JP2020043035A - 有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法 - Google Patents
有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020043035A JP2020043035A JP2018171747A JP2018171747A JP2020043035A JP 2020043035 A JP2020043035 A JP 2020043035A JP 2018171747 A JP2018171747 A JP 2018171747A JP 2018171747 A JP2018171747 A JP 2018171747A JP 2020043035 A JP2020043035 A JP 2020043035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- display device
- emitting display
- sealing film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 96
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 24
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 17
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 claims description 15
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 97
- 239000010408 film Substances 0.000 description 65
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 28
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- KWLMIXQRALPRBC-UHFFFAOYSA-L hectorite Chemical compound [Li+].[OH-].[OH-].[Na+].[Mg+2].O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O[Si]([O-])(O1)O[Si]1([O-])O2 KWLMIXQRALPRBC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000271 hectorite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】酸素および水分に対する優れた遮蔽性を有すると共に、狭ベゼル化が達成された有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明における有機発光表示装置は、素子基板と、前記素子基板上に設けられた有機発光素子層と、前記素子基板上において前記有機発光素子層の周囲に設けられたダム材と、前記素子基板と対向して前記ダム材上に設けられた対向基板と、前記ダム材の外壁面に設けられた封止膜と、を備える。【選択図】図３
Description
本発明は、有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法に関する。
有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）は、低電圧駆動が可能で薄型であり、視野角に優れて応答速度が速いという特徴がある。
その一方で、有機発光表示装置は、酸素および水分の影響によって有機発光素子（有機発光ダイオード）の劣化が生じ、発光性能が低下してしまう。このため、有機発光表示装置への酸素および水分の透過を抑制する技術の開発が進められている。
例えば、特許文献１には、素子基板と対向基板の間に設けられたダム材（封止壁）によって有機発光素子の周囲を封止することで酸素および水分の透過を抑制する有機発光表示装置が開示されている。
特許文献１に記載された有機発光表示装置では、ダム材は樹脂により形成されているため、酸素および水分に対する充分な遮蔽性を得るためにはダム材の幅（面方向における厚み）を広くすることが必要となる。その一方で、有機発光表示装置においては非表示領域の低減、デザイン性の向上、小型化および軽量化の観点から、ダム材の幅は狭いことが好ましく、狭ベゼル化（狭額縁化）が強く求められている。
したがって、酸素および水分に対する優れた遮蔽性と、狭ベゼル化とはトレードオフの関係にあり、これらを高次元に達成することが求められている。
したがって、酸素および水分に対する優れた遮蔽性と、狭ベゼル化とはトレードオフの関係にあり、これらを高次元に達成することが求められている。
本発明は、上述した従来技術における諸問題に鑑み、酸素および水分に対する優れた遮蔽性を有すると共に、狭ベゼル化が達成された有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一観点によれば、素子基板と、前記素子基板上に設けられた有機発光素子層と、前記素子基板上において前記有機発光素子層の周囲に設けられたダム材と、前記素子基板と対向して前記ダム材上に設けられた対向基板と、前記ダム材の外壁面に設けられた封止膜と、を備える有機発光表示装置が提供される。
本発明の他の観点によれば、素子基板上に有機発光素子層を設ける工程と、前記素子基板上の前記有機発光素子層の周囲に、樹脂を含む塗工液を塗布して未硬化ダム材を設ける工程と、前記素子基板と対向して前記未硬化ダム材上に対向基板を設ける工程と、前記未硬化ダム材を硬化させてダム材を形成する工程と、前記ダム材の外壁面に封止膜を設ける工程と、を備える有機発光表示装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、酸素および水分に対する優れた遮蔽性を有すると共に、狭ベゼル化が達成された有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法が提供される。
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態における有機発光表示装置１００を示す斜視図である。図２は、本実施形態における有機発光表示装置１００を示すブロック図である。なお、本実施形態において、各図面は説明のための模式図であり、寸法通りではない。特に、反復される多数の構成要素は、図示の明瞭化のためにその数量を大幅に減少して図示する。
図１は、本実施形態における有機発光表示装置１００を示す斜視図である。図２は、本実施形態における有機発光表示装置１００を示すブロック図である。なお、本実施形態において、各図面は説明のための模式図であり、寸法通りではない。特に、反復される多数の構成要素は、図示の明瞭化のためにその数量を大幅に減少して図示する。
図１および図２に示すように、本実施形態における有機発光表示装置１００は、表示パネル１１０と、スキャン駆動部１２０と、データ駆動部１３０と、タイミングコントローラ１６０と、ホストシステム１７０とを備える。
図１に示すように、表示パネル１１０は、対向する一対の基板である素子基板１１１と対向基板１１２とを備える。また、表示パネル１１０の外周方向の壁面（外壁面）には、封止膜１１３が設けられている。なお、以降の説明において、表示パネル１１０の表示面を画定する２辺の方向をそれぞれＸ方向およびＹ方向といい、表示面に垂直な方向（すなわち、Ｘ−Ｙ平面に垂直な方向）をＺ方向という。また、本実施形態において、「上」または「下」という表現は、現実の使用における位置関係を限定するものではない。
図２に示すように、表示パネル１１０は、画素Ｐが設けられ画像を表示する領域である表示領域を備える。表示パネル１１０には、データライン（Ｄ１〜Ｄｍ、ｍは２以上の正の整数）とスキャンライン（Ｓ１〜Ｓｎ、ｎは２以上の正の整数）が形成される。データライン（Ｄ１〜Ｄｍ）は、スキャンライン（Ｓ１〜Ｓｎ）と交差するように形成される。画素Ｐは、ゲートラインとデータラインの交差構造によって定義される領域に形成される。
表示パネル１１０の画素Ｐのそれぞれは、データライン（Ｄ１〜Ｄｍ）のいずれか一つとスキャンライン（Ｓ１〜Ｓｎ）のいずれか一つに接続され得る。表示パネル１１０の画素Ｐのそれぞれは、ゲート電極に印加されたデータ電圧に応じてドレイン・ソース間電流を調整する駆動トランジスタ（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、スキャンラインのスキャン信号によってＯＮにされ、データラインのデータ電圧を駆動トランジスタのゲート電極に供給するスキャントランジスタ、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流に応じて発光する有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、および前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧を保存するためのコンデンサ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を含み得る。これにより、画素Ｐのそれぞれは、有機発光ダイオードに供給される電流に応じて発光することができる。
スキャン駆動部１２０は、タイミングコントローラ１６０からスキャン制御信号（ＧＣＳ）の入力を受ける。スキャン駆動部１２０は、スキャン制御信号（ＧＣＳ）に基づいてスキャン信号をスキャンライン（Ｓ１〜Ｓｎ）に供給する。
スキャン駆動部１２０は、表示パネル１１０の表示領域の一側または両側の外側の非表示領域にＧＩＰ（ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｉｎ ｐａｎｅｌ）方式で形成され得る。または、スキャン駆動部１２０は、駆動チップにて製作され、軟性フィルム１４０を用いて実装され、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で表示パネル１１０の表示領域の一側または両側の外側の非表示領域に付着させることもできる。
データ駆動部１３０は、タイミングコントローラ１６０からのデジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）とデータ制御信号（ＤＣＳ）の入力を受ける。データ駆動部１３０は、データ制御信号（ＤＣＳ）に基づいて、デジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）をアナログ正極性／負極性データ電圧に変換してデータラインに供給する。つまり、スキャン駆動部１２０のスキャン信号によってデータ電圧が供給される画素Ｐが選択され、選択された画素Ｐにデータ電圧が供給される。
データ駆動部１３０は、図１に示すように、複数のソースドライブＩＣ１３１を含むことができる。複数のソースドライブＩＣ１３１の各々は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）またはＣＯＰ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐｌａｓｔｉｃ）方式で軟性フィルム１４０に実装され得る。軟性フィルム１４０は、異方性導電フィルム（ａｎｔｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｆｉｌｍ）を用いて、表示パネル１１０の非表示領域に設けられたパッド上に付着する。これにより、複数のソースドライブＩＣ１３１は、パッドに接続ことができる。
回路基板１５０は、軟性フィルム１４０に付着することができる。回路基板１５０には、駆動チップに実装された多数の回路が実装され得る。例えば、回路基板１５０には、タイミングコントローラ１６０が実装され得る。回路基板１５０は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）またはフレキシブルプリント回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）であり得る。
タイミングコントローラ１６０は、ホストシステム１７０からのデジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）とタイミング信号の入力を受ける。タイミング信号は、垂直同期信号（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｓｉｇｎａｌ）、水平同期信号（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｓｉｇｎａl）、データイネーブル信号（ｄａｔａ ｅｎａｂｌｅ ｓｉｇｎａｌ）、ドットクロック（ｄｏｔ ｃｌｏｃｋ）などを含むことができる。垂直同期信号は、１フレーム期間を定義する信号である。水平同期信号は、表示パネル１１０の１水平ラインの画素Ｐにデータ電圧を供給するのに必要な１水平期間を定義する信号である。データイネーブル信号は、有効なデータが入力される期間を定義する信号である。ドットクロックは、所定の短い周期で反復する信号である。
