JP2019160869A - Sealing sheet - Google Patents

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Abstract

To provide a sealing sheet excellent in flexibility during heating, and semiconductor chip sealing, and toughness.SOLUTION: A semiconductor element sealing sheet 1 includes a thermosetting component and an inorganic filler. The proportion of the inorganic filler in the semiconductor element sealing sheet 1 is 50% or more and 95% or less. The ratio of the Shore D hardness at 80°C of a cured body sheet 20 that is a cured product of the semiconductor element sealing sheet 1 to the Shore D hardness at 25°C of the cured body sheet 20 is 0.5 or more and less than 1.0.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、封止用シートに関する。   The present invention relates to a sealing sheet.

従来、封止樹脂シートにより、複数の半導体チップを埋め込んで封止することが知られている。   Conventionally, it is known that a plurality of semiconductor chips are embedded and sealed with a sealing resin sheet.

例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、エラストマー、無機充填剤、および、硬化促進剤を含む封止樹脂シートが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。   For example, a sealing resin sheet containing an epoxy resin, a phenol resin, an elastomer, an inorganic filler, and a curing accelerator has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１４−１５４９０号公報JP 2014-15490 A

しかるに、封止樹脂シートは、複数の半導体チップを埋設して、加熱により硬化して硬化体シートを形成する。その後、硬化体シートが、吸引孔を有する吸着ステージに設置されて、吸引孔に接続される吸引装置の駆動によって、硬化体シートが吸着ステージに固定される（密着する）。続いて、硬化体シートをダイシングして、複数の半導体チップを個片化する。その際、硬化体シートは、吸引孔により吸引されながら、ダイシングソーとの接触により加熱されても破断しない、加熱時の柔軟性が求められる。   However, the sealing resin sheet embeds a plurality of semiconductor chips and cures by heating to form a cured body sheet. Thereafter, the cured body sheet is placed on the suction stage having the suction holes, and the cured body sheet is fixed (adhered to) by the suction device connected to the suction holes. Subsequently, the cured sheet is diced to divide a plurality of semiconductor chips. At that time, the cured sheet is required to have flexibility during heating that is not broken even when heated by contact with a dicing saw while being sucked through the suction holes.

一方、硬化体シートが過度に柔軟であれば、半導体チップに対する封止性の低下、ひいては、半導体チップおよび硬化体シートを備える半導体装置の信頼性の低下を生じるという不具合がある。   On the other hand, if the cured body sheet is excessively flexible, there is a problem that the sealing performance with respect to the semiconductor chip is lowered, and further, the reliability of the semiconductor device including the semiconductor chip and the cured body sheet is lowered.

さらに、硬化体シートには、優れた靱性も求められる。   Furthermore, the cured body sheet is also required to have excellent toughness.

本発明は、加熱時の柔軟性、および、半導体チップの封止性、および、靱性に優れる封止用シートを提供する。   The present invention provides a sealing sheet that is excellent in flexibility during heating, sealing properties of a semiconductor chip, and toughness.

本発明（１）は、熱硬化性成分と、無機フィラーとを含有する封止用シートであり、前記無機フィラーの前記封止用シートにおける割合が、５０％以上、９５％以下であり、前記封止用シートの硬化物である硬化体シートの８０℃におけるショアＤ硬度の、前記硬化体シートの２５℃におけるショアＤ硬度に対する比が、０．５以上、１．０未満である、封止用シートを含む。   The present invention (1) is a sealing sheet containing a thermosetting component and an inorganic filler, and the proportion of the inorganic filler in the sealing sheet is 50% or more and 95% or less, Sealing wherein the ratio of the Shore D hardness at 80 ° C. of the cured sheet, which is a cured product of the sealing sheet, to the Shore D hardness at 25 ° C. of the cured sheet is 0.5 or more and less than 1.0 Includes sheets for use.

本発明（２）は、前記無機フィラーの前記封止用シートにおける割合が、７０％未満である、（１）に記載の封止用シートを含む。   This invention (2) contains the sheet | seat for sealing as described in (1) whose ratio in the said sheet | seat for sealing of the said inorganic filler is less than 70%.

本発明（３）は、前記硬化体シートの２５℃における前記ショアＤ硬度が、５０以上、８０以下である、（１）または（２）に記載の封止用シートを含む。   This invention (3) contains the sheet | seat for sealing as described in (1) or (2) whose said Shore D hardness in 25 degreeC of the said hardening body sheet is 50 or more and 80 or less.

本発明（４）は、前記硬化体シートのガラス転移温度Ｔｇが、１００℃以下である、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。   This invention (4) contains the sheet | seat for sealing as described in any one of (1)-(3) whose glass transition temperature Tg of the said hardening body sheet is 100 degrees C or less.

本発明（５）は、前記硬化体シートの２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’の、前記硬化体シートの２６０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’に対する比が、１０以上、５００以下である、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。   In the present invention (5), the ratio of the tensile storage elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured body sheet to the tensile storage elastic modulus E ′ at 260 ° C. of the cured body sheet is 10 or more and 500 or less. The sealing sheet according to any one of 1) to (4) is included.

本発明の封止用シートでは、無機フィラーの封止用シートにおける割合が、５０％以上、９５％以下と高いので、靱性に優れる。   In the sealing sheet of this invention, since the ratio in the sealing sheet of an inorganic filler is as high as 50% or more and 95% or less, it is excellent in toughness.

また、封止用シートの硬化物である硬化体シートの８０℃におけるショアＤ硬度の、硬化体シートの２５℃におけるショアＤ硬度に対する比が１．０未満であるので、硬化体シートは、加熱時の柔軟性に優れる。   Moreover, since the ratio of the Shore D hardness at 80 ° C. of the cured body sheet, which is a cured product of the sealing sheet, to the Shore D hardness at 25 ° C. of the cured body sheet is less than 1.0, the cured body sheet is heated Excellent time flexibility.

一方、上記した比が、０．５以上であるので、硬化体シートは、封止性に優れる。   On the other hand, since the above ratio is 0.5 or more, the cured body sheet is excellent in sealing performance.

図１は、本発明の封止用シートの一実施形態である半導体素子封止用シートの断面図を示す。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a semiconductor element sealing sheet which is an embodiment of the sealing sheet of the present invention. 図２Ａ〜図２Ｂは、図１に示す半導体素子封止用シートを用いて、半導体素子を封止して、半導体素子パッケージ集合体を製造する方法の工程図を示し、図２Ａが、半導体素子封止用シートを、複数の半導体素子に対して対向配置する工程、図２Ｂが、半導体素子封止用シートによって、複数の半導体素子を封止して、半導体素子パッケージ集合体を得る工程を示す。2A to 2B show process diagrams of a method of manufacturing a semiconductor element package assembly by sealing a semiconductor element using the semiconductor element sealing sheet shown in FIG. 1, and FIG. The step of disposing the sealing sheet opposite to the plurality of semiconductor elements, FIG. 2B shows the step of sealing the plurality of semiconductor elements with the semiconductor element sealing sheet to obtain a semiconductor element package assembly. . 図３は、図２Ｂに示す半導体素子パッケージ集合体を個片化して、半導体素子パッケージを得る工程を示す。FIG. 3 shows a process of obtaining the semiconductor element package by dividing the semiconductor element package assembly shown in FIG. 2B into individual pieces. 図４は、図３に示す工程の変形例を示す。FIG. 4 shows a modification of the process shown in FIG.

本発明の封止用シートの一実施形態である半導体素子封止用シートを、図１〜図３を参照して説明する。   A semiconductor element sealing sheet which is an embodiment of the sealing sheet of the present invention will be described with reference to FIGS.

この半導体素子封止用シート１は、基板２に実装されている半導体素子３を封止するための封止用シートである。   The semiconductor element sealing sheet 1 is a sealing sheet for sealing the semiconductor element 3 mounted on the substrate 2.

また、半導体素子封止用シート１は、後述する半導体素子パッケージ集合体３５（図２Ｂ参照）および半導体素子パッケージ５（図３参照）を製造するための部品であって、半導体素子パッケージ集合体３５および半導体素子パッケージ５そのものではなく、半導体素子封止用シート１は、半導体素子３、および、半導体素子３を実装する基板２を含まず、具体的には、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。   The semiconductor element sealing sheet 1 is a component for manufacturing a semiconductor element package assembly 35 (see FIG. 2B) and a semiconductor element package 5 (see FIG. 3), which will be described later. The semiconductor element encapsulating sheet 1, not the semiconductor element package 5 itself, does not include the semiconductor element 3 and the substrate 2 on which the semiconductor element 3 is mounted. It is a possible device.

なお、半導体素子封止用シート１は、半導体素子３を封止した後の硬化体シート２０ではなく、つまり、半導体素子３を封止する前のシートである。   The semiconductor element sealing sheet 1 is not a cured body sheet 20 after the semiconductor element 3 is sealed, that is, a sheet before the semiconductor element 3 is sealed.

図１に示すように、半導体素子封止用シート１は、厚み方向に直交する方向（面方向）に延びる略板形状（フィルム形状）を有する。また、半導体素子封止用シート１は、厚み方向一方側に位置する第１面６と、第１面６と厚み方向に対向する第２面７とを備える。第１面６および第２面７は、ともに平坦面を有しており、互いに平行する。   As shown in FIG. 1, the sheet | seat 1 for semiconductor element sealing has a substantially plate shape (film shape) extended in the direction (surface direction) orthogonal to the thickness direction. Moreover, the sheet | seat 1 for semiconductor element sealing is provided with the 1st surface 6 located in the thickness direction one side, and the 2nd surface 7 which opposes the 1st surface 6 in the thickness direction. Both the 1st surface 6 and the 2nd surface 7 have a flat surface, and are mutually parallel.

第２面７は、半導体素子封止用シート１における厚み方向他方側に位置する面（下面）であって、図２Ｂに示すように、半導体素子封止用シート１が半導体素子３を封止するときに、半導体素子３および基板２に接触する接触面（厚み方向他方面）である。   The second surface 7 is a surface (lower surface) located on the other side in the thickness direction of the semiconductor element sealing sheet 1, and the semiconductor element sealing sheet 1 seals the semiconductor element 3 as shown in FIG. 2B. This is the contact surface (the other surface in the thickness direction) that contacts the semiconductor element 3 and the substrate 2.

第１面６は、半導体素子封止用シート１が半導体素子３を封止するときに、基板２の対向面８（後述）と厚み方向に間隔を隔てて対向配置される対向面（厚み方向一方面）（上面）である。また、図３に示すように、第１面６は、半導体素子パッケージ５が吸着ステージ３０に配置されるときに、吸着ステージ３０の吸引面（吸着）３１に接触する面である。   The first surface 6 is a facing surface (thickness direction) that is disposed to face a facing surface 8 (described later) of the substrate 2 at an interval in the thickness direction when the semiconductor element sealing sheet 1 seals the semiconductor element 3. One side) (upper surface). As shown in FIG. 3, the first surface 6 is a surface that contacts the suction surface (suction) 31 of the suction stage 30 when the semiconductor element package 5 is disposed on the suction stage 30.

半導体素子封止用シート１の材料は、熱硬化性成分と、無機フィラーとを含む封止組成物である。   The material for the semiconductor element sealing sheet 1 is a sealing composition containing a thermosetting component and an inorganic filler.

熱硬化性成分は、半導体素子封止用シート１（封止組成物）において、無機フィラーを互いに結合させるバインダー成分であって、熱によって硬化して、封止組成物の硬度を向上させる。   The thermosetting component is a binder component that bonds inorganic fillers to each other in the semiconductor element sealing sheet 1 (sealing composition), and is cured by heat to improve the hardness of the sealing composition.

熱硬化性成分は、例えば、封止樹脂（主剤）、硬化剤および硬化促進剤を含む。   The thermosetting component includes, for example, a sealing resin (main agent), a curing agent, and a curing accelerator.

封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビニルエステル樹脂、シアノエステル樹脂、マレイミド樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。封止樹脂としては、耐熱性などの観点から、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。   Examples of the sealing resin include an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, a vinyl ester resin, a cyano ester resin, a maleimide resin, and a silicone resin. The sealing resin is preferably an epoxy resin from the viewpoint of heat resistance and the like.

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの２官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの３官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または２種以上を併用することができる。   Examples of the epoxy resin include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, modified bisphenol A type epoxy resin, modified bisphenol F type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin, for example, phenol novolac type epoxy. Examples thereof include polyfunctional epoxy resins having three or more functions such as resin, cresol novolac type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin, and dicyclopentadiene type epoxy resin. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.

好ましくは、２官能エポキシ樹脂の単独使用が挙げられ、具体的には、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の単独使用が挙げられる。   Preferably, the bifunctional epoxy resin is used alone, and specifically, the bisphenol F type epoxy resin is used alone.

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、１０ｇ／ｅｑ．以上、好ましくは、１００ｇ／ｅｑ．以上であり、また、例えば、３００ｇ／ｅｑ．以下、好ましくは、２５０ｇ／ｅｑ．以下である。   The epoxy equivalent of the epoxy resin is, for example, 10 g / eq. Or more, preferably 100 g / eq. In addition, for example, 300 g / eq. Hereinafter, preferably, 250 g / eq. It is as follows.

エポキシ樹脂の軟化点は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１１０℃以下、好ましくは、９０℃以下である。   The softening point of an epoxy resin is 50 degreeC or more, for example, Preferably, it is 70 degreeC or more, for example, is 110 degrees C or less, Preferably, it is 90 degrees C or less.

エポキシ樹脂の割合は、封止組成物において、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上であり、また、例えば、３０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。また、エポキシ樹脂の割合は、熱硬化性成分において、例えば、５０質量％以上、好ましくは、６０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。   In the sealing composition, the proportion of the epoxy resin is, for example, 1% by mass or more, preferably 2% by mass or more, and for example, 30% by mass or less, preferably 10% by mass or less. Moreover, the ratio of an epoxy resin in a thermosetting component is 50 mass% or more, for example, Preferably, it is 60 mass% or more, for example, is 90 mass% or less, Preferably, it is 10 mass% or less.

硬化剤は、加熱によって、上記した封止樹脂（主剤）を硬化させる成分（好ましくは、エポキシ樹脂硬化剤）である。硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が挙げられる。   The curing agent is a component (preferably an epoxy resin curing agent) that cures the above-described sealing resin (main agent) by heating. As a hardening | curing agent, phenol resins, such as a phenol novolak resin, are mentioned, for example.

硬化剤の割合は、封止樹脂がエポキシ樹脂であり、硬化剤がフェノール樹脂であれば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が、例えば、０．７当量以上、好ましくは、０．９当量以上、例えば、１．５当量以下、好ましくは、１．２当量以下となるように、調整される。具体的には、硬化剤の配合部数は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上、好ましくは、５０質量部以上であり、また、例えば、７５質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。   When the sealing resin is an epoxy resin and the curing agent is a phenol resin, the total of hydroxyl groups in the phenol resin is, for example, 0.7 equivalent to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. It is adjusted so as to be not less than equivalent, preferably not less than 0.9 equivalent, for example, not more than 1.5 equivalent, preferably not more than 1.2 equivalent. Specifically, the compounding part number of the curing agent is, for example, 30 parts by mass or more, preferably 50 parts by mass or more, and, for example, 75 parts by mass or less, preferably 100 parts by mass of the sealing resin. , 60 parts by mass or less.

硬化促進剤は、加熱によって、封止樹脂の硬化を促進する触媒（熱硬化触媒）（好ましくは、エポキシ樹脂硬化促進剤）であって、例えば、有機リン系化合物、例えば、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）などのイミダゾール化合物などが挙げられる。好ましくは、イミダゾール化合物が挙げられる。硬化促進剤の配合部数は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、０．０５質量部以上であり、また、例えば、５質量部以下である。   The curing accelerator is a catalyst (thermosetting catalyst) (preferably an epoxy resin curing accelerator) that accelerates the curing of the sealing resin by heating, and is, for example, an organic phosphorus compound such as 2-phenyl-4. -Imidazole compounds such as methyl-5-hydroxymethylimidazole (2P4MHZ). Preferably, an imidazole compound is used. The number of blending parts of the curing accelerator is, for example, 0.05 parts by mass or more and, for example, 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the sealing resin.

無機フィラーは、半導体素子封止用シート１の強度を向上させる無機粒子である。無機フィラーの材料としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などの無機化合物が挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、シリカが挙げられる。   The inorganic filler is an inorganic particle that improves the strength of the semiconductor element sealing sheet 1. Examples of the material for the inorganic filler include inorganic compounds such as quartz glass, talc, silica, alumina, aluminum nitride, silicon nitride, and boron nitride. These can be used alone or in combination of two or more. Preferably, silica is used.

無機フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、略球形状、略板形状、略針形状、不定形状などが挙げられる。好ましくは、略球形状が挙げられる。   The shape of the inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include a substantially spherical shape, a substantially plate shape, a substantially needle shape, and an indefinite shape. Preferably, a substantially spherical shape is used.

無機フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上である。なお、平均粒子径Ｍは、例えば、レーザー散乱法における粒度分布測定法によって求められた粒度分布に基づいて、Ｄ５０値（累積５０％メジアン径）として求められる。   The average value of the maximum length of the inorganic filler (average particle diameter in the case of a substantially spherical shape) M is, for example, 50 μm or less, preferably 20 μm or less, more preferably 10 μm or less. It is 1 μm or more, preferably 0.5 μm or more. In addition, the average particle diameter M is calculated | required as D50 value (accumulation 50% median diameter) based on the particle size distribution calculated | required by the particle size distribution measuring method in a laser scattering method, for example.

また、無機フィラーは、第１フィラーと、第１フィラーの最大長さの平均値Ｍ１より小さい最大長さの平均値Ｍ２を有する第２フィラーとを含むことができる。   Further, the inorganic filler can include a first filler and a second filler having an average value M2 having a maximum length smaller than an average value M1 of the maximum length of the first filler.

第１フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。   The average value of the maximum length of the first filler (average particle diameter in the case of a substantially spherical shape) M1 is, for example, 1 μm or more, preferably 3 μm or more, and, for example, 50 μm or less, preferably 30 μm or less. It is.

第２フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ２は、例えば、１μｍ未満、好ましくは、０．８μｍ以下であり、また、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上である。   The average value of the maximum length of the second filler (average particle diameter in the case of a substantially spherical shape) M2 is, for example, less than 1 μm, preferably 0.8 μm or less, and for example, 0.01 μm or more, preferably Is 0.1 μm or more.

第１フィラーの最大長さの平均値の、第２フィラーの最大長さの平均値に対する比（Ｍ１／Ｍ２）は、例えば、２以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、５０以下、好ましくは、２０以下である。   The ratio (M1 / M2) of the average value of the maximum length of the first filler to the average value of the maximum length of the second filler is, for example, 2 or more, preferably 5 or more, and for example, 50 or less. , Preferably, it is 20 or less.

第１フィラーおよび第２フィラーの材料は、ともに同一あるいは相異っていてもよい。好ましくは、第１フィラーおよび第２フィラーの材料は、ともに同一、具体的には、シリカである。   The materials of the first filler and the second filler may be the same or different. Preferably, the materials of the first filler and the second filler are the same, specifically, silica.

さらに、無機フィラーは、その表面が、部分的あるは全体的に、シランカップリング剤などで表面処理されていてもよい。好ましくは、表面処理されていない第１フィラーと、表面処理されている第２フィラーとの併用が挙げられる。   Furthermore, the surface of the inorganic filler may be partially or wholly surface treated with a silane coupling agent or the like. Preferably, a combination of a first filler that is not surface-treated and a second filler that is surface-treated is used.

無機フィラー（第１フィラーおよび第２フィラーの併用であれば、それらの総量）の割合は、半導体素子封止用シート１（封止組成物）中、５０質量％以上、好ましくは、５０質量％超過、より好ましくは、５５質量％以上、さらに好ましくは、６０質量％以上であり、また、９５質量％以下、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８５質量％以下、より好ましくは、７５質量％以下、さらに好ましくは、７０質量％以下、とりわけ好ましくは、７０質量％未満である。   The proportion of the inorganic filler (the total amount of the first filler and the second filler if combined) is 50% by mass or more, preferably 50% by mass in the semiconductor element sealing sheet 1 (sealing composition). Exceeding, more preferably 55% by mass or more, further preferably 60% by mass or more, and 95% by mass or less, for example, 90% by mass or less, preferably 85% by mass or less, more preferably 75% by mass. % Or less, more preferably 70% by mass or less, and particularly preferably less than 70% by mass.

無機フィラーの割合が上記した下限を下回ると、半導体素子封止用シート１の靱性を確保できない。   When the ratio of the inorganic filler is below the lower limit, the toughness of the semiconductor element sealing sheet 1 cannot be ensured.

一方、無機フィラーの割合が上記した上限を上回ると、半導体素子封止用シート１が脆性を有し、半導体素子３を確実に封止できない。   On the other hand, if the proportion of the inorganic filler exceeds the above upper limit, the semiconductor element sealing sheet 1 is brittle and the semiconductor element 3 cannot be reliably sealed.

無機フィラーが上記した第１無機フィラーと第２無機フィラーとを含む場合には、第１無機フィラーの割合は、封止組成物中、例えば、４０質量％以上、好ましくは、５０質量％超過であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。   When the inorganic filler includes the first inorganic filler and the second inorganic filler described above, the proportion of the first inorganic filler is, for example, 40% by mass or more, preferably more than 50% by mass in the sealing composition. For example, it is 80 mass% or less, Preferably, it is 70 mass% or less.

無機フィラーが上記した第１無機フィラーと第２無機フィラーとを含む場合には、第２無機フィラーの配合部数は、第１無機フィラー１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上、好ましくは、５０質量部以上、より好ましくは、５０質量部超過であり、また、例えば、１００質量部未満、好ましくは、８０質量部以下、より好ましくは、７０質量部以下である。   When the inorganic filler includes the first inorganic filler and the second inorganic filler described above, the blending number of the second inorganic filler is, for example, 30 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the first inorganic filler, preferably 50 parts by mass or more, more preferably more than 50 parts by mass, and for example, less than 100 parts by mass, preferably 80 parts by mass or less, more preferably 70 parts by mass or less.

なお、封止組成物に、熱可塑性樹脂、顔料、シランカップリング剤などの添加剤を適宜の割合で添加することもできる。   In addition, additives, such as a thermoplastic resin, a pigment, and a silane coupling agent, can also be added to the sealing composition at an appropriate ratio.

熱可塑性樹脂は、加熱時の硬化体シート２０における柔軟性を向上させる成分である。   A thermoplastic resin is a component which improves the softness | flexibility in the hardening body sheet 20 at the time of a heating.

熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂（６−ナイロンや６，６−ナイロンなど）、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和ポリエステル樹脂（ＰＥＴなど）、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これら熱可塑性樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。   Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, Thermoplastic polyimide resin, polyamide resin (6-nylon, 6,6-nylon, etc.), phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin (PET, etc.), polyamideimide resin, fluororesin, styrene-isobutylene-styrene block copolymer Etc. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more.

熱可塑性樹脂として、好ましくは、封止樹脂（好ましくは、エポキシ樹脂）との分散性を向上させる観点から、アクリル樹脂が挙げられる。   As the thermoplastic resin, an acrylic resin is preferably used from the viewpoint of improving dispersibility with a sealing resin (preferably an epoxy resin).

アクリル樹脂としては、例えば、直鎖または分岐のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上をモノマー成分とし、そのモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系ポリマーなどが挙げられる。なお、「（メタ）アクリル」は、「アクリルおよび／またはメタクリル」を表す。   As the acrylic resin, for example, an acrylic polymer obtained by polymerizing one or more of (meth) acrylic acid alkyl ester having a linear or branched alkyl group as a monomer component and polymerizing the monomer component, etc. Can be mentioned. Note that “(meth) acryl” means “acryl and / or methacryl”.

アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、へプチル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシル、ドデシルなどの炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。   Examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, isobutyl, amyl, isoamyl, hexyl, heptyl, cyclohexyl, 2-ethylhexyl, octyl, isooctyl, nonyl, isononyl, decyl, Examples thereof include alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms such as isodecyl, undecyl, lauryl, tridecyl, tetradecyl, stearyl, octadecyl, dodecyl and the like. Preferably, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is used.

アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとその他のモノマー（共重合性モノマー）とのコポリマーであってもよい。   The acrylic polymer may be a copolymer of (meth) acrylic acid alkyl ester and other monomer (copolymerizable monomer).

その他のモノマー（共重合性モノマー）としては、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどのグリシジル基含有モノマー、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリルまたは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、例えば、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどリン酸基含有モノマー、例えば、スチレンモノマー、例えば、アクリロニトリルなどが挙げられる。これらモノマーは、単独で使用または２種以上を併用することができる。これらの中でも、好ましくは、カルボキシル基含有モノマーが挙げられる。   Examples of other monomers (copolymerizable monomers) include glycidyl group-containing monomers such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate, such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, and fumaric acid. Carboxyl group-containing monomers such as crotonic acid, for example, acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride, such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth ) 4-hydroxybutyl acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxy laurate (meth) acrylate Or hydroxyl group-containing monomers such as (4-hydroxymethylcyclohexyl) -methyl acrylate, for example, styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid Sulfonic acid group-containing monomers such as sulfopropyl (meth) acrylate and (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, for example, phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate, such as styrene monomer, such as acrylonitrile It is done. These monomers can be used alone or in combination of two or more. Among these, a carboxyl group-containing monomer is preferable.

熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、例えば、１０万以上、好ましくは、３０万以上であり、また、例えば、１００万以下、好ましくは、８０万以下である。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算値に基づいて測定される。   The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is, for example, 100,000 or more, preferably 300,000 or more, and, for example, 1,000,000 or less, preferably 800,000 or less. In addition, a weight average molecular weight is measured based on a standard polystyrene conversion value by gel permeation chromatography (GPC).

熱可塑性樹脂の割合（固形分割合）は、封止組成物の熱硬化を阻害しないように調整されており、具体的には、封止組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上、より好ましくは、３．５質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下、より好ましくは、５質量％以下である。   The ratio (solid content ratio) of the thermoplastic resin is adjusted so as not to inhibit the thermosetting of the sealing composition, and specifically, for example, 1% by mass or more with respect to the sealing composition, preferably Is 2% by mass or more, more preferably 3.5% by mass or more, and for example, 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less, more preferably 5% by mass or less.

なお、熱可塑性樹脂は、適宜の溶媒で希釈されて調製されていてもよい。   The thermoplastic resin may be prepared by diluting with an appropriate solvent.

顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの黒色顔料が挙げられる。顔料の平均粒子径は、例えば、０．００１μｍ以上、例えば、１μｍ以下である。顔料の割合は、封止組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、また、例えば、２質量％以下である。   Examples of the pigment include black pigments such as carbon black. The average particle diameter of the pigment is, for example, 0.001 μm or more, for example, 1 μm or less. The ratio of the pigment is, for example, 0.1% by mass or more, and for example, 2% by mass or less with respect to the sealing composition.

シランカップリング剤は、無機フィラーの表面を処理（表面処理）するために配合される。シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ基を含有するシランカップリング剤が挙げられる。エポキシ基を含有するシランカップリング剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどの３−グリシドキシジアルキルジアルコキシシラン、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどの３−グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。好ましくは、３−グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。シランカップリング剤の配合割合は、無機フィラー１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、１質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下である。   A silane coupling agent is mix | blended in order to process the surface (surface treatment) of an inorganic filler. As a silane coupling agent, the silane coupling agent containing an epoxy group is mentioned, for example. Examples of the silane coupling agent containing an epoxy group include 3-glycidoxydialkyl dialkoxysilanes such as 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane and 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, such as 3- Examples include 3-glycidoxyalkyltrialkoxysilanes such as glycidoxypropyltrimethoxysilane and 3-glycidoxypropyltriethoxysilane. Preferably, 3-glycidoxyalkyl trialkoxysilane is mentioned. The compounding ratio of the silane coupling agent is, for example, 0.1 part by mass or more, preferably 1 part by mass or more, and for example, 10 parts by mass or less, preferably 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler. It is below mass parts.

