JP6279176B1 - 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、成膜対象基板の両面側に形成されるスパッタ膜同士の短絡を発生させることなく安価に成膜を行うことができる技術を提供する。本発明では、基板保持器搬送機構３において、第１の搬送部によって基板保持器１１を第１の成膜領域を通過するように搬送し、基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０の第１面上にスパッタによって成膜を行い、基板保持器１１を上下関係を維持した状態で第１の搬送部から第２の搬送部に向って折り返して搬送し、第２の搬送部によって基板保持器１１を第２の成膜領域を通過するように第１の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、成膜対象基板５０の第２面上にスパッタによる成膜を行う。基板保持器１１は、成膜対象基板５０の第１及び第２面が露出する開口部１４、１５を有するとともに、成膜対象基板５０の縁部に対する第２のスパッタ源からの成膜材料を遮蔽する遮蔽部１６が設けられている。

Description

本発明は、真空中で基板の両面上にスパッタリングによって成膜を行う成膜装置の技術に関し、特にヘテロ接合型太陽電池の基板の両面上に透明導電酸化物層を形成する技術に関する。

近年、クリーンで安全なエネルギー源として太陽電池が実用化されているが、その中でも、ヘテロ接合型の太陽電池に注目が集まっている。
図１９は、一般的なヘテロ接合型太陽電池セルの概略構成を示す断面図である。

図１９に示すように、このヘテロ接合型太陽電池セル１００は、ｎ型結晶シリコン基板１０１の一方側（太陽光側）の面上に、ｉ型アモルファスシリコン層１０２、ｐ型アモルファスシリコン層１０３、第１の透明導電酸化物層１０４、電極層１０５が順次形成され、さらに、ｎ型結晶シリコン基板１０１の他方側の面上に、ｉ型アモルファスシリコン層１０６、ｎ型アモルファスシリコン層１０７、第２の透明導電酸化物層１０８、電極層１０９が順次形成されて構成されている。

ヘテロ接合型太陽電池は、単結晶シリコン太陽電池と比較して変換効率が高く、また、アモルファスシリコン層を用いているため、シリコンの使用量を減らすことができる等の利点がある。
また、ヘテロ接合型太陽電池は、ｎ型結晶シリコン基板を挟んで両面側で発電が可能であるため、高い発電効率を達成することができるという利点もある。

しかし、ヘテロ接合型太陽電池は、単結晶シリコン太陽電池と比べて構成が複雑であることから、製造プロセスが多く、太陽電池自体並びに製造装置のコストが嵩むという問題がある。
また、ヘテロ接合型太陽電池は、ｎ型結晶シリコン基板の両面側に透明導電酸化物層が存在することに起因する問題もある。

すなわち、これら透明導電酸化物層は、変換効率を向上させるためには下地層となるアモルファスシリコン層上においてできるだけ広い面積で、つまり全面成膜によって形成することが好ましいのであるが、ｎ型結晶シリコン基板の両面側において透明導電酸化物層をそれぞれスパッタリングによって全面成膜すると、基板の側部に付着した材料によって透明導電酸化物層同士が短絡するおそれがあるという問題がある。

これに対し、ｎ型結晶シリコン基板の一方の面側（例えば太陽光側）の透明導電酸化物層を全面成膜し、ｎ型結晶シリコン基板の他方の面側においてはマスクを介してスパッタリングを行い基板の縁部を除く領域に成膜を行うことによってこの問題を回避することも可能であるが、その場合、成膜時にマスクを使用しなければならず、コストアップの原因になるという問題もある。

そして、上述した課題は、ヘテロ接合型太陽電池の成膜対象基板の両面に透明導電酸化物層を形成する場合のみならず、成膜対象基板の両面上に種々のスパッタ膜を形成する場合にも生ずるものである。

特開２００１−０４４４６１号公報

本発明は、このような従来の技術の課題を考慮してなされたもので、その目的とするところは、成膜対象基板の両面側に形成されるスパッタ膜同士の短絡を発生させることなく安価に成膜を行うことができる技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、成膜対象基板の両面側に形成される透明導電酸化物層同士の短絡を発生させることなく、安価に変換効率を向上させることができるヘテロ接合型太陽電池の製造技術を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明は、単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、前記真空槽内に設けられ、成膜対象基板の第１面上に成膜を行う第１のスパッタ源を有する第１の成膜領域と、前記真空槽内に設けられ、前記成膜対象基板の第２面上に成膜を行う第２のスパッタ源を有する第２の成膜領域と、鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記第１及び第２の成膜領域を通過するように設けられた搬送経路と、前記成膜対象基板を水平状態に保持する基板保持器を、前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように所定方向に搬送する第１の搬送部と、前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記第１の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送する第２の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、前記基板保持器は、前記成膜対象基板の第１及び第２面が露出する開口部を有するとともに、前記成膜対象基板の縁部に対する、前記第１及び第２のスパッタ源の少なくとも一方からの成膜材料を遮蔽する遮蔽部が設けられている成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記基板保持器は、当該搬送方向に対して直交する方向に複数の成膜対象基板を並べて保持するように構成されている成膜装置である。
本発明は前記いずれかに記載の成膜装置を用いた成膜方法であって、前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第１面上にスパッタリングによって成膜を行う工程と、前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第２面上に成膜を行う工程とを有する成膜方法である。
本発明は前記いずれかに記載の成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、前記成膜対象基板として、ｎ型結晶シリコン基板の第１面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｐ型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記ｎ型結晶シリコン基板の第２面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｎ型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第１面上にスパッタリングによって第１の透明導電酸化物層を形成する工程と、前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第２面上にスパッタリングによって第２の透明導電酸化物層を形成する工程とを有する太陽電池の製造方法である。

本発明では、基板保持器搬送機構において、第１の搬送部によって基板保持器を第１の成膜領域を通過するように搬送経路に沿って所定方向に搬送し、基板保持器に保持された成膜対象基板の第１面上にスパッタリングによって成膜を行い、搬送折り返し部によって基板保持器を上下関係を維持した状態で搬送経路に沿って第１の搬送部から第２の搬送部に向って折り返して搬送し、第２の搬送部によって基板保持器を第２の成膜領域を通過するように搬送経路に沿って第１の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、基板保持器に保持された成膜対象基板の第２面上にスパッタリングによって成膜を行う。

この場合、本発明に用いる基板保持器は、成膜対象基板の第１及び第２面が露出する開口部を有するとともに、成膜対象基板の縁部に対する、第１及び第２のスパッタ源の少なくとも一方からの成膜材料を遮蔽する遮蔽部が設けられており、第１及び第２の搬送部においてこの基板保持器に保持された成膜対象基板の第１及び第２面上にそれぞれスパッタリングによって成膜を行うと、成膜対象基板の縁部に対し第１及び第２のスパッタ源の少なくとも一方からの成膜材料が遮蔽される。

その結果、本発明によれば、成膜対象基板の第１及び第２面の一方側において当該基板上に例えば全面成膜を行う一方で、他方側の成膜対象基板上では、その縁部を除いた領域のみに成膜を行うことができるので、成膜対象基板の両面側に形成されるスパッタ膜同士の短絡を確実に防止することができる。

また、本発明においては、搬送経路が、鉛直面に対して投影した場合に一連の環状となるように形成されており、この搬送経路に沿って基板保持器を上下関係を維持した状態で搬送経路に沿って第１の搬送部から第２の搬送部に向って折り返して搬送し、第１及び第２の搬送部においてそれぞれ第１及び第２の成膜領域を通過させてスパッタリングを行うことから、マスクを用いることなくコンパクトな通過型の成膜装置によって成膜対象基板の両面上に所望のスパッタ膜を形成することができ、これにより、コストダウンを図ることができる。

そして、このような本発明によれば、成膜対象基板の両面側に形成される透明導電酸化物層同士の短絡を発生させることなく、例えば太陽光側における透明導電酸化物層の面積を最大限大きくすることができるので、ヘテロ接合型太陽電池の変換効率を向上させることができる。

また、本発明において、当該搬送方向に対して直交する方向に複数の成膜対象基板を並べて保持するように構成されている場合には、従来技術のような基板の搬送方向に複数の基板を並べて保持する基板保持器を搬送して成膜を行う場合と比較して、基板保持器の長さ及びこれに伴う余剰スペースを削減することができるので、成膜装置の省スペース化を達成することができる。

本発明に係る成膜装置の実施の形態の全体を示す概略構成図 本実施の形態における基板保持器搬送機構の概略構成を示す平面図 同基板保持器搬送機構の要部を示す正面図 （ａ）〜（ｃ）：本実施の形態に用いる基板保持器の構成を示すもので、図４（ａ）は、基板を保持していない状態の平面図、図４（ｂ）は、基板を保持している状態の平面図、図４（ｃ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図 （ａ）（ｂ）：本実施の形態の基板保持器搬送機構の搬送折り返し部の構成を示すもので、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線断面図 本実施の形態の成膜装置の動作並びに成膜方法の説明図（その１） 同成膜装置の動作並びに成膜方法の説明図（その２） 同成膜装置の動作並びに成膜方法の説明図（その３） （ａ）（ｂ）：本実施の形態の基板保持器搬送機構の動作説明図（その１） （ａ）〜（ｃ）：同基板保持器搬送機構の搬送折り返し部の動作説明図 （ａ）（ｂ）：同基板保持器搬送機構の動作説明図（その２） （ａ）（ｂ）：同基板保持器搬送機構の動作説明図（その３） 同成膜装置の動作の説明図（その４） 同成膜装置の動作の説明図（その５） 同成膜装置の動作の説明図（その６） （ａ）〜（ｃ）：本実施の形態における透明導電酸化物層の形成方法を示す断面工程図 基板に対して複数回の成膜を行う場合の動作説明図（その１） 基板に対して複数回の成膜を行う場合の動作説明図（その２） 一般的なヘテロ接合型太陽電池セルの概略構成を示す断面図

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明に係る成膜装置の実施の形態の全体を示す概略構成図である。
また、図２は、本実施の形態における基板保持器搬送機構の概略構成を示す平面図、図３は、同基板保持器搬送機構の要部を示す正面図である。

さらに、図４（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態に用いる基板保持器の構成を示すもので、図４（ａ）は、基板を保持していない状態の平面図、図４（ｂ）は、基板を保持している状態の平面図、図４（ｃ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図ある。
さらにまた、図５（ａ）（ｂ）は、本実施の形態の基板保持器搬送機構の搬送折り返し部の構成を示すもので、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。

図１に示すように、本実施の形態の成膜装置１は、真空排気装置１ａに接続された単一の真空雰囲気が形成される真空槽２を有している。
真空槽２の内部には、後述する基板保持器１１を搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構３が設けられている。

この基板保持器搬送機構３は、成膜対象基板５０を保持する基板保持器１１を、複数個連続して搬送するように構成されている。
ここで、基板保持器搬送機構３は、その詳細な構成は後述するが、例えばスプロケット等からなる同一径の円形の第１及び第２の駆動輪３１、３２を有し、これら第１及び第２の駆動輪３１、３２が、それぞれの回転軸線を平行（水平）にした状態で所定距離をおいて配置されている。

そして、これら第１及び第２の駆動輪３１、３２に例えばチェーン等からなる一連の搬送駆動部材３３が架け渡され、これにより以下に説明するように鉛直面に対して一連の環状となる搬送経路が形成されている。

本実施の形態では、第１及び第２の駆動輪３１、３２に、図示しない駆動機構から回転駆動力が伝達されて動作するように構成されている。
そして、搬送経路を構成する搬送駆動部材３３のうち上側の部分に、第１の駆動輪３１から第２の駆動輪３２に向って移動して基板保持器１１を搬送する往路側搬送部（第１の搬送部）３３ａが形成されるとともに、第２の駆動輪３２の周囲の部分の搬送駆動部材３３によって基板保持器１１の搬送方向を折り返して反対方向に転換する折り返し部３３ｂが形成され、さらに、搬送駆動部材３３のうち下側の部分に、第２の駆動輪３２から第１の駆動輪３１に向って移動する復路側搬送部（第２の搬送部）３３ｃが形成されている。

また、基板保持器搬送機構３には、基板保持器１１を導入する基板保持器導入部３０Ａと、基板保持器１１を折り返して搬送する搬送折り返し部３０Ｂと、基板保持器１１を排出する基板保持器排出部３０Ｃが設けられている。

一方、基板保持器搬送機構３の搬送駆動部材３３の周囲には、搬送する基板保持器１１の脱落を防止するためのガイド部材３８が設けられている。
このガイド部材３８は、一連のレール状に形成され、図３に示すように、第１の駆動輪３１の上部の基板保持器導入部３０Ａから搬送折り返し部３０Ｂを経て第１の駆動輪３１の下部の基板保持器排出部３０Ｃに渡って、搬送駆動部材３３と平行に設けられている。
なお、ガイド部材３８は、第１の駆動輪３１に対し、後述する基板搬入搬出機構６側の領域には設けられていない。

真空槽２内には、第１及び第２の成膜領域４、５が設けられている。
本実施の形態では、基板保持器搬送機構３を挟んで真空槽２内の上部に第１のスパッタ源４Ｔを有する第１の成膜領域４が設けられ、真空槽２の下部に第２のスパッタ源５Ｔを有する第２の成膜領域５が設けられている。
これら第１及び第２の成膜領域４、５には、所定のスパッタガスを導入するガス導入機構（図示せず）がそれぞれ設けられている。

ここで、搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａは、第１の成膜領域４を直線的に通過するように構成され、復路側搬送部３３ｃは、第２の成膜領域５を直線的に通過するように構成されている。

そして、搬送経路を構成するこれら搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａ及び復路側搬送部３３ｃを基板保持器１１が通過する場合に、基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０の平面的な成膜面が水平状態で搬送されるようになっている。

真空槽２内の基板保持器搬送機構３の近傍の位置、例えば第１の駆動輪３１に隣接する位置には、基板保持器搬送機構３との間で基板保持器１１を受け渡し且つ受け取るための基板搬入搬出機構６が設けられている。
本実施の形態の基板搬入搬出機構６は、昇降機構６０によって例えば鉛直上下方向に駆動される駆動ロッド６１の先（上）端部に設けられた支持部６２を有している。

本実施の形態では、基板搬入搬出機構６の支持部６２上に搬送ロボット６４が設けられ、この搬送ロボット６４上に上述した基板保持器１１を支持して基板保持器１１を鉛直上下方向に移動させ、かつ、搬送ロボット６４によって基板保持器搬送機構３との間で基板保持器１１を受け渡し且つ受け取るように構成されている。

本実施の形態では、後述するように、基板搬入搬出機構６から基板保持器搬送機構３の往路側搬送部３３ａの基板保持器導入部３０Ａに基板保持器１１を受け渡し（この位置を「基板保持器受け渡し位置」という。）、かつ、基板保持器搬送機構３の復路側搬送部３３ｃの基板保持器排出部３０Ｃから基板保持器１１を取り出す（この位置を「基板保持器取り出し位置」という。）ように構成されている。

真空槽２の例えば上部には、真空槽２内に成膜対象基板５０を搬入し且つ真空槽２から成膜対象基板５０を搬出するための基板搬入搬出室２Ａが設けられている。
この基板搬入搬出室２Ａは、例えば上述した基板搬入搬出機構６の支持部６２の上方の位置に連通口２Ｂを介して設けられており、例えば基板搬入搬出室２Ａの上部には、開閉可能な蓋部２ａが設けられている。

そして、後述するように、基板搬入搬出室２Ａ内に搬入された成膜対象基板５０を基板搬入搬出機構６の支持部６２の搬送ロボット６４上の基板保持器１１に受け渡して保持させ、かつ、成膜後の成膜対象基板５０を基板搬入搬出機構６の支持部６２の搬送ロボット６４上の基板保持器１１から例えば真空槽２の外部の大気中に搬出するように構成されている。

なお、本実施の形態の場合、基板搬入搬出機構６の支持部６２の上部の縁部に、成膜対象基板５０を搬入及び搬出する際に基板搬入搬出室２Ａと真空槽２内の雰囲気を隔離するための例えばＯリング等のシール部材６３が設けられている。

この場合、基板搬入搬出機構６の支持部６２を基板搬入搬出室２Ａ側に向って上昇させ、支持部６２上のシール部材６３を真空槽２の内壁に密着させて連通口２Ｂを塞ぐことにより、真空槽２内の雰囲気に対して基板搬入搬出室２Ａ内の雰囲気を隔離するように構成されている。

一方、第１の成膜領域４の近傍には、基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０を加熱及び冷却するための、それぞれ加熱機能及び冷却機能を有する一対の加熱冷却機構７ａ、７ｂが設けられている。

本実施の形態では、加熱冷却機構７ａ、７ｂは第１の駆動輪３１と第１の成膜領域４との間で搬送経路を上下から挟むように配置され、第１の成膜領域４による成膜対象基板５０に対して成膜面及び反対側の非成膜面の両面を加熱又は冷却できるようになっている。

図２に示すように、本実施の形態の基板保持器搬送機構３は、水平面と平行に設けられた平板状の基部フレーム２５上に、所定間隔をおいて鉛直方向で平行に設けられた一対の平板状の側部フレーム２６を有するフレーム構造体８を備え、このフレーム構造体８に、後述する各部材が例えば搬送方向に対して対称となるように組み付けられ、一体的なユニットとして、基板保持器搬送機構３が構成されている。

この基板保持器搬送機構３は、フレーム構造体８に設けられた取付部１７によって上述した真空槽２内に着脱自在に取り付けられるようになっている。
基板保持器搬送機構３には、上述した第１及び第２の駆動輪３１、３２が一対の側部フレーム２６にそれぞれ設けられている。

ここで、第１の駆動輪３１は、搬送方向に対して直交する方向の回転軸線を中心として回転する駆動軸３１ａを有し、この駆動軸３１ａを中心として回転するようになっている。
一方、第２の駆動輪３２は、搬送方向に対して直交する同一の回転軸線を中心として回転駆動される駆動軸３５をそれぞれ有し、各駆動軸３５は連結部材３４を介して第２の駆動輪３２にそれぞれ連結されている（図２、図５（ａ）（ｂ）参照）。

そして、一対の側部フレーム２６にそれぞれ設けられた第１及び第２の駆動輪３１、３２にそれぞれ上述した搬送駆動部材３３が架け渡され、これにより基板保持器１１を搬送する搬送経路が形成されている。

