JP2020033641A - 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 517
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 172
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 159
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 335
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 92
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 81
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 74
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 72
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 39
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 81
- 230000008859 change Effects 0.000 description 39
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZQZNLBFNMTRMF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;phosphoric acid Chemical compound CC(O)=O.OP(O)(O)=O IZQZNLBFNMTRMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N nitric acid phosphoric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001141 propulsive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Materials Engineering (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
図19に示すように、このヘテロ接合型太陽電池セル100は、n型結晶シリコン基板101の一方側(太陽光側)の面上に、i型アモルファスシリコン層102、p型アモルファスシリコン層103、第1の透明導電酸化物膜104、電極層105が順次形成され、さらに、n型結晶シリコン基板101の他方側の面上に、i型アモルファスシリコン層106、n型アモルファスシリコン層107、第2の透明導電酸化物膜108、電極層109が順次形成されて構成されている。
本発明は、前記第1の真空アニール処理機構と、前記第2の成膜領域との間に、当該第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第1面上の第1のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進用真空アニール処理機構が設けられている成膜装置である。
本発明は、単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、前記真空槽内に設けられ、基板の第1面上に成膜を行う第1のスパッタ源を有する第1の成膜領域と、前記真空槽内に設けられ、前記基板の第2面上に成膜を行う第2のスパッタ源を有する第2の成膜領域と、鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記第1及び第2の成膜領域を通過するように設けられた搬送経路と、前記基板の第1及び第2面が露出する開口部を有し且つ当該基板を水平状態に保持する基板保持器を、前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように第1の搬送方向に搬送する第1の搬送部と、前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記第1の搬送方向と反対の第2の搬送方向に搬送する第2の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、前記第1の搬送部の前記第1の成膜領域の搬送方向下流側に、前記基板の第1面上に形成されたアモルファス状態の第1のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理機構が設けられるとともに、前記第2の搬送部の前記第2の成膜領域の搬送方向下流側に、前記基板の第2面上に形成されたアモルファス状態の第2のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理機構が設けられている成膜装置である。
本発明は、前記第2の搬送部の前記第2の成膜領域に対して前記第1の搬送方向側に、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第1面上の第1のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進用真空アニール処理機構が設けられている成膜装置である。
本発明は、真空中で基板を移動させながら当該基板の両面上にスパッタリングによって成膜を行う成膜方法であって、前記基板の第1面上にアモルファス状態の第1のスパッタ膜を形成する第1の成膜工程と、前記基板の第1面上の前記第1のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程と、前記基板の第2面上にアモルファス状態の第2のスパッタ膜を形成する第2の成膜工程と、前記基板の第2面上の前記第2のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理工程とを有する成膜方法である。
本発明は、前記基板の第1面上の前記アモルファス状態の第1のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程の後で且つ前記基板の第2面上にアモルファス状態の第2のスパッタ膜を形成する第2の成膜工程の前において、前記基板の第1面上の第1のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進工程を有する成膜方法である。
本発明は、前記基板が、n型結晶シリコン基板の第1面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記n型結晶シリコン基板の第2面上に、i型アモルファスシリコン層及びn型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板であり、前記第1のスパッタ膜が第1の透明導電酸化物膜で、かつ、前記第2のスパッタ膜が第2の透明導電酸化物膜である成膜方法である。
本発明は、上記記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第1面上にスパッタリングによって第1のスパッタ膜を形成する第1の成膜工程と、前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、前記基板の第1面上の前記第1のスパッタ膜に対し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程と、前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第2面上にスパッタリングによって第2のスパッタ膜を形成する第2の成膜工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記基板の第2面上の前記第2のスパッタ膜に対し、前記第2の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理工程とを有する成膜方法である。
本発明は、上記記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第1面上にスパッタリングによって第1のスパッタ膜を形成する第1の成膜工程と、前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、前記基板の第1面上の前記第1のスパッタ膜に対し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程と、前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第1面上の前記第1のスパッタ膜に対し、前記アニール促進用真空アニール処理機構によって更に真空アニール処理を行うアニール促進工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第2面上にスパッタリングによって第2のスパッタ膜を形成する第2の成膜工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記基板の第2面上の前記第2のスパッタ膜に対し、前記第2の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理工程とを有する成膜方法である。