タイミングコントローラ１６０は、スキャン駆動部１２０と、データ駆動部１３０の動作タイミングを制御するために、タイミング信号に基づいて、データ駆動部１３０の動作タイミングを制御するためのデータ制御信号（ＤＣＳ）と、スキャン駆動部１２０の動作タイミングを制御するためのスキャン制御信号（ＧＣＳ）とを発生する。タイミングコントローラ１６０は、スキャン駆動部１２０にスキャン制御信号（ＧＣＳ）を出力し、データ駆動部１３０にデジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）とデータ制御信号（ＤＣＳ）とを出力する。
ホストシステム１７０は、ナビゲーションシステム、セットトップボックス、ＤＶＤプレーヤー、ブルーレイプレーヤー、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、ホームシアターシステム、放送受信機、携帯電話システム（Ｐｈｏｎｅ ｓｙｓｔｅｍ）などで実装され得る。ホストシステム１７０は、スケーラー（ｓｃａｌｅｒ）を内蔵したＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ｃｈｉｐ）を含む入力映像のデジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）を表示パネル１１０に表示するのに適した形式に変換する。ホストシステム１７０は、デジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）とタイミング信号とをタイミングコントローラ１６０に伝送する。
図３は、本実施形態における有機発光表示装置１００を示す断面図である。なお、図３は、図１に示す表示パネル１１０のＸ−Ｚ平面における断面図であるが、説明の便宜上、各部材の寸法および比率は図１とは異なるものとする。また、以下においてはトップエミッション型の有機発光表示装置１００を例に挙げて説明するが、本発明の有機発光表示装置はトップエミッション型に限られるものではなく、ボトムエミッション型の有機発光表示装置であってもよい。
図３に示すように、本実施形態による有機発光表示装置１００は、素子基板１１１と、対向基板１１２と、封止膜１１３と、有機発光素子層１１４と、パッシベーション層１１５と、ダム材１１６と、充填材１１７とを備える。
ている。
ている。
素子基板１１１は、例えば、ガラス基板である。なお、素子基板１１１は、ガラス基板に限定されるものではなく、種々の材質の基板を用いることができる。また、素子基板１１１上には、バリア層（不図示）が形成される。バリア層の材料としては、酸素および水分に対する遮蔽性を有する材料であれば特に制限はなく、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナなどが挙げられる。また、バリア層は単層であってもよく、２層以上の積層構成であってもよい。さらに、バリア層上には、有機発光素子層１１４を駆動する駆動回路を構成する薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を含むＴＦＴ層（不図示）が形成される。
対向基板１１２は、例えば、ガラス基板である。透明性を有する対向基板１１２が有機発光素子層１１４の発光方向に位置することにより、トップエミッション型の表示装置を構成することができる。対向基板１１２は、ダム材１１６および充填材１１７の上に接着・固定されている。
封止膜１１３は、ダム材１１６の外壁面上に設けられている。本実施形態では、図１に示すように、封止膜１１３は、表示パネル１１０において図中ＸＹ平面に垂直な３つの外壁面上に連続して設けられている。また、封止膜１１３は、表示パネル１１０の厚み方向（Ｚ方向）において、素子基板１１１、ダム材１１６および対向基板１１２の３つ部材の外壁面を跨るように連続して形成されている。なお、封止膜１１３は、金属酸化物および金属窒化物の少なくとも一つを含む蒸着膜であり、公知の成膜法の一つであるエアロゾルデポジション法（Ａｅｒｏｓｏｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ：ＡＤ法）により形成される。
エアロゾルデポジション法は、金属酸化物や金属窒化物などからなる脆性材料の微粒子エアロゾルを、ノズルから高速で対象物の表面に向けて噴射することによって、対象物に微粒子を衝突させ、その機械的衝撃力を利用して脆性材料の多結晶構造物を対象物の表面に形成する方法である。エアロゾルデポジション法によれば、非湿式かつ非加熱の条件下にて焼成体と同等の機械的強度と酸素および水分に対する高い遮蔽性を併せ持つ緻密な構造物を得ることができる。
水分に対する高い遮蔽性（高水蒸気バリア性）は、一般的に水蒸気透過度（Ｗａｔｅｒ Ｖａｐｏｒ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｒａｔｅ：ＷＶＴＲ）で表される。水蒸気透過度の単位としては、水蒸気量を単位時間（１日）、単位面積（１ｍ２）当たりに換算したものが一般的に用いられる。特に、有機エレクトロニクス基板の用途では、１０-５〜１０-６ｇ／ｍ２／ｄａｙと極めて低い透過性が要求されており、本実施形態の封止膜１１３も当該基準を満たすものとする。
封止膜１１３の材料としては、アルミナ、ジルコニア（二酸化ジルコニウム）、チタニア（酸化チタン）などが用いられる。また、封止膜１１３は、透明性を有すると好適である。封止膜１１３の厚みは、１００ｎｍ〜１００ｕｍであると好適である。
有機発光素子層１１４は、上述したＴＦＴ層上に設けられている。有機発光素子層１１４は、有機発光素子（不図示）とバンク（不図示）を備える。有機発光素子は、アノード（陽極）と、アノード上に形成された有機化合物層（有機発光層）と、有機化合物層上に形成されたカソード（陰極）を有する。また、有機化合物層は、アノード側から順に、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層を有する。なお、有機発光素子層１１４を構成する各層は、公知の材料を用いて形成できる。
