JP2019212702A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記光電変換層が、ペロブスカイト化合物を含有し、かつ、
前記電子輸送層が、下記一般式(1)及び下記一般式(2)で表される構造を有する金属種の異なる少なくとも2種類の有機金属酸化物を含有することを特徴とする太陽電池(光電変換デバイス)。
一般式(1): R−[M1(OR1)y(O−)x−y]n−R
一般式(2): R−[M2(OR2)y(O−)x−y]n−R
(式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。M1は、Cu、Ag及びAuから選ばれる金属原子を表す。M2は、Ti、Zn、Sn、Al及びZrから選ばれる金属原子を表す。OR1及びOR2は、それぞれ、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度をそれぞれ表す。)
一般式(3): R−M−X3
(式中、Rは有機分子を表す。Mは金属原子を表す。Xはハロゲン原子又はカルコゲン原子を表す。)
前記電子輸送層を、金属アルコキシド又は金属カルボキシレートと、フッ化アルコールとの混合液を用いて形成する工程を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
本発明の太陽電池は、少なくとも、第1基板、第1電極、電子輸送層、光電変換層、正孔輸送層、第2電極及び第2基板を備えた太陽電池であって、前記光電変換層が、ペロブスカイト化合物を含有し、かつ、前記電子輸送層が、下記一般式(1)及び下記一般式(2)で表される構造を有する金属種の異なる少なくとも2種類の有機金属酸化物を含有することを特徴とする。
一般式(2): R−[M2(OR2)y(O−)x−y]n−R
上記一般式(1)、(2)において、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。M1は、Cu、Ag及びAuから選ばれる金属原子を表す。M2は、Ti、Zn、Sn、Al及びZrから選ばれる金属原子を表す。OR1及びOR2は、それぞれ、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度をそれぞれ表す。
〔1〕第1基板
第1基板(2)としては、強度、耐久性、光透過性があればよく、合成樹脂及びガラスなどを使用できる。合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムなどの熱可塑性樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリイミド、及びフッ素樹脂などが挙げられる。
第1電極(3)としては透明電極を用いることが好ましい、透明電極を構成する明導電層3の材料としては、例えば、スズ添加酸化インジウム(ITO)、フッ素添加酸化スズ(FTO)、酸化スズ(SnO2)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化亜鉛(ZnO)、及び高い導電性を有する高分子材料などが挙げられる。
本発明に係る電子輸送層(4)は、前記一般式(1)及び前一般式(2)で表される構造を有する金属種の異なる少なくとも2種類の有機金属酸化物を含有することを特徴とする。
本発明に係る有機金属酸化物は、下記一般式(A)で表される化合物から製造された下記一般式(1)及び一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物を主成分として含有することが好ましい。「主成分」とは、前記乾燥剤の全体の質量のうち、70質量%以上が疎水性物質を放出する前記有機金属酸化物であることが好ましく、より好ましくは80質量%以上、特に好ましくは90質量%以上であることをいう。
式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。
一般式(2): R−[M2(OR2)y(O−)x−y]n−R
式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。M1は、Cu、Ag及びAuから選ばれる金属原子を表す。M2は、Ti、Zn、Sn、Al及びZrから選ばれる金属原子を表す。OR1及びOR2は、それぞれ、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度をそれぞれ表す。
本発明に係る有機金属酸化物は、以下の反応スキームII及び反応スキームIIIに示すような反応性を示すものである。なお、焼結後の有機金属酸化物の重縮合体の構造式において、「O−M」部の「M」は、さらに置換基を有しているが、省略してある。
本発明に係る有機金属酸化物を製造する有機金属酸化物の製造方法は、金属アルコキシドとフッ化アルコールの混合液を用いて製造することが特徴である。
式(a)の測定意義は、ゾル・ゲル法により作製した有機薄膜がある量以上のフッ素原子を必要とすることを数値化するものである。上記式(a)中のF及びCは、それぞれフッ素原子及び炭素原子の濃度を表す。
本発明に係る電子輸送層の材料としては、特に上記の有機金属酸化物限定されず、例えば、N型導電性高分子、N型低分子有機半導体、N型金属酸化物、N型金属硫化物、ハロゲン化アルカリ金属、アルカリ金属、界面活性剤等を併用することができる。
電子輸送層を形成する方法としては、前記一般式(1)及び(2)で表される構造を有する有機金属酸化物を含む塗布液を調製し、第1電極上に塗布して焼結又は紫外線を照射して重縮合させながら皮膜化することで、形成することができる。
本発明に係る光電変換層(5)は、ペロブスカイト化合物を含有する。本発明において、「ペロブスカイト化合物」とは、ペロブスカイト構造を有する化合物をいう。ペロブスカイト化合物は、有機物及び無機物がペロブスカイト構造の構成要素となっているペロブスカイト化合物(有機無機ハイブリッド構造のペロブスカイト化合物)であることが好ましい。
(式中、Rは有機分子を表す。Mは金属原子を表す。Xはハロゲン原子又はカルコゲン原子を表す。)
なお、一般式(3)で表されるペロブスカイト化合物を含む部位を、以下において、有機無機ペロブスカイト化合物部位ともいう。
本発明に係る正孔(ホール)輸送層(6)の材料は、特に限定されず、例えば、P型導電性高分子、P型低分子有機半導体、P型金属酸化物、P型金属硫化物、界面活性剤等が挙げられ、具体的には、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンのポリスチレンスルホン酸付加物、カルボキシ基含有ポリチオフェン、フタロシアニン、ポルフィリン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化銅、酸化スズ、硫化モリブデン、硫化タングステン、硫化銅、硫化スズ等、フルオロ基含有ホスホン酸、カルボニル基含有ホスホン酸等が挙げられる。
本発明に係る第2電極(7)としては、例えば、ITO、IZO、IWZO、ITZO、AZO、BZO、GZO、ZnO、SnO2など酸化物電極や、Au、Ag、Ti、Zn、Mo、Ta、AgNW、Na、NaK、Li、Mg、Al、MgAg、MgIn、AlLi、CuIなどの薄膜金属や金属化合物又は有機金属が挙げられる。2種類以上の組み合わせの積層であっても構わない。
本発明の太陽電池は、封止層(8)で覆うことにより、光電変換層を含む積層体を外環境、特に水や酸素等のガスから保護して充分な耐久性を得ることができ、より光電変換効率が高く、より耐久性に優れたものとすることができる。
第2基板(10)としては、前記第1基板と同様の基板を用いることができる。
本発明の太陽電池は、その目的・使用条件等に応じて種々の構成を採りえる。例えば、第1基板と第1電極の間にガスバリア層を設けることもできる。
次の(1)〜(7)の工程を順に行い、ペロブスカイト太陽電池を作製した。
ガラス基板(第1基板)上に設けられたフッ素ドープ酸化スズ(FTO)層からなる電極(旭硝子ファブリテック株式会社製、25mm×25mm×1.8mm、以下、「FTO電極」という。)の一部をZn粉末と2mol/L塩酸水溶液でエッチングした。1質量%中性洗剤、アセトン、2−プロパノール(IPA)、イオン交換水で、この順に各10分間超音波洗浄を行った。さらに、電子輸送層形成の直前に、FTO面を上にして、FTO電極をオゾン発生装置(メイワフォーシス株式会社製オゾンクリーナー、PC−450UV)に入れ、30分間紫外線照射した。
水分濃度1ppm以下の乾燥窒素雰囲気下のグローブボックス内で、チタンテトライソプロポキシド(Ti(OiPr)4)の3質量%脱水テトラフルオロプロパノール(例示化合物F−1)溶液1を調製し、さらに酢酸銀(CH3CO2Ag)を1質量%脱水テトラフルオロプロパノール(例示化合物F−1)溶液2を調製し、その後これらをチタンテトライソプロポキシドと酢酸銀のモル比率(Ti/Ag)が1.0/0.1になるように混合・撹拌し、湿度30%の大気に1分間開放し、すぐにグローブボックス内に戻した溶液をゾル・ゲル液とした。
グローブボックス内にて、ヨウ化鉛(PbI2、ペロブスカイト前駆体用、東京化成工業株式会社製)0.114g、メチルアミンヨウ化水素酸塩(CH3NH3I、東京化成工業株式会社製)0.035g、脱水N,N−ジメチルホルムアミド(脱水DMF、和光純薬工業株式会社製)1mLを混合、室温撹拌し、0.3Mヨウ素系ペロブスカイト(CH3NH3PbI3)原料のDMF溶液(無色透明)を調製した。
ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドリチウム(LiTFSI、和光純薬工業株式会社製)9.1mg、[トリス(2−(1H−ピラゾール−1−イル)−4−tert−ブチルピリジン)コバルト(III)トリス(ビス(トリフルオロメチルスルホニル(イミド))(Co(4−tButylpyridyl−2−1H−pyrazole)3.3TFSI、和光純薬工業株式会社製)8.7mg、2,2′,7,7′−テトラキス[N,N−ジ−p−メトキシフェニルアミノ]−9,9′−スピロビフルオレン(Spiro−OMeTAD、和光純薬工業株式会社製)72.3mg、クロロベンゼン(ナカライテスク株式会社製)1mL、トリブチルホスフィン(TBP、シグマアルドリッチ製)28.8μLを混合し、室温撹拌して正孔輸送剤(HTM)溶液(黒紫色透明)を調製した。使用直前に、HTM溶液を孔径0.45μmのPTFEフィルターで濾過した。上記の光吸収層上にスピンコーター(ミカサ株式会社、MS−100)を用いてHTM溶液をスピンコートした(4000rpm×30sec)。スピンコート後すぐに70℃ホットプレート上で30分間乾燥した。乾燥後、クロロベンゼンを浸み込ませた綿棒でFTOとのコンタクト部分を拭き取った後、DMFを浸み込ませた綿棒で基板裏面全体を拭き取り、更に70℃のホットプレート上で数分間乾燥させ、正孔輸送層を形成した。
真空蒸着装置(アルバック機工株式会社製VTR−060M/ERH)を用い、真空下(4〜5×10−3Pa)、上記の正孔輸送層上に金を300nm蒸着して、第2電極を形成した。
封止層を0.1〜50Paの製膜圧力でシランガスとアンモニアガスを供給して500nmの窒化ケイ素膜をプラズマCVD法にて形成した。具体的には、第2電極まで形成した基板を10−4Pa以下に減圧した真空チャンバーに入れ、基板温度を約70℃に調整し、上記反応ガスをSiH4ガスとNH3ガス、及びH2ガスを2:1:4の割合で導入し、50Paと減圧した中で、13.56MHzの高周波電源有するプラズマCVD法にて成膜した。成膜時に基板温度が上昇するが、70℃になるよう基板冷却をコントロールしながら成膜した。これにより500nmのSiN層を形成した。
第2基板として25μmのアルミニウム箔に50μmのPETを貼合したAlPETを用い、当該ALPETをフィラーとして5〜10μmφのタルクを5質量%混入したエポキシ系熱硬化接着剤(巴川製紙所社製エレファンCS)を介して、上記封止層に貼合した。
実施例1の(2)電子輸送層の形成において、チタンテトライソプロポキシドと酢酸銀のモル比率(Ti/Ag)が1.0/0.3になるよう調製した以外は、実施例1と同様にして電子輸送層を形成した。
実施例1の(2)電子輸送層の形成において、チタンテトライソプロポキシドと酢酸銀のモル比率(Ti/Ag)が1.0/0.5になるよう調製した以外は、実施例1と同様にして電子輸送層を形成した。
実施例1の(2)電子輸送層の形成において、チタンテトライソプロポキシドと酢酸銀のモル比率(Ti/Ag)が1.0/0.9になるよう調製した以外は、実施例1と同様にして電子輸送層を形成した。
実施例1の(2)電子輸送層の形成において、酢酸銀(CH3CO2Ag)を併用しなかった以外は、実施例1と同様にして電子輸送層を形成した。
実施例1の(2)電子輸送層の形成において、テトラフルオイソロプロパノールの代わりに、プロパノールを用いた以外は、実施例1と同様にして電子輸送層を形成した。
次の(1)〜(6)の工程を順に行い、従来タイプのペロブスカイト太陽電池を作製した。
実施例1と同様にしてFTO電極を作製した。
有機バインダとしてのポリイソブチルメタクリレートと酸化チタン(平均粒子径10nmと30nmとの混合物)とを含有する酸化チタンペーストをスピンコート法により塗布した後150℃で10分間乾燥させた。その後、高圧水銀ランプ(セン特殊光源社製、HLR100T−2)を用いて、紫外線を射強度500mW/cm2で15分間照射し、酸化チタンからなる厚さ200nmの多孔質状の電子輸送層を形成した。
ヨウ化鉛をN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)に溶解させて1Mの溶液を調製し、上記多孔質状の電子輸送層上にスピンコート法によって製膜した。更に、アミン化合物としてヨウ化メチルアンモニウムを2−プロパノールに溶解させて1質量%の溶液を調製した。この溶液内に上記のヨウ化鉛を製膜したサンプルを浸漬させることによって有機無機ペロブスカイト化合物であるCH3NH3PbI3を含む層を形成した。その後、得られたサンプルに対して120℃にて30分間アニール処理を行い、光電変換層を形成した。
上記光電変換層上に、Poly(4−butylphenyl−diphenyl−amine)(1−Material社製)の1質量%クロロベンゼン溶液を、スピンコート法によって50nmの厚さに積層して正孔輸送層を形成した。
実施例1と同様に行った。
実施例1と同様に行った。
実施例1と同様に前記工程(1)〜(6)の終了後、第2基板を設けた。
フレキシブル太陽電池の電極間に、電源(KEITHLEY社製、236モデル)を接続し、300mW/cm2の強度のソーラーシミュレータ(山下電装社製)を用いて光電変換効率を測定した。得られた光電変換効率を初期変換効率とした。
ソーラーシミュレーターを用いて、入射光放射照度1000W/m2、スペクトルAir Mass(AM)1.5Gの疑似太陽光スペクトルの照射を25℃室温環境下で行った。
次に、太陽電池の寿命試験として、上記のソーラーシミュレーターを用いて、3000W/m2の光照射下の状態、かつ80℃ドライ条件で加速試験を行い、初期特性評価と同様の測定をして耐光性の評価を行った。
IEC規格に基づく、85℃・85%の条件下、上記と同様な方法で、光照射試験を3000時間行うことで、光照射による劣化特性を評価した。
2 第1基板
3 第1電極
4 電子輸送層
5 光電変換層
6 正孔輸送層
7 第2電極
8 封止層
9 接着剤層
10 第2基板
Claims (8)
- 少なくとも、第1基板、第1電極、電子輸送層、光電変換層、正孔輸送層、第2電極及び第2基板を備えた太陽電池であって、
前記光電変換層が、ペロブスカイト化合物を含有し、かつ、
前記電子輸送層が、下記一般式(1)及び下記一般式(2)で表される構造を有する金属種の異なる少なくとも2種類の有機金属酸化物を含有することを特徴とする太陽電池(光電変換デバイス)。
一般式(1): R−[M1(OR1)y(O−)x−y]n−R
一般式(2): R−[M2(OR2)y(O−)x−y]n−R
(式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。M1は、Cu、Ag及びAuから選ばれる金属原子を表す。M2は、Ti、Zn、Sn、Al及びZrから選ばれる金属原子を表す。OR1及びOR2は、それぞれ、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度をそれぞれ表す。) - 前記金属種M2を含む有機金属酸化物に対する前記金属種M1を含む有機金属酸化物の含有モル比の値(M1/M2)が、0.1〜0.9の範囲内であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
- 前記一般式(1)又は一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物が、ヨウ素ガス又は水と反応し、ヨウ素ガスを捕獲し、かつ撥水性又は疎水性化合物を放出することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の太陽電池。
- 前記ペロブスカイト化合物が、下記一般式(3)で表される構造を有することを特徴と請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の太陽電池。
一般式(3): R−M−X3
(式中、Rは有機分子を表す。Mは金属原子を表す。Xはハロゲン原子又はカルコゲン原子を表す。) - 前記電子輸送層が、少なくとも前記有機金属酸化物を含有する組成物がゾル・ゲル転移された膜からなることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の太陽電池。
- 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の太陽電池を製造する太陽電池の製造方法であって、
前記電子輸送層を、金属アルコキシド又は金属カルボキシレートと、フッ化アルコールとの混合液を用いて形成する工程を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記電子輸送層を、湿式塗布法により形成することを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記湿式塗布法が、インクジェット・プリント法であることを特徴とする請求項7に記載の太陽電池の製造方法。
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