JP5918546B2 - 温度補償型水晶発振器 - Google Patents

Description

本発明は、温度補償を行う温度補償型水晶発振器に係り、特に、電源供給直後に生じる周波数の変動を抑制する温度補償型水晶発振器に関する。

［従来の技術］
従来の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ：Temperature Compensated Crystal Oscillator）は、電圧制御発振器に温度補償回路を付加して、周囲温度の変化による周波数の変動を少なくしたものである。
そして、従来の温度補償型水晶発振器では、電源供給直後に周波数がドリフト（変動又はふらつき）することがあり、特に電源投入による発熱によって周波数ドリフト特性が変化するようになっていた。

従来の周波数ドリフト特性を補償する方法が提案されており、その補償量は一定であった（特許文献１参照）。
しかし、温度補償型水晶発振器における周波数ドリフト特性は、うねりを持った特性となっているため、従来の手段では補償することができなかった。

［周波数ドリフト特性：図１７］
周波数ドリフト特性について図１７を参照しながら説明する。図１７は、高温（＋８５℃）における周波数ドリフト特性を示す図である。尚、図１７では、縦軸の周波数（Freq.）をLinearで、横軸の時間（Time(s)）をLogで表している。
電源投入後に、周波数ドリフトが発生するが、図１７において太い波線部分で囲んだ所がうねり部分を示している。

［関連技術］
尚、関連する先行技術として、特開平１０−２２４１４８号公報「圧電発振器」（東洋通信機株式会社）［特許文献１］、特開平０７−２５４８１８号公報「電圧制御発振器」（株式会社東芝他）［特許文献２］、特開２００３−２５８５５１号公報「発振回路の温度補償回路およびその温度補償方法」（セイコーエプソン株式会社）［特許文献３］、特開２００８−２７１３５５号公報「表面実装用の温度補償水晶発振器」（日本電波工業株式会社）［特許文献４］、特開平０９−０１８２３４号公報「温度補償圧電発振器」（セイコーエプソン株式会社）［特許文献５］、特開平０７−１６２２３３号公報「ディジタル温度補償水晶発振器」（株式会社明電舎他）［特許文献６］、特開平１１−３５５０４４号公報「電圧制御発振器」（ミツミ電機株式会社）［特許文献７］がある。

特許文献１には、トランジスタ、抵抗及び容量から成る増幅部と圧電振動子と可変容量ダイオード、抵抗及び容量から成る制御電圧部とから構成される電圧制御型圧電発振器において、可変容量ダイオードのアノード端子の電圧を時間と共に可変にすることで、圧電発振回路の周波数起動特性を短縮することが示されている。
特許文献２には、電圧制御発振器において、温度ドリフト補償回路により制御電圧の制御特性のリニアリティ最良点に対する温度ドリフト補償を行うことが示されている。

特許文献３には、発振回路において、補正間隔決定回路が、温度センサからの検出温度に基づいて温度変化を求め、温度変化に応じて発振回路の発振周波数を補正する補正間隔を決定することが示されている。
特許文献４には、温度補償水晶発振器において、ＩＣチップの起動時における発熱による検出温度と水晶片の動作温度との温度差に基づく温度補償電圧の補償誤差分を予め計測し、補償誤差分を補正する起動時補正電圧を電圧可変容量素子に印加することが示されている。

特許文献５には、温度補償圧電発振器において、補償回路の一部がパッケージの外にある構成が示されている。
特許文献６には、ディジタル温度補償水晶発振器において、ＩＣチップ内に温度補償回路を内蔵するために、スイッチ回路により電流を制御する構成が示されている。
特許文献７には、電圧制御発振器において、ＩＣチップ内に容量可変回路を内蔵し、その回路を可変容量ダイオード、コンデンサ等で構成したことが示されている。

特開平１０−２２４１４８号公報 特開平０７−２５４８１８号公報 特開２００３−２５８５５１号公報 特開２００８−２７１３５５号公報 特開平０９−０１８２３４号公報 特開平０７−１６２２３３号公報 特開平１１−３５５０４４号公報

しかしながら、従来の温度補償型水晶発振器では、電源投入後の周波数ドリフト特性のうねり特性について考慮されておらず、周波数ドリフト特性のうねり特性までも補償するものとはなっていないという問題点があった。

本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、周波数ドリフト特性のうねり特性を抑制できる温度補償型水晶発振器を提供することを目的とする。

上記従来例の問題点を解決するための本発明は、水晶振動子と、水晶振動子に並列に接続される増幅器と、増幅器の入力側と出力側にバリキャップダイオードのカソード側が接続される電圧可変容量素子とを有する水晶発振器であって、温度補償を行う制御電圧を出力する温度補償回路と、周波数ドリフト特性の特徴によって電源投入後に周波数ドリフト特性が急峻に立ち下がる第１の期間、なだらかに下降する第２の期間、なだらかに上昇する第３の期間に区分し、第１の期間で周波数補償する制御電圧を電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのカソード側に出力する第１の周波数ドリフト補償回路と、第２の期間で周波数補償する制御電圧を電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのカソード側に出力する第２の周波数ドリフト補償回路と、第３の期間で周波数補償する制御電圧を電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのアノード側に出力する第３の周波数ドリフト補償回路とを有することを特徴とする。
また、本発明は、第１の周波数ドリフト補償回路が出力する制御電圧によって得られる周波数補償特性は、第１の期間において急峻な立ち上がりとなるものであり、第２の周波数ドリフト補償回路が出力する制御電圧によって得られる周波数補償特性は、第２の期間においてなだらかに上昇するものであり、第３の周波数ドリフト補償回路が出力する制御電圧によって得られる周波数補償特性は、第３の期間においてなだらかに下降して安定化するものであることを特徴とする。

本発明は、水晶振動子と、水晶振動子に並列に接続される増幅器と、増幅器の入力側と出力側にバリキャップダイオードのカソード側が接続される電圧可変容量素子とを有する水晶発振器であって、温度補償を行う制御電圧を出力する温度補償回路と、周波数ドリフト特性の特徴によって電源投入後に周波数ドリフト特性が急峻に立ち下がる第１の期間、なだらかに下降する第２の期間、なだらかに上昇する第３の期間に区分し、第２の期間で周波数補償する制御電圧を電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのカソード側に出力する第２の周波数ドリフト補償回路と、第３の期間で周波数補償する制御電圧を電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのアノード側に出力する第３の周波数ドリフト補償回路とを有することを特徴とする。

本発明は、第２の周波数ドリフト補償回路が出力する制御電圧によって得られる周波数補償特性は、第２の期間においてなだらかに上昇するものであり、第３の周波数ドリフト補償回路が出力する制御電圧によって得られる周波数補償特性は、第３の期間においてなだらかに下降して安定化するものであることを特徴とする。

本発明は、上記温度補償型水晶発振器において、周波数ドリフト補償回路が、抵抗の一端に定電圧が印加され、抵抗の他端とコンデンサの一端が接続され、コンデンサの他端が接地され、抵抗とコンデンサの間の電圧を増幅する増幅器を備えたものであり、全体をパッケージ化した場合に、周波数ドリフト補償回路の抵抗とコンデンサをパッケージの外部に設けたことを特徴とする。

本発明は、上記温度補償型水晶発振器において、周波数ドリフト補償回路が、定電流源回路とコンデンサが直列に接続され、定電流源回路とコンデンサの間の電圧を増幅する増幅器を備え、増幅器の入力段にダイオードのアノードが接続され、ダイオードのカソードが接地されていることを特徴とする。

本発明は、上記温度補償型水晶発振器において、全体をパッケージ化した場合に、コンデンサを当該パッケージの外部に設けたことを特徴とする。

本発明によれば、温度補償を行う制御電圧を出力する温度補償回路と、周波数ドリフト特性の特徴によって電源投入後に周波数ドリフト特性が急峻に立ち下がる第１の期間、なだらかに下降する第２の期間、なだらかに上昇する第３の期間に区分し、第１の期間で周波数補償する制御電圧を電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのカソード側に出力する第１の周波数ドリフト補償回路と、第２の期間で周波数補償する制御電圧を電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのカソード側に出力する第２の周波数ドリフト補償回路と、第３の期間で周波数補償する制御電圧を電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのアノード側に出力する第３の周波数ドリフト補償回路とを有する水晶発振器としているので、周波数ドリフト特性のうねり特性を抑制できる効果がある。

本発明の実施の形態に係る 温度補償型水晶発振器の構成図である。 うねり補償に必要な周波数特性を示す図である。 時間ｔ1 領域の補償特性を示した図である。 時間ｔ2 領域の補償特性を示した図である。 時間ｔ3 領域の補償特性を示した図である。 オフセット（Offset）分の補正特性を示した図である。 周波数ドリフト補償回路の回路図である。 周波数ドリフト補償回路出力電圧（Linear）を示す図である。 周波数ドリフト補償回路出力電圧（Log）を示す図である。 カソード入力の補償周波数特性を示す図である。 アノード入力の補償周波数特性を示す図である。 電圧レベルの調整を示す図である。 時定数の調整を示す図である。 本発振器をパッケージ化した場合にｔ1 〜ｔ3 調整部をパッケージ外に設けるようにしたものである。 本発振器をパッケージ化した場合にｔ2 〜ｔ3 調整部をパッケージ外に設けるようにしたものである。 別の周波数ドリフト補償回路の回路図である。 周波数ドリフト特性を示す図である。

本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
［実施の形態の概要］
本発明の実施の形態に係る温度補償型水晶発振器は、第１の周波数ドリフト補償回路、第２の周波数ドリフト補償回路、第３の周波数ドリフト補償回路によって第１の期間、第２の期間、第３の期間における周波数補償をそれぞれに行うと共にオフセット電圧の印加により、周波数ドリフト特性のうねりを補償し、時間経過と共にフラットな特性を実現できるものとしたものであり、周波数ドリフト特性のうねり特性を抑制できるものである。

［温度補償型水晶発振器：図１］
本発明の実施の形態に係る温度補償型水晶発振器について図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る 温度補償型水晶発振器の構成図である。
本発明の実施の形態に係る温度補償型水晶発振器（本発振器）は、図１に示すように、温度補償回路１と、ＡＦＣ（Auto Frequency Control）回路２と、周波数ドリフト補償回路Ａ３ａと、周波数ドリフト補償回路Ｂ３ｂと、周波数ドリフト補償回路Ｃ３ｃと、加算器（Adder）４と、水晶振動子５と、インバータＩＣ（Integrated Circuit）６と、電圧可変容量素子７ａ，７ｂと、バッファ（Buff1）８と、出力端子（OUTPUT1）９とを基本的に有している。

［本発振器の各部］
本発振器の各部について具体的に説明する。
温度補償回路１は、水晶振動子５の周辺の温度を検出し、検出した温度に応じて温度補償の制御電圧（温度補償制御電圧）を加算器４に出力する。
ＡＦＣ（Auto Frequency Control）回路２は、出力端子９から特定の周波数を発振させるための制御電圧（発振周波数制御電圧）を加算器４に出力する。

［周波数ドリフト補償回路］
周波数ドリフト補償回路（Ａ，Ｂ，Ｃ）３ａ，３ｂ，３ｃは、実施の形態において特徴的な構成であり、うねり補償のために、後述する時間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 に応じてそれぞれ発振器の周波数ドリフト特性を補償する制御電圧（周波数ドリフト補償制御電圧）を水晶振動子５及びインバータＩＣ６の両端に出力する。
周波数ドリフト補償回路（Ａ，Ｂ，Ｃ）３ａ，３ｂ，３ｃの各々の機能、周波数ドリフト補償回路３の具体的な構成及び補償動作については後述する。

加算器（Adder）４は、温度補償回路１からの温度補償制御電圧とＡＦＣ回路２からの発振周波数制御電圧とを加算し、バリキャップダイオードＤ1 ，Ｄ2 に出力する。
尚、加算器４における加算は、各入力電圧を重み付けして加算するようにしてもよい。

水晶振動子５は、水晶振動子の両端からみた負荷容量によって決定される共振周波数で発振する。
インバータＩＣ（Integrated Circuit）６は、水晶振動子５の発振周波数を増幅し、位相を反転させてバッファ８に出力する。

電圧可変容量素子７ａ，７ｂは、例えば、バリキャップダイオードＤ1 ，Ｄ2 で構成され、印加される電圧に応じて容量を可変にし、水晶振動子５の負荷容量を変化させ発振周波数を調整する。
具体的には、電圧可変容量素子７ａのバリキャップダイオードＤ1 のアノード側に抵抗Ｒ1 とコンデンサＣ3 の並列回路の一端が接続され、他端が接地されている。
また、電圧可変容量素子７ｂのバリキャップダイオードＤ2 のアノード側に抵抗Ｒ2 とコンデンサＣ4 の並列回路の一端が接続され、他端が接地されている。