アノードとしては、例えば、アルミニウム、銀、プラチナ、クロムなどの反射率の高い材料の薄膜からなる反射電極、および、これらの薄膜上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電性酸化物の薄膜を形成した反射電極が挙げられる。
有機化合物層は、例えば、ピクセルを構成するサブピクセルに応じて、赤色光を発光するＲ用有機化合物層と、緑色光を発光するＧ用有機化合物層と、青色光を発光するＢ用有機化合物層とを含んでいる。Ｒ，Ｇ，Ｂ用有機化合物層は、それぞれの発光色に応じた公知の材料により構成されている。
カソードとしては、例えば、銀、銀合金、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの薄膜からなる半透明電極または透明電極が用いられる。
バンクは、画素Ｐを区画するように、例えばアノードの端部を覆うように形成される。すなわち、バンクは、画素Ｐを定義する画素定義膜としての役割をする。バンクとしては、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの有機膜が用いられる。
パッシベーション層１１５は、有機発光素子層１１４を覆うように、有機発光素子層１１４の上面および側面に設けられている。パッシベーション層１１５は、透湿性の低い無機膜からなり、酸素および水分から有機発光素子層１１４を保護する保護膜として機能する。パッシベーション層１１５としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などが用いられる。
ダム材１１６は、素子基板１１１上にマトリクス状に形成された複数の有機発光素子層１１４の周囲に設けられている。ダム材１１６は、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などの透明な樹脂からなる。ダム材１１６の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが用いられる。
ダム材１１６上には、素子基板１１１に対向して対向基板１１２が設けられる。ダム材１１６は、素子基板１１１（バリア層）と対向基板１１２との間に設けられ、熱や光によって硬化することで一対の基板の接着部材としても機能する。なお、製造された表示パネル１１０の厚み方向において、素子基板１１１、ダム材１１６および対向基板１１２の積層領域を通過する光の透過度が８０％以上になるように、各部材の材質が選択されていると好適である。
充填材１１７は、パッシベーション層１１５、ダム材１１６および対向基板１１２により囲まれた空間領域に充填されている。充填材１１７は、ダム材１１６と同様に、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などの透明な樹脂からなる。充填材１１７は、ダム材１１６と同様に、熱や光によって硬化することで一対の基板の接着部材としても機能する。なお、ダム材１１６および充填材１１７の屈折率は、０．５〜０．５５であると好適である。上下の基板（素子基板１１１および対向基板１１２）とダム材１１６との屈折率の差は、０．１以下であると好適である。
続いて、本実施形態における有機発光表示装置１００の製造方法について図４および図５を用いて説明する。図４は、本実施形態における有機発光表示装置１００の製造方法を示すフローチャートである。図５は、本実施形態における有機発光表示装置１００の製造方法を説明する図である。
先ず、図５（Ａ）に示すように、素子基板１１１の上面に有機発光素子層１１４を形成する（ステップＳ１１）。
次に、図５（Ｂ）に示すように、有機発光素子層１１４の上面および側面にパッシベーション層１１５を形成し、有機発光素子層１１４を覆う（ステップＳ１２）。
次に、後述する充填材１１７の注入に備えて、図５（Ｃ）に示すように、素子基板１１１において有機発光素子層１１４およびパッシベーション層１１５の周囲に未硬化樹脂であるダム材１１６を塗布する（ステップＳ１３）。
次に、ダム材１１６に対して紫外線を所定時間照射することにより、ダム材１１６を仮硬化する（ステップＳ１４）。
次に、図５（Ｄ）に示すように、素子基板１１１、パッシベーション層１１５およびダム材１１６により囲まれた空間に充填材１１７を注入する（ステップＳ１５）。
次に、図５（Ｅ）に示すように、素子基板１１１と対向してダム材１１６および充填材１１７の上に対向基板１１２を貼り合せる（ステップＳ１６）。
次に、図５（Ｆ）に示すように、例えば約１００Ｐａに減圧された常温状態のチャンバーＣ１内に表示パネル１１０の中間体（図５（Ｅ）参照）を搬入した後、当該中間体におけるダム材１１６、素子基板１１１、対向基板１１２の各外壁面に微粒子エアロゾルＡＳをノズルＮ１から噴射することで、ＡＤ法に基づいて外壁面上に封止膜１１３を形成する（ステップＳ１７）。
そして、内部温度を例えば１００℃まで温度を上昇させたチャンバーＣ１内で中間体を所定時間継続して熱処理、あるいは、中間体に紫外線を３０分間照射することで、充填材１１７およびダム材１１６を本硬化させる（ステップＳ１８）。硬化条件は、充填材１１７およびダム材１１６材質に応じて適宜選択される。これにより、有機発光表示装置１００の表示パネル１１０の製造処理が完了する。
以上のように、本実施形態における有機発光表示装置１００によれば、酸素および水分に対する優れた遮蔽性を有すると共に、狭ベゼル化が達成される。
詳述すると、極めて薄い厚み（１００ｎｍ〜１００ｕｍ）で形成された封止膜１１３のみで遮蔽性（高水蒸気バリア性）が確保される構造のため、従来装置よりもダム材１１６の幅を大幅に狭くすることが可能になる。また、従来装置のダム材１１６は、吸湿機能を有するゲッター材を含むため、表示パネル１１０の縁部が白濁し、非表示領域の増大の原因となっていた。これに対し、本実施形態における有機発光表示装置１００は、封止膜１１３の遮蔽性により、ダム材１１６の内部にゲッター材を含む必要がない構造のため、ダム材１１６を透明樹脂のみから形成でき、その結果、透明な表示領域の拡大（狭ベゼル化）を達成できる。
また、ダム材１１６が樹脂のみから形成されるため、ダム材１１６がゲッター材を包含する場合と比較して、ダム材１１６と素子基板１１１および対向基板１１２との接着力を向上させることができる利点もある。
また、ＡＤ法を用いることで、高温状態（例えば２５０℃）のチャンバー内で基板を高速回転させながら成膜を行うＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と比較して以下のような利点もある。
