JP2020042979A - High frequency induction thermal plasma device - Google Patents
High frequency induction thermal plasma device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020042979A JP2020042979A JP2018169595A JP2018169595A JP2020042979A JP 2020042979 A JP2020042979 A JP 2020042979A JP 2018169595 A JP2018169595 A JP 2018169595A JP 2018169595 A JP2018169595 A JP 2018169595A JP 2020042979 A JP2020042979 A JP 2020042979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal plasma
- frequency induction
- cooling water
- inner tube
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、高周波誘導熱プラズマ装置に関する。 The present invention relates to a high-frequency induction thermal plasma device.
高周波誘導熱プラズマ装置は、プラズマトーチ内にある絶縁管の中にプラズマ用ガスを供給し、絶縁管の周囲に設けた誘導コイルに高周波電力を供給することにより、誘導加熱の原理に基づきプラズマ用ガスを励起して熱プラズマを発生させている。
この熱プラズマは、ガス温度で数千度〜1万5千度程度の超高温になっていることが知られており、その熱プラズマの中心に、粉末や液体やガスを導入すると、瞬時に蒸発或いは溶融する。そして、プラズマトーチの下段に水冷チャンバーを設置することにより、蒸発或いは溶融した粉末や液体やガスが急冷されて、過飽和により固相化する。
The high-frequency induction thermal plasma device supplies plasma gas into an insulating tube inside a plasma torch, and supplies high-frequency power to an induction coil provided around the insulating tube. The gas is excited to generate thermal plasma.
It is known that this thermal plasma has an extremely high temperature of several thousand degrees to about 15,000 degrees in gas temperature, and when a powder, liquid, or gas is introduced into the center of the thermal plasma, it is instantaneous. Evaporates or melts. Then, by installing a water-cooling chamber below the plasma torch, the powder, liquid or gas evaporated or melted is rapidly cooled and solidified by supersaturation.
この高周波誘導熱プラズマ装置を用いることにより、金属などの微粒子をプラズマ中で蒸発させてナノ粒子を作製すること、複雑な形状の微粉末をプラズマ中で表面を溶融させて球状化する加工をすること、コアシェル構造の粒子を作製すること、ガスを分解すること、などが可能である(例えば、特許文献1を参照。)。 By using this high-frequency induction thermal plasma device, nanoparticles such as metal are evaporated in the plasma to produce nanoparticles, and fine powder with a complicated shape is melted in the plasma to make the surface spherical and processed. It is possible to produce particles having a core-shell structure, to decompose gas, and the like (for example, see Patent Document 1).
ここで、高周波誘導熱プラズマ装置の従来の構成について説明する。
高周波誘導熱プラズマ装置の従来の構成のプラズマトーチの拡大図を、図6に示す。
図6に示す高周波誘導熱プラズマ装置100は、プラズマ発生部であるプラズマトーチとして、RF(Radio Frequency)プラズマトーチ10を備えている。
Here, a conventional configuration of the high-frequency induction thermal plasma device will be described.
FIG. 6 is an enlarged view of a plasma torch having a conventional configuration of a high-frequency induction thermal plasma device.
The high-frequency induction
RFプラズマトーチ10は、絶縁管12と誘導コイル14を備えている。誘導コイル14は、絶縁管12の周囲に設けられ、図示しない高周波発振機から高周波電力が供給される。RFプラズマトーチ10には、アルゴンなどのプラズマ用ガスを、図6中の矢印Gで示すように、絶縁管12内に供給すると共に、高周波発振機から誘導コイル14へ高周波電力を供給する。これにより、誘導加熱によってプラズマガスを励起させて、絶縁管12内に熱プラズマPを発生させることができる。この熱プラズマPは、ガスの温度で数千度〜1万5千度程度の超高温になっていることが知られており、熱プラズマPの中心に、粉末や液体、ガスを導入すると、瞬時に蒸発或いは溶融する。
熱プラズマPによって蒸発或いは溶融した粉末や液体、ガスは、RFプラズマトーチ10の下段に設置された、例えば水冷チャンバー内のガスに衝突し急冷され、過飽和によって固相化する。これにより、ナノ粒子或いは球状粒子、コアシェル構造の粒子などの、目的のサンプルが得られる。
The
The powder, liquid, or gas evaporated or melted by the thermal plasma P collides with, for example, a gas in a water-cooled chamber provided below the
ここで、図6のRFプラズマトーチ10の詳細な拡大図を、図7に示す。
図7に示すように、RFプラズマトーチ10は、誘導コイル14に流れる高周波電流によって得られる強磁場を遮らないように、内管16は窒化ケイ素などのセラミックス材を使用し、外管17は透明石英管など絶縁性の材料を使用している。そして、熱プラズマからの輻射熱及び輻射光によって破損及び溶損しないように、内管16と外管17との間に、冷却水Wを循環させている。
内管16及び外管17は、上端と下端にそれぞれ、封止材としてOリング18を設けて、冷却水Wが外部に漏れないように封止している。
Here, a detailed enlarged view of the
As shown in FIG. 7, the
The
プラズマ用ガスをRFプラズマトーチ10に供給する方法は、図8に示す、絶縁管12の内周に軸方向へ沿うように供給させるRadialと、図9に示す、絶縁管12の内周を回転するように供給させるTangentialがある。
図8に示すRadialの場合には、プラズマトーチ10の出口側へ、プラズマフレームを伸ばす利点がある。
図9に示すTangentialの場合には、プラズマ中に入れた材料の滞留時間を長くさせる利点があり、プラズマの直径を太くすることができる。
The method of supplying the plasma gas to the
In the case of the Radial shown in FIG. 8, there is an advantage that the plasma frame is extended to the outlet side of the
In the case of the Tangential shown in FIG. 9, there is an advantage that the residence time of the material put in the plasma is increased, and the diameter of the plasma can be increased.
しかしながら、Radialの場合には、RFプラズマトーチ10内のガス流や磁場の影響から、プラズマフレームが曲がる傾向にある。そして、プラズマフレームが出口付近で曲がり、内管16の下端部付近の拡大図である図10に示すように、内管16に超高温の熱プラズマRP(Radial Plasma)が近づく。これにより、図10に示すように、内管16の下側で冷却水を封止しているOリング18Sに対して、熱プラズマRPから強い熱負荷がかかる。
また、Tangentialの場合、プラズマの直径が太くなることから、図10に示すように、内管16に超高温の熱プラズマTP(Tangential Plasma)が近づくことになる。そして、この場合も、図10に示すように、内管の下側で冷却水を封止しているOリング18Sに対して、熱プラズマTPから強い熱負荷がかかる。
However, in the case of Radial, the plasma frame tends to bend due to the influence of the gas flow and the magnetic field in the
In the case of Tangential, since the diameter of the plasma becomes large, the ultra-high temperature thermal plasma TP (Tangential Plasma) approaches the
さらに、プラズマガスとしてアルゴンに水素を加えることで、熱プラズマP(RP,TP)の熱伝導が増して、Oリング18Sに対する熱負荷が強くなる。
また、30kWを超える高周波出力とした場合でも、Oリング18Sに対する熱負荷が強くなる。
Further, by adding hydrogen to argon as a plasma gas, the thermal conductivity of the thermal plasma P (RP, TP) increases, and the thermal load on the O-
In addition, even when a high-frequency output exceeding 30 kW is used, the heat load on the O-
図10に示すように、Oリング18Sは、冷却水Wで直接冷却される訳ではないため、上述したようにOリング18Sに対する熱負荷が強くなると、Oリング18Sの耐熱限界を超えて、Oリング18Sが溶損することがあり得る。Oリング18Sが溶損すると、冷却水Wが漏れることがある。
As shown in FIG. 10, since the O-
また、プラズマトーチ10の水冷二重管内の冷却水の流れ方向は、通常、下から供給して、上から排出するようにしている。
図7の冷却水Wの入口の部分の断面図を、図11に示す。
図7及び図11に示すように、下側フランジに設けられた流入口から、冷却水Wを通水する。
In addition, the flow direction of the cooling water in the water-cooled double tube of the
FIG. 11 is a cross-sectional view of a portion of the inlet of the cooling water W in FIG.
As shown in FIGS. 7 and 11, the cooling water W flows through an inlet provided in the lower flange.
しかしながら、どうしても水路の圧力差によって冷却水Wの通水量が変わってしまう。
ここで、図11の構成において、水量を矢印の太さで比較して、図12に示す。図12に示すように、流入口付近では水量が最も多く、流入口からの角度が90度付近の流入口から最も離れた箇所では、水量が最も低くなる。このように一部の箇所において水量が低くなると、内管16の冷却能力を妨げられることになり、当該箇所においてOリング18に対する熱負荷が強くなる。
However, the flow rate of the cooling water W is inevitably changed due to the pressure difference in the water channel.
Here, in the configuration of FIG. 11, the amount of water is compared by the thickness of the arrow, and is shown in FIG. As shown in FIG. 12, the water amount is the largest near the inflow port, and the water amount is lowest at the point farthest from the inflow port near 90 degrees from the inflow port. As described above, when the amount of water is low in some portions, the cooling capacity of the
上述した問題の解決のために、本発明においては、プラズマ発生部の内管を十分に冷却することができ、また、封止材に対する熱負荷を低減して封止材の溶損による冷却水の漏れを防止することができる、高周波誘導熱プラズマ装置を提供するものである。 In order to solve the above-described problem, in the present invention, the inner pipe of the plasma generating unit can be sufficiently cooled, and the cooling water due to the melting of the sealing material by reducing the heat load on the sealing material is reduced. It is intended to provide a high-frequency induction thermal plasma device capable of preventing leakage of water.
本発明は、高周波誘導により熱プラズマを発生させるプラズマ発生部と、熱プラズマにより発生したガスを通過させて冷却するチャンバーを備えた、高周波誘導熱プラズマ装置である。
そして、本発明の高周波誘導熱プラズマ装置は、プラズマ発生部が、冷却水を流すための内部空間を備えた内管と外管からなる2重管構造と、冷却水を封止するために内管に接するように設けられた封止材とを備えている。さらに、内管の下端部の封止材が接する部分に、肉厚が内管の他の部分よりも厚く構成された補強部が設けられている。さらにまた、内管の一部の外側に、冷却水の水流を内管の外周に沿った方向に回転させる、水流回転機構が設けられている。
The present invention is a high-frequency induction thermal plasma apparatus including a plasma generation unit that generates thermal plasma by high-frequency induction, and a chamber that cools by passing gas generated by the thermal plasma.
In the high-frequency induction thermal plasma apparatus of the present invention, the plasma generating section has a double-pipe structure including an inner pipe and an outer pipe having an internal space for flowing cooling water, and an inner pipe for sealing the cooling water. A sealing material provided in contact with the pipe. Further, a reinforcing portion having a greater thickness than other portions of the inner tube is provided at a portion of the lower end portion of the inner tube where the sealing material contacts. Further, a water flow rotating mechanism for rotating the water flow of the cooling water in a direction along the outer circumference of the inner pipe is provided outside a part of the inner pipe.