このように、本実施の形態の基板保持器搬送機構３は、各搬送駆動部材３３の上側に位置する往路側搬送部（第１の搬送部）３３ａと、各搬送駆動部材３３の下側に位置する復路側搬送部（第２の搬送部）３３ｃとがそれぞれ対向し、鉛直方向に関して重なるように構成されている（図１、図２参照）。

図３に示すように、一対の搬送駆動部材３３には、それぞれ所定の間隔をおいて複数の保持駆動部３６が設けられている。
これら保持駆動部３６は、基板保持器１１を保持して搬送駆動するためのもので、搬送駆動部材３３の外方側に突出するように搬送駆動部材３３に取り付けられ、その先端部には、例えば搬送方向下流側に向けて形成された例えばＪフック形状（搬送方向下流側の突部の高さが搬送方向上流側の突部の高さより低い形状）の保持凹部３７が設けられている。

また、図２に示すように、一対の搬送駆動部材３３の内側の位置で、第１及び第２の駆動輪３１、３２の間には、搬送する基板保持器１１を支持する一対の基板保持器支持機構１８が設けられている。
基板保持器支持機構１８は、例えば複数のローラ等の回転可能な部材からなるもので、それぞれ搬送駆動部材３３の近傍に設けられている。

本実施の形態では、図２及び図３に示すように、搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａの近傍に往路側基板保持器支持機構１８ａが設けられるとともに、搬送駆動部材３３の復路側搬送部３３ｃの近傍に復路側基板保持器支持機構１８ｂが設けられ、搬送される基板保持器１１の下面の両縁部を支持するように配置構成されている。

ここで、往路側基板保持器支持機構１８ａは、基板保持器導入部３０Ａ内に設けた端部を始端部として第１の成膜領域４（図１参照）を経由して搬送折り返し部３０Ｂの直近の位置が終端部となるように直線状に設けられている。

一方、復路側基板保持器支持機構１８ｂは、搬送折り返し部３０Ｂの第２の駆動輪３２側の位置を始端部として第２の成膜領域５（図１参照）を経由して基板保持器排出部３０Ｃの位置が終端部となるように直線状に設けられている。

本実施の形態に用いる基板保持器１１は、成膜対象基板５０の両面上に成膜を行うもので、貫通した開口部を有するトレイ状のものからなる。
図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、この基板保持器１１は、例えば長尺枠状の本体部１１Ａに、その長手方向即ち搬送方向に対して直交する方向に例えば矩形状の複数の成膜対象基板５０を一列に並べてそれぞれ保持する複数の保持部１３が設けられている。

ここで、各保持部１３には、本体部１１Ａの搬送時の表面（第１面）側に、各成膜対象基板５０と同等の大きさ及び形状で各成膜対象基板５０の表側面が全面的に露出する例えば矩形状の開口部１４が設けられるとともに、本体部１１Ａの搬送時の裏面（第２面）側には、上記各開口部１４とそれぞれ連通し成膜対象基板５０の大きさより小さい例えば矩形状の開口部１５が設けられている。

そして、各保持部１３における本体部１１Ａの中腹部分には、各成膜対象基板５０を載置可能な矩形枠状の凹部からなる遮蔽部１６がそれぞれ設けられている。
これら各遮蔽部１６は、凹部の底面が例えば本体部１１Ａの表面及び裏面と平行な平面状に形成され、成膜の際に各成膜対象基板５０を水平に載置して保持するように構成されている。

このような構成を有する本実施の形態の基板保持器１１では、複数の保持部１３に保持された複数の成膜対象基板５０の両面上にそれぞれ成膜を行う場合に、各成膜対象基板５０の表側面（第１面）が全面的に露出し、各成膜対象基板５０の裏側面（第２面）については、その縁部が本体部１１Ａの遮蔽部１６の肉厚部分によって覆われた状態になり、これにより第２のスパッタ源５Ｔから飛翔する成膜材料であるスパッタ粒子が遮蔽される。

一方、基板保持器１１の本体部１１Ａの長手方向の両端部で且つ幅方向即ち搬送方向の一方側の端部には、支持軸１２がそれぞれ設けられている。
これらの支持軸１２は、本体部１１Ａの長手方向に延びる回転軸線を中心として断面円形状に形成され、それぞれの基部１２ａが両側に向って細くなるような円錐台形状に形成され、それぞれの先端部１２ｂが基部１２ａより小径の円柱形状に形成されている。

そして、基板保持器１１の支持軸１２の各先端部１２ｂが、上述した搬送駆動部材３３の保持駆動部３６の保持凹部３７にそれぞれ嵌り、この支持軸１２を中心として回転可能に保持されるように各部分の寸法が定められている。

このような構成により、基板保持器１１の支持軸１２の各先端部１２ｂが搬送駆動部材３３の保持駆動部３６の保持凹部３７にそれぞれ嵌って保持されて搬送される場合に、保持駆動部３６の保持凹部３７と上述した先細形状の支持軸１２との当接によって基板保持器１１の支持軸１２方向の位置決めがなされるようになっている。

また、本実施の形態では、基板保持器１１の支持軸１２の各先端部１２ｂが搬送駆動部材３３の保持駆動部３６の保持凹部３７にそれぞれ嵌って支持された状態において、基板保持器１１の支持軸１２の先端部１２ｂとガイド部材３８との間に若干の隙間が形成されるように各部材の寸法が定められている。

このような構成により、基板保持器１１の支持軸１２の各先端部１２ｂが搬送駆動部材３３の保持駆動部３６の保持凹部３７にそれぞれ嵌って支持されて搬送される場合に、ガイド部材３８と基板保持器１１の支持軸１２の先端部１２ｂとの当接によって基板保持器１１の搬送経路からの脱落が防止されるようになっている。

本実施の形態の基板保持器搬送機構３の搬送折り返し部３０Ｂは、以下に説明するように構成されている。
まず、図３及び図５（ａ）（ｂ）に示すように、基板保持器搬送機構３における第２の駆動輪３２に対して第１の駆動輪３１側の隣接する位置には、成膜対象基板５０を折り返して搬送する際に基板保持器１１を支持してその姿勢を制御する姿勢制御機構２０が設けられている。