（Ａ）常温環境の下で基板の外壁面（側面）に封止膜１１３を蒸着可能なため、成膜工程に要するコストを抑制できる。
（Ｂ）基板の表面のすべてを成膜するＣＶＤ法とは異なり、所望の部分への限定的な封止膜１１３の形成が可能である。
（Ａ）常温環境の下で基板の外壁面（側面）に封止膜１１３を蒸着可能なため、成膜工程に要するコストを抑制できる。
（Ｂ）基板の表面のすべてを成膜するＣＶＤ法とは異なり、所望の部分への限定的な封止膜１１３の形成が可能である。
さらに、封止膜１１３のみで遮蔽性（高水蒸気バリア性）が確保される構造により、ダム材１１６の厚みを薄くできる利点もある。これにより、表示パネル１１０全体での厚みも薄くなるため、表示パネル１１０の柔軟性も向上できる利点もある。
［第２の実施形態］
続いて、本実施形態における有機発光表示装置２００を図６乃至図９に基づいて説明する。なお、第１の実施形態の図中において付与した符号と共通する符号は同一の対象を示す。以下では、第１の実施形態と共通する箇所の説明は省略し、第１の実施形態と異なる構成および動作を中心に説明する。
続いて、本実施形態における有機発光表示装置２００を図６乃至図９に基づいて説明する。なお、第１の実施形態の図中において付与した符号と共通する符号は同一の対象を示す。以下では、第１の実施形態と共通する箇所の説明は省略し、第１の実施形態と異なる構成および動作を中心に説明する。
図６は、本実施形態における有機発光表示装置２００を示す断面図である。本実施形態における封止膜１１８は、層状無機化合物から分離されたナノシート１１８ａと、有機樹脂層１１８ｂとをナノメートル単位で交互に積層したナノシート複合膜である点で第１の実施形態と異なっている。ナノシート１１８ａの材質は、例えば、モンモリロナイト、ベントナイト、ヘクトライト、オクトシリケーなどである。また、封止膜１１８のアスペクト比は、３００：１以上、含油率は３０ｗｔ％以上であると好適である。封止膜１１８の厚みは、１００ｎｍ〜１００ｕｍであると好適である。
図７は、本実施形態における有機発光表示装置２００の遮蔽構造を説明する要部拡大断面図である。図７に示すように、ナノシート１１８ａは、封止膜１１８の内部で分散し、かつ、ナノシート１１８ａの面方向は封止膜１１８の面方向（図中Ｚ方向）と略平行となるように設けられている。また、図中の破線矢印は、有機樹脂層１１８ｂ内に侵入した水分（Ｈ２Ｏ）の進行方向を示している。図７においては、酸素および水分が、封止膜１１８の内部において最短の経路を取り得ず、最短経路から大きく逸れた複雑で非常に長い経路を辿らなければダム材１１６まで到達できないことを示している。すなわち、封止膜１１８は、ナノシート１１８ａと有機樹脂層１１８ｂがナノメートル単位でＸ方向またはＹ方向に積層されることで形成されるため、高度な遮蔽性を有していることを意味する。
続いて、本実施形態における有機発光表示装置２００の製造方法について図８および図９を用いて説明する。図８は、本実施形態における有機発光表示装置２００の製造方法を示すフローチャートである。図９は、本実施形態における有機発光表示装置２００の製造方法を説明する図である。
先ず、図９（Ａ）に示すように、素子基板１１１の上面に有機発光素子層１１４を形成する（ステップＳ２１）。
次に、図９（Ｂ）に示すように、有機発光素子層１１４の上面および側面にパッシベーション層１１５を形成し、有機発光素子層１１４を覆う（ステップＳ２２）。
次に、図９（Ｃ）に示すように、素子基板１１１において有機発光素子層１１４およびパッシベーション層１１５の周囲に、未硬化樹脂であるダム材１１６を塗布する（ステップＳ２３）。
次に、ダム材１１６に対して紫外線を所定時間照射することにより、ダム材１１６を仮硬化する（ステップＳ２４）。
次に、図９（Ｄ）に示すように、素子基板１１１、パッシベーション層１１５およびダム材１１６により囲まれた空間に充填材１１７を注入する（ステップＳ２５）。
次に、図９（Ｅ）に示すように、素子基板１１１と対向して、ダム材１１６および充填材１１７の上に対向基板１１２を貼り合せる（ステップＳ２６）。
次に、図９（Ｆ）に示すように、表示パネル１１０の中間体（図９（Ｅ）参照）をチャンバーＣ２内に搬入した後、ノズルＮ２から封止膜１１８の形成用に調整された塗工液を中間体におけるダム材１１６、素子基板１１１、対向基板１１２の各外壁面に繰り返し塗布する（ステップＳ２７）。この際、チャンバーＣ２内の温度は、常温でよい。なお、塗工液は、例えばアスペクト比が１０００：１程度のナノシート１１８ａを溶媒と樹脂に単層剥離・分散させることによって調整されると好適である。
そして、チャンバーＣ２内の温度を例えば１００℃まで上昇させ、表示パネル１１０の中間体に紫外線を３０分間照射し、充填材１１７、ダム材１１６および封止膜１１８をそれぞれ本硬化させる（ステップＳ２８）。これにより、有機発光表示装置２００の表示パネル１１０の製造処理が完了する。
以上のように、本実施形態における有機発光表示装置２００によれば、酸素および水分に対する優れた遮蔽性を有すると共に、狭ベゼル化が達成される。これにより、上述した第１の実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、上述した第１の実施形態と異なり、ナノシート１１８ａを包含する塗工液を外壁面に塗布したのちに、チャンバーＣ２内で紫外線照射しながら所定の温度条件の下で塗工液を乾燥させるだけで封止膜１１８を容易に形成できるため、第１の実施形態の場合よりも、さらに限定的な範囲に対する成膜が可能になる利点もある。
［変形実施形態］
以上に本発明の好適な実施形態を示したが、本発明は、例えば以下に示すように種々の態様に変形可能である。
以上に本発明の好適な実施形態を示したが、本発明は、例えば以下に示すように種々の態様に変形可能である。
図１０は、変形実施形態における有機発光表示装置３００を示す断面図である。ここでは、ダム材１１６の外壁面上に、有機樹脂および無機樹脂から形成されたハイブリッド膜１１９が形成され、封止膜１１３は、ハイブリッド膜１１９上に蒸着される場合が示されている。ハイブリッド膜１１９は、例えば、シラン変性エポキシ樹脂、ＰＯＳＳ（ｐｏｌｙｈｅｄｒａｌ ｏｌｉｇｏｍｅｒｉｃ ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）ハイブリッド膜などである。このように、中間層として素子基板１１１、ダム材１５および対向基板１１２の外壁面（側面）上にハイブリッド膜１１９が設けられる場合には、ＡＤ法により蒸着された封止膜１１３と外壁面との密着力および封止膜１１３の強度を高められる利点がある。
