JP2020033641A - 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法 - Google Patents

成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】複数の基板保持器を用いる通過型の成膜装置において、例えばヘテロ接合型太陽電池に用いる基板の両面に高品質で均一な透明導電酸化物膜を形成する技術を提供する。【解決手段】搬送経路に沿って基板１０を搬送可能な真空槽２内に、基板１０の第１面上にスパッタ成膜を行う第１の成膜領域４と、第１の成膜領域４の搬送方向下流側において第１の成膜領域において基板１０の第１面上に形成されたアモルファス状態の第１のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理機構２１と、基板１０の第２面上にスパッタ成膜を行う第２の成膜領域５と、第２の成膜領域５の搬送方向下流側において基板１０の第２面上に形成されたアモルファス状態の第２のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理機構２２とが設けられている。【選択図】 図１

Description

本発明は、真空中で基板の両面上にスパッタリングによって成膜を行う成膜装置の技術に関し、特にヘテロ接合型太陽電池の基板の両面上に透明導電酸化物膜を形成する技術に関する。
近年、クリーンで安全なエネルギー源として太陽電池が実用化されているが、その中でも、ヘテロ接合型の太陽電池に注目が集まっている。
図１９は、一般的なヘテロ接合型太陽電池セルの概略構成を示す断面図である。
図１９に示すように、このヘテロ接合型太陽電池セル１００は、ｎ型結晶シリコン基板１０１の一方側（太陽光側）の面上に、ｉ型アモルファスシリコン層１０２、ｐ型アモルファスシリコン層１０３、第１の透明導電酸化物膜１０４、電極層１０５が順次形成され、さらに、ｎ型結晶シリコン基板１０１の他方側の面上に、ｉ型アモルファスシリコン層１０６、ｎ型アモルファスシリコン層１０７、第２の透明導電酸化物膜１０８、電極層１０９が順次形成されて構成されている。
ヘテロ接合型太陽電池は、シリコンウエハをアモルファスシリコン層パッシベーションすることによって、界面の発電損失を大幅に低減できることから、従来の結晶太陽電池と比較して変換効率が高く、シリコンの使用量を減らすことができる等の利点がある。
また、ヘテロ接合型太陽電池は、ｎ型結晶シリコン基板を挟んで両面側で発電が可能であるため、高い発電効率を達成することができるという利点もある。
しかし、ヘテロ接合型太陽電池は、ｎ型結晶シリコン基板の両面側に例えば酸化インジウムからなる透明導電酸化物膜が存在することに起因する問題がある。
すなわち、受光面側の透明導電酸化物膜は、特に低い抵抗値と高い光透過率が求められ、この高い光透過率は、可視光領域のみならず近赤外領域においても求められ、これを達成するためには、キャリアの高い移動度が必要である。
従来、キャリアの高い移動度を得る方法として、スパッタリング法によって透明導電酸化物膜を成膜する際に水素を含むスパッタガスを用いることが知られている。
これは、より大きな結晶粒を形成させキャリアのトラップの原因となる結晶粒界を減少させることがキャリアの移動度を高めることに寄与している。
キャリアの高い移動度を得るプロセスでは、スパッタリングによる成膜直後のアモルファスの膜に対し、アニール処理を行うことによって透明導電酸化物が結晶化しつつ粒が肥大化することでキャリアの高い移動度がもたらされる。
このような従来技術においては、結晶シリコン太陽電池の電極を焼成によって形成する際の熱履歴を用いてアモルファス膜のアニール処理を行っているが、電極の焼成温度と焼成時間が電極材料の種類や成分によって異なるため、高品質で均一な透明導電酸化物膜を形成することは困難であった。
また、アニール処理の温度が低い場合やアニール処理の時間が不十分である場合には透明導電酸化物膜本来の能力が十分に発揮されず、その結果として結晶シリコン太陽電池の発電効率が低下してしまうという問題があった。
特開２０１１−１４６５２８号公報
本発明は、このような従来の技術の課題を考慮してなされたもので、その目的とするところは、複数の基板保持器を用いる通過型の成膜装置において、例えばヘテロ接合型太陽電池に用いる基板の両面に高品質で均一な透明導電酸化物膜を形成する技術を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明は、搬送経路に沿って基板を搬送可能な真空槽と、前記真空槽内に設けられ、前記基板の第１面上に成膜を行う第１のスパッタ源を有する第１の成膜領域と、前記第１の成膜領域の搬送方向下流側に設けられ、当該第１の成膜領域において前記基板の第１面上に形成されたアモルファス状態の第１のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理機構と、前記真空槽内に設けられ、前記基板の第２面上に成膜を行う第２のスパッタ源を有する第２の成膜領域と、前記第２の成膜領域の搬送方向下流側に設けられ、当該第２の成膜領域において前記基板の第２面上に形成されたアモルファス状態の第２のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理機構とを有する成膜装置である。
本発明は、前記第１の真空アニール処理機構と、前記第２の成膜領域との間に、当該第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第１面上の第１のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進用真空アニール処理機構が設けられている成膜装置である。
本発明は、単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、前記真空槽内に設けられ、基板の第１面上に成膜を行う第１のスパッタ源を有する第１の成膜領域と、前記真空槽内に設けられ、前記基板の第２面上に成膜を行う第２のスパッタ源を有する第２の成膜領域と、鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記第１及び第２の成膜領域を通過するように設けられた搬送経路と、前記基板の第１及び第２面が露出する開口部を有し且つ当該基板を水平状態に保持する基板保持器を、前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように第１の搬送方向に搬送する第１の搬送部と、前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記第１の搬送方向と反対の第２の搬送方向に搬送する第２の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、前記第１の搬送部の前記第１の成膜領域の搬送方向下流側に、前記基板の第１面上に形成されたアモルファス状態の第１のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理機構が設けられるとともに、前記第２の搬送部の前記第２の成膜領域の搬送方向下流側に、前記基板の第２面上に形成されたアモルファス状態の第２のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理機構が設けられている成膜装置である。
本発明は、前記第２の搬送部の前記第２の成膜領域に対して前記第１の搬送方向側に、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第１面上の第１のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進用真空アニール処理機構が設けられている成膜装置である。
本発明は、真空中で基板を移動させながら当該基板の両面上にスパッタリングによって成膜を行う成膜方法であって、前記基板の第１面上にアモルファス状態の第１のスパッタ膜を形成する第１の成膜工程と、前記基板の第１面上の前記第１のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程と、前記基板の第２面上にアモルファス状態の第２のスパッタ膜を形成する第２の成膜工程と、前記基板の第２面上の前記第２のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理工程とを有する成膜方法である。
本発明は、前記基板の第１面上の前記アモルファス状態の第１のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程の後で且つ前記基板の第２面上にアモルファス状態の第２のスパッタ膜を形成する第２の成膜工程の前において、前記基板の第１面上の第１のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進工程を有する成膜方法である。
本発明は、前記基板が、ｎ型結晶シリコン基板の第１面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｐ型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記ｎ型結晶シリコン基板の第２面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｎ型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板であり、前記第１のスパッタ膜が第１の透明導電酸化物膜で、かつ、前記第２のスパッタ膜が第２の透明導電酸化物膜である成膜方法である。
本発明は、上記記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第１面上にスパッタリングによって第１のスパッタ膜を形成する第１の成膜工程と、前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、前記基板の第１面上の前記第１のスパッタ膜に対し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程と、前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第２面上にスパッタリングによって第２のスパッタ膜を形成する第２の成膜工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記基板の第２面上の前記第２のスパッタ膜に対し、前記第２の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理工程とを有する成膜方法である。
本発明は、上記記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第１面上にスパッタリングによって第１のスパッタ膜を形成する第１の成膜工程と、前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、前記基板の第１面上の前記第１のスパッタ膜に対し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程と、前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第１面上の前記第１のスパッタ膜に対し、前記アニール促進用真空アニール処理機構によって更に真空アニール処理を行うアニール促進工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第２面上にスパッタリングによって第２のスパッタ膜を形成する第２の成膜工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記基板の第２面上の前記第２のスパッタ膜に対し、前記第２の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理工程とを有する成膜方法である。
本発明は、上記記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、前記基板として、ｎ型結晶シリコン基板の第１面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｐ型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記ｎ型結晶シリコン基板の第２面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｎ型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第１面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、前記基板の第１面上の前記アモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜に対し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程と、前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第２面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記基板の第２面上の前記アモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜に対し、前記第２の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理工程とを有する太陽電池の製造方法である。
本発明は、上記記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、前記基板として、ｎ型結晶シリコン基板の第１面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｐ型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記ｎ型結晶シリコン基板の第２面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｎ型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第１面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、前記基板の第１面上の前記アモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜に対し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程と、前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第１面上の前記第１の透明導電酸化物膜に対し、前記アニール促進用真空アニール処理機構によって更に真空アニール処理を行うアニール促進工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第２面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記基板の第２面上の前記第２の透明導電酸化物膜に対し、前記第２の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理工程とを有する太陽電池の製造方法である。
本発明にあっては、真空中において、基板の第１面上に形成されたアモルファス状態の第１のスパッタ膜（例えば第１の透明導電酸化物膜）に対して第１の真空アニール処理を行うとともに、基板の第２面上に形成されたアモルファス状態の第２のスパッタ膜（例えば第２の透明導電酸化物膜）に対して第２の真空アニール処理を行うようにしたことから、これら結晶状態の例えば第１及び第２の透明導電酸化物膜の結晶粒を肥大化させることによってキャリアの移動度を向上させることができ、これにより例えばヘテロ接合型太陽電池に用いる基板の両面に高品質で均一な透明導電酸化物膜を形成することができ、しかも真空アニール処理は大気中のアニール処理に比べて高速で結晶化が進行するので、成膜及びアニール処理の効率を向上させることができる。
この場合、基板の第１面上の第１のスパッタ膜に対して第１の真空アニール処理を行った後で基板の第２面上にアモルファス状態の第２のスパッタ膜を形成する前に、基板の第１面上の第１のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うようにすれば、ある程度結晶化が進行したアモルファス状態の第１のスパッタ膜の結晶化の進行を促進させることができ、これにより基板の第１面上の結晶状態の第１のスパッタ膜のキャリアの移動度を向上させることができるので、例えばヘテロ接合型太陽電池に用いる基板の受光面側に高品質で均一な結晶状態の透明導電酸化物膜を形成することができる。
本発明に係る成膜装置の実施の形態の全体を示す概略構成図 （ａ）（ｂ）：本実施の形態における基板保持器搬送機構及び方向転換機構の基本構成を示すもので、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は正面図 （ａ）（ｂ）：本実施の形態に用いる基板保持器の構成を示すもので、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は側面図 本実施の形態における方向転換機構の構成を示す正面図 （ａ）〜（ｄ）：本実施の形態における透明導電酸化物膜の形成方法を示す断面工程図 本実施の形態の成膜装置の動作を示す説明図（その１） 本実施の形態の成膜装置の動作を示す説明図（その２） 本実施の形態の成膜装置の動作を示す説明図（その３） （ａ）（ｂ）：本実施の形態における基板保持器搬送機構の動作を示す説明図（その１） （ａ）〜（ｃ）：本実施の形態における基板保持器搬送機構及び方向転換機構の動作を示す説明図（その１） （ａ）〜（ｃ）：本実施の形態における基板保持器搬送機構及び方向転換機構の動作を示す説明図（その２） （ａ）（ｂ）：本実施の形態における基板保持器搬送機構の動作を示す説明図（その３） 本実施の形態の成膜装置の動作を示す説明図（その４） 本実施の形態の成膜装置の動作を示す説明図（その５） 本実施の形態の成膜装置の動作を示す説明図（その６） 方向転換機構の他の例の構成を示す正面図 （ａ）〜（ｃ）：基板保持器搬送機構及び方向転換機構の他の例の動作を示す説明図（その１） （ａ）〜（ｃ）：基板保持器搬送機構及び方向転換機構の他の例の動作を示す説明図（その２） 一般的なヘテロ接合型太陽電池セルの概略構成を示す断面図 （ａ）（ｂ）：実施例の酸化インジウム膜の表面及び断面を示すＳＥＭ写真 （ａ）（ｂ）：比較例の酸化インジウム膜の表面及び断面を示すＳＥＭ写真
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明に係る成膜装置の実施の形態の全体を示す概略構成図である。
また、図２（ａ）（ｂ）は、本実施の形態における基板保持器搬送機構及び方向転換機構の基本構成を示すもので、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は正面図である。
さらに、図３（ａ）（ｂ）は、本実施の形態に用いる基板保持器の構成を示すもので、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は側面図である。
さらにまた、図４は、本実施の形態における方向転換機構の構成を示す正面図である。
図１に示すように、本実施の形態の成膜装置１は、例えばターボ分子ポンプを有する真空排気装置１ａに接続された、単一の真空雰囲気が形成される真空槽２を有している。
真空槽２の内部には、後述する基板保持器１１を搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構３が設けられている。
この基板保持器搬送機構３は、基板１０を保持する複数の基板保持器１１を連続して搬送するように構成されている。
ここで、基板保持器搬送機構３は、例えばスプロケット等からなり駆動機構（図示せず）から回転駆動力が伝達されて動作する同一径の円形の第１及び第２の駆動輪３１、３２を有し、これら第１及び第２の駆動輪３１、３２が、それぞれの回転軸線を平行にした状態で所定距離をおいて配置されている。
そして、第１及び第２の駆動輪３１、３２には例えばチェーン等からなる一連の搬送駆動部材３３が架け渡されている。
さらに、これら第１及び第２の駆動輪３１、３２に搬送駆動部材３３が架け渡された構造体が所定の距離をおいて平行に配置され（図２（ａ）参照）、これら一対の搬送駆動部材３３により鉛直面に対して一連の環状となる搬送経路が形成されている。
本実施の形態では、搬送経路を構成する搬送駆動部材３３のうち上側の部分に、第１の駆動輪３１から第２の駆動輪３２に向って移動して基板保持器１１を第１の搬送方向Ｐ１に搬送する往路側搬送部（第１の搬送部）３３ａが形成されるとともに、第２の駆動輪３２の周囲の部分の搬送駆動部材３３によって基板保持器１１の搬送方向を折り返して反対方向に転換する折り返し部３３ｂが形成され、さらに、搬送駆動部材３３のうち下側の部分に、第２の駆動輪３２から第１の駆動輪３１に向って移動して基板保持器１１を第２の搬送方向Ｐ２に搬送する復路側搬送部（第２の搬送部）３３ｃが形成されている。
本実施の形態の基板保持器搬送機構３は、各搬送駆動部材３３の上側に位置する往路側搬送部３３ａと、各搬送駆動部材３３の下側に位置する復路側搬送部３３ｃとがそれぞれ対向し、鉛直方向に関して重なるように構成されている。
また、基板保持器搬送機構３には、基板保持器１１を導入する基板保持器導入部３０Ａと、基板保持器１１を折り返して搬送する搬送折り返し部３０Ｂと、基板保持器１１を排出する基板保持器排出部３０Ｃが設けられている。
ここで、搬送折り返し部３０Ｂの近傍には、後述する方向転換機構４０が設けられている。
真空槽２内には、第１及び第２の成膜領域４、５が設けられている。
本実施の形態では、真空槽２内において、基板保持器搬送機構３の例えば上部に、第１のスパッタ源４Ｔを有する第１の成膜領域４が設けられ、基板保持器搬送機構３の例えば下部に、第２のスパッタ源５Ｔを有する第２の成膜領域５が設けられている。
本実施の形態では、上述した搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａが、上記第１の成膜領域４を直線的に水平方向に通過するように構成され、復路側搬送部３３ｃが、上記第２の成膜領域５を直線的に水平方向に通過するように構成されている。
そして、搬送経路を構成するこれら搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａ及び復路側搬送部３３ｃを基板保持器１１が通過する場合に、基板保持器１１に保持された複数の基板１０（図２（ａ）参照）が水平状態で搬送されるようになっている。
図１に示すように、本実施の形態では、真空槽２内の上記第１の成膜領域４の第１の搬送方向Ｐ１側の近傍に、第１の真空アニール処理機構２１が設けられている。
また、真空槽２内の上記第２の成膜領域５の第２の搬送方向Ｐ２側の近傍に、第２の真空アニール処理機構２２が設けられている。
これら第１及び第２の真空アニール処理機構２１、２２としては、例えばシースヒーター等の輻射（放射）電熱方式のヒーターを好適に用いることができる。
さらに、第１及び第２の成膜領域４、５の間で、例えば第２の駆動輪３２の下方には、アニール促進用真空アニール処理機構２３が設けられている。
このアニール促進用真空アニール処理機構２３は、上記第１及び第２の真空アニール処理機構２１、２２と同様に、例えばシースヒーター等の輻射（放射）電熱方式のヒーターを好適に用いることができる。
一方、アニール促進用真空アニール処理機構２３の第２の搬送方向Ｐ２側で、上記第２の成膜領域５の第１の搬送方向Ｐ１側の近傍に、冷却機構２５が設けられている。
この冷却機構２５としては、例えば熱伝導率の良好な銅を冷却媒体を用いて冷却するようにした構造体や金属板に配管を介して冷却水を循環させるようにした板等の輻射（放射）方式の手段を好適に用いることができる。
真空槽２内の基板保持器搬送機構３の近傍の位置、例えば第１の駆動輪３１に隣接する位置には、基板保持器搬送機構３との間で基板保持器１１を受け渡し且つ受け取るための基板搬入搬出機構６が設けられている。
本実施の形態の基板搬入搬出機構６は、昇降機構６０によって例えば鉛直上下方向に駆動される駆動ロッド６１の先（上）端部に設けられた支持部６２を有している。
本実施の形態では、基板搬入搬出機構６の支持部６２上に搬送ロボット６４が設けられ、この搬送ロボット６４上に上述した基板保持器１１を支持して基板保持器１１を鉛直上下方向に移動させ、かつ、搬送ロボット６４によって基板保持器搬送機構３との間で基板保持器１１を受け渡し且つ受け取るように構成されている。
この場合、後述するように、基板搬入搬出機構６から基板保持器搬送機構３の往路側搬送部３３ａの基板保持器導入部３０Ａに基板保持器１１を受け渡し（この位置を「基板保持器受け渡し位置」という。）、かつ、基板保持器搬送機構３の復路側搬送部３３ｃの基板保持器排出部３０Ｃから基板保持器１１を取り出す（この位置を「基板保持器取り出し位置」という。）ように構成されている。
真空槽２の例えば上部には、真空槽２内に基板１０を搬入し且つ真空槽２から基板１０を搬出するための基板搬入搬出室２Ａが設けられている。
この基板搬入搬出室２Ａは、例えば上述した基板搬入搬出機構６の支持部６２の上方の位置に連通口２Ｂを介して設けられており、例えば基板搬入搬出室２Ａの上部には、開閉可能な蓋部２ａが設けられている。
そして、後述するように、基板搬入搬出室２Ａ内に搬入された成膜前の基板１０ａを基板搬入搬出機構６の支持部６２の搬送ロボット６４上の基板保持器１１に受け渡して保持させ、かつ、成膜後の基板１０ｂを基板搬入搬出機構６の支持部６２の搬送ロボット６４上の基板保持器１１から例えば真空槽２の外部の大気中に搬出するように構成されている。
なお、本実施の形態の場合、基板搬入搬出機構６の支持部６２の上部の縁部に、基板１０を搬入及び搬出する際に基板搬入搬出室２Ａと真空槽２内の雰囲気を隔離するための例えばＯリング等のシール部材６３が設けられている。
この場合、基板搬入搬出機構６の支持部６２を基板搬入搬出室２Ａ側に向って上昇させ、支持部６２上のシール部材６３を真空槽２の内壁に密着させて連通口２Ｂを塞ぐことにより、真空槽２内の雰囲気に対して基板搬入搬出室２Ａ内の雰囲気を隔離するように構成されている。
図２（ａ）（ｂ）に示すように、本実施の形態の基板保持器搬送機構３の一対の搬送駆動部材３３には、それぞれ所定の間隔をおいて複数の第１の駆動部３６が搬送駆動部材３３の外方側に突出するように設けられている。
第１の駆動部３６は、例えばＪフック形状（搬送方向下流側の突部の高さが搬送方向上流側の突部の高さより低くなるような溝部が形成された形状）に形成され、以下に説明する基板保持器支持機構１８によって支持された基板保持器１１の後述する第１の被駆動軸１２と接触して当該基板保持器１１を第１又は第２の搬送方向Ｐ１、Ｐ２に駆動するように構成されている。
一対の搬送駆動部材３３の内側には、搬送する基板保持器１１を支持する一対の基板保持器支持機構１８が設けられている。
基板保持器支持機構１８は、例えば複数のローラ等の回転可能な部材からなるもので、それぞれ搬送駆動部材３３の近傍に設けられている。
本実施の形態では、搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａの上方近傍に往路側基板保持器支持機構１８ａが設けられるとともに、搬送駆動部材３３の復路側搬送部３３ｃの下方近傍に復路側基板保持器支持機構１８ｃが設けられ、搬送される基板保持器１１の下面の両縁部を支持するように配置構成されている。
なお、往路側基板保持器支持機構１８ａは、後述する方向転換機構４０の第１の方向転換経路５１の進入口の近傍まで設けられ、復路側基板保持器支持機構１８ｃは、後述する方向転換機構４０の第２の方向転換経路５２の排出口の近傍まで設けられている。
本実施の形態に用いる基板保持器１１は、基板１０の両面上に真空処理を行うためのもので、開口部を有するトレイ状のものからなる。
