JP2019526173A - 反射性側面コーディングを伴う発光デバイスパッケージ - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2016年7月28日に出願された米国仮特許出願第62/368067号、2016年7月28日に出願された欧州特許出願第16190895.9号、および2017年7月27日に出願された米国特許出願第15/661196号について優先権を主張するものであり、これらは完全に明らかにされているかのように参照として包含されている。
Claims (20)
- 発光デバイスであって、
n型層とp型層との間に配置された活性領域を有する半導体構造体と、
前記半導体構造体の上に形成された波長変換器と、
前記半導体構造体の周囲に形成された絶縁性側面コーティングと、
前記絶縁性側面コーティングの上で前記波長変換器の周囲に形成された反射性側面コーティングであり、前記波長変換器の上面と同一平面である上面を有している、反射性側面コーティングと、
を含む、発光デバイス。 - 前記反射性側面コーティングは、前記波長変換器によって生成される熱を逃がすように構成されている、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記反射性側面コーティングは、少なくとも200W/mKの熱伝導率を有する、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記絶縁性側面コーティングは、反射粒子で充填された第1バインダー材料を含み、かつ、
前記反射性側面コーティングは、金属粉末で充填された第2バインダー材料を含む、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記半導体構造体は、1つまたはそれ以上の側面を含み、かつ、
前記絶縁性側面コーティングは、前記半導体構造体を取り囲み、かつ、前記半導体構造体の前記側面を実質的にカバーする、ように構成されている、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記絶縁性側面コーティングは、前記半導体構造体を前記反射性側面コーティングから絶縁する、ように構成されている、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 前記反射性側面コーティングは、銀を含む、
請求項1に記載の発光デバイス。 - 発光デバイスであって、
半導体構造体および該半導体構造体の上に形成された波長変換器を含む発光ダイオード(LED)ダイと、
前記LEDダイの周囲に形成された絶縁性側面コーティングであり、反射粒子で充填された第1バインダー材料を含む、絶縁性側面コーティングと、
前記絶縁性側面コーティングの上で前記LEDダイの周囲に形成された反射性側面コーティングであり、金属粉末で充填された第2バインダー材料を含み、前記波長変換器に対して熱結合されており、かつ、前記波長変換器の上面と同一平面である上面を有している、反射性側面コーティングと、
を含む、発光デバイス。 - 前記反射性側面コーティングは、銀材料、バインダー、および、前記波長変換器と前記反射性側面コーティングとの間の接着を促進する添加剤、を含む、
請求項8に記載の発光デバイス。 - 前記絶縁性側面コーティングは、前記半導体構造体を取り囲み、かつ、前記半導体構造体の1つまたはそれ以上の側面を実質的にカバーする、ように構成されている、
請求項8に記載の発光デバイス。 - 前記絶縁性側面コーティングは、前記半導体構造体を前記反射性側面コーティングから絶縁する、ように構成されている、
請求項8に記載の発光デバイス。 - 前記反射性側面コーティングは、前記波長変換器を取り囲み、かつ、前記波長変換器の1つまたはそれ以上の側面を実質的にカバーする、ように構成されている、
請求項8に記載の発光デバイス。 - 前記反射性側面コーティングは、前記波長変換器によって生成された熱を連れ去る、ように構成されている、
請求項8に記載の発光デバイス。 - 前記反射性側面コーティングは、銀を含む、
請求項8に記載の発光デバイス。 - 発光デバイスを製造する方法であって、
サポートの上に発光ダイオード(LED)ダイを置くステップであり、前記LEDダイは、
n型層とp型層との間に配置された活性領域を有する半導体構造体と、
前記半導体構造体の上に形成された波長変換器と、
を含む、ステップと、
前記半導体構造体の周囲に絶縁性側面コーティングを形成するステップと、
前記絶縁性側面コーティングの上で前記波長変換器の周囲に反射性側面コーティングを形成するステップであり、該反射性側面コーティングは、前記波長変換器の上面と同一平面である上面を有している、ステップと、
を含む、方法。 - 前記絶縁性側面コーティングを形成するステップは、
前記LEDダイの上にステンシルを置くステップであり、該ステンシルは前記LEDダイの周囲にトレンチを画定する、ステップと、
前記トレンチの中へ絶縁材料を注入するステップと、
前記絶縁材料が前記半導体構造体の側壁に向かって、または、より多くの側壁に向かって拡がることができるように前記ステンシルを取り除くステップと、
を含む、請求項15に記載の方法。 - 前記トレンチは、前記半導体構造体の高さよりも深く、かつ、
前記絶縁材料は、前記ステンシルが取り除かれたときに前記半導体構造体の1つまたはそれ以上の側壁を実質的にカバーするために十分な量が注入されている、
請求項16に記載の方法。 - 前記反射性側面コーティングを形成するステップは、
前記LEDダイの上にステンシルを置くステップであり、該ステンシルは前記LEDダイの周囲にトレンチを画定する、ステップと、
前記トレンチの中へ反射材料を注入するステップと、
前記反射材料が前記波長変換器の1つまたはそれ以上の側壁に向かって拡がることができるように前記ステンシルを取り除くステップと、
を含む、請求項15に記載の方法。 - 前記反射材料は、前記ステンシルが取り除かれたときに、前記波長変換器の前記上面の上にオーバーフローすることなく、前記波長変換器の1つまたはそれ以上の側壁を実質的にカバーするために十分な量が注入されている、
請求項18に記載の方法。 - 前記反射性側面コーティングは、少なくとも200W/mKの熱伝導率を有し、かつ、銀を含む、
請求項18に記載の方法。
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JP7388908B2 (ja) * | 2019-12-17 | 2023-11-29 | シャープ福山レーザー株式会社 | 表示装置 |
CN115188875B (zh) * | 2022-09-13 | 2023-07-04 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光装置及发光元件 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010157638A (ja) * | 2008-12-27 | 2010-07-15 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010192629A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Nichia Corp | 発光装置の製造方法 |
US20110001148A1 (en) * | 2009-07-06 | 2011-01-06 | Zhuo Sun | Thin flat solid state light source module |
WO2011099384A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2012119673A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Samsung Led Co Ltd | 半導体発光素子に蛍光体を塗布する方法 |
WO2014091914A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | シチズンホールディングス株式会社 | Led装置及びその製造方法 |
JP2015038963A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2016072471A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101855735A (zh) * | 2007-11-19 | 2010-10-06 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 |
EP2216834B1 (en) | 2007-11-29 | 2017-03-15 | Nichia Corporation | Light-emitting apparatus |
US20100181582A1 (en) * | 2009-01-22 | 2010-07-22 | Intematix Corporation | Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof |
JP5680472B2 (ja) | 2011-04-22 | 2015-03-04 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
US9269873B2 (en) | 2012-03-13 | 2016-02-23 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
JP5684751B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-03-18 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP6045999B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2016-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2015176960A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
DE102014108282A1 (de) | 2014-06-12 | 2015-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement |
US10090444B2 (en) * | 2014-06-19 | 2018-10-02 | Lumileds Llc | Wavelength converted light emitting device with small source size |
DE102014114372B4 (de) | 2014-10-02 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
JP5877487B1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-03-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010157638A (ja) * | 2008-12-27 | 2010-07-15 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010192629A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Nichia Corp | 発光装置の製造方法 |
US20110001148A1 (en) * | 2009-07-06 | 2011-01-06 | Zhuo Sun | Thin flat solid state light source module |
WO2011099384A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2012119673A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Samsung Led Co Ltd | 半導体発光素子に蛍光体を塗布する方法 |
WO2014091914A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | シチズンホールディングス株式会社 | Led装置及びその製造方法 |
JP2015038963A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2016072471A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法 |
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