの一部が配置する。第1電極15および第1配線層
19aと、第2電極16および第2配線層19bとはそれぞれ半田を介して電気的に接続
される。
下面11bの分離領域13aと対面する位置に第1領域21を有する。第1領域21は、
第1領域21以外の領域にある一対の配線層19の表面よりも半田濡れ性が悪い。図3B
では、第1領域21において、第1配線層19aに貫通孔が設けられており、貫通孔の底
部で基材17の一部が露出している。貫通孔の底部で露出する基材17の一部は、一対の
配線層19よりも半田濡れ性が悪い。そして、電子部品11aは、電子部品11aの分離
領域13aと基板12の第1領域21(貫通孔)とが対面するように、基板12上に半田
実装される。電子部品11aをこのような配置で基板12に実装することで、上面視にお
いて、基板12の第1領域21は、電子部品11aの第1部15aと第2部15bとの間
に位置する。その結果、半田濡れ性の悪い第1領域21を介して、第1部15aに濡れ広
がる半田の一部と第2部15bに濡れ広がる半田の一部とは分離する。これにより、第1
部15aにかかる半田の引っ張る力を第2部15b側に影響しにくくすることができ、一
方で、第2部15bにかかる半田の引っ張る力を第1部15a側に影響しにくくすること
ができる。そして、結果として、電子部品11aのセルフアライメント性を向上させるこ
とができる。
性が悪いとは、第1領域21に対する半田の親和性(付着しやすさ)が、第1領域21以
外の一対の配線層19に対する半田の親和性よりも低いものを指す。半田濡れ性は、第1
領域21又は一対の配線層19の表面での半田の接触角によって表すことができる。半田
濡れ性が悪い領域では半田の接触角は大きくなる。したがって、第1領域21での半田の
接触角は、一対の配線層19の表面での半田の接触角よりも大きくなる。半田の接触角は
、液滴法、懸滴法、プレート法、ウォッシュバーン法等の公知の方法で測定することがで
きる。
5aの内側部150aおよび第2部15bの内側部150bの少なくとも一方と略接する
位置にある。略接する位置とは、例えば、0〜50μm程度離間した距離をいう。例えば
、第1領域21が、上面視において、第1部15aの内側部150aと略接する位置にあ
る場合は、電子部品11aが第1部15aから第2部15bへの方向に位置ずれすること
を抑制することができる。一方で、第1領域21が、上面視において、第2部15bの内
側部150bと略接する位置にある場合は、電子部品11aが第2部15bから第1部1
5aへの方向に位置ずれすることを抑制することができる。図3Bでは、第1領域21は
、第1部15aの内側部150aおよび第2部15bの内側部150bの双方と接する位
置に設けられている。これにより、第1方向の+方向と−方向双方の位置ずれを抑制する
ことができる。
楕円形、多角形、又は、これらの形状を結合した変則的な形状等が挙げられる。なかでも
、第1領域21の平面形状は、円形、楕円形等の加工が容易な形状とすることが好ましい
。図3Bで示す第1領域21は、上面視において第1方向に長いトラック形状であるが、
第1領域21の平面形状は、例えば、第2方向に長い形状であってもよいし、第1部15
aの内側部150aまたは第2部15bの内側部150bに平行な直線を備える略矩形形
状であってもよい。
第1領域21の幅は、例えば、分離領域13aに相当する幅、つまり、第1部15aと
第2部15bとの最短距離を有していることが好ましい。また、第1領域21は、分離領
域13aと対面する領域全てに設けられていてもよいし、図3Bで示すように分離領域1
3aと対面する領域のうち一部の領域でもよい。なお、第1領域21は、1つの電子部品
11aに対して1つあればよいが、2つ以上配置されていてもよい。
22は、第1領域21と同様に、第1領域21及び第2領域22以外の領域にある配線層
19の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。第1領域21は、上述のように、基板1
2の表面のうち電子部品11aの下面11bの分離領域13aと対面する位置に設けられ
る。一方、第2領域22は、基板12の表面のうち、電子部品11aの下面11bの分離
領域13aと対面する位置を除き、且つ、第1電極15および第2電極16の周縁にある
近傍領域と対面する位置に設けられる。図3Bでは、第2領域22は、基板12の表面の
うち、第1電極15および第2電極16の4隅の近傍領域と対面する位置に設けられてい
る。
具体的には、電子部品11aの下面11bは、第2方向において離間する第1辺11c
および第2辺11dを有する。そして、基板12に設けられる第2領域22は、それぞれ
、第1電極15および第2電極16の側部151a、151bと第1辺11cとで挟まれ
る領域の両端部と対面する位置と、第1電極15の側部152a、153aと第2辺11
dとで挟まれる領域の両端部と対面する位置と、にある。そして、第2領域22には、第
1配線層19aおよび第2配線層19bが設けられておらず基材17が露出している。各
第2領域22は、電子部品11aを搭載した際に、各側部151a、152a、153a
、151bと略接する位置にある。各側部151a、152a、153a、151bと略
接する位置にあるとは、例えば、各側部151a、152a、153a、151bと第2
領域22との距離が0〜50μmである。このように基板12の上面のうち、第2方向に
互いに対向する第1辺11c側および第2辺11d側の領域に第2領域22を設け、各第
2領域22と第1電極15および第2電極16の側部とが略接する位置にあることで、半
田を介して電子部品11aを実装したときに電子部品11aが第2方向にずれることを抑
制することができる。これにより、電子部品11aのセルフアライメント性を向上させる
ことができ、電子部品11aの実装精度を向上させることができる。また、第2領域22
を第1電極15および第2電極16の4隅の近傍領域と対面する位置に設けることで、電
子部品11aが回転することを抑制することができ、電子部品11aの実装精度はさらに
向上する。なお、第1方向への電子部品11aの位置ずれは、第1領域21によって抑制
される。
つでもよい。また、第1領域21と第2領域22との半田濡れ性は、同等であることが好
ましいが、異なっていてもよい。
基板12は、第1領域21に位置する一対の配線層19の上面に、導電性部材または絶縁
性部材を有していてもよい。導電性部材または絶縁性部材は、第1領域21以外の領域に
ある一対の配線層19の表面よりも半田濡れ性が悪い材料が用いられる。また、基板12
は、第1領域21において、一対の配線層19の一部の材料を変更することにより、又は
、一対の配線層19の一部の状態(表面粗さ、表面処理状態等)を変更することで半田濡
れ性を異ならせてよい。第2領域22についても第1領域21と同様である。
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチルペン
テン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等
が挙げられる。また、その他に、酸化アルミニウム等の酸化物や窒化アルミニウム等の窒
化物等を用いることができる。
第1領域21を構成する導電性部材としては、上述した一対の配線層19、第1電極1
5及び第2電極16を構成する材料の中から選択することができる。
出する基材17を用いる場合は、この貫通孔は、上述した一対の配線層19のパターニン
グ時に同時に形成することができる。一対の配線層19のパターニング時に貫通孔を同時
に形成することで、第1領域21または第2領域22を低コストで形成することができる
。あるいは、金型、ロールプレス等を利用した押圧法、パンチングによる打ち抜き等によ
って形成することができる。
第1領域21または第2領域22として、導電性部材または絶縁性部材を用いる場合は
、フォトリソグラフィ及びスパッタ法、印刷法等を利用して、特定の位置に配置すること
ができる。この場合、導電性部材等の厚みは、電子部品11aと基板12との実装に用い
られる半田の厚みと同様又はそれよりも薄いことが好ましい。この形態では、一対の配線
層19の体積を減少させることはない。そのため、貫通孔の形態と比較して、基板12の
放熱性を高くすることができる。
第1領域21または第2領域22として、その領域における配線層の表面粗さを異なら
せる場合は、研磨やレーザースクライブ等により形成することができる。この形態では、
一対の配線層19を形成した後に、第1領域21または第2領域22を必要に応じて自由
度高く形成することができる。
する被覆部材23を備えることが好ましい。一対の配線層19の上面を被覆部材23が被
覆していることで、一対の配線層19を保護することができ、且つ、基板12の絶縁性を
確保することができる。また、被覆部材23は、光反射性が高い部材であることが好まし
く、また、複数の層からなる積層構造であることが好ましい。被覆部材23の好ましい形
態として、被覆部材23は第1被覆部材23aと第2被覆部材23bとを有する。第1被
覆部材23aは、基材17の上面のうち電子部品11aの載置領域以外の略全ての領域を
被覆する。そして、第2被覆部材23bは、第1被覆部材23aよりも光反射性が高い部
材が用いられ、且つ、第1被覆部材23aの上面を局所的に被覆し、例えば、電子部品1
1aの近傍のみを被覆する。このように被覆部材23が第1被覆部材23aおよび第2被
覆部材23bを有し、各被覆部材を上記のように配置することで、第1被覆部材23aに
より一対の配線層19を保護することができるとともに、第2被覆部材23bにより電子
部品11a(発光装置11)からの出射光を効率的に上面側に反射させることができる。
第1被覆部材23aおよび第2被覆部材23bは樹脂材料に光反射性物質が含有された部
材を用いることができる。
基材17は、表面に一対の配線層19が配置されている。基材17の材料としては、例
えば、アルミニウム又は銅等の金属、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウム等のセラミ
ックス、樹脂、パルプ、ガラス、又はこれらの複合材料等が挙げられる。複合材料として
は、例えば、ガラスエポキシ、ガラスシリコーン及びガラス変性シリコーンが挙げられる
。基材17は、単層構造でもよいし、複数の層を含む多層構造でもよい。
一対の配線層19は、電子部品11aと電気的に接続され、電子部品11aに給電する
部材である。一対の配線層19は、基材17の上面に配置される。一対の配線層19は、
第1配線層19aと第2配線層19bとを有し、第1配線層19aと第2配線層19bと
は互いに溝18を挟んで離間している。
一対の配線層19は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケ
ル等の金属、又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等によって形成することができる。
一対の配線層19の表面は金属層等で被覆されていてもよい。
形態、又は1つの電子部品における外部電極(又は端子)の数等によって、一対の配線層
19以外に他の配線層を備えていてよい。他の配線層は、例えば、通電に寄与しない放熱
を目的とする部位であってよい。また、第1配線層19aおよび第2配線層19bは、上
面視において、大きさ及び形状が互いに異なっていてもよい。
1電極15と第2電極16との間の領域と対面する。
溝18の平面形状は、1つの電子部品の直下において、屈曲していることが好ましい。
溝18の屈曲方向は特に限定されないが、例えば、溝18は、第2方向に延び、第1方向
に向かって屈曲するものが挙げられる。第2方向から第1方向への屈曲は1つでもよいし
、複数でもよい。さらに、第1方向から第2方向への屈曲が1以上あってもよい。
また、上面視において、第1電極15と第2電極16との間の領域と対面する溝18の
形状または大きさは、第1電極15と第2電極16との間の領域の形状または大きさと略
一致することが好ましい。
ることができる。例えば、マスクを介してスパッタ法等により配線層となる材料を成膜し
、リフトオフによってパターニングする方法や、全面に蒸着等によって配線層となる材料
を成膜し、マスクを用いたフォトリソグラフィ法等を利用してパターニングする方法等が
挙げられる。また、予めパターニングされた配線を、基材17上に貼り付けることで一対
の配線層19を形成してもよい。
田の材料は、例えば、AgとCuとSnとを主成分とする合金、CuとSnとを主成分と
する合金、BiとSnとを主成分とする合金等が挙げられる。
このような半田を介する実装は、半田が一対の配線層19の上面で広がり、電子部品1
1aが位置ずれを起こす可能性がある。なお、本開示の光源装置10では、基板12が上
述した第1領域21および第2領域22を有することで、電子部品11aを実装した際の
セルフアライメントを効果的に確保することができる。その結果、電子部品11aの実装
精度を向上させることができる。
電子部品11aとして発光装置11を用いる場合、発光装置11は、例えば、その光取
り出し面となる上面に、封止部材等の光学部材、ツェナーダイオード25等の保護素子を
さらに備えていてもよい。
実施形態1の光源装置10は、図1に示すように、電子部品11aに相当する発光装置
11と、基板12とを備える。
発光装置11は、図2Aから2Cに示すように、2つの半導体発光素子14と、この半
導体発光素子14を搭載するパッケージ13とを備える。
パッケージ13は、酸化チタンを15〜25重量%含有するエポキシ樹脂を含む母体1
31と、第1電極15及び第2電極16とを有し、略正方形の平面形状を有する(例えば
、3mm×3mm)。第1電極15及び第2電極16は、銅と銅の表面に形成された金属
層とを含み、最大厚みが200μmで形成される。第1電極15及び第2電極16は、半
導体発光素子14の一対の電極とワイヤにより電気的に接続されている。
第1電極15は、発光装置11の下面11bにおいて、第1部15a及び第2部15b
を有している。これら第1部15a及び第2部15bは、分離領域13aを介して分離さ
れている。
16は、図2Dに示すように、外周部分15X、16Xと、第1部15a及び第2部15
b間の分離領域13aと、に下面側から上面側に窪む窪み部を有する。また、第1電極1
5及び第2電極16の上面には、樹脂材料を含む母体131と、第1電極15および第2
電極16との密着性を向上させるために、凹部15Y、16Yを有する。第1部15aの
上面に形成される凹部15Yと、第2部15bの上面に形成される15Yとは、上面視に
おける分離領域13aと重なる領域において分離している。これにより、第1電極15の
下面に形成される窪み部と、上面に形成される凹部15Yとが、上面視において重ならな
いので、第1電極15の強度を確保することができる。
発光装置11の下面11bにおいて、第1部15aは、第2部15bよりも平面積が大
きい。
る。実施形態1の基材17は単層構造のガラスエポキシからなり、一対の配線層19は銅
によって形成されている。
基板12は、発光装置11を搭載する位置において、発光装置11の下面11bの分離
領域13aと対面する位置に第1領域21を有する。第1領域21は、第1領域21以外
の領域にある一対の配線層19の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。具体的には、
第1領域21に位置する一対の配線層19には貫通孔が形成され、貫通孔の底部において
基材17の一部が露出している。換言すると、銅を含む一対の配線層19のうち、第1領
域21に位置する一対の配線層19には貫通孔が設けられ、貫通孔の底部においてガラス
エポキシを含む基材17が露出する。つまり、実施形態1における第1領域21は、基材
17となる。ガラスエポキシを含む基材17の表面における半田濡れ性は、銅を含む一対
の配線層19の表面における半田濡れ性よりも悪い。
基板12は、さらに、第1領域21に加えて、4つの第2領域22を有している。第2
領域22は、第1領域21と同様に、第1領域21及び第2領域22以外の領域にある一
対の配線層19の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。第2領域22も第1領域21
と同様に、貫通孔が設けられ、貫通孔の底部において基材17の一部が露出する。つまり
、実施形態1における第2領域22は、基材17となる。
光装置11の第1電極15と第2電極16との間の領域に対面する基板12の上面に配置
されている。溝の幅は、例えば、400μmである。
溝18は、1つの半導体発光素子14の直下において、第1電極15と第2電極16と
の離間領域の形状に対応して、屈曲している。
3は、発光装置11との電気的な接続に必要な配線層の一部を露出して、その他の配線層
を含む基材17の表面を被覆する。つまり、被覆部材23は、発光装置11が搭載された
領域を露出する開口を有する。
被覆部材23は、基板12上において、一対の配線層19を略全面にわたって被覆する
第1被覆部材23aと、発光装置11の周辺にのみ配置された第2被覆部材23bとを備
える。
えば、AgとCuとSnとを主成分とする合金である。発光装置11を半田を介して実装
する場合、通常、半田が配線層の上面で広がり、発光装置11に位置ずれが生じたり、発
光装置の回転等が生じる可能性がある。しかし、本開示の光源装置10では、基板12の
特定の位置に第1領域21および第2領域22を配置することで、発光装置11の位置ず
れを効果的に防止することができる。また、光源装置10を直下型のバックライト用光源
として用いる場合、各発光装置11の上面にレンズ部材を設けることがある。このような
場合であっても、本開示の光源装置10は、発光装置11の位置ずれが効果的に抑制され
ているので、各発光装置11の光軸と各レンズ部材の光軸とが合わせやすいという効果を
奏する。
実施形態2の光源装置は、図4A〜4Cに示すように、電子部品11aに相当する発光
装置31と、基板とを備える。図4Aは発光装置31の上面視における模式透過図であり
、図4Bは図4Aの発光装置31を示す模式下面図であり、図4Cは基板と発光装置31
との位置関係を説明するための模式透過図である。
発光装置31は、図4Aに示すように、第1方向に長い矩形形状であり、パッケージ3
3と、パッケージ33に搭載された2つの半導体発光素子34とを備える。発光装置31
は、第1電極35および第2電極36を備え、第1電極35および第2電極36は、発光
装置31の下面において露出している。そして、第1電極35は、発光装置31の下面に
おいて、第1部35a及び第2部35bを有している。第1部35a及び第2部35bは
、分離領域31bを介して分離されている。
第1電極35の第1部35aと第2部35bとは、第1方向に並んで配置されている。
一対の配線層39a、39bの間には溝38が配置されている。
溝18は、1つの発光装置31の直下において、第1電極35と第2電極36との形状
に対応して、第2方向に延び、第1方向に向かって屈曲している。
基板は、発光装置31を搭載する位置において、発光装置31の下面の分離領域31b
と対面する位置に第1領域41を有する。基板は、さらに、第1領域41に加えて、4つ
の第2領域42を有している。第1領域41に位置する一対の配線層39a、39bには
貫通孔が形成され、貫通孔の底部において基材の一部が露出している。同様に、第2領域
42に位置する一対の配線層39a、39bには貫通孔が形成され、貫通孔の底部におい
て基材の一部が露出している。
このように、基板の特定の位置に第1領域21および第2領域22を配置することで、
発光装置31の位置ずれを効果的に防止することができる。その結果、発光装置31のセ
ルフアライメントを効果的に確保することができ、発光装置31の実装精度を向上させる
ことができる。
本開示の電子部品の第1電極および第2電極は種々の形状とすることができる。図5は
、電子部品の下面に露出する第1電極55および第2電極56と、基板に配置された第1
領域21および第2領域22とを示す模式図である。説明を簡略化するため、電子部品や
基板の外形等は省略して図示している。
図5に示すように、第1電極55は上面視において凸部を有し、第2電極56は第1電
極55に対面し、且つ、第1電極55の凸部が収まる凹部を有する。そして、第1電極5
5は、電子部品の下面において、略矩形状の第1部55aと、凸部に相当する略矩形状の
第2部55bとを有する。そして、第1部55aと第2部55bとの間の分離領域51b
と対面する位置に第1領域21が配置されている。また、第1電極55および第2電極5
6の角部近傍には4つの第2領域22が配置されている。基板は、上面に一対の配線層を
備え、一対の配線層の間には溝58が配置されている。
このような第1電極および第2電極の形状においても、実施形態1と同様の効果を有す
る。
11、31 発光装置
11a 電子部品
11b 下面
11c 第1辺
11d 第2辺
12 基板
13、33 パッケージ
131 母体
13a 分離領域
13b 窪み部
14、34 半導体発光素子
15、35、55 第1電極
15X 外周部分
15Y 凹部
15a、35a、55a 第1部
15b、35b、55b 第2部
150a 内側部
150b 内側部
151a、151b、152a、153a 側部
16、36、56 第2電極
16X 外周部分
16Y 凹部
17 基材
18、38、58 溝
19、19a、19b、39a、39b 配線層
21、41 第1領域
22、42 第2領域
23 被覆部材
23a 第1被覆部材
23b 第2被覆部材
25 ツェナーダイオード
31b 分離領域
Claims (9)
- 下面に第1電極と第2電極とを有し、前記下面において、前記第1電極は、分離領域を
介して分離された、第1部及び第2部を有する電子部品と、
基材と、該基材の上面に配置される一対の配線層とを有する基板と、を備え、
前記一対の配線層の上面と、前記電子部品の前記下面にある前記第1電極及び第2電極
とが対面するように前記電子部品が載置される光源装置であって、
前記基板は、前記分離領域と対面する位置に第1領域を有し、
前記第1領域は、前記第1領域以外に位置する前記一対の配線層の表面よりも半田濡れ
性が悪い領域であることを特徴とする光源装置。 - 前記電子部品の下面において、前記第1部の平面形状は前記第2部の平面形状と異なる
請求項1に記載の光源装置。 - 前記第1領域において、前記一対の配線層は貫通孔を有し、
前記貫通孔の底部において前記基材の一部が露出している請求項1又は2に記載の光源
装置。 - 前記第1領域において、前記一対の配線層は上面に導電性部材又は絶縁性部材を有する
請求項1又は2に記載の光源装置。 - 前記第1領域における前記一対の配線層の表面粗さは、前記第1領域以外の前記一対の
配線層の表面粗さと異なる請求項1又は2に記載の光源装置。 - 前記基板は、前記電子部品の下面の前記分離領域と対面する位置を除き、且つ、前記第
1電極および前記第2電極の周縁にある近傍領域と対面する位置に、半田濡れ性が悪い第
2領域をさらに有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記電子部品の下面は、対向する第1辺および第2辺を有し、
前記第2領域は、前記第1電極および/または前記第2電極の側部と前記第1辺とで挟
まれる領域と対面する位置と、前記第1電極および/または前記第2電極の側部と前記第
2辺とで挟まれる領域と対面する位置とに設けられている請求項6に記載の光源装置。 - 前記一対の配線層は互いに溝を介して離間しており、
前記溝は、上面視において屈曲している請求項1〜7のいずれか1項に記載の光源装置
。 - 前記電子部品は、前記第1電極および前記第2電極を有するパッケージと、前記パッケ
ージに載置される半導体発光素子とを備える発光装置である請求項1〜8のいずれか1項
に記載の光源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019220997A JP6916453B2 (ja) | 2017-04-21 | 2019-12-06 | 光源装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017084830A JP6680258B2 (ja) | 2017-04-21 | 2017-04-21 | 光源装置 |
JP2019220997A JP6916453B2 (ja) | 2017-04-21 | 2019-12-06 | 光源装置 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020043366A true JP2020043366A (ja) | 2020-03-19 |
JP6916453B2 JP6916453B2 (ja) | 2021-08-11 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6916453B2 (ja) |
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