図２（ａ）及び図３（ａ）に示すように、本実施の形態の基板保持器１１は、例えば長尺矩形の平板状に形成され、その長手方向即ち第１及び第２の搬送方向Ｐ１、Ｐ２に対して直交する方向に例えば矩形状の複数の基板１０を一列に並べてそれぞれ保持する複数の保持部１４が設けられている。
ここで、各保持部１４には、各基板１０と同等の大きさ及び形状で各基板１０の両面が全面的に露出する例えば矩形状の開口部が設けられ、図示しない保持部材によって各基板１０を水平に保持するように構成されている。
本発明では、特に限定されることはないが、設置面積を小さくし且つ処理能力を向上させる観点からは、基板保持器１１について、本実施の形態のように、搬送方向に対して直交する方向に複数の基板１０を一列に並べてそれぞれ保持するように構成することが好ましい。
ただし、処理効率を向上させる観点からは、搬送方向に対して直交する方向に複数の基板１０を複数列に並べることも可能である。
一方、基板保持器１１の長手方向の両端部で第１の搬送方向Ｐ１の上流側の端部に第１の被駆動軸１２がそれぞれ設けられ、また、第１の搬送方向Ｐ１の下流側の端部に第２の被駆動軸１３がそれぞれ設けられている。
これら第１及び第２の被駆動軸１２、１３は、それぞれ搬送方向に対して直交する方向即ち基板保持器１１の長手方向に延びる回転軸線を中心として断面円形状に形成されている。
本実施の形態では、第２の被駆動軸１３の長さが第１の被駆動軸１２の長さより長くなるようにその寸法が定められている。
具体的には、図２（ａ）に示すように、基板保持器１１を基板保持器搬送機構３に配置した場合に基板保持器１１の両側部の第１の被駆動軸１２が基板保持器搬送機構３の第１の駆動部３６と接触し、かつ、基板保持器１１を後述する方向転換機構４０に配置した場合に第２の被駆動軸１３が後述する第２の駆動部４６と接触するように第１及び第２の被駆動軸１２、１３の寸法が定められている。
一対の搬送駆動部材３３の第１の搬送方向Ｐ１の下流側には、同一構成の一対の方向転換機構４０が設けられている。
本実施の形態の場合、一対の方向転換機構４０は、それぞれ第１及び第２の搬送方向Ｐ１、Ｐ２に関して一対の搬送駆動部材３３の外側の位置に配置されている。
また、これら一対の方向転換機構４０は、それぞれ第１の搬送方向Ｐ１の上流側の部分が各搬送駆動部材３３の第１の搬送方向Ｐ１の下流側の部分と若干重なるように設けられている。
図４に示すように、本実施の形態の方向転換機構４０は、第１のガイド部材４１、第２のガイド部材４２、第３のガイド部材４３を有し、これら第１〜第３のガイド部材４１〜４３は、第１の搬送方向Ｐ１の上流側からこの順で配置されている。
本実施の形態では、第１〜第３のガイド部材４１〜４３は、一対の搬送駆動部材３３の外側近傍の位置にそれぞれ配置され、さらに、第１〜第３のガイド部材４１〜４３の外側近傍の位置に、後述する搬送駆動部材４５がそれぞれ配置されている。
なお、図２（ｂ）では、方向転換機構４０の一部を省略するとともに、部材の重なり関係を無視して搬送方向についての部材間の位置関係が明確になるように示されている。
図２（ａ）及び図４に示すように、第１〜第３のガイド部材４１〜４３は、例えば板状の部材からなり、それぞれ鉛直方向に向けて設けられている。
ここで、第１のガイド部材４１の第１の搬送方向Ｐ１側の部分は、第１の搬送方向Ｐ１側に凸となる曲面形状に形成され、また、第２のガイド部材４２の第２の搬送方向Ｐ２側の部分は、第１の搬送方向Ｐ１側に凹となる曲面形状に形成されている。
第１及び第２のガイド部材４１、４２は、第１のガイド部材４１の第１の搬送方向Ｐ１側の部分と第２のガイド部材４２の第２の搬送方向Ｐ２側の部分が同等の曲面形状に形成され、これらの部分が基板保持器１１の第１の被駆動軸１２の直径より若干大きな隙間を設けて対向するように近接配置されている。そして、この隙間によって基板保持器１１の第１の被駆動軸１２を案内する第１の方向転換経路５１が設けられている。
また、第２のガイド部材４２の第１の搬送方向Ｐ１側の部分は、第１の搬送方向Ｐ１側に凸となる曲面形状に形成され、また、第３のガイド部材４３の第２の搬送方向Ｐ２側の部分は、第１の搬送方向Ｐ１側に凹となる曲面形状に形成されている。
第２及び第３のガイド部材４２、４３は、第２のガイド部材４２の第１の搬送方向Ｐ１側の部分と第３のガイド部材４３の第２の搬送方向Ｐ２側の部分が同等の曲面形状に形成され、これらの部分が基板保持器１１の第２の被駆動軸１３の直径より若干大きな隙間を設けて対向するように近接配置されている。そして、この隙間によって基板保持器１１の第２の被駆動軸１３を案内する第２の方向転換経路５２が設けられている。
そして、本実施の形態では、第１の方向転換経路５１と第２の方向転換経路５２とが同等の曲面形状に形成されている。
さらに、第１及び第２の方向転換経路５１、５２の各部分の水平方向についての距離が、基板保持器１１の第１及び第２の被駆動軸１２、１３の間の距離と同等となるようにその寸法が定められている。
また、本実施の形態では、第１の方向転換経路５１の上側の開口部が基板保持器１１の第１の被駆動軸１２の進入口となっており、その高さ位置が、往路側基板保持器支持機構１８ａに支持された基板保持器１１の第２の被駆動軸１３の高さ位置より低い位置となるように構成されている（図２（ｂ）参照）。
さらに、第１の方向転換経路５１の下側の開口部が基板保持器１１の第１の被駆動軸１２の排出口となっており、その高さ位置が、復路側基板保持器支持機構１８ｃに支持された基板保持器１１の第２の被駆動軸１３の高さ位置より高い位置となるように構成されている（図２（ｂ）参照）。
また、第２の方向転換経路５２については、その上側の開口部が基板保持器１１の第２の被駆動軸１３の進入口となっており、その高さ位置が、往路側基板保持器支持機構１８ａに支持された基板保持器１１の第２の被駆動軸１３の高さ位置と同等の位置となるように構成されている（図２（ｂ）参照）。
一方、第２の方向転換経路５２の下側の開口部が基板保持器１１の第２の被駆動軸１３の排出口となっており、その高さ位置が、復路側基板保持器支持機構１８ｃに支持された基板保持器１１の第２の被駆動軸１３の高さ位置と同等の位置となるように構成されている（図２（ｂ）参照）。
本実施の形態の方向転換機構４０は、例えば一対のスプロケットと、これら一対のスプロケットに架け渡されたチェーンからなる搬送駆動部材４５を有し、この搬送駆動部材４５は鉛直面に対して一連の環状となるように構成されている。
この搬送駆動部材４５は、その折り返し部分の曲率半径が、基板保持器搬送機構３の搬送駆動部材３３の折り返し部３３ｂの曲率半径と同等となるように構成されている。
また、搬送駆動部材４５は、その上側の部分が第１の搬送方向Ｐ１に移動し、下側の部分が第２の搬送方向Ｐ２に移動するように駆動される。
搬送駆動部材４５には、所定の間隔をおいて複数の第２の駆動部４６が搬送駆動部材４５の外方側に突出するように設けられている。
第２の駆動部４６は、搬送駆動部材４５の外方側の部分に凹部が形成され、この凹部の縁部が基板保持器１１の第２の被駆動軸１３と接触して当該基板保持器１１を第２の方向転換経路５２に沿って支持駆動するように構成されている。
また、本実施の形態の第２の駆動部４６は、後述するように、第２の方向転換経路５２の進入口及び排出口の位置に到達した場合にその凹部側の端部が第２の方向転換経路５２から退避するように搬送駆動部材４５の経路及び第２の駆動部４６の寸法が設定されている（図２（ｂ）参照）。
本実施の形態では、後述するように、第２の駆動部４６が基板保持器搬送機構３の第１の駆動部３６と同期して動作するように基板保持器搬送機構３の搬送駆動部材３３と方向転換機構４０の搬送駆動部材４５の動作を制御する。
そして、本実施の形態では、基板保持器搬送機構３の第１の駆動部３６によって基板保持器１１を第１の搬送方向Ｐ１に駆動して第１及び第２の被駆動軸１２、１３を第１及び第２の方向転換経路５１、５２内に進入させた場合に、基板保持器１１が上下関係を維持しつつ第１及び第２の駆動部３６、４６によって第１及び第２の被駆動軸１２、１３が支持されて移動し、円滑に第１及び第２の方向転換経路５１、５２から排出されるように、第１及び第２の駆動部３６、４６、並びに、第１及び第２の方向転換経路５１、５２の形状及び寸法がそれぞれ設定されている。
一方、第１のガイド部材４１と第２のガイド部材４２の下方で第１の方向転換経路５１の排出口の近傍には、基板保持器１１を方向転換機構４０から基板保持器支持機構１８の復路側基板保持器支持機構１８ｃへ円滑に受け渡すための受け渡し部材４７が設けられている。
この受け渡し部材４７は、例えば水平方向に延びる細長の部材からなり、その第２の搬送方向Ｐ２側の端部で復路側基板保持器支持機構１８ｃの下方の位置に設けられた回転軸４８を中心として上下方向に回転移動するように構成されている。そして、受け渡し部材４７は、第１の搬送方向Ｐ１側の部分が例えば図示しない弾性部材によって上方に付勢されている。
本発明において用いる弾性部材としては、特に限定されることはないが、部品点数を増やすことなく座屈を確実に防止する観点からは、コイルばね（例えば圧縮コイルばね）より、ねじりコイルばねを用いることが好ましい。
受け渡し部材４７の上部には、第１の方向転換経路５１の排出口の第２の搬送方向Ｐ２側の近傍の部分に、第１の方向転換経路５１と連続し、かつ、基板保持器支持機構１８の復路側基板保持器支持機構１８ｃと連続するように曲面形状に形成された受け渡し部４７ａが設けられている（図２（ｂ）参照）。
また、受け渡し部材４７の上部には、第１の搬送方向Ｐ１側の部分に、第１の搬送方向Ｐ１に向って下側に傾斜する傾斜面４７ｂが設けられている。この傾斜面４７ｂは、第２の方向転換経路５２の排出口と対向する高さ位置に設けられている。