本発明は、上記記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、前記基板として、n型結晶シリコン基板の第1面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記n型結晶シリコン基板の第2面上に、i型アモルファスシリコン層及びn型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第1面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第1の透明導電酸化物膜を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、前記基板の第1面上の前記アモルファス状態の第1の透明導電酸化物膜に対し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程と、前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第2面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第2の透明導電酸化物膜を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記基板の第2面上の前記アモルファス状態の第2の透明導電酸化物膜に対し、前記第2の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理工程とを有する太陽電池の製造方法である。
本発明は、上記記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、前記基板として、n型結晶シリコン基板の第1面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記n型結晶シリコン基板の第2面上に、i型アモルファスシリコン層及びn型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第1面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第1の透明導電酸化物膜を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、前記基板の第1面上の前記アモルファス状態の第1の透明導電酸化物膜に対し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程と、前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第1面上の前記第1の透明導電酸化物膜に対し、前記アニール促進用真空アニール処理機構によって更に真空アニール処理を行うアニール促進工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第2面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第2の透明導電酸化物膜を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記基板の第2面上の前記第2の透明導電酸化物膜に対し、前記第2の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理工程とを有する太陽電池の製造方法である。
ガラス基板上にスパッタリングによって厚さ110nmの酸化インジウム(In2O3)からなる膜を形成した。
この酸化インジウム膜のシート抵抗値を測定したところ、42.9Ω/□であった。
さらに、アニール処理後の酸化インジウム膜を、温度40℃のリン硝酢酸(リン酸73:硝酸3:酢酸7:水17)に70秒浸漬してハーフエッチングを行った後、SEMによって表面及び断面を観察した。
その結果を図20(a)(b)に示す。
上記実施例と同一の方法によって形成した酸化インジウム膜のシート抵抗値を測定したところ、41.4Ω/□であった。
その結果を図21(a)(b)に示す。
図20(a)(b)に示すように、成膜後真空アニール処理を行った実施例の酸化インジウム膜は、表面及び内部が均一で緻密に形成されており、ハーフエッチング後においても、シート抵抗値は殆ど上昇しなかった。
2…真空槽
3…基板保持器搬送機構
4…第1の成膜領域
4T…第1のスパッタ源
5…第2の成膜領域
5T…第2のスパッタ源
6…基板搬入搬出機構
10…基板
10a…成膜前の基板
10b…成膜後の基板
10A…n型結晶シリコン基板
10B、10C…i型アモルファスシリコン層
10D…p型アモルファスシリコン層
10E…n型アモルファスシリコン層
10f…アモルファス状態の第1の透明導電酸化物膜(アモルファス状態の第1のスパッタ膜)
10F…結晶状態の第1の透明導電酸化物膜(結晶状態の第1のスパッタ膜)
10g…アモルファス状態の第2の透明導電酸化物膜(アモルファス状態の第2のスパッタ膜)
10G…結晶状態の第2の透明導電酸化物膜(結晶状態の第2のスパッタ膜)
11…基板保持器
12…第1の被駆動軸
13…第2の被駆動軸
14…保持部
18…基板保持器支持機構
21…第1の真空アニール処理機構
22…第2の真空アニール処理機構
23…アニール促進用真空アニール処理機構
25…冷却機構
30A…基板保持器導入部
30B…搬送折り返し部
30C…基板保持器排出部
33…搬送駆動部材(搬送経路)
33a…往路側搬送部(第1の搬送部)
33b…折り返し部
33c…復路側搬送部(第2の搬送部)
40…方向転換機構
P1…第1の搬送方向
P2…第2の搬送方向
Claims (11)
- 搬送経路に沿って基板を搬送可能な真空槽と、
前記真空槽内に設けられ、前記基板の第1面上に成膜を行う第1のスパッタ源を有する第1の成膜領域と、
前記第1の成膜領域の搬送方向下流側に設けられ、当該第1の成膜領域において前記基板の第1面上に形成されたアモルファス状態の第1のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理機構と、
前記真空槽内に設けられ、前記基板の第2面上に成膜を行う第2のスパッタ源を有する第2の成膜領域と、
前記第2の成膜領域の搬送方向下流側に設けられ、当該第2の成膜領域において前記基板の第2面上に形成されたアモルファス状態の第2のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理機構とを有する成膜装置。 - 前記第1の真空アニール処理機構と、前記第2の成膜領域との間に、当該第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第1面上の第1のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進用真空アニール処理機構が設けられている請求項1記載の成膜装置。
- 単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、
前記真空槽内に設けられ、基板の第1面上に成膜を行う第1のスパッタ源を有する第1の成膜領域と、
前記真空槽内に設けられ、前記基板の第2面上に成膜を行う第2のスパッタ源を有する第2の成膜領域と、
鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記第1及び第2の成膜領域を通過するように設けられた搬送経路と、
前記基板の第1及び第2面が露出する開口部を有し且つ当該基板を水平状態に保持する基板保持器を、前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、
前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように第1の搬送方向に搬送する第1の搬送部と、前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記第1の搬送方向と反対の第2の搬送方向に搬送する第2の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、
前記第1の搬送部の前記第1の成膜領域の搬送方向下流側に、前記基板の第1面上に形成されたアモルファス状態の第1のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理機構が設けられるとともに、
前記第2の搬送部の前記第2の成膜領域の搬送方向下流側に、前記基板の第2面上に形成されたアモルファス状態の第2のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理機構が設けられている成膜装置。 - 前記第2の搬送部の前記第2の成膜領域に対して前記第1の搬送方向側に、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第1面上の第1のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進用真空アニール処理機構が設けられている請求項3記載の成膜装置。
- 真空中で基板を移動させながら当該基板の両面上にスパッタリングによって成膜を行う成膜方法であって、
前記基板の第1面上にアモルファス状態の第1のスパッタ膜を形成する第1の成膜工程と、
前記基板の第1面上の前記第1のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程と、
前記基板の第2面上にアモルファス状態の第2のスパッタ膜を形成する第2の成膜工程と、
前記基板の第2面上の前記第2のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理工程とを有する成膜方法。 - 前記基板の第1面上の前記アモルファス状態の第1のスパッタ膜に対して真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程の後で且つ前記基板の第2面上にアモルファス状態の第2のスパッタ膜を形成する第2の成膜工程の前において、前記基板の第1面上の第1のスパッタ膜に対して更に真空アニール処理を行うアニール促進工程を有する請求項5記載の成膜方法。
- 前記基板が、n型結晶シリコン基板の第1面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記n型結晶シリコン基板の第2面上に、i型アモルファスシリコン層及びn型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板であり、
前記第1のスパッタ膜が第1の透明導電酸化物膜で、かつ、前記第2のスパッタ膜が第2の透明導電酸化物膜である請求項5又は6のいずれか1項記載の成膜方法。 - 請求項3記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、
前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第1面上にスパッタリングによって第1のスパッタ膜を形成する第1の成膜工程と、
前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、前記基板の第1面上の前記第1のスパッタ膜に対し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程と、
前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第2面上にスパッタリングによって第2のスパッタ膜を形成する第2の成膜工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記基板の第2面上の前記第2のスパッタ膜に対し、前記第2の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理工程とを有する成膜方法。 - 請求項4記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、
前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第1面上にスパッタリングによって第1のスパッタ膜を形成する第1の成膜工程と、
前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、前記基板の第1面上の前記第1のスパッタ膜に対し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程と、
前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第1面上の前記第1のスパッタ膜に対し、前記アニール促進用真空アニール処理機構によって更に真空アニール処理を行うアニール促進工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第2面上にスパッタリングによって第2のスパッタ膜を形成する第2の成膜工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記基板の第2面上の前記第2のスパッタ膜に対し、前記第2の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理工程とを有する成膜方法。 - 請求項3記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
前記基板として、n型結晶シリコン基板の第1面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記n型結晶シリコン基板の第2面上に、i型アモルファスシリコン層及びn型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、
前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第1面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第1の透明導電酸化物膜を形成する工程と、
前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、前記基板の第1面上の前記アモルファス状態の第1の透明導電酸化物膜に対し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程と、
前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第2面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第2の透明導電酸化物膜を形成する工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記基板の第2面上の前記アモルファス状態の第2の透明導電酸化物膜に対し、前記第2の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理工程とを有する太陽電池の製造方法。 - 請求項4記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
前記基板として、n型結晶シリコン基板の第1面上に、i型アモルファスシリコン層及びp型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記n型結晶シリコン基板の第2面上に、i型アモルファスシリコン層及びn型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、
前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記第1の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第1面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第1の透明導電酸化物膜を形成する工程と、
前記基板保持器搬送機構の第1の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第1の搬送方向に搬送し、前記基板の第1面上の前記アモルファス状態の第1の透明導電酸化物膜に対し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第1の真空アニール処理工程と、
前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第1の搬送部から前記第2の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記第1の真空アニール処理機構によって真空アニール処理された前記基板の第1面上の前記第1の透明導電酸化物膜に対し、前記アニール促進用真空アニール処理機構によって更に真空アニール処理を行うアニール促進工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記第2の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記基板の第2面上にスパッタリングによってアモルファス状態の第2の透明導電酸化物膜を形成する工程と、
前記基板保持器搬送機構の第2の搬送部によって前記基板保持器を前記搬送経路に沿って前記第2の搬送方向に搬送し、前記基板の第2面上の前記第2の透明導電酸化物膜に対し、前記第2の真空アニール処理機構によって真空アニール処理を行う第2の真空アニール処理工程とを有する太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018157943 | 2018-08-27 | ||
JP2018157943 | 2018-08-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020033641A true JP2020033641A (ja) | 2020-03-05 |
JP6697118B2 JP6697118B2 (ja) | 2020-05-20 |
Family
ID=69652038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019146379A Active JP6697118B2 (ja) | 2018-08-27 | 2019-08-08 | 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6697118B2 (ja) |
CN (1) | CN110863180A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2018084214A1 (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-11 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
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-
2019
- 2019-08-08 JP JP2019146379A patent/JP6697118B2/ja active Active
- 2019-08-27 CN CN201910795689.4A patent/CN110863180A/zh active Pending
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WO2018084214A1 (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-11 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
WO2018084286A1 (ja) * | 2016-11-04 | 2018-05-11 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110863180A (zh) | 2020-03-06 |
JP6697118B2 (ja) | 2020-05-20 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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