JP2019183233A - Deposition film formation device and method of manufacturing electrophotographic photoreceptor - Google Patents

Abstract

To provide a deposition film formation device that has superior film thickness uniformity and can stably manufacture an electrophotographic photoreceptor.SOLUTION: A deposition film formation device has: a pressure-reducible reaction container; a holder receiver base 101 where a base body holder 103 mounted with a cylindrical base body 102 and an auxiliary base body 107 is installed; gas introduction means which introduces a raw material gas for deposition film formation into the reaction container; exhaust means; and electric power application means which decomposes the raw material gas. The base body holder and the holder receiver base have an engagement mechanism, which has a structure such that when the base body holder is installed, the holder receiver base is rotated while the base body holder is lowered so as to install the base body holder in engagement with the holder receiver base.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成装置及び電子写真感光体の製造方法に関する。   The present invention relates to a deposited film forming apparatus using a plasma CVD method and a method for manufacturing an electrophotographic photosensitive member.

従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン、例えば水素原子及び／又はハロゲン原子を含有し、シリコン原子（ケイ素原子）を母体とするアモルファス材料で構成された堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。
そして、アモルファスシリコンからなる堆積膜の形成方法としては、高周波電力のグロー放電により堆積膜形成用ガスのプラズマを生成し、その分解種を基体の上に堆積させるプラズマＣＶＤ法がある。
これらの方法で、電子写真感光体のような大面積を有する堆積膜を形成する場合、膜特性の均一化が必要であり、そのために堆積膜を形成する方法や装置の構成に関して各種提案がされている。 Conventionally, as an electrophotographic photoreceptor, amorphous silicon, for example, a deposited film composed of an amorphous material containing a hydrogen atom and / or a halogen atom and having a silicon atom (silicon atom) as a base material has been proposed. Is attached to practical use.
As a method for forming a deposited film made of amorphous silicon, there is a plasma CVD method in which plasma of a deposited film forming gas is generated by glow discharge with high-frequency power and the decomposition species is deposited on a substrate.
When a deposited film having a large area such as an electrophotographic photosensitive member is formed by these methods, it is necessary to make the film characteristics uniform, and various proposals have been made regarding the method and apparatus configuration for forming the deposited film. ing.

例えば、アモルファスシリコンからなる電子写真感光体を形成する場合、円筒状基体を減圧可能な反応容器の中に運搬ならびに保持する必要があることから、円筒状基体に基体ホルダーを挿入することが開示されている。（特許文献１参照）
また、別の提案には、円筒状基体の周方向に均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、あるいは円筒状基体を加熱する段階から、円筒状基体を回転させて堆積膜を形成することが、開示されている。（特許文献２参照） For example, when an electrophotographic photosensitive member made of amorphous silicon is formed, it is necessary to transport and hold the cylindrical substrate in a reaction vessel that can be depressurized. Therefore, it is disclosed that a substrate holder is inserted into the cylindrical substrate. ing. (See Patent Document 1)
In another proposal, in order to form a uniform deposited film in the circumferential direction of the cylindrical substrate, the cylindrical substrate is rotated at the same time as the deposited film is formed or from the stage where the cylindrical substrate is heated. It is disclosed that a deposited film is formed. (See Patent Document 2)

特開２０００−０７３１７３号公報JP 2000-073173 A 特開２０１５−２０３７１３号公報JP-A-2015-203713

従来、上記のような方策により電子写真感光体の電子写真特性、画像特性の均一化が図られてきた。
特に、近年では、電子写真装置のデジタル化、カラー化に伴い、電子写真感光体に利用される堆積膜の膜特性の均一性が従来以上に求められている。
例えば、電子写真プロセスを利用した高画質カラー装置では、階調性が向上されているため、従来は実用上問題のなかった堆積膜の膜特性の不均一性でも、形成画像に視覚可能な濃度ムラを生じさせる可能性がある。 Conventionally, the electrophotographic characteristics and image characteristics of an electrophotographic photosensitive member have been made uniform by the measures described above.
In particular, in recent years, with the digitization and colorization of electrophotographic apparatuses, the uniformity of film characteristics of deposited films used for electrophotographic photoreceptors is required more than ever.
For example, in a high-quality color apparatus using an electrophotographic process, the gradation is improved, so that the density of the formed image can be visualized even with non-uniformity in the film characteristics of the deposited film, which has not been a practical problem in the past. There is a possibility of causing unevenness.

先に示した特許文献２では、こうした課題を解決するために、周方向の僅かな特性ムラに着目し、改善することで効果を得ている。
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、膜特性の均一性に優れ、かつ、電子写真感光体を安定的に製造することができる堆積膜形成装置及び電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。 In Patent Document 2 shown above, in order to solve such a problem, attention is paid to slight characteristic unevenness in the circumferential direction, and an effect is obtained by improvement.
The present invention has been made in view of the prior art as described above, and has a deposited film forming apparatus and an electrophotographic photosensitive film that are excellent in uniformity of film characteristics and can stably produce an electrophotographic photosensitive member. It aims at providing the manufacturing method of a body.

本発明の一態様によれば、
減圧可能な反応容器と、円筒状基体及び補助基体が装着された基体ホルダーを設置するホルダー受け台と、前記反応容器の中に堆積膜形成用の原料ガスを導入するガス導入手段と、排気手段と、前記原料ガスを分解する電力印加手段とを有する堆積膜形成装置であって、
前記基体ホルダーと前記ホルダー受け台とは嵌め合い機構を有し、
前記嵌め合い機構は、前記基体ホルダーを設置するときに、前記基体ホルダーを下降させながら前記ホルダー受け台を回転させることによって前記ホルダー受け台に前記基体ホルダーを嵌合した状態で設置させる構造を有する堆積膜形成装置が提供される。 According to one aspect of the invention,
A reaction vessel capable of depressurization, a holder cradle for installing a substrate holder on which a cylindrical substrate and an auxiliary substrate are mounted, gas introduction means for introducing a raw material gas for forming a deposited film into the reaction container, and exhaust means And a deposited film forming apparatus having power application means for decomposing the source gas,
The base holder and the holder cradle have a fitting mechanism,
The fitting mechanism has a structure in which the base holder is installed in a state where the base holder is fitted to the holder base by rotating the holder base while lowering the base holder when the base holder is installed. A deposited film forming apparatus is provided.

また、本発明の他の態様によれば、
円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成工程を有する電子写真感光体の製造方法において、
前記堆積膜形成工程が、前記堆積膜形成装置を用いて前記基体ホルダーを前記ホルダー受け台に設置した後に、前記円筒状基体の上に前記堆積膜を形成する工程である電子写真感光体の製造方法が提供される。 According to another aspect of the invention,
In a method for producing an electrophotographic photoreceptor having a deposited film forming step of forming a deposited film on a cylindrical substrate,
Production of an electrophotographic photosensitive member, wherein the deposited film forming step is a step of forming the deposited film on the cylindrical substrate after the substrate holder is placed on the holder cradle using the deposited film forming apparatus. A method is provided.

本発明によれば、プラズマＣＶＤによる電子写真感光体の製造時において、円筒状基体の回転精度を向上させることにより、大面積の円筒状基体における周方向の膜厚均一性を向上させることができる。   According to the present invention, it is possible to improve the film thickness uniformity in the circumferential direction of a large-area cylindrical substrate by improving the rotational accuracy of the cylindrical substrate during the production of an electrophotographic photoreceptor by plasma CVD. .

本発明に係るホルダー受け台および基体ホルダーの略式図である。It is a schematic diagram of the holder cradle and substrate holder concerning the present invention. 本発明に係る別のホルダー受け台および基体ホルダーの略式図ある。It is a schematic diagram of another holder cradle and substrate holder concerning the present invention. 本発明に係る別のホルダー受け台および基体ホルダーの略式図ある。It is a schematic diagram of another holder cradle and substrate holder concerning the present invention. 本発明に係る堆積膜形成装置の略式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a deposited film forming apparatus according to the present invention. 従来のホルダー受け台および基体ホルダーの略式図である。It is a schematic diagram of a conventional holder cradle and substrate holder. 従来の堆積膜形成装置の略式断面図である。It is a schematic sectional drawing of the conventional deposited film formation apparatus.

本発明者らは電子写真感光体の画像特性の均一性を向上させるため、前述に挙げた先行技術文献に開示されている技術により、ある程度の画像特性の均一性を得ることができた。
しかしながら、特に、画像濃度ムラに関しては、従来では問題ないレベルではあるが、将来的な製品レベルである高解像度、フルカラー機に搭載するにあたり、もう一段のレベルアップが求められる場合があった。 In order to improve the uniformity of the image characteristics of the electrophotographic photosensitive member, the present inventors have been able to obtain a certain degree of uniformity of the image characteristics by the techniques disclosed in the above-mentioned prior art documents.
However, with regard to image density unevenness in particular, there has been a level where there is no problem in the past, but there is a case where a further level up is required for mounting in a future high-resolution, full-color machine.

本発明者らは電子写真感光体の製造過程において、画像濃度ムラのレベルにばらつきがあるという課題に直面していた。課題の要因を分析したところ、画像濃度ムラのレベルのばらつきは、電子写真感光体の周方向の膜厚ムラに起因することが判明した。さらに、周方向の膜厚ムラが大きい感光体に関して調査したところ、周方向の膜厚ムラは製造過程で使用する基体ホルダーに依存性があることが判明した。   The present inventors faced the problem that the level of image density unevenness varies in the manufacturing process of the electrophotographic photosensitive member. When the cause of the problem was analyzed, it was found that the variation in the level of the image density unevenness was caused by the film thickness unevenness in the circumferential direction of the electrophotographic photosensitive member. Further, when a photoconductor with a large film thickness unevenness in the circumferential direction was investigated, it was found that the film thickness unevenness in the circumferential direction was dependent on the substrate holder used in the manufacturing process.

さらに、基体ホルダーについて詳しく調査したところ、周方向膜厚ムラが大きい感光体の製造に使用した基体ホルダーの下端面（ホルダー受け台に接する箇所）に、僅かな傷による出っ張りがあることが分かった。
本発明者らは、周方向膜厚ムラは、基体ホルダーの回転状況の差が関係しているのではないかと推測している。 Furthermore, a detailed investigation of the substrate holder revealed that there was a bulge due to slight scratches on the lower end surface of the substrate holder used in the manufacture of the photoreceptor with large circumferential film thickness unevenness (location contacting the holder cradle). .
The present inventors presume that the circumferential film thickness unevenness is related to the difference in the rotation state of the substrate holder.

傷による出っ張りが原因で、基体ホルダーが反応容器内に垂直に設置されなくなり、回転させたときに歳差運動を引き起こしてしまうものと考えられる。実際、上述のような傷のある基体ホルダーをホルダー受け台に設置させて回転状況を確認したとこと、正常な基体ホルダーに比べて回転精度に差があることが分かった。
本発明者らは、製造に使用する前に基体ホルダーの傷等を管理することで、周方向膜厚ムラを大幅に抑えることができた。 It is considered that the base holder is not installed vertically in the reaction vessel due to the bulge due to the scratch and causes precession when rotated. In fact, it was found that the substrate holder with the scratches as described above was installed on the holder cradle and the rotation state was confirmed, and that there was a difference in rotation accuracy compared to a normal substrate holder.
The present inventors have been able to greatly suppress circumferential film thickness unevenness by managing scratches and the like on the substrate holder before use in production.

しかしながら、上述のような傷や出っ張りがない基体ホルダーを使用した場合でも、発生頻度は低いものの、周方向膜厚ムラのレベルの低下が発生する場合がある。
この現象について、本発明者らは以下のように推測している。
たとえば、基体ホルダーがホルダー受け台に設置されたときの設置状況によっては上述のような傷や出っ張りがなくても垂直精度に差が出る場合があるのではないかと考えている。 However, even when a base holder without scratches or protrusions as described above is used, the level of circumferential film thickness unevenness may be reduced although the frequency of occurrence is low.
About this phenomenon, the present inventors have estimated as follows.
For example, depending on the installation situation when the base holder is installed on the holder cradle, it is considered that there may be a difference in vertical accuracy even without the above-described scratches or protrusions.

このような状態で基体ホルダーを回転させた場合、歳差運動を引き起こし、回転ブレが発生するのではないかと考えている。
また、別の原因としては、ホルダー受け台の基体ホルダー設置面に膜片などの異物が付着したまま基体ホルダーが設置されてしまうと、基体ホルダーの下端面とホルダー受け台の設置面との間に挟まった異物により基体ホルダーが垂直に設置されなくなる。その結果、ホルダー受け台を回転させたときに、基体ホルダーが歳差運動を引き起こし、回転ブレが発生するのではないかと考えている。 When the base holder is rotated in such a state, it is thought that precession is caused and rotational blurring occurs.
Another reason is that if the substrate holder is installed with foreign matter such as a film piece adhering to the substrate holder installation surface of the holder cradle, there is a gap between the lower end surface of the substrate holder and the holder cradle installation surface. The substrate holder cannot be installed vertically due to foreign matter caught between the two. As a result, it is considered that when the holder cradle is rotated, the base holder causes precession and rotation blurring occurs.

本発明者らは、周方向膜厚ムラの均一性の低下を引き起こす要因を排除するために鋭意検討を重ねた。その結果、基体ホルダーとホルダー受け台とが嵌め合い機構を有し、基体ホルダーを設置するときに、基体ホルダーを下降させながらホルダー受け台を回転させることでホルダー受け台に基体ホルダーを嵌合した状態で設置させることが有効であることを見出した。   The inventors of the present invention have made extensive studies in order to eliminate a factor that causes a decrease in uniformity of circumferential film thickness unevenness. As a result, the base holder and the holder cradle have a fitting mechanism, and when installing the base holder, the base holder is fitted to the holder base by rotating the holder base while lowering the base holder. It was found that it was effective to install in the state.

さらに、基体ホルダーは、基体ホルダーとホルダー受け台との嵌め合い機構を、ねじ込み機構とすること、ホルダー受け台には、基体ホルダーを設置する面に、前記ホルダー受け台の回転方向に直交する溝を設けることも有効であることを見出した。
以下、図面を用いて本発明に係る堆積膜形成装置及び電子写真感光体の製造方法について具体的に説明する。 Further, the base holder has a screwing mechanism as a fitting mechanism between the base holder and the holder cradle, and the holder cradle has a groove perpendicular to the rotation direction of the holder cradle on the surface on which the base holder is installed. It was found that it is also effective to provide
Hereinafter, a deposited film forming apparatus and an electrophotographic photoreceptor manufacturing method according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図４は、本発明にて用いるプラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成装置の一例を模式的に示した図である。
図４に示す堆積膜形成装置は、カソード電極４０５、絶縁体４０６、上壁４０７、ゲート弁４０８、底壁４０９により、減圧可能な反応容器４００を形成している。 FIG. 4 is a diagram schematically showing an example of a deposited film forming apparatus using the plasma CVD method used in the present invention.
In the deposited film forming apparatus shown in FIG. 4, a reaction vessel 400 that can be decompressed is formed by a cathode electrode 405, an insulator 406, an upper wall 407, a gate valve 408, and a bottom wall 409.

反応容器４００の内部には、加熱用ヒータ４１０が設けられている。加熱用ヒータ４１０は、減圧下で使用可能なものであればどのようなものを用いてもよい。具体的には、シース状ヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ、カーボンヒータの様な電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプの様な熱放射ランプや、液体、気体を熱媒とした熱交換手段が対象として挙げられる。   A heating heater 410 is provided inside the reaction vessel 400. Any heater 410 may be used as long as it can be used under reduced pressure. Specifically, heat-exchanging heaters such as sheathed heaters, plate heaters, ceramic heaters, and carbon heaters, heat radiation lamps such as halogen lamps and infrared lamps, and heat exchange using liquid or gas as a heat medium Means are listed as targets.

また、反応容器４００の内部には、原料ガスを導入するための原料ガス導入管（原料ガス導入手段）４１１が設けられている。原料ガス導入管４１１は接続配管４２０、原料ガス流入バルブ４１９を介して、ガス供給系（不図示）に接続されている。   In addition, a raw material gas introduction pipe (raw material gas introduction means) 411 for introducing a raw material gas is provided inside the reaction vessel 400. The source gas introduction pipe 411 is connected to a gas supply system (not shown) through a connection pipe 420 and a source gas inflow valve 419.

堆積膜形成装置が備える排気系は、排気手段である排気ユニット４３１が、排気配管４２３を介して、底壁４０９の排気口４２４に接続されている。排気配管４２３には、排気メインバルブ４２５が設けられている。また、反応容器４００には、その内部の圧力を測定する真空計４２６が取り付けられている。これらを用いて、反応容器４００の内部を、各工程に適した所定の圧力に維持することができる。排気ユニット４３１には、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプを用いることができる。   In the exhaust system provided in the deposited film forming apparatus, an exhaust unit 431 as an exhaust unit is connected to an exhaust port 424 of the bottom wall 409 through an exhaust pipe 423. An exhaust main valve 425 is provided in the exhaust pipe 423. In addition, a vacuum gauge 426 for measuring the pressure inside the reaction vessel 400 is attached. By using these, the inside of the reaction vessel 400 can be maintained at a predetermined pressure suitable for each step. As the exhaust unit 431, for example, a rotary pump or a mechanical booster pump can be used.

カソード電極４０５、マッチングボックス４１２及び高周波電源４１３は、原料ガスを分解する電力印加手段である。カソード電極４０５には、整合回路を有するマッチングボックス４１２を介して高周波電源４１３が電気的に接続されている。カソード電極４０５の上下は、セラミックスからなる絶縁体４０６により上壁４０７および底壁４０９と絶縁されている。上壁４０７には反応容器４００の内部と外部とを連通させる開閉部であるゲート弁４０８が設置されており、ここから反応容器４００の中に、円筒状基体１０２を保持する基体ホルダー４０３が搬入・設置・搬出される。
反応容器４００の下部には、基体ホルダー４０３を回転可能に保持するホルダー受け台４０１が設けられている。 The cathode electrode 405, the matching box 412 and the high frequency power source 413 are power application means for decomposing the source gas. A high frequency power source 413 is electrically connected to the cathode electrode 405 via a matching box 412 having a matching circuit. The upper and lower sides of the cathode electrode 405 are insulated from the upper wall 407 and the bottom wall 409 by an insulator 406 made of ceramic. The upper wall 407 is provided with a gate valve 408 that is an opening / closing portion that allows the inside and outside of the reaction vessel 400 to communicate with each other. A substrate holder 403 that holds the cylindrical substrate 102 is carried into the reaction vessel 400 from here.・ Installed / unloaded.
A holder cradle 401 that rotatably holds the substrate holder 403 is provided below the reaction vessel 400.

図１〜図３は、本発明に係る堆積膜形成装置におけるホルダー受け台および基体ホルダーを模式的に示した図である。
図において、１０１、２０１、３０１はホルダー受け台を示し、１０２は円筒状基体、１０７は補助基体を示し、１０３、２０３、３０３は基体ホルダーを示している。円筒状基体及び補助基体は基体ホルダーに装着された状態で搬送され、反応容器の内部に設置される。 1 to 3 are views schematically showing a holder cradle and a substrate holder in the deposited film forming apparatus according to the present invention.
In the figure, reference numerals 101, 201, and 301 denote holder cradles, 102 denotes a cylindrical base, 107 denotes an auxiliary base, and 103, 203, and 303 denote base holders. The cylindrical substrate and the auxiliary substrate are transported while being mounted on the substrate holder, and are installed inside the reaction vessel.

以下、基体ホルダー１０３（２０３、３０３）をホルダー受け台１０１（２０１、３０１）に設置する手順を具体的に説明する、
図１に示すホルダー受け台１０１には、基体ホルダー１０３との嵌め合い部に図１に示すような突起部１０５が設けられ、基体ホルダー１０３の内周面には、前記突起部１０５が嵌め合うように溝部１０６が加工されている。 Hereinafter, the procedure for installing the base holder 103 (203, 303) on the holder cradle 101 (201, 301) will be specifically described.
A holder cradle 101 shown in FIG. 1 is provided with a protrusion 105 as shown in FIG. 1 at a fitting portion with the base holder 103, and the protrusion 105 is fitted on the inner peripheral surface of the base holder 103. Thus, the groove part 106 is processed.