以下、本実施の形態の成膜装置１の動作及び成膜方法の例を図５（ａ）〜（ｄ）乃至図１５を参照して説明する。
図５（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態における透明導電酸化物膜の形成方法を示す断面工程図である。
本実施の形態に用いる成膜前の基板１０ａは、図５（ａ）に示すように、ｎ型結晶シリコン基板１０Ａの第１面（本実施の形態では受光面である上面）上に、ｉ型アモルファスシリコン層１０Ｂ及び第１導電型（例えばｐ型）のアモルファスシリコン層１０Ｄが順次設けられるとともに、このｎ型結晶シリコン基板１０Ａの第２面（本実施の形態では反射面側である下面）上に、ｉ型アモルファスシリコン層１０Ｃ及び第２導電型（例えばｎ型）のアモルファスシリコン層１０Ｅが順次設けられているものである。
本実施の形態では、まず、基板搬入搬出機構６の支持部６２上のシール部材６３を真空槽２の内壁に密着させて真空槽２内の雰囲気に対して基板搬入搬出室２Ａ内の雰囲気を隔離した状態で、大気圧までベントした後、図６に示すように、基板搬入搬出室２Ａの蓋部２ａを開ける。
その後、図示しない搬送ロボットを用いて成膜前の基板１０ａを基板搬入搬出機構６の支持部６２の搬送ロボット６４上の基板保持器１１に装着して保持させる。
そして、基板搬入搬出室２Ａの蓋部２ａを閉じて所定の圧力となるまで真空排気した後、図７に示すように、基板搬入搬出機構６の支持部６２を上述した基板保持器受け渡し位置まで下降させ、基板保持器１１の高さが搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａと同等の高さ位置となるようにする。
さらに、図８に示すように、基板搬入搬出機構６の支持部６２に設けた搬送ロボット６４によって基板保持器１１を基板保持器搬送機構３の基板保持器導入部３０Ａに配置する。
この場合、図９（ａ）に示すように、基板保持器１１の第１の被駆動軸１２を第１の駆動部３６の溝部内に配置されるように位置決めして往路側基板保持器支持機構１８ａ上に載置する。
この状態で、図９（ｂ）に示すように、基板保持器搬送機構３の搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａを第１の搬送方向Ｐ１に移動させる。
これにより、搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａ上の第１の駆動部３６によって基板保持器１１の第１の被駆動軸１２が第１の搬送方向Ｐ１に駆動され、基板保持器１１が搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａ上を搬送折り返し部３０Ｂに向って搬送される。
この動作の際、基板保持器１１に保持された成膜前の基板１０ａの第１面（上面）に対し、第１の成膜領域４を通過する際に、基板保持器１１の上方に位置する第１のスパッタ源４Ｔによってスパッタリングによる成膜を行う。
具体的には、図５（ｂ）に示すように、成膜前の基板１０ａのｐ型アモルファスシリコン層１０Ｄの表面に、スパッタリングによって例えばｎ型の第１の透明導電酸化物膜（第１のスパッタ膜）１０ｆを全面的に形成する。この時点では、第１の透明導電酸化物膜１０ｆは、アモルファス状態の膜である。
本発明の場合、第１の透明導電酸化物膜１０ｆの材料としては特に限定されることはないが、低抵抗で光透過性の材料である酸化インジウム系のものを用いることが好ましく、より好ましくは、酸化インジウムに、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タングステン、酸化セリウム、酸化ガリウム、酸化シリコンなどの金属酸化物を少なくとも１種以上微量添加したものである。
この成膜後、基板保持器１１が基板保持器搬送機構３の搬送折り返し部３０Ｂに到達する前に、上述した第１の真空アニール処理機構２１（図１参照）によってアモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜１０ｆを加熱して第１の真空アニール処理を行う。
この場合、加熱条件は、１８０℃以上２２０℃以下となるように設定することが好ましい。
図１０（ａ）〜（ｃ）並びに図１１（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態における基板保持器搬送機構及び方向転換機構の動作を示す説明図である。
本実施の形態では、上述した成膜工程の後、基板保持器搬送機構３の第１の駆動部３６を第１の搬送方向Ｐ１に移動させることにより、図１０（ａ）に示すように、基板保持器搬送機構３の搬送折り返し部３０Ｂに到達した基板保持器１１を更に第１の搬送方向Ｐ１に移動させ、基板保持器１１の第２の被駆動軸１３を方向転換機構４０の第２の方向転換経路５２の進入口の位置に配置する。
この場合、方向転換機構４０の第２の駆動部４６が基板保持器１１の第２の被駆動軸１３の下方に位置するように搬送駆動部材４５の動作を制御する。
そして、基板保持器搬送機構３の搬送駆動部材３３を駆動して第１の駆動部３６を第１の搬送方向Ｐ１に移動させるとともに、方向転換機構４０の搬送駆動部材４５を駆動して第２の駆動部４６を第１の搬送方向Ｐ１に移動させる。この場合、第１の駆動部３６と第２の駆動部４６の動作が同期するように制御する。
これにより、図１０（ｂ）に示すように、基板保持器１１の第１及び第２の被駆動軸１２、１３が第１及び第２の駆動部３６、４６によってそれぞれ支持駆動され、第１及び第２の方向転換経路５１、５２内を下方に向ってそれぞれ移動する。
なお、この過程においては、基板保持器１１の第１の被駆動軸１２は第１の方向転換経路５１内において同時に接触することはないが第１のガイド部材４１と第２のガイド部材４２の縁部にも接触し、また第２の被駆動軸１３は第２の方向転換経路５２内において同時に接触することはないが第２のガイド部材４２と第３のガイド部材４３の縁部にも接触するが、基板保持器１１は上下関係を維持している。
そして、第１及び第２の被駆動軸１２、１３が第１及び第２の方向転換経路５１、５２の中腹部分をそれぞれ通過した付近から、第１及び第２の被駆動軸１２、１３の搬送方向が、基板保持器１１の上下関係を維持した状態で第１の搬送方向Ｐ１と反対方向の第２の搬送方向Ｐ２にそれぞれ転換される。
なお、この過程においては、基板保持器１１の第１の被駆動軸１２は第１の方向転換経路５１内において同時に接触することはないが第１のガイド部材４１と第２のガイド部材４２の縁部にも接触し、また第２の被駆動軸１３は第２の方向転換経路５２内において同時に接触することはないが第２のガイド部材４２と第３のガイド部材４３の縁部にも接触する。
さらに、基板保持器搬送機構３の搬送駆動部材３３と方向転換機構４０の搬送駆動部材４５の駆動を継続すると、図１０（ｃ）に示すように、基板保持器１１の第１の被駆動軸１２が第１の方向転換経路５１の排出口並びに受け渡し部材４７の受け渡し部４７ａを経由して受け渡し部材４７の上方の位置に配置されるとともに、基板保持器１１の第２の被駆動軸１３が第２の方向転換経路５２の排出口の位置に配置され、その後、図１１（ａ）に示すように、基板保持器１１は、基板保持器支持機構１８の復路側基板保持器支持機構１８ｃに受け渡される。
なお、図１０（ｃ）に示す時点で方向転換機構４０の第２の駆動部４６と基板保持器１１の第２の被駆動軸１３は接触しておらず、基板保持器１１は、基板保持器搬送機構３の第１の駆動部３６と第１の被駆動軸１２との接触による駆動によって第２の搬送方向Ｐ２へ移動する。
そして、更なる基板保持器搬送機構３の搬送駆動部材３３の駆動により、図１１（ｂ）に示すように、基板保持器１１の第２の被駆動軸１３が受け渡し部材４７の傾斜面４７ｂに接触して受け渡し部材４７が回転軸４８を中心として下方に回転移動し、図１１（ｃ）に示すように、基板保持器１１の第２の被駆動軸１３が受け渡し部材４７の上方を通過して基板保持器１１が第２の搬送方向Ｐ２へ移動する。
なお、受け渡し部材４７は、この過程の後に図示しない弾性部材の付勢力によって元の位置に戻る。
その後、図１２（ａ）に示すように、基板保持器搬送機構３の搬送駆動部材３３の復路側搬送部３３ｃを第２の搬送方向Ｐ２に移動させ、第１の駆動部３６を同方向に駆動することにより、基板保持器１１を基板保持器排出部３０Ｃに向って搬送する。
この場合、成膜前の基板１０ａは、方向転換機構４０を通過する際に温度が低下しているから、基板保持器１１を基板保持器排出部３０Ｃに向って搬送する際に、基板保持器１１に保持された成膜前の基板１０ａの第２面（下面）を、上述したアニール促進用真空アニール処理機構２３（図１参照）によって加熱し、アモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜１０ｆを更に加熱して真空アニール処理を行う。
この場合、加熱条件は、１８０℃以上２２０℃以下となるように設定することが好ましい。そして、このアニール処理により当該透明導電酸化物膜１０ｆの結晶化の進行が促進される。なお、上述した第１の真空アニール処理とこのアニール促進用アニール処理の時間は、合わせて数分程度である。
そして、基板温度の過度の上昇を防止するため、必要に応じて上述した冷却機構２５（図１参照）によって当該基板１０ａの冷却を行う。
その後、図１に示す第２の成膜領域５を通過する際に、基板保持器１１に保持された当該基板１０ａの第２面（下面）のｎ型アモルファスシリコン層１０Ｅの表面に、基板保持器１１の下方に位置する第２のスパッタ源５Ｔによってスパッタリングによって例えばｎ型の第２の透明導電酸化物膜（第２のスパッタ膜）１０ｇを全面的に形成する（図５（ｃ）参照）。この時点では、第２の透明導電酸化物膜１０ｇは、アモルファス状態の膜である。