また、上述の第１および第２の実施形態においては、説明の便宜上、素子基板１１１、ダム材１１６および対向基板１１２の外壁面がＺ方向において揃っている場合について説明した。しかし、ＡＤ法に基づく蒸着膜およびナノシート複合膜は、表示パネル１１０の所望の部分に形成できる。このため、素子基板１１１、ダム材１１６および対向基板１１２の境界部分に段部が設けられている場合も、上述の実施形態と同様に各外壁面に封止膜１１３、１１８を形成できる。例えば、素子基板１１１および対向基板１１２の外壁面がダム材１１６の外壁面よりも外側に突出している場合、少なくともダム材１１６の外壁面、ダム材１１６と素子基板１１１との境界領域、ダム材１１６と対向基板１１２との境界領域に封止膜１１３、１１８を設けることで、外壁面に垂直な方向（Ｘ方向およびＹ方向）からの酸素および水分の浸入を抑制できる。
また、上述の第１および第２の実施形態において説明した遮蔽構造は、有機発光表示装置に限られず、液晶表示装置やプラズマ表示装置などの他の表示装置、照明装置などにも適用可能である。照明装置は、その用途に特に制限はなく、例えば、室内用照明、屋外用照明として用いてもよく、液晶表示装置のバックライトなど電子デバイス用照明としても用いてもよい。
また、上述した第１および第２の実施形態では、有機発光素子層１１４が、赤色光を発光するＲ用有機化合物層と、緑色光を発光するＧ用有機化合物層と、青色光を発光するＢ用有機化合物層とを含む構成について例示したが、表示方式はこれに限られない。例えば、画素Ｐについて、発光色が赤色の発光素子、発光色が緑色の発光素子、発光色が青色の発光素子および発光色が白色の発光素子が設けられる構成でもよい。また、全ての発光素子が同じ発光色（例えば白色または青色）であり、画素Ｐ毎に必要なカラーフィルタが付加された構成を採用してもよい。
また、上述した第１および第２の実施形態では、模式化した図面に基づいて表示パネル１１０の内部構造を説明したが、表示パネル１１０の内部構造は任意に変更可能である。図１１は、変形実施形態における有機発光表示装置４００を示す断面図である。ここでは、有機発光素子層１１４は、カソード１１４ａと、バンク１１４ｂと、有機化合物層１１４ｃとを備えている。充填材１１７の層内には、バンク１１４ｂによって区画された有機発光素子層１１４にＺ方向で対向する位置に、カラーフィルタ４０１が設けられている。これにより、例えば、有機化合物層１１４ｃの発光素子が白色または青色に発光したとき、カラーフィルタ４０１による色変換によってＲＧＢの発色が得られる。
また、図１１においては、素子基板１１１と有機発光素子層１１４との間に、下から順にパッシベーション（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ：ＰＡＳ）層４０２と、オーバーコート（Ｏｖｅｒ ｃｏａｔ）層４０３とが積層されている。パッシベーション層４０２は、絶縁物質、例えば無機絶縁物質である酸化シリコンまたは窒化シリコンなどから形成され、保護層として機能する。パッシベーション層４０２は、素子基板１１１の上面全体に形成されている。このため、パッシベーション層４０２は、素子基板１１１側からの酸素や水分の浸透を抑制できる。また、パッシベーション層４０２の内部には、スキャン駆動部１２０がＧＩＰ形式で設けられている。
一方、オーバーコート層４０３は、素子基板１１１上に形成される薄膜トランジスタ（不図示）などによってパッシベーション層４０２の上面側に生じた段差を除去する平坦化層として機能する。オーバーコート層４０３は、絶縁物質、例えば有機絶縁物質から形成される。オーバーコート層４０３の材料としては、例えばオレフィン系高分子（ポリエチレンやポリプロピレンなど）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリシロキサンなどが用いられる。
さらに、図１１において、パッシベーション層１１５は、有機発光素子層１１４の上面および側面、オーバーコート層４０３の端部を覆うように形成されることから、パッシベーション層１１５の外周方向（図中Ｘ方向）の端部には複数の段部が形成されている。また、ダム材１１６は、パッシベーション層１１５の端部を覆うようにパッシベーション層４０２上に形成されている。すなわち、図３と異なり、ダム材１１６は、パッシベーション層１１５から離間しておらず、ダム材１１６、素子基板１１１および対向基板１１２によってパッシベーション層１１５およびパッシベーション層４０２並びにその内部の有機発光素子層１１４を挟持・固定する構造である。このため、表示パネル１１０の耐衝撃性をさらに高めることができる利点がある。また、有機発光素子層１１４は、パッシベーション層１１５とパッシベーション層４０２によって上下方向および左右方向で保護されている。このため、装置の遮蔽性をさらに高めることができる利点もある。
１００,２００,３００,４００ 有機発光表示装置
１１０ 表示パネル
１１１ 素子基板
１１２ 対向基板
１１３ 封止膜（セラミック蒸着膜）
１１４ 有機発光素子層
１１５ パッシベーション層
１１６ ダム材
１１７ 充填材
１１８ 封止膜（ナノシート複合膜）
１１８ａ ナノシート
１１８ｂ 有機樹脂層
１１９ ハイブリッド膜
１２０ スキャン駆動部
１３０ データ駆動部
１３１ ソースドライブＩＣ
１４０ 軟性フィルム
１５０ 回路基板
１６０ タイミングコントローラ
１７０ ホストシステム
１１０ 表示パネル
１１１ 素子基板
１１２ 対向基板
１１３ 封止膜（セラミック蒸着膜）
１１４ 有機発光素子層
１１５ パッシベーション層
１１６ ダム材
１１７ 充填材
１１８ 封止膜（ナノシート複合膜）
１１８ａ ナノシート
１１８ｂ 有機樹脂層
１１９ ハイブリッド膜
１２０ スキャン駆動部
１３０ データ駆動部
１３１ ソースドライブＩＣ
１４０ 軟性フィルム
１５０ 回路基板
１６０ タイミングコントローラ
１７０ ホストシステム
Claims (10)
- 素子基板と、
前記素子基板上に設けられた有機発光素子層と、
前記素子基板上において前記有機発光素子層の周囲に設けられたダム材と、
前記素子基板と対向して前記ダム材上に設けられた対向基板と、
前記ダム材の外壁面に設けられた封止膜と、
を備える有機発光表示装置。 - 前記対向基板、前記ダム材および前記封止膜は、透明性を有し、
前記対向基板は、前記有機発光素子層の発光方向に位置する、
請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記封止膜は、金属酸化物および金属窒化物の少なくとも一つを含む蒸着膜であり、エアロゾルデポジション法により形成される、
