JP2019186883A - 温度補償水晶発振器 - Google Patents
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Abstract
【課題】通常の温度範囲で求められる精度をより高温の温度範囲まで拡張する。【解決手段】温度補償水晶発振器100は、0℃以上80℃未満の温度範囲内の基準温度における傾きが負の値である周波数温度特性を有する水晶振動素子110と、前述した温度範囲より高温の高温温度範囲において、周波数温度特性を補正する温度補償回路120と、を備える。【選択図】図1
Description
本発明は、温度補償水晶発振器に関する。
従来、温度補償水晶発振器に用いられるATカット水晶振動素子において、その発振周波数は−30℃から80℃の範囲で、例えば±15ppmの精度を達成している。
引用文献1には、水晶振動素子と、50℃以上の温度において温度補償を行う高温部補償回路と、0℃以下の温度において温度補償を行う低温部補償回路と、補償特性の傾きを補正する温度係数を有する傾き補正コンデンサとを備える温度補償水晶発振器が開示されている。この温度補償水晶発振器は、補償特性全体の傾きを補正することによって−30℃から80℃の範囲で±1ppmの補償精度を得ることができる。
一方、−30℃から80℃の範囲で求められる精度、例えば±15ppmが、−30℃から80℃より高温の温度範囲まで要求されることがあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は通常の温度範囲で求められる精度をより高温の温度範囲まで拡張することのできる温度補償水晶発振器を提供することである。
本発明の一側面に係る温度補償水晶発振器は、0℃以上80℃未満の温度範囲内の基準温度における傾きが負の値である周波数温度特性を有する水晶振動素子と、前述した温度範囲より高温の高温温度範囲において、周波数温度特性を補正する温度補償回路と、を備える。
本発明によれば、通常の温度範囲で求められる精度をより高温の温度範囲まで拡張することができる。
以下に本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の構成要素は同一又は類似の符号で表している。図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本発明の技術的範囲を当該実施形態に限定して解するべきではない。
<実施形態>
まず、図1を参照しつつ、本発明の実施形態に係る温度補償水晶発振器100の構成について説明する。図1は、実施形態に係る温度補償水晶発振器100の構成を概略的に示す回路図である。
まず、図1を参照しつつ、本発明の実施形態に係る温度補償水晶発振器100の構成について説明する。図1は、実施形態に係る温度補償水晶発振器100の構成を概略的に示す回路図である。
図1に示すように、温度補償水晶発振器(TCXO:Temperature Compensated Crystal Oscillator)100は、水晶振動素子(Quartz Crystal Resonator)110と、温度補償回路120と、発振用コンデンサ131,132と、を備える。
水晶振動素子110は、ATカット型の水晶片(Quartz Crystal Blank)を含む。ATカット型の水晶片は、人工水晶(Synthetic Quartz Crystal)の結晶軸(Crystallographic Axes)であるX軸、Y軸、Z軸のうち、Y軸及びZ軸をX軸の周りにY軸からZ軸の方向に35度15分±1分30秒回転させた軸をそれぞれY’軸及びZ’軸とした場合、X軸及びZ’軸によって特定される面と平行な面を主面として切り出されたものである。
ATカット水晶片を用いた水晶振動素子は、広い温度範囲で高い周波数安定性を有する。また、ATカット水晶振動素子は、経時変化特性にも優れている上、低コストで製造することが可能である。さらに、ATカット水晶振動素子は、厚みすべり振動モード(Thickness Shear Vibration Mode)を主振動として用いる。
水晶振動素子110は、一組の励振電極を含む。この一組の励振電極の間に交番電界が印加される。これにより、厚みすべり振動モードによって水晶片の振動部が所定の発振周波数で振動し、該振動に伴う共振特性が得られる。
一般に、水晶振動素子はその温度に応じて発振周波数が変化する性質を有しており、温度に対する発振周波数の変化率は「周波数温度特性」と呼ばれている。
ここで、図2を参照しつつ、本発明の実施形態に係る水晶振動素子110が有する周波数温度特性について説明する。図2は、図1に示した水晶振動素子110の周波数温度特性を示すグラフである。図2において、横軸は水晶振動素子110の温度であり、単位は[℃]である。縦軸は発振周波数の周波数変化率(Δf/f)であり、単位は[ppm]である。また、水晶振動素子110の周波数温度特性を実線及び太線で示し、参考として、水晶振動素子110とは異なる水晶振動素子の周波数温度特性を破線及び一点鎖線で示す。
図2において、破線で示す周波数温度特性R1は、従来の温度補償水晶発振器に用いられるATカット水晶振動素子が有する周波数温度特性である。周波数温度特性R1は、基準温度、図2において25℃における傾きが正の値である。一点鎖線で示す周波数温度特性R2は、パッケージ水晶発振器(SPXO:Simple Packaged crystal Oscillator)に用いられるATカット水晶振動素子が有する周波数温度特性である。周波数温度特性R2は、−2.5℃以上52.5℃以下の範囲における傾きがゼロ又は略ゼロである。この周波数温度特性R2は、0℃以上80℃未満の温度範囲(以下、「常温温度範囲」という)において、±25ppmの精度を達成する。しかしながら、周波数温度特性R1及び周波数温度特性R2は、それぞれ、80℃以上105℃以下の温度範囲(以下、「高温温度範囲」という)及び−40℃以上0℃未満の温度範囲(以下、「低温温度範囲」という)において、周波数変化率の絶対値が増大している。このため、周波数温度特性R1及び周波数温度特性R2は、高温温度範囲及び低温温度範囲の両方において、±25ppmの精度を得ることができない。
これに対し、実線で示す周波数温度特性S1は水晶振動素子110が有する周波数温度特性の一例であり、太線で示す周波数温度特性S2は水晶振動素子110が有する周波数温度特性の他の例である。周波数温度特性S1及び周波数温度特性S2は、それぞれ、25℃における傾きが負の値である。これにより、図2に示すように、常温温度範囲において±25ppmの精度を維持しつつ、基準温度における変化率が正又はゼロである周波数温度特性R1及び周波数温度特性R2と比較して、高温温度範囲及び低温温度範囲における周波数変化率の絶対値の増大を抑制することができる。
水晶振動素子110が有する周波数温度特性S1,S2は、例えばATカットのカット角を変更することによって、基準温度における傾きの値を変えることが可能である。また、水晶振動素子110の発振周波数を変更することによっても、基準温度における傾きの値を変えることが可能である。
基準温度における周波数温度特性S1,S2の傾きは、−0.5ppm/℃以上−0.05ppm/℃以下であることが好ましい。これにより、高温温度範囲及び低温温度範囲において周波数温度特性S1,S2の周波数変化率の絶対値の増大を容易に抑制することができる。
なお、基準温度における周波数温度特性S1,S2の傾きは、−0.3ppm/℃以上−0.2ppm/℃以下であることがより好ましい。
図1の説明に戻ると、温度補償回路120は、水晶振動素子110の周波数温度特性S1,S2を補正するように構成されている。温度補償回路120は、水晶振動素子110に対して直接に接続されている。すなわち、温度補償回路120は、温度補償が発振回路のループ内で行われる直接温度補償方式の温度補償回路である。これにより、温度補償が発振回路の外部で行われる間接温度補償方式と比較して、簡易な構成で温度補償を実現するこが可能となる。従って、温度補償回路120の小型化が容易になる。
温度補償回路120は、水晶振動素子110と同一基板上に近接して配置される。但し、温度補償回路120の配置は特に限定されず、温度補償回路120は、例えば水晶振動素子110を収容する保持器の内部に配置してもよい。
また、温度補償回路120は、高温温度範囲において水晶振動素子110の周波数温度特性S1,S2を補正するように構成されている。具体的には、温度補償回路120は、サーミスタ121を含む。サーミスタ121は周囲の温度を検知し、検知した温度に応じてその抵抗値を変化させるので、この抵抗値の変化によって温度補償回路120の等価直列容量が変化する。これにより、水晶振動素子110の周波数温度特性S1,S2を補正する温度補償回路120を簡易に実現することができる。
サーミスタ121は、負特性(NTC:Negative Temparature Coefficient)サーミスタであることが好ましい。負特性サーミスタは検知した周囲の温度の上昇によりその抵抗値が低下するので、この抵抗値の低下によって温度補償回路120の等価直列容量が増加する。これにより、高温温度範囲における周波数温度特性S1,S2の周波数変化率の絶対値を低減させることができる。
また、サーミスタ121が負特性サーミスタである場合、そのB定数は3000より大きく4100未満であることが好ましい。これにより、高温温度範囲において周波数温度特性S1,S2の周波数変化率の絶対値を容易に低減させることができる。
なお、負特性サーミスタのB定数は、3300以上かつ3700以下であることがより好ましい。
温度補償回路120は、サーミスタ121に加え、コンデンサ122を含む。コンデンサ122は、サーミスタ121に並列に接続されている。コンデンサ122は、温度補償回路120において等価直列容量を形成する。これにより、水晶振動素子110の周波数温度特性S1,S2を補正する温度補償回路120を簡易に実現することができる。
コンデンサ122の負荷容量は、12pF以上40pF以下であることが好ましい。これにより、高温温度範囲において周波数温度特性S1,S2の周波数変化率の絶対値を容易に低減させることができる。
なお、コンデンサ122の負荷容量は、22pF以上30pF以下であることがより好ましい。
本実施形態では、温度補償回路120は、サーミスタ121とコンデンサ122とを含む例を示したが、これに限定されるものではない。温度補償回路120は、温度を検知し、検知した温度に応じて周波数温度特性S1,S2を補正するものであれば足りる。例えば、温度補償回路は、サーミスタに代えて、熱電対等の温度センサと可変抵抗器とを含んでいてもよい。
発振用コンデンサ131,132は、水晶振動素子110の一組の励振電極に交番電界を印加するように構成されている。発振用コンデンサ131は、一端が温度補償回路120に接続され、他端が基準電位に接続されている。発振用コンデンサ132は、一端が水晶振動素子110に接続され、他端が基準電位に接続されている。
次に、図3を参照しつつ、温度補償回路120による周波数温度特性の補正について説明する。図3は、実施形態に係る温度補償水晶発振器100のシミュレーション結果を示すグラフである。図3において、横軸はサーミスタ121が検知する温度であり、単位は[℃]である。縦軸は発振周波数の周波数変化率(Δf/f)であり、単位は[ppm]である。また、水晶振動素子110は、その発振周波数が48MHzであり、25℃における周波数温度特性の傾きが−0.372ppm/℃である。サーミスタ121は、負特性サーミスタであり、そのB定数が3500である。コンデンサ122は、負荷容量が22pFである。さらに、温度補償回路120によって補正された周波数温度特性を実線で示し、比較のために、補正しない周波数温度特性を破線で示す。
図3に示すように、破線で示す補正しない周波数温度特性、つまり、水晶振動素子110が有する周波数温度特性のさらに他の例である周波数温度特性Cbは、常温温度範囲において、求められる±15ppmの精度を達成している。しかしながら、補正しない周波数温度特性Cbは、105℃において約20ppmの周波数変化率であり、常温温度範囲で求められる精度である±15ppmが高温温度範囲では得ることができない。
これに対し、実線で示す補正された周波数温度特性Caは、105℃における周波数変化率が約10ppmに低減され、高温温度範囲において、常温温度範囲で求められる±15ppmの精度を達成している。
このように、温度補償回路120が高温温度範囲において水晶振動素子110の周波数温度特性Cbを補正することにより、常温温度範囲で求められる±15ppmの精度を高温温度範囲まで拡張することができる。
本実施形態では、温度補償回路120が高温温度範囲において水晶振動素子110の周波数温度特性を補正する例を示したが、これに限定されるものでははい。温度補償回路は、低温温度範囲において水晶振動素子110の周波数温度特性を補正してもよい。但し、温度補償回路は、水晶振動素子110の周波数温度特性を、高温温度範囲及び低温温度範囲の一方のみにおいて補正する。
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。本発明の実施形態に係る温度補償水晶発振器100では、常温温度範囲内の基準温度における傾きが負の値である周波数温度特性を有する水晶振動素子110と、常温温度範囲より高温の高温温度範囲において、周波数温度特性を補正する温度補償回路120と、を備える。図2に示すように、水晶振動素子110が有する周波数温度特性S1,S2の基準温度における傾きが負の値であることにより、常温温度範囲において±25ppmの精度を維持しつつ、基準温度における変化率が正又はゼロである周波数温度特性R1及び周波数温度特性R2と比較して、高温温度範囲及び低温温度範囲における周波数変化率の絶対値の増大を抑制することができる。また、図3に示すように、温度補償回路120が高温温度範囲において水晶振動素子110の周波数温度特性Cbを補正することにより、常温温度範囲で求められる±15ppmの精度を高温温度範囲まで拡張することができる。
また、前述した温度補償水晶発振器100において、温度補償回路120は、直接温度補償方式の温度補償回路である。これにより、温度補償が発振回路の外部で行われる間接温度補償方式と比較して、簡易な構成で温度補償を実現するこが可能となる。従って、温度補償回路120の小型化が容易になる。
また、前述した温度補償水晶発振器100において、温度補償回路120は、サーミスタ121を含む。サーミスタ121は周囲の温度を検知し、検知した温度に応じてその抵抗値を変化させるので、この抵抗値の変化によって温度補償回路120の等価直列容量が変化する。これにより、水晶振動素子110の周波数温度特性S1,S2を補正する温度補償回路120を簡易に実現することができる。
また、前述した温度補償水晶発振器100において、サーミスタ121は、負特性サーミスタである。負特性サーミスタは検知した周囲の温度の上昇によりその抵抗値が低下するので、この抵抗値の低下によって温度補償回路120の等価直列容量が増加する。これにより、高温温度範囲における周波数温度特性S1,S2の周波数変化率の絶対値を低減させることができる。
また、前述した温度補償水晶発振器100において、負特性サーミスタのB定数は、3000より大きく4100未満である。これにより、高温温度範囲において周波数温度特性S1,S2の周波数変化率の絶対値を容易に低減させることができる。
また、前述した温度補償水晶発振器100において、温度補償回路120は、コンデンサ122をさらに含む。コンデンサ122は、温度補償回路120において等価直列容量を形成する。これにより、水晶振動素子110の周波数温度特性S1,S2を補正する温度補償回路120を簡易に実現することができる。
また、前述した温度補償水晶発振器100において、コンデンサ122の静電容量は、12pF以上40pF以下である。これにより、高温温度範囲において周波数温度特性S1,S2の周波数変化率の絶対値を容易に低減させることができる。
また、前述した温度補償水晶発振器100において、基準温度における前記周波数温度特性の傾きは、−0.5ppm/℃以上−0.05ppm/℃以下である。これにより、高温温度範囲及び低温温度範囲において周波数温度特性S1,S2の周波数変化率の絶対値の増大を容易に抑制することができる。
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
100…温度補償水晶発振器、110…水晶振動素子、120…温度補償回路、121…サーミスタ、122…コンデンサ、131,132…発振用コンデンサ、Ca…補正された周波数温度特性、Cb,S1,S2…周波数温度特性
Claims (8)
- 0℃以上80℃未満の温度範囲内の基準温度における傾きが負の値である周波数温度特性を有する水晶振動素子と、
前記温度範囲より高温の高温温度範囲において、前記周波数温度特性を補正する温度補償回路と、を備える、
温度補償水晶発振器。 - 前記温度補償回路は、直接温度補償方式の温度補償回路である、
請求項1に記載の温度補償水晶発振器。 - 前記温度補償回路は、サーミスタを含む、
請求項1又は2に記載の温度補償水晶発振器。 - 前記サーミスタは、負特性サーミスタである、
請求項3に記載の温度補償水晶発振器。 - 前記負特性サーミスタのB定数は、3000より大きく4100未満である、
請求項4に記載の温度補償水晶発振器。 - 前記温度補償回路は、コンデンサをさらに含む、
請求項3から5のいずれか一項に記載の温度補償水晶発振器。 - 前記コンデンサの静電容量は、12pF以上40pF以下である、
請求項6に記載の温度補償水晶発振器。 - 前記基準温度における前記周波数温度特性の傾きは、−0.5ppm/℃以上−0.05ppm/℃以下である、
請求項1から7のいずれか一項に記載の温度補償水晶発振器。
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- 2018-04-17 JP JP2018079122A patent/JP2019186883A/ja active Pending
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