なお、第２の透明導電酸化物膜１０ｇを形成する際には、この基板１０ａの第１面に形成された第１の透明導電酸化物膜１０ｆと短絡しないように、図示しないマスクを用いて第１の透明導電酸化物膜１０ｆの縁部が当該基板１０ａの縁部に対して若干内方側に位置するように形成することが好ましい。
本発明の場合、第２の透明導電酸化物膜１０ｇの材料としては特に限定されることはないが、上述した第１の透明導電酸化物膜１０ｆと同様に、低抵抗で光透過性の材料である酸化インジウム系のものを用いることが好ましく、より好ましくは、酸化インジウムに、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タングステン、酸化セリウム、酸化ガリウム、酸化シリコンなどの金属酸化物を少なくとも１種以上微量添加したものである。
本実施の形態では、アモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜１０ｇのスパッタ成膜の際に、放電によるプラズマの熱によって当該基板１０ａの第１面上のある程度結晶化が進行したアモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜１０ｆの結晶化が更に進行してほぼ終了する。そして、これにより、図５（ｃ）に示すように、結晶状態の第１の透明導電酸化物膜１０Ｆが形成される。
さらに、本実施の形態では、上述した成膜後、基板保持器１１が基板保持器搬送機構３の基板保持器排出部３０Ｃに到達する前に、上述した第２の真空アニール処理機構２２（図１参照）によってアモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜１０ｇを加熱して真空アニール処理を行う。
この場合、加熱条件は、１８０℃以上２２０℃以下となるように設定することが好ましい。
この第２のアニール処理により、アモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜１０ｇが結晶化して結晶状態の第２の透明導電酸化物膜１０Ｇが形成され、これにより図５（ｄ）に示すように、成膜後の基板１０ｂを得る。
そして、第２の搬送方向Ｐ２に移動する基板保持器１１が基板保持器排出部３０Ｃに到達した後、搬送駆動部材３３の復路側搬送部３３ｃを第２の搬送方向Ｐ２に移動させ、第１の駆動部３６を同方向に駆動すると、復路側搬送部３３ｃの移動に伴って第１の駆動部３６が鉛直方向から傾斜した状態になるに従い、図１２（ｂ）に示すように、第１の駆動部３６と、第１の被駆動軸１２との接触が外れ、これにより基板保持器１１は推進力を失うから、図１３に示す基板搬入搬出機構６の搬送ロボット６４によって基板保持器１１を第２の搬送方向Ｐ２に移動させて第１の駆動部３６に対して離間させる。
さらに、基板搬入搬出機構６の搬送ロボット６４を用いて基板保持器１１の取り出し動作を行い、図１３に示すように、基板保持器１１を搬送ロボット６４と共に支持部６２上に配置する。
その後、図１４に示すように、基板搬入搬出機構６の支持部６２を上昇させ、支持部６２上のシール部材６３を真空槽２の内壁に密着させて真空槽２内の雰囲気に対して基板搬入搬出室２Ａ内の雰囲気を隔離した状態で、大気圧までベントを行う。
そして、図１５に示すように、基板搬入搬出室２Ａの蓋部２ａを開け、図示しない搬送ロボットを用い、成膜後の基板１０ｂを基板保持器１１から大気中に取り出す。
その後、図６に示す状態に戻り、上述した動作を繰り返すことにより、複数の成膜前の基板１０ａに対してそれぞれ両面上に上述した成膜及びアニール処理を行う。
なお、ヘテロ接合型太陽電池の表面電極については、上述した結晶状態の第１及び第２の透明導電酸化物膜１０Ｆ、１０Ｇ上に例えば銀ペーストをスクリーン印刷によって塗布し、焼成により形成することができる。
以上述べた本実施の形態にあっては、真空中において、成膜前の基板１０ａの第１面上に形成されたアモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜１０ｆに対して第１の真空アニール処理を行うとともに、当該基板１０ａの第２面上に形成されたアモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜１０ｇに対して第２の真空アニール処理を行うようにしたことから、アニール処理後の結晶状態の第１及び第２の透明導電酸化物膜１０Ｆ、１０Ｇの結晶粒を肥大化させることによってキャリアの移動度を向上させることができ、これにより例えばヘテロ接合型太陽電池に用いる基板の両面に高品質で均一な透明導電酸化物膜を形成することができ、しかも真空アニール処理は大気中のアニール処理に比べて高速で結晶化が進行するので、成膜及びアニール処理の効率を向上させることができる。
この場合、当該基板１０ａの第１面上の第１の透明導電酸化物膜１０ｆに対して第１の真空アニール処理を行った後で当該基板１０ａの第２面上にアモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜１０ｇを形成する前に、当該基板１０ａの第１面上のアモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜１０ｆに対して更に真空アニール処理を行うようにすれば、当該第１の透明導電酸化物膜１０ｆの結晶化の進行を促進させることができ、これにより当該基板１０ａの第１面上の結晶状態の第１の透明導電酸化物膜１０Ｆのキャリアの移動度を更に向上させることができるので、例えばヘテロ接合型太陽電池に用いる基板の受光面側に高品質で均一な透明導電酸化物膜を形成することができる。
図１６は、方向転換機構の他の例の構成を示す正面図である。
図１６に示すように、本例の方向転換機構４０Ａは、図４に示す受け渡し部材４７の代わりとなる受け渡し部材４９を有している。
この受け渡し部材４９は、例えば搬送方向に延びる細長の部材からなり、方向転換機構４０Ａの第１の方向転換経路５１の排出口の近傍で復路側基板保持器支持機構１８ｃの上方に設けられた回転軸４９ａを中心として第２の搬送方向Ｐ２側に延びる部分が上下方向に回転移動するように構成されている。
受け渡し部材４９は、下側の部分４９ｂが平面状に形成され、その下側の部分４９ｂの第２の搬送方向Ｐ２側の先端部４９ｃが上方向に傾斜するように形成されている。
この受け渡し部材４９は、回転軸４９ａに対して第２の搬送方向Ｐ２側の部分が外力が作用しない状態で水平方向に対して若干下方に傾斜するように構成されている。
この場合、受け渡し部材４９の第２の搬送方向Ｐ２側の部分を例えば図示しないねじりコイルばね等の弾性部材によって下方に付勢することにより外力が作用しない状態で当該第２の搬送方向Ｐ２側の部分を水平方向に対して若干下方に傾斜させるように構成することができ、また、受け渡し部材４９の自重によって外力が作用しない状態で当該第２の搬送方向Ｐ２側の部分が水平方向に対して若干下方に傾斜するように構成することもできる。
図１７（ａ）〜（ｃ）並びに図１８（ａ）〜（ｃ）は、本例における基板保持器搬送機構及び方向転換機構の動作を示す説明図である。
本例においても、基板保持器搬送機構３の第１の駆動部３６を第１の搬送方向Ｐ１に移動させることにより、図１７（ａ）に示すように、成膜工程が終了し基板保持器搬送機構３の搬送折り返し部３０Ｂに到達した基板保持器１１を更に第１の搬送方向Ｐ１に移動させ、基板保持器１１の第２の被駆動軸１３を方向転換機構４０Ａの第２の方向転換経路５２の進入口の位置に配置し、方向転換機構４０Ａの第２の駆動部４６が基板保持器１１の第２の被駆動軸１３の下方に位置するように搬送駆動部材４５の動作を制御する。
そして、第１の駆動部３６と第２の駆動部４６とを同期させて第１の搬送方向Ｐ１にそれぞれ移動させることにより、図１７（ｂ）に示すように、基板保持器１１の第１及び第２の被駆動軸１２、１３を第１及び第２の駆動部３６、４６によってそれぞれ支持駆動し、第１及び第２の方向転換経路５１、５２内を下方に向ってそれぞれ移動させることにより、基板保持器１１を上下関係を維持した状態で下方に向って移動させる。
そして、第１及び第２の被駆動軸１２、１３が第１及び第２の方向転換経路５１、５２の中腹部分をそれぞれ通過した付近から、第１及び第２の被駆動軸１２、１３の搬送方向が、基板保持器１１の上下関係を維持した状態で第１の搬送方向Ｐ１と反対方向の第２の搬送方向Ｐ２にそれぞれ転換される。
さらに、基板保持器搬送機構３の搬送駆動部材３３と方向転換機構４０Ａの搬送駆動部材４５の駆動を継続すると、図１７（ｃ）に示すように、基板保持器１１の第１の被駆動軸１２が第１の方向転換経路５１の排出口並びに受け渡し部材４９を通過するとともに、基板保持器１１の第２の被駆動軸１３が第２の方向転換経路５２の排出口の位置に配置され、その後、図１８（ａ）に示すように、基板保持器１１は、基板保持器支持機構１８の復路側基板保持器支持機構１８ｃに受け渡される。
なお、図１７（ｃ）に示す時点で方向転換機構４０Ａの第２の駆動部４６と基板保持器１１の第２の被駆動軸１３は接触しておらず、基板保持器１１は、基板保持器搬送機構３の第１の駆動部３６と第１の被駆動軸１２との接触による駆動によって第２の搬送方向Ｐ２へ移動する。
そして、更なる基板保持器搬送機構３の搬送駆動部材３３の駆動により、図１８（ｂ）に示すように、基板保持器１１の第２の被駆動軸１３が受け渡し部材４９の下側の部分４９ｂに接触して受け渡し部材４９が回転軸４９ａを中心として上方に回転移動し、図１８（ｃ）に示すように、基板保持器１１の第２の被駆動軸１３が受け渡し部材４９の先端部４９ｃの下方を通過して基板保持器１１が第２の搬送方向Ｐ２へ移動する。
なお、受け渡し部材４９は、この過程の後に図示しない弾性部材の付勢力又はその自重によって元の位置に戻る。
以上述べた本例の受け渡し部材４９を有する方向転換機構４０Ａによれば、基板保持器１１が受け渡し部材４９を通過する際の摩擦力を最小限にする。
なお、本発明は上述した実施の形態に限られず、種々の変更を行うことができる。
例えば上記実施の形態においては、鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成された搬送経路を有する成膜装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、直線状の搬送経路を有する所謂インライン方式の成膜装置にも適用することができる。
また、上記実施の形態においては、搬送駆動部材３３のうち上側の部分を第１の搬送部である往路側搬送部３３ａとするとともに、搬送駆動部材３３のうち下側の部分を第２の搬送部である復路側搬送部３３ｃとするようにしたが、本発明はこれに限られず、これらの上下関係を逆にすることもできる。
さらに、上記実施の形態では、基板の上面を第１面とし、下面を第２面としたが、基板の下面を第１面とし、上面を第２面とすることもできる。
さらにまた、上記実施の形態では、ヘテロ接合型太陽電池用の基板の両面上に透明導電酸化物膜を形成する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、種々の基板の両面上に種々の膜を形成する場合に適用することができる。
ただし、本発明は、ヘテロ接合型太陽電池用の基板の両面上に透明導電酸化物膜を形成する場合に特に有効となるものである。
また、上記実施の形態では、基板保持器搬送機構３及び方向転換機構４０について、一対のスプロケットと、これら一対のスプロケットに架け渡されたチェーンから構成するようにしたが、例えばベルトやレールを用いた環状形状の搬送駆動機構を用いることもできる。
さらに、基板保持器支持機構１８については、ローラではなくベルトやレールを用いて構成することもできる。
さらに、本発明は、上記実施の形態のように、成膜前の基板１０ａを真空槽２内に搬入し、成膜後の基板１０ｂを真空槽２から搬出する場合のみならず、成膜前の基板１０ａを基板保持器１１と共に真空槽２内に搬入し、成膜後の基板１０ｂを基板保持器１１と共に真空槽２から搬出する場合にも適用することができる。
以下、本発明の実施例を説明する。
＜実施例＞
ガラス基板上にスパッタリングによって厚さ１１０ｎｍの酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）からなる膜を形成した。
この酸化インジウム膜のシート抵抗値を測定したところ、４２．９Ω／□であった。
そして、酸化インジウム膜に対し、シースヒーターを用い、真空中において温度２００℃で５分間アニール処理を行った。
さらに、アニール処理後の酸化インジウム膜を、温度４０℃のリン硝酢酸（リン酸７３：硝酸３：酢酸７：水１７）に７０秒浸漬してハーフエッチングを行った後、ＳＥＭによって表面及び断面を観察した。
その結果を図２０（ａ）（ｂ）に示す。
このハーフエッチング後の酸化インジウム膜のシート抵抗値を測定したところ、４４．０Ω／□であった。
＜比較例＞
上記実施例と同一の方法によって形成した酸化インジウム膜のシート抵抗値を測定したところ、４１．４Ω／□であった。
さらに、この酸化インジウム膜を、温度４０℃の上記リン硝酢酸に７０秒浸漬してハーフエッチングを行った後、ＳＥＭによって表面及び断面を観察した。
その結果を図２１（ａ）（ｂ）に示す。
このハーフエッチング後の酸化インジウム膜のシート抵抗値を測定したところ、１５１８Ω／□であった。
＜評価＞
図２０（ａ）（ｂ）に示すように、成膜後真空アニール処理を行った実施例の酸化インジウム膜は、表面及び内部が均一で緻密に形成されており、ハーフエッチング後においても、シート抵抗値は殆ど上昇しなかった。
これに対し、成膜後真空アニール処理を行わなかった比較例の酸化インジウム膜は、図２１（ａ）（ｂ）に示すように、表面が島状に形成されており、また内部に空隙が多数見られた。
さらに、比較例の酸化インジウム膜は、ハーフエッチング後においてシート抵抗値が大幅（４１．４Ω／□→１５１８Ω／□）に上昇した。
以上より、本発明の真空アニール処理を行うことにより、成膜装置から排出された時点で均一で高品質のスパッタ膜を形成できることが判明した。
１…成膜装置
２…真空槽
３…基板保持器搬送機構
４…第１の成膜領域
４Ｔ…第１のスパッタ源
５…第２の成膜領域
５Ｔ…第２のスパッタ源
６…基板搬入搬出機構
１０…基板
１０ａ…成膜前の基板
１０ｂ…成膜後の基板
１０Ａ…ｎ型結晶シリコン基板
１０Ｂ、１０Ｃ…ｉ型アモルファスシリコン層
１０Ｄ…ｐ型アモルファスシリコン層
１０Ｅ…ｎ型アモルファスシリコン層
１０ｆ…アモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜（アモルファス状態の第１のスパッタ膜）
１０Ｆ…結晶状態の第１の透明導電酸化物膜（結晶状態の第１のスパッタ膜）
１０ｇ…アモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜（アモルファス状態の第２のスパッタ膜）
１０Ｇ…結晶状態の第２の透明導電酸化物膜（結晶状態の第２のスパッタ膜）
１１…基板保持器
１２…第１の被駆動軸
１３…第２の被駆動軸
１４…保持部
１８…基板保持器支持機構
２１…第１の真空アニール処理機構
２２…第２の真空アニール処理機構
２３…アニール促進用真空アニール処理機構
２５…冷却機構
３０Ａ…基板保持器導入部
３０Ｂ…搬送折り返し部
３０Ｃ…基板保持器排出部
３３…搬送駆動部材（搬送経路）
３３ａ…往路側搬送部（第１の搬送部）
３３ｂ…折り返し部
３３ｃ…復路側搬送部（第２の搬送部）
４０…方向転換機構
Ｐ１…第１の搬送方向
Ｐ２…第２の搬送方向

Claims (11)

  1. 搬送経路に沿って基板を搬送可能な真空槽と、
    前記真空槽内に設けられ、前記基板の第１面上に成膜を行う第１のスパッタ源を有する第１の成膜領域と、
    前記第１の成膜領域の搬送方向下流側に設けられ、当該第１の成膜領域において前記基板の第１面上に形成されたアモルファス状態の第１のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理機構と、
    前記真空槽内に設けられ、前記基板の第２面上に成膜を行う第２のスパッタ源を有する第２の成膜領域と、
    前記第２の成膜領域の搬送方向下流側に設けられ、当該第２の成膜領域において前記基板の第２面上に形成されたアモルファス状態の第２のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理機構とを有する成膜装置。
  2. 前記第１の真空アニール処理機構と、前記第２の成膜領域との間に、当該第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第１面上の第１のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進用真空アニール処理機構が設けられている請求項１記載の成膜装置。
  3. 単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、
    前記真空槽内に設けられ、基板の第１面上に成膜を行う第１のスパッタ源を有する第１の成膜領域と、
    前記真空槽内に設けられ、前記基板の第２面上に成膜を行う第２のスパッタ源を有する第２の成膜領域と、
    鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記第１及び第２の成膜領域を通過するように設けられた搬送経路と、
    前記基板の第１及び第２面が露出する開口部を有し且つ当該基板を水平状態に保持する基板保持器を、前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、
    前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように第１の搬送方向に搬送する第１の搬送部と、前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記第１の搬送方向と反対の第２の搬送方向に搬送する第２の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、
    前記第１の搬送部の前記第１の成膜領域の搬送方向下流側に、前記基板の第１面上に形成されたアモルファス状態の第１のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理機構が設けられるとともに、
    前記第２の搬送部の前記第２の成膜領域の搬送方向下流側に、前記基板の第２面上に形成されたアモルファス状態の第２のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理機構が設けられている成膜装置。
  4. 前記第２の搬送部の前記第２の成膜領域に対して前記第１の搬送方向側に、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第１面上の第１のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進用真空アニール処理機構が設けられている請求項３記載の成膜装置。
