JP2019147974A - アルミニウム積層体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上である陽極酸化皮膜を備え、最小直径が５０ｍｍのガイドロールを用いたロールツーロール加工においても当該陽極酸化皮膜層にクラックが生じないアルミニウム積層体を提供する。【解決手段】アルミニウム基材上１に厚さ２〜２０μｍ、Ｒａ１５ｎｍ以下、全体の厚み＋陽極酸化皮膜の厚み×１０≦２３０になるように陽極酸化皮膜２を形成する。封孔処理後の封孔度アドミッタンスＹ値は１００μＳ未満である。【選択図】図１

Description

本発明は、アルミニウム積層体およびその製造方法に関する。

近年、液晶、有機ＥＬ、電子ペーパなどのディスプレイ、薄膜太陽電池、およびタッチパネルなどの急速な進歩に伴い、電子デバイスの薄型化、軽量化、およびフレキシブル化が要求されている。また、上記用途の電子デバイスにも、例えばディスプレイのドット抜け等の異常の発生を防止する観点から、一般的な電子デバイスと同様に、外部から供給される水蒸気や酸素等のガスによる品質低下を抑制するために高いガスバリア性が要求されている。

そこで、電子デバイスを構成する基板について、高いガスバリア性を実現しながら、薄型化、軽量化、およびフレキシブル化が検討されている。基板の薄型化、軽量化、およびフレキシブル化を実現する方法としては、基板を構成する材料を樹脂とすることが検討されている。しかし、例えばプラスチックフィルムなどの樹脂から成る基板は、外部から供給される水蒸気や酸素等のガスを比較的透過しやすい。この場合、高いガスバリア性を実現するためには、樹脂からなる基板上にガスバリア性を有する薄膜が形成される必要がある。そのため、電子デバイスの基板自体がガス透過性の低い材料で構成されてガスバリア性を有しているのが好ましい。

また、上記用途の電子デバイスは可視光を利用するものが多いため、電子デバイスを構成する基板には可視光に対し高い反射率を示す基材が好適である。

また、このような電子デバイスの製造方法として、