上述の本発明によれば、内管が均一に冷却され、封止材にかかる熱負荷が低減されるので、封止材の溶損による冷却水の漏れなどの不具合を防ぐことができる。 According to the present invention described above, the inner tube is uniformly cooled, and the heat load on the sealing material is reduced, so that problems such as leakage of cooling water due to erosion of the sealing material can be prevented.
以下に、本発明に係る高周波誘導熱プラズマ装置について、図面を参照しながら、下記の順で説明する。
1.本発明の概要
2.実施の形態
3.変形例
Hereinafter, a high-frequency induction thermal plasma device according to the present invention will be described in the following order with reference to the drawings.
1. 1. Outline of the present invention Embodiment 3 FIG. Modified example
<1.本発明の概要>
本発明の高周波誘導熱プラズマ装置は、高周波誘導により熱プラズマを発生させるプラズマ発生部と、熱プラズマにより発生したガスを通過させて冷却するチャンバーを備えたものである。
そして、本発明の高周波誘導熱プラズマ装置は、プラズマ発生部が、冷却水を流すための内部空間を備えた内管と外管からなる2重管構造と、冷却水を封止するために内管に接するように設けられた封止材とを備えている。
さらに、内管の下端部の封止材が接する部分に、肉厚が内管の他の部分よりも厚く構成された補強部が設けられている。
さらにまた、内管の一部の外側に、冷却水の水流を内管の外周に沿った方向に回転させる、水流回転機構が設けられている。
<1. Overview of the present invention>
The high-frequency induction thermal plasma apparatus of the present invention includes a plasma generation unit that generates thermal plasma by high-frequency induction, and a chamber that cools by passing gas generated by the thermal plasma.
In the high-frequency induction thermal plasma apparatus of the present invention, the plasma generating section has a double-pipe structure including an inner pipe and an outer pipe having an internal space for flowing cooling water, and an inner pipe for sealing the cooling water. A sealing material provided in contact with the pipe.
Further, a reinforcing portion having a greater thickness than other portions of the inner tube is provided at a portion of the lower end portion of the inner tube where the sealing material contacts.
Further, a water flow rotating mechanism for rotating the water flow of the cooling water in a direction along the outer circumference of the inner pipe is provided outside a part of the inner pipe.
本発明の高周波誘導熱プラズマ装置のプラズマ発生部は、プラズマトーチ(例えば、RFプラズマトーチ)などによって、構成することができる。
本発明の高周波誘導熱プラズマ装置では、絶縁管の内管と外管の間に冷却水を流すが、好ましくは、内管の下側から上側に向かって冷却水を流すように、装置を構成する。
The plasma generating section of the high-frequency induction thermal plasma device of the present invention can be constituted by a plasma torch (for example, an RF plasma torch) or the like.
In the high-frequency induction thermal plasma device of the present invention, the cooling water flows between the inner tube and the outer tube of the insulating tube. Preferably, the device is configured such that the cooling water flows from the lower side to the upper side of the inner tube. I do.
本発明は、大気圧下あるいは1kPa以上で、数リットル/分〜数千リットル/分のプラズマ用ガスを必要とする熱プラズマ(高周波式、或いはその複合及びハイブリッドなどを含む)を発生する、各種の高周波誘導熱プラズマ装置に適用することができる。 The present invention provides various types of thermal plasmas (including high-frequency types, or composites and hybrids thereof) that require a plasma gas of several liters / minute to several thousand liters / minute under atmospheric pressure or 1 kPa or more. Can be applied to the high frequency induction thermal plasma apparatus.
(内管の下端部の補強部)
本発明の高周波誘導熱プラズマ装置は、上述したように、プラズマ発生部(プラズマトーチなど)の絶縁管の内管の下端部の封止材が接する部分に、内管の他の部分よりも肉厚が厚い補強部を有している。これにより、内管の下端部に接する封止材は、肉厚の厚い補強部の外側に配置される。
(Reinforcement at lower end of inner tube)
As described above, the high-frequency induction thermal plasma apparatus of the present invention has a portion where the sealing material at the lower end of the inner tube of the insulating tube of the plasma generating portion (such as a plasma torch) is in contact with the inner tube more than other portions. It has a thick reinforcing portion. Thereby, the sealing material in contact with the lower end of the inner pipe is arranged outside the thick reinforcing portion.
プラズマ発生部の絶縁管の内管の下端部を、他の部分よりも肉厚が厚い補強部とすることにより、内管の下端部がラッパ構造となっている。
冷却水を封止する封止材としては、例えば、Oリング、もしくはその他の構成の封止材を、使用することができる。
封止材が肉厚の厚い補強部に接していることにより、熱プラズマから封止材までの距離を離すことができるため、封止材にかかる熱負荷を低減して、封止材がその融点に達しないようにすることができる。
特に、プラズマガスの供給方法がRadial又はTangentialのいずれの方法であっても、内管の下端部では熱プラズマが外側に広がって内管に近づくので、内管の下端部に補強部を設けることによる、封止材への熱負荷を低減する効果を奏する。
The lower end of the inner tube of the insulating tube of the plasma generating portion is a reinforcing portion having a greater thickness than other portions, so that the lower end of the inner tube has a trumpet structure.
As a sealing material for sealing the cooling water, for example, an O-ring or a sealing material having another configuration can be used.
Since the sealing material is in contact with the thick reinforcing portion, the distance from the thermal plasma to the sealing material can be increased, so that the heat load applied to the sealing material is reduced and the sealing material is The melting point may not be reached.
In particular, regardless of the method of supplying the plasma gas, either radial or tangential, the thermal plasma spreads outward at the lower end of the inner tube and approaches the inner tube, so that a reinforcing portion is provided at the lower end of the inner tube. Has the effect of reducing the thermal load on the sealing material.
内管の補強部の外径は、好ましくは、内管の他の部分の外径に対して、6〜40mm大きくする。
補強部と他の部分の外径との差が6mm未満では、封止材への熱負荷の抑制、封止材の溶損を防止する効果が薄れる。
逆に、補強部と他の部分の外径との差が40mmを超えると、内管を窒化ケイ素などの素材で作製する場合に、内管が高価になってしまう。
The outer diameter of the reinforcing portion of the inner pipe is preferably 6 to 40 mm larger than the outer diameter of the other part of the inner pipe.
If the difference between the outer diameter of the reinforcing portion and the outer diameter of the other portion is less than 6 mm, the effect of suppressing the thermal load on the sealing material and preventing the sealing material from being melted is weakened.
Conversely, if the difference between the outer diameter of the reinforcing portion and the outer diameter of the other portion exceeds 40 mm, the inner tube becomes expensive when the inner tube is made of a material such as silicon nitride.
内管は、窒化ケイ素から成る構成とすることが好ましい。
窒化ケイ素で内管を構成することにより、窒化ケイ素が不透明であることから、プラズマから発生した光が遮られて、外部に照射されることがない。これにより、プラズマから発生した光による、装置の構造部品の焼損を回避することができる。従って、プラズマから発生した光による、Oリングなどの封止材の焼損も回避することができる。
Preferably, the inner tube is made of silicon nitride.
By forming the inner tube with silicon nitride, since the silicon nitride is opaque, the light generated from the plasma is blocked and is not irradiated to the outside. Thus, it is possible to avoid burning of the structural parts of the device due to the light generated from the plasma. Therefore, burning of a sealing material such as an O-ring due to light generated from plasma can be avoided.
(水流回転機構)
本発明の高周波誘導熱プラズマ装置では、内管の外周における冷却水の水流を内管の周方向に回転させる、水流回転機構を、内管の外周の一部に対して設ける。
水流回転機構によって、内管の外周における冷却水の水流を内管の周方向に回転させることで、部位による冷却水の水量の斑、即ち水量の不均一性が無くなり、内管の外周の全周を均一に冷却することができる。
(Water flow rotation mechanism)
In the high frequency induction thermal plasma apparatus of the present invention, a water flow rotating mechanism for rotating the water flow of the cooling water on the outer circumference of the inner pipe in the circumferential direction of the inner pipe is provided for a part of the outer circumference of the inner pipe.
By rotating the water flow of the cooling water on the outer circumference of the inner pipe in the circumferential direction of the inner pipe by the water flow rotating mechanism, unevenness in the amount of the cooling water due to parts, that is, non-uniformity of the water quantity is eliminated, and the entire outer circumference of the inner pipe is The circumference can be cooled uniformly.
水流回転機構は、内管の外周の一部に対して設ける。即ち、内管の外周の上端部から下端部までのいずれかの位置に、水流回転機構を設ける。 The water flow rotating mechanism is provided for a part of the outer circumference of the inner pipe. That is, a water flow rotating mechanism is provided at any position from the upper end to the lower end of the outer periphery of the inner pipe.
さらに好ましくは、水流回転機構を、冷却水の流入口と内管の外周の水路の間、並びに、冷却水の流出口と内管の外周の水路の間に、それぞれ設ける。
これにより、それぞれの水流回転機構によって、冷却水をより効果的に内管の外周に沿って回転させることができる。
More preferably, the water flow rotating mechanism is provided between the cooling water inflow port and the outer water path of the inner pipe, and between the cooling water outflow port and the outer water path of the inner pipe, respectively.
Thus, the cooling water can be more effectively rotated along the outer circumference of the inner pipe by the respective water flow rotating mechanisms.
水流回転機構の具体的な構成としては、例えば、内管の外径よりも大きい内径を有するリング状(同心円状)の部材に、内管の半径方向に対して斜めの方向に向かうように形成された流路を複数設けて、この流路に冷却水を通過させる構成が考えられる。
流路は、部材の上部又は下部に溝状で形成してもよく、部材の中央部に貫通孔で形成してもよい。
流路が、内管の半径方向に対して斜めの方向に設けられていることにより、流路を通過した冷却水に、回転流が生じる。そして、この回転流によって、部位による水量の斑(不均一性)が無くなり、肉厚の厚い補強部を含む、内管の外周の全周を均一に冷却することができる。
As a specific configuration of the water flow rotation mechanism, for example, a ring-shaped (concentric) member having an inner diameter larger than the outer diameter of the inner pipe is formed so as to be directed obliquely to the radial direction of the inner pipe. A configuration is conceivable in which a plurality of flow paths are provided and cooling water passes through the flow paths.
The flow path may be formed in a groove at the upper or lower part of the member, or may be formed as a through hole at the center of the member.
Since the flow path is provided in a direction oblique to the radial direction of the inner pipe, a rotational flow is generated in the cooling water passing through the flow path. The rotational flow eliminates unevenness (non-uniformity) in the amount of water due to the portions, and can uniformly cool the entire outer circumference of the inner tube including the thick reinforcing portion.