  5. 真空中で基板を移動させながら当該基板の両面上にスパッタリングによって成膜を行う成膜方法であって、
    前記基板の第１面上にアモルファス状態の第１のスパッタ膜を形成する第１の成膜工程と、
    前記基板の第１面上の前記第１のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程と、
    前記基板の第２面上にアモルファス状態の第２のスパッタ膜を形成する第２の成膜工程と、
    前記基板の第２面上の前記第２のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理工程とを有する成膜方法。
  6. 前記基板の第１面上の前記アモルファス状態の第１のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程の後で且つ前記基板の第２面上にアモルファス状態の第２のスパッタ膜を形成する第２の成膜工程の前において、前記基板の第１面上の第１のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進工程を有する請求項５記載の成膜方法。
  7. 前記基板が、ｎ型結晶シリコン基板の第１面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｐ型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記ｎ型結晶シリコン基板の第２面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｎ型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板であり、
    前記第１のスパッタ膜が第１の透明導電酸化物膜で、かつ、前記第２のスパッタ膜が第２の透明導電酸化物膜である請求項５又は６のいずれか１項記載の成膜方法。
  8. 請求項３記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、
    前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第１面上にスパッタリングによって第１のスパッタ膜を形成する第１の成膜工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、前記基板の第１面上の前記第１のスパッタ膜に対し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程と、
    前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第２面上にスパッタリングによって第２のスパッタ膜を形成する第２の成膜工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記基板の第２面上の前記第２のスパッタ膜に対し、前記第２の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理工程とを有する成膜方法。
  9. 請求項４記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、
    前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第１面上にスパッタリングによって第１のスパッタ膜を形成する第１の成膜工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、前記基板の第１面上の前記第１のスパッタ膜に対し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程と、
    前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第１面上の前記第１のスパッタ膜に対し、前記アニール促進用真空アニール処理機構によって更に真空アニール処理を行うアニール促進工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第２面上にスパッタリングによって第２のスパッタ膜を形成する第２の成膜工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記基板の第２面上の前記第２のスパッタ膜に対し、前記第２の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理工程とを有する成膜方法。
  10. 請求項３記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
    前記基板として、ｎ型結晶シリコン基板の第１面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｐ型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記ｎ型結晶シリコン基板の第２面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｎ型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、
    前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第１面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜を形成する工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、前記基板の第１面上の前記アモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜に対し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程と、
    前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第２面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜を形成する工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記基板の第２面上の前記アモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜に対し、前記第２の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理工程とを有する太陽電池の製造方法。
  11. 請求項４記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
    前記基板として、ｎ型結晶シリコン基板の第１面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｐ型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記ｎ型結晶シリコン基板の第２面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｎ型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、
    前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第１面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜を形成する工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第１の搬送方向に搬送し、前記基板の第１面上の前記アモルファス状態の第１の透明導電酸化物膜に対し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第１の真空アニール処理工程と、
    前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記第１の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第１面上の前記第１の透明導電酸化物膜に対し、前記アニール促進用真空アニール処理機構によって更に真空アニール処理を行うアニール促進工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第２面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第２の透明導電酸化物膜を形成する工程と、
    前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第２の搬送方向に搬送し、前記基板の第２面上の前記第２の透明導電酸化物膜に対し、前記第２の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第２の真空アニール処理工程とを有する太陽電池の製造方法。
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