JP2019186236A

JP2019186236A - Light-emitting device

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Publication number: JP2019186236A
Application number: JP2018070667A
Authority: JP
Inventors: 原田　光範; Mitsunori Harada; 光範原田; 佳織立花; Yoshiori Tachibana; 二郎東野; Jiro Higashino
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 2018-04-02
Filing date: 2018-04-02
Publication date: 2019-10-24
Anticipated expiration: 2038-04-02
Also published as: JP7117127B2

Abstract

To provide a light-emitting device of high luminance and high contrast, in which light leakage from the periphery of a light emitting element is less.SOLUTION: A light-emitting device has a substrate 11, a light emitting element 13 mounted on the substrate, a wavelength conversion member 17 placed on the light emitting element, having a bottom face 17B covering a top face 13S of the light emitting element entirely, and a top face 17T smaller than the bottom face, and having such a lateral face shape that a width in a direction parallel with the substrate decreases from the bottom face toward the top face, a first coating member 19 covering the lateral face of the wavelength conversion member, and a second coating member 21 covering the lateral face of the light emitting element entirely, and having an inner surface 21S1 extending from the periphery of the bottom face of the wavelength conversion member toward the to a face side, where the first and second coating members have light absorption factors different from each other, and the first coating member is filled between the second coating member and the wavelength conversion member.SELECTED DRAWING: Figure 1B

Description

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素子を用いた発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device using a light emitting element such as a light emitting diode (LED).

発光素子及び当該発光素子の上面に設けられた透光性部材を含む発光装置が知られている。当該透光性部材に、当該発光素子から出射される光の波長変換が可能な材料を添加することで、当該発光装置による発光色を調整することができる。例えば、特許文献１には、発光素子と、光透過部材と、前記光透過部材の側面を被覆して前記発光素子を包囲する光反射性の第１の被覆部材と、前記第１の被覆部材を被覆する第２の被覆部材と、を備える発光装置が開示されている。 A light emitting device including a light emitting element and a translucent member provided on an upper surface of the light emitting element is known. By adding a material capable of converting the wavelength of light emitted from the light emitting element to the light transmissive member, the color of light emitted by the light emitting device can be adjusted. For example, Patent Document 1 discloses a light-emitting element, a light-transmitting member, a light-reflective first covering member that covers a side surface of the light-transmitting member and surrounds the light-emitting element, and the first covering member. And a second covering member for covering the light emitting device.

また、特許文献２には、発光素子と、透光性部材と、前記透光性部材の少なくとも一部を被覆する光反射性樹脂と、を備える発光装置が開示されている。特許文献３には、１つ以上の発光素子と、発光素子の上面と接合して設けられた透光性部材と、前記透光性部材の上面を露出させて前記透光性部材の表面と前記発光素子の側面とを被覆する光反射性部材と、を備える発光装置が開示されている。 Patent Document 2 discloses a light emitting device including a light emitting element, a translucent member, and a light reflective resin that covers at least a part of the translucent member. In Patent Document 3, one or more light emitting elements, a translucent member provided bonded to the upper surface of the light emitting element, an upper surface of the translucent member, and the surface of the translucent member are exposed. A light emitting device is disclosed that includes a light reflective member that covers a side surface of the light emitting element.

特許第５５２１３２５号公報Japanese Patent No. 5521325 特許第５４８２３７８号公報Japanese Patent No. 5482378 特開第２０１７−１０８０９１号公報JP 2017-108091 A

特許文献１乃至３に記載のような発光装置を、例えば光学系に結合して灯体に用いた際に、発光素子の周辺からの光漏れによって、所望の明暗のコントラストが得られないという問題があった。 When the light-emitting device described in Patent Documents 1 to 3 is used in a lamp body, for example, coupled to an optical system, a desired contrast between light and dark cannot be obtained due to light leakage from the periphery of the light-emitting element. was there.

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、発光素子の周辺からの光漏れが少なく、高輝度かつ高コントラストの発光装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a light emitting device with high brightness and high contrast with less light leakage from the periphery of the light emitting element.

本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に実装された発光素子と、前記発光素子上に配され、前記発光素子の上面全体を覆う底面と前記底面よりも小さい上面とを有し、前記底面から前記上面に向かうに従って前記基板に平行な方向の幅が小さくなる側面形状を有する波長変換部材と、前記波長変換部材の側面を被覆する第１の被覆部材と、前記発光素子の側面全体を被覆し、前記波長変換部材の前記底面の外周部から前記上面側に向かって延在する内側面を有する第２の被覆部材と、を有し、前記第１の被覆部材と前記第２の被覆部材とは、互いに異なる光吸収率を有し、前記第１の被覆部材は、前記第２の被覆部材と前記波長変換部材との間に充填されている。 The light emitting device of the present invention has a substrate, a light emitting element mounted on the substrate, a bottom surface that is disposed on the light emitting element and covers the entire top surface of the light emitting element, and an upper surface that is smaller than the bottom surface, A wavelength conversion member having a side surface shape whose width in a direction parallel to the substrate decreases from the bottom surface toward the top surface, a first covering member that covers the side surface of the wavelength conversion member, and the entire side surface of the light emitting element And a second covering member having an inner surface extending from the outer peripheral portion of the bottom surface of the wavelength conversion member toward the upper surface side, and the first covering member and the second covering member. The covering member has a different light absorption rate from each other, and the first covering member is filled between the second covering member and the wavelength conversion member.

また、本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に整列して配列された複数の発光素子からなる素子アレイと、前記素子アレイ上に配され、前記素子アレイの上面の外縁全体にわたる底面と、前記底面よりも小さい上面とを有し、前記底面から前記上面に向かうに従って前記基板に平行な方向の幅が小さくなる側面形状を有する波長変換部材と、前記波長変換部材の側面を被覆する第１の被覆部材と、前記素子アレイの外縁をなすアレイ側面の全体を被覆し、前記波長変換部材の前記底面の外周部から前記上面側に向かって延在する内側面を有する第２の被覆部材と、を有し、前記第１の被覆部材と前記第２の被覆部材とは、互いに異なる光吸収率を有し、前記第１の被覆部材は、前記第２の被覆部材と前記波長変換部材との間に充填されている。 The light-emitting device of the present invention includes a substrate, an element array composed of a plurality of light-emitting elements arranged in alignment on the substrate, and a bottom surface over the entire outer edge of the upper surface of the element array. And a wavelength conversion member having a side surface that has a lower surface that is smaller than the bottom surface, the width in the direction parallel to the substrate decreases from the bottom surface toward the top surface, and the side surface of the wavelength conversion member is covered. A second coating having a first coating member and an inner side surface that covers the entire array side surface that forms the outer edge of the element array and extends from the outer peripheral portion of the bottom surface of the wavelength conversion member toward the upper surface side. And the first covering member and the second covering member have different light absorption rates, and the first covering member and the second covering member and the wavelength converter Filled between the parts That.

実施例１に係る発光装置の上面図である。1 is a top view of a light emitting device according to Example 1. FIG. 実施例１に係る発光装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 1. FIG. 図１Ｂの一部を抜粋した断面図である。It is sectional drawing which extracted a part of FIG. 1B. 実施例１に係る発光装置の製造工程の一部を示す図である。6 is a diagram illustrating a part of a manufacturing process of the light emitting device according to Example 1. FIG. 実施例１に係る発光装置の製造工程の一部を示す図である。6 is a diagram illustrating a part of a manufacturing process of the light emitting device according to Example 1. FIG. 実施例１に係る発光装置の製造工程の一部を示す図である。6 is a diagram illustrating a part of a manufacturing process of the light emitting device according to Example 1. FIG. 実施例１に係る発光装置の相対輝度を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the relative luminance of the light emitting device according to Example 1. 実施例１の変形例１に係る発光装置の断面図である。6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Modification 1 of Example 1. FIG. 実施例１の変形例２に係る発光装置の断面図である。6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Modification 2 of Example 1. FIG. 実施例２に係る発光装置の上面図である。6 is a top view of a light emitting device according to Example 2. FIG. 実施例２に係る発光装置の断面図である。6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 2. FIG. 実施例２に係る素子アレイの上面図である。6 is a top view of an element array according to Example 2. FIG. 実施例２に係る発光装置の断面図である。6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 2. FIG. 実施例２の変形例に係る発光装置の断面図である。6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a modification of Example 2. FIG. 実施例２の変形例に係る発光装置の製造工程の一部を示す図である。10 is a diagram showing a part of a manufacturing process of a light emitting device according to a modification of Example 2. FIG.

以下に本発明の実施例について詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。 Examples of the present invention will be described in detail below. In the following description and the accompanying drawings, substantially the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals.

図１Ａ〜図１Ｃを参照しつつ、実施例１に係る発光装置１０の構成について説明する。図１Ａは、発光装置１０の上面図である。図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。 The configuration of the light-emitting device 10 according to Example 1 will be described with reference to FIGS. 1A to 1C. FIG. 1A is a top view of the light emitting device 10. 1B is a cross-sectional view taken along line 1B-1B in FIG. 1A.

基板１１は、図１Ａに示すように、上面視において矩形の形状を有する平板状の基板である。基板１１は、一方の主面において、電極及び配線（図示せず）が設けられてＬＥＤ等の素子が実装され得る実装面を有している。基板１１は、例えば、ＡｌＮなどのセラミック基板である。 As shown in FIG. 1A, the substrate 11 is a flat substrate having a rectangular shape in a top view. The substrate 11 has a mounting surface on one main surface on which electrodes and wiring (not shown) are provided, and an element such as an LED can be mounted. The substrate 11 is a ceramic substrate such as AlN, for example.

発光素子１３は、上面視において矩形の形状を有する直方体形状を有する発光素子である。図１Ｂに示すように、発光素子１３は、基板１１の実装面上に実装されている。発光素子１３の上面１３Ｓは、発光素子１３の発光面である。 The light emitting element 13 is a light emitting element having a rectangular parallelepiped shape having a rectangular shape in a top view. As shown in FIG. 1B, the light emitting element 13 is mounted on the mounting surface of the substrate 11. The upper surface 13S of the light emitting element 13 is a light emitting surface of the light emitting element 13.

発光素子１３は、例えば、発光ダイオードなどの半導体発光素子である。発光素子１３は、例えば、窒化物系半導体からなる光半導体層を含む。本実施例において、発光素子１３は、メタルボンディング構造（ＭＢ構造又はシンフィルム型の貼り合わせ構造）を有する素子であり、上面発光タイプの素子である。 The light emitting element 13 is, for example, a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode. The light emitting element 13 includes, for example, an optical semiconductor layer made of a nitride semiconductor. In this embodiment, the light emitting element 13 is an element having a metal bonding structure (MB structure or thin film type bonding structure), and is a top emission type element.

接着層１５は、発光素子１３上に形成されている。接着層１５は、発光素子１３から出射される光に対して透過性を有する透光性の接着剤からなる。接着層１５の上面視における外縁は、発光素子１３の発光面１３Ｓの外縁と実質的に一致している。 The adhesive layer 15 is formed on the light emitting element 13. The adhesive layer 15 is made of a translucent adhesive that is transmissive to the light emitted from the light emitting element 13. The outer edge of the adhesive layer 15 in a top view substantially matches the outer edge of the light emitting surface 13S of the light emitting element 13.

波長変換部材１７は、接着層１５を介して発光素子１３上に配されている。図１Ｂに示すように、波長変換部材１７は、発光素子１３の上面全体を覆う底面１７Ｂと、底面１７Ｂよりも小さい上面１７Ｔとを有している。底面１７Ｂの外縁は、発光面１３Ｓ及び接着層１５の外縁と実質的に一致している。 The wavelength conversion member 17 is disposed on the light emitting element 13 via the adhesive layer 15. As shown in FIG. 1B, the wavelength conversion member 17 has a bottom surface 17B that covers the entire top surface of the light emitting element 13, and a top surface 17T that is smaller than the bottom surface 17B. The outer edge of the bottom surface 17 B substantially coincides with the outer edges of the light emitting surface 13 S and the adhesive layer 15.

また、波長変換部材１７は、底面１７Ｂから上面１７Ｔに向かうに従って、基板１１に平行な方向の幅が小さくなる側面形状を有している。図１Ａに示すように、波長変換部材１７の上面１７Ｔ及び底面１７Ｂは、上面視において矩形の形状を有している。また、上面１７Ｔは底面１７Ｂの相似形状である。 Further, the wavelength conversion member 17 has a side surface shape in which the width in the direction parallel to the substrate 11 becomes smaller from the bottom surface 17B toward the top surface 17T. As shown in FIG. 1A, the upper surface 17T and the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17 have a rectangular shape in a top view. The top surface 17T has a similar shape to the bottom surface 17B.

図１Ｃは、図１Ｂの破線で囲まれた部分Ａのうち波長変換部材１７のみを抜き出して示す図である。図１Ｃに示すように、波長変換部材１７は、底面１７Ｂから基板１１に垂直な方向に延びている部分である第１垂直部１７Ｓ１と、第１垂直部１７Ｓ１の上端から上面１７Ｔに向かうに従って内側に傾斜している部分である傾斜部１７Ｓ２と、傾斜部１７Ｓ２の上端から上面１７Ｔに向かって基板１１に垂直な方向に延びている部分である第２垂直部１７Ｓ３と、からなる側面を有している。 FIG. 1C is a diagram showing only the wavelength conversion member 17 extracted from the portion A surrounded by the broken line in FIG. 1B. As shown in FIG. 1C, the wavelength conversion member 17 has a first vertical portion 17S1 extending from the bottom surface 17B in a direction perpendicular to the substrate 11, and an inner side from the upper end of the first vertical portion 17S1 toward the upper surface 17T. And a second vertical portion 17S3 which is a portion extending in a direction perpendicular to the substrate 11 from the upper end of the inclined portion 17S2 toward the upper surface 17T from the upper end of the inclined portion 17S2. ing.

従って、図１Ｃ中の、波長変換部材１７の底面１７Ｂを含む部分１７Ｐ１及び上面１７Ｔを含む部分１７Ｐ３は角柱形状を有し、傾斜部１７Ｓ２を含む部分１７Ｐ２は角錐台形状を有している。このように、波長変換部材１７は、底面側の角柱形状の部分１７Ｐ１、角錐台形状の部分１７Ｐ２及び上面側の角柱形状の部分１７Ｐ３が一体的に形成された構造を有している。 Accordingly, the portion 17P1 including the bottom surface 17B and the portion 17P3 including the upper surface 17T of the wavelength conversion member 17 in FIG. 1C have a prismatic shape, and the portion 17P2 including the inclined portion 17S2 has a truncated pyramid shape. Thus, the wavelength conversion member 17 has a structure in which the prismatic portion 17P1 on the bottom side, the truncated pyramid portion 17P2, and the prismatic portion 17P3 on the top surface are integrally formed.

波長変換部材１７は、例えば、蛍光材料を焼結したセラミックプレートであるか又は蛍光体粒子を含有する樹脂層である。本実施例において、例えば、波長変換部材１７は、アルミナとＹＡＧ蛍光体を高温焼成して作製されたセラミックプレートである。 The wavelength conversion member 17 is, for example, a ceramic plate obtained by sintering a fluorescent material or a resin layer containing phosphor particles. In this embodiment, for example, the wavelength conversion member 17 is a ceramic plate produced by firing alumina and a YAG phosphor at a high temperature.

第１の被覆部材１９は、図１Ａに示すように、上面視において、波長変換部材１７の外周の外側に、波長変換部材１７を囲むように形成されており、矩形の外形を有している。図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、第１の被覆部材１９は、波長変換部材１７の側面のうち傾斜部１７Ｓ２及び第２垂直部１７Ｓ３を被覆している。 As shown in FIG. 1A, the first covering member 19 is formed outside the outer periphery of the wavelength conversion member 17 so as to surround the wavelength conversion member 17 in a top view, and has a rectangular outer shape. . As shown in FIGS. 1B and 1C, the first covering member 19 covers the inclined portion 17S2 and the second vertical portion 17S3 of the side surface of the wavelength conversion member 17.

第１の被覆部材１９は、例えば、酸化チタン等の光反射性の粒子を含む樹脂製の部材である。例えば、第１の被覆部材１９には、シリコーン樹脂に酸化チタン粒子を２０−５０ｗｔ％混合したものを用いることができる。 The first covering member 19 is a resin member including light reflective particles such as titanium oxide. For example, the first covering member 19 may be made of a silicone resin mixed with 20-50 wt% titanium oxide particles.

第２の被覆部材２１は、図１Ａに示すように、上面視において、第１の被覆部材１９の外周の外側に、第１の被覆部材１９を囲むように形成されており、矩形の外形を有している。図１Ｂに示すように、第２の被覆部材２１は、基板１１から基板１１に垂直な方向に、底面１７Ｂの外周部を通って延在する内側面２１Ｓ１を有している。また、第２の被覆部材２１は、上面を有している。 As shown in FIG. 1A, the second covering member 21 is formed outside the outer periphery of the first covering member 19 so as to surround the first covering member 19 in a top view, and has a rectangular outer shape. Have. As shown in FIG. 1B, the second covering member 21 has an inner side surface 21S1 extending from the substrate 11 in the direction perpendicular to the substrate 11 through the outer peripheral portion of the bottom surface 17B. The second covering member 21 has an upper surface.

図１Ｂに示すように、第２の被覆部材２１は、発光素子１３の側面全体を被覆している。また、第２の被覆部材２１は、接着層１５の側面及び波長変換部材１７の第１垂直部１７Ｓ１を被覆している。従って、第１の被覆部材１９は、第２の被覆部材２１と波長変換部材１７との間に充填されている構成となっている。 As shown in FIG. 1B, the second covering member 21 covers the entire side surface of the light emitting element 13. The second covering member 21 covers the side surface of the adhesive layer 15 and the first vertical portion 17S1 of the wavelength conversion member 17. Therefore, the first covering member 19 is configured to be filled between the second covering member 21 and the wavelength conversion member 17.

本実施例において、第２の被覆部材２１の内側面２１Ｓ１、第１の被覆部材１９の外側面、波長変換部材１７の底面１７Ｂの外周部、接着層１５及び発光面１３Ｓの外縁は、上面視において実質的に一致している。 In the present embodiment, the inner surface 21S1 of the second covering member 21, the outer surface of the first covering member 19, the outer peripheral portion of the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17, the outer edges of the adhesive layer 15 and the light emitting surface 13S are viewed from above. In FIG.

また、本実施例において、波長変換部材１７の上面１７Ｔと第１の被覆部材１９の上面とは、同一平面をなしている。 In this embodiment, the upper surface 17T of the wavelength conversion member 17 and the upper surface of the first covering member 19 are on the same plane.

第２の被覆部材２１は、第１の被覆部材１９とは異なる光吸収性を有する部材である。例えば、第２の被覆部材２１は、カーボンブラック等の光吸収性の粒子を含む樹脂製の部材である。例えば、第２の被覆部材２１には、シリコーン樹脂に酸化チタン粒子を混合したものにさらにカーボンブラックを混合したものを用いることができる。本実施例においては、第２の被覆部材２１は、第１の被覆部材１９よりも高い光吸収率を有する場合について説明する。 The second covering member 21 is a member having a light absorption property different from that of the first covering member 19. For example, the second covering member 21 is a resin member including light-absorbing particles such as carbon black. For example, the second covering member 21 may be made by mixing a silicone resin with titanium oxide particles and further mixing carbon black. In the present embodiment, the case where the second covering member 21 has a higher light absorption rate than the first covering member 19 will be described.

枠体２３は、基板１１上の外周部に設けられて第２の被覆部材２１を囲む枠体である。枠体２３は、例えば、ＡｌＮなどのセラミックスからなる。本実施例において、枠体２３は、基板１１と一体的に形成されている。第２の被覆部材２１は、枠体２３と、発光素子１３、接着層１５、波長変換部材１７及び第１の被覆部材１９との間に充填されている構成を有している。 The frame body 23 is a frame body that is provided on the outer peripheral portion on the substrate 11 and surrounds the second covering member 21. The frame body 23 is made of ceramics such as AlN, for example. In the present embodiment, the frame body 23 is formed integrally with the substrate 11. The second covering member 21 has a structure filled between the frame body 23, the light emitting element 13, the adhesive layer 15, the wavelength conversion member 17, and the first covering member 19.

図２Ａ〜図２Ｃを参照しつつ、波長変換部材１７及び第１の被覆部材１９の製造工程の一例について説明する。図２Ａは、ダイシングシート２５、蛍光体セラミックプレート１７Ｍ及び蛍光体セラミックプレート１７Ｍを加工する際に用いられる第１のブレードＢ１の先端部分の近傍を示す断面図である。図２Ａに示すように、第１のブレードＢ１は、互いに平行な側面を有し、先端部分においてテーパ形状を有している。 An example of a manufacturing process of the wavelength conversion member 17 and the first covering member 19 will be described with reference to FIGS. 2A to 2C. FIG. 2A is a cross-sectional view showing the vicinity of the tip portion of the first blade B1 used when the dicing sheet 25, the phosphor ceramic plate 17M, and the phosphor ceramic plate 17M are processed. As shown in FIG. 2A, the first blade B1 has side surfaces parallel to each other, and has a tapered shape at the tip portion.

図２Ａの工程において、ダイシングシート２５上に蛍光体セラミックプレート１７Ｍを配置し、第１のブレードＢ１を用いて、蛍光体セラミックプレート１７Ｍの上面に溝を形成する。図２Ａは、当該溝の形成の際に、蛍光体セラミックプレート１７Ｍに第１のブレードＢ１が挿入されている状態を示している。 2A, the phosphor ceramic plate 17M is disposed on the dicing sheet 25, and a groove is formed on the upper surface of the phosphor ceramic plate 17M using the first blade B1. FIG. 2A shows a state where the first blade B1 is inserted into the phosphor ceramic plate 17M when the groove is formed.

例えば、当該溝の形成は、蛍光体セラミックプレート１７Ｍの上面視（図示せず）においてＸ方向とこれに垂直な方向であるＹ方向について行う。Ｘ方向の溝とＹ方向の溝とによって囲まれた部分の大きさが所定の面積となるようにブレードの間隔を設定する。例えば、当該溝と隣接する溝との間隔は、発光素子１３の上面１３Ｓの寸法に合わせて設定される。 For example, the grooves are formed in the X direction and the Y direction that is perpendicular to the X direction in the top view (not shown) of the phosphor ceramic plate 17M. The interval between the blades is set so that the size of the portion surrounded by the groove in the X direction and the groove in the Y direction becomes a predetermined area. For example, the interval between the groove and the adjacent groove is set according to the dimension of the upper surface 13S of the light emitting element 13.

図２Ａに示すように、第１のブレードＢ１の先端部分を蛍光体セラミックプレート１７Ｍに対して垂直に挿入すると、第１のブレードＢ１の互いに平行な側面によって加工された部分は、波長変換部材１７の第２の垂直部１７Ｓ３に相当する部分となる。また、第１のブレードＢ１のテーパ形状の部分によって加工された部分は、波長変換部材１７の傾斜部１７Ｓ２に相当する部分となる。 As shown in FIG. 2A, when the tip portion of the first blade B1 is inserted perpendicularly to the phosphor ceramic plate 17M, the portion processed by the mutually parallel side surfaces of the first blade B1 becomes the wavelength conversion member 17. This is a portion corresponding to the second vertical portion 17S3. Further, the portion processed by the tapered portion of the first blade B1 is a portion corresponding to the inclined portion 17S2 of the wavelength conversion member 17.

図２Ｂは、図２Ａの工程で溝が形成された蛍光体セラミックプレート１７Ｍ及び当該溝に充填された樹脂１９Ｍを示す断面図である。樹脂１９Ｍの充填は、例えば酸化チタン粒子を含むシリコーン樹脂をディスペンサー装置にて当該溝に充填し、硬化させて行う。また、耐熱マスキングテープを蛍光体セラミックプレート１７Ｍの上面に貼り合わせ、端面から毛細管現象を利用して樹脂１９Ｍを充填し、硬化させてもよい。これによって、蛍光体セラミックプレート１７Ｍの上面と樹脂１９の上面とが同一平面上に形成され得る。 2B is a cross-sectional view showing phosphor ceramic plate 17M having grooves formed in the process of FIG. 2A and resin 19M filled in the grooves. The filling of the resin 19M is performed, for example, by filling a silicone resin containing titanium oxide particles into the groove with a dispenser device and curing the groove. Further, a heat-resistant masking tape may be bonded to the upper surface of the phosphor ceramic plate 17M, and the resin 19M may be filled from the end surface using a capillary phenomenon and cured. Thereby, the upper surface of the phosphor ceramic plate 17M and the upper surface of the resin 19 can be formed on the same plane.

図２Ｃは、蛍光体セラミックプレート１７Ｍの溝に充填された樹脂１９Ｍ及び第２のブレードＢ２を示す断面図である。本実施例において、第２のブレードＢ２として、互いに平行な側面を有するブレードを用いる。図２Ｃに示すように、樹脂１９Ｍが充填された溝の中央であり当該溝の底面に相当する位置に、蛍光体セラミックプレート１７Ｍに対して垂直に第２のブレードＢ２を挿入し、樹脂１９Ｍ及び蛍光体セラミックプレート１７Ｍを切断して個片化する。 FIG. 2C is a cross-sectional view showing the resin 19M and the second blade B2 filled in the grooves of the phosphor ceramic plate 17M. In this embodiment, a blade having side surfaces parallel to each other is used as the second blade B2. As shown in FIG. 2C, the second blade B2 is inserted perpendicularly to the phosphor ceramic plate 17M at the center of the groove filled with the resin 19M and corresponding to the bottom surface of the groove. The phosphor ceramic plate 17M is cut into individual pieces.

これによって、溝に樹脂１９が充填された蛍光体セラミックプレート１７Ｍのプレート片は、第１の被覆部材１９を有する波長変換部材１７となる。波長変換部材１７の傾斜部１７Ｓ２及び第２の垂直部１７Ｓ３は第１の被覆部材１９によって被覆されている。また、当該個片の第２のブレードＢ２による切断面は波長変換部材１７の底面１７Ｂに対して垂直であり、第１の被覆部材１９の外側面及び波長変換部材１７の第１垂直部１７Ｓ１となっている。 Accordingly, the plate piece of the phosphor ceramic plate 17M in which the resin 19 is filled in the groove becomes the wavelength conversion member 17 having the first covering member 19. The inclined portion 17S2 and the second vertical portion 17S3 of the wavelength conversion member 17 are covered with a first covering member 19. In addition, the cut surface of the individual piece by the second blade B2 is perpendicular to the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17, and the outer surface of the first covering member 19 and the first vertical portion 17S1 of the wavelength conversion member 17 It has become.

このように、第１の被覆部材１９に被覆された波長変換部１７の個片を形成することができる。なお、上述したように、第１のブレードＢ１及び第２のブレードＢ２の形状によって、波長変換部材１７の第１の垂直部１７Ｓ１及び第２の垂直部１７Ｓ３を設けることができる。これによって、波長変換部材１７の上面１７Ｔ及び底面１７Ｂの寸法が安定し、加工精度の確保を図ることができる。 In this way, individual pieces of the wavelength conversion unit 17 covered with the first covering member 19 can be formed. As described above, the first vertical portion 17S1 and the second vertical portion 17S3 of the wavelength conversion member 17 can be provided depending on the shapes of the first blade B1 and the second blade B2. As a result, the dimensions of the upper surface 17T and the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17 are stabilized, and the processing accuracy can be ensured.

なお、このように個片化された第１の被覆部材１９を有する波長変換部材１７は、各々が発光素子１３の上に接着層１５を介して配される。その後、発光素子１３、波長変換部材１７及び第１の被覆部材１９の側面と、枠体２３との間に第２の被覆部材２１を充填することで図１にあるような発光装置を作製することができる。 Each of the wavelength conversion members 17 having the first covering members 19 separated into individual pieces as described above is disposed on the light emitting element 13 via the adhesive layer 15. Thereafter, the second covering member 21 is filled between the side surfaces of the light emitting element 13, the wavelength conversion member 17 and the first covering member 19 and the frame body 23, thereby manufacturing the light emitting device as shown in FIG. 1. be able to.

図３は、発光装置１０の発光面の周囲の相対輝度分布を示す図である。図３中のグラフにおいて、横軸は、波長変換部材１７の上面１７Ｔの中心を０ｍｍとした発光装置１０の上面上の位置を示している。図３中のグラフにおいて、縦軸は、位置０ｍｍの輝度を１とした相対輝度を示している。 FIG. 3 is a diagram illustrating a relative luminance distribution around the light emitting surface of the light emitting device 10. In the graph in FIG. 3, the horizontal axis indicates the position on the upper surface of the light emitting device 10 where the center of the upper surface 17T of the wavelength conversion member 17 is 0 mm. In the graph in FIG. 3, the vertical axis represents the relative luminance with the luminance at the position 0 mm being 1.

図３中の「１７Ｔ」は、横軸上の位置に関して、波長変換部材１７の上面１７Ｔに対応する領域を示している。図３中の「ａ」は、第１の被覆部材１９の上面に相当する領域を示している。図３中の「ｂ」は、第２の被覆部材２１の上面に相当する領域を示している。また、領域１７Ｔ及び領域ａを合わせた領域は、発光素子１３の発光面の領域に相当する（図１Ｂ参照）。 “17T” in FIG. 3 indicates a region corresponding to the upper surface 17T of the wavelength conversion member 17 with respect to the position on the horizontal axis. “A” in FIG. 3 indicates a region corresponding to the upper surface of the first covering member 19. “B” in FIG. 3 indicates a region corresponding to the upper surface of the second covering member 21. Further, the region including the region 17T and the region a corresponds to the region of the light emitting surface of the light emitting element 13 (see FIG. 1B).

図３において、発光装置１０の相対輝度分布を「実施例」として実線で示し、比較例の発光装置の相対輝度分布を「比較例」として破線で示している。比較例において、第２の被覆部材２１には、第１の被覆部材１９と同一の材料を用いて、発光装置１０の第２の被覆部材２１と同一の形状に、同一の工程によって形成したものを用いた。 In FIG. 3, the relative luminance distribution of the light emitting device 10 is indicated by a solid line as “Example”, and the relative luminance distribution of the light emitting device of the comparative example is indicated by a broken line as “Comparative Example”. In the comparative example, the second covering member 21 is formed using the same material as the first covering member 19 in the same shape as the second covering member 21 of the light emitting device 10 in the same process. Was used.

具体的には、実施例の第１の被覆部材１９を、シリコーン樹脂に酸化チタンを２５ｗｔ％混合したもの（Ａ）を用いて作製した。また、実施例の第２の被覆部材２１を、シリコーン樹脂に酸化チタンを２５ｗｔ％混合したもの（Ａ）と、シリコーン樹脂にカーボンブラックを１ｗｔ％混合したもの（Ｂ）とを、混合比が重量比でＡ：Ｂ＝９７．５：２．５となるように混合したものを用いて作製した。 Specifically, the first covering member 19 of the example was manufactured using a mixture (A) of 25 wt% titanium oxide in a silicone resin. The mixing ratio of the second covering member 21 of the example in which the silicone resin was mixed with 25 wt% of titanium oxide (A) and the silicone resin mixed with 1 wt% of carbon black (B) was mixed by weight. A mixture was used so that the ratio was A: B = 97.5: 2.5.

比較例については、第１の被覆部材１９及び第２の被覆部材２１をシリコーン樹脂に酸化チタンを２５ｗｔ％混合したもの（Ａ）を用いて作製した。実施例における第２の被覆部材２１にのみ光吸収性を有するカーボンブラックが含まれており、比較例における第２の被覆部材２１よりも、実施例における第２の被覆部材２１の方が高い光吸収率を有する。 About the comparative example, the 1st coating member 19 and the 2nd coating member 21 were produced using what mixed 25 wt% of titanium oxide in the silicone resin (A). Only the second covering member 21 in the example contains carbon black having light absorption, and the second covering member 21 in the example has higher light than the second covering member 21 in the comparative example. Has an absorption rate.

図３に示すように、実施例及び比較例の相対輝度分布は、第１の被覆部材１９の上面に相当する領域ａでは同等の輝度減衰カーブとなっている。これに対して、第２の被覆部材２１の上面に相当する領域ｂでは、比較例よりも実施例の方が輝度の減衰が急峻となっている。 As shown in FIG. 3, the relative luminance distributions of the example and the comparative example have the same luminance attenuation curve in the region “a” corresponding to the upper surface of the first covering member 19. On the other hand, in the region b corresponding to the upper surface of the second covering member 21, the attenuation of the brightness is steeper in the example than in the comparative example.

特に、波長変換部材１７の上面１７Ｔの端部から０．２ｍｍの位置に相当する±０．７ｍｍの位置における相対輝度は、比較例では約０．０２であるのに対して、実施例では約０．００５と低くなっている。従って、比較例よりも実施例の方が、領域ｂへの光漏れが抑制されたといえる。 In particular, the relative luminance at a position of ± 0.7 mm corresponding to a position of 0.2 mm from the end of the upper surface 17T of the wavelength conversion member 17 is about 0.02 in the comparative example, whereas it is about 0.02 in the example. It is as low as 0.005. Therefore, it can be said that the light leakage to the area | region b was suppressed in the Example rather than the comparative example.

上述したように、実施例における第２の被覆部材２１の方が、比較例における第２の被覆部材２１よりも高い光吸収率を有している。しかし、領域１７Ｔ及び領域ａでは実施例と比較例との間で相対輝度分布に差異は無い。すなわち、第２の被覆部材２１の光吸収率を高くしても、発光素子１３の発光面内の相対輝度の低下は見られない。 As described above, the second covering member 21 in the example has a higher light absorption rate than the second covering member 21 in the comparative example. However, in the region 17T and the region a, there is no difference in the relative luminance distribution between the example and the comparative example. That is, even if the light absorption rate of the second covering member 21 is increased, no decrease in the relative luminance in the light emitting surface of the light emitting element 13 is observed.

このように、実施例では、発光装置１０の構成において、第１の被覆部材１９よりも光吸収率が高い第２の被覆部材２１を用いて、発光素子１３の発光面内の輝度を維持しつつ、当該発光面より外側の領域への光の漏洩を抑制してコントラストを高めることができた。 Thus, in the embodiment, in the configuration of the light emitting device 10, the brightness within the light emitting surface of the light emitting element 13 is maintained by using the second covering member 21 having a higher light absorption rate than the first covering member 19. However, it was possible to suppress the leakage of light to the region outside the light emitting surface and increase the contrast.

以上、詳細に説明したように、本実施例の発光装置１０は、発光素子１３、発光素子１３上に配された波長変換部材１７、波長変換部材１７の側面を被覆する第１の被覆部材１９及びこれらを被覆する第２の被覆部材２１を有している。そして、波長変換部材１７の底面１７Ｂの外縁及び第１の被覆部材１９の外側面は、発光素子１３の発光面１３Ｓの外縁に上面視において一致している。 As described above in detail, the light-emitting device 10 according to the present embodiment includes the light-emitting element 13, the wavelength conversion member 17 disposed on the light-emitting element 13, and the first covering member 19 that covers the side surface of the wavelength conversion member 17. And a second covering member 21 for covering them. The outer edge of the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17 and the outer surface of the first covering member 19 coincide with the outer edge of the light emitting surface 13S of the light emitting element 13 in a top view.

また、第２の被覆部材２１は、第１の被覆部材１９よりも高い光吸収率を有している。これによって、発光素子１３の発光面内の輝度を維持しつつ、当該発光面よりも外側の領域に光が漏洩することを抑制することができる。従って、本実施例の発光装置１０によれば、高輝度かつ高コントラストの発光装置を提供することができる。例えば、発光装置１０を自動車用灯具に用いた場合には、グレア光を低減することができる。 The second covering member 21 has a higher light absorption rate than the first covering member 19. Thereby, it is possible to prevent light from leaking to a region outside the light emitting surface while maintaining the luminance within the light emitting surface of the light emitting element 13. Therefore, according to the light emitting device 10 of the present embodiment, a light emitting device with high brightness and high contrast can be provided. For example, when the light emitting device 10 is used for an automotive lamp, glare light can be reduced.

［変形例１］
図４は、実施例１の変形例１に係る発光装置３０の断面図である。発光装置３０は、実施例１の発光装置１０の波長変換部材１７と側面の形状が異なる波長変換部材３７、及び第１の被覆部材１９と内側面の形状が異なる第１の被覆部材３９を有しており、その余の点については、発光装置１０と同様に構成されている。 [Modification 1]
FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device 30 according to the first modification of the first embodiment. The light emitting device 30 includes a wavelength converting member 37 having a side shape different from that of the wavelength converting member 17 of the light emitting device 10 of the first embodiment, and a first covering member 39 having an inner side shape different from that of the first covering member 19. The remaining points are configured in the same manner as the light emitting device 10.

図４に示すように、波長変換部材３７は、曲面を有する傾斜部３７Ｓ２を有している。第１の被覆部材３９は、波長変換部材３７の傾斜部３７Ｓ２に沿った内側面３９Ｓ２を有している。 As shown in FIG. 4, the wavelength conversion member 37 has an inclined portion 37S2 having a curved surface. The first covering member 39 has an inner side surface 39S2 along the inclined portion 37S2 of the wavelength conversion member 37.

例えば、波長変換部材３７は、図２Ａに示した製造工程において、セラミックプレート１７Ｍに溝を形成する際に、先端がＲ形状を有するブレードを用いることで形成することができる。当該溝に第１の被覆部材３９を形成する樹脂材を充填し、セラミックプレート１７Ｍを個片化することで、波長変換部３７が第１の被覆部材３９に被覆された個片を形成することができる。 For example, the wavelength conversion member 37 can be formed by using a blade having an R shape at the tip when forming a groove in the ceramic plate 17M in the manufacturing process shown in FIG. 2A. Filling the groove with a resin material for forming the first covering member 39 and separating the ceramic plate 17M into individual pieces so that the wavelength conversion unit 37 forms the individual pieces covered with the first covering member 39. Can do.

［変形例２］
図５は、実施例１の変形例２に係る発光装置４０の断面図である。発光装置４０は、波長変換部材１７の底面１７Ｂが発光素子１３の上面１３Ｓよりも大きい点及び接着層１５に代えて接着層４５を有している点において異なり、その余の点については実施例１の発光装置１０と同様に構成されている。 [Modification 2]
FIG. 5 is a cross-sectional view of the light emitting device 40 according to the second modification of the first embodiment. The light emitting device 40 is different in that the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17 is larger than the top surface 13S of the light emitting element 13 and that it has an adhesive layer 45 in place of the adhesive layer 15, and the other points are the examples. The light emitting device 10 is configured in the same manner.

図５に示すように、波長変換部材１７の底面１７Ｂが発光素子１３の上面１３Ｓよりも大きく、発光素子１３の上面１３Ｓの全体を覆っている。接着層４５は、波長変換部材１７の底面１７Ｂの全体と、発光素子１３の上面１３Ｓの全体と、上面１３Ｓから基板１１に至らない位置までの発光素子１３の側面の部分と、を被覆している。 As shown in FIG. 5, the bottom surface 17 B of the wavelength conversion member 17 is larger than the upper surface 13 S of the light emitting element 13 and covers the entire upper surface 13 S of the light emitting element 13. The adhesive layer 45 covers the entire bottom surface 17 B of the wavelength conversion member 17, the entire top surface 13 S of the light emitting element 13, and the side surface portion of the light emitting element 13 from the top surface 13 S to a position not reaching the substrate 11. Yes.

すなわち、接着層４５は、発光素子１３の側面の一部にも形成されている。図５は、接着層４５の、当該発光素子１３の側面の一部を被覆する部分４５Ｓは、当該側面の中間部まで、フィレット状に形成されている例について示している。 That is, the adhesive layer 45 is also formed on a part of the side surface of the light emitting element 13. FIG. 5 shows an example in which the portion 45S of the adhesive layer 45 covering a part of the side surface of the light emitting element 13 is formed in a fillet shape up to the middle portion of the side surface.

発光装置４０において、波長変換部材１７の底面１７Ｂが発光素子１３の上面１３Ｓよりも大きいことで、発光素子１３から出射される光の損失を防ぐことができ、当該光は効率良く波長変換部材１７に導光される。また、接着層４５が当該フィレット形状の部分４５Ｓを有することで、発光素子１３からの光を効率良く波長変換部材１７に導光することができる。 In the light emitting device 40, the bottom surface 17 B of the wavelength conversion member 17 is larger than the top surface 13 S of the light emitting element 13, so that loss of light emitted from the light emitting element 13 can be prevented. Is guided to. In addition, since the adhesive layer 45 includes the fillet-shaped portion 45 S, the light from the light emitting element 13 can be efficiently guided to the wavelength conversion member 17.

なお、図５に示すように、本変形例においても、発光装置１０の場合と同様に、第１の被覆部材１９の外側面と、波長変換部材１７の底面１７Ｂの外周部とは、上面視において実質的に一致している。従って、第２の被覆部材２１は、波長変換部材１７の底面１７Ｂの外周部から波長変換部材１７の上面１７Ｔ側に向かって、基板１１に垂直な方向に延在する内側面を有している。 As shown in FIG. 5, also in this modification, as in the case of the light emitting device 10, the outer surface of the first covering member 19 and the outer peripheral portion of the bottom surface 17 B of the wavelength conversion member 17 are viewed from above. In FIG. Therefore, the second covering member 21 has an inner side surface extending in a direction perpendicular to the substrate 11 from the outer peripheral portion of the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17 toward the upper surface 17T side of the wavelength conversion member 17. .

また、上記の実施例において、波長変換部材１７は、その側面が第１垂直部１７Ｓ１及び第２垂直部１７Ｓ３を有している例について説明したが、当該垂直部を有しない構造であってもよい。例えば、波長変換部材１７は、角錐台形状、円錐台形状等の錐台形状を有していてもよい。 In the above-described embodiment, the wavelength conversion member 17 has been described with respect to the example in which the side surface includes the first vertical portion 17S1 and the second vertical portion 17S3. Good. For example, the wavelength conversion member 17 may have a truncated cone shape such as a truncated pyramid shape or a truncated cone shape.

なお、上記の実施例及び変形例において、第１の被覆部材１９には、光反射性の粒子に加えて、光吸収材が添加されていてもよい。 In the above-described embodiments and modifications, the first covering member 19 may be added with a light absorbing material in addition to the light-reflecting particles.

また、例えば、第１の被覆部材１９が第２の被覆部材２１よりも高い光吸収率を有していても良い。すなわち、第１の被覆部材１９と第２の被覆部材２１とは、互いに異なる光吸収率を有していればよい。例えば、第１の被覆部材１９と第２の被覆部材２１とは、酸化チタン等の光反射性の粒子を一定以上の割合で含み、さらに、カーボンブラック等の光吸収材を互いに異なる濃度で含んでいても良い。 For example, the first covering member 19 may have a higher light absorption rate than the second covering member 21. That is, the first covering member 19 and the second covering member 21 may have different light absorption rates. For example, the first covering member 19 and the second covering member 21 include light-reflecting particles such as titanium oxide at a certain ratio or more, and further include light absorbing materials such as carbon black at different concentrations. You can leave.

これによって、波長変換部材１７又は３７の側面からの光漏れは第１の被覆部材１９によって吸収され、第２の被覆部材２１に入射された光は第１の被覆部材１９に戻され、発光面の端部において急峻な輝度プロファイルを得ることができる。このような発光装置は、例えば、より高いコントラストが要求される照明装置に用いることができる。 Accordingly, light leakage from the side surface of the wavelength conversion member 17 or 37 is absorbed by the first covering member 19, and the light incident on the second covering member 21 is returned to the first covering member 19, and the light emitting surface. A steep luminance profile can be obtained at the end of the. Such a light emitting device can be used, for example, in an illumination device that requires higher contrast.

なお、上記の実施例において、発光素子１３が上面発光タイプの素子である場合について説明したが、これに限られない。例えば、発光素子１３として、透明基板に半導体発光層を成長させて反転実装したフリップチップタイプの素子を用いてもよい。この場合、第２の被覆部材２１の光吸収率を低減させることで、発光素子１３の側面からの光を波長変換部材１７に導光することができ、輝度を低下させることなく、発光面の外側への光の漏洩を防止することができる。 In the above embodiment, the case where the light emitting element 13 is a top emission type element has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, as the light emitting element 13, a flip chip type element in which a semiconductor light emitting layer is grown on a transparent substrate and is inverted and mounted may be used. In this case, by reducing the light absorptance of the second covering member 21, light from the side surface of the light emitting element 13 can be guided to the wavelength conversion member 17, and the luminance of the light emitting surface can be reduced without lowering the luminance. Leakage of light to the outside can be prevented.

例えば、上記の変形例２において、発光素子１３がフリップチップ実装されている場合には、接着層４５がフィレット形状の部分４５Ｓを有することで、発光素子１３の側面からの光を効率よく波長変換部材１７に導光することができる。 For example, in the above-described modification 2, when the light emitting element 13 is flip-chip mounted, the adhesive layer 45 includes the fillet-shaped portion 45S, so that the light from the side surface of the light emitting element 13 is efficiently wavelength-converted. The light can be guided to the member 17.

図６Ａ及び図６Ｂを参照しつつ、実施例２に係る発光装置５０の構成について説明する。図６Ａは、発光装置５０の上面図である。図６Ｂは、図６Ａの６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面図である。 The configuration of the light-emitting device 50 according to Example 2 will be described with reference to FIGS. 6A and 6B. FIG. 6A is a top view of the light emitting device 50. 6B is a cross-sectional view taken along line 6B-6B in FIG. 6A.

発光装置５０は、一部の構成を除いて発光装置１０と同様に構成されている。以下、発光装置１０の場合と同様の構成については説明を省略し、異なる構成について説明する。 The light emitting device 50 is configured in the same manner as the light emitting device 10 except for some configurations. Hereinafter, the description of the same configuration as that of the light emitting device 10 will be omitted, and a different configuration will be described.

素子アレイ１３ＡＲは、基板１１上に整列されて配列された２つの発光素子１３からなる。素子アレイ１３ＡＲをなす発光素子１３の各々は、基板１１の実装面上に並置されて実装されている。素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁によって素子アレイ１３ＡＲの発光面が画定される。 The element array 13AR is composed of two light emitting elements 13 arranged in alignment on the substrate 11. Each of the light emitting elements 13 constituting the element array 13AR is mounted side by side on the mounting surface of the substrate 11. The light emitting surface of the element array 13AR is defined by the outer edge of the upper surface of the element array 13AR.

また、本実施例において発光素子１３は、直方体形状を有しており、素子アレイ１３ＡＲは、素子アレイ１３ＡＲの側面であるアレイ側面が直方体状となるように配列されている。 In the present embodiment, the light emitting elements 13 have a rectangular parallelepiped shape, and the element array 13AR is arranged so that the array side surface, which is the side surface of the element array 13AR, has a rectangular parallelepiped shape.

波長変換部材１７は、素子アレイ１３ＡＲ上に配されている。図６Ｂに示すように、波長変換部材１７の底面１７Ｂは、素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁全体にわたっている。また、波長変換部材１７は、実施例１の場合と同様に、底面１７Ｂよりも小さい上面１７Ｔを有し、底面１７Ｂから上面１７Ｔに向かうに従って基板１１に平行な方向の幅が小さくなる側面形状を有している。また、本実施例において、底面１７Ｂの外縁は、素子アレイ１３ＡＲの外縁と実質的に一致している。 The wavelength conversion member 17 is disposed on the element array 13AR. As shown in FIG. 6B, the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17 extends over the entire outer edge of the top surface of the element array 13AR. Similarly to the case of the first embodiment, the wavelength conversion member 17 has a top surface 17T that is smaller than the bottom surface 17B, and has a side surface shape that decreases in width in a direction parallel to the substrate 11 from the bottom surface 17B toward the top surface 17T. Have. In the present embodiment, the outer edge of the bottom surface 17B substantially coincides with the outer edge of the element array 13AR.

第１の被覆部材１９は、実施例１の場合と同様に、波長変換部材１７の側面を被覆している。 The first covering member 19 covers the side surface of the wavelength conversion member 17 as in the case of the first embodiment.

第２の被覆部材２１は、実施例１の場合と同様に、基板１１から基板１１に垂直な方向に、底面１７Ｂの外周部を通って延在する直方体状の内側面２１Ｓ１を有している。内側面２１Ｓ１は、素子アレイ１３ＡＲの外縁をなすアレイ側面の全体を被覆している。 The second covering member 21 has a rectangular parallelepiped inner side surface 21S1 extending through the outer peripheral portion of the bottom surface 17B in the direction perpendicular to the substrate 11 from the substrate 11 as in the case of the first embodiment. . The inner side surface 21S1 covers the entire array side surface that forms the outer edge of the element array 13AR.

また、第２の被覆部材２１は、素子アレイ１３ＡＲをなす１の発光素子１３と、これに隣接する他の発光素子１３との間に充填されている。図６Ｂに示すように、第２の被覆部材２１は、隣接する発光素子１３間の、発光素子１３の上面に至らない高さまで充填されている。 The second covering member 21 is filled between one light emitting element 13 constituting the element array 13AR and another light emitting element 13 adjacent thereto. As shown in FIG. 6B, the second covering member 21 is filled to a height that does not reach the upper surface of the light emitting element 13 between the adjacent light emitting elements 13.

接着層５５は、素子アレイ１３ＡＲ上に形成されている。接着層５５は、接着層１５と同様に、発光素子１３から出射される光に対して透過性を有する透光性の接着剤からなる。接着層５５の上面視における外縁は、素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁と実質的に一致している。 The adhesive layer 55 is formed on the element array 13AR. Similar to the adhesive layer 15, the adhesive layer 55 is made of a translucent adhesive having transparency to the light emitted from the light emitting element 13. The outer edge of the adhesive layer 55 in a top view substantially matches the outer edge of the upper surface of the element array 13AR.

接着層５５は、素子アレイ１３ＡＲの上面を全体にわたって覆っている。より詳細には、接着層５５は、素子アレイ１３ＡＲに含まれる発光素子１３の各々の上面全体及び隣接する発光素子１３間にひと続きに形成されている。図６Ｂに示すように、接着層５５は、隣接する発光素子１３間の間隙において、当該間隙に充填された第２の被覆部材２１上に形成されている。 The adhesive layer 55 covers the entire upper surface of the element array 13AR. More specifically, the adhesive layer 55 is formed in a continuous manner between the entire upper surface of each of the light emitting elements 13 included in the element array 13AR and between the adjacent light emitting elements 13. As shown in FIG. 6B, the adhesive layer 55 is formed in the gap between the adjacent light emitting elements 13 on the second covering member 21 filled in the gap.

発光素子１３の各々から出射された光は、接着層５５を介して波長変換部材１７に導光される。従って、素子アレイ１３ＡＲの上面から出射される光は、波長変換部材１７の上面から出射されて取り出される。 Light emitted from each of the light emitting elements 13 is guided to the wavelength conversion member 17 through the adhesive layer 55. Therefore, the light emitted from the upper surface of the element array 13AR is emitted from the upper surface of the wavelength conversion member 17 and extracted.

本実施例においても、実施例１の場合と同様に、第２の被覆部材２１の光吸収率を第１の被覆部材１９の光吸収率よりも高くすることができる。波長変換部材１７の側面から出射された光は、第１の被覆部材１９によって反射されて再び波長変換部材１７内に戻される。第１の被覆部材１９によって反射されなかった光は、第２の被覆部材によって反射又は吸収される。これによって、素子アレイ１３ＡＲの外縁によって画定される素子アレイ１３ＡＲの発光面よりも外側に光が漏洩することを抑制することができる。 Also in the present embodiment, as in the case of the first embodiment, the light absorption rate of the second covering member 21 can be made higher than the light absorption rate of the first covering member 19. The light emitted from the side surface of the wavelength conversion member 17 is reflected by the first covering member 19 and returned to the wavelength conversion member 17 again. The light that has not been reflected by the first covering member 19 is reflected or absorbed by the second covering member. Thereby, it is possible to prevent light from leaking outside the light emitting surface of the element array 13AR defined by the outer edge of the element array 13AR.

なお、本実施例において、素子アレイ１３ＡＲが２つの発光素子１３からなる例について説明したが、これに限られない。素子アレイ１３ＡＲは、複数の発光素子１３を含んでいればよく、３つ以上の発光素子１３が整列して配列された素子アレイであってもよい。素子アレイ１３ＡＲは、例えば、複数の（ｍ×ｎ個の）発光素子１３がｍ行ｎ列で整列されて配列されている。図６Ａは、発光素子１３が１行２列（ｍ＝１、ｎ＝２）で配列されている場合を示している。 In the present embodiment, the example in which the element array 13AR includes the two light emitting elements 13 has been described, but the present invention is not limited to this. The element array 13AR only needs to include a plurality of light emitting elements 13, and may be an element array in which three or more light emitting elements 13 are aligned. In the element array 13AR, for example, a plurality of (m × n) light emitting elements 13 are arranged in m rows and n columns. FIG. 6A shows a case where the light emitting elements 13 are arranged in one row and two columns (m = 1, n = 2).

図７は、矩形の発光素子１３が３行４列で整列されて配列されている素子アレイ１３ＡＲの一例について示す上面図である。この場合、素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁１３Ｅは、素子アレイ１３ＡＲの外周部に位置する発光素子１３の外側面を繋いだ直線によって画定され、矩形の形状を有している。 FIG. 7 is a top view showing an example of an element array 13AR in which rectangular light emitting elements 13 are arranged in 3 rows and 4 columns. In this case, the outer edge 13E on the upper surface of the element array 13AR is defined by a straight line connecting the outer surfaces of the light emitting elements 13 located on the outer peripheral portion of the element array 13AR, and has a rectangular shape.

本実施例において、発光素子１３が直方体形状を有しており、発光素子１３がｍ行ｎ列に整列されて配列されることで、素子アレイ１３ＡＲのアレイ側面は、直方体状となっている。従って、アレイ側面が素子アレイ１３ＡＲの外縁をなしている。 In the present embodiment, the light emitting element 13 has a rectangular parallelepiped shape, and the array side surface of the element array 13AR has a rectangular parallelepiped shape by arranging the light emitting elements 13 aligned in m rows and n columns. Therefore, the side surface of the array forms the outer edge of the element array 13AR.

なお、本実施例及び実施例１において、素子アレイＡＲの発光素子１３がｍ行ｎ列で整列されている例について説明したが、これに限られない。発光素子１３は、隣接する発光素子１３に対して任意の向き及び距離で配置されていてもよく、素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁１３Ｅは、例えば、素子アレイ１３ＡＲの外周部に位置する発光素子１３を全て含むように、長さが最短となるように囲んだ線によって画定されてもよい。或いは、素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁１３Ｅは、発光素子１３ＡＲをすべて含む矩形をなす線によって画定されてもよい。 In addition, in the present Example and Example 1, although the example in which the light emitting element 13 of the element array AR was arranged in m row n column was demonstrated, it is not restricted to this. The light emitting elements 13 may be arranged in any orientation and distance with respect to the adjacent light emitting elements 13, and the outer edge 13E on the upper surface of the element array 13AR is, for example, the light emitting elements 13 located on the outer peripheral portion of the element array 13AR. May be defined by a line that is enclosed so as to have the shortest length. Alternatively, the outer edge 13E on the upper surface of the element array 13AR may be defined by a line forming a rectangle including all the light emitting elements 13AR.

また、本実施例及び実施例１において、発光素子１３が直方体形状を有し、上面視において矩形である場合について説明したが、これに限られない。発光素子１３は、例えば、多角形の上面又は円形等の曲線を含む形状の上面を有していてもよい。 Moreover, in the present Example and Example 1, although the case where the light emitting element 13 had a rectangular parallelepiped shape and was a rectangle in the top view was demonstrated, it is not restricted to this. The light emitting element 13 may have, for example, a polygonal upper surface or an upper surface having a shape including a curve such as a circle.

この場合、素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁１３Ｅは、例えば、当該上面において、素子アレイ１３ＡＲの外周部に位置する発光素子１３の外縁を、素子アレイ１３ＡＲに含まれる発光素子１３を全て含むように、長さが最短となるように囲んだ線によって画定されてもよい。また、例えば、素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁１３Ｅは、発光素子１３ＡＲをすべて含む最小の矩形又は円形をなす線によって画定されてもよい。 In this case, the outer edge 13E on the upper surface of the element array 13AR includes, for example, all the light emitting elements 13 included in the element array 13AR, including the outer edge of the light emitting element 13 positioned on the outer peripheral portion of the element array 13AR on the upper surface. It may be defined by a line surrounded by the shortest length. Further, for example, the outer edge 13E on the upper surface of the element array 13AR may be defined by a minimum rectangular or circular line including all the light emitting elements 13AR.

図８は、図７に示した素子アレイ１３ＡＲを有する発光装置の一例である発光装置６０の８−８線に沿った断面図である。発光装置６０は、素子アレイ１３ＡＲを有している他は、図５に示した発光装置４０と同様に構成されている。図５に示した場合と同様に、発光装置６０は、波長変換部材１７の底面１７Ｂが素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁１３Ｅよりも大きい構成を有している。 FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line 8-8 of a light emitting device 60, which is an example of a light emitting device having the element array 13AR illustrated in FIG. The light emitting device 60 is configured in the same manner as the light emitting device 40 shown in FIG. 5 except that the light emitting device 60 has an element array 13AR. Similarly to the case shown in FIG. 5, the light emitting device 60 has a configuration in which the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17 is larger than the outer edge 13E on the top surface of the element array 13AR.

第２の被覆部材２１は、素子アレイ１３ＡＲをなす１の発光素子１３と、これに隣接する他の発光素子１３との間に充填されている。図８に示すように、第２の被覆部材２１は、隣接する発光素子１３間の、発光素子１３の上面に至らない高さまで充填されている。 The second covering member 21 is filled between one light emitting element 13 constituting the element array 13AR and another light emitting element 13 adjacent thereto. As shown in FIG. 8, the second covering member 21 is filled to a height that does not reach the upper surface of the light emitting element 13 between the adjacent light emitting elements 13.

接着層６５は、素子アレイ１３ＡＲの上面を全体にわたって覆っている（図５参照）。また、接着層６５は、隣接する発光素子１３間の間隙において、当該間隙に充填された第２の被覆部材２１上にひと続きに形成されている（図６Ｂ参照）。 The adhesive layer 65 covers the entire upper surface of the element array 13AR (see FIG. 5). The adhesive layer 65 is continuously formed on the second covering member 21 filled in the gap in the gap between the adjacent light emitting elements 13 (see FIG. 6B).

また、接着層６５は、波長変換部材１７の底面１７Ｂの全体と、素子アレイ１３ＡＲの上面の全体と、当該上面から基板１１に至らない位置までの素子アレイ１３ＡＲの外周部に位置する発光素子１３の側面の部分と、を被覆している。 Further, the adhesive layer 65 includes the entire bottom surface 17 B of the wavelength conversion member 17, the entire top surface of the element array 13 AR, and the light emitting elements 13 positioned on the outer periphery of the element array 13 AR from the top surface to the position not reaching the substrate 11. And side portions of the cover.

すなわち、接着層６５は、素子アレイ１３ＡＲの側面であるアレイ側面の一部にも形成されている。図８は、接着層６５の、当該アレイ側面の一部を被覆する部分６５Ｓが、当該側面の中間部まで、フィレット状に形成されている例について示している。 That is, the adhesive layer 65 is also formed on a part of the array side surface that is the side surface of the element array 13AR. FIG. 8 shows an example in which a portion 65S of the adhesive layer 65 covering a part of the side surface of the array is formed in a fillet shape up to the middle portion of the side surface.

発光装置６０において、波長変換部材１７の底面１７Ｂが発光素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁１３Ｅよりも大きいことで、発光素子１３から出射される光の損失を防ぐことができ、当該光は効率良く波長変換部材１７に導光される。そして、接着層６５がフィレット形状の部分６５Ｓを有することで、発光素子１３からの光を効率良く波長変換部材１７に導光することができる。 In the light emitting device 60, since the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17 is larger than the outer edge 13E of the upper surface of the light emitting element array 13AR, loss of light emitted from the light emitting element 13 can be prevented, and the light has an efficient wavelength. The light is guided to the conversion member 17. And since the adhesive layer 65 has the fillet-shaped portion 65 S, the light from the light emitting element 13 can be efficiently guided to the wavelength conversion member 17.

なお、本実施例において、第２の被覆部材２１が隣接する発光素子１３間の間隙に充填されている例について説明したが、これに限られない。当該間隙には、例えば、接着層６５、第１の被覆部材又は光吸収率及び光反射率が調整された他の部材が充填されていてもよい。また、例えば、当該間隙は、何も充填されていない空洞部分を有していてもよい。 In the present embodiment, the example in which the second covering member 21 is filled in the gap between the adjacent light emitting elements 13 has been described. However, the present invention is not limited to this. The gap may be filled with, for example, the adhesive layer 65, the first covering member, or another member whose light absorption rate and light reflectance are adjusted. Further, for example, the gap may have a hollow portion that is not filled with anything.

以上、説明したように、本実施例の発光装置６０は、素子アレイ１３ＡＲ、素子アレイ１３ＡＲ上に配された波長変換部材１７、波長変換部材１７の側面を被覆する第１の被覆部材１９及びこれらを被覆する第２の被覆部材２１を有している。そして、波長変換部材１７の底面１７Ｂの外縁及び第１の被覆部材１９の外側面は、素子アレイ１３ＡＲの上面の外縁よりも大きい。また、第２の被覆部材２１は、第１の被覆部材１９よりも高い光吸収率を有している。 As described above, the light emitting device 60 according to the present embodiment includes the element array 13AR, the wavelength conversion member 17 disposed on the element array 13AR, the first covering member 19 that covers the side surfaces of the wavelength conversion member 17, and these. Has a second covering member 21 for covering the surface. The outer edge of the bottom surface 17B of the wavelength conversion member 17 and the outer surface of the first covering member 19 are larger than the outer edge of the upper surface of the element array 13AR. The second covering member 21 has a higher light absorption rate than the first covering member 19.

これによって、素子アレイ１３ＡＲの発光面内の輝度を維持しつつ、当該発光面の外側に光が漏洩することを抑制することができる。従って、本実施例の発光装置６０によれば、複数の発光素子１３からなる素子アレイ１３ＡＲを用いた場合でも、高輝度かつ高コントラストの発光装置を提供することができる。 Thereby, it is possible to prevent light from leaking outside the light emitting surface while maintaining the luminance within the light emitting surface of the element array 13AR. Therefore, according to the light emitting device 60 of the present embodiment, it is possible to provide a light emitting device with high brightness and high contrast even when the element array 13AR composed of a plurality of light emitting elements 13 is used.

［変形例］
図９は、実施例２の変形例に係る発光装置７０の断面を示す断面図である。発光装置７０は、有機膜７１を有している点を除いては、実施例２の発光装置５０と同様に構成されている。 [Modification]
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a cross section of a light emitting device 70 according to a modification of the second embodiment. The light emitting device 70 is configured in the same manner as the light emitting device 50 of Example 2 except that the light emitting device 70 includes the organic film 71.

有機膜７１は、波長変換部材１７の上面１７Ｔ及び第１の被覆部材１９の上面の全体に亘って形成されている有機系の膜である。有機膜７１は、例えば、フッ素系樹脂等の樹脂からなる。有機膜７１は、例えば薄膜であり、発光素子１３からの光を透過する。 The organic film 71 is an organic film formed over the entire upper surface 17T of the wavelength conversion member 17 and the upper surface of the first covering member 19. The organic film 71 is made of a resin such as a fluorine-based resin, for example. The organic film 71 is a thin film, for example, and transmits light from the light emitting element 13.

例えば、有機膜７１にフッ素系樹脂膜を用いた場合、有機膜７１は、撥水性、撥油性及び防湿性を有し、発光装置７０の外部環境による劣化を抑制する。例えば、有機膜７１は、耐湿動作又は使用時における高温高湿度環境下での動作時に、第１の被覆部材１９を構成するシリコーン樹脂の加水分解を防止する。 For example, when a fluorine resin film is used as the organic film 71, the organic film 71 has water repellency, oil repellency, and moisture resistance, and suppresses deterioration due to the external environment of the light emitting device 70. For example, the organic film 71 prevents hydrolysis of the silicone resin constituting the first covering member 19 during a moisture-resistant operation or operation in a high-temperature and high-humidity environment during use.

また、例えば、有機膜７１は、第２の被覆部材２１を充填によって形成する際に、第２の被覆部材２１が第１の被覆部材１９上面まで、又は波長変換部材１７の上面１７Ｔまで這い上がることを防止することができる。従って、有機膜７１は、発光装置７０の発光面内の輝度の低下を防ぐことができる。 Further, for example, when forming the second coating member 21 by filling, the organic film 71 crawls up to the upper surface of the first coating member 19 or the upper surface 17T of the wavelength conversion member 17. This can be prevented. Therefore, the organic film 71 can prevent a decrease in luminance in the light emitting surface of the light emitting device 70.

図１０は、発光装置７０の製造工程の一部を示す断面図である。図１０において、ダイシングシート２５、溝が形成された蛍光体セラミックプレート１７Ｍ及び当該溝に充填された樹脂１９Ｍが示されている（図２Ａ及び図２Ｂ参照）。図１０の工程において、樹脂１９Ｍを充填後、セラミックプレート１７Ｍ及び樹脂１９Ｍの上面全体に有機膜７１をコーティングする。 FIG. 10 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the light emitting device 70. FIG. 10 shows a dicing sheet 25, a phosphor ceramic plate 17M in which grooves are formed, and a resin 19M filled in the grooves (see FIGS. 2A and 2B). In the process of FIG. 10, after filling the resin 19M, the organic film 71 is coated on the entire upper surface of the ceramic plate 17M and the resin 19M.

図１０の工程の後、樹脂１９Ｍが充填された溝の底面の位置で蛍光体セラミックプレート１７Ｍを切断して個片化する（図２Ｃ参照）。このようにして有機膜７１によって上面がコーティングされた波長変換部材１７及び第１の被覆部材１９を形成することができる。 After the step of FIG. 10, the phosphor ceramic plate 17M is cut into pieces at the position of the bottom surface of the groove filled with the resin 19M (see FIG. 2C). In this way, the wavelength conversion member 17 and the first covering member 19 whose upper surfaces are coated with the organic film 71 can be formed.

以上、説明したように、本変形例の発光装置７０は、波長変換部材１７の上面及び第１の被覆部材１９の上面を覆う有機膜７１が形成されていることで、製造時及び動作時において素子アレイ１３ＡＲの発光面内の輝度の低下をもたらす要因を排除することができる。従って、素子アレイ１３ＡＲの発光面からの光漏れが少なく、長期間安定して高輝度かつ高コントラストの発光が可能である発光装置を提供することができる。 As described above, in the light emitting device 70 of this modification, the organic film 71 that covers the upper surface of the wavelength conversion member 17 and the upper surface of the first covering member 19 is formed. Factors that cause a decrease in luminance within the light emitting surface of the element array 13AR can be eliminated. Therefore, it is possible to provide a light emitting device that can emit light with high brightness and high contrast stably for a long period of time with less light leakage from the light emitting surface of the element array 13AR.

なお、上記の実施例及び変形例において示した構成は、例示に過ぎず、用途等に応じて選択、組み合わせ及び変更が可能である。例えば、実施例２の変形例において図９に示した有機膜７１は、実施例１に係る発光装置１０に形成されていてもよい。 In addition, the structure shown in said Example and modification is only an illustration, and selection, a combination, and a change are possible according to a use etc. For example, the organic film 71 illustrated in FIG. 9 in the modification of the second embodiment may be formed in the light emitting device 10 according to the first embodiment.

なお、上記の図６〜図１０の複数の素子を用いた場合の実施例および変形例においても、実施例１及びその変形例と同様に、第１の被覆部材１９には、光反射性の粒子に加えて、光吸収材が添加されていてもよい。 In addition, also in the example and the modified example in the case of using the plurality of elements of FIGS. 6 to 10 described above, the first covering member 19 has a light-reflective property as in the first example and the modified example. In addition to the particles, a light absorbing material may be added.

また、第１の被覆部材１９が第２の被覆部材２１よりも高い光吸収率を有していても良い。すなわち、第１の被覆部材１９と第２の被覆部材２１とは、互いに異なる光吸収率を有していればよい。例えば、第１の被覆部材１９と第２の被覆部材２１とは、酸化チタン等の光反射性の粒子を一定以上の割合で含み、さらに、カーボンブラック等の光吸収材を互いに異なる濃度で含んでいても良い。 Further, the first covering member 19 may have a higher light absorption rate than the second covering member 21. That is, the first covering member 19 and the second covering member 21 may have different light absorption rates. For example, the first covering member 19 and the second covering member 21 include light-reflecting particles such as titanium oxide at a certain ratio or more, and further include light absorbing materials such as carbon black at different concentrations. You can leave.

これによって、波長変換部材１７の側面からの光漏れは第１の被覆部材１９によって吸収され、第２の被覆部材２１に入射された光は第１の被覆部材１９に戻され、発光面の端部において急峻な輝度プロファイルを得ることができる。このような発光装置は、例えば、より高いコントラストが要求される照明装置に用いることができる。 As a result, light leakage from the side surface of the wavelength conversion member 17 is absorbed by the first covering member 19, and the light incident on the second covering member 21 is returned to the first covering member 19, and the end of the light emitting surface. A steep luminance profile can be obtained in the area. Such a light emitting device can be used, for example, in an illumination device that requires higher contrast.

以上、説明したように、本発明の発光装置は、波長変換部材が底面と底面よりも小さい上面とを有し、第１の被覆部材が波長変換部材と第２の被覆部材との間に充填されている構成を有している。第１の被覆部材と第２の被覆部材とは互いに異なる光吸収率を有している。従って、本発明の発光装置によれば、発光素子又は素子アレイの発光面内の輝度を低下させることなく、当該発光面の外側への光の漏洩を抑制することができ、高輝度かつ高コントラストの発光装置を提供することができる。 As described above, in the light emitting device of the present invention, the wavelength conversion member has a bottom surface and a top surface smaller than the bottom surface, and the first coating member is filled between the wavelength conversion member and the second coating member. It has the structure which is made. The first covering member and the second covering member have different light absorption rates. Therefore, according to the light emitting device of the present invention, it is possible to suppress the leakage of light to the outside of the light emitting surface without reducing the luminance in the light emitting surface of the light emitting element or the element array. A light emitting device can be provided.

１０、３０、４０、５０、６０、７０発光装置
１１基板
１３発光素子
１３ＡＲ素子アレイ
１５、４５、５５、６５接着層
１７波長変換部材
１７Ｔ上面
１７Ｂ底面
１９第１の被覆部材
２１第２の被覆部材
２３枠体
７１有機膜 10, 30, 40, 50, 60, 70 Light emitting device 11 Substrate 13 Light emitting element 13AR Element array 15, 45, 55, 65 Adhesive layer 17 Wavelength conversion member 17T Upper surface 17B Bottom surface 19 First covering member 21 Second covering member 23 Frame 71 Organic film

Claims

基板と、
前記基板上に実装された発光素子と、
前記発光素子上に配され、前記発光素子の上面全体を覆う底面と前記底面よりも小さい上面とを有し、前記底面から前記上面に向かうに従って前記基板に平行な方向の幅が小さくなる側面形状を有する波長変換部材と、
前記波長変換部材の側面を被覆する第１の被覆部材と、
前記発光素子の側面全体を被覆し、前記波長変換部材の前記底面の外周部から前記上面側に向かって延在する内側面を有する第２の被覆部材と、を有し、
前記第１の被覆部材と前記第２の被覆部材とは、互いに異なる光吸収率を有し、
前記第１の被覆部材は、前記第２の被覆部材と前記波長変換部材との間に充填されている発光装置。 A substrate,
A light emitting device mounted on the substrate;
A side surface shape that is disposed on the light emitting element, has a bottom surface that covers the entire top surface of the light emitting element, and an upper surface that is smaller than the bottom surface, and decreases in width in a direction parallel to the substrate from the bottom surface toward the top surface. A wavelength conversion member having
A first covering member that covers a side surface of the wavelength conversion member;
A second covering member that covers the entire side surface of the light emitting element and has an inner surface extending from the outer peripheral portion of the bottom surface of the wavelength conversion member toward the upper surface side;
The first covering member and the second covering member have different light absorption rates,
The light emitting device in which the first covering member is filled between the second covering member and the wavelength conversion member.

前記第２の被覆部材の前記内側面は、前記波長変換部材の前記底面の前記外周部から前記上面側に向かって前記基板に垂直な方向に延在している請求項１に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the inner side surface of the second covering member extends in a direction perpendicular to the substrate from the outer peripheral portion of the bottom surface of the wavelength conversion member toward the upper surface side. .

前記波長変換部材は、前記発光素子の上面の外縁と、前記波長変換部材の前記底面の外縁とが上面視において一致するように配されている請求項１又は２に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the wavelength conversion member is arranged such that an outer edge of the upper surface of the light emitting element and an outer edge of the bottom surface of the wavelength conversion member coincide with each other when viewed from above.

前記波長変換部材は、錐台形状を有する請求項１乃至３のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the wavelength conversion member has a frustum shape.

前記波長変換部材は、前記底面の前記外周部から前記基板に垂直な方向に延びている第１垂直部と、前記第１垂直部の上端から前記上面に向かうに従って内側に傾斜している部分である傾斜部と、前記傾斜部の上端から前記上面に向かって前記基板に垂直な方向に延びている前記第２垂直部と、からなる側面を有する請求項１乃至３のいずれか１つに記載の発光装置。 The wavelength conversion member includes a first vertical portion extending in a direction perpendicular to the substrate from the outer peripheral portion of the bottom surface, and a portion inclined inward from the upper end of the first vertical portion toward the upper surface. The side surface which consists of a certain inclination part and the said 2nd perpendicular | vertical part extended in the direction perpendicular | vertical to the said board | substrate toward the said upper surface from the upper end of the said inclination part is any one of Claim 1 thru | or 3. Light-emitting device.

前記波長変換部材の上面及び前記第１の被覆部材の上面は同一平面をなす請求項１乃至５のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein an upper surface of the wavelength conversion member and an upper surface of the first covering member are on the same plane.

前記波長変換部材の前記上面及び前記第１の被覆部材の上面を覆うフッ素系樹脂膜を有する請求項１乃至６のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, further comprising: a fluorine-based resin film that covers the upper surface of the wavelength conversion member and the upper surface of the first covering member.

前記波長変換部材は透光性の接着層を介して前記発光素子上に配され、
前記透光性の接着層は、前記波長変換部材の前記底面全体と、前記発光素子の上面全体と、前記発光素子の上面から前記基板に至らない位置までの前記発光素子の側面の部分と、を被覆するように設けられている請求項１乃至７のいずれか１つに記載の発光装置。 The wavelength conversion member is disposed on the light emitting element via a light-transmitting adhesive layer,
The translucent adhesive layer includes the entire bottom surface of the wavelength conversion member, the entire top surface of the light emitting element, and a side portion of the light emitting element from the top surface of the light emitting element to a position not reaching the substrate, The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is provided so as to cover the surface.

前記第２の被覆部材は、前記第１の被覆部材よりも高い光吸収率を有する請求項１乃至８のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 8, wherein the second covering member has a higher light absorption rate than the first covering member.

前記第１の被覆部材は、前記第２の被覆部材よりも高い光吸収率を有する請求項１乃至８のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 8, wherein the first covering member has a higher light absorption rate than the second covering member.

基板と、
前記基板上に整列して配列された複数の発光素子からなる素子アレイと、
前記素子アレイ上に配され、前記素子アレイの上面の外縁全体にわたる底面と、前記底面よりも小さい上面とを有し、前記底面から前記上面に向かうに従って前記基板に平行な方向の幅が小さくなる側面形状を有する波長変換部材と、
前記波長変換部材の側面を被覆する第１の被覆部材と、
前記素子アレイの外縁をなすアレイ側面の全体を被覆し、前記波長変換部材の前記底面の外周部から前記上面側に向かって延在する内側面を有する第２の被覆部材と、を有し、
前記第１の被覆部材と前記第２の被覆部材とは、互いに異なる光吸収率を有し、
前記第１の被覆部材は、前記第２の被覆部材と前記波長変換部材との間に充填されている発光装置。 A substrate,
An element array comprising a plurality of light emitting elements arranged in alignment on the substrate;
A bottom surface extending over the entire outer edge of the top surface of the element array and a top surface smaller than the bottom surface, and having a width in a direction parallel to the substrate decreasing from the bottom surface toward the top surface. A wavelength conversion member having a side shape;
A first covering member that covers a side surface of the wavelength conversion member;
A second covering member that covers the entire array side surface that forms the outer edge of the element array, and that has an inner surface extending from the outer peripheral portion of the bottom surface of the wavelength conversion member toward the upper surface side;
The first covering member and the second covering member have different light absorption rates,
The light emitting device in which the first covering member is filled between the second covering member and the wavelength conversion member.

前記複数の発光素子は、前記アレイ側面が直方体状となるように配列され、
前記第２の被覆部材は、当該直方体状の内側面を有する請求項１１に記載の発光装置。 The plurality of light emitting elements are arranged so that the side surface of the array has a rectangular parallelepiped shape,
The light emitting device according to claim 11, wherein the second covering member has the rectangular parallelepiped inner surface.

前記第２の被覆部材は、隣接する前記発光素子の上面に至らない高さで前記隣接する前記発光素子間に充填されている請求項１１又は１２に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 11 or 12, wherein the second covering member is filled between the adjacent light emitting elements at a height that does not reach an upper surface of the adjacent light emitting elements.

前記第２の被覆部材の前記内側面は、前記波長変換部材の前記底面の前記外周部から前記上面側に向かって前記基板に垂直な方向に延在している請求項１１乃至１３のいずれか１つに記載の発光装置。 The inner surface of the second covering member extends in a direction perpendicular to the substrate from the outer peripheral portion of the bottom surface of the wavelength conversion member toward the upper surface side. The light emitting device according to one.

前記波長変換部材は、前記素子アレイの外縁と、前記波長変換部材の前記底面の外縁とが上面視において一致するように配されている請求項１１乃至１４のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 11, wherein the wavelength conversion member is arranged such that an outer edge of the element array and an outer edge of the bottom surface of the wavelength conversion member coincide with each other in a top view. .

前記波長変換部材は透光性の接着層を介して前記複数の発光素子上に配され、
前記透光性の接着層は、前記波長変換部材の前記底面全体と、前記素子アレイの上面全体と、前記素子アレイの上面から前記基板に至らない位置までの前記アレイ側面の部分と、を被覆するように設けられている請求項１１乃至１５のいずれか１つに記載の発光装置。 The wavelength conversion member is disposed on the plurality of light emitting elements via a light-transmitting adhesive layer,
The translucent adhesive layer covers the entire bottom surface of the wavelength conversion member, the entire top surface of the element array, and a portion of the side surface of the array from the top surface of the element array to a position not reaching the substrate. The light-emitting device according to claim 11, wherein the light-emitting device is provided.

前記波長変換部材の上面及び前記第１の被覆部材の上面は同一平面をなす請求項１１乃至１６のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 11, wherein an upper surface of the wavelength conversion member and an upper surface of the first covering member are on the same plane.

前記波長変換部材の前記上面及び前記第１の被覆部材の上面を覆うフッ素系樹脂膜を有する請求項１１乃至１７のいずれか１つに記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 11, further comprising: a fluorine-based resin film that covers the upper surface of the wavelength conversion member and the upper surface of the first covering member.

前記第２の被覆部材は、前記第１の被覆部材よりも高い光吸収率を有する請求項１１乃至１８のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 11 to 18, wherein the second covering member has a higher light absorption rate than the first covering member.

前記第１の被覆部材は、前記第２の被覆部材よりも高い光吸収率を有する請求項１１乃至１８のいずれか１つに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 11 to 18, wherein the first covering member has a higher light absorption rate than the second covering member.