請求項１または２に記載の有機発光表示装置。 - 前記ダム材の前記外壁面上に、有機樹脂および無機樹脂から形成されたハイブリッド膜を備え、
前記封止膜は、前記ハイブリッド膜上に蒸着される、
請求項３に記載の有機発光表示装置。 - 前記封止膜は、層状無機化合物から分離されたナノシートと、有機樹脂層とをナノメートル単位で積層した複合膜である、
請求項１または２に記載の有機発光表示装置。 - 前記ナノシートは、前記封止膜の内部で分散し、かつ、前記ナノシートの面方向は前記封止膜の面方向と略平行である、
請求項５に記載の有機発光表示装置。 - 透明性を有し、前記ダム材、前記有機発光素子層および前記対向基板に囲まれた領域に設けられた充填材、
をさらに備える請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。 - 素子基板上に有機発光素子層を設ける工程と、
前記素子基板上の前記有機発光素子層の周囲に、樹脂を含む塗工液を塗布して未硬化ダム材を設ける工程と、
前記素子基板と対向して前記未硬化ダム材上に対向基板を設ける工程と、
前記未硬化ダム材を硬化させてダム材を形成する工程と、
前記ダム材の外壁面に封止膜を設ける工程と、
を備える有機発光表示装置の製造方法。 - 前記封止膜を設ける工程は、金属の酸化物または窒化物を含む微粒子エアロゾルを前記外壁面上に噴射する工程を含む、
請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記封止膜を設ける工程は、層状無機化合物から分離されたナノシートと、有機樹脂層とをナノメートル単位で積層する工程を含む、
請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018171747A JP7297417B2 (ja) | 2018-09-13 | 2018-09-13 | 有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法 |
| KR1020190101673A KR102352371B1 (ko) | 2018-09-13 | 2019-08-20 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018171747A JP7297417B2 (ja) | 2018-09-13 | 2018-09-13 | 有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020043035A true JP2020043035A (ja) | 2020-03-19 |
| JP7297417B2 JP7297417B2 (ja) | 2023-06-26 |
Family
ID=69798708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018171747A Active JP7297417B2 (ja) | 2018-09-13 | 2018-09-13 | 有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7297417B2 (ja) |
| KR (1) | KR102352371B1 (ja) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11144864A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-28 | Mitsubishi Chemical Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2002141167A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-05-17 | Jsr Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| JP2005216856A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| JP2008066197A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2009252400A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Fujikura Ltd | 有機デバイス及びその製造方法 |
| JP2010108906A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 発光表示装置及びその製造方法 |
| US20120112212A1 (en) * | 2010-11-08 | 2012-05-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
| JP2013143264A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ装置およびその製造方法 |
| JP2014067597A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法 |
| US20160118624A1 (en) * | 2014-10-28 | 2016-04-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015076195A (ja) | 2013-10-07 | 2015-04-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに照明装置 |
-
2018