図１（ｂ）に示す搬送機構１０４は、基体ホルダー１０３の上端部を保持機構により固定する構成となっている。
搬送機構１０４によって保持された基体ホルダー１０３を下降させながら、ホルダー受け台１０１をゆっくり矢印１０８の方向に回転させる。このとき、ホルダー受け台１０１の突起部１０５は基体ホルダー１０３の内周面に加工されている溝部１０６に沿って回転しながら嵌合し、基体ホルダー１０３はホルダー受け台１０１に確実に設置される。 The transport mechanism 104 shown in FIG. 1B is configured to fix the upper end portion of the substrate holder 103 with a holding mechanism.
While lowering the substrate holder 103 held by the transport mechanism 104, the holder cradle 101 is slowly rotated in the direction of the arrow 108. At this time, the protrusion 105 of the holder cradle 101 fits while rotating along the groove 106 processed on the inner peripheral surface of the base holder 103, and the base holder 103 is securely placed on the holder cradle 101. .

基体ホルダー１０３の下端面がホルダー受け台１０１の設置面に達したとき、嵌め合い構造によって基体ホルダー１０３の下端面は、ホルダー受け台１０１の設置面に押さえつけられる力がかかるように設計されている。そのため、基体ホルダー１０３は垂直性が保たれ、回転精度が向上する効果が得られる。
次に、別の基体ホルダー及びホルダー受け台を用いた本発明の実施の形態について説明する。 When the lower end surface of the substrate holder 103 reaches the installation surface of the holder cradle 101, the lower end surface of the substrate holder 103 is designed to be pressed against the installation surface of the holder cradle 101 by the fitting structure. . For this reason, the base holder 103 is kept vertical, and an effect of improving the rotation accuracy can be obtained.
Next, an embodiment of the present invention using another base holder and holder cradle will be described.

図２に示すホルダー受け台２０１と、基体ホルダー２０３とは、図２に示すねじ機構により嵌め合う構成になっている。
図２（ｂ）に示す搬送機構１０４は、図１（ｂ）と同様、基体ホルダー２０３の上端部を保持機構により固定する構成となっている。
以下、基体ホルダー２０３がホルダー受け台２０１に設置される手順を示す。 The holder cradle 201 shown in FIG. 2 and the base holder 203 are configured to be fitted by a screw mechanism shown in FIG.
The transport mechanism 104 shown in FIG. 2B is configured to fix the upper end portion of the substrate holder 203 with a holding mechanism, as in FIG.
The procedure for installing the base holder 203 on the holder cradle 201 will be described below.

搬送機構１０４によって保持された基体ホルダー２０３を下降させながら、ホルダー受け台２０１をゆっくり矢印２０８の方向に回転させる。このとき、ホルダー受け台２０１のねじ部２０５は基体ホルダー２０３の内周面に加工されているねじ機構により嵌め合い、基体ホルダー２０３はホルダー受け台２０１に確実に設置される。   The holder cradle 201 is slowly rotated in the direction of the arrow 208 while the substrate holder 203 held by the transport mechanism 104 is lowered. At this time, the screw portion 205 of the holder cradle 201 is fitted by the screw mechanism processed on the inner peripheral surface of the base holder 203, and the base holder 203 is securely installed on the holder cradle 201.

基体ホルダー２０３の下端面がホルダー受け台２０１の設置面に達したとき、嵌め合い構造によって基体ホルダー２０３の下端面は、ホルダー受け台２０１の設置面に押さえつけられる力がかかるようにねじ部２０５は設計されている。そのため、基体ホルダー２０３は垂直性が保たれ、回転精度が向上する効果が得られる。
さらに、別の基体ホルダー及びホルダー受け台を用いた本発明の実施の形態について説明する。 When the lower end surface of the base holder 203 reaches the installation surface of the holder cradle 201, the screw portion 205 is placed so that the lower end surface of the base holder 203 is pressed against the installation surface of the holder cradle 201 by the fitting structure. Designed. For this reason, the base holder 203 is kept vertical, and an effect of improving the rotation accuracy is obtained.
Furthermore, an embodiment of the present invention using another base holder and holder cradle will be described.

図３に示すホルダー受け台３０１は、図２に示したホルダー受け台の基体ホルダーとの設置面に、回転方向に直交する溝をさらに設けた構成となっている。
図３（ｂ）に示す搬送機構１０４は、図１（ｂ）、図２（ｂ）と同様、基体ホルダー３０３の上端部を保持機構により固定する構成となっている。
以下、基体ホルダー３０３がホルダー受け台３０１に設置される手順を示す。 The holder cradle 301 shown in FIG. 3 has a configuration in which a groove perpendicular to the rotation direction is further provided on the surface of the holder cradle shown in FIG.
The transport mechanism 104 shown in FIG. 3B has a configuration in which the upper end portion of the base holder 303 is fixed by a holding mechanism, similarly to FIGS. 1B and 2B.
The procedure for installing the base holder 303 on the holder cradle 301 will be described below.

搬送機構１０４によって保持された基体ホルダー３０３を下降させながら、ホルダー受け台３０１をゆっくり矢印３０８の方向に回転させる。このとき、ホルダー受け台３０１のねじ部２０５は基体ホルダー３０３の内周面に加工されているねじ機構により嵌め合い、基体ホルダー３０３はホルダー受け台３０１に確実に設置される。   The holder cradle 301 is slowly rotated in the direction of the arrow 308 while lowering the substrate holder 303 held by the transport mechanism 104. At this time, the screw portion 205 of the holder cradle 301 is fitted by a screw mechanism processed on the inner peripheral surface of the base holder 303, and the base holder 303 is securely installed on the holder cradle 301.

基体ホルダー３０３の下端面がホルダー受け台３０１の設置面に達したとき、嵌め合い構造によって基体ホルダー３０３の下端面は、ホルダー受け台３０１の設置面に押さえつけられる力がかかるようにねじ部２０５は設計されている。そのため、基体ホルダー３０３は垂直性が保たれ、回転精度が向上する効果が得られる。   When the lower end surface of the base holder 303 reaches the installation surface of the holder cradle 301, the screw portion 205 is arranged so that a force is applied to the lower end surface of the base holder 303 against the installation surface of the holder cradle 301 by the fitting structure. Designed. Therefore, the base holder 303 is kept vertical, and the effect of improving the rotation accuracy is obtained.

ホルダー受け台の溝部３０６の役割について説明する。
図３（ａ）に示すように、異物３０７がホルダー受け台３０１の設置面に残存していた場合、基体ホルダー３０３の下端面とホルダー受け台３０１に挟まれた異物３０７は、基体ホルダー３０３の下端面から摩擦力を受ける。そして、異物３０７は、ホルダー受け台３０１の回転方向とは逆方向に移動させられて、溝部３０６ｂに落下する。 The role of the groove 306 of the holder cradle will be described.
As shown in FIG. 3A, when the foreign matter 307 remains on the installation surface of the holder cradle 301, the foreign matter 307 sandwiched between the lower end surface of the base holder 303 and the holder cradle 301 is removed from the base holder 303. Friction force is received from the lower end surface. And the foreign material 307 is moved to the reverse direction to the rotation direction of the holder cradle 301, and falls to the groove part 306b.

このため、ホルダー受け台と基体ホルダーとの間に異物が挟まり、基体ホルダー３０３の垂直性が低下することによる回転ブレの発生を抑制する効果が得られる。
このように、ホルダー受け台３０１の設置面に異物が残存した場合であっても、基体ホルダー３０３の下端面とホルダー受け台３０１の設置面とで精度よく垂直性が保持できる構成となっている。そのため、反応容器４００の中にダスト等の異物が存在していても基体ホルダーの回転精度を向上させられる。 For this reason, the foreign substance is pinched between the holder cradle and the base holder, and the effect of suppressing the occurrence of rotational blur due to the decrease in the verticality of the base holder 303 can be obtained.
As described above, even when foreign matter remains on the installation surface of the holder cradle 301, the lower end surface of the base holder 303 and the installation surface of the holder cradle 301 can maintain verticality with high accuracy. . Therefore, even if foreign matter such as dust is present in the reaction container 400, the rotation accuracy of the substrate holder can be improved.

上述したように、本発明の方法により基体ホルダー４０３がホルダー受け台４０１に設置された後、ゲート弁４０８を閉じ、反応容器４００の内部を排気ユニット４３１により排気する。
反応容器４００の内部を十分に排気した後、原料ガス流入バルブ４１９、接続配管４２０および原料ガス導入管４１１を介して、円筒状基体１０２の加熱に必要な、例えばＡｒガス，Ｈｅガスを導入する。 As described above, after the substrate holder 403 is installed on the holder cradle 401 by the method of the present invention, the gate valve 408 is closed and the inside of the reaction vessel 400 is exhausted by the exhaust unit 431.
After sufficiently evacuating the inside of the reaction vessel 400, for example, Ar gas or He gas necessary for heating the cylindrical substrate 102 is introduced via the source gas inflow valve 419, the connection pipe 420 and the source gas introduction pipe 411. .

そして、反応容器４００の内部が所定の圧力になるように、真空計４２６を確認しながら排気ユニット４３１の排気能力を調整する。この調整は、例えば、排気ユニット４３１のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。
次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ４１０により円筒状基体１０２の温度を２００［℃］〜４５０［℃］、より好ましくは２５０［℃］〜３５０［℃］の所定の温度に制御する。 Then, the exhaust capacity of the exhaust unit 431 is adjusted while checking the vacuum gauge 426 so that the inside of the reaction vessel 400 has a predetermined pressure. This adjustment can be performed, for example, by adjusting the rotation frequency of the mechanical booster pump of the exhaust unit 431.
Next, after reaching a predetermined pressure, the temperature of the cylindrical substrate 102 is set to a predetermined temperature of 200 [° C.] to 450 [° C.], more preferably 250 [° C.] to 350 [° C.] by the heater 410 for heating. Control.

以上の手順によって堆積膜を製造する準備が完了した後、円筒状基体１０２の外周面上に堆積膜を形成する。このために、まず、堆積膜形成用の原料ガスとして、ケイ素原子供給用の原料ガスと、水素原子供給用の原料ガス、必要に応じて希釈ガスおよび特性改善ガスを混合して導入し、導入ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器４００の内部の圧力が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］の所定の圧力になるように、真空計４２６を確認しながら排気ユニット４３１の排気能力を調整する。   After the preparation for producing the deposited film is completed by the above procedure, the deposited film is formed on the outer peripheral surface of the cylindrical substrate 102. For this purpose, first, as a raw material gas for forming a deposited film, a raw material gas for supplying silicon atoms, a raw material gas for supplying hydrogen atoms, and a dilution gas and a property improving gas are mixed and introduced as necessary. The gas is adjusted to a predetermined flow rate. At that time, the exhaust capacity of the exhaust unit 431 is adjusted while checking the vacuum gauge 426 so that the pressure inside the reaction vessel 400 becomes a predetermined pressure of 13.3 [mPa] to 1330 [Pa].

ケイ素原子を供給しえる原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ_４）ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等のシラン類が好適に使用できる。また、水素原子を供給しえる原料ガスとしては、上記シラン類に加えて、水素（Ｈ_２）も好適に使用できる。
希釈ガスとしては、水素（Ｈ_２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）を用いることができる。また、特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭素原子を含むもの、またはフッ素原子を含むもの、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。それぞれの原子を含むガス状、または容易にガス化しえる物質を材料として適宜使用すればよい。 Silanes such as silane (SiH ₄ ) disilane (Si ₂ H ₆ ) can be suitably used as the source gas capable of supplying silicon atoms. In addition to the above silanes, hydrogen (H ₂ ) can also be suitably used as a source gas that can supply hydrogen atoms.
As a dilution gas, hydrogen (H ₂ ), argon (Ar), or helium (He) can be used. Further, as the characteristic improving gas, those containing nitrogen atoms, those containing oxygen atoms, those containing carbon atoms, those containing fluorine atoms, or a mixed gas thereof may be used in combination. What is necessary is just to use suitably the gaseous substance containing each atom, or the substance which can be easily gasified as a material.

次に、反応容器４００の内部の圧力が安定した後、高周波電源４１３を所定の電力に設定して、高周波電力を、マッチングボックス４１２を介してカソード電極４０５に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６［ＭＨｚ］の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、反応容器４００の中に導入された堆積膜形成用の原料ガスが励起されて励起種が生成され、すなわち分解されて、円筒状基体１０２の外周面上に堆積膜が形成される。   Next, after the pressure inside the reaction vessel 400 is stabilized, the high frequency power supply 413 is set to a predetermined power, and the high frequency power is supplied to the cathode electrode 405 via the matching box 412, thereby generating high frequency glow discharge. Raise it. The supplied power can be set to a frequency of 13.56 [MHz], for example. By this discharge energy, the source gas for forming the deposited film introduced into the reaction vessel 400 is excited to generate excited species, that is, decomposed to form a deposited film on the outer peripheral surface of the cylindrical substrate 102. The

均一な堆積膜を製造するために、堆積膜を製造するのと同時期、あるいは円筒状基体１０２を加熱する段階から、円筒状基体１０２を回転させることが好ましい。この回転は、０．５［ｒｐｍ］〜２０［ｒｐｍ］とする。こうすることで円筒状基体１０２の周方向に均一な堆積膜が形成される。   In order to produce a uniform deposited film, it is preferable to rotate the cylindrical substrate 102 at the same time as producing the deposited film or from the stage of heating the cylindrical substrate 102. This rotation is 0.5 [rpm] to 20 [rpm]. By doing so, a uniform deposited film is formed in the circumferential direction of the cylindrical substrate 102.

以上のようにして円筒状基体１０２の外周面上にケイ素原子及び水素原子を含む非晶質材料からなる堆積膜が形成される。
所定の層構成毎に条件を設定し、上述の手順を繰り返すことで電子写真感光体を製造することができる。 As described above, a deposited film made of an amorphous material containing silicon atoms and hydrogen atoms is formed on the outer peripheral surface of the cylindrical substrate 102.
An electrophotographic photosensitive member can be manufactured by setting conditions for each predetermined layer configuration and repeating the above-described procedure.

例えば、電子写真感光体の表面保護層を製造する場合、反応容器４００の中を排気し、堆積膜形成用の原料ガスとして炭素原子供給用の原料ガスを導入し、導入ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器４００の内部の圧力が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］の所定の圧力になるように、真空計４２６を確認しながら排気ユニット４３１の排気能力を調整する。   For example, when manufacturing a surface protective layer of an electrophotographic photoreceptor, the reaction vessel 400 is evacuated, a source gas for supplying carbon atoms is introduced as a source gas for forming a deposited film, and the introduced gas is set to a predetermined flow rate. Adjust so that At that time, the exhaust capacity of the exhaust unit 431 is adjusted while checking the vacuum gauge 426 so that the pressure inside the reaction vessel 400 becomes a predetermined pressure of 13.3 [mPa] to 1330 [Pa].

炭素原子を供給しえる原料ガスは、メタン（ＣＨ_４）、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）等のガスが好適に使用できる。
その後は、上述と同様の方法で円筒状基体１０２の外周面上に既に形成されている堆積膜の上に新たな堆積膜が形成される。 A gas such as methane (CH ₄ ) or acetylene (C ₂ H ₂ ) can be suitably used as the source gas that can supply carbon atoms.
Thereafter, a new deposited film is formed on the deposited film already formed on the outer peripheral surface of the cylindrical substrate 102 by the same method as described above.

堆積膜が形成された後には、堆積膜形成用の原料ガスおよび高周波電力、加熱用ヒータ４１０の電力の供給を停止し、反応容器４００の中を排気する。その後、反応容器４００および原料ガス導入管４１１の内部をパージガス、例えばＡｒやＨｅの様な不活性ガスおよびＮ_２の少なくとも一種を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダー４０３を反応容器４００の中から搬出する。 After the deposited film is formed, the supply of the deposited film forming source gas, the high frequency power, and the heater 410 is stopped, and the reaction vessel 400 is exhausted. Thereafter, the inside of the reaction vessel 400 and the source gas introduction pipe 411 is purged using a purge gas, for example, an inert gas such as Ar or He and at least one of N ₂ . After the purge process is completed, the substrate holder 403 on which the cylindrical substrate 102 is mounted is unloaded from the reaction vessel 400.

以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, this invention is not restrict | limited to these.

［実施例１］
外径８４ｍｍ、内径７８ｍｍ、長さ３８１ｍｍの円筒状基体及び補助基体がセットされた図１に示す基体ホルダーを、図４に示す堆積膜形成装置に設置した。本実施例では、ホルダー受け台４０１として図１に示す構成のホルダー受け台１０１を使用した。 [Example 1]
The substrate holder shown in FIG. 1 in which a cylindrical substrate having an outer diameter of 84 mm, an inner diameter of 78 mm, and a length of 381 mm and an auxiliary substrate were set was installed in the deposited film forming apparatus shown in FIG. In this embodiment, the holder cradle 101 having the configuration shown in FIG.

図１に示すホルダー受け台１０１には、基体ホルダー１０３との嵌め合い部に図１に示すような突起部分１０５が設けられ、基体ホルダー１０３の内周面には、前記突起部分が嵌め合うように溝部１０６が設けられている。
図１（ｂ）に示すように、搬送機構１０４を用いて基体ホルダー１０３を下降させ、基体ホルダー１０３がホルダー受け台１０１に設置されるときに、ホルダー受け台１０１をゆっくり矢印１０８の方向に回転させた。ホルダー受け台１０１の突起部１０５は基体ホルダー１０３の溝部１０６に沿って進み、基体ホルダー１０３はホルダー受け台１０１に確実に設置された。 1 is provided with a protruding portion 105 as shown in FIG. 1 at a fitting portion with the base holder 103, and the protruding portion is fitted on the inner peripheral surface of the base holder 103. A groove portion 106 is provided in the upper portion.
As shown in FIG. 1B, the substrate holder 103 is lowered using the transport mechanism 104, and when the substrate holder 103 is installed on the holder cradle 101, the holder cradle 101 is slowly rotated in the direction of the arrow 108. I let you. The protrusion 105 of the holder cradle 101 advances along the groove 106 of the base holder 103, and the base holder 103 is securely placed on the holder cradle 101.

このように、図４に示す堆積膜形成装置に基体ホルダーを設置後、基体ホルダーを１ｒｐｍの速度で回転させながら、表１に示す条件にて電子写真感光体を１００本製造した。   Thus, after installing the substrate holder in the deposited film forming apparatus shown in FIG. 4, 100 electrophotographic photosensitive members were manufactured under the conditions shown in Table 1 while rotating the substrate holder at a speed of 1 rpm.

［比較例１］
実施例１で使用した円筒状基体及び補助基体と同じサイズの円筒状基体及び補助基体を図５に示す基体ホルダー５０３にセットし、図６に示す堆積膜形成装置に設置した。本比較例では、ホルダー受け台として図５に示す構成のホルダー受け台５０１を使用した。 [Comparative Example 1]
The cylindrical substrate and auxiliary substrate having the same size as the cylindrical substrate and auxiliary substrate used in Example 1 were set in the substrate holder 503 shown in FIG. 5 and installed in the deposited film forming apparatus shown in FIG. In this comparative example, a holder cradle 501 having the configuration shown in FIG. 5 was used as the holder cradle.

図５（ｂ）に示すように、搬送機構１０４を用いて基体ホルダー５０３を下降させ、基体ホルダー５０３をホルダー受け台５０１に設置した。このとき、本比較例においては、ホルダー受け台５０１を回転させなかった。   As shown in FIG. 5B, the substrate holder 503 is lowered using the transport mechanism 104, and the substrate holder 503 is installed on the holder cradle 501. At this time, in this comparative example, the holder cradle 501 was not rotated.

このように、図６に示す堆積膜形成装置に基体ホルダーを設置後、基体ホルダーを１ｒｐｍの速度で回転させながら、表１に示す条件にて電子写真感光体を１００本製造した。
上記の方法で製造した電子写真感光体１００本全てについて評価し、合格率にてランク付けを行った。 Thus, after installing the substrate holder in the deposited film forming apparatus shown in FIG. 6, 100 electrophotographic photosensitive members were manufactured under the conditions shown in Table 1 while rotating the substrate holder at a speed of 1 rpm.
All 100 electrophotographic photoreceptors produced by the above method were evaluated and ranked according to the pass rate.

