JP5675210B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
構造10)は、LED素子(発光ダイオードチップ24)からマザー基板までの間に回路基板(基板22)と金属導線架12がある。しかしながら、たとえ金属導線架12の熱伝導率が高く且つフリップチップ実装を採用しているといっても、意図的に基板22に熱抵抗を下げる工夫を施さない限り放熱効率は向上しない。なお特許文献2は、LED装置の小型化を目的としており、放熱に係わる課題について何も言及していない。
前記回路基板は前記半導体発光素子を実装する実装面と、前記回路基板の前記実装面と直交しマザー基板と対向して接続するための接続面とを備え、
前記接続面は前記実装面と直交する中心線近傍に半円柱状の凹部を有するとともに、前記半円柱状の凹部を挟むように2個の1/4円柱状の凹部を有し、
前記半円柱状の凹部及び前記1/4円柱状の凹部には電極が形成され、
前記半導体発光素子は下面が矩形であり、前記下面の三隅を占めるP電極と一隅のみ占めるN電極を有し、
前記P電極と接続する電極が前記半円柱状の凹部に形成された電極に接続し、
前記N電極と接続する電極が一の前記1/4円柱状の凹部に形成された電極に接続し、
他の前記1/4円柱状の凹部に形成された電極はフローティングであり、
前記P電極と接続する電極における前記P電極と前記半円柱状の凹部に形成された電極との間の銅箔が、前記N電極と接続する電極における前記N電極と前記一の1/4円柱状の凹部に形成された電極との間の銅箔より太く短く、
前記半導体発光素子が封止材により封止され、
前記封止材と前記凹部との間に隔離層を備える
ことを特徴とする。
(第1実施形態)
(a):樹脂層11は蛍光体樹脂37と反射枠38からなっており、反射枠38が蛍光体樹脂37を取り囲んでいる。
(b):樹脂層11を剥がすと、LED素子12とセラミックインク層36が現れる。
(c):LED素子12及びセラミックインク層36を取り去ると、回路基板13及びその表面に形成された電極35,46,47が現れる。
下面に形成されたP電極45は図の右上隅以外の三隅を占め、N電極44は右上隅を占めている。特殊な平面形状をしたP及びN電極45,44は、ホトリソグラフィ法を併用した電解メッキ法で形成した。
(第2実施形態)
(b):樹脂層11を剥がすと、LED素子12と樹脂シート36cが現れる。LED素子12は樹脂シート36cの開口部36に配置されている。
(c):LED素子12及び樹脂シート36cを取り去ると、回路基板13及びその表面に形成された電極35c,46c,47cが現れる。さらに本実施形態では凹部14,15,16も見える。
なおLED素子12からマザー基板に至る熱抵抗は第1実施形態と同等である。
11…樹脂層(封止材)、
12…LED素子(半導体発光素子)、
13,13a,13b…回路基板、
14,15,16…凹部、
31…ハンダ、
32…マザー基板、
33,34,35,35a,35b,35c,46,46a,46b,46c,
47,47a,47b,47c…電極、
36…セラミックインク層、
36a,36d…開口部、
36c…樹脂シート、
37…蛍光体樹脂、
38…反射枠、
44…N電極、
45…P電極、
50…集合基板、
51…切断線、
52,52a,52b…スルーホール、
61…銅箔、
62…金属層。
Claims (3)
- 回路基板上に半導体発光素子をフリップチップ実装した側面発光型の半導体発光装置において、
前記回路基板は前記半導体発光素子を実装する実装面と、前記回路基板の前記実装面と直交しマザー基板と対向して接続するための接続面とを備え、
前記接続面は前記実装面と直交する中心線近傍に半円柱状の凹部を有するとともに、前記半円柱状の凹部を挟むように2個の1/4円柱状の凹部を有し、
前記半円柱状の凹部及び前記1/4円柱状の凹部には電極が形成され、
前記半導体発光素子は下面が矩形であり、前記下面の三隅を占めるP電極と一隅のみ占めるN電極を有し、
前記P電極と接続する電極が前記半円柱状の凹部に形成された電極に接続し、
前記N電極と接続する電極が一の前記1/4円柱状の凹部に形成された電極に接続し、
他の前記1/4円柱状の凹部に形成された電極はフローティングであり、
前記P電極と接続する電極における前記P電極と前記半円柱状の凹部に形成された電極との間の銅箔が、前記N電極と接続する電極における前記N電極と前記一の1/4円柱状の凹部に形成された電極との間の銅箔より太く短く、
前記半導体発光素子が封止材により封止され、
前記封止材と前記凹部との間に隔離層を備える
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記隔離層が銅箔であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記隔離層が樹脂シートであることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
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