この姿勢制御機構２０は、搬送方向に対して直交する方向に延びる駆動軸２１を有し、この駆動軸２１は、一対の側部フレーム２６を貫通して回転自在に支持されている。
そして、この駆動軸２１に、一対の基板保持器支持機構１８の間隔より小さい間隔をおいて、一対の支持アーム２２が取り付けられている（図５（ａ）参照）。
これらの支持アーム２２は、直線棒状の部材からなり、その両端部にそれぞれ支持ローラ２３が設けられている。

一方、支持アーム２２の駆動軸２１は、第２の駆動輪３２の駆動軸３５と例えばベルト状の動力伝達部材２４によって連結され、これにより、第２の駆動輪３２と支持アーム２２とが、後述するように、所定の関係で同期して同方向に回転するように構成されている。

以下、本実施の形態の成膜装置１の動作、並びに、この成膜装置１を用いた成膜方法を、図６〜図１６を参照して説明する。また、本明細書では、ヘテロ接合型太陽電池の透明導電酸化物層を形成する場合を例にとって説明する。

ここでは、理解を容易にするため、一つの基板保持器１１に一つの成膜対象基板５０を保持して成膜を行う場合を例にとって説明する。
また、基板保持器１１の支持軸１２が設けられた側を前方にして基板保持器１１を基板保持器導入部３０Ａに対して導入するものとする（図９（ａ）参照）。

本実施の形態では、まず、図６に示すように、基板搬入搬出機構６の支持部６２上のシール部材６３を真空槽２の内壁に密着させて真空槽２内の雰囲気に対して基板搬入搬出室２Ａ内の雰囲気を隔離した状態で、基板搬入搬出室２Ａの蓋部２ａを開け、図示しない搬送ロボットを用いて成膜対象基板５０を基板搬入搬出機構６の支持部６２の搬送ロボット６４上の基板保持器１１に装着して保持させる。

ここで、成膜対象基板５０は、図１６（ａ）に示すように、ｎ型結晶シリコン基板５１の第１面（図中上側面）上に、ｉ型アモルファスシリコン層５２及びｐ型アモルファスシリコン層５３が順次設けられるとともに、このｎ型結晶シリコン基板５１の第２面（図中下側面）上に、ｉ型アモルファスシリコン層５６及びｎ型アモルファスシリコン層５７が順次設けられているものである。

そして、図７に示すように、基板搬入搬出室２Ａの蓋部２ａを閉じた後、基板搬入搬出機構６の支持部６２を基板保持器受け渡し位置まで下降させ、基板保持器１１の高さが搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａと同等の高さ位置となるようにする。

さらに、図８に示すように、基板搬入搬出機構６の支持部６２に設けた搬送ロボット６４によって基板保持器１１を基板保持器搬送機構３の基板保持器導入部３０Ａに配置する。
これにより、図９（ａ）に示すように、基板保持器１１の下面１１ｂが往路側基板保持器支持機構１８ａによって支持される。

次に、基板保持器搬送機構３の第１及び第２の駆動輪３１、３２を動作させ、搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａを第１の駆動輪３１から第２の駆動輪３２に向って移動させるとともに、搬送駆動部材３３の復路側搬送部３３ｃを第２の駆動輪３２から第１の駆動輪３１に向って移動させる。

これにより、図９（ｂ）に示すように、搬送駆動部材３３上に設けられた保持駆動部３６の保持凹部３７が基板保持器１１の一対の支持軸１２と嵌り合って当該支持軸１２が保持駆動部３６に保持され、基板保持器１１が搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａ上を第２の駆動輪３２近傍の搬送折り返し部３０Ｂに向って搬送される。

そして、基板保持器１１及び成膜対象基板５０を、図８に示す加熱冷却機構７ａ、７ｂによって加熱した後に、第１の成膜領域４の位置を通過する際に、基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０の第１面である表面上に、基板保持器１１の上方に位置する第１のスパッタ源４Ｔによってスパッタリングによる成膜を行う（図１参照）。

具体的には、図１６（ａ）に示す成膜対象基板５０のｐ型アモルファスシリコン層５３の表面に、スパッタリングによって第１の透明導電酸化物層５４を形成する（図１６（ｂ）参照）。

上述したように、本実施の形態では、基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０の表面（第１面）が全面的に露出しているため、第１のスパッタ源４Ｔから飛翔するスパッタ粒子によって、図１６（ｂ）に示すように、成膜対象基板５０のｐ型アモルファスシリコン層５３の表面に第１の透明導電酸化物層５４が全面的に形成される。

図１０（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態の基板保持器搬送機構の搬送折り返し部の動作を示す説明図である。
本実施の形態では、上述したように、搬送駆動部材３３の保持駆動部３６によって基板保持器１１の支持軸１２が保持されるとともに、基板保持器１１の下面１１ｂが往路側基板保持器支持機構１８ａによって支持された状態で搬送折り返し部３０Ｂに向って搬送される（図９（ａ）（ｂ）参照）。

そして、図１０（ａ）に示すように、基板保持器１１の支持軸１２が搬送折り返し部３０Ｂの第２の駆動輪３２の上部に到達した時点で基板保持器１１の後端部が、往路側基板保持器支持機構１８ａの終端部１８ｃから外れるように、基板保持器１１の寸法及び支持軸１２の配置位置と、往路側基板保持器支持機構１８ａの寸法がそれぞれ設定されている。

ここで、基板保持器１１は、上述したように一対の支持軸１２の先端部１２ｂが搬送駆動部材３３の保持駆動部３６の保持凹部３７に保持された状態において、支持軸１２を中心として回転可能になっていることから、本実施の形態では、基板保持器１１が往路側基板保持器支持機構１８ａの終端部１８ｃから外れた時点において、姿勢制御機構２０の一対の支持アーム２２の一方の端部に設けた支持ローラ２３によって基板保持器１１の支持軸１２に対し後端部側の下面１１ｂを支持して水平状態を保つように構成されている。
この姿勢制御機構２０の一対の支持アーム２２は、上述したように、第２の駆動輪３２と同期して第２の駆動輪３２と同一方向に回転するように構成されている。

図１０（ｂ）に示すように、本実施の形態においては、搬送駆動部材３３の移動に伴い、保持駆動部３６が、往路側搬送部３３ａから折り返し部３３ｂを経由して復路側搬送部３３ｃに向って移動する。

この移動の際、基板保持器１１の支持軸１２は第２の駆動輪３２の周囲を円弧状に移動して下降するが、本実施の形態では、その際、姿勢制御機構２０の一対の支持アーム２２の一方の端部の支持ローラ２３によって基板保持器１１の後端部側の下面１１ｂを支持し、基板保持器１１の姿勢がほぼ水平状態に保たれるように、姿勢制御機構２０の支持アーム２２の寸法及び回転角度を設定している。

また、この移動の際には、保持駆動部３６の保持凹部３７に支持された基板保持器１１の支持軸１２が、保持駆動部３６の保持凹部３７より下方に位置するようになるため、重力の作用によって保持駆動部３６の保持凹部３７から離脱する方向の力が基板保持器１１の支持軸１２に働くが、本実施の形態においては、基板保持器１１の支持軸１２の各先端部１２ｂが搬送駆動部材３３の保持駆動部３６の保持凹部３７にそれぞれ嵌って保持された状態において、基板保持器１１の支持軸１２の先端部１２ｂとガイド部材３８との間に若干の隙間が形成されるように構成されていることから、基板保持器１１の支持軸１２の先端部１２ｂは、保持駆動部３６の保持凹部３７に対して若干隙間が生じた状態でガイド部材３８の内側の部分に接触して支持される。
その結果、本実施の形態では、搬送折り返し部３０Ｂを通過する際に、基板保持器１１が搬送駆動部材３３の保持駆動部３６から脱落することはない。

さらに、図１０（ｃ）に示すように、基板保持器１１の支持軸１２が搬送折り返し部３０Ｂの第２の駆動輪３２の下部に到達すると、基板保持器１１の支持軸１２が設けられた側と反対側の端部が搬送方向側の先端部となるが、本実施の形態では、この時点において、基板保持器１１の当該先端部の下面１１ｂが円滑に復路側基板保持器支持機構１８ｂに支持されるとともに、支持アーム２２の支持ローラ２３が基板保持器１１の下面１１ｂから離れるように、姿勢制御機構２０の支持アーム２２の寸法及び回転角度を設定している。

また、この時点では、この支持アーム２２の他方側の端部の支持ローラ２３ａが、後続の基板保持器１１の下面１１ｂを支持するように姿勢制御機構２０の支持アーム２２の寸法及び回転角度を設定している。

その後、基板保持器搬送機構３の第１及び第２の駆動輪３１、３２の動作を継続することにより、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、復路側基板保持器支持機構１８ｂに支持された基板保持器１１を、搬送駆動部材３３の復路側搬送部３３ｃの保持駆動部３６の動作によって搬送折り返し部３０Ｂから基板保持器排出部３０Ｃに向って移動させる。

この動作の際、基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０に対し、第２の成膜領域５の位置を通過する際に、基板保持器１１の下方に位置する第２のスパッタ源５Ｔによってスパッタリングによる成膜を行う（図１参照）。

この場合、本実施の形態の基板保持器搬送機構３では、上述したように、搬送折り返し部３０Ｂを経由して搬送される際に基板保持器１１の上下関係は変わらないため、基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０の第１面と反対側の第２面即ち裏面上に成膜を行うことになる。
具体的には、図１６（ｂ）に示す成膜対象基板５０のｐ型アモルファスシリコン層５７の表面に、スパッタリングによって以下に説明する透明導電酸化物層５８を形成する。

上述したように、本実施の形態では、基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０の裏面（第２面）側は、その縁部が上述した遮蔽部１６によって覆われているため、図１６（ｃ）に示すように、下地層であるｐ型アモルファスシリコン層５７の表面の縁部を除いた領域のみに透明導電酸化物層５８が形成され、これにより目的とする成膜済の成膜対象基板５９を得る。

その後、基板保持器１１が基板保持器排出部３０Ｃに到達した後、基板保持器１１が基板保持器排出部３０Ｃのガイド部材３８の終端部に到達すると、図１２（ａ）に示すように、基板保持器１１の搬送方向下流（前方）側の部分が復路側基板保持器支持機構１８ｂ及びガイド部材３８の終端部から突出した状態になることから、基板搬入搬出機構６の支持部６２を基板保持器取り出し位置に配置し（図１３参照）、上述した基板搬入搬出機構６の搬送ロボット６４を構成する載置部６５によって基板保持器１１の下面１１ｂを支持する。

さらに、搬送駆動部材３３の動作を継続すると、第１の駆動輪３１の周囲の搬送駆動部材３３と共に移動する保持駆動部３６が円弧状の搬送駆動部材３３と共に基板保持器１１の支持軸１２から離間して上方に移動することから、図１２（ｂ）に示すように、搬送駆動部材３３の保持駆動部３６と基板保持器１１の支持軸１２との嵌合が外れ、基板保持器１１はその位置で停止する。

そこで、基板搬入搬出機構６の搬送ロボット６４を用い、図１３に示すように、基板保持器１１を基板保持器排出部３０Ｃから基板搬入搬出機構６側に取り出して搬送ロボット６４と共に支持部６２上に配置する。

その後、図１４に示すように、基板搬入搬出機構６の支持部６２を上昇させ、支持部６２上のシール部材６３を真空槽２の内壁に密着させて真空槽２内の雰囲気に対して基板搬入搬出室２Ａ内の雰囲気を隔離する。

そして、図１５に示すように、基板搬入搬出室２Ａの蓋部２ａを開け、図示しない搬送ロボットを用い、成膜済の成膜対象基板５９を基板保持器１１から大気中に取り出す。
これにより、本実施の形態における成膜工程が終了する。

なお、本実施の形態による成膜済の成膜対象基板５９の第１及び第２の透明導電酸化物層５４、５８上に電極層を設ける場合には、公知の方法を用いればよい。

以上述べたように、本実施の形態では、基板保持器搬送機構３において、往路側搬送部３３ａによって基板保持器１１を第１の成膜領域４を通過するように搬送経路に沿って所定方向に搬送し、基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０の第１面上にスパッタリングによって成膜を行い、搬送折り返し部３０Ｂによって基板保持器１１を上下関係を維持した状態で搬送経路に沿って往路側搬送部３３ａから復路側搬送部３３ｃに向って折り返して搬送し、復路側搬送部３３ｃによって基板保持器１１を第２の成膜領域５を通過するように搬送経路に沿って往路側搬送部３３ａの搬送方向と反対方向に搬送し、基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０の第２面上にスパッタリングによって成膜を行う。

この場合、本実施の形態に用いる基板保持器１１は、成膜対象基板５０の第１及び第２面が露出する開口部１４、１５を有するとともに、成膜対象基板５０の縁部に対する、第２のスパッタ源５Ｔからの成膜材料を遮蔽する遮蔽部１６が設けられており、往路側搬送部３３ａ及び復路側搬送部３３ｃにおいてこの基板保持器１１に保持された成膜対象基板５０の第１及び第２面上にそれぞれスパッタリングによって成膜を行うと、成膜対象基板５０の縁部に対し第２のスパッタ源５Ｔからの成膜材料が遮蔽される。

その結果、本実施の形態によれば、成膜対象基板５０の第１面側においてｐ型アモルファスシリコン層５３の表面に第１の透明導電酸化物層５４の全面的に形成する一方で、成膜対象基板５０の第２面側のｐ型アモルファスシリコン層５７の表面の縁部を除いた領域のみに第２の透明導電酸化物層５８を形成することができるので、成膜対象基板５０の両面側に形成される第１の透明導電酸化物層５４と第２の透明導電酸化物層５８同士の短絡を確実に防止することができる。

また、本実施の形態においては、搬送経路が、鉛直面に対して投影した場合に一連の環状となるように形成されており、この搬送経路に沿って基板保持器１１を上下関係を維持した状態で往路側搬送部３３ａから復路側搬送部３３ｃに向って折り返して搬送し、往路側搬送部３３ａ及び復路側搬送部３３ｃにおいてそれぞれ第１及び第２の成膜領域４、５を通過させてスパッタリングを行うことから、マスクを用いることなくコンパクトな通過型の成膜装置１によって成膜対象基板５０の両面上に第１及び第２の透明導電酸化物層５４、５８を形成することができ、これによりコストダウンを図ることができる。

そして、このような本実施の形態によれば、成膜対象基板５０の両面側に形成される第１及び第２の透明導電酸化物層５４、５８同士の短絡を発生させることなく、例えば太陽光側における透明導電酸化物層５４の面積を最大限大きくすることができるので、ヘテロ接合型太陽電池の変換効率を向上させることができる。

また、本実施の形態においては、搬送方向に対して直交する方向に複数の成膜対象基板５０を並べて保持する複数の基板保持器１１を、搬送経路に沿って搬送するように構成されていることから、従来技術のような基板の搬送方向に複数の基板を並べて保持する基板保持器を搬送して成膜を行う場合と比較して、基板保持器の長さ及びこれに伴う余剰スペースを削減することができるので、省スペース化を達成することができる。

さらにまた、本実施の形態においては、基板保持器搬送機構３が、真空槽２に対して着脱自在のフレーム構造体８に一体的に組み付けられていることから、製造工程及びメンテナンスを容易に行うことができる。

なお、本発明は上述した実施の形態に限られず、種々の変更を行うことができる。
例えば上記実施の形態では、基板保持器１１として、長尺枠状の本体部１１Ａの長手方向に複数の成膜対象基板５０を一列に並べて保持するものを例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、例えば本体部１１Ａの長手方向に複数の成膜対象基板５０を複数列（二〜三列）に並べて保持するように構成することもできる。

また、上記実施の形態では、基板保持器１１に設けた遮蔽部１６として、矩形枠状のものを採用したが、本発明はこれに限られず、成膜対象基板の縁部を覆うことができれば、種々の形状のものを採用することができる。また、成膜対象基板の縁部全てではなく、例えば短絡が生じやすい成膜対象基板の領域の縁部を部分的に遮蔽するように構成することもできる。

さらに、上記実施の形態では、各保持部１３は、本体部１１Ａの搬送時の表面（第１面）側に各成膜対象基板５０と同等の大きさ及び形状で各成膜対象基板５０の表側面が全面的に露出する開口部１４を設けるとともに、本体部１１Ａの搬送時の裏面（第２面）側に、上記各開口部１４と連通し成膜対象基板５０の大きさより小さい開口部１５を設けるようにしたが、本発明はこれに限られず、成膜対象基板５０を確実に保持することができる限り、これら開口部１４と開口部１５の上下関係を逆にすることもできる。

さらにまた、本発明は、基板保持器において成膜対象基板を円滑に着脱し確実に保持できる限り、成膜対象基板の第１及び第２面の両方の縁部に対する、第１及び第２のスパッタ源からの成膜材料を遮蔽する遮蔽部を設けることもできる。

さらにまた、上記実施の形態では、ヘテロ接合型太陽電池の成膜対象基板の両面に透明導電酸化物層を形成する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、成膜対象基板の両面上に種々のスパッタ膜を形成する場合に適用することができる。
ただし、本発明は、ヘテロ接合型太陽電池の成膜対象基板の両面に透明導電酸化物層を形成する場合に特に有効となるものである。

一方、上記実施の形態においては、基板保持器搬送機構３を構成する搬送駆動部材３３のうち上側の部分を第１の搬送部である往路側搬送部３３ａとするとともに、搬送駆動部材３３のうち下側の部分を第２の搬送部である復路側搬送部３３ｃとするようにしたが、本発明はこれに限られず、これらの上下関係を逆にすることもできる。
また、上記実施の形態では、基板保持器搬送機構３について、一対のスプロケットと、これら一対のスプロケットに架け渡されたチェーンから構成するようにしたが、例えばベルトやレールを用いた環状形状の搬送駆動機構を用いることもできる。
さらに、基板保持器支持機構１８については、ローラではなくベルトやレールを用いて構成することもできる。

また、上記実施の形態では、成膜対象基板５０に対し、第１及び第２の成膜領域４、５において１回の成膜を行う場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、第１及び第２の成膜領域４、５を複数回通過して複数回の成膜を行うように構成することもできる。

この場合は、例えば図１７に示すように、基板搬入搬出機構６の支持部６２を基板保持器取り出し位置に配置して搬送ロボット６４を用い、１回目の成膜が終了した成膜対象基板５９を保持した基板保持器１１を、基板保持器排出部３０Ｃから基板搬入搬出機構６側に取り出して搬送ロボット６４と共に支持部６２上に配置する。

そして、図１８に示すように、基板搬入搬出機構６の支持部６２を基板保持器受け渡し位置まで上昇させ、基板保持器１１の高さが搬送駆動部材３３の往路側搬送部３３ａと同等の高さ位置となるように配置し、基板搬入搬出機構６の支持部６２上の搬送ロボット６４によって基板保持器１１を基板保持器搬送機構３の基板保持器導入部３０Ａに配置する。

その後、上述した工程を経ることにより、当該成膜対象基板５９に対する２回目の成膜を行う。
さらに、上述した動作及び工程を繰り返すことにより、当該成膜対象基板５９に対して３回以上の成膜を行うことも可能である。
さらに、本発明は、上記実施の形態のように、成膜前の処理対象基板５０を真空槽２内に搬入し、成膜済の成膜対象基板５９を真空槽２から搬出する場合のみならず、成膜前の処理対象基板５０を基板保持基１１と共に真空槽２内に搬入し、成膜済の成膜対象基板５９を基板保持器１１と共に真空槽２から搬出する場合にも適用することができる。

１…成膜装置
２…真空槽
３…基板保持器搬送機構
４…第１の成膜領域
４Ｔ…第１のスパッタ源
５…第２の成膜領域
５Ｔ…第２のスパッタ源
６…基板搬入搬出機構
１１…基板保持器
１３…保持部
１４…開口部
１５…開口部
１６…遮蔽部
３０Ａ…基板保持器導入部
３０Ｂ…搬送折り返し部
３０Ｃ…基板保持器排出部
３３…搬送駆動部材
３３ａ…往路側搬送部（第１の搬送部）
３３ｂ…折り返し部
３３ｃ…復路側搬送部（第２の搬送部）
５０…成膜対象基板
５１…ｎ型結晶シリコン基板
５２…ｉ型アモルファスシリコン層
５３…ｐ型アモルファスシリコン層
５４…第１の透明導電酸化物層
５６…ｉ型アモルファスシリコン層
５７…ｎ型アモルファスシリコン層
５８…第２の透明導電酸化物層
５９…成膜済の成膜対象基板

Claims (4)

1. 単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、
   前記真空槽内に設けられ、成膜対象基板の第１面上に成膜を行う第１のスパッタ源を有する第１の成膜領域と、
   前記真空槽内に設けられ、前記成膜対象基板の第２面上に成膜を行う第２のスパッタ源を有する第２の成膜領域と、
   鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記第１及び第２の成膜領域を通過するように設けられた搬送経路と、
   前記成膜対象基板を水平状態に保持する基板保持器を、前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、
   前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように所定方向に搬送する第１の搬送部と、前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記第１の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送する第２の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、
   前記基板保持器は、前記成膜対象基板の第１及び第２面が露出する開口部を有するとともに、前記成膜対象基板の縁部に対する、前記第１及び第２のスパッタ源の少なくとも一方からの成膜材料を遮蔽する遮蔽部が設けられている成膜装置。
2. 前記基板保持器は、当該搬送方向に対して直交する方向に複数の成膜対象基板を並べて保持するように構成されている請求項１記載の成膜装置。
3. 単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、前記真空槽内に設けられ、成膜対象基板の第１面上に成膜を行う第１のスパッタ源を有する第１の成膜領域と、前記真空槽内に設けられ、前記成膜対象基板の第２面上に成膜を行う第２のスパッタ源を有する第２の成膜領域と、鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記第１及び第２の成膜領域を通過するように設けられた搬送経路と、前記成膜対象基板を水平状態に保持する基板保持器を、前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように所定方向に搬送する第１の搬送部と、前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記第１の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送する第２の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、前記基板保持器は、前記成膜対象基板の第１及び第２面が露出する開口部を有するとともに、前記成膜対象基板の縁部に対する、前記第１及び第２のスパッタ源の少なくとも一方からの成膜材料を遮蔽する遮蔽部が設けられている成膜装置を用いた成膜方法であって、
   前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第１面上にスパッタリングによって成膜を行う工程と、
   前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、
   前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第２面上に成膜を行う工程とを有する成膜方法。
4. 単一の真空雰囲気が形成される真空槽と、前記真空槽内に設けられ、成膜対象基板の第１面上に成膜を行う第１のスパッタ源を有する第１の成膜領域と、前記真空槽内に設けられ、前記成膜対象基板の第２面上に成膜を行う第２のスパッタ源を有する第２の成膜領域と、鉛直面に対する投影形状が一連の環状となるように形成され、前記第１及び第２の成膜領域を通過するように設けられた搬送経路と、前記成膜対象基板を水平状態に保持する基板保持器を、前記搬送経路に沿って搬送する基板保持器搬送機構とを備え、前記基板保持器搬送機構は、前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように所定方向に搬送する第１の搬送部と、前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記第１の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送する第２の搬送部と、前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する搬送折り返し部とを有し、前記基板保持器は、前記成膜対象基板の第１及び第２面が露出する開口部を有するとともに、前記成膜対象基板の縁部に対する、前記第１及び第２のスパッタ源の少なくとも一方からの成膜材料を遮蔽する遮蔽部が設けられている成膜装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
   前記成膜対象基板として、ｎ型結晶シリコン基板の第１面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｐ型アモルファスシリコン層が順次設けられるとともに、前記ｎ型結晶シリコン基板の第２面上に、ｉ型アモルファスシリコン層及びｎ型アモルファスシリコン層が順次設けられた基板を用意し、
   前記基板保持器搬送機構の第１の搬送部によって前記基板保持器を前記第１の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って所定方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第１面上にスパッタリングによって第１の透明導電酸化物層を形成する工程と、
   前記基板保持器搬送機構の搬送折り返し部によって前記基板保持器を上下関係を維持した状態で前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に向って折り返して搬送する工程と、
   前記基板保持器搬送機構の第２の搬送部によって前記基板保持器を前記第２の成膜領域を通過するように前記搬送経路に沿って前記第１の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、当該基板保持器に保持された前記成膜対象基板の第２面上にスパッタリングによって第２の透明導電酸化物層を形成する工程とを有する太陽電池の製造方法。

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