そして、バリキャップダイオードＤ1 ，Ｄ2 のアノード側に周波数ドリフト補償回路Ｃ３ｃからの補償電圧が印加され、バリキャップダイオードＤ1 ，Ｄ2 のカソード側に、加算器４からの制御電圧が印加され、周波数ドリフト補償回路Ａ３ａ、周波数ドリフト補償回路Ｂ３ｂからの補償電圧が印加されると共に、オフセット電圧調整回路からのオフセット（Offset）調整用の電圧が印加される。

バッファ（Buff1）８は、信号増幅器であり、インバータＩＣ６からの発振周波数を増幅して出力端子９ａ，９ｂに出力する。
出力端子９は、本発振器の発振信号を出力する端子である。

［うねり補償に必要な周波数特性：図２］
図２は、うねり補償に必要な周波数特性を示す図である。図２では、縦軸の周波数（Freq.）はLinearで、横軸の時間（Time(s)）をLogで表している。
図２に示すように、電源投入後の時間経過に伴う周波数変動は、その特徴をｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 の時間（期間）領域に分ける（区分する）ことができる。
時間ｔ1 領域では、周波数が急峻に立ち上がり、時間ｔ2領域では、穏やかに上昇し、時間ｔ3領域では、穏やかに下降して時間Ｔ1 以降は安定化していることが分かる。

［各時間領域の補償特性：図３，図４，図５，図６］
そこで、図３は、時間ｔ1 領域の補償特性を示した図であり、図４は、時間ｔ2 領域の補償特性を示した図であり、図５は、時間ｔ3 領域の補償特性を示した図である。また、図６は、オフセット（Offset）分の補正特性を示した図である。各図は、縦軸の周波数（Freq.）がLinearで、横軸の時間（Times(s)）がLogで表している。
そして、図３〜６の補償特性を足し合わせると、図２に示した特性を実現できる。

［周波数ドリフト補償回路：図７］
次に、周波数ドリフト補償回路について図７を参照しながら説明する。図７は、周波数ドリフト補償回路の回路図例である。
周波数ドリフト補償回路は、図７に示すように、固定電圧が一端に供給される抵抗３１と、抵抗３１の他端に一端が接続するコンデンサ３２と、コンデンサ３２の他端が接地され、抵抗３１の他端とコンデンサ３２の一端との間の点の電圧を入力し、増幅する増幅器（ＡＭＰ）３３とから構成されている。
固定電圧及び抵抗３１の値及びコンデンサ３２の値及び増幅器（ＡＭＰ）３３のゲインを調整することにより、周波数ドリフト特性を補償する電圧を増幅器３３から出力するものである。

［周波数ドリフト補償回路出力電圧：図８，図９］
周波数ドリフト補償回路からの出力電圧について図８、図９を参照しながら説明する。図８は、周波数ドリフト補償回路出力電圧（Linear）を示す図であり、図９は、周波数ドリフト補償回路出力電圧（Log）を示す図である。
図８では、縦軸に電圧を、横軸の時間をLinearで示しており、図９では、縦軸に電圧を、横軸の時間をLogで示している。

［バリキャップダイオード入力の補償周波数：図１０，図１１］
図９に示した電圧をバリキャップダイオードＤ1 ，Ｄ2 のカソード側に入力した場合の補償周波数特性を図１０に示す。図１０は、カソード入力の補償周波数特性を示す図である。
また、図９に示した電圧をバリキャップダイオードＤ1 ，Ｄ2 のアノード側に入力した場合の補償周波数特性を図１１に示す。図１１は、アノード入力の補償周波数特性を示す図である。

周波数ドリフト補償回路Ａ３ａは、期間ｔ1 の補償周波数の電圧をバリキャップダイオードＤ1 ，Ｄ2 のカソード側に出力する。
周波数ドリフト補償回路Ｂ３ｂは、期間ｔ2 の補償周波数の電圧をバリキャップダイオードＤ1 ，Ｄ2 のカソード側に出力する。
周波数ドリフト補償回路Ｃ３ｃは、期間ｔ3 の補償周波数の電圧をバリキャップダイオードＤ1 ，Ｄ2 のアノード側に出力する。

また、周波数ドリフト補償回路Ａ３ａ、Ｂ３ｂ、Ｃ３ｃの出力を反転させ、周波数ドリフト補償回路Ａ３ａ、Ｂ３ｂの反転出力をアノード側に出力し、周波数ドリフト補償回路Ｃ３ｃの反転出力をカソード側に出力することも可能であり、それぞれを加算してからアノード又はカソード側に出力することも可能である。

［電圧レベルの調整：図１２］
補償特性の調整として、周波数ドリフト補償回路における固定電圧又は増幅器（ＡＭＰ）３３のゲインを調整することにより、図１２における矢印方向（縦方向）に電圧レベルが調整できる。図１２は、電圧レベルの調整を示す図である。

［時定数の調整：図１３］
また、補償特性の調整として、周波数ドリフト補償回路におけるコンデンサ（Ｃ）と抵抗（Ｒ）を調整することにより、図１３における矢印方向（横方向）に時定数が調整できる。図１３は、時定数の調整を示す図である。

本発振器によれば、周波数ドリフト補償回路Ａ３ａ、周波数ドリフト補償回路Ｂ３ｂ、周波数ドリフト補償回路Ｃ３ｃによる周波数補償と、更にオフセット電圧の印加によって、周波数ドリフト特性のうねりを補償し、時間経過と共にフラットな特性を実現できる効果がある。
尚、ｔ1 の期間については早い時間であり、周波数の早期安定化においては重要性が低いこともあり、ＩＣチップの面積の縮小化などのために周波数ドリフト補償回路Ａ３ａを省略してもよい。

［別の第１の実施形態に係るパッケージ回路：図１４］
本発振器（ＴＣＸＯ）をパッケージ化した場合で、ｔ1 〜ｔ3 調整部の抵抗とコンデンサをパッケージの外に設けた例を示すものである。図１４は、本発振器をパッケージ化した場合にｔ1 〜ｔ3 調整部をパッケージ外に設けるようにしたものである。但し、固定電圧、ＡＭＰはパッケージ内に内蔵されている。
このように、うねり調整を行う回路部分を、パッケージの外部に出すことにより、大きな時定数の調整が可能となるものである。

［別の第２の実施形態に係るパッケージ回路：図１５］
本発振器（ＴＣＸＯ）をパッケージ化した場合で、ｔ1 調整部は比較的時定数が小さいため、ＩＣ内にｔ1 調整部を内蔵させ、ｔ2 〜ｔ3 調整部の抵抗とコンデンサをパッケージの外に設けた例を示すものである。図１５は、本発振器をパッケージ化した場合にｔ2 〜ｔ3 調整部をパッケージ外に設けるようにしたものである。但し、固定電圧、ＡＭＰはパッケージ内に内蔵されている。

［別の周波数ドリフト補償回路：図１６］
また、別の周波数ドリフト補償回路について図１６を参照しながら説明する。図１６は、別の周波数ドリフト補償回路の回路図である。
別の周波数ドリフト補償回路は、図１６に示すように、定電流源回路３４とコンデンサ３２が直列に接続され、コンデンサ３２の他端は接地され、定電流源回路３４とコンデンサ３２との間の点の電圧が増幅器（ＡＭＰ）３３に入力端子に入力され、その入力端子にダイオード３５のアノードが接続し、ダイオード３５のカソードが接地している。
図１６の回路では、抵抗を用いないで実現している。
また、定電流源回路３４の電流を微小電流とすることで、大きな時定数が調整できる。

図１６の周波数ドリフト補償回路では、定電流源回路３４を流れる電流を調整することにより、また、コンデンサ３２の容量を調整することにより、時定数の調整を実現し、ＡＭＰ３３のゲインを調整することにより、電圧レベルを調整するものである。

尚、図１６の周波数ドリフト補償回路を１つのパッケージ内に収納することもできる。更に、図１６の周波数ドリフト補償回路を図１４に示したように、ｔ1 〜ｔ3 調整部のコンデンサ等をパッケージの外に設けてもよいし、また、図１５に示したように、ｔ2 〜ｔ3 調整部のコンデンサ等をパッケージの外に設けてもよい。

［実施の形態の効果］
本発振器によれば、周波数ドリフト補償回路Ａ３ａ、周波数ドリフト補償回路Ｂ３ｂ、周波数ドリフト補償回路Ｃ３ｃによって期間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 における周波数補償をそれぞれに行うと共に、更にオフセット電圧の印加によって、周波数ドリフト特性のうねりを補償し、時間経過と共にフラットな特性を実現でき、周波数ドリフト特性のうねり特性を抑制できる効果がある。

本発明は、周波数ドリフト特性のうねり特性を生じる温度補償型水晶発振器について、そのうねり特性を抑制できる温度補償型水晶発振器に好適である。

１...温度補償回路、 ２...ＡＦＣ回路、 ３ａ...周波数ドリフト補償回路Ａ、 ３ｂ...周波数ドリフト補償回路Ｂ、 ３ｃ...周波数ドリフト補償回路Ｃ、 ４...加算器、 ５...水晶振動子、 ６...インバータＩＣ、 ７ａ，７ｂ...電圧可変容量素子、 ８...バッファ、 ９...出力端子、 ３１...抵抗、 ３２...コンデンサ、 ３３...増幅器（ＡＭＰ）、 ３４...定電流源回路、 ３５...ダイオード

Claims (7)

1. 水晶振動子と、前記水晶振動子に並列に接続される増幅器と、前記増幅器の入力側と出力側にバリキャップダイオードのカソード側が接続される電圧可変容量素子とを有する水晶発振器であって、
   温度補償を行う制御電圧を出力する温度補償回路と、
   周波数ドリフト特性の特徴によって電源投入後に周波数ドリフト特性が急峻に立ち下がる第１の期間、なだらかに下降する第２の期間、なだらかに上昇する第３の期間に区分し、前記第１の期間で周波数補償する制御電圧を前記電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのカソード側に出力する第１の周波数ドリフト補償回路と、
   前記第２の期間で周波数補償する制御電圧を前記電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのカソード側に出力する第２の周波数ドリフト補償回路と、
   前記第３の期間で周波数補償する制御電圧を前記電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのアノード側に出力する第３の周波数ドリフト補償回路とを有することを特徴とする水晶発振器。
2. 第１の周波数ドリフト補償回路が出力する制御電圧によって得られる周波数補償特性は、第１の期間において急峻な立ち上がりとなるものであり、
   第２の周波数ドリフト補償回路が出力する制御電圧によって得られる周波数補償特性は、第２の期間においてなだらかに上昇するものであり、
   第３の周波数ドリフト補償回路が出力する制御電圧によって得られる周波数補償特性は、第３の期間においてなだらかに下降して安定化するものであることを特徴とする請求項１記載の水晶発振器。
3. 水晶振動子と、前記水晶振動子に並列に接続される増幅器と、前記増幅器の入力側と出力側にバリキャップダイオードのカソード側が接続される電圧可変容量素子とを有する水晶発振器であって、
   温度補償を行う制御電圧を出力する温度補償回路と、
   周波数ドリフト特性の特徴によって電源投入後に周波数ドリフト特性が急峻に立ち下がる第１の期間、なだらかに下降する第２の期間、なだらかに上昇する第３の期間に区分し、前記第２の期間で周波数補償する制御電圧を前記電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのカソード側に出力する第２の周波数ドリフト補償回路と、
   前記第３の期間で周波数補償する制御電圧を前記電圧可変容量素子のバリキャップダイオードのアノード側に出力する第３の周波数ドリフト補償回路とを有することを特徴とする水晶発振器。
4. 第２の周波数ドリフト補償回路が出力する制御電圧によって得られる周波数補償特性は、第２の期間においてなだらかに上昇するものであり、
   第３の周波数ドリフト補償回路が出力する制御電圧によって得られる周波数補償特性は、第３の期間においてなだらかに下降して安定化するものであることを特徴とする請求項３記載の水晶発振器。
5. 周波数ドリフト補償回路は、抵抗の一端に定電圧が印加され、前記抵抗の他端とコンデンサの一端が接続され、前記コンデンサの他端が接地され、前記抵抗と前記コンデンサの間の電圧を増幅する増幅器を備えたものであり、
   全体をパッケージ化した場合に、前記周波数ドリフト補償回路の前記抵抗と前記コンデンサを前記パッケージの外部に設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の水晶発振器。
6. 周波数ドリフト補償回路は、定電流源回路とコンデンサが直列に接続され、前記定電流源回路と前記コンデンサの間の電圧を増幅する増幅器を備え、前記増幅器の入力段にダイオードのアノードが接続され、前記ダイオードのカソードが接地されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の水晶発振器。
7. 全体をパッケージ化した場合に、コンデンサを当該パッケージの外部に設けたことを特徴とする請求項６記載の水晶発振器。

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