JP2019021385A - 有機ｅｌ表示パネル、および、有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光層と機能層とのうち少なくとも１層を塗布法で形成する有機ＥＬ表示パネルにおいて好適な隔壁構造を有する有機ＥＬ表示パネルを提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に複数並設され、それぞれが一方向に延伸する複数の隔壁と、隣り合う前記隔壁間の隔壁間隙の各々において、前記一方向に沿って配された複数の画素電極と、前記画素電極の上方において、前記隔壁間隙を構成する前記隔壁の側壁部に接するように形成された、有機発光材料を含む有機発光層と、前記発光層の上方に配設される対向電極とを備え、前記隔壁の頂部の表面はフッ素系化合物を含んでなり、または、フッ素系樹脂で形成され、かつ、前記隔壁の側壁部の少なくとも表面はシリコーン系化合物を含有し、または、シリコーン系樹脂からなる。【選択図】図３
Description
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル、及び、それを用いた有機ＥＬ表示装置に関する。
近年、表示装置に有機ＥＬ素子を利用したものが普及しつつある。
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層が挟まれた構造を有している。現在、発光層や機能層を効率よく形成する方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等のウェットプロセスで塗布して形成することが行われている。ウェットプロセスでは、真空蒸着装置と比較して製造装置が小型化することができ、また、機能性材料を蒸着する際に使用するシャドウマスクを使用する必要がない。そのため、シャドウマスクの位置合わせ等の作業が必要なく、大型パネルの生成や量産性を考慮したパネルサイズを混合したような大型基板の製造も容易となり、効率の良いパネル生成に適した特徴がある。また蒸着法と異なり、インクジェット法では、高価な発光材料等の機能性材料の使用効率が向上することより、パネル製造コストの低減が可能となる。
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層が挟まれた構造を有している。現在、発光層や機能層を効率よく形成する方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等のウェットプロセスで塗布して形成することが行われている。ウェットプロセスでは、真空蒸着装置と比較して製造装置が小型化することができ、また、機能性材料を蒸着する際に使用するシャドウマスクを使用する必要がない。そのため、シャドウマスクの位置合わせ等の作業が必要なく、大型パネルの生成や量産性を考慮したパネルサイズを混合したような大型基板の製造も容易となり、効率の良いパネル生成に適した特徴がある。また蒸着法と異なり、インクジェット法では、高価な発光材料等の機能性材料の使用効率が向上することより、パネル製造コストの低減が可能となる。
一方、発光層および機能層を形成するための発光材料や機能性材料を溶解したインクを塗り分け印刷するためにはバンクと呼ばれるサブピクセルごとに形成した隔壁が必要となる。機能性材料を含むインクが隔壁を乗り越えることによる混合、特に、発光材料を含むインクの場合、発色の異なるインクの混合による混色が発生すると、パネル不良の原因となるため、隔壁頂部表面には撥液性が付与されている。隔壁頂部表面への撥液性付与は、例えば特許文献１に開示されているように、フッ素系界面活性剤などのフッ素系化合物の添加や、フッ素系樹脂などを用いることで実現されている。
しかしながら、隔壁表面、特に隔壁側壁表面にフッ素系化合物を含有する部分を形成し、または、フッ素系樹脂を用いると、発光層や機能層の材料として塗布されたインクが乾燥する際に、本来ならばインクが乾燥しながら隔壁側壁面のインク液面端部が下がってほしいところが、インクが隔壁側壁表面上に付着し残った状態で乾燥してしまう。このため隔壁側壁表面沿ってせり上がった形状の発光層や機能層の材料の乾燥膜が形成、「濡れ上がり」と呼ばれる現象が発生する。この状態のことを俗にピンニング位置が高い状態であるという。これはフッ素系化合部やフッ素樹脂で形成した表面における付着性が高いために発生する物理現象である。これにより、隔壁内、いわゆるサブピクセル内に塗布された発光層や機能層の膜厚が不均質となり、発光特性の向上が困難となる課題となる。具体的には、平坦な膜と比較して、寿命が短くなったり、視野角の変化が発生したりする。
本開示は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、発光層と機能層とのうち少なくとも１層を塗布法で形成する有機ＥＬ表示パネルにおいて好適な隔壁構造を有する有機ＥＬ表示パネル、および、その製造方法を提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板上に複数並設され、それぞれが一方向に延伸する複数の隔壁と、隣り合う前記隔壁間の隔壁間隙の各々において、前記一方向に沿って配された複数の画素電極と、前記画素電極の上方において、前記隔壁間隙を構成する前記隔壁の側壁部に接するように形成された、有機発光材料を含む有機発光層と、前記発光層の上方に配設される対向電極とを備え、前記隔壁の頂部の表面はフッ素系化合物を含んでなり、または、フッ素系樹脂で形成され、かつ、前記隔壁の側壁部の少なくとも表面はシリコーン系化合物を含有し、またはシリコーン系樹脂からなることを特徴とする。
上記態様の有機ＥＬ表示パネルによれば、隔壁側壁による濡れ上がりを抑止しピンニング位置を低くできるため、発光層や機能層の膜厚を均一化させることができ、所望の発光特性を得ることができる。また、隔壁頂部表面がフッ素系化合物を含んでなるか、もしくはフッ素系樹脂で形成するため、機能性材料を含むインクが隔壁頂部を濡れ拡がり、隣接するサブピクセルへのインク混合や混色を抑止する機能が損なわれない。
≪本開示の態様≫
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板上に複数並設され、それぞれが一方向に延伸する複数の隔壁と、隣り合う前記隔壁間の隔壁間隙の各々において、前記一方向に沿って配された複数の画素電極と、前記画素電極の上方において、前記隔壁間隙を構成する前記隔壁の側壁部に接するように形成された、有機発光材料を含む有機発光層と、前記発光層の上方に配設される対向電極とを備え、前記隔壁の頂部の表面はフッ素系化合物を含んでなり、または、フッ素系樹脂で形成され、かつ、前記隔壁の側壁部の少なくとも表面はシリコーン系化合物を含有する表面もしくはシリコーン系樹脂からなる。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板上に複数並設され、それぞれが一方向に延伸する複数の隔壁と、隣り合う前記隔壁間の隔壁間隙の各々において、前記一方向に沿って配された複数の画素電極と、前記画素電極の上方において、前記隔壁間隙を構成する前記隔壁の側壁部に接するように形成された、有機発光材料を含む有機発光層と、前記発光層の上方に配設される対向電極とを備え、前記隔壁の頂部の表面はフッ素系化合物を含んでなり、または、フッ素系樹脂で形成され、かつ、前記隔壁の側壁部の少なくとも表面はシリコーン系化合物を含有する表面もしくはシリコーン系樹脂からなる。
また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上方において、互いに交差する第１方向及び第２方向に沿って複数の画素電極を形成する工程と、前記基板の上方において、前記第２方向に前記画素電極を区画するように、前記第１方向に沿って、隔壁を複数形成する工程と、前記画素電極の上方かつ前記隔壁間の間隙に、発光材料を含むインクを塗布することで発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に対向電極を形成する工程とを含み、前記隔壁の頂部の表面はフッ素系化合物を含んでなる材料またはフッ素系樹脂を含み、前記隔壁の側壁部の少なくとも表面はシリコーン系化合物を含有し、または、シリコーン系樹脂からなる。
上記態様の有機ＥＬ表示パネル、または、上記態様の製造方法によれば、隔壁側壁による濡れ上がりを抑制し、ピンニング位置を低くすることができるため、発光層や機能層の膜厚を均一化させることができ、所望の発光特性を得ることができる。また、隔壁頂部表面がフッ素系化合物を含んでなるか、もしくはフッ素系樹脂で形成されているため、機能性材料を含むインクが隔壁を乗り越えて濡れひろがることによるインク混合や混色を抑止する機能が損なわれない。
また、上記態様に係る有機ＥＬ表示パネル、または、上記態様の製造方法において、以下のようにしてもよい。
前記隔壁形成工程は、感光性有機材料を用いて隔壁を形成する工程と、前記隔壁材料層上にフッ素系化合物を含有するコーティング材またはフッ素系樹脂を塗布する工程と、前記隔壁材料層を露光し現像して隔壁基部を形成する工程と、前記隔壁基部の側面上にシリコーン系化合物を含有するコーティング材またはシリコーン系樹脂を塗布する工程とを含む、としてもよい。
前記隔壁形成工程は、感光性有機材料を用いて隔壁を形成する工程と、前記隔壁材料層上にフッ素系化合物を含有するコーティング材またはフッ素系樹脂を塗布する工程と、前記隔壁材料層を露光し現像して隔壁基部を形成する工程と、前記隔壁基部の側面上にシリコーン系化合物を含有するコーティング材またはシリコーン系樹脂を塗布する工程とを含む、としてもよい。
これにより、従来のシリコーン系化合物を含まない隔壁の形成方法を転用することができる。
また、前記隔壁のうち、前記頂部表面を除く部分は、シリコーン系化合物を含有する材料、または、シリコーン系樹脂からなる、としてもよい。
また、前記隔壁形成工程は、シリコーン系樹脂を用いて隔壁を形成する工程と、前記隔壁材料層上にフッ素系化合物を含有する材料またはフッ素系樹脂を塗布する工程と、前記隔壁材料層と前記フッ素系化合物を含有する材料またはフッ素系樹脂とをパターニングする工程とを含むとしてもよい。
また、前記隔壁のうち、前記頂部表面を除く部分は、シリコーン系化合物を含有する材料、または、シリコーン系樹脂からなる、としてもよい。
また、前記隔壁形成工程は、シリコーン系樹脂を用いて隔壁を形成する工程と、前記隔壁材料層上にフッ素系化合物を含有する材料またはフッ素系樹脂を塗布する工程と、前記隔壁材料層と前記フッ素系化合物を含有する材料またはフッ素系樹脂とをパターニングする工程とを含むとしてもよい。
または、前記隔壁形成工程は、感光性シリコーン系樹脂を用いて隔壁材料層を形成する工程と、前記隔壁材料層上にフッ素系化合物を含有する塗布材料またはフッ素系樹脂を塗布する工程と、前記隔壁材料層を露光し現像する工程とを含む、としてもよい。
これにより、隔壁のうち頂部表面を除く部分を一括成形することができる。また、隔壁の側壁部が表面のみならず全体が、シリコーン系化合物を含有する材料、または、シリコーン系樹脂からなるため、製造工程において、仮に側壁部に欠陥が発生しても機能が失われない。
これにより、隔壁のうち頂部表面を除く部分を一括成形することができる。また、隔壁の側壁部が表面のみならず全体が、シリコーン系化合物を含有する材料、または、シリコーン系樹脂からなるため、製造工程において、仮に側壁部に欠陥が発生しても機能が失われない。
また、前記一方向に直交する第２方向に延伸し、前記複数の画素電極を区画する複数の副壁をさらに備え、前記副壁の表面は、フッ素系化合物とフッ素系樹脂とのいずれも含まず、かつ、シリコーン系化合物とシリコーン系樹脂とのいずれも含まない、としてもよい。
また、前記基板の上方において、前記第１方向に前記画素電極を区画するように、前記第２方向に沿って副壁を複数形成する工程をさらに含み、前記副壁の表面は、フッ素系化合物とフッ素系樹脂とのいずれも含まず、かつ、シリコーン系化合物とシリコーン系樹脂とのいずれも含まない、としてもよい。
また、前記基板の上方において、前記第１方向に前記画素電極を区画するように、前記第２方向に沿って副壁を複数形成する工程をさらに含み、前記副壁の表面は、フッ素系化合物とフッ素系樹脂とのいずれも含まず、かつ、シリコーン系化合物とシリコーン系樹脂とのいずれも含まない、としてもよい。
これにより、第１方向におけるインクの流動を、過度に抑制しない範囲で規制することができ、隔壁側壁面に付着する濡れ上がりによる膜厚むらを抑制することができる。
また、前記副壁は、シリコーン系樹脂を含まない感光性有機材料からなる、としてもよい。
また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、本開示のいずれかの態様に係る有機ＥＬ表示パネルを備える、としてもよい。
また、前記副壁は、シリコーン系樹脂を含まない感光性有機材料からなる、としてもよい。
また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、本開示のいずれかの態様に係る有機ＥＬ表示パネルを備える、としてもよい。
≪実施の形態≫
１．有機ＥＬ表示パネルの概略構成
本発明の一態様である有機ＥＬ表示パネルについて説明する。
図１は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の部分断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、３つの色（赤色、緑色、青色）を発光する有機ＥＬ素子１（Ｒ）、１（Ｇ）、１（Ｂ）で構成される画素を複数備えている。
１．有機ＥＬ表示パネルの概略構成
本発明の一態様である有機ＥＬ表示パネルについて説明する。
図１は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の部分断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、３つの色（赤色、緑色、青色）を発光する有機ＥＬ素子１（Ｒ）、１（Ｇ）、１（Ｂ）で構成される画素を複数備えている。
有機ＥＬ表示パネル１００において、各有機ＥＬ素子１は、前方（図１における紙面上方）に光を出射するいわゆるトップエミッション型である。
有機ＥＬ素子１（Ｒ）と、有機ＥＬ素子１（Ｇ）と、有機ＥＬ素子１（Ｂ）は、ほぼ同様の構成を有するので、区別しないときは、有機ＥＬ素子１として説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、基板１１、層間絶縁層１２、画素電極１３、隔壁１４、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９、対向電極２０、および、封止層２１を備える。なお、基板１１、層間絶縁層１２、電子輸送層１８、電子注入層１９、対向電極２０、および、封止層２１は、画素ごとに形成されているのではなく、有機ＥＬ表示パネル１００が備える複数の有機ＥＬ素子１に共通して形成されている。
有機ＥＬ素子１（Ｒ）と、有機ＥＬ素子１（Ｇ）と、有機ＥＬ素子１（Ｂ）は、ほぼ同様の構成を有するので、区別しないときは、有機ＥＬ素子１として説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、基板１１、層間絶縁層１２、画素電極１３、隔壁１４、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９、対向電極２０、および、封止層２１を備える。なお、基板１１、層間絶縁層１２、電子輸送層１８、電子注入層１９、対向電極２０、および、封止層２１は、画素ごとに形成されているのではなく、有機ＥＬ表示パネル１００が備える複数の有機ＥＬ素子１に共通して形成されている。
図２は、有機ＥＬ表示パネル１００の模式平面図である。図２に示すように、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００は、所謂ラインバンク構造を採用している。すなわち、有機ＥＬ表示パネル１００は、各々がＸ方向に長尺で、Ｙ方向に互いに間隔をあけて配置された複数上の隔壁１４と、各々がＹ方向に長尺で、Ｘ方向にたがいに間隔をあけて配置された複数上の副壁１４ｂとを備える。なお、図１は、図２のＡ−Ａ断面図に相当する。
隣接する一対の隔壁１４と、隣接する一対の副壁１４ｂとで規定される領域に、有機ＥＬ素子１（Ｒ）、１（Ｇ）、１（Ｂ）のいずれかが形成され、そのそれぞれがサブピクセルとなる。各サブピクセルのＹ方向の長さは、例えば、３００μｍである。
以下、有機ＥＬ表示パネル１００の各部構成について説明する。
＜基板＞
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリサルホン（ＰＳｕ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。これらよりプロセス温度に対して耐久性を有するように選択し、１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
以下、有機ＥＬ表示パネル１００の各部構成について説明する。
＜基板＞
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリサルホン（ＰＳｕ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。これらよりプロセス温度に対して耐久性を有するように選択し、１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
＜層間絶縁層＞
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。また、図１の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２には、画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。また、図１の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２には、画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
＜画素電極＞
画素電極１３は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
本実施形態においては、画素電極１３は、陽極として機能する。
画素電極１３は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
本実施形態においては、画素電極１３は、陽極として機能する。
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。
画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
＜隔壁＞
隔壁１４は、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。画素電極１３上面において隔壁１４で被覆されていない領域（以下、「開口部」という）は、サブピクセルに対応している。すなわち、隔壁１４は、サブピクセルごとに設けられた開口部１４ａを有する。
＜隔壁＞
隔壁１４は、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。画素電極１３上面において隔壁１４で被覆されていない領域（以下、「開口部」という）は、サブピクセルに対応している。すなわち、隔壁１４は、サブピクセルごとに設けられた開口部１４ａを有する。
本実施の形態において、隔壁１４は、画素電極１３が形成されていない部分では、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、画素電極１３が形成されていない部分では、隔壁１４の底面は層間絶縁層１２の上面と接している。
隔壁１４は、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能する。隔壁１４は、上面である頂部１４２がフッ素を含有する絶縁性の有機材料からなり、開口部１４ａに面している２つの側壁部１４１、１４３の表面がシリコーン系化合物を含有するコーティング材もしくはシリコーン系樹脂からなる。シリコーン系化合物を含有する材料としては、シランカップリング剤やシリコーン系界面活性剤などを含むコーティング材、もしくはこれらが添加してなる樹脂などを例示することができる。シリコーン系樹脂としては、具体的には、ポリシロキサンや、ジメチルポリシロキサン、ポリイミドシロキサンなどの有機ポリシロキサン、側鎖にシリコーン系化合物を重合させたシリコーン変性アクリル樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、シリコーン変性オレフィン樹脂などシリコーン変性樹脂が挙げられる。
隔壁１４は、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能する。隔壁１４は、上面である頂部１４２がフッ素を含有する絶縁性の有機材料からなり、開口部１４ａに面している２つの側壁部１４１、１４３の表面がシリコーン系化合物を含有するコーティング材もしくはシリコーン系樹脂からなる。シリコーン系化合物を含有する材料としては、シランカップリング剤やシリコーン系界面活性剤などを含むコーティング材、もしくはこれらが添加してなる樹脂などを例示することができる。シリコーン系樹脂としては、具体的には、ポリシロキサンや、ジメチルポリシロキサン、ポリイミドシロキサンなどの有機ポリシロキサン、側鎖にシリコーン系化合物を重合させたシリコーン変性アクリル樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、シリコーン変性オレフィン樹脂などシリコーン変性樹脂が挙げられる。
＜副壁＞
副壁１４ｂは、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。副壁１４ｂの延伸する方向は、隔壁１４が延伸する方向と直交している。副壁１４ｂのそれぞれは、複数の開口部１４ａにわたって形成されており、開口部１４ａ内において、隣接する画素電極１３を区画している。
副壁１４ｂは、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。副壁１４ｂの延伸する方向は、隔壁１４が延伸する方向と直交している。副壁１４ｂのそれぞれは、複数の開口部１４ａにわたって形成されており、開口部１４ａ内において、隣接する画素電極１３を区画している。
本実施の形態において、副壁１４ｂは、画素電極１３が形成されていない部分では、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、画素電極１３が形成されていない部分では、副壁１４ｂの底面は層間絶縁層１２の上面と接している。
副壁１４ｂは、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクの列方向（Ｙ方向）への流動を規制するためのものである。副壁１４ｂの形状は、四角錐台上であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状である。また、層間絶縁層１２からの副壁１４ｂの高さは、層間絶縁層１２からの隔壁１４の高さよりも低い。副壁１４ｂは、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、副壁１４ｂの表面はフッ素系化合物およびフッ素系樹脂を含まず、また、シリコーン系化合物およびシリコーン系樹脂も含まない。
副壁１４ｂは、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクの列方向（Ｙ方向）への流動を規制するためのものである。副壁１４ｂの形状は、四角錐台上であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状である。また、層間絶縁層１２からの副壁１４ｂの高さは、層間絶縁層１２からの隔壁１４の高さよりも低い。副壁１４ｂは、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、副壁１４ｂの表面はフッ素系化合物およびフッ素系樹脂を含まず、また、シリコーン系化合物およびシリコーン系樹脂も含まない。
＜正孔注入層＞
正孔注入層１５は、画素電極１３から発光層１７への正孔（ホール）の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５の材料の具体例としては、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料が挙げられる。
正孔注入層１５は、画素電極１３から発光層１７への正孔（ホール）の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５の材料の具体例としては、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料が挙げられる。
なお、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物で形成してもよい。遷移金属の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などである。遷移金属は複数の酸化数を取るため、複数の準位を取ることができ、その結果、正孔注入が容易になり、駆動電圧の低減に寄与するからである。この場合、正孔注入層１５は、大きな仕事関数を有することが好ましい。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層１５から発光層１７へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層１６を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層１５から発光層１７へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層１６を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。
また、正孔輸送層１６はトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンゼン誘導体を用いて形成されてもよい。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物等を用いてもよい。この場合、正孔輸送層１６は、真空蒸着法により形成される。
＜発光層＞
発光層１７は、開口部１４ａ内に形成されている。発光層１７は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。
発光層１７に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層１７は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。
発光層１７は、開口部１４ａ内に形成されている。発光層１７は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。
発光層１７に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層１７は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。
＜電子輸送層＞
電子輸送層１８は、複数の画素に共通して発光層１７および隔壁１４上に形成されており、対向電極２０から注入された電子を発光層１７へと輸送する機能を有する。電子輸送層１８は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
電子輸送層１８は、複数の画素に共通して発光層１７および隔壁１４上に形成されており、対向電極２０から注入された電子を発光層１７へと輸送する機能を有する。電子輸送層１８は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
＜電子注入層＞
電子注入層１９は、電子輸送層１８上に複数の画素に共通して設けられており、対向電極２０から発光層１７への電子の注入を促進させる機能を有する。
電子注入層１９は、例えば、電子輸送性を有する有機材料に、電子注入性を向上させる金属材料がドープされてなる。ここで、ドープとは、金属材料の金属原子または金属イオンを有機材料中に略均等に分散させることを指し、具体的には、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相を形成することを指す。なお、それ以外の相、特に、金属片や金属膜など、金属材料のみからなる相、または、金属材料を主成分とする相は、存在していないことが好ましい。また、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相において、金属原子または金属イオンの濃度は均一であることが好ましく、金属原子または金属イオンは凝集していないことが好ましい。金属材料としては、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されることが好ましく、ＢａまたはＬｉがより好ましい。本実施の形態では、Ｂａが選択される。また、電子注入層１９における金属材料のドープ量は５〜４０ｗｔ％が好ましい。本実施の形態では、２０ｗｔ％である。電子輸送性を有する有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
電子注入層１９は、電子輸送層１８上に複数の画素に共通して設けられており、対向電極２０から発光層１７への電子の注入を促進させる機能を有する。
電子注入層１９は、例えば、電子輸送性を有する有機材料に、電子注入性を向上させる金属材料がドープされてなる。ここで、ドープとは、金属材料の金属原子または金属イオンを有機材料中に略均等に分散させることを指し、具体的には、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相を形成することを指す。なお、それ以外の相、特に、金属片や金属膜など、金属材料のみからなる相、または、金属材料を主成分とする相は、存在していないことが好ましい。また、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相において、金属原子または金属イオンの濃度は均一であることが好ましく、金属原子または金属イオンは凝集していないことが好ましい。金属材料としては、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されることが好ましく、ＢａまたはＬｉがより好ましい。本実施の形態では、Ｂａが選択される。また、電子注入層１９における金属材料のドープ量は５〜４０ｗｔ％が好ましい。本実施の形態では、２０ｗｔ％である。電子輸送性を有する有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
なお、電子注入層１９は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属から選択される金属のフッ化物層を発光層１７側に有していてもよい。
＜対向電極＞
対向電極２０は、複数の画素に共通して電子注入層１９上に形成されており、陰極として機能する。
＜対向電極＞
対向電極２０は、複数の画素に共通して電子注入層１９上に形成されており、陰極として機能する。
対向電極２０は、透光性と導電性とを兼ね備えており、金属材料で形成された金属層、金属酸化物で形成された金属酸化物層のうち少なくとも一方を含んでいる。透光性を確保するため、金属層の膜厚は１ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム−銀合金（ＭｇＡｇ）、インジウム−銀合金が挙げられる。Ａｇは、基本的に低抵抗率を有し、Ａｇ合金は、耐熱性、耐腐食性に優れ、長期にわたって良好な電気伝導性を維持できる点で好ましい。Ａｌ合金としては、マグネシウム−アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム−アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）が挙げられる。その他の合金として、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金が挙げられる。金属酸化物層の材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）が挙げられる。
陰極は、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。
＜封止層＞
対向電極２０の上には、封止層２１が設けられている。封止層２１は、基板１１の反対側から不純物（水、酸素）が対向電極２０、電子注入層１９、電子輸送層１８、発光層１７等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。封止層２１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
＜封止層＞
対向電極２０の上には、封止層２１が設けられている。封止層２１は、基板１１の反対側から不純物（水、酸素）が対向電極２０、電子注入層１９、電子輸送層１８、発光層１７等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。封止層２１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
本実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネル１００がトップエミッション型であるため、封止層２１は光透過性の材料で形成されることが必要となる。
＜その他＞
なお図１には示されないが、封止層２１の上に、封止樹脂を介してカラーフィルタや上部基板を貼り合せてもよい。上部基板を貼り合せることによって、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９、対向電極２０を水分および空気などから保護できる。
＜その他＞
なお図１には示されないが、封止層２１の上に、封止樹脂を介してカラーフィルタや上部基板を貼り合せてもよい。上部基板を貼り合せることによって、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９、対向電極２０を水分および空気などから保護できる。
＜実施の形態に係る隔壁の効果＞
以下、模式図を用いて、実施の形態に係る隔壁１４と、他の構造を有する隔壁との差異について説明する。図３は、実施例および比較例における発光層材料の塗布過程を示す模式断面図である。なお、図中の左右方向はＸ方向、上下方向はＺ方向に対応する。
図３（ａ）は、頂部表面の撥液性が低い隔壁８１４を有する基板上にインク８１７０を塗布した状態を示す模式断面図である。図３（ａ）に示すように、隔壁８１４の頂部８４２の撥液性が低いと、塗布されたインク８１７０が隔壁８１４の頂部８４２を乗り越え濡れ拡がり混合することがある。機能層の材料インクにおいてこのような混合が起きると、隔壁８１７０の右側に塗布したインクが左側に移動、またはその逆が発生することにより、ピクセルごとにインク量の増減が発生しうる。また、隔壁８１４の頂部８４２においてインクが乾燥すると、インク量の減少が発生する。結果、機能層の膜厚が所望の膜厚とならず、ばらつきが発生し、製造不良が生じる。また、発光色が異なる発光層の材料インクにおいてこのような混合が起きると、発光材料の混合によって、有機ＥＬ発光素子の発光強度や発光色が所望のものとならず、製造不良となる。
以下、模式図を用いて、実施の形態に係る隔壁１４と、他の構造を有する隔壁との差異について説明する。図３は、実施例および比較例における発光層材料の塗布過程を示す模式断面図である。なお、図中の左右方向はＸ方向、上下方向はＺ方向に対応する。
図３（ａ）は、頂部表面の撥液性が低い隔壁８１４を有する基板上にインク８１７０を塗布した状態を示す模式断面図である。図３（ａ）に示すように、隔壁８１４の頂部８４２の撥液性が低いと、塗布されたインク８１７０が隔壁８１４の頂部８４２を乗り越え濡れ拡がり混合することがある。機能層の材料インクにおいてこのような混合が起きると、隔壁８１７０の右側に塗布したインクが左側に移動、またはその逆が発生することにより、ピクセルごとにインク量の増減が発生しうる。また、隔壁８１４の頂部８４２においてインクが乾燥すると、インク量の減少が発生する。結果、機能層の膜厚が所望の膜厚とならず、ばらつきが発生し、製造不良が生じる。また、発光色が異なる発光層の材料インクにおいてこのような混合が起きると、発光材料の混合によって、有機ＥＬ発光素子の発光強度や発光色が所望のものとならず、製造不良となる。
したがって、隔壁の頂部が撥液性を有することが好ましい。従来、隔壁の頂部に撥液性を付与するため、隔壁の表面全体に撥液性を付与することが行われている。具体的には、例えば、ＣＦ4のプラズマ処理等によりフッ素化処理を施すこと、あるいは、フッ素系化合物を含有するコーティング材、もしくはフッ素系樹脂でコーティングする、など、表面全体を処理する方法が用いられている。または、例えば、隔壁材料としてフッ素含有樹脂を用いる方法が用いられている。図３（ｂ）は、隔壁表面１４２が撥液性を備える基板上にインク９１７０を塗布した状態を示す模式断面図である。フッ素含有樹脂上ではインクの移動と濡れ拡がりが抑止されるため、インク９１７０は隔壁の頂部を濡れ拡がることがない。そのため、インク９１７０が隔壁を越えることはなく、インクの混合に起因する製造不良を抑止することができる。
しかしながら、上述したように、フッ素含有樹脂上ではインクで一旦濡れると、インクはその場所にとどまりやすく、そのまま乾燥する。そのため、インクが乾燥してその体積が減少しても、隔壁側壁とインクとの接触位置が画素電極１３側に下がってこない、という濡れ上がり現象が生じる。そのため、図３（ｃ）の模式図に示すように、発光層９１７の端部９１７２は、発光層９１７の体積ではなく乾燥前のインク９１７０の体積に依存した、画素電極１３から過度にピンニング位置が高い位置となる。結果、発光層９１７の上面９１７２は、端部が隔壁側壁に沿ってせり上がり、中央部が窪んだ形状となる。そのため、発光層９１７の膜厚が均一とならない、という課題が生じる。
これに対し、実施の形態に係る隔壁では、頂部の表面がフッ素系化合物を含んでなるか、もしくはフッ素系樹脂で、かつ、隔壁側壁の表面がシリコーン系化合物を含有するか、シリコーン系樹脂で形成する。そのため、隔壁の頂部表面は、図３（ｂ）の模式図と同様、インクの混合に起因する製造不良を抑止することができる。その一方、隔壁側壁の表面がシリコーン系化合物を含有か、もしくはシリコーン系樹脂からなるため、濡れあがり現象が抑止される。これは、シリコーン系化合物もしくはシリコーン系樹脂上ではインクの濡れ拡がりが抑止されるものの、インクの付着性が弱く、その位置を容易に変化させるからである。そのため、インクが乾燥してその体積が減少したとき、隔壁側壁とインクとの接触位置もインクの液面とともに画素電極１３側である下方向に移動する。結果、図３（ｄ）に示すように、発光層１７の端部１７２がせり上がることなく、上面１７１が平坦となるように発光層１７が形成される。
以上説明したように、実施の形態に係る隔壁構造は、発光層および／または機能層を塗布法で形成時、インクをあふれ出させない構造物として好適である上、膜厚を均一化して有機ＥＬ素子の特性向上においても好適である。
２．有機ＥＬ素子１の製造方法
＜隔壁の製造方法＞
次に、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法について、図面を用い説明する。
２．有機ＥＬ素子１の製造方法
＜隔壁の製造方法＞
次に、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法について、図面を用い説明する。
まず、隔壁１４の製造方法について、詳細に説明する。図４、図５は、隔壁１４の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図６は、隔壁１４の製造方法を示すフローチャートである。
（１）第１レジスト層１４４０、第２レジスト層１４５０の形成
図１２（ｄ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２、画素電極１３を形成する（詳細は後述する）。次に、図４（ａ）に示すように、層間絶縁層１２と画素電極１３とを覆うように第１レジスト層１４４０と第２レジスト層１４５０とを形成する（ステップＳ１１０）。第１レジスト層１４４０、第２レジスト層１４５０のそれぞれは、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が用いられる。具体的には、例えば、隔壁用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、ＰＧＭＥＡや乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。なお、第１レジスト層１４４０と第２レジスト層１４５０の材料は異なり、第１レジスト層１４４０は、第２レジスト層１４５０の露光により反応せず、かつ、第２レジスト層１４５０の現像液に溶解しない材料を用いる。また、第１レジスト層１４４０は画素電極１３の表面全体を覆い、かつ、上面が平坦であればよく、その膜厚は薄いことが好ましい。
（１）第１レジスト層１４４０、第２レジスト層１４５０の形成
図１２（ｄ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２、画素電極１３を形成する（詳細は後述する）。次に、図４（ａ）に示すように、層間絶縁層１２と画素電極１３とを覆うように第１レジスト層１４４０と第２レジスト層１４５０とを形成する（ステップＳ１１０）。第１レジスト層１４４０、第２レジスト層１４５０のそれぞれは、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が用いられる。具体的には、例えば、隔壁用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、ＰＧＭＥＡや乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。なお、第１レジスト層１４４０と第２レジスト層１４５０の材料は異なり、第１レジスト層１４４０は、第２レジスト層１４５０の露光により反応せず、かつ、第２レジスト層１４５０の現像液に溶解しない材料を用いる。また、第１レジスト層１４４０は画素電極１３の表面全体を覆い、かつ、上面が平坦であればよく、その膜厚は薄いことが好ましい。
（２）フッ素コート材料層１４２０の形成
次に、図４（ｂ）に示すように、第２レジスト層１４５０上に、フッ素コート層１４２の材料であるフッ素含有樹脂を塗布し、フッ素コート材料層１４２０を形成する（ステップＳ１２０）。フッ素コート材料層１４２０は、フッ素含有樹脂を溶媒に溶解させた溶液を第２レジスト層１４５０上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
次に、図４（ｂ）に示すように、第２レジスト層１４５０上に、フッ素コート層１４２の材料であるフッ素含有樹脂を塗布し、フッ素コート材料層１４２０を形成する（ステップＳ１２０）。フッ素コート材料層１４２０は、フッ素含有樹脂を溶媒に溶解させた溶液を第２レジスト層１４５０上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
（３）第２レジスト層１４５０、フッ素コート材料層１４２０の成形
次に、図４（ｃ）に示すように、フォトマスク２０１を用いて第２レジスト層１４５０をパターン露光する（ステップＳ１３０）。続けて、図４（ｄ）に示すように、現像によって未硬化の第２レジスト層１４５０とその直上のフッ素コート材料層１４２０を取り除くことで（ステップＳ１４０）、隔壁土台部１４５と、隔壁土台部１４５上のフッ素コート層１４２を形成する。
次に、図４（ｃ）に示すように、フォトマスク２０１を用いて第２レジスト層１４５０をパターン露光する（ステップＳ１３０）。続けて、図４（ｄ）に示すように、現像によって未硬化の第２レジスト層１４５０とその直上のフッ素コート材料層１４２０を取り除くことで（ステップＳ１４０）、隔壁土台部１４５と、隔壁土台部１４５上のフッ素コート層１４２を形成する。
（４）シリコーンコート材料層１４１０の形成
次に、図５（ａ）に示すように、マスクを用いて、隔壁土台部１４５上と、隣接する隔壁土台部１４５間の第１レジスト層１４４０上に、シリコーンコート材料層１４１０を形成する（ステップＳ１５０）。シリコーンコート材料層１４１０は、フッ素コート層１４２上をマスクした後、シリコーン系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を、隔壁土台部１４５上および第１レジスト層１４４０上に塗布することにより形成される。
次に、図５（ａ）に示すように、マスクを用いて、隔壁土台部１４５上と、隣接する隔壁土台部１４５間の第１レジスト層１４４０上に、シリコーンコート材料層１４１０を形成する（ステップＳ１５０）。シリコーンコート材料層１４１０は、フッ素コート層１４２上をマスクした後、シリコーン系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を、隔壁土台部１４５上および第１レジスト層１４４０上に塗布することにより形成される。
（５）第１レジスト層１４４０、シリコーンコート材料層１４１０の成形
次に、図５（ｂ）に示すように、フォトマスク２０２を用いて第１レジスト層１４４０をパターン露光する（ステップＳ１６０）。続けて、図５（ｃ）に示すように、現像によって未硬化の第１レジスト層１４４０とその直上のシリコーンコート材料層１４１０を取り除くことで（ステップＳ１７０）、隔壁土台部１４５の側面のみに、シリコーンコート層１４１および１４３を形成する。これにより、隔壁１４が完成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、フォトマスク２０２を用いて第１レジスト層１４４０をパターン露光する（ステップＳ１６０）。続けて、図５（ｃ）に示すように、現像によって未硬化の第１レジスト層１４４０とその直上のシリコーンコート材料層１４１０を取り除くことで（ステップＳ１７０）、隔壁土台部１４５の側面のみに、シリコーンコート層１４１および１４３を形成する。これにより、隔壁１４が完成する。
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、隔壁の頂部がフッ素系化合物を含有するか、もしくはフッ素系樹脂で形成され、隔壁の側壁の表面がシリコーン系化合物を含有するか、もしくはシリコーン系樹脂からなることを特徴とする。この特徴により、隔壁の頂部がインクの乗り越えを抑止する撥液性を有するとともに、隔壁の側面ではインクの付着性が弱いため、均質な膜厚の機能層や発光層を形成することができる。
＜変形例１＞
以下、隔壁１４の他の製造方法について、詳細に説明する。図７、図８は、隔壁１４の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図９は、隔壁１４の製造方法を示すフローチャートである。
（１）シリコーン材料層１４６０の形成
図１２（ｄ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２、画素電極１３を形成する（詳細は後述する）。次に、図７（ａ）に示すように、層間絶縁層１２と画素電極１３とを覆うようにシリコーン材料層１４６０を形成する（ステップＳ２１０）。具体的には、例えば、シリコーン系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
以下、隔壁１４の他の製造方法について、詳細に説明する。図７、図８は、隔壁１４の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図９は、隔壁１４の製造方法を示すフローチャートである。
（１）シリコーン材料層１４６０の形成
図１２（ｄ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２、画素電極１３を形成する（詳細は後述する）。次に、図７（ａ）に示すように、層間絶縁層１２と画素電極１３とを覆うようにシリコーン材料層１４６０を形成する（ステップＳ２１０）。具体的には、例えば、シリコーン系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
（２）フッ素コート材料層１４２０の形成
次に、図７（ｂ）に示すように、シリコーン材料層１４６０上に、フッ素コート層１４２の材料であるフッ素含有樹脂を塗布し、フッ素コート材料層１４２０を形成する（ステップＳ１２０）。フッ素コート材料層１４２０は、フッ素含有樹脂を溶媒に溶解させた溶液をシリコーン材料層１４６０上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
次に、図７（ｂ）に示すように、シリコーン材料層１４６０上に、フッ素コート層１４２の材料であるフッ素含有樹脂を塗布し、フッ素コート材料層１４２０を形成する（ステップＳ１２０）。フッ素コート材料層１４２０は、フッ素含有樹脂を溶媒に溶解させた溶液をシリコーン材料層１４６０上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
（３）フォトレジスト層２９０の形成
次に、図７（ｃ）に示すように、フッ素コート材料層１４２０上にフォトレジスト層２９０を形成する（ステップＳ２３０）。フォトレジスト層２９０は、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が用いられる。具体的には、例えば、隔壁用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液をフッ素コート材料層１４２０上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。このとき、フッ素コート材料層１４２０上にフォトレジスト層２９０を塗布するためには、フォトレジスト層溶液にフッ素系界面活性剤を適宜添加することで可能となる。
次に、図７（ｃ）に示すように、フッ素コート材料層１４２０上にフォトレジスト層２９０を形成する（ステップＳ２３０）。フォトレジスト層２９０は、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が用いられる。具体的には、例えば、隔壁用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液をフッ素コート材料層１４２０上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。このとき、フッ素コート材料層１４２０上にフォトレジスト層２９０を塗布するためには、フォトレジスト層溶液にフッ素系界面活性剤を適宜添加することで可能となる。
（４）パターニング
次に、図７（ｄ）に示すように、フォトマスク２０１を用いてフォトレジスト層２２０をパターン露光する（ステップＳ２４０）。続けて、図８（ａ）に示すように、現像によって未硬化のフォトレジスト層２２０を取り除きレジストマスク２９を形成する（ステップＳ２５０）。
次に、図７（ｄ）に示すように、フォトマスク２０１を用いてフォトレジスト層２２０をパターン露光する（ステップＳ２４０）。続けて、図８（ａ）に示すように、現像によって未硬化のフォトレジスト層２２０を取り除きレジストマスク２９を形成する（ステップＳ２５０）。
（５）フッ素コート層１４２の成形
次に、図８（ｂ）に示すように、レジストマスク２９間に露出したフッ素コート材料層１４２０をエッチングにより除去し、レジストマスク２９直下にフッ素コート層１４２を形成する（ステップＳ２５０）。エッチングの方法としては、ガスを用いたドライエッチングでもよいし、溶剤を用いたウェットエッチングでもよい。
次に、図８（ｂ）に示すように、レジストマスク２９間に露出したフッ素コート材料層１４２０をエッチングにより除去し、レジストマスク２９直下にフッ素コート層１４２を形成する（ステップＳ２５０）。エッチングの方法としては、ガスを用いたドライエッチングでもよいし、溶剤を用いたウェットエッチングでもよい。
（６）隔壁土台部１４６の形成
次に、図８（ｃ）に示すように、フッ素コート層１４２間に露出したシリコーン材料層１４６０をエッチングにより除去し、フッ素コート層１４２直下に隔壁土台部１４６を形成する（ステップ２７０）。隔壁土台部１４６はその全体がシリコーン系樹脂からなるため、当然にその側壁表面もシリコーン系樹脂からなる。
次に、図８（ｃ）に示すように、フッ素コート層１４２間に露出したシリコーン材料層１４６０をエッチングにより除去し、フッ素コート層１４２直下に隔壁土台部１４６を形成する（ステップ２７０）。隔壁土台部１４６はその全体がシリコーン系樹脂からなるため、当然にその側壁表面もシリコーン系樹脂からなる。
（７）レジストマスク２９の除去
最後に、図８（ｄ）に示すように、レジストマスク２９を除去して（ステップＳ２８０）、隔壁１４が完成する。このように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、隔壁の頂部がフッ素を含み、隔壁の側壁の表面がシリコーン系樹脂からなることを特徴とする。この特徴により、隔壁の頂部がインクの乗り越えを抑止する撥液性を有するとともに、隔壁の側面ではインクの付着性が弱いため、均質な膜厚の機能層や発光層を形成することができる。
最後に、図８（ｄ）に示すように、レジストマスク２９を除去して（ステップＳ２８０）、隔壁１４が完成する。このように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、隔壁の頂部がフッ素を含み、隔壁の側壁の表面がシリコーン系樹脂からなることを特徴とする。この特徴により、隔壁の頂部がインクの乗り越えを抑止する撥液性を有するとともに、隔壁の側面ではインクの付着性が弱いため、均質な膜厚の機能層や発光層を形成することができる。
＜変形例２＞
以下、隔壁１４の他の製造方法について、詳細に説明する。図１０は、隔壁１４の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図１１は、隔壁１４の製造方法を示すフローチャートである。
（１）シリコーンレジスト層１４７０の形成
図１２（ｄ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２、画素電極１３を形成する（詳細は後述する）。次に、図１０（ａ）に示すように、層間絶縁層１２と画素電極１３とを覆うようにシリコーンレジスト層１４７０を形成する（ステップＳ３１０）。シリコーンレジスト層１４７０は、感光性材料であるシリコーン系樹脂が用いられる。具体的には、例えば、シリコーン系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
以下、隔壁１４の他の製造方法について、詳細に説明する。図１０は、隔壁１４の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図１１は、隔壁１４の製造方法を示すフローチャートである。
（１）シリコーンレジスト層１４７０の形成
図１２（ｄ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２、画素電極１３を形成する（詳細は後述する）。次に、図１０（ａ）に示すように、層間絶縁層１２と画素電極１３とを覆うようにシリコーンレジスト層１４７０を形成する（ステップＳ３１０）。シリコーンレジスト層１４７０は、感光性材料であるシリコーン系樹脂が用いられる。具体的には、例えば、シリコーン系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
（２）フッ素コート材料層１４２０の形成
次に、図１０（ｂ）に示すように、シリコーンレジスト層１４７０上に、フッ素コート層１４２の材料であるフッ素含有樹脂を塗布し、フッ素コート材料層１４２０を形成する（ステップＳ１２０）。フッ素コート材料層１４２０は、フッ素含有樹脂を溶媒に溶解させた溶液をシリコーン材料層１４６０上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
次に、図１０（ｂ）に示すように、シリコーンレジスト層１４７０上に、フッ素コート層１４２の材料であるフッ素含有樹脂を塗布し、フッ素コート材料層１４２０を形成する（ステップＳ１２０）。フッ素コート材料層１４２０は、フッ素含有樹脂を溶媒に溶解させた溶液をシリコーン材料層１４６０上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
（３）パターニング
次に、図１０（ｃ）に示すように、フォトマスク２０１を用いてシリコーンレジスト層１４７０をパターン露光する（ステップＳ３３０）。
（４）隔壁土台部１４７の成形
次に、図１０（ｄ）に示すように、現像によって未硬化のシリコーンレジスト層１４７０とその直上のフッ素コート材料層１４２０を取り除くことで（ステップＳ３４０）、隔壁土台部１４７と、隔壁土台部１４７上のフッ素コート層１４２を形成する。これにより、隔壁１４が完成する。
次に、図１０（ｃ）に示すように、フォトマスク２０１を用いてシリコーンレジスト層１４７０をパターン露光する（ステップＳ３３０）。
（４）隔壁土台部１４７の成形
次に、図１０（ｄ）に示すように、現像によって未硬化のシリコーンレジスト層１４７０とその直上のフッ素コート材料層１４２０を取り除くことで（ステップＳ３４０）、隔壁土台部１４７と、隔壁土台部１４７上のフッ素コート層１４２を形成する。これにより、隔壁１４が完成する。
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、隔壁の頂部がフッ素を含み、隔壁の側壁の表面がシリコーン系樹脂からなることを特徴とする。この特徴により、隔壁の頂部がインクの乗り越えを抑止する撥液性を有するとともに、隔壁の側面ではインクの付着性が弱いため、均質な膜厚の機能層や発光層を形成することができる。
＜変形例３＞
以下、隔壁１４の他の製造方法について、詳細に説明する。本変形例は、変形例２とシリコーンレジスト層の材料とフッ素系化合物層の形成方法のみが異なり、それ以外の構成については変形例２と同様である。そのため、変形例２に係る模式断面図である図１０とフローチャートである図１２をそのまま用いて説明する。
＜変形例３＞
以下、隔壁１４の他の製造方法について、詳細に説明する。本変形例は、変形例２とシリコーンレジスト層の材料とフッ素系化合物層の形成方法のみが異なり、それ以外の構成については変形例２と同様である。そのため、変形例２に係る模式断面図である図１０とフローチャートである図１２をそのまま用いて説明する。
（１）シリコーンレジスト層１４７０の形成
図１２（ｄ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２、画素電極１３を形成する（詳細は後述する）。次に、図１０（ａ）に示すように、層間絶縁層１２と画素電極１３とを覆うようにシリコーンレジスト層１４７０を形成する（ステップＳ３１０）。シリコーンレジスト層１４７０は、シロキサン樹脂や感光性ポリイミドシロキサンなどの感光性を有するシリコーン系樹脂が用いられる。具体的には、例えば、感光性シリコーン系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。この感光性シリコーン系樹脂を溶媒に溶解した溶液中にフッ素系界面活性剤をあらかじめ添加しておく。
図１２（ｄ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２、画素電極１３を形成する（詳細は後述する）。次に、図１０（ａ）に示すように、層間絶縁層１２と画素電極１３とを覆うようにシリコーンレジスト層１４７０を形成する（ステップＳ３１０）。シリコーンレジスト層１４７０は、シロキサン樹脂や感光性ポリイミドシロキサンなどの感光性を有するシリコーン系樹脂が用いられる。具体的には、例えば、感光性シリコーン系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。この感光性シリコーン系樹脂を溶媒に溶解した溶液中にフッ素系界面活性剤をあらかじめ添加しておく。
（２）フッ素系化合物層１４２０の形成
フッ素系界面活性剤を添加した感光性シリコーン系樹脂を溶媒に溶解した溶液を塗布して乾燥することで、感光性シリコーン系樹脂乾燥膜の表面にフッ素系界面活性剤のブリードアウトした層を形成させる。この層が、フッ素系化合物層１４２０となる。
（３）パターニング
次に、図１０（ｃ）に示すように、フォトマスク２０１を用いてシリコーンレジスト層１４７０をパターン露光する（ステップＳ３３０）。
フッ素系界面活性剤を添加した感光性シリコーン系樹脂を溶媒に溶解した溶液を塗布して乾燥することで、感光性シリコーン系樹脂乾燥膜の表面にフッ素系界面活性剤のブリードアウトした層を形成させる。この層が、フッ素系化合物層１４２０となる。
（３）パターニング
次に、図１０（ｃ）に示すように、フォトマスク２０１を用いてシリコーンレジスト層１４７０をパターン露光する（ステップＳ３３０）。
（４）隔壁土台部の成形
次に、図１０（ｄ）に示すように、現像によって未硬化のシリコーンレジスト層１４７０を取り除くことで（ステップＳ３４０）、表面にフッ素系界面活性剤を含んでなる、隔壁土台部を形成する。これにより、隔壁１４が完成する。
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、隔壁の頂部がフッ素系化合物を含み、隔壁の側壁の表面がシリコーン系樹脂からなることを特徴とする。この特徴により、隔壁の頂部がインクの乗り越えを抑止する撥液性を有するとともに、隔壁の側面ではインクの付着性が低いため、均質な膜厚の機能層や発光層を形成することができる。
次に、図１０（ｄ）に示すように、現像によって未硬化のシリコーンレジスト層１４７０を取り除くことで（ステップＳ３４０）、表面にフッ素系界面活性剤を含んでなる、隔壁土台部を形成する。これにより、隔壁１４が完成する。
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、隔壁の頂部がフッ素系化合物を含み、隔壁の側壁の表面がシリコーン系樹脂からなることを特徴とする。この特徴により、隔壁の頂部がインクの乗り越えを抑止する撥液性を有するとともに、隔壁の側面ではインクの付着性が低いため、均質な膜厚の機能層や発光層を形成することができる。
＜その他＞
上述した隔壁の製造方法およびその変形例では、シリコーンコート層または隔壁土台部の材料としてシリコーン系樹脂を用いて形成したが、これに替えてシリコーン系化合物を含有する材料を用いても当然よい。同様に、フッ素コート層の材料として、フッ素系化合物を含有する材料を用いてもよい。
上述した隔壁の製造方法およびその変形例では、シリコーンコート層または隔壁土台部の材料としてシリコーン系樹脂を用いて形成したが、これに替えてシリコーン系化合物を含有する材料を用いても当然よい。同様に、フッ素コート層の材料として、フッ素系化合物を含有する材料を用いてもよい。
＜有機ＥＬ表示パネルの製造方法＞
次に、有機ＥＬ表示パネル１００全体の製造方法について、図面を用い説明する。図１２〜図１４は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。また、図１５は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を示すフローチャートである。
次に、有機ＥＬ表示パネル１００全体の製造方法について、図面を用い説明する。図１２〜図１４は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。また、図１５は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を示すフローチャートである。
（１）基板１１の作成
まず、図１２（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を形成し、（図１５のステップＳ１）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
次に、図１２（ｂ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する（図１５のステップＳ２）。層間絶縁層１２は、例えば、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて積層形成することができる。
まず、図１２（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を形成し、（図１５のステップＳ１）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
次に、図１２（ｂ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する（図１５のステップＳ２）。層間絶縁層１２は、例えば、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて積層形成することができる。
次に、層間絶縁層１２における、ＴＦＴ層のソース電極上の箇所にドライエッチングを行い、コンタクトホールを生成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の底面が露出されるように形成される。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層１２上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることがなされる。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層１２上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることがなされる。
（２）画素電極１３の作成
次に、図１２（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する（図１５のステップＳ３）。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
そして、図１２（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（図１５のステップＳ４）。
次に、図１２（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する（図１５のステップＳ３）。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
そして、図１２（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（図１５のステップＳ４）。
（３）副壁１４ｂの作成
次に、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、副壁１４ｂの材料である副壁用樹脂を塗布し、副壁材料層を形成する（図１５のステップＳ５）。副壁樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール樹脂が用いられる。副壁材料層は、フェノール樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、副壁材料層にパターン露光と現像を行うことで副壁１４ｂを形成する。
次に、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、副壁１４ｂの材料である副壁用樹脂を塗布し、副壁材料層を形成する（図１５のステップＳ５）。副壁樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール樹脂が用いられる。副壁材料層は、フェノール樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、副壁材料層にパターン露光と現像を行うことで副壁１４ｂを形成する。
（４）隔壁１４の作成
次に、図１２（ｅ）に示すように、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、隔壁１４を形成する（ステップＳ６）。詳細については上述したのでここでは説明を省略する。
次に、副壁１４ｂ、隔壁１４の焼成を行い（図１５のステップＳ７）、これにより、発光層１７の形成領域となる開口部１４ａが規定される。副壁１４ｂ、隔壁１４の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
次に、図１２（ｅ）に示すように、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、隔壁１４を形成する（ステップＳ６）。詳細については上述したのでここでは説明を省略する。
次に、副壁１４ｂ、隔壁１４の焼成を行い（図１５のステップＳ７）、これにより、発光層１７の形成領域となる開口部１４ａが規定される。副壁１４ｂ、隔壁１４の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
（５）正孔注入層の成膜
次に、図１３（ａ）に示すように、隔壁１４および副壁１４ｂが規定する開口部１４ａに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズル４０３０から吐出して開口部１４ａ内の画素電極１３上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（図１５のステップＳ８）。
次に、図１３（ａ）に示すように、隔壁１４および副壁１４ｂが規定する開口部１４ａに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズル４０３０から吐出して開口部１４ａ内の画素電極１３上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（図１５のステップＳ８）。
（６）正孔輸送層の成膜
次に、図１３（ｂ）に示すように、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズル４０３０から吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（図１５のステップＳ９）。
次に、図１３（ｂ）に示すように、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズル４０３０から吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（図１５のステップＳ９）。
（７）発光層の成膜
次に、図１３（ｃ）に示すように、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズル４０３０から吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、発光層１７を形成する（図１５のステップＳ１０）。
（８）電子輸送層の成膜
次に、図１４（ａ）に示すように、発光層１７上および隔壁１４上に、電子輸送層１８を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子輸送層１８を形成する（図１５のステップＳ１１）。
次に、図１３（ｃ）に示すように、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズル４０３０から吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、発光層１７を形成する（図１５のステップＳ１０）。
（８）電子輸送層の成膜
次に、図１４（ａ）に示すように、発光層１７上および隔壁１４上に、電子輸送層１８を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子輸送層１８を形成する（図１５のステップＳ１１）。
（９）電子注入層の成膜
次に、図１４（ｂ）に示すように、電子輸送層１８上に、電子注入層１９を構成する材料を、蒸着法、スピンコート法、キャスト法などの方法により電子輸送層１８上に成膜し、各サブ画素に共通して電子注入層１９を形成する（図１５のステップＳ１２）。
（１０）対向電極の成膜
次に、図１４（ｃ）に示すように、電子注入層１９上に、対向電極２０を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、対向電極２０を形成する（図１５のステップＳ１３）。
次に、図１４（ｂ）に示すように、電子輸送層１８上に、電子注入層１９を構成する材料を、蒸着法、スピンコート法、キャスト法などの方法により電子輸送層１８上に成膜し、各サブ画素に共通して電子注入層１９を形成する（図１５のステップＳ１２）。
（１０）対向電極の成膜
次に、図１４（ｃ）に示すように、電子注入層１９上に、対向電極２０を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、対向電極２０を形成する（図１５のステップＳ１３）。
（１１）封止層の成膜
最後に、図１４（ｄ）に示すように、対向電極２０上に、封止層を形成する材料をＣＶＤ法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、封止層２１を形成する（図１５のステップＳ１４）。
以上の工程を経ることにより有機ＥＬ表示パネル１００が完成する。
最後に、図１４（ｄ）に示すように、対向電極２０上に、封止層を形成する材料をＣＶＤ法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、封止層２１を形成する（図１５のステップＳ１４）。
以上の工程を経ることにより有機ＥＬ表示パネル１００が完成する。
なお、封止層２１の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。
３．有機ＥＬ表示装置の全体構成
図１６は、有機ＥＬ表示パネル１００を備えた有機ＥＬ表示装置１０００の構成を示す模式ブロック図である。図１６に示すように、有機ＥＬ表示装置１０００は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２００とを含む構成である。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０〜２４０と、制御回路２５０とから構成されている。
３．有機ＥＬ表示装置の全体構成
図１６は、有機ＥＬ表示パネル１００を備えた有機ＥＬ表示装置１０００の構成を示す模式ブロック図である。図１６に示すように、有機ＥＬ表示装置１０００は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２００とを含む構成である。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０〜２４０と、制御回路２５０とから構成されている。
なお、実際の有機ＥＬ表示装置１０００では、有機ＥＬ表示パネル１００に対する駆動制御部２００の配置については、これに限られない。
４．変形例
（１）上記実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネルはトップエミッション型であるとして、画素電極が光反射性を有し、対向電極が光透過性を有する場合について説明した。しかしながら、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルは、いわゆるボトムエミッション型であるとしてもよい。
４．変形例
（１）上記実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネルはトップエミッション型であるとして、画素電極が光反射性を有し、対向電極が光透過性を有する場合について説明した。しかしながら、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルは、いわゆるボトムエミッション型であるとしてもよい。
（２）上記実施の形態においては、有機ＥＬ素子１において正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７は全て塗布法により形成されるとしたが、少なくとも１つが塗布法で形成されればよく、それ以外の層は他の方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などにより形成されるとしてもよい。
また、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、電子輸送層１８、電子注入層１９は必ずしも上記実施の形態の構成である必要はない。いずれか１以上を備えないとしてもよいし、さらにほかの機能層を備えていてもよい。また、例えば、電子輸送層１８と電子注入層１９に替えて、単一の電子注入輸送層を備える、としてもよい。
また、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、電子輸送層１８、電子注入層１９は必ずしも上記実施の形態の構成である必要はない。いずれか１以上を備えないとしてもよいし、さらにほかの機能層を備えていてもよい。また、例えば、電子輸送層１８と電子注入層１９に替えて、単一の電子注入輸送層を備える、としてもよい。
（３）以上、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
本発明は、発光層、機能層のうち少なくとも１つを塗布法で形成する有機ＥＬ表示パネルにおいて、発光層、機能層の膜厚を均一化することにより、発光特性の優れた有機ＥＬ表示パネルを製造するのに有用である。
１ 有機ＥＬ素子
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１４ 隔壁
１４１、１４３ 側壁部
１４２ 頂部
１４５、１４６、１４７ 隔壁土台部
１４ｂ 副壁
１４ａ 開口部
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 電子輸送層
１９ 電子注入層
２０ 対向電極
１０００ 有機ＥＬ表示装置
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１４ 隔壁
１４１、１４３ 側壁部
１４２ 頂部
１４５、１４６、１４７ 隔壁土台部
１４ｂ 副壁
１４ａ 開口部
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 電子輸送層
１９ 電子注入層
２０ 対向電極
１０００ 有機ＥＬ表示装置
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に複数並設され、それぞれが一方向に延伸する複数の隔壁と、
隣り合う前記隔壁間の隔壁間隙の各々において、前記一方向に沿って配された複数の画素電極と、
前記画素電極の上方において、前記隔壁間隙を構成する前記隔壁の側壁部に接するように形成された、有機発光材料を含む有機発光層と、
前記発光層の上方に配設される対向電極と
を備え、
前記隔壁の頂部の表面はフッ素系化合物を含んでなり、または、フッ素系樹脂で形成され、かつ、前記隔壁の側壁部の少なくとも表面はシリコーン系化合物を含有し、または、シリコーン系樹脂からなる
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。 - 前記隔壁のうち、前記頂部表面を除く部分は、シリコーン系化合物を含有する材料、または、シリコーン系樹脂からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。 - 前記一方向に直交する第２方向に延伸し、前記複数の画素電極を区画する複数の副壁をさらに備え、
前記副壁の表面は、フッ素系化合物とフッ素系樹脂とのいずれも含まず、かつ、シリコーン系化合物とシリコーン系樹脂とのいずれも含まない
ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示パネル。 - 請求項１から３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルを備える有機ＥＬ表示装置。
- 基板を準備する工程と、
前記基板の上方において、互いに交差する第１方向及び第２方向に沿って複数の画素電極を形成する工程と、
前記基板の上方において、前記第２方向に前記画素電極を区画するように、前記第１方向に沿って、隔壁を複数形成する工程と、
前記画素電極の上方かつ前記隔壁間の間隙に、発光材料を含むインクを塗布することで発光層を形成する工程と、
前記発光層の上方に対向電極を形成する工程と
を含み、
前記隔壁の頂部の表面はフッ素系化合物を含んでなる材料またはフッ素系樹脂を含み、前記隔壁の側壁部の少なくとも表面はシリコーン系化合物を含有し、または、シリコーン系樹脂からなる
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。 - 前記隔壁形成工程は、
感光性有機材料を用いて隔壁材料層を形成する工程と、
前記隔壁材料層上にフッ素系化合物を含有するコーティング材またはフッ素系樹脂を塗布する工程と、
前記隔壁材料層を露光し現像して隔壁基部を形成する工程と、
前記隔壁基部の側面上にシリコーン系化合物を含有するコーティング材またはシリコーン系樹脂を塗布する工程とを含む
請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。 - 前記隔壁形成工程は、
シリコーン系樹脂を用いて隔壁材料層を形成する工程と、
前記隔壁材料層上にフッ素系化合物を含有する材料またはフッ素系樹脂を塗布する工程と、
前記隔壁材料層と前記フッ素系化合物を含有する材料またはフッ素系樹脂とをパターニングする工程とを含む
請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。 - 前記隔壁形成工程は、
感光性のシリコーン系樹脂を用いて隔壁材料層を形成する工程と、
前記隔壁材料層上にフッ素系化合物を含有する材料またはフッ素系樹脂を塗布する工程と、
前記隔壁材料層を露光し現像する工程とを含む
請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。 - 前記基板の上方において、前記第１方向に前記画素電極を区画するように、前記第２方向に沿って副壁を複数形成する工程をさらに含み、
前記副壁の表面は、フッ素系化合物およびフッ素系樹脂を含まず、かつ、シリコーン系化合物およびとシリコーン系樹脂のいずれも含まない
請求項５から８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。 - 前記副壁は、シリコーン系樹脂を含まない感光性有機材料からなる
請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017135537A JP2019021385A (ja) | 2017-07-11 | 2017-07-11 | 有機ｅｌ表示パネル、および、有機ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017135537A JP2019021385A (ja) | 2017-07-11 | 2017-07-11 | 有機ｅｌ表示パネル、および、有機ｅｌ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019021385A true JP2019021385A (ja) | 2019-02-07 |
Family
ID=65354283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017135537A Pending JP2019021385A (ja) | 2017-07-11 | 2017-07-11 | 有機ｅｌ表示パネル、および、有機ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019021385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022123371A1 (ja) * | 2020-12-07 | 2022-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネルの作製方法、及び表示パネル |
-
2017
- 2017-07-11 JP JP2017135537A patent/JP2019021385A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022123371A1 (ja) * | 2020-12-07 | 2022-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネルの作製方法、及び表示パネル |
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