（周方向膜厚ムラ）
周方向膜厚ムラの評価を以下のように実施した。電子写真感光体の中央部位置と、そこから軸方向に両側夫々１５０ｍｍの位置との合計３か所について、周方向３０°間隔で１２点の膜厚を測定した。測定には渦電流式膜厚計（（株）フィッシャーインストルメンツ製 FISCHERSCOPE MMS）を用いた。各軸位置（中央部から−１５０ｍｍの位置、中央部、及び中央部から+１５０ｍｍの位置）において得られた周方向１２点の最大値と最小値の膜厚差を、周方向１２点の平均値で割った値を各軸位置の膜厚ムラとした。 (Circumferential thickness unevenness)
The circumferential film thickness unevenness was evaluated as follows. Twelve film thicknesses were measured at 30 ° intervals in the circumferential direction at a total of three locations, ie, the central position of the electrophotographic photosensitive member and the positions 150 mm on both sides in the axial direction. For the measurement, an eddy current film thickness meter (FISCHERSCOPE MMS manufactured by Fisher Instruments Co., Ltd.) was used. The film thickness difference between the maximum value and the minimum value of 12 points in the circumferential direction obtained at each axial position (position of −150 mm from the center, position of the center, and +150 mm from the center) is the average of 12 points in the circumferential direction. The value divided by the value was taken as the film thickness unevenness at each axis position.

各軸位置の膜厚ムラがすべて２％以下である電子写真感光体を合格とし、１００本中何本が合格となるか（以下、合格率とも記載する。）によって以下のようにランク付けした。
Ｂランク以上で本発明の効果が得られていると考えている。
Ａ 合格率９０％以上
Ｂ 合格率８０％以上９０％未満
Ｃ 合格率７０％以上８０％未満
Ｄ 合格率７０％未満 The electrophotographic photosensitive member in which the film thickness unevenness at each axis position is 2% or less is regarded as acceptable, and the ranking is as follows according to how many out of 100 are acceptable (hereinafter also referred to as acceptable rate). .
It is considered that the effect of the present invention is obtained at rank B or higher.
A Pass rate 90% or more B Pass rate 80% or more and less than 90% C Pass rate 70% or more and less than 80% D Pass rate 70% or less

［実施例２］
実施例１で使用した円筒状基体及び補助基体と同じサイズの円筒状基体及び補助基体を図２に示す基体ホルダー２０３にセットし、図４に示す堆積膜形成装置に設置した。本実施例では、ホルダー受け台として図２に示す構成のホルダー受け台２０１を使用した。
図２に示すホルダー受け台２０１と基体ホルダー２０３とは、図２に示すようなねじ機構により嵌め合うような構成になっている。 [Example 2]
The cylindrical substrate and auxiliary substrate having the same size as the cylindrical substrate and auxiliary substrate used in Example 1 were set on the substrate holder 203 shown in FIG. 2, and installed in the deposited film forming apparatus shown in FIG. In this embodiment, the holder cradle 201 having the configuration shown in FIG. 2 is used as the holder cradle.
The holder cradle 201 and the base holder 203 shown in FIG. 2 are configured to be fitted by a screw mechanism as shown in FIG.

図２（ｂ）に示すように、搬送機構１０４を用いて基体ホルダー２０３を下降させ、基体ホルダー２０３がホルダー受け台２０１に設置されるときに、ホルダー受け台２０１をゆっくり矢印２０８の方向に回転させた。ホルダー受け台２０１のねじ部２０５は基体ホルダー２０３の内周面に加工されているねじ機構により嵌め合い、基体ホルダー２０３はホルダー受け台２０１に確実に設置される。   As shown in FIG. 2B, the substrate holder 203 is lowered using the transport mechanism 104, and when the substrate holder 203 is installed on the holder cradle 201, the holder cradle 201 is slowly rotated in the direction of the arrow 208. I let you. The screw portion 205 of the holder cradle 201 is fitted by a screw mechanism processed on the inner peripheral surface of the base holder 203, and the base holder 203 is securely installed on the holder cradle 201.

このように、図４に示す堆積膜形成装置に基体ホルダーを設置後、基体ホルダーを１ｒｐｍの速度で回転させながら、表１に示す条件にて電子写真感光体を１００本製造した。
上記の方法で製造した電子写真感光体１００本全てについて、実施例１および比較例１と同様に周方向膜厚ムラの評価を行った。 Thus, after installing the substrate holder in the deposited film forming apparatus shown in FIG. 4, 100 electrophotographic photosensitive members were manufactured under the conditions shown in Table 1 while rotating the substrate holder at a speed of 1 rpm.
For all 100 electrophotographic photoreceptors produced by the above method, the circumferential film thickness unevenness was evaluated in the same manner as in Example 1 and Comparative Example 1.

［実施例３］
実施例１で使用した円筒状基体及び補助基体と同じサイズの円筒状基体及び補助基体を図３に示す基体ホルダー３０３にセットし、図４に示す堆積膜形成装置に設置した。本実施例では、ホルダー受け台として図３に示す構成のホルダー受け台３０１を使用した。
ホルダー受け台３０１は、ホルダー受け台２０１と同様に、ねじ部２０５を有する。基体ホルダー３０３の内周面には、基体ホルダー２０３の内周面と同様に、ねじ部２０５をねじ込むことが可能な雌ねじが設けられている。
図３に示すように、ホルダー受け台３０１には、基体ホルダーの設置面に、回転方向に直交する溝部３０６が設けられている。 [Example 3]
The cylindrical substrate and auxiliary substrate having the same size as the cylindrical substrate and auxiliary substrate used in Example 1 were set in the substrate holder 303 shown in FIG. 3, and installed in the deposited film forming apparatus shown in FIG. In this embodiment, the holder cradle 301 having the configuration shown in FIG. 3 is used as the holder cradle.
Similar to the holder cradle 201, the holder cradle 301 has a threaded portion 205. On the inner peripheral surface of the base holder 303, similarly to the inner peripheral face of the base holder 203, a female screw capable of screwing the screw part 205 is provided.
As shown in FIG. 3, the holder cradle 301 is provided with a groove 306 orthogonal to the rotation direction on the base holder installation surface.

図３（ｂ）に示すように、搬送機構１０４を用いて基体ホルダー３０３を下降させ、基体ホルダー３０３がホルダー受け台３０１に設置されるときに、ホルダー受け台３０１をゆっくり矢印３０８の方向に回転させた。ホルダー受け台３０１のねじ部２０５は基体ホルダー３０３の内周面に加工されているねじ機構により嵌め合い、基体ホルダー３０３はホルダー受け台３０１に確実に設置される。   As shown in FIG. 3B, the substrate holder 303 is lowered using the transport mechanism 104, and when the substrate holder 303 is installed on the holder cradle 301, the holder cradle 301 is slowly rotated in the direction of the arrow 308. I let you. The screw portion 205 of the holder cradle 301 is fitted by a screw mechanism processed on the inner peripheral surface of the base holder 303, and the base holder 303 is securely installed on the holder cradle 301.

このように、図４に示す堆積膜形成装置に基体ホルダーを設置後、基体ホルダーを１ｒｐｍの速度で回転させながら、表１に示す条件にて電子写真感光体を１００本製造した。
上記の方法で製造した電子写真感光体１００本全てについて、実施例１および比較例１と同様に周方向膜厚ムラの評価を行った。 Thus, after installing the substrate holder in the deposited film forming apparatus shown in FIG. 4, 100 electrophotographic photosensitive members were manufactured under the conditions shown in Table 1 while rotating the substrate holder at a speed of 1 rpm.
For all 100 electrophotographic photoreceptors produced by the above method, the circumferential film thickness unevenness was evaluated in the same manner as in Example 1 and Comparative Example 1.

評価結果をまとめて、表２に示した。
表２に示すように、実施例１〜３においては、従来方式である比較例１に比べ、周方向膜厚ムラの合格率が改善している。特に、実施例３においては、格別の効果が得られている。 The evaluation results are summarized in Table 2.
As shown in Table 2, in Examples 1 to 3, the pass rate of circumferential film thickness unevenness is improved as compared with Comparative Example 1 which is a conventional method. In particular, in Example 3, a special effect is obtained.

また、製造過程における電子写真感光体の上端部（中央部から上方向に１５０ｍｍ離れた位置）での周方向膜厚ムラは、本実施例では比較例に比べ大幅な改善がみられた。特に、膜厚が厚い光導電層が改善されたことによる影響が大きく、光導電層の上端部の改善率は５〜８％であった。その他の箇所の改善率は３〜１％程度であった。これは、本発明によって、基体ホルダーの回転時における歳差運動による回転ブレが改善したことによる効果が得られたものである。
改善率は以下の式によって算出した。
従来の周方向ムラの値：Δａ
本発明の周方向ムラの値：ΔＡ
改善率：（１−（ΔＡ／Δａ））×１００ （％） Further, the film thickness unevenness in the circumferential direction at the upper end of the electrophotographic photosensitive member (a position 150 mm away from the center in the upward direction) during the manufacturing process was significantly improved in this example as compared with the comparative example. In particular, the effect of the improvement of the thick photoconductive layer was great, and the improvement rate of the upper end portion of the photoconductive layer was 5 to 8%. The improvement rate of other portions was about 3 to 1%. This is because the present invention has the effect of improving rotational blur due to precession during rotation of the base holder.
The improvement rate was calculated by the following formula.
Conventional circumferential unevenness value: Δa
Value of circumferential unevenness of the present invention: ΔA
Improvement rate: (1- (ΔA / Δa)) × 100 (%)

１０１、２０１、３０１、４０１、５０１・・・ホルダー受け台
１０２・・・円筒状基体
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３・・・基体ホルダー
１０４・・・搬送機構
１０５・・・突起
１０６・・・溝部
１０７・・・補助基体
２０５・・・ねじ部
３０６・・・溝部
４００・・・反応容器
４０５・・・カソード電極
４０６・・・絶縁体
４０７・・・上壁
４０８・・・ゲート弁
４０９・・・底壁
４１０・・・加熱用ヒータ
４１１・・・原料ガス導入管
４１２・・・マッチングボックス
４１３・・・高周波電源
４１９・・・原料ガス流入バルブ
４２０・・・接続配管
４２３・・・排気配管
４２４・・・排気口
４２５・・・排気メインバルブ
４２６・・・真空計
４３１・・・排気ユニット


101, 201, 301, 401, 501 ... Holder cradle 102 ... Cylindrical substrate 103, 203, 303, 403, 503 ... Substrate holder 104 ... Conveying mechanism 105 ... Protrusion 106 ... · Groove 107 ··· Auxiliary substrate 205 ··· Screw portion 306 ··· Groove portion 400 ··· Reaction vessel 405 ··· Cathode electrode 406 · · · Insulator 407 · · · Upper wall 408 · · · Gate valve 409 ... bottom wall 410 ... heater 411 ... source gas introduction pipe 412 ... matching box 413 ... high frequency power supply 419 ... source gas inflow valve 420 ... connection pipe 423 ... Exhaust pipe 424 ... exhaust port 425 ... exhaust main valve 426 ... vacuum gauge 431 ... exhaust unit

Claims (4)

減圧可能な反応容器と、円筒状基体及び補助基体が装着された基体ホルダーを設置するホルダー受け台と、前記反応容器の中に堆積膜形成用の原料ガスを導入するガス導入手段と、排気手段と、前記原料ガスを分解する電力印加手段とを有する堆積膜形成装置であって、
前記基体ホルダーと前記ホルダー受け台とは嵌め合い機構を有し、
前記嵌め合い機構は、前記基体ホルダーを設置するときに、前記基体ホルダーを下降させながら前記ホルダー受け台を回転させることによって前記ホルダー受け台に前記基体ホルダーを嵌合した状態で設置させる構造を有することを特徴とする堆積膜形成装置。 A reaction vessel capable of depressurization, a holder cradle for installing a substrate holder on which a cylindrical substrate and an auxiliary substrate are mounted, gas introduction means for introducing a raw material gas for forming a deposited film into the reaction container, and exhaust means And a deposited film forming apparatus having power application means for decomposing the source gas,
The base holder and the holder cradle have a fitting mechanism,
The fitting mechanism has a structure in which, when the base holder is installed, the base holder is installed in a state where the base holder is fitted to the holder base by rotating the holder base while lowering the base holder. A deposited film forming apparatus. 前記基体ホルダーと前記ホルダー受け台との嵌め合い機構は、ねじ込み機構である請求項１に記載の堆積膜形成装置。   The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein a fitting mechanism between the base holder and the holder cradle is a screwing mechanism. 前記ホルダー受け台には、前記基体ホルダーを設置する面に、前記ホルダー受け台の回転方向に直交する溝を有する請求項１又は２に記載の堆積膜形成装置。   The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein the holder pedestal has a groove perpendicular to a rotation direction of the holder pedestal on a surface on which the substrate holder is installed. 円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成工程を有する電子写真感光体の製造方法において、
前記堆積膜形成工程が、請求項１〜３のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置を用いて前記基体ホルダーを前記ホルダー受け台に設置した後に、前記円筒状基体の上に前記堆積膜を形成する工程であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。

In a method for producing an electrophotographic photoreceptor having a deposited film forming step of forming a deposited film on a cylindrical substrate,
The said deposited film formation process uses the deposited film forming apparatus of any one of Claims 1-3, After installing the said base | substrate holder in the said holder cradle, the said deposited film on the said cylindrical base | substrate A process for producing an electrophotographic photosensitive member, wherein

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