JP2019197806A - 被加工物の加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】デバイスに与えるダメージを抑制しながらもDAFをデバイスチップ毎に分割することができる被加工物の加工方法を提供すること。【解決手段】被加工物の加工方法は、表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物を個々のデバイスに分割する方法である。被加工物の加工方法は、分割予定ラインに沿って分割溝が形成されかつ裏面にDAFが貼着された被加工物の表面側を保持テーブルに保持する保持ステップST4と、保持テーブルに保持された被加工物の分割予定ラインを検出し、裏面に貼着されたDAFが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、検出した分割予定ラインに基づいて、レーザー光線を照射して、DAFに改質層を形成するDAF改質層形成ステップST5と、分割溝の幅を拡張して、DAFを各デバイスチップ毎に分割するDAF分割ステップST6とを備える。【選択図】図3
Description
本発明は、被加工物の加工方法に関する。
半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等の被加工物を個々のデバイスチップに分割した後、デバイスチップを基板等に固定するためにDAF(Die Attach Film)が用いられてきた。DAFを用いた被加工物の加工方法は、分割予定ラインに沿って内部に改質層が形成された被加工物の裏面にDAFとエキスパンドシートを貼着した後に、エキスパンドシートを拡張して、被加工物を個々のデバイスチップに分割するとともに、DAFをデバイスチップ毎に分割する。この加工方法は、加工条件によっては、DAFが完全に分割されずに、DAFをデバイスチップ毎に分割できない虞があった。
そこで、本願の出願人は、被加工物の表面側からレーザー光線を照射して、被加工物の内部とDAFの内部との双方に改質層を形成する加工方法(例えば、特許文献1参照)を提案している。
しかしながら、特許文献1に示された加工方法は、被加工物の表面側からレーザー光線を照射して、被加工物の内部とDAFの内部との双方に改質層を形成するために、特に、DAFの内部に改質層を形成する際に、レーザー光線がデバイスに照射されてしまい、デバイスにダメージを与える恐れがあった。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスに与えるダメージを抑制しながらもDAFをデバイスチップ毎に分割することができる被加工物の加工方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の加工方法は、表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、分割予定ラインに沿って分割溝が形成されかつ裏面にDAFが貼着された被加工物の表面側を保持テーブルに保持する保持ステップと、該保持テーブルに保持された該被加工物の分割予定ラインを検出し、裏面に貼着された該DAFが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、検出した分割予定ラインに基づいて、該レーザー光線を照射して、該DAFに改質層を形成するDAF改質層形成ステップと、該分割溝の幅を拡張して、該DAFを各デバイスチップに分割するDAF分割ステップと、を備えることを特徴とする。
本発明の被加工物の加工方法は、表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、該分割予定ラインに沿って切削ブレードでデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する切削溝形成ステップと、該切削溝形成ステップの実施後に、該被加工物を裏面から該仕上げ厚みまで研削するとともに該被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップと、該裏面研削ステップの実施後に、DAFを貼着するDAF貼着ステップと、DAF貼着ステップの実施後に、該DAFの内部に該DAFが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、該被加工物の該裏面側から該レーザー光線を該DAFに照射し改質層を形成するDAF改質層形成ステップと、該DAF改質層形成ステップの実施後に、該DAFを拡張して該DAFを該デバイスチップ毎に破断するDAF分割ステップと、を備えることを特徴とする。
前記被加工物の加工方法において、該DAF改質層形成ステップにおいて、該改質層は該分割予定ラインに対応する領域に形成されても良い。
前記被加工物の加工方法において、該DAFはエキスパンドテープに積層された粘着性部材であり、該DAF改質層形成ステップでは、該エキスパンドテープ越しにレーザー光線を照射し、該DAF分割ステップでは該エキスパンドテープを拡張することで該DAFを破断しても良い。
本発明は、デバイスに与えるダメージを抑制しながらもDAFをデバイスチップ毎に分割することができるという効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係る被加工物の加工方法により製造されるデバイスチップを示す斜視図である。図3は、実施形態1に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
本発明の実施形態1に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係る被加工物の加工方法により製造されるデバイスチップを示す斜視図である。図3は、実施形態1に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
実施形態1に係る被加工物の加工方法は、図1に示す被加工物1の加工方法である。実施形態1では、被加工物1は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基材2とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。被加工物1は、図1に示すように、基材2の表面3の複数の分割予定ライン4によって区画された領域にそれぞれデバイス5が形成されている。デバイス5は、例えば、IC(Integrated Circuit)、又はLSI(Large Scale Integration)等の集積回路、CCD(Charge Coupled Device)、又はCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のイメージセンサである。
実施形態1に係る被加工物の加工方法は、被加工物1を図2に示す個々のデバイスチップ7に分割する方法である。デバイスチップ7は、図2に示すように、仕上げ厚み8まで薄化された基材2と、基材2の表面3に形成されたデバイス5とを含む。被加工物の加工方法は、図3に示すように、切削溝形成ステップST1と、裏面研削ステップST2と、DAF貼着ステップST3と、保持ステップST4と、DAF改質層形成ステップST5と、DAF分割ステップST6とを備える。
(切削溝形成ステップ)
図4は、図3に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップを示す斜視図である。図5は、図3に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップ後の被加工物の斜視図である。図6は、図5中のVI−VI線に沿う断面図である。
図4は、図3に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップを示す斜視図である。図5は、図3に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップ後の被加工物の斜視図である。図6は、図5中のVI−VI線に沿う断面図である。
切削溝形成ステップST1は、分割予定ライン4に沿って切削ブレード31でデバイスチップ7の仕上げ厚み8に至る溝9を形成するステップである。切削溝形成ステップST1では、切削装置30が図示しないチャックテーブルに被加工物1の裏面6を吸引保持し、図示しない撮像ユニットで被加工物1の表面3を撮像して、切削ユニット32の切削ブレード31と被加工物1の分割予定ライン4との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
切削溝形成ステップST1では、図4に示すように、切削装置30が、アライメント結果に基づいて分割予定ライン4に沿って被加工物1と切削ブレード31とを相対的に移動させながら切削ブレード31を仕上げ厚み8より若干深く被加工物1に切り込ませて、分割予定ライン4に仕上げ厚み8に至る溝9を形成する。切削溝形成ステップST1では、図5に示すように、切削装置30が、全ての分割予定ライン4に溝9を形成すると、切削を終了して、チャックテーブルの被加工物1の吸引保持を解除する。なお、実施形態1において、切削溝形成ステップST1では、図6に示す表面3からの深さ91が仕上げ厚み8と等しい溝9を被加工物1の各分割予定ライン4に形成する。被加工物の加工方法は、切削溝形成ステップST1後、裏面研削ステップST2に進む。
(裏面研削ステップ)
図7は、図3に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。図8は、図3に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップを示す斜視図である。
図7は、図3に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。図8は、図3に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップを示す斜視図である。
裏面研削ステップST2は、切削溝形成ステップST1の実施後に、被加工物1を裏面6から仕上げ厚み8まで研削するとともに、被加工物1をデバイスチップ7に分割するステップである。裏面研削ステップST2では、図7に示すように、被加工物1の表面3と保護部材10の粘着層とを対向させた後、被加工物1の表面3に保護部材10を貼着する。なお、実施形態1では、保護部材10は、可撓性を有する合成樹脂から構成された基材層と、基材層上に積層されかつ被加工物1の表面3に貼着する粘着層とを備える。また、実施形態1では、保護部材10は、被加工物1と外径が等しい円板状に形成されている。
裏面研削ステップST2では、図8に示すように、研削装置40が保持テーブル41に保護部材10を介して被加工物1の表面3を吸引保持し、保持テーブル41を軸心回りに回転させつつ研削ユニット42の研削砥石43を軸心回りに回転させて被加工物1の裏面6に接触させて、裏面6を研削する。裏面研削ステップST2では、研削装置40が仕上げ厚み8まで被加工物1を研削して薄化する。裏面研削ステップST2では、被加工物1に表面3側から深さ91が仕上げ厚み8に等しい溝9が形成されているので、研削装置40が被加工物1を仕上げ厚み8まで薄化すると、図8に示すように。裏面6側に溝9が露出して、被加工物1が個々のデバイスチップ7に分割される。なお、溝9は、裏面6側に露出して、被加工物1を個々のデバイスチップ7に分割すると、分割溝9−1となる。被加工物の加工方法は、裏面研削ステップST2後、DAF貼着ステップST3に進む。
(DAF貼着ステップ)
図9は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF貼着ステップを示す斜視図である。図10は、図10は、図9中のX線−X線に沿う断面図である。図11は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。
図9は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF貼着ステップを示す斜視図である。図10は、図10は、図9中のX線−X線に沿う断面図である。図11は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。
DAF貼着ステップST3は、裏面研削ステップST2の実施後に、被加工物1の裏面6にDAF(Die Attach Film)20を貼着するステップである。DAF20は、個々に分割されたデバイスチップ7を印刷配線板等の固定対象の部材(デバイスチップ7が固定される部材をいう)に固定するための接着フィルムであり、実施形態1では、粘着性を有する合成樹脂で構成される粘着性部材のみで構成されている。即ち、実施形態1では、DAF20は、粘着材部材である。
また、実施形態1において、DAF20は、被加工物1よりも大径な円板状に形成され、かつ、図9及び図10に示すように、エキスパンドテープ21の粘着層に貼着されて、エキスパンドテープ21に積層されている。エキスパンドテープ21は、伸縮性を有する合成樹脂から構成された基材層と、基材層上に積層されかつDAF20を貼着した粘着層とを備える。実施形態1において、エキスパンドテープ21の粘着層は、紫外線が照射されると硬化する紫外線硬化型の樹脂で構成されている。また、実施形態1では、エキスパンドテープ21は、DAF20よりも大径な円板状に形成され、中央部にDAF20を配置している。
実施形態1において、DAF貼着ステップST3では、図9に示すように、周知のマウンタがDAF20を貼着したエキスパンドテープ21を裏面研削ステップST2後の被加工物1の裏面6と、リング状でかつ内径がDAF20よりも大径な環状フレーム22とに対向させる。DAF貼着ステップST3では、マウンタが、図11に示すように、DAF20を被加工物1の裏面6に貼着するとともに、エキスパンドテープ21の外縁部を環状フレーム22に貼着する。DAF貼着ステップST3では、裏面6にDAF20が貼着された被加工物1を環状フレーム22の開口23内に支持する。被加工物の加工方法は、DAF貼着ステップST3後、保持ステップST4に進む。
(保持ステップ)
図12は、図3に示された被加工物の加工方法の保持ステップを一部断面で示す側面図である。保持ステップST4は、分割予定ライン4に沿って分割溝9−1が形成されかつ裏面6にDAF20が貼着された被加工物1の表面3側をレーザー加工装置50の保持テーブル51に保持するステップである。
図12は、図3に示された被加工物の加工方法の保持ステップを一部断面で示す側面図である。保持ステップST4は、分割予定ライン4に沿って分割溝9−1が形成されかつ裏面6にDAF20が貼着された被加工物1の表面3側をレーザー加工装置50の保持テーブル51に保持するステップである。
保持ステップST4では、図12に示すように、レーザー加工装置50が保持テーブル51に保護部材10を介して被加工物1の表面3を吸引保持し、クランプ部52で環状フレーム22をクランプする。このように、保持ステップST4は、エキスパンドテープ21を上方に向けた状態で、保持テーブル51に被加工物1を保持する。被加工物の加工方法は、保持ステップST4後、DAF改質層形成ステップST5に進む。
(DAF改質層形成ステップ)
図13は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。図14は、図13中のXIV部を拡大して示す図である。図15は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF改質層形成ステップ中の被加工物の一部の平面図である。
図13は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。図14は、図13中のXIV部を拡大して示す図である。図15は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF改質層形成ステップ中の被加工物の一部の平面図である。
DAF改質層形成ステップST5は、DAF貼着ステップST3の実施後に、DAF20の内部にDAF20が透過性を有する波長の図13に示すレーザー光線100の焦点101を設定して、被加工物1の裏面6側からレーザー光線100をDAF20に照射しDAF20の内部に改質層27を形成するステップである。実施形態1において、DAF改質層形成ステップST5では、レーザー加工装置50が図示しない赤外線カメラで被加工物1の裏面6側を撮像して、保持テーブル41に保持された被加工物1の分割予定ライン4をエキスパンドテープ21及びDAF20越しに検出し、レーザー光線100を照射するレーザー光線照射ユニット53と被加工物1の分割予定ライン4との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
実施形態1において、DAF改質層形成ステップST5では、レーザー加工装置50が、裏面6に貼着されたDAF20が透過性を有する波長のレーザー光線100の焦点101をDAF20の内部に設定する。実施形態1において、DAF改質層形成ステップST5では、図13及び図14に示すように、アライメント時に検出した分割予定ライン4の位置に基づいて、分割予定ライン4に沿って被加工物1とレーザー光線照射ユニット53とを相対的に移動させながら被加工物1の裏面6側からエキスパンドテープ21越しにパルス状のレーザー光線100を分割予定ライン4に沿って所定の繰り返し周波数でDAF20に照射する。
実施形態1において、DAF改質層形成ステップST5では、図15に示すように、レーザー加工装置50が、DAF20の内部の分割予定ライン4に対応する領域である分割予定ライン4に厚み方向に重なる位置に、分割予定ライン4に沿った改質層27を形成する。即ち、DAF改質層形成ステップST5において、改質層27は、分割予定ライン4に対応する領域に形成される。また、実施形態1では、DAF改質層形成ステップST5では、レーザー加工装置50が、分割予定ライン4の幅方向の中央でかつ分割溝9−1に重なる位置に改質層27を形成する。なお、DAF20の内部に形成される改質層27は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。実施形態1では、改質層27の機械的な強度は、周囲の機械的な強度よりも低い。被加工物の加工方法は、DAF改質層形成ステップST5後、DAF分割ステップST6に進む。
(DAF分割ステップ)
図16は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF分割ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。図17は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF分割ステップにおいて、DAFをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。
図16は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF分割ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。図17は、図3に示された被加工物の加工方法のDAF分割ステップにおいて、DAFをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。
DAF分割ステップST6は、DAF改質層形成ステップST5の実施後に、DAF20を拡張して、互いに隣り合うデバイスチップ7の間隔を広げるとともにDAF20を各デバイスチップ7に破断するステップである。実施形態1において、DAF分割ステップST6では、DAF改質層形成ステップST5後の被加工物1の表面3から保護部材10を剥がし、図16に示すように、表面3側を上方に向けた状態で、拡張装置60が環状フレーム22をクランプ部61で挟み込んで固定する。このとき、図16に示すように、拡張装置60は、円筒状の拡張ドラム62をエキスパンドテープ21の被加工物1と環状フレーム22との間の領域24に当接させておく。拡張ドラム62は、環状フレーム22の内径より小さく被加工物1及びDAF20の外径より大きい内径および外径を有し、クランプ部61により固定される環状フレーム22と同軸となる位置に配置される。
実施形態1において、DAF分割ステップST6では、図17に示すように、拡張装置60がクランプ部61を下降させる。すると、エキスパンドテープ21が拡張ドラム62に当接しているために、エキスパンドテープ21が面方向に拡張される。DAF分割ステップST6では、拡張の結果、エキスパンドテープ21は、放射状の引張力が作用する。このように被加工物1の裏面6側にDAF20を介して貼着されたエキスパンドテープ21に放射状に引張力が作用すると、被加工物1は、裏面研削ステップST2において個々のデバイスチップ7に分割されているので、図17に示すように、分割溝9−1の幅が拡張されて、デバイスチップ7間の間隔が広げられる。
また、実施形態1において、DAF分割ステップST6では、拡張装置60は、エキスパンドテープ21に放射状に引張力を作用させて、エキスパンドテープ21及び被加工物1に貼着されたDAF20を拡張するとともに、分割溝9−1の幅を拡張する。DAF20が、分割予定ライン4と厚み方向に重なる位置に分割予定ライン4に沿った改質層27が形成されている。このために、DAF分割ステップST6では、拡張装置60は、図16に示すように、分割予定ライン4に沿って形成された改質層27を基点として、DAF20を個々のデバイスチップ7毎に分割する。こうして、DAF分割ステップST6は、エキスパンドテープ21を拡張することで、分割溝9−1の幅を拡張して、DAF20をデバイスチップ7毎に分割(破断)する。隣り合うもの同士の間隔が広げられたデバイスチップ7は、DAF20とともに、ピックアップ装置によりエキスパンドテープ21から取り外される。なお、実施形態1において、エキスパンドテープ21は、デバイスチップ7がDAF20とともに取り外される前に、粘着層に紫外線が照射されて、粘着層が硬化される。被加工物の加工方法は、DAF分割ステップST6を実施後、終了する。
実施形態1に係る被加工物の加工方法は、保持ステップST4において被加工物1の表面3側を保持テーブル51に保持し、DAF改質層形成ステップST5において、被加工物1の裏面6に貼着されたDAF20にレーザー光線100を照射する。その結果、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、被加工物1の表面3に形成されたデバイス5に照射されるレーザー光線100の光量を抑制することができ、デバイス5に与えるダメージを抑制することができる。
また、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、DAF改質層形成ステップST5において、被加工物1の裏面6に貼着されたDAF20にエキスパンドテープ21越しにレーザー光線100を照射する。その結果、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、被加工物1の表面3に形成されたデバイス5に照射されるレーザー光線100の光量を抑制することができ、デバイス5に与えるダメージを抑制することができる。
また、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、DAF改質層形成ステップST5において、DAF20の分割予定ライン4と厚み方向に重なる位置に分割予定ライン4に沿った改質層27を形成し、DAF分割ステップST6において、改質層27を起点にDAF20を分割する。その結果、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、DAF20をデバイスチップ7毎に分割することができる。よって、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、デバイス5に与えるダメージを抑制しながらもDAF20をデバイスチップ7毎に分割することができるという効果を奏する。
また、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、デバイス5に照射されるレーザー光線100の光量を抑制することができ、デバイス5に与えるダメージを抑制できるので、デバイス5がCCDやCMOS等のイメージセンサである場合に特に有効である。
また、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、被加工物1の裏面6に貼着されたDAF20にレーザー光線100を照射するので、改質層が形成済の接着テープを貼着する際に形成済の改質層を分割予定ライン4に位置合わせする必要が生じない。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。前述した実施形態1に係る被加工物の加工方法は、切削溝形成ステップST1と、裏面研削ステップST2と、DAF貼着ステップST3と、保持ステップST4と、DAF改質層形成ステップST5と、DAF分割ステップST6とを備えている。しかしながら、本発明の被加工物の加工方法は、図18に示すように、保持ステップST4と、DAF改質層形成ステップST5と、DAF分割ステップST6とを備えていれば良い。なお、図18は、実施形態1の変形例に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
また、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、DAF改質層形成ステップST5において、DAF20の分割予定ライン4と厚み方向に重なる位置に分割予定ライン4に沿った改質層27を形成している。しかしながら、本発明は、DAF改質層形成ステップST5において、DAF20の内部に所定の間隔(等間隔でも良く、等間隔でなくても良い)で、DAF20の平面視における全体に改質層27を形成しても良い。
また、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、DAF貼着ステップST3において、エキスパンドテープ21に積層されたDAF20を被加工物1の裏面6に貼着し、DAF改質層形成ステップST5において、エキスパンドテープ21越しにDAF20にレーザー光線100を照射している。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、DAF貼着ステップST3において、DAF20のみを被加工物1の裏面6に貼着し、DAF改質層形成ステップST5において、DAF20に直接レーザー光線100を照射して改質層27を形成した後に、DAF20にエキスパンドテープ21を貼着しても良い。
また、実施形態1に係る被加工物の加工方法では、DAF20は、粘着性を有する粘着性部材のみで構成されているが、本発明では、粘着材部材と、粘着性を有しない合成樹脂からなりかつ粘着性部材を積層した基材層とを備えて構成されても良い。
また、実施形態1に係る被加工物の加工方法は、保持ステップST4の前に保護部材10を剥がすことなく、保護部材10を介して被加工物1の表面3を保持テーブル51に保持している。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、DAF貼着ステップST3において、環状フレーム22の開口23に被加工物1を支持した後、保護部材10を剥がしても良い。この場合、被加工物の加工方法は、保持ステップST4において、保持テーブル51上に通気性を有する保護シートを重ね、保護シートを介して被加工物1の表面3を保持テーブル51に保持するのが望ましい。
1 被加工物
3 表面
4 分割予定ライン
5 デバイス
6 裏面
7 デバイスチップ
8 仕上げ厚み
9 溝
9−1 分割溝
10 保護部材
20 DAF
21 エキスパンドテープ
27 改質層
41 保持テーブル
51 保持テーブル
100 レーザー光線
101 焦点
ST1 切削溝形成ステップ
ST2 裏面研削ステップ
ST3 DAF貼着ステップ
ST4 保持ステップ
ST5 DAF改質層形成ステップ
ST6 DAF分割ステップ
3 表面
4 分割予定ライン
5 デバイス
6 裏面
7 デバイスチップ
8 仕上げ厚み
9 溝
9−1 分割溝
10 保護部材
20 DAF
21 エキスパンドテープ
27 改質層
41 保持テーブル
51 保持テーブル
100 レーザー光線
101 焦点
ST1 切削溝形成ステップ
ST2 裏面研削ステップ
ST3 DAF貼着ステップ
ST4 保持ステップ
ST5 DAF改質層形成ステップ
ST6 DAF分割ステップ
Claims (4)
- 表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、
分割予定ラインに沿って分割溝が形成されかつ裏面にDAFが貼着された被加工物の表面側を保持テーブルに保持する保持ステップと、
該保持テーブルに保持された該被加工物の分割予定ラインを検出し、裏面に貼着された該DAFが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、検出した分割予定ラインに基づいて、該レーザー光線を照射して、該DAFに改質層を形成するDAF改質層形成ステップと、
該分割溝の幅を拡張して、該DAFを各デバイスチップに分割するDAF分割ステップと、
を備える被加工物の加工方法。 - 表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、
該分割予定ラインに沿って切削ブレードでデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する切削溝形成ステップと、
該切削溝形成ステップの実施後に、該被加工物を裏面から該仕上げ厚みまで研削するとともに該被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップと、
該裏面研削ステップの実施後に、DAFを貼着するDAF貼着ステップと、
DAF貼着ステップの実施後に、該DAFの内部に該DAFが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、該被加工物の該裏面側から該レーザー光線を該DAFに照射し改質層を形成するDAF改質層形成ステップと、
該DAF改質層形成ステップの実施後に、 該DAFを拡張して該DAFを該デバイスチップ毎に破断するDAF分割ステップと、
を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。 - 該DAF改質層形成ステップにおいて、
該改質層は該分割予定ラインに対応する領域に形成されることを特徴とする、
請求項1又は請求項2に記載の被加工物の加工方法。 - 該DAFはエキスパンドテープに積層された粘着性部材であり、
該DAF改質層形成ステップでは、
該エキスパンドテープ越しにレーザー光線を照射し、
該DAF分割ステップでは該エキスパンドテープを拡張することで該DAFを破断することを特徴とする、請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の被加工物の加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018090863A JP2019197806A (ja) | 2018-05-09 | 2018-05-09 | 被加工物の加工方法 |
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JP (1) | JP2019197806A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006245209A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2010027857A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2011077429A (ja) * | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワーク分割方法 |
JP2013055138A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | チップ間隔維持方法 |
-
2018
- 2018-05-09 JP JP2018090863A patent/JP2019197806A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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