JP2020033624A - 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、図1(A)および図1(B)を参照して、実施形態1の成膜装置1の基本的な構
成について説明する。本実施形態に係る成膜装置1は、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造において基板(基板上に積層体が形成されているものも含む)上に薄膜を堆積形成するために用いられる。より具体的には、成膜装置1は、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどの電子デバイスの製造において好ましく用いられる。中でも、本実施形態に係る成膜装置1は、有機EL(ErectroLuminescence)素子などの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造において特に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)も含むものである。
軸、垂直方向をZ軸、水平面で案内レール250と直交方向をY軸とすると、回転カソードユニット8は、その回転軸はY軸方向に向けた状態で、回転軸を中心に回転しながら、成膜対象物6に対して平行に、すなわちXY平面上をY軸方向に移動する。
、供給量を調整可能となっている。流量制御弁は、電磁弁等の、電気的に制御可能な構成となっている。導入口41,42は、チャンバの垂直の側壁に配置されているように図示されているが、側壁に限定されず、底壁に設けられていてもよいし、天井壁に設けられていてもよい。また、配管がチャンバ内に延びて、導入口がチャンバ10内に開口していてもよい。また、各導入口41,42は、それぞれ複数設けられ、ターゲット2の長手方向に沿って配置される構成とすることもできる。
ット3によって、成膜対象物6に面するターゲット2の表面近傍にプラズマが集中して生成され、プラズマ中の陽イオン状態のガスイオンがターゲット2をスパッタし、飛散したスパッタ粒子が成膜対象物6に堆積する。回転カソードユニット8の移動に伴って、回転カソードユニット8の移動方向上流側から下流側に向けて、順次、スパッタ粒子は堆積されていくことで成膜されていく。
ようにして、ガス圧力の圧力分布が不均一のチャンバ内であっても、回転カソード8の移動位置での圧力を検出し、目標圧力との差をゼロとなるように制御するので、回転カソードユニット8のスパッタリング領域A付近の圧力は、ほぼ均一に調整することができ、圧力差による成膜対象物6に生成される膜の膜厚や膜質を、ほぼ均一に成膜することができる。
図3(A)は、本発明の実施形態2に係る成膜装置103を示している。実施形態2に係る成膜装置103では、円筒状のターゲット302を使用した回転カソードユニットではなく、平板形状のターゲット302を使用したプレーナカソードユニット308が用いられている。プレーナカソードユニット308は、成膜対象物と平行に配置されたターゲット302を有し、このターゲット302の成膜対象物6と反対側に磁場発生手段である磁石ユニット3が配置されている。また、ターゲット302の成膜対象物6とは反対側の面には、電源13から電力が印加されるバッキングプレート302aが設けられ、ケース
306の移動方向の前後に配置されたケース板361,362に挟まれて一体的に固定されている。底板363に磁石ユニット3が固定されている。
図4は、本発明の実施形態3に係る成膜装置104を示している。上記実施形態2の図3(B)〜(D)においては、プレーナカソードユニット303内において、磁石ユニット3が、ターゲット302に対して相対移動可能となっていた。一方、この実施形態3では、平板形状のターゲット402がX軸方向およびY軸方向の両方において成膜対象物6よりも大きく、チャンバ10に対して固定されて設けられている。また、磁場発生手段としての磁石ユニット3が、チャンバ10に固定されたターゲット402に対して(すなわち、チャンバ10に対して)移動し、ターゲット402のターゲット粒子が放出されるスパッタリング領域A1を、成膜対象物6に沿って移動させるようにしたものである。
され、ターゲット42はチャンバ10の内部空間に面し、成膜対象物6と対向している。ここでは、ターゲット402の成膜対象物6とは反対側の面には、電源13から電力が印加されるバッキングプレート402aが設けられ、バッキングプレート402aが外部空
間に面している。
なお、上記実施形態では、回転カソードユニット8や、プレーナカソードユニットが1つの場合を例示したが、ロータリーカソード8やプレーナカソードユニット308がチャンバ10の内部に複数配置された成膜装置にも適用可能である。たとえば、回転カソードユニット8の場合、磁石ユニット3を複数有し、これら磁石ユニット3のそれぞれに対応して複数のターゲット2が配置され、各磁石ユニット3と対応する各ターゲット2によって複数組のターゲットユニットである回転カソードユニット8が構成され、直線駆動機構12によって複数組の回転カソードユニット8を共に移動させる。また、プレーナカソードユニット308の場合、磁石ユニット3を複数有し、これら磁石ユニット3のそれぞれに対応して複数のターゲット302が配置され、各磁石ユニット3と対応する各ターゲット302によって複数組のターゲットユニットであるプレーナカソードユニット8が構成され、直線駆動機構12によって複数組のプレーナカソードユニット8を共に移動させる。
2,302,402 ターゲット
6 成膜対象物
7 圧力センサ
10 チャンバ
12 直線駆動機構(移動手段)
A1 スパッタリング領域
Claims (18)
- 成膜対象物およびターゲットが配置されるチャンバを有し、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内の圧力を取得する複数の圧力センサを有し、
該複数の圧力センサは、前記スパッタリング領域の移動方向に沿って配置されていることを特徴とする成膜装置。 - 前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段をさらに備え、
前記圧力調整手段は、前記複数の圧力センサの少なくとも1つによって取得された前記圧力の情報に基づいて圧力を調整することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記圧力調整手段は、排気手段と、ガス導入手段と、を含み、
前記圧力センサによって取得された圧力と目標圧力との差の絶対値が所定値以下である場合には前記排気手段で圧力を調整し、前記絶対値が所定値よりも大きい場合には前記排気手段および前記ガス導入手段で圧力を調整することを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。 - 前記ガス導入手段は、前記チャンバ内にガスを導入するための複数のガス導入口を有し、
前記複数のガス導入口は、配置される前記ターゲットの長手方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。 - 前記スパッタリング領域の位置情報に基づいて、前記圧力調整手段による圧力の調整に用いる圧力センサを前記複数の圧力センサの中から少なくとも1つ選択する選択手段を有することを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記圧力調整手段は、前記選択手段によって選択される圧力センサによって取得される圧力が目標圧力となるように、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
- 前記選択手段は、前記スパッタリング領域の位置情報および前記スパッタリング領域の移動方向情報の少なくとも1つに基づいて、前記圧力調整手段による圧力の調整に用いる圧力センサを選択することを特徴とする請求項5または6に記載の成膜装置。
- 前記選択手段は、前記複数の圧力センサのうち、前記ターゲットの近傍に位置する圧力センサを選択することを特徴とする請求項5から7のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記選択手段は、前記複数の圧力センサのうち、前記ターゲットの近傍に位置する圧力センサと、当該圧力センサの前記ターゲットの進行方向前方に位置する圧力センサと、の少なくとも2つの圧力センサを選択することを特徴とする請求項5から8のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 配置される前記ターゲットの長手方向に交差する方向に、前記ターゲットを移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記ターゲットは円筒形であり、前記ターゲットを回転させる回転手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは平板形である請求項1から10のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記チャンバ内には複数の前記ターゲットが並んで配置され、
配置される前記複数のターゲットを共に移動させることを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは、前記スパッタリング領域の移動方向に延在する平板形状であり、
前記ターゲットは前記チャンバに対して固定して設けられ、
磁場発生手段を前記チャンバに対して移動させることで、前記スパッタリング領域を移動させることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 成膜対象物をチャンバ内に配置し、前記成膜対象物と対向して配置されたターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む成膜方法であって、
前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットのスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域を前記チャンバに対して相対移動させつつ成膜を行う工程であり、
前記スパッタ成膜工程において、前記ターゲットのスパッタリング領域の移動方向に沿って前記チャンバ内に配置された複数の圧力センサの少なくとも1つによって前記チャンバ内の圧力の情報を取得して、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする成膜方法。 - 前記チャンバ内の圧力の調整は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置における圧力の目標圧力への調整であることを特徴とする請求項15に記載の成膜方法。
- 前記スパッタリング領域は、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向する位置に配置される磁場発生手段の磁場によって漏洩磁場が形成された領域であることを特徴とする請求項15または16に記載の成膜方法。
- 成膜対象物をチャンバ内に配置し、前記成膜対象物と対向して配置されたターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットのスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域を前記チャンバに対して相対移動させつつ成膜を行う工程であり、
前記スパッタ成膜工程において、前記ターゲットの移動方向に沿って前記チャンバ内に配置された複数の圧力センサの少なくとも1つによって前記チャンバ内の圧力の情報を取得して、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPH1161401A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング方法及び装置 |
JP2017521560A (ja) * | 2014-07-09 | 2017-08-03 | ソレラス・アドヴァンスト・コーティングス・ビーヴイビーエー | 移動ターゲットを有するスパッタ装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6328803B2 (en) * | 1997-02-21 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling rate of pressure change in a vacuum process chamber |
US9708707B2 (en) * | 2001-09-10 | 2017-07-18 | Asm International N.V. | Nanolayer deposition using bias power treatment |
JP2005139549A (ja) | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Olympus Corp | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法並びに光学素子 |
KR20070025382A (ko) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 다수의 압력센서를 구비하는 반도체 화학기상증착 장치 |
JP2007182617A (ja) | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ成膜方法及び装置 |
JP5871453B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2016-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置,基板保持機構,基板位置ずれ検出方法 |
EP2437280A1 (en) | 2010-09-30 | 2012-04-04 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for forming a layer of sputtered material |
JP6067300B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-01-25 | 住友理工株式会社 | マグネトロンスパッタ成膜装置およびマグネトロンスパッタ成膜方法 |
JP6207319B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-10-04 | 日立造船株式会社 | 真空蒸着装置 |
JP2018053272A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 成膜装置 |
-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1161401A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング方法及び装置 |
JP2017521560A (ja) * | 2014-07-09 | 2017-08-03 | ソレラス・アドヴァンスト・コーティングス・ビーヴイビーエー | 移動ターゲットを有するスパッタ装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
田尻修一 他: "スパッタリングプロセスにおける静的圧力分布、および動的圧力変化の実測", J. VAC. SOC. JPN., JPN6022029088, 2017, JP, pages 220 - 227, ISSN: 0004822872 * |
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