封止組成物を調製するには、熱硬化性成分と、無機フィラーと、必要により、添加剤とを配合して、それらを混合する。   In order to prepare the sealing composition, a thermosetting component, an inorganic filler, and, if necessary, an additive are blended and mixed.

次に、半導体素子封止用シート１の製造方法を説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor element sealing sheet 1 will be described.

半導体素子封止用シート１を製造するには、例えば、封止組成物を溶媒（例えば、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチルなど）に溶解および／または分散させて、ワニスを調製し、これを、図１に示すように、第１剥離シート１５に塗布し、乾燥させる。これによって、半導体素子封止用シート１を、第１剥離シート１５に支持された状態で、製造する。その後、第２剥離シート１６を、半導体素子封止用シート１に対して第１剥離シート１５の反対側に配置する。つまり、半導体素子封止用シート１を、第１剥離シート１５および第２剥離シート１６で厚み方向に挟み込んだ状態で、製造する。半導体素子封止用シート１の第１面６および第２面７のそれぞれは、第２剥離シート１６および第１剥離シート１５のそれぞれに接触している。   In order to produce the semiconductor element sealing sheet 1, for example, a sealing composition is dissolved and / or dispersed in a solvent (for example, methyl ethyl ketone, toluene, ethyl acetate, etc.) to prepare a varnish. As shown in FIG. 1, it is applied to the first release sheet 15 and dried. Thus, the semiconductor element sealing sheet 1 is manufactured in a state of being supported by the first release sheet 15. Thereafter, the second release sheet 16 is disposed on the opposite side of the first release sheet 15 with respect to the semiconductor element sealing sheet 1. That is, the semiconductor element sealing sheet 1 is manufactured in a state of being sandwiched in the thickness direction between the first release sheet 15 and the second release sheet 16. Each of the first surface 6 and the second surface 7 of the semiconductor element sealing sheet 1 is in contact with the second release sheet 16 and the first release sheet 15.

第１剥離シート１５および第２剥離シート１６のそれぞれは、可撓性を有し、面方向に延びるシート形状を有する。第１剥離シート１５および第２剥離シート１６の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミドなどの樹脂、例えば、ステンレスなどの金属などが挙げられ、好ましくは、樹脂が挙げられる。また、第１剥離シート１５および第２剥離シート１６の表面（半導体素子封止用シート１に接触する接触面）は、剥離処理が施されていてもよい。第１剥離シート１５および第２剥離シート１６のそれぞれの厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。   Each of the first release sheet 15 and the second release sheet 16 is flexible and has a sheet shape extending in the surface direction. Examples of the material of the first release sheet 15 and the second release sheet 16 include resins such as polyethylene terephthalate and polyimide, for example, metals such as stainless steel, and preferably resins. Further, the surfaces of the first release sheet 15 and the second release sheet 16 (contact surfaces that come into contact with the semiconductor element sealing sheet 1) may be subjected to a release treatment. Each thickness of the 1st release sheet 15 and the 2nd release sheet 16 is 1 micrometer or more, for example, Preferably, it is 10 micrometers or more, for example, is 1000 micrometers or less, Preferably, it is 500 micrometers or less.

他方、ワニスを調製せず、混練押出によって、封止組成物から半導体素子封止用シート１を製造することもできる。第１剥離シート１５および第２剥離シート１６は、押出後の半導体素子封止用シート１に配置される。   On the other hand, the semiconductor element sealing sheet 1 can be produced from the sealing composition by kneading extrusion without preparing a varnish. The first release sheet 15 and the second release sheet 16 are disposed on the semiconductor element sealing sheet 1 after extrusion.

半導体素子封止用シート１における熱硬化性成分は、例えば、Ｂステージ（完全硬化ではない半硬化）である。Ｂステージは、熱硬化性成分が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい状態である。   The thermosetting component in the semiconductor element sealing sheet 1 is, for example, a B stage (semi-cured but not completely cured). The B stage is a state between the A stage in which the thermosetting component is liquid and the fully cured C stage, and the curing and gelation progresses slightly, and the compression elastic modulus is the elastic modulus of the C stage. It is a state smaller than.

これにより、半導体素子封止用シート１を、第１面６および第２面７のそれぞれが、第２剥離シート１６および第１剥離シート１５で支持（保護）された状態で、製造する。   Thus, the semiconductor element sealing sheet 1 is manufactured in a state where the first surface 6 and the second surface 7 are supported (protected) by the second release sheet 16 and the first release sheet 15, respectively.

半導体素子封止用シート１の厚みは、特に限定されず、例えば、１００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下である。   The thickness of the sheet | seat 1 for semiconductor element sealing is not specifically limited, For example, it is 100 micrometers or more, for example, is 2000 micrometers or less.

次に、この半導体素子封止用シート１を用いて、複数の半導体素子３を封止し、続いて、複数の半導体素子３を個片化するように、硬化体シート２０および基板２を切断して、半導体素子パッケージ５を製造する方法を説明する。   Next, the semiconductor element sealing sheet 1 is used to seal the plurality of semiconductor elements 3, and then the cured body sheet 20 and the substrate 2 are cut so that the plurality of semiconductor elements 3 are separated into pieces. A method for manufacturing the semiconductor element package 5 will be described.

半導体素子パッケージ５を製造する方法は、複数の半導体素子３を準備する工程（図２Ａ参照）、半導体素子封止用シート１を準備する工程（図１参照）、半導体素子封止用シート１によって複数の半導体素子３を封止して、半導体素子封止用シート１から硬化体シート２０を調製するとともに、半導体素子パッケージ集合体３５を得る工程（図２Ｂ参照）、および、半導体素子パッケージ集合体３５を切断加工して、半導体素子パッケージ５を得る工程（図３参照）を備える。   The method of manufacturing the semiconductor element package 5 includes a step of preparing a plurality of semiconductor elements 3 (see FIG. 2A), a step of preparing a semiconductor element sealing sheet 1 (see FIG. 1), and a semiconductor element sealing sheet 1 A step of sealing a plurality of semiconductor elements 3 to prepare a cured body sheet 20 from the semiconductor element sealing sheet 1 and obtaining a semiconductor element package assembly 35 (see FIG. 2B), and a semiconductor element package assembly 35 is provided with a step (see FIG. 3) of cutting the semiconductor device 35 to obtain the semiconductor element package 5.

この方法では、図２Ａに示すように、まず、半導体素子３を準備する。   In this method, as shown in FIG. 2A, first, a semiconductor element 3 is prepared.

半導体素子３は、例えば、半導体チップであり、面方向に延びる略平板形状を有する。半導体素子３としては、特に限定されない。半導体素子３の厚み方向他方面（下面）には、端子（図示せず）が設けられている。   The semiconductor element 3 is, for example, a semiconductor chip and has a substantially flat plate shape extending in the surface direction. The semiconductor element 3 is not particularly limited. A terminal (not shown) is provided on the other surface (lower surface) in the thickness direction of the semiconductor element 3.

半導体素子３は、基板２の対向面８（上面）（後述）に実装されている。具体的には、半導体素子３は、例えば、基板２に対してフリップチップ実装されている。   The semiconductor element 3 is mounted on the opposing surface 8 (upper surface) (described later) of the substrate 2. Specifically, the semiconductor element 3 is flip-chip mounted on the substrate 2, for example.

また、半導体素子３は、基板２において、面方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。   A plurality of semiconductor elements 3 are arranged on the substrate 2 at intervals in the plane direction.

基板２は、面方向に延びる略平坦形状を有する。また、基板２は、複数の半導体素子３に対向する対向面８（上面）と、対向面８と厚み方向に間隔を隔てて配置される第２対向面９とを有する。   The substrate 2 has a substantially flat shape extending in the surface direction. The substrate 2 has a facing surface 8 (upper surface) that faces the plurality of semiconductor elements 3 and a second facing surface 9 that is spaced from the facing surface 8 in the thickness direction.

対向面８は、面方向に沿う平面を有する。また、対向面８は、平面視において、複数の半導体素子３全部を囲む大きさを有する。つまり、基板２の対向面８は、平面視において、複数の半導体素子３と重複する重複領域１１と、複数の半導体素子３と重複せず、基板２から露出する露出領域１２とを有する。対向面８は、重複領域１１において、半導体素子３の端子（図示せず）に対応する基板端子（図示せず）を備える。   The facing surface 8 has a plane along the surface direction. Further, the facing surface 8 has a size surrounding all of the plurality of semiconductor elements 3 in plan view. That is, the opposing surface 8 of the substrate 2 has an overlapping region 11 that overlaps with the plurality of semiconductor elements 3 and an exposed region 12 that does not overlap with the plurality of semiconductor elements 3 and is exposed from the substrate 2 in plan view. The facing surface 8 includes a substrate terminal (not shown) corresponding to a terminal (not shown) of the semiconductor element 3 in the overlapping region 11.

第２対向面９は、対向面８に平行しており、面方向に沿う平面を有する。   The second facing surface 9 is parallel to the facing surface 8 and has a flat surface along the surface direction.

この方法では、別途、図１に示すように、半導体素子封止用シート１を準備する。具体的には、図１の矢印で示すように、第１剥離シート１５を、半導体素子封止用シート１の第２面７から剥離する。   In this method, a semiconductor element sealing sheet 1 is separately prepared as shown in FIG. Specifically, as shown by an arrow in FIG. 1, the first release sheet 15 is peeled from the second surface 7 of the semiconductor element sealing sheet 1.