- 2018-09-13 JP JP2018171747A patent/JP7297417B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-20 KR KR1020190101673A patent/KR102352371B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11144864A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-28 | Mitsubishi Chemical Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2002141167A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-05-17 | Jsr Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| JP2005216856A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| JP2008066197A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2009252400A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Fujikura Ltd | 有機デバイス及びその製造方法 |
| JP2010108906A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 発光表示装置及びその製造方法 |
| US20120112212A1 (en) * | 2010-11-08 | 2012-05-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
| JP2013143264A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ装置およびその製造方法 |
| JP2014067597A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法 |
| US20160118624A1 (en) * | 2014-10-28 | 2016-04-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200031034A (ko) | 2020-03-23 |
| KR102352371B1 (ko) | 2022-01-17 |
| JP7297417B2 (ja) | 2023-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7035240B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP7271212B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| JP6605559B2 (ja) | タッチスクリーン一体型表示装置 | |
| US10008555B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| CN106486611B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| JP6072724B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| JP6506648B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR20220080067A (ko) | 표시 장치 | |
| US9923170B2 (en) | Organic light emitting display device and fabricating method thereof | |
| KR20200120845A (ko) | 표시 장치 | |
| CN108231829A (zh) | 包括滤色器的显示装置 | |
| CN115312674A (zh) | 显示设备 | |
| US9337449B2 (en) | Organic light-emitting device and image display system employing the same | |
| JP2018055099A (ja) | 表示装置 | |
| KR102488080B1 (ko) | 표시 장치 | |
| CN111508999A (zh) | 有机发光显示装置 | |
| JP2024501391A (ja) | 表示パネル及び表示パネルの製造方法、電子機器 | |
| CN112904465A (zh) | 光控制构件、显示装置和制造显示装置的方法 | |
| JP7297417B2 (ja) | 有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法 | |
| US20200258864A1 (en) | Display device | |
| WO2015146904A1 (ja) | 表示装置 | |
| KR20190071295A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US20240172531A1 (en) | Display device | |
| US20240196648A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
| KR20240017213A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210903 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220613 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220621 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220921 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230105 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230331 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230516 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230614 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7297417 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |