JP2019511123A - ナノインプリントリソグラフィーにおける基板前処理組成物の硬化 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2016年3月31日に出願された「ナノインプリントリソグラフィーにおける基板前処理組成物の硬化(CURING SUBSTRATE PRETREATMENT COMPOSITIONS IN NANOIMPRINT LITHOGRAPHY)」と題される米国特許出願第62/316,377号及び2017年3月24日に出願された「ナノインプリントリソグラフィーにおける基板前処理組成物の硬化(CURING SUBSTRATE PRETREATMENT COMPOSITIONS IN NANOIMPRINT LITHOGRAPHY)」と題される米国特許出願第15/469,298号の利益を主張するものであり、該出願はそれぞれ、その全体が引用することにより本明細書の一部をなす。
PC2:トリメチロールプロパンエトキシレートトリアクリレート、n 約1.3(大阪有機化学工業株式会社)
PC3:1,12−ドデカンジオールジアクリレート
PC4:ポリ(エチレングリコール)ジアクリレート、平均Mn=575(Sigma-Aldrich)
PC5:テトラエチレングリコールジアクリレート(Sartomer)
PC6:1,3−アダマンタンジオールジアクリレート
PC7:ノナンジオールジアクリレート
PC8:m−キシリレンジアクリレート
PC9:トリシクロデカンジメタノールジアクリレート(Sartomer)
Claims (15)
- 前処理組成物をナノインプリントリソグラフィー基板上に配置することで、該ナノインプリントリソグラフィー基板上に前処理コーティングを形成することと、
なお、前記前処理組成物は重合性成分を含む;
インプリントレジストの複数の不連続部分を前記前処理コーティング上に配置することと、
なお、前記インプリントレジストの不連続部分がそれぞれ、前記ナノインプリントリソグラフィー基板の標的域を覆っており、該インプリントレジストは、重合性組成物であり、重合開始剤を含む;
前記インプリントレジストの不連続部分がそれぞれ、その標的域を越えて広がることで、前記ナノインプリントリソグラフィー基板上に複合重合性コーティングを形成することと、
なお、前記複合重合性コーティングは、前記前処理組成物と前記インプリントレジストとの混合物を含む;
前記複合重合性コーティングとナノインプリントリソグラフィーテンプレートとを接触させることと、
前記重合開始剤を活性化させることと、
前記複合重合性コーティングを重合することで、前記ナノインプリントリソグラフィー基板上に複合重合体層と前記前処理コーティングの非硬化部分とを得ることと、
前記複合重合性コーティングを重合し、複合重合体層を得た後に、前記前処理コーティングの非硬化部分を重合することと、
を含む、ナノインプリントリソグラフィー方法。 - 前記重合開始剤が、第1の光重合開始剤を含み、前記複合重合性コーティングを重合することが、該複合重合性コーティングに、第1の波長、強度、エネルギー密度、及び期間のUV放射線を照射することにより、前記複合重合性コーティングの重合を開始させることを含む、請求項1に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記前処理組成物が重合開始剤を実質的に含まない、請求項1又は2に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記前処理コーティングの非硬化部分を重合することが、該前処理コーティングの非硬化部分に、第1の波長、及び第2の強度、エネルギー密度、期間、又はそれらの組合せのUV放射線を照射することを含み、該第2の強度、エネルギー密度、又は期間の少なくとも1つが、第1のものとは異なり、前記前処理組成物の非硬化部分の自己重合を開始させるのに十分なものである、請求項1〜3のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記前処理組成物が熱重合開始剤を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記前処理コーティングの非硬化部分を重合することが、該前処理コーティングの非硬化部分の重合を開始させるのに十分な温度及び期間で該前処理コーティングの非硬化部分を加熱することを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記前処理組成物が前記第1の光重合開始剤を含む、請求項2〜6のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記インプリントレジストが光増感剤を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記前処理コーティングの非硬化部分を重合することが、該前処理コーティングの非硬化部分に、第1の波長、及び第2の強度、エネルギー密度、期間、又はそれらの組合せのUV放射線を照射することを含み、該第2の強度及びエネルギー密度の少なくとも一方が第1のものを上回る、請求項2〜8のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記前処理コーティングが第2の光重合開始剤を含み、該第2の光重合開始剤が前記第1の光重合開始剤とは異なる、請求項2〜9のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記前処理コーティングの非硬化部分を重合することが、該前処理コーティングの非硬化部分に、第2の波長のUV放射線を照射することを含み、該第2の波長が前記第1の波長より短い、請求項10に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記前処理コーティングの非硬化部分を重合することが、該前処理コーティングの非硬化部分に、第2の波長、及び第2の強度、エネルギー密度、又は期間のUV放射線を照射することを含み、該第2の波長が前記第1の波長より短く、該第2の強度及びエネルギー密度の少なくとも一方が第1のものを上回る、請求項10又は11に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記前処理コーティングの非硬化部分を重合することが、該前処理コーティングの非硬化部分に、第2の強度、エネルギー密度、又は期間のUV放射線を照射することを含み、該第2の強度又はエネルギー密度の少なくとも一方が第1のものを上回る、請求項10〜12のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 前記重合開始剤を活性化させることが、前記前処理組成物の重合を開始させない、請求項1〜13のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィー方法。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法により形成されたナノインプリントリソグラフィー積層体。
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---|---|---|---|---|
JP5932501B2 (ja) * | 2012-06-06 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | 硬化性組成物、及びこれを用いるパターン形成方法 |
US20170066208A1 (en) | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
US10095106B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10134588B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10620539B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
KR102216503B1 (ko) | 2016-04-08 | 2021-02-17 | 캐논 가부시끼가이샤 | 경화물 패턴의 형성 방법과, 가공 기판, 광학 부품, 회로 기판, 전자 부품 및 임프린트 몰드의 제조 방법과, 임프린트 전처리 코팅용 재료 |
US10509313B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10317793B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography |
US20190139789A1 (en) * | 2017-11-06 | 2019-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for imprint lithography comprising a logic element configured to generate a fluid droplet pattern and a method of using such apparatus |
CN109188862A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 压印结构及其制造方法、压印模板 |
US11209730B2 (en) | 2019-03-14 | 2021-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods of generating drop patterns, systems for shaping films with the drop pattern, and methods of manufacturing an article with the drop pattern |
JP7495838B2 (ja) * | 2020-07-29 | 2024-06-05 | キヤノン株式会社 | シミュレーション方法、シミュレーション装置、膜形成装置、物品の製造方法及びプログラム |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007055235A (ja) * | 2005-06-10 | 2007-03-08 | Obducat Ab | 環状オレフィン共重合体を含んでなるインプリントスタンプ |
US20090085255A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Hitachi, Ltd. | Photo nanoimprint lithography |
JP2010530641A (ja) * | 2007-06-18 | 2010-09-09 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィのための溶媒支援層の形成 |
JP2010214859A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびその製造方法 |
JP2011096766A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | インプリントシステムおよびインプリント方法 |
JP2011114180A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント用基板およびインプリント転写方法 |
WO2011155602A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Hoya株式会社 | 密着補助層付き基板、モールドの製造方法及びマスターモールドの製造方法 |
JP2015070145A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 富士フイルム株式会社 | 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法、微細パターン、および半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (114)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4929722B1 (ja) | 1970-10-15 | 1974-08-07 | ||
JPS51147466A (en) | 1975-06-13 | 1976-12-17 | Taiho Kogyo Co Ltd | Method of shaping butttjointed cylindrical bushes |
JPS62123444A (ja) | 1985-08-07 | 1987-06-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
US4720578A (en) | 1986-07-23 | 1988-01-19 | Gaf Corporation | Preparation of fluorinated carboxypropylated non-ionic surfactants |
JP2717602B2 (ja) | 1990-01-16 | 1998-02-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
US5296330A (en) | 1991-08-30 | 1994-03-22 | Ciba-Geigy Corp. | Positive photoresists containing quinone diazide photosensitizer, alkali-soluble resin and tetra(hydroxyphenyl) alkane additive |
US5576143A (en) | 1991-12-03 | 1996-11-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive composition |
EP0616617B1 (en) | 1991-12-11 | 1997-02-19 | AlliedSignal Inc. | Uv curing of fluorinated monomers |
JP2753921B2 (ja) | 1992-06-04 | 1998-05-20 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JP3224115B2 (ja) | 1994-03-17 | 2001-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
EP0691575B1 (en) | 1994-07-04 | 2002-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
US6312123B1 (en) * | 1998-05-01 | 2001-11-06 | L&P Property Management Company | Method and apparatus for UV ink jet printing on fabric and combination printing and quilting thereby |
US6334960B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
JP4740518B2 (ja) | 2000-07-17 | 2011-08-03 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム |
JP2003195518A (ja) | 2001-12-14 | 2003-07-09 | Shipley Co Llc | フォトレジスト用現像液 |
US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US6932934B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
US6936194B2 (en) | 2002-09-05 | 2005-08-30 | Molecular Imprints, Inc. | Functional patterning material for imprint lithography processes |
US20040065252A1 (en) | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Sreenivasan Sidlgata V. | Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards |
US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
US7365103B2 (en) | 2002-12-12 | 2008-04-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Compositions for dark-field polymerization and method of using the same for imprint lithography processes |
US7396475B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
US20050160934A1 (en) | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Molecular Imprints, Inc. | Materials and methods for imprint lithography |
US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
US20060108710A1 (en) | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
EP1538482B1 (en) | 2003-12-05 | 2016-02-17 | Obducat AB | Device and method for large area lithography |
US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
US7197396B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-03-27 | Ford Global Technologies, Llc | Collision mitigation system |
US20080055581A1 (en) | 2004-04-27 | 2008-03-06 | Rogers John A | Devices and methods for pattern generation by ink lithography |
US7939131B2 (en) | 2004-08-16 | 2011-05-10 | Molecular Imprints, Inc. | Method to provide a layer with uniform etch characteristics |
US7704643B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-04-27 | Inphase Technologies, Inc. | Holographic recording medium with control of photopolymerization and dark reactions |
US8557351B2 (en) | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
US8808808B2 (en) | 2005-07-22 | 2014-08-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer |
US7759407B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-07-20 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for adhering materials together |
US8846195B2 (en) | 2005-07-22 | 2014-09-30 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Ultra-thin polymeric adhesion layer |
KR100758699B1 (ko) | 2005-08-29 | 2007-09-14 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 고종횡비 나노구조물 형성방법 및 이를 이용한 미세패턴형성방법 |
JP4929722B2 (ja) | 2006-01-12 | 2012-05-09 | 日立化成工業株式会社 | 光硬化型ナノプリント用レジスト材及びパターン形成法 |
JP2007186454A (ja) | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Yunimatekku Kk | 含フッ素エーテルアルコールおよびその製造法 |
US20080000373A1 (en) | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Maria Petrucci-Samija | Printing form precursor and process for preparing a stamp from the precursor |
US7776628B2 (en) | 2006-11-16 | 2010-08-17 | International Business Machines Corporation | Method and system for tone inverting of residual layer tolerant imprint lithography |
JP2009051017A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 光ナノインプリントリソグラフィ用光硬化性組成物、及びパターン付き基板の製造方法 |
US20090053535A1 (en) | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Molecular Imprints, Inc. | Reduced Residual Formation in Etched Multi-Layer Stacks |
US20090148619A1 (en) | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Molecular Imprints, Inc. | Controlling Thickness of Residual Layer |
US9323143B2 (en) * | 2008-02-05 | 2016-04-26 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Controlling template surface composition in nano-imprint lithography |
JP5243887B2 (ja) | 2008-02-12 | 2013-07-24 | 富士フイルム株式会社 | ナノインプリント用硬化性組成物およびパターン形成方法 |
JP5065101B2 (ja) | 2008-03-05 | 2012-10-31 | 東洋合成工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5498729B2 (ja) | 2008-07-10 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP2010037541A (ja) | 2008-07-10 | 2010-02-18 | Fujifilm Corp | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP4544372B2 (ja) | 2008-08-22 | 2010-09-15 | コニカミノルタオプト株式会社 | 基板の製造方法 |
US8415010B2 (en) | 2008-10-20 | 2013-04-09 | Molecular Imprints, Inc. | Nano-imprint lithography stack with enhanced adhesion between silicon-containing and non-silicon containing layers |
US8022107B2 (en) | 2008-10-21 | 2011-09-20 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Fluorinated polyoxyalkylene glycol diester surfactants |
US20100104852A1 (en) | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Molecular Imprints, Inc. | Fabrication of High-Throughput Nano-Imprint Lithography Templates |
US8361546B2 (en) | 2008-10-30 | 2013-01-29 | Molecular Imprints, Inc. | Facilitating adhesion between substrate and patterned layer |
US20100109195A1 (en) | 2008-11-05 | 2010-05-06 | Molecular Imprints, Inc. | Release agent partition control in imprint lithography |
EP2199854B1 (en) | 2008-12-19 | 2015-12-16 | Obducat AB | Hybrid polymer mold for nano-imprinting and method for making the same |
US9459525B2 (en) | 2009-03-24 | 2016-10-04 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Curable composition for nanoimprinting and cured product |
CN102459381A (zh) * | 2009-04-30 | 2012-05-16 | 阿姆斯特郎世界工业公司 | Uvv可固化的涂料组合物和使用其来涂覆地板和其他基材的方法 |
CN101923282B (zh) | 2009-06-09 | 2012-01-25 | 清华大学 | 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法 |
NL2005007A (en) | 2009-08-28 | 2011-03-01 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography method and apparatus. |
US20110129424A1 (en) | 2009-09-16 | 2011-06-02 | Cory Berkland | Fluorinated polymers and associated methods |
JP5499596B2 (ja) | 2009-09-25 | 2014-05-21 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及び半導体素子 |
JP5671302B2 (ja) | 2009-11-10 | 2015-02-18 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP5511415B2 (ja) | 2010-02-02 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP5483083B2 (ja) | 2010-02-03 | 2014-05-07 | 富士フイルム株式会社 | 微細パターン製造方法 |
US20110195276A1 (en) | 2010-02-11 | 2011-08-11 | Seagate Technology Llc | Resist adhension to carbon overcoats for nanoimprint lithography |
JP5596367B2 (ja) | 2010-02-22 | 2014-09-24 | 富士フイルム株式会社 | パターン製造方法 |
JP5463170B2 (ja) | 2010-03-10 | 2014-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 微細パターン製造方法、微細パターン付き基板、微細パターン付き基板を含む光源装置および画像表示装置 |
JP5460541B2 (ja) | 2010-03-30 | 2014-04-02 | 富士フイルム株式会社 | ナノインプリント方法、液滴配置パターン作成方法および基板の加工方法 |
JP2011222647A (ja) | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びパターン基板製造方法 |
JP5599648B2 (ja) | 2010-05-12 | 2014-10-01 | 富士フイルム株式会社 | 微細パターン製造方法および微細パターン付き基板 |
JP2012015324A (ja) | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Fujifilm Corp | 液体塗布装置及び液体塗布方法並びにナノインプリントシステム |
KR20130119853A (ko) | 2010-07-02 | 2013-11-01 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 불소계 계면 활성제, 그것을 사용한 코팅 조성물 및 레지스트 조성물 |
JP5337776B2 (ja) | 2010-09-24 | 2013-11-06 | 富士フイルム株式会社 | ナノインプリント方法およびそれを利用した基板の加工方法 |
JP5599356B2 (ja) | 2011-03-31 | 2014-10-01 | 富士フイルム株式会社 | シミュレーション方法、プログラムおよびそれを記録した記録媒体、並びに、それらを利用した液滴配置パターンの作成方法、ナノインプリント方法、パターン化基板の製造方法およびインクジェット装置。 |
KR101686024B1 (ko) | 2011-04-27 | 2016-12-13 | 후지필름 가부시키가이샤 | 임프린트용 경화성 조성물, 패턴 형성 방법 및 패턴 |
TWI489522B (zh) | 2012-03-12 | 2015-06-21 | Asahi Kasei E Materials Corp | Mold, resist layer and its manufacturing method and concave and convex structure |
KR20130116978A (ko) | 2012-04-17 | 2013-10-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 편광자 제조방법 및 표시 기판의 제조방법 |
JP5899145B2 (ja) | 2012-06-18 | 2016-04-06 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用下層膜形成組成物およびパターン形成方法 |
JP5827180B2 (ja) | 2012-06-18 | 2015-12-02 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物と基板の密着用組成物およびこれを用いた半導体デバイス |
JP6000712B2 (ja) | 2012-07-24 | 2016-10-05 | キヤノン株式会社 | 樹脂の製造方法及び樹脂の製造装置 |
US20150218394A1 (en) | 2012-08-07 | 2015-08-06 | Lg Chem, Ltd. | Printed matter and method for manufacturing such printed matter |
JP2014093385A (ja) | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Fujifilm Corp | インプリント用密着膜の製造方法およびパターン形成方法 |
JP2014213572A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | スリーエム イノベイティブプロパティズカンパニー | 硬化粘着シートを含む積層体の製造方法 |
JP2015006088A (ja) | 2013-06-21 | 2015-01-08 | トヨタ紡織株式会社 | 回転電機のコア及びその製造方法 |
TWI637234B (zh) | 2013-07-12 | 2018-10-01 | 美商佳能奈米科技股份有限公司 | 用於壓印微影術之利用方向性圖案化模板的液滴圖案生成技術 |
US20160141492A1 (en) | 2013-07-31 | 2016-05-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memristor and methods for making the same |
JP6080813B2 (ja) | 2013-08-30 | 2017-02-15 | キヤノン株式会社 | 光インプリント用組成物、これを用いた、膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
WO2015076148A1 (ja) | 2013-11-22 | 2015-05-28 | 綜研化学株式会社 | インプリント用光硬化性樹脂組成物、反射防止フィルム |
JP6011671B2 (ja) | 2015-04-02 | 2016-10-19 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用基板およびインプリント方法 |
JP6484493B2 (ja) | 2015-04-15 | 2019-03-13 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリント用組成物及びナノインプリントパターン形成方法 |
JP6550275B2 (ja) | 2015-06-15 | 2019-07-24 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリント用組成物、硬化物、パターン形成方法及びパターンを含む物品 |
EP3347410B1 (en) | 2015-09-08 | 2024-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
US20170068159A1 (en) | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
US20170066208A1 (en) | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
KR102285063B1 (ko) | 2016-01-25 | 2021-08-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법, 가공 기판의 제조 방법, 광학 부품의 제조 방법, 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 임프린트 몰드의 제조 방법 |
US10754245B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10754244B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10845700B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10754243B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10829644B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10578965B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method |
US10095106B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10883006B2 (en) | 2016-03-31 | 2021-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10620539B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10134588B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
KR102216503B1 (ko) | 2016-04-08 | 2021-02-17 | 캐논 가부시끼가이샤 | 경화물 패턴의 형성 방법과, 가공 기판, 광학 부품, 회로 기판, 전자 부품 및 임프린트 몰드의 제조 방법과, 임프린트 전처리 코팅용 재료 |
US10509313B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10317793B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography |
US20180253000A1 (en) | 2017-03-06 | 2018-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method, imprint apparatus, manufacturing method and mixing method |
WO2018164015A1 (ja) | 2017-03-08 | 2018-09-13 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法、インプリント前処理コーティング材料、及び基板の前処理方法 |
CN110546734B (zh) | 2017-03-08 | 2024-04-02 | 佳能株式会社 | 固化物图案的制造方法和光学部件、电路板和石英模具复制品的制造方法以及用于压印预处理的涂覆材料及其固化物 |
KR102256347B1 (ko) | 2017-03-08 | 2021-05-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법, 및 가공 기판, 광학 부품 및 석영 몰드 레플리카의 제조 방법, 및 임프린트 전처리 코팅 재료 및 그와 임프린트 레지스트와의 세트 |
-
2017
- 2017-03-24 US US15/469,298 patent/US10620539B2/en active Active
- 2017-03-28 CN CN201780022173.5A patent/CN108885395B/zh active Active
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- 2017-03-29 TW TW106110590A patent/TWI714747B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007055235A (ja) * | 2005-06-10 | 2007-03-08 | Obducat Ab | 環状オレフィン共重合体を含んでなるインプリントスタンプ |
JP2010530641A (ja) * | 2007-06-18 | 2010-09-09 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィのための溶媒支援層の形成 |
US20090085255A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Hitachi, Ltd. | Photo nanoimprint lithography |
JP2010214859A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびその製造方法 |
JP2011096766A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | インプリントシステムおよびインプリント方法 |
JP2011114180A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント用基板およびインプリント転写方法 |
WO2011155602A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Hoya株式会社 | 密着補助層付き基板、モールドの製造方法及びマスターモールドの製造方法 |
JP2015070145A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 富士フイルム株式会社 | 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法、微細パターン、および半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180127442A (ko) | 2018-11-28 |
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