図２Ａの矢印で示すように、その後、半導体素子封止用シート１を、その第２面７が、半導体素子３の厚み方向一方面（上面）に接触するように、複数の半導体素子３に配置する。   2A, the semiconductor element sealing sheet 1 is then applied to the plurality of semiconductor elements 3 such that the second surface 7 is in contact with one surface (upper surface) in the thickness direction of the semiconductor element 3. Deploy.

図２Ｂに示すように、次いで、半導体素子封止用シート１によって複数の半導体素子３を封止する。   Next, as shown in FIG. 2B, the plurality of semiconductor elements 3 are sealed with the semiconductor element sealing sheet 1.

例えば、下板および上板を備える平板プレス（図示せず）を用いて、半導体素子封止用シート１を加熱および加圧して、半導体素子封止用シート１で複数の半導体素子３を封止する。   For example, by using a flat plate press (not shown) having a lower plate and an upper plate, the semiconductor element sealing sheet 1 is heated and pressed to seal the semiconductor elements 3 with the semiconductor element sealing sheet 1. To do.

また、上記した加熱によって、半導体素子封止用シート１は、熱硬化する。具体的には、一旦、軟化後、半導体素子封止用シート１の封止組成物が完全硬化する（Ｃステージ化する）。   Moreover, the sheet | seat 1 for semiconductor element sealing is thermosetted by the above-mentioned heating. Specifically, once softening, the sealing composition of the semiconductor element sealing sheet 1 is completely cured (C stage).

加熱条件は、封止組成物が完全硬化する条件である。具体的には、加熱温度が、例えば、８５℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、１２５℃以下、好ましくは、１１０℃以下である。加熱時間が、例えば、１０分間以上、好ましくは、３０分間以上であり、また、例えば、３００分間以下、好ましくは、１８０分間以下である。圧力は、特に限定されず、例えば、０．１ＭＰａ以上、好ましくは０．５ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０ＭＰａ以下、好ましくは、５ＭＰａ以下である。   The heating condition is a condition for completely curing the sealing composition. Specifically, the heating temperature is, for example, 85 ° C. or more, preferably 100 ° C. or more, and for example, 125 ° C. or less, preferably 110 ° C. or less. The heating time is, for example, 10 minutes or longer, preferably 30 minutes or longer, and for example, 300 minutes or shorter, preferably 180 minutes or shorter. The pressure is not particularly limited, and is, for example, 0.1 MPa or more, preferably 0.5 MPa or more, and for example, 10 MPa or less, preferably 5 MPa or less.

半導体素子封止用シート１は、一旦軟化して、複数の半導体素子３を埋設する。換言すれば、複数の半導体素子３が半導体素子封止用シート１に埋め込まれる。   The semiconductor element sealing sheet 1 is once softened to embed a plurality of semiconductor elements 3. In other words, the plurality of semiconductor elements 3 are embedded in the semiconductor element sealing sheet 1.

続いて、半導体素子封止用シート１は、半導体素子３の周側面を被覆するとともに、対向面８における露出領域１２に接触する。   Subsequently, the semiconductor element sealing sheet 1 covers the peripheral side surface of the semiconductor element 3 and contacts the exposed region 12 on the facing surface 8.

これによって、複数の半導体素子３が半導体素子封止用シート１によって封止される。また、基板２における露出領域１２は、半導体素子封止用シート１によって接触（密着）されている。   As a result, the plurality of semiconductor elements 3 are sealed by the semiconductor element sealing sheet 1. Further, the exposed region 12 in the substrate 2 is in contact (adhered) by the semiconductor element sealing sheet 1.

なお、複数の半導体素子３を封止し、基板２の露出領域１２に接触する半導体素子封止用シート１は、すでに加熱により熱硬化（完全硬化）（Ｃステージ）状態となっている。そのため、半導体素子封止用シート１は、硬化体シート２０となる。硬化体シート２０は、半導体素子封止用シート１の硬化物である。   In addition, the semiconductor element sealing sheet 1 that seals the plurality of semiconductor elements 3 and contacts the exposed region 12 of the substrate 2 has already been thermally cured (completely cured) (C stage) by heating. Therefore, the semiconductor element sealing sheet 1 becomes a cured body sheet 20. The cured body sheet 20 is a cured product of the semiconductor element sealing sheet 1.

図２Ｂの矢印および仮想線で示すように、その後、第２剥離シート１６を硬化体シート２０の第１面６から剥離する。   2B, the second release sheet 16 is then released from the first surface 6 of the cured body sheet 20 as indicated by arrows and phantom lines in FIG. 2B.

その後、半導体素子封止用シート１（あるいは硬化体シート２０）は、熱硬化をより一層進行させたい場合には、平板プレスから下ろし、別の加熱炉に投入する。   Thereafter, the semiconductor element encapsulating sheet 1 (or the cured product sheet 20) is lowered from the flat plate press and put into another heating furnace when the thermosetting is desired to proceed further.

硬化体シート２０の２５℃におけるショアＤ硬度は、例えば、５０以上、好ましくは、５５以上であり、また、例えば、８０以下、好ましくは、７０以下、より好ましくは、６５以下である。   The Shore D hardness at 25 ° C. of the cured sheet 20 is, for example, 50 or more, preferably 55 or more, and is, for example, 80 or less, preferably 70 or less, more preferably 65 or less.

硬化体シート２０の２５℃におけるショアＤ硬度が上記した下限以上であれば、硬化体シート２０の半導体素子３に対する封止性の低下を抑制でき、ひいては、半導体素子パッケージ集合体３５および半導体素子パッケージ５の信頼性の低下を抑制できる。硬化体シート２０の２５℃におけるショアＤ硬度が上記した上限以下であれば、硬化体シート２０の損傷を抑制することができる。   When the Shore D hardness at 25 ° C. of the cured body sheet 20 is equal to or higher than the lower limit described above, it is possible to suppress a decrease in the sealing performance of the cured body sheet 20 with respect to the semiconductor element 3. 5 can be suppressed. If the Shore D hardness at 25 ° C. of the cured body sheet 20 is equal to or less than the above upper limit, damage to the cured body sheet 20 can be suppressed.

硬化体シート２０の８０℃におけるショアＤ硬度は、例えば、２５以上、好ましくは、３０以上であり、また、例えば、７５以下、好ましくは、７０以下、より好ましくは、５５以下である。硬化体シート２０の８０℃におけるショアＤ硬度が上記した下限以上、上限以下であれば、半導体素子パッケージ集合体３５および半導体素子パッケージ５の信頼性の低下を抑制しつつ、硬化体シート２０の損傷を抑制することができる。   The Shore D hardness at 80 ° C. of the cured sheet 20 is, for example, 25 or more, preferably 30 or more, and for example, 75 or less, preferably 70 or less, more preferably 55 or less. If the Shore D hardness at 80 ° C. of the cured body sheet 20 is not less than the above lower limit and not more than the upper limit, damage to the cured body sheet 20 is suppressed while suppressing a decrease in reliability of the semiconductor element package assembly 35 and the semiconductor element package 5. Can be suppressed.

なお、硬化体シート２０の８０℃におけるショアＤ硬度は、次に説明する半導体素子パッケージ集合体３５を切断する工程において、ダイシングソー２５との接触により硬化体シート２０が加熱される際の想定温度（８０℃前後）におけるショアＤ硬度を意味する。   The Shore D hardness at 80 ° C. of the cured body sheet 20 is an estimated temperature when the cured body sheet 20 is heated by contact with the dicing saw 25 in the step of cutting the semiconductor element package assembly 35 described below. It means Shore D hardness at (around 80 ° C.).

硬化体シート２０の８０℃におけるショアＤ硬度の、硬化体シート２０の２５℃におけるショアＤ硬度に対する比（硬化体シート２０の８０℃におけるショアＤ硬度／硬化体シート２０の２５℃におけるショアＤ硬度）は、０．５以上であり、好ましくは、０．５５以上であり、また、１．０未満、好ましくは、０．９９以下、より好ましくは、０．９７以下、さらに好ましくは、０．９５以下、さらに好ましくは、０．９以下であり、好ましくは、０．８以下、より好ましくは、０．７以下である。   Ratio of Shore D Hardness at 80 ° C. of Cured Sheet 20 to Shore D Hardness at 25 ° C. of Cured Sheet 20 (Shore D Hardness at 80 ° C. of Cured Sheet 20 / Shore D Hardness at 25 ° C. of Cured Sheet 20 ) Is 0.5 or more, preferably 0.55 or more, and less than 1.0, preferably 0.99 or less, more preferably 0.97 or less, still more preferably 0.00. 95 or less, more preferably 0.9 or less, preferably 0.8 or less, more preferably 0.7 or less.

また、ショアＤ硬度は、ＪＩＳ Ｋ ６２５３−３（加硫ゴム及び熱可塑性ゴム−硬さの求め方−第３部：デュロメータ硬さ、２０１２年）に従って測定される、タイプＤデュロメータ硬さである。   The Shore D hardness is a type D durometer hardness measured in accordance with JIS K 6253-3 (vulcanized rubber and thermoplastic rubber-determination of hardness-part 3: durometer hardness, 2012). .

上記した比が上記した上限を上回れば、半導体素子パッケージ集合体３５を切断する工程において、ダイシングソー２５との接触により加熱されるときに、硬化体シート２０が硬すぎるため、吸着ステージ３０における吸引孔３２内の低圧（負圧、あるいは、真空圧）に起因して、硬化体シート２０に損傷（折れあるいはひび割れ）を生じる。   If the above ratio exceeds the above upper limit, the cured body sheet 20 is too hard when heated by contact with the dicing saw 25 in the step of cutting the semiconductor element package assembly 35, so that the suction in the suction stage 30 is performed. Due to the low pressure (negative pressure or vacuum pressure) in the holes 32, the cured body sheet 20 is damaged (broken or cracked).

一方、上記した比が上記した下限を下回れば、硬化体シート２０の半導体素子３に対する封止性が低下し、ひいては、半導体素子パッケージ集合体３５および半導体素子パッケージ５の信頼性が低下する。   On the other hand, if the above ratio falls below the lower limit, the sealing property of the cured body sheet 20 with respect to the semiconductor element 3 decreases, and as a result, the reliability of the semiconductor element package assembly 35 and the semiconductor element package 5 decreases.

硬化体シート２０のガラス転移温度Ｔｇは、例えば、１５０℃以下、より好ましくは、１１０℃以下、さらに好ましくは、１００℃以下、とりわけ好ましくは、９０℃以下、最も好ましくは、８５℃以下であり、また、例えば、７０℃以上、好ましくは、７５℃以上である。   The glass transition temperature Tg of the cured sheet 20 is, for example, 150 ° C. or less, more preferably 110 ° C. or less, further preferably 100 ° C. or less, particularly preferably 90 ° C. or less, and most preferably 85 ° C. or less. For example, it is 70 degreeC or more, Preferably, it is 75 degreeC or more.

硬化体シート２０のガラス転移温度Ｔｇは、モード：引張、走査温度：０〜２６０℃、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分で動的粘弾性測定を実施して、引張貯蔵弾性率Ｅ’および引張損失弾性率Ｅ’’を得、これらからｔａｎδ（＝Ｅ’’／Ｅ’）の曲線を求め、ｔａｎδのピーク値として、ガラス転移温度Ｔｇが求められる。   The glass transition temperature Tg of the cured product sheet 20 is determined as follows: dynamic viscoelasticity measurement is performed at mode: tensile, scanning temperature: 0 to 260 ° C., frequency: 1 Hz, heating rate: 10 ° C./min, and tensile storage elastic modulus. E ′ and the tensile loss elastic modulus E ″ are obtained, a curve of tan δ (= E ″ / E ′) is obtained from these, and the glass transition temperature Tg is obtained as the peak value of tan δ.

硬化体シート２０のガラス転移温度Ｔｇが上記した上限以下であれば、半導体素子パッケージ集合体３５を切断する工程において、硬化体シート２０がダイシングソー２５などの切断装置との接触によって加熱されても、硬化体シート２０が損傷（折れあるいはひび割れ）することを抑制できる。   If the glass transition temperature Tg of the cured body sheet 20 is equal to or lower than the upper limit, the cured body sheet 20 may be heated by contact with a cutting device such as the dicing saw 25 in the step of cutting the semiconductor element package assembly 35. Further, it is possible to suppress the cured body sheet 20 from being damaged (broken or cracked).

一方、硬化体シート２０のガラス転移温度Ｔｇが上記した下限以上であれば、硬化体シート２０の半導体素子３に対する封止性の低下を抑制でき、ひいては、半導体素子パッケージ集合体３５および半導体素子パッケージ５の信頼性の低下を抑制できる。   On the other hand, if the glass transition temperature Tg of the cured body sheet 20 is equal to or higher than the lower limit described above, it is possible to suppress a decrease in the sealing performance of the cured body sheet 20 with respect to the semiconductor element 3. 5 can be suppressed.

硬化体シート２０の２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’は、例えば、０．１ＧＰａ以上、好ましくは、０．５ＧＰａ以上であり、また、例えば、２０ＧＰａ以下、好ましくは、１０ＧＰａ以下、より好ましくは、２０ＧＰａ以下、さらに好ましくは、１０ＧＰａ以下、とりわけ好ましくは、５ＧＰａ以下、最も好ましくは、２．５ＧＰａ以下である。   The tensile storage elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured body sheet 20 is, for example, 0.1 GPa or more, preferably 0.5 GPa or more, and for example, 20 GPa or less, preferably 10 GPa or less, more preferably 20 GPa or less, more preferably 10 GPa or less, particularly preferably 5 GPa or less, and most preferably 2.5 GPa or less.

硬化体シート２０の２６０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’は、例えば、０．００１ＧＰａ以上、好ましくは、０．００３ＧＰａ以上であり、また、例えば、５ＧＰａ以下、好ましくは、３ＧＰａ以下、より好ましくは、１ＧＰａ以下、さらに好ましくは、０．１ＧＰａ以下、とりわけ好ましくは、０．０１ＧＰａ以下である。   The tensile storage elastic modulus E ′ at 260 ° C. of the cured sheet 20 is, for example, 0.001 GPa or more, preferably 0.003 GPa or more, and, for example, 5 GPa or less, preferably 3 GPa or less, more preferably 1 GPa or less, more preferably 0.1 GPa or less, and particularly preferably 0.01 GPa or less.

硬化体シート２０の２５℃および２６０℃のそれぞれの引張貯蔵弾性率Ｅ’は、モード：引張、走査温度：０〜２６０℃、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分で動的粘弾性測定を実施して求められる。   Respective tensile storage elastic moduli E ′ at 25 ° C. and 260 ° C. of the cured sheet 20 are dynamic viscoelasticity at mode: tension, scanning temperature: 0 to 260 ° C., frequency: 1 Hz, temperature increase rate: 10 ° C./min. Obtained by performing measurements.

硬化体シート２０の２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’の、硬化体シート２０の２６０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’に対する比（硬化体シート２０の２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’／硬化体シート２０の２６０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’）は、例えば、５以上、好ましくは、１０以上、より好ましくは、５０以上、さらに好ましくは、１５０以上、とりわけ好ましくは、２００以上、最も好ましくは、２５０以上であり、また、例えば、５００以下、好ましくは、４００以下である。   Ratio of tensile storage elastic modulus E ′ at 25 ° C. of cured sheet 20 to tensile storage elastic modulus E ′ at 260 ° C. of cured sheet 20 (tensile storage elastic modulus E ′ at 25 ° C. of cured sheet 20 / cured body The tensile storage elastic modulus E ′) of the sheet 20 at 260 ° C. is, for example, 5 or more, preferably 10 or more, more preferably 50 or more, further preferably 150 or more, particularly preferably 200 or more, most preferably. 250 or more, and for example, 500 or less, preferably 400 or less.

硬化体シート２０の引張貯蔵弾性率Ｅ’の比が上記した下限以上であれば、硬化体シート２０の損傷を抑制することができる。硬化体シート２０の引張貯蔵弾性率Ｅ’の比が上記した上限以下であれば、硬化体シート２０の半導体素子３に対する封止性の低下を抑制でき、ひいては、半導体素子パッケージ５の信頼性の低下を抑制できる。   If the ratio of the tensile storage elastic modulus E ′ of the cured body sheet 20 is equal to or higher than the lower limit described above, damage to the cured body sheet 20 can be suppressed. If the ratio of the tensile storage elastic modulus E ′ of the cured body sheet 20 is equal to or less than the above-described upper limit, it is possible to suppress a decrease in the sealing performance of the cured body sheet 20 with respect to the semiconductor element 3. Reduction can be suppressed.

これにより、図２に示すように、基板２、複数の半導体素子３および硬化体シート２０を備える半導体素子パッケージ集合体３５を得ることができる。   Thereby, as shown in FIG. 2, a semiconductor element package assembly 35 including the substrate 2, the plurality of semiconductor elements 3, and the cured body sheet 20 can be obtained.

なお、図２Ｂに示す半導体素子パッケージ集合体３５は、図３に示し、次に説明する切断後の半導体素子パッケージ５ではなく、具体的には、基板２および硬化体シート２０を切断する前であり、複数の半導体素子３が個片化される前であり、つまり、複数の半導体素子３を有する。   The semiconductor element package assembly 35 shown in FIG. 2B is not the semiconductor element package 5 after cutting shown in FIG. 3 and will be described next, specifically, before the substrate 2 and the cured body sheet 20 are cut. Yes, before the semiconductor elements 3 are separated into pieces, that is, the semiconductor elements 3 are provided.

その後、半導体素子パッケージ集合体３５を、複数の半導体素子３のそれぞれに対応して、個片化する。   Thereafter, the semiconductor element package assembly 35 is separated into pieces corresponding to each of the plurality of semiconductor elements 3.

具体的には、まず、図２Ｂの矢印で示すように、第２剥離シート１６を、硬化体シート２０の第１面６から剥離する。続いて、図３に示すように、半導体素子パッケージ集合体３５を上下反転して、吸着ステージ３０に対して対向配置する。   Specifically, first, as shown by the arrow in FIG. 2B, the second release sheet 16 is peeled from the first surface 6 of the cured sheet 20. Subsequently, as shown in FIG. 3, the semiconductor element package assembly 35 is turned upside down and disposed opposite to the suction stage 30.

吸着ステージ３０は、面方向に板形状を有しており、平坦な吸着面３１を有する。また、吸着ステージ３０は、厚み方向に貫通する吸引孔３２を有する。吸引孔３２の吸引方向上流側端部（図３における上端部）は、吸着面３１に面している。吸引孔３２は、面方向に間隔を隔てて複数配置されている。複数の吸引孔３２の吸引方向下流側端部（図３における下端部）は、吸引装置（図示せず）に接続されている。また、吸着面３１は、上記した硬化体シート２０より大きい寸法を有する。   The suction stage 30 has a plate shape in the surface direction and has a flat suction surface 31. Further, the suction stage 30 has a suction hole 32 penetrating in the thickness direction. An upstream end portion (upper end portion in FIG. 3) of the suction hole 32 in the suction direction faces the suction surface 31. A plurality of suction holes 32 are arranged at intervals in the surface direction. The suction direction downstream end portions (lower end portions in FIG. 3) of the plurality of suction holes 32 are connected to a suction device (not shown). Further, the suction surface 31 has a size larger than the above-described cured sheet 20.

そして、半導体素子パッケージ集合体３５における硬化体シート２０の第１面６を、吸着ステージ３０の吸着面３１に接触させる。具体的には、硬化体シート２０の第１面６を、吸引孔３２の吸引方向上流側端部を閉塞するように、吸着ステージ３０の吸着面３１に密着（吸着）させる。   Then, the first surface 6 of the cured body sheet 20 in the semiconductor element package assembly 35 is brought into contact with the suction surface 31 of the suction stage 30. Specifically, the first surface 6 of the cured body sheet 20 is brought into close contact (adsorption) with the adsorption surface 31 of the adsorption stage 30 so as to close the upstream end of the suction hole 32 in the suction direction.

続いて、吸引装置を駆動させて、吸引孔３２内を減圧して（低圧、負圧、あるいは、真空圧とし）、これにより、半導体素子パッケージ集合体３５が吸着ステージ３０に固定される。   Subsequently, the suction device is driven to reduce the pressure in the suction hole 32 (low pressure, negative pressure, or vacuum pressure), whereby the semiconductor element package assembly 35 is fixed to the suction stage 30.

続いて、複数の半導体素子３のそれぞれの周囲の硬化体シート２０および基板２を、例えば、ダイシングソー２５などによって、切断（ダイシング）する。ダイシングソー２５は、例えば、基板２の第２面７から硬化体シート２０の第１面６に向かって、基板２および硬化体シート２０に進入する。   Subsequently, the cured sheet 20 and the substrate 2 around each of the plurality of semiconductor elements 3 are cut (diced) by, for example, a dicing saw 25 or the like. For example, the dicing saw 25 enters the substrate 2 and the cured body sheet 20 from the second surface 7 of the substrate 2 toward the first surface 6 of the cured body sheet 20.

その後、個片化された半導体素子パッケージ５を、ピックアップ装置（図示せず）などを用いて、別の箇所に搬送する。具体的には、ピックアップ装置によって、半導体素子パッケージ５を、吸着ステージ３０から引き上げる。   Thereafter, the separated semiconductor element package 5 is transported to another location using a pickup device (not shown) or the like. Specifically, the semiconductor element package 5 is pulled up from the suction stage 30 by a pickup device.

そして、この半導体素子封止用シート１では、無機フィラーの半導体素子封止用シート１における割合が、５０％以上、９５％以下と高いので、硬化体シート２０は、靱性に優れる。   And in this sheet | seat 1 for semiconductor element sealing, since the ratio in the sheet | seat 1 for semiconductor element sealing of an inorganic filler is as high as 50% or more and 95% or less, the hardening body sheet | seat 20 is excellent in toughness.

また、硬化体シート２０の８０℃におけるショアＤ硬度の、硬化体シート２０の２５℃におけるショアＤ硬度に対する比が１．０未満であるので、硬化体シート２０は、加熱時の柔軟性に優れる。   Further, since the ratio of the Shore D hardness at 80 ° C. of the cured body sheet 20 to the Shore D hardness at 25 ° C. of the cured body sheet 20 is less than 1.0, the cured body sheet 20 is excellent in flexibility during heating. .

すると、図３に示すように、半導体素子パッケージ集合体３５における硬化体シート２０は、吸着ステージ３０の吸着面３１に固定されながら、ダイシングソー２５との接触により加熱されても、上記したように、硬化体シート２０が加熱時の柔軟性に優れるので、折れ、ひび割れなどの損傷を抑制することができる。   Then, as shown in FIG. 3, the cured product sheet 20 in the semiconductor element package assembly 35 is fixed to the suction surface 31 of the suction stage 30 and is heated by contact with the dicing saw 25 as described above. Moreover, since the cured body sheet 20 is excellent in flexibility during heating, damage such as bending and cracking can be suppressed.

一方、硬化体シート２０の８０℃におけるショアＤ硬度の、硬化体シート２０の２５℃におけるショアＤ硬度に対する比が、０．５以上であるので、硬化体シート２０は、封止性に優れる。つまり、硬化体シート２０は、加熱時においても、ショア硬度Ｄの低下が少ないので、半導体素子３を確実に封止して、半導体素子３を保護することができる。そのため、信頼性に優れる半導体素子パッケージ５を得ることができる。   On the other hand, since the ratio of the Shore D hardness at 80 ° C. of the cured body sheet 20 to the Shore D hardness at 25 ° C. of the cured body sheet 20 is 0.5 or more, the cured body sheet 20 has excellent sealing properties. That is, the cured body sheet 20 has little decrease in the Shore hardness D even when heated, so that the semiconductor element 3 can be reliably sealed and the semiconductor element 3 can be protected. Therefore, the semiconductor element package 5 having excellent reliability can be obtained.

＜変形例＞
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態および変形例は、適宜組み合わせることができる。 <Modification>
In the following modifications, members and processes similar to those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. Moreover, each modification can have the same operational effects as those of the embodiment, unless otherwise specified. Furthermore, one Embodiment and a modification can be combined suitably.

図３では、複数の半導体素子３を個片化する工程において、硬化体シート２０を、吸着ステージ３０に接触させている。   In FIG. 3, the cured body sheet 20 is brought into contact with the suction stage 30 in the step of dividing the plurality of semiconductor elements 3 into individual pieces.

しかし、図４に示すように、例えば、基板２を吸着ステージ３０に接触させることもできる。複数の半導体素子３を個片化する工程では、基板２の第２対向面９を、吸着ステージ３０の吸着面３１に密着させて、半導体素子パッケージ集合体３５を吸着ステージ３０に固定する。そして、半導体素子パッケージ集合体３５を個片化する。   However, as shown in FIG. 4, for example, the substrate 2 can be brought into contact with the suction stage 30. In the step of dividing the plurality of semiconductor elements 3 into pieces, the second facing surface 9 of the substrate 2 is brought into close contact with the suction surface 31 of the suction stage 30, and the semiconductor element package assembly 35 is fixed to the suction stage 30. Then, the semiconductor element package assembly 35 is separated into pieces.

また、図示しないが、半導体素子封止用シート１により、単数の半導体素子３を封止することもできる。この場合には、単数の半導体素子３を封止した硬化体シート２０を、吸着ステージ３０で固定（密着）しながら、半導体素子３に対応するように、硬化体シート２０および基板２を、ダイシングソー２５などで、外形加工する。   Although not shown, the single semiconductor element 3 can be sealed with the semiconductor element sealing sheet 1. In this case, the cured body sheet 20 and the substrate 2 are diced so as to correspond to the semiconductor element 3 while fixing (adhering) the cured body sheet 20 encapsulating the single semiconductor element 3 with the suction stage 30. The outer shape is processed with a saw 25 or the like.

また、一実施形態では、封止用シートの一例として半導体素子封止用シート１を挙げて、半導体素子３を封止しているが、これに限定されず、例えば、図示しないが、他の電子素子を封止する電子素子封止用シートであってもよい。この場合には、電子素子封止用シートを用いて、電子素子を封止して、電子素子パッケージを製造することができる。   Moreover, in one embodiment, the semiconductor element sealing sheet 1 is cited as an example of the sealing sheet, and the semiconductor element 3 is sealed. However, the present invention is not limited to this. An electronic element sealing sheet that seals the electronic element may be used. In this case, the electronic element package can be manufactured by sealing the electronic element using the electronic element sealing sheet.

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples. In addition, this invention is not limited to an Example and a comparative example at all. In addition, specific numerical values such as a blending ratio (ratio), physical property values, and parameters used in the following description are described in the above-mentioned “Mode for Carrying Out the Invention”, and a blending ratio (ratio corresponding to them). ), Physical property values, parameters, etc., can be replaced with the upper limit (numerical values defined as “below” or “less than”) or lower limit (numerical values defined as “greater than” or “exceeded”).

実施例および比較例で使用した各成分を以下に示す。   Each component used in Examples and Comparative Examples is shown below.

エポキシ樹脂：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（２官能エポキシ樹脂）、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
硬化剤：群栄化学社製のＬＶＲ−８２１０ＤＬ（ノボラック型フェノール樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、水酸基当量：１０４ｇ／ｅｑ．、軟化点：６０℃）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）、エポキシ樹脂硬化促進剤
第１フィラー：デンカ社製のＦＢ−８ＳＭ（球状溶融シリカ粉末（無機フィラー）、平均粒子径１５μｍ）
第２フィラー：アドマテックス社製のＳＣ２２０Ｇ−ＳＭＪ（平均粒径０．５μｍ）を３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の製品名：ＫＢＭ−５０３）で表面処理した無機フィラー。ＳＣ２２０Ｇ−ＳＭＪ １００質量部に対して１質量部のシランカップリング剤で表面処理した無機フィラー。 Epoxy resin: YSLV-80XY manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (bisphenol F type epoxy resin (bifunctional epoxy resin), epoxy equivalent 200 g / eq. Softening point 80 ° C.)
Curing agent: LVR-8210DL (Novolak type phenol resin, epoxy resin curing agent, hydroxyl group equivalent: 104 g / eq., Softening point: 60 ° C.) manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.
Curing accelerator: 2PHZ-PW (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., epoxy resin curing accelerator 1st filler: FB-8SM manufactured by Denka (spherical fused silica powder (inorganic Filler), average particle size 15 μm)
Second filler: An inorganic filler obtained by surface-treating SC220G-SMJ (average particle size 0.5 μm) manufactured by Admatechs Co., Ltd. with 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (product name: KBM-503 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). SC220G-SMJ An inorganic filler surface-treated with 1 part by mass of a silane coupling agent with respect to 100 parts by mass.

熱可塑性樹脂：根上工業社製のＨＭＥ−２００６Ｍ、カルボキシル基含有のアクリル酸エステルコポリマー、重量平均分子量：６０万、固形分濃度２０質量％のメチルエチルケトン溶液
顔料：三菱化学社製の＃２０（カーボンブラック）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
実施例１〜４および比較例１
表１に記載の配合処方に従い、各成分をメチルエチルケトンに溶解および分散させ、ワニスを得た。ワニスの固形分濃度は、８０質量％であった。 Thermoplastic resin: HME-2006M manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., acrylic acid ester copolymer containing carboxyl group, weight average molecular weight: 600,000, methyl ethyl ketone solution having a solid content concentration of 20% by mass Pigment: # 20 (carbon black manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) )
Silane coupling agent: KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Examples 1 to 4 and Comparative Example 1
According to the formulation described in Table 1, each component was dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone to obtain a varnish. The solid content concentration of the varnish was 80% by mass.

ワニスを第１剥離シート１５の表面に塗布した後、１１０℃で、５分間乾燥させた。これにより、厚み２６０μｍの半導体素子封止用シート１を製造した。その後、半導体素子封止用シート１の第１面６に、第２剥離シート１６を配置した。   The varnish was applied to the surface of the first release sheet 15 and then dried at 110 ° C. for 5 minutes. Thus, a semiconductor element sealing sheet 1 having a thickness of 260 μm was manufactured. Thereafter, a second release sheet 16 was disposed on the first surface 6 of the semiconductor element sealing sheet 1.

その後、半導体素子封止用シート１を、１５０℃で、１時間加熱して、硬化体シート２０を調製した。   Thereafter, the semiconductor element sealing sheet 1 was heated at 150 ° C. for 1 hour to prepare a cured body sheet 20.

［物性］
硬化体シート２０について、下記の物性を評価した。その結果を表１に記載する。 [Physical properties]
The following physical properties of the cured product sheet 20 were evaluated. The results are listed in Table 1.

（ショアＤ硬度）
硬化体シート２０を、縦１０ｃｍ、横１０ｃｍに外形加工して、２５℃、および、８０℃のそれぞれにおいて、ＪＩＳ Ｋ ６２５３−３（加硫ゴム及び熱可塑性ゴム−硬さの求め方−第３部：デュロメータ硬さ、２０１２年）に従って、タイプＤデュロメータ硬さを、ショアＤ硬度として算出した。 (Shore D hardness)
The cured body sheet 20 is externally processed to a length of 10 cm and a width of 10 cm, and at 25 ° C. and 80 ° C., JIS K 6253-3 (vulcanized rubber and thermoplastic rubber—how to obtain hardness—third Part: durometer hardness, 2012), type D durometer hardness was calculated as Shore D hardness.

測定装置および測定方法の詳細は、以下の通りである。   Details of the measuring apparatus and measuring method are as follows.

測定装置：デュロメータ（モデル：ＨＤ−１１２０（スプリング式硬度計）、上島製作所社製）
測定方法：１０個のサンプルで１０回測定した値の平均値を、ショアＤ硬度として得る。 Measuring device: Durometer (Model: HD-1120 (spring hardness meter), manufactured by Ueshima Seisakusho)
Measuring method: An average value of values measured 10 times with 10 samples is obtained as Shore D hardness.

（引張貯蔵弾性率Ｅ’およびガラス転移温度Ｔｇ）
硬化体シート２０を、縦０．１ｃｍ、横５ｃｍに外形加工して、２５℃および２６０℃のそれぞれにおける引張貯蔵弾性率Ｅ’を求めた。 (Tensile storage modulus E ′ and glass transition temperature Tg)
The cured body sheet 20 was externally processed to a length of 0.1 cm and a width of 5 cm, and the tensile storage elastic modulus E ′ at 25 ° C. and 260 ° C. was obtained.

併せて、引張損失弾性率Ｅ’’を得、これらからｔａｎδ（＝Ｅ’’／Ｅ’）の曲線を求め、ｔａｎδのピーク値として、ガラス転移温度Ｔｇを求めた。   In addition, a tensile loss elastic modulus E ″ was obtained, a curve of tan δ (= E ″ / E ′) was obtained therefrom, and a glass transition temperature Tg was obtained as a peak value of tan δ.

測定装置および測定条件の詳細は、以下の通りである。   Details of the measurement apparatus and measurement conditions are as follows.

測定装置：固体粘弾性測定装置（形式：ＲＳＡ−Ｇ２、ティー・エイ・インスツルメンツ社製）
モード：引張
走査温度：０〜２６０℃
周波数：１Ｈｚ
歪み：０．０５％
昇温速度：１０℃／分
［硬化体シートの評価］
硬化体シート２０について、下記の試験をして、評価した。 Measuring device: Solid viscoelasticity measuring device (Type: RSA-G2, manufactured by T.A. Instruments)
Mode: Tensile Scanning temperature: 0-260 ° C
Frequency: 1Hz
Distortion: 0.05%
Rate of temperature increase: 10 ° C./min [Evaluation of cured sheet]
The cured body sheet 20 was evaluated by the following test.

（加熱時損傷試験）
硬化体シート２０を、縦１０ｃｍ、横１０ｃｍに外形加工して、これを１００個用意した。 (Damage test during heating)
The cured body sheet 20 was externally processed to a length of 10 cm and a width of 10 cm to prepare 100 pieces.

次いで、大きな吸着ステージ３０に、１００個の硬化体シート２０を整列配置して、これらを８０℃に加熱して、続いて、吸引装置（図示せず）を駆動した。その後、以下の基準で、加熱時の柔軟性を評価した。   Next, 100 cured sheets 20 were aligned on the large adsorption stage 30 and heated to 80 ° C., and then a suction device (not shown) was driven. Thereafter, the flexibility during heating was evaluated according to the following criteria.


◎：１００個全ての硬化体シート２０について、割れ、折れなどの損傷が確認されなかった。
○：１個以上、２個以下の硬化体シート２０について、割れ、折れなどの損傷が確認された。
△：３個以上、５個以下の硬化体シート２０について、割れ、折れなどの損傷が確認された。
×：６個以上の硬化体シート２０について、割れ、折れなどの損傷が確認された。
(Double-circle): About 100 hardening body sheets 20, damage, such as a crack and a crease, was not confirmed.
○: About 1 or more and 2 or less of the cured body sheet 20, damages such as cracks and breakage were confirmed.
(Triangle | delta): About 3 or more and 5 or less hardening body sheets 20, damage, such as a crack and a crease, was confirmed.
X: About 6 or more hardening body sheets 20, damages, such as a crack and a crease, were confirmed.

Figure 2019160869
Figure 2019160869

表１中、特記しない場合には、数値は、配合部数である。   In Table 1, unless otherwise specified, the numerical value is the number of parts.

１ 半導体素子封止用シート（封止用シートの一例）
２０ 硬化体シート
1 Semiconductor element sealing sheet (an example of a sealing sheet)
20 Cured sheet

Claims (5)

熱硬化性成分と、無機フィラーとを含有する封止用シートであり、
前記無機フィラーの前記封止用シートにおける割合が、５０％以上、９５％以下であり、
前記封止用シートの硬化物である硬化体シートの８０℃におけるショアＤ硬度の、前記硬化体シートの２５℃におけるショアＤ硬度に対する比が、０．５以上、１．０未満であることを特徴とする、封止用シート。 A sealing sheet containing a thermosetting component and an inorganic filler,
The ratio of the inorganic filler in the sealing sheet is 50% or more and 95% or less,
The ratio of the Shore D hardness at 80 ° C. of the cured sheet, which is a cured product of the sealing sheet, to the Shore D hardness at 25 ° C. of the cured sheet is 0.5 or more and less than 1.0. A sealing sheet that is characterized. 前記無機フィラーの前記封止用シートにおける割合が、７０％未満であることを特徴とする、請求項１に記載の封止用シート。   The sealing sheet according to claim 1, wherein a ratio of the inorganic filler in the sealing sheet is less than 70%. 前記硬化体シートの２５℃における前記ショアＤ硬度が、５０以上、８０以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止用シート。   The said sheet | seat for sealing of Claim 1 or 2 whose said Shore D hardness in 25 degreeC of the said hardening body sheet is 50 or more and 80 or less. 前記硬化体シートのガラス転移温度Ｔｇが、１００℃以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止用シート。   The glass transition temperature Tg of the said hardening body sheet | seat is 100 degrees C or less, The sheet | seat for sealing as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記硬化体シートの２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’の、前記硬化体シートの２６０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’に対する比が、１０以上、５００以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止用シート。
The ratio of the tensile storage elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured sheet to the tensile storage elastic modulus E ′ at 260 ° C. of the cured sheet is 10 or more and 500 or less. The sheet | seat for sealing as described in any one of -4.
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