本発明の高周波誘導熱プラズマ装置の内管の補強部(ラッパ構造)及び水流回転機構は、上述したプラズマ用ガスの供給方法がRadial或いはTangentialのいずれである場合でも、適用することが可能である。
特に、Tangentialの場合には、熱プラズマがチャンバーの内壁付近まで拡がり易いため、内管の補強部(ラッパ構造)及び水流回転機構を設ける効果が大きい。
The reinforcing part (wrapper structure) of the inner tube and the water flow rotating mechanism of the high-frequency induction thermal plasma apparatus of the present invention can be applied to the above-described plasma gas supply method of either Radial or Tangential. .
In particular, in the case of Tangential, the thermal plasma easily spreads to the vicinity of the inner wall of the chamber, so that the effect of providing the reinforcing portion (the horn structure) of the inner tube and the water flow rotating mechanism is great.
なお、内管の下端部の補強部と通常の厚さの部分との境界に、厚さが徐々に変化するようにテーパー構造とされたテーパー部を設けても良い。
例えば、内管に窒化ケイ素を用いた場合には、テーパー構造を有する構成の方が、テーパー構造が無い構成と比較して、窒化ケイ素の加工がし易いという利点がある。
A tapered portion having a tapered structure may be provided at the boundary between the reinforcing portion at the lower end of the inner tube and a portion having a normal thickness so that the thickness gradually changes.
For example, when silicon nitride is used for the inner tube, a configuration having a tapered structure has an advantage that silicon nitride can be processed more easily than a configuration having no tapered structure.
本発明の高周波誘導熱プラズマ装置は、各種の高周波誘導熱プラズマ装置に適用することができる。
高周波誘導熱プラズマ装置としては、例えば、高周波誘導熱プラズマの発生部を1つ有するタイプ、或いはDC(Direct Current)ジェットを高周波誘導熱プラズマの上に重畳させたハイブリッドタイプ、2つ乃至3つの高周波誘導結合型プラズマが直列に配置されたタンデムタイプなどが挙げられる。
The high-frequency induction thermal plasma device of the present invention can be applied to various high-frequency induction thermal plasma devices.
As the high-frequency induction thermal plasma device, for example, a type having one high-frequency induction thermal plasma generation unit, a hybrid type in which a DC (Direct Current) jet is superimposed on the high-frequency induction thermal plasma, or two to three high-frequency A tandem type in which inductively coupled plasmas are arranged in series may be used.
<2.実施の形態>
本発明の実施の形態の高周波誘導熱プラズマ装置の概略構成図を、図1に示す。
本実施の形態は、高周波誘導熱プラズマ装置で粒子を生成して、生成した粒子を回収する構成である。
<2. Embodiment>
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a high-frequency induction thermal plasma device according to an embodiment of the present invention.
The present embodiment has a configuration in which particles are generated by a high-frequency induction thermal plasma device and the generated particles are collected.
図1に示す本実施の形態の高周波誘導熱プラズマ装置1は、プラズマ発生部であるプラズマトーチとして、RFプラズマトーチ10を備えており、さらに、チャンバーと、冷却部30と、回収部40とを備えている。
The high-frequency induction
RFプラズマトーチ10は、絶縁管12と高周波発振機13と誘導コイル14を備えている。誘導コイル14は、絶縁管12の周囲に設けられ、高周波発振機13から高周波電力が供給される。RFプラズマトーチ10には、粉末供給器11が接続され、この粉末供給器11から、原料の粉末と、キャリアガスであるAr(アルゴン)などのガスが、プローブ15を通じて絶縁管12内のプラズマ中心へ供給される。
The
チャンバーは、上部の透明石英2重管製水冷チャンバー21と下部のステンレス2重管製水冷チャンバー22とを備えている。チャンバーの上部が透明石英2重管製水冷チャンバー21であって透明であることにより、高周波誘導熱プラズマ装置1の外部からプラズマの状態を観察や監視することができる。
The chamber includes an upper transparent quartz double-tube water cooling chamber 21 and a lower stainless steel double-tube
冷却部30は、異なる位置に貫通孔33が形成された冷却板31,32を一組としたる4枚の冷却板31,32,31,32を用いて構成されている。それぞれの冷却板31,32は、銅などの熱伝導の良い水冷された金属で形成されている。
The cooling
回収部40は、管内に、例えば布製のフィルター41を設けて成る。回収部40の後段には、真空ポンプ51が接続されており、この真空ポンプ51によって、粒子を回収した後のガスを排気することができる。
The collecting
本実施の形態の高周波誘導熱プラズマ装置1は、特に、RFプラズマトーチ10の構成に特徴を有する。
図1の高周波誘導熱プラズマ装置1のRFプラズマトーチ10の詳細な拡大図を、図2に示す。
The high-frequency induction
FIG. 2 is a detailed enlarged view of the
図2に示すように、RFプラズマトーチ10は、誘導コイル14に流れる高周波電流によって得られる強磁場を遮らないように、内管16は窒化ケイ素などのセラミックス材を使用し、外管17は透明石英管など絶縁性の材料を使用している。そして、熱プラズマからの輻射熱及び輻射光に破損及び溶損しないように、内管16と外管17との間に、冷却水Wを循環させている。
また、内管16及び外管17は、下端と上端にそれぞれ、封止材としてOリング18を設けて、冷却水が外部に漏れないように封止している。
As shown in FIG. 2, the
Further, the
具体的には、内管16及び外管17の下端部に、第1の部材19A及び第2の部材20Aから成る下側フランジが設けられ、内管16及び外管17の上端部に、第1の部材19B及び第2の部材20Bから成る上側フランジが設けられている。
下側フランジの第2の部材20Aに冷却水Wの流入口が設けられ、上側フランジの第2の部材20Bに冷却水Wの流出口が設けられている。そして、冷却水Wは、内管16及び外管17の間を、下側から上側に向かって流れる。
さらに、内管16の下端部と下側フランジの第2の部材20Aの間、内管16の上端部と上側フランジの第2の部材20Bの間、外管17の下端部と下側フランジの第1の部材19Aの間、外管17の上端部と上側フランジの第1の部材19Bの間に、それぞれ封止材としてOリング18が設けられている。
Specifically, a lower flange composed of a
An inlet for cooling water W is provided on the
Further, between the lower end of the
本実施の形態では、さらに、RFプラズマトーチ10が、内管16の下端部に、内管16の他の部分よりも肉厚が厚く形成された、補強部16Aを有している。内管16の下端部に補強部16Aを有しているので、内管16の下端部がラッパ構造となっている。
そして、この内管16の補強部16Aの外側に、Oリング18を設けている。以下、4箇所のOリング18のうち、この内管16の補強部16Aの外側のOリング18を、Oリング18Sとして区別する。
In the present embodiment, the
An O-
また、本実施の形態では、RFプラズマトーチ10の下部の冷却水Wの流入口と内管16の外周の水路の間、並びに、RFプラズマトーチの上部の冷却水Wの流出口と内管16の外周の水路の間に、それぞれ水流回転機構61A,61Bが設けられている。これらの水流回転機構61A,61Bは、中央部に、冷却水Wを通過させる流路62を有している。
Further, in the present embodiment, the space between the inlet of the cooling water W below the
ここで、図2の内管16の下端部付近の拡大図を、図3に示す。
図3に示すように、内管16の下端部に補強部16Aを有し、この補強部16Aの外側にOリング18Sが設けられているので、補強部16Aによって熱プラズマPからOリング18Sまでの距離が遠くなる。また、図3中の矢印で示すように、補強部16Aが冷却水Wによって冷却される。
これらの作用によって、Oリング18Sが受ける熱負荷を大幅に低減することができるため、Oリング18Sが熱負荷により溶損して冷却水Wが漏れることを防ぐことができる。
従って、例えば、熱プラズマPが水素熱プラズマである場合のように、より熱伝導の良好な熱プラズマとなっていても、補強部16Aの分で熱プラズマPからOリング18Sまで距離があるため、内管16が水冷されることでOリング18Sの溶損を防ぐことができる。
Here, an enlarged view near the lower end of the
As shown in FIG. 3, the lower end of the
With these functions, the thermal load applied to the O-
Therefore, for example, even if the thermal plasma P is hydrogen thermal plasma, even if the thermal plasma has better thermal conductivity, there is a distance from the thermal plasma P to the O-
また、図2の水流回転機構61A,61B付近の水平断面図を、図4A及び図4Bに示す。図4Aは、内管16の下端部の水流回転機構61A付近の水平断面図を示し、図4Bは、内管16の上端部の水流回転機構61B付近の水平断面図を示している。
図4A及び図4Bに示すように、それぞれの水流回転機構61A,61Bは、同心円状の水流回転機構61A,61Bの半径方向に対して右斜めの方向に、貫通孔による流路62が数本設けられている。これにより、右斜めの方向の流路62を通過する冷却水Wの作用により、流路62の前後の冷却水Wに、右回りの回転流を付与することができる。
内管16の下端部から流入させた冷却水Wは、図4Aに示す下端部の水流回転機構61Aの流路62によって右回りの回転流が付与される。そして、右回りの回転流となったままで内管16の外壁に沿って上昇し、図4Bに示す上端部の水流回転機構61Bを通過して、流出口に向かう。
即ち、それぞれの水流回転機構61A,61B付近だけでなく、内管16の外周に沿った途中の区間でも、冷却水Wが右回りの回転流となり、内管16の外周全面に螺旋状に満遍なく冷却水Wが流れる。これにより、斑無く、内管16の周囲をほぼ均一に冷却することが可能になる。
このようにして、絶縁管12の内管16の加熱による内管16の下端部に接するOリング18Sの溶損を防ぐことができるので、水漏れを無くすことができる。
4A and 4B are horizontal cross-sectional views of the vicinity of the water
As shown in FIGS. 4A and 4B, each of the water
The cooling water W that has flowed in from the lower end of the
That is, not only in the vicinity of each of the water
In this manner, it is possible to prevent the O-
図4A及び図4Bに示した構成では、水流回転機構61A,61Bの流路62を、水流回転機構61A,61Bの半径方向に対して右斜めの方向として、流路62の前後の冷却水Wに右回りの回転流を付与していた。
なお、これら図4A及び図4Bに示した構成とは逆に、水流回転機構の流路を水流回転機構の半径方向に対して左斜めの方向として、流路の前後の冷却水に左回りの回転流を付与する構成としてもよい。
In the configuration shown in FIGS. 4A and 4B, the cooling water W before and after the
4A and 4B, the flow path of the water flow rotating mechanism is set to be diagonally leftward with respect to the radial direction of the water flow rotating mechanism, and the cooling water before and after the flow path is rotated counterclockwise. It is good also as composition which gives a rotating flow.
また、水流回転機構61(61A,61B)の構成の例を、図5A〜図5Cにそれぞれ示す。
図5Aは、水流回転機構61(61A,61B)の上側に、流路62を溝状に形成した構成である。
図5Bは、図2の断面図に示した水流回転機構61A,61Bと同様に、水流回転機構61(61A,61B)の中央部に、流路62を貫通孔で形成した構成である。
図5Cは、水流回転機構61(61A,61B)の下側に、流路62を溝状に形成した構成である。
図5A〜図5Cのいずれの形状としても、冷却水Wに回転流を付与することができる。
なお、図5A〜図5Cに示した各構成では、流路62の断面形状をほぼ矩形としているが、流路をその他の断面形状、例えば、U字形や半円形、円形や楕円形などとすることも可能である。流路をこれらの断面形状としても、断面形状を矩形とした場合と同様に、冷却水に回転流を付与することができる。
5A to 5C show examples of the configuration of the water flow rotating mechanism 61 (61A, 61B).
FIG. 5A shows a configuration in which a
FIG. 5B shows a configuration in which a
FIG. 5C shows a configuration in which a
5A to 5C, a rotational flow can be applied to the cooling water W.
In each of the configurations shown in FIGS. 5A to 5C, the cross-sectional shape of the
(高周波誘導熱プラズマ装置の動作)
続いて、本実施の形態の高周波誘導熱プラズマ装置1において、ナノ粒子などの粒子を作製する際の動作について説明する。
まず、真空ポンプ51を用いて、高周波誘導熱プラズマ装置1の各部10,21,22,30,40内を真空引きする。
次に、RFプラズマトーチ10の上部から、プラズマ用ガス(アルゴンなど)を供給すると共に、高周波発振機13から誘導コイル14に高周波電力を供給して、熱プラズマを発生させる。このとき、例えば、1kPa以下の動作圧力になるまで、各部10,21,22,30,40内を高真空にさせる。
(Operation of high-frequency induction thermal plasma device)
Subsequently, an operation when producing particles such as nanoparticles in the high-frequency induction
First, the insides of the
Next, a plasma gas (eg, argon) is supplied from above the
そして、粉末供給器11に原料粉末(金属粉末など)を収容した状態で、キャリアガス(アルゴンなど)を供給し、キャリアガスと共に原料粉末を、熱プラズマの中心へ定量供給すると、超高温の熱プラズマによって原料粉末が溶融或いは蒸発する。
Then, a carrier gas (eg, argon) is supplied in a state where the raw material powder (eg, metal powder) is contained in the
溶融或いは蒸発した原料粉末は、透明石英2重管製水冷チャンバー21内のガス分子によって急冷されて、粒子が生成される。
さらに、ステンレス2重管製水冷チャンバー22によって、ガス及び生成した粒子が冷却される。
そして、生成した粒子は、さらに冷却部30の冷却板31,32の貫通孔33を通過することによって十分に冷却されて、その後回収部40のフィルター41で回収される。
The melted or evaporated raw material powder is quenched by gas molecules in a water cooling chamber 21 made of a transparent quartz double tube to generate particles.
Further, the gas and the generated particles are cooled by the
Then, the generated particles are further cooled sufficiently by passing through the through
<3.変形例>
以下、上述した実施の形態の構成に対する、変形例を説明する。
<3. Modification>
Hereinafter, modified examples of the configuration of the above-described embodiment will be described.
(各種の高周波誘導熱プラズマ装置への適用)
上述した実施の形態においては、高周波誘導熱プラズマ装置1を、高周波誘導熱プラズマを発生させる1つのプラズマ発生部(RFプラズマトーチ10)のみを有する構成としていた。
本発明は、高周波誘導熱プラズマを発生させる1つのプラズマ発生部のみを有する高周波誘導熱プラズマ装置に限定されず、その他の構成の高周波誘導熱プラズマ装置にも適用することができる。例えば、前述した、DCジェットを高周波誘導熱プラズマの上に重畳させたハイブリッドタイプ、2つ乃至3つの高周波誘導結合型プラズマが直列に配置されたタンデムタイプの高周波誘導熱プラズマ装置にも、適用することができる。
(Application to various high-frequency induction thermal plasma devices)
In the above-described embodiment, the high-frequency induction
The present invention is not limited to the high-frequency induction thermal plasma device having only one plasma generating unit for generating the high-frequency induction thermal plasma, but can be applied to a high-frequency induction thermal plasma device having another configuration. For example, the present invention is also applied to the above-described tandem-type high-frequency induction thermal plasma apparatus in which a DC jet is superimposed on a high-frequency induction thermal plasma and two to three high-frequency inductively coupled plasmas are arranged in series. be able to.
上述した実施の形態においては、高周波誘導熱プラズマ装置1を、高周波誘導熱プラズマ装置1で粒子を生成して、生成した粒子を回収する構成に適用していた。
本発明は、高周波誘導熱プラズマ装置で粒子を生成して、生成した粒子を回収する構成に限定されず、その他の構成の高周波誘導熱プラズマ装置にも適用することができる。例えば、プラズマ発生部にフロンやハロンなどの有機ハロゲン化合物のガスを供給して、供給したガスを分解する構成や、基材上に成膜を行う構成の高周波誘導熱プラズマ装置にも、適用することができる。
In the above-described embodiment, the high-frequency induction
The present invention is not limited to a configuration in which particles are generated by a high-frequency induction thermal plasma apparatus and the generated particles are collected, and can be applied to a high-frequency induction thermal plasma apparatus having another configuration. For example, the present invention is also applied to a high frequency induction thermal plasma apparatus configured to supply a gas of an organic halogen compound such as chlorofluorocarbon or halon to a plasma generating unit and decompose the supplied gas, or to form a film on a substrate. be able to.
1 高周波誘導熱プラズマ装置、10 RFプラズマトーチ、11 粉末供給器、12 絶縁管、13 高周波発振機、14 誘導コイル、15 プローブ、16 内管、16A 補強部、17 外管、18,18S Oリング、19A 下側フランジの第1の部材、19B 上側フランジの第1の部材、20A 下側フランジの第2の部材、20B 下側フランジの第2の部材、21 透明石英2重管製水冷チャンバー、22 ステンレス2重管製水冷チャンバー、30 冷却部、31,32 冷却板、33 貫通孔、40 回収部、41 フィルター、51 真空ポンプ、61,61A,61B 水流回転機構、62 流路、P,RP,TP 熱プラズマ、W 冷却水
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記プラズマ発生部は、冷却水を流すための内部空間を備えた内管と外管からなる2重管構造と、冷却水を封止するために前記内管に接するように設けられた封止材とを備え、
前記内管の下端部の前記封止材が接する部分に、肉厚が前記内管の他の部分よりも厚く構成された補強部が設けられ、
前記内管の一部の外側に、前記冷却水の水流を前記内管の外周に沿った方向に回転させる、水流回転機構が設けられている
高周波誘導熱プラズマ装置。 A high-frequency induction thermal plasma device, comprising: a plasma generation unit that generates thermal plasma by high-frequency induction; and a chamber that cools by passing gas generated by the thermal plasma,
The plasma generating section has a double-pipe structure including an inner pipe and an outer pipe having an internal space for flowing cooling water, and a sealing provided to be in contact with the inner pipe to seal the cooling water. With materials,
At a portion of the lower end portion of the inner tube where the sealing material contacts, a reinforcing portion having a thickness greater than other portions of the inner tube is provided,
A high frequency induction thermal plasma device, further comprising a water flow rotating mechanism provided outside a part of the inner pipe to rotate a flow of the cooling water in a direction along an outer periphery of the inner pipe.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018169595A JP7054663B2 (en) | 2018-09-11 | 2018-09-11 | High frequency induced thermal plasma device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018169595A JP7054663B2 (en) | 2018-09-11 | 2018-09-11 | High frequency induced thermal plasma device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020042979A true JP2020042979A (en) | 2020-03-19 |
JP7054663B2 JP7054663B2 (en) | 2022-04-14 |
Family
ID=69799412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018169595A Active JP7054663B2 (en) | 2018-09-11 | 2018-09-11 | High frequency induced thermal plasma device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7054663B2 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001217097A (en) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Toshiba Corp | High-frequency plasma device |
JP2003311146A (en) * | 2002-04-23 | 2003-11-05 | Jeol Ltd | High-frequency induction thermal plasma device |
JP2004247177A (en) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Jeol Ltd | Composite plasma generating device |
JP2016143533A (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-08 | 中国電力株式会社 | Plasma spray apparatus |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8389887B2 (en) | 2008-03-12 | 2013-03-05 | Hypertherm, Inc. | Apparatus and method for a liquid cooled shield for improved piercing performance |
-
2018
- 2018-09-11 JP JP2018169595A patent/JP7054663B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001217097A (en) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Toshiba Corp | High-frequency plasma device |
JP2003311146A (en) * | 2002-04-23 | 2003-11-05 | Jeol Ltd | High-frequency induction thermal plasma device |
JP2004247177A (en) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Jeol Ltd | Composite plasma generating device |
JP2016143533A (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-08 | 中国電力株式会社 | Plasma spray apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7054663B2 (en) | 2022-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5241984B2 (en) | Twin plasma torch device | |
TWI638586B (en) | Microwave plasma applicator with improved power uniformity | |
JP6417390B2 (en) | CVD plasma processing method | |
JP3906203B2 (en) | Inductively coupled plasma processing equipment | |
JP2005079539A (en) | Plasma treatment apparatus | |
JP4191120B2 (en) | Plasma processing equipment | |
US20070137575A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2010232476A (en) | Plasma processing apparatus | |
WO2013073096A1 (en) | Vacuum apparatus, method for cooling heat source in vacuum, and thin film thin film manufacturing method | |
JP2020042979A (en) | High frequency induction thermal plasma device | |
KR102630346B1 (en) | Plasma reactor for multi-controlling temperature | |
JP5325457B2 (en) | Plasma processing equipment | |
JP5508651B2 (en) | Fluid heating apparatus and substrate processing apparatus using the same | |
JP2004523869A (en) | Plasma welding method | |
KR20100125842A (en) | Heat reservoir concentration system, waste treatment equipment and method using multi plasma | |
JP6009947B2 (en) | Nano particle production equipment | |
TWI802960B (en) | Sputtering device | |
JP2009272127A (en) | Plasma generating device, and plasma treatment device | |
JP2008255456A (en) | Sputtering apparatus | |
JP2008121053A (en) | Sputtering film-forming apparatus and film-forming method | |
JP2011222222A (en) | Hybrid plasma generating device | |
JPH04368800A (en) | High frequency plasma torch | |
KR101896950B1 (en) | Vacuum heat treatment apparatus | |
JP5857207B2 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
JPH11288797A (en) | Heat plasma device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220404 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7054663 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |