JP7479243B2 - チップの製造方法 - Google Patents
チップの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7479243B2 JP7479243B2 JP2020137064A JP2020137064A JP7479243B2 JP 7479243 B2 JP7479243 B2 JP 7479243B2 JP 2020137064 A JP2020137064 A JP 2020137064A JP 2020137064 A JP2020137064 A JP 2020137064A JP 7479243 B2 JP7479243 B2 JP 7479243B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- teg
- laser beam
- adhesive film
- street
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 45
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 90
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
- B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
本発明の実施形態に係るチップの製造方法について、図面に基づいて説明する。まず、実施形態の加工対象であるウェーハ10の構成について説明する。図1は、実施形態に係るチップの製造方法の加工対象のウェーハ10の一例を示す斜視図である。
図3は、図2に示すダイシングテープ貼着ステップ1の一例を示す斜視図である。ダイシングテープ貼着ステップ1は、ウェーハ10にダイシングテープ21を貼着するステップである。
図4は、図2に示すTEG位置検出ステップ2の一例を一部断面で示す側面図である。
TEG位置検出ステップ2は、ストリート13に形成されたTEG17の座標位置を検出するステップである。
図5は、図2に示すレーザービーム照射ステップ3の一例を一部断面で示す側面図である。図6は、図2に示すレーザービーム照射ステップ3後の状態を一部断面で示す側面図である。レーザービーム照射ステップ3は、TEG17を含むストリート13に沿ってTEG17に対して吸収性を有する波長のレーザービーム45を照射するステップである。
図7は、図2に示す接着フィルム貼着ステップ4の一例を示す斜視図である。接着フィルム貼着ステップ4は、ウェーハ10の表面12側に接着フィルム50を貼着するステップである。接着フィルム貼着ステップ4はレーザービーム照射ステップ3の後に実施される。
図8は、図2に示すダイシングステップ5の一例を一部断面で示す側面図である。ダイシングステップ5は、ストリート13に沿って接着フィルム50およびウェーハ10をダイシングするステップである。ダイシングステップ5は、接着フィルム貼着ステップ4の後に実施される。ダイシングステップ5は、実施形態において、ウェーハ10の表面12側から切削ブレード66で切削する切削ステップである。
変形例に係るチップの製造方法においては、後述の分割ステップ5-22を実施するために、実施形態におけるダイシングテープ21として、エキスパンドシート22を用いる。エキスパンドシート22は、面方向に伸縮性を有する。エキスパンドシート22は、例えば、伸縮性を有する合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層されかつ伸縮性および粘着性を有する合成樹脂で構成された糊層と、を含む。エキスパンドシート22の貼着手順は、実施形態のダイシングテープ貼着ステップ1におけるダイシングテープ21の貼着手順と同様のため、説明を省略する。
図10は、図9に示す改質層形成ステップ5-21の一例を一部断面で示す側面図である。改質層形成ステップ5-21は、ウェーハ10に対して透過性を有する波長のレーザービーム45を、ウェーハ10の内部に集光点を位置付けて照射することで改質層18を形成するステップである。改質層形成ステップ5-21は、接着フィルム貼着ステップ4の後に実施される。
図12は、図9に示す分割ステップ5-22の一状態を一部断面で示す側面図である。図13は、図9に示す分割ステップ5-22の図12の後の一状態を一部断面で示す側面図である。分割ステップ5-22は、エキスパンドシート22を拡張することで、接着フィルム50および改質層18が形成されたウェーハ10をストリート13に沿って分割するステップである。
1-2 エキスパンドシート貼着ステップ
2 TEG位置検出ステップ
3 レーザービーム照射ステップ
4 接着フィルム貼着ステップ
5 ダイシングステップ
5-21 改質層形成ステップ
5-22 分割ステップ
10 ウェーハ
11 基板
12 表面
13 ストリート
14 デバイス
15 裏面
16 機能層
17 TEG
18 改質層
19 チップ
20 環状フレーム
21 ダイシングテープ
22 エキスパンドシート
31 検出光
45 レーザービーム
50 接着フィルム
66 切削ブレード
Claims (4)
- 半導体基板の表面側を格子上のストリートで区画した複数の領域にデバイスが形成され、該ストリートに部分的にTEGが形成されたウェーハを該ストリートに沿って分割しチップを形成するチップの製造方法であって、
該TEGを含むストリートに沿って該TEGに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射するレーザービーム照射ステップと、
該レーザービーム照射ステップの後、該ウェーハの表面側に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、
該接着フィルム貼着ステップの後、該ストリートに沿って該接着フィルムおよび該ウェーハをダイシングするダイシングステップと、
を含むことを特徴とする、チップの製造方法。 - 該ウェーハの表面側からストリートに沿って検出光を照射し、該ストリートで反射された光の光量に基づいて、該ストリートに形成されたTEGの座標位置を検出するTEG位置検出ステップを更に含み、
該レーザービーム照射ステップでは、該TEG位置検出ステップで検出したTEGの存在する領域のみにレーザービームを照射することを特徴とする、
請求項1に記載のチップの製造方法。 - 該ウェーハに伸縮性を有するエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップを更に含み、
該ダイシングステップは、
該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを、該ウェーハの内部に集光点を位置付けて照射することで改質層を形成する改質層形成ステップと、
該エキスパンドシートを拡張することで、該接着フィルムおよび該改質層が形成されたウェーハをストリートに沿って分割する分割ステップと、
を更に含むことを特徴とする、
請求項1または2に記載のチップの製造方法。 - 該ダイシングステップは、該ウェーハの表面側から切削ブレードで切削する切削ステップであることを特徴とする、
請求項1または2に記載のチップの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020137064A JP7479243B2 (ja) | 2020-08-14 | 2020-08-14 | チップの製造方法 |
KR1020210096912A KR20220021860A (ko) | 2020-08-14 | 2021-07-23 | 칩의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020137064A JP7479243B2 (ja) | 2020-08-14 | 2020-08-14 | チップの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022032829A JP2022032829A (ja) | 2022-02-25 |
JP7479243B2 true JP7479243B2 (ja) | 2024-05-08 |
Family
ID=80350144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020137064A Active JP7479243B2 (ja) | 2020-08-14 | 2020-08-14 | チップの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7479243B2 (ja) |
KR (1) | KR20220021860A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129606A (ja) | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハの加工方法 |
JP2015519732A (ja) | 2012-04-10 | 2015-07-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマエッチングによるハイブリッドマルチステップレーザスクライビングプロセスを用いたウェハダイシング |
JP5799180B1 (ja) | 2013-11-19 | 2015-10-21 | 積水化学工業株式会社 | 半導体接合用接着フィルム |
JP2018152530A (ja) | 2017-03-15 | 2018-09-27 | アズビル株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003320466A (ja) | 2002-05-07 | 2003-11-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザビームを使用した加工機 |
JP6069960B2 (ja) | 2012-08-30 | 2017-02-01 | 凸版印刷株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
JP2016092188A (ja) | 2014-11-04 | 2016-05-23 | 積水化学工業株式会社 | 半導体ウエハ用接着フィルム |
-
2020
- 2020-08-14 JP JP2020137064A patent/JP7479243B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-23 KR KR1020210096912A patent/KR20220021860A/ko active Search and Examination
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129606A (ja) | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハの加工方法 |
JP2015519732A (ja) | 2012-04-10 | 2015-07-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマエッチングによるハイブリッドマルチステップレーザスクライビングプロセスを用いたウェハダイシング |
JP5799180B1 (ja) | 2013-11-19 | 2015-10-21 | 積水化学工業株式会社 | 半導体接合用接着フィルム |
JP2018152530A (ja) | 2017-03-15 | 2018-09-27 | アズビル株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022032829A (ja) | 2022-02-25 |
KR20220021860A (ko) | 2022-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5608521B2 (ja) | 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置 | |
JP4471632B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TWI598950B (zh) | Wafer processing methods | |
JP4694845B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
US7446022B2 (en) | Wafer laser processing method | |
CN105047612B (zh) | 晶片的加工方法 | |
US9209085B2 (en) | Wafer processing method | |
TW201724243A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
TW201133716A (en) | Processing method of wafer | |
JP2005142398A (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
JP2005209719A (ja) | 半導体ウエーハの加工方法 | |
KR20130137534A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP6257365B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
KR20200137971A (ko) | 웨이퍼의 제조 방법 및 적층 디바이스칩의 제조 방법 | |
JP7479243B2 (ja) | チップの製造方法 | |
US9455149B2 (en) | Plate-like object processing method | |
US20220331899A1 (en) | Method of processing a substrate and system for processing a substrate | |
TWI836080B (zh) | 晶片之製造方法 | |
JP7149077B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP7208062B2 (ja) | デバイスチップの形成方法 | |
US20220102216A1 (en) | Wafer processing method | |
CN114256146A (zh) | 器件芯片的制造方法 | |
TW201916136A (zh) | 晶圓加工方法 | |
JP7344695B2 (ja) | チップの製造方法 | |
JP2021019136A (ja) | ウェーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240409 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7479243 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |