JP2019525401A - 高輝度でホウ素を含有する真空環境用電子ビームエミッタ - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2016年6月30日付米国暫定特許出願第62/356738号に基づく優先権を主張する出願であるので、この参照を以てその開示内容を本願に繰り入れることにする。
Br=I/(πrvs 2ΩVext) 式1
として定義される;但しIは電界放出電流、rvsはその仮想放出源の半径、Ωはそのビームの立体角、Vextは動作電圧である。この輝度等式中の2個のパラメタが、端部直径縮小時に変化する。第1に、端部を小さめにするとその端部での電界の増強度が高めになり、それにより所与電流放出に必要な電圧が低下してVextの値が下がるため、縮小時輝度Brの値が大きくなる。第2に、端部直径が小さいと仮想放出源サイズrvsが小さめになるため、縮小時輝度Brの値が大きくなる。
Claims (20)
- 金属ホウ化物素材を含有するエミッタを備え、
上記エミッタが、少なくとも部分的に丸みのある半径1μm以下の端部を有する装置。 - 請求項1に記載の装置であって、上記金属ホウ化物素材に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、ランタニド及びアクチニドからなるリストから選定された種が含まれる装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記金属ホウ化物素材が金属六ホウ化物素材である装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記金属ホウ化物素材にLaB6が含まれる装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記エミッタが1mm2未満の放出エリアを有する装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記金属ホウ化物素材が<100>なる結晶方位を有する装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記半径が700nm以下である装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記半径が450nm以下である装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記半径が100nm以下である装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記少なくとも部分的に丸みのある端部が、平坦な放出ファセットを有する装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記エミッタが1μm2未満の放出エリアを有する装置。
- 金属ホウ化物素材を含有するエミッタであり、少なくとも部分的に丸みのある半径1μm以下の端部を有するエミッタを、準備するステップと、
上記エミッタに電界を印加するステップと、
上記エミッタから電子ビームを発生させるステップと、
を有する方法。 - 請求項12に記載の方法であって、上記発生が極低温(クライオジェニック)電界放出モードで起こる方法。
- 請求項12に記載の方法であって、上記発生が室温電界放出モードで起こる方法。
- 請求項12に記載の方法であって、上記発生が暖温電界放出モードで起こり、その暖温電界放出モードが周囲より高く且つ1000K未満の温度で動作する方法。
- 請求項12に記載の方法であって、上記発生が熱電界モードで起こる方法。
- 請求項12に記載の方法であって、上記発生がフォトカソードモードで起こる方法。
- 請求項12に記載の方法であって、上記発生が10−9Torr以下の動作圧で起こる方法。
- 請求項12に記載の方法であって、上記発生が10−11Torr以下の動作圧で起こる方法。
- 単結晶ロッドから素材を除去することで、金属ホウ化物素材を含有するエミッタを形成するステップを有し、
そのエミッタが、少なくとも部分的に丸みのある半径1μm以下の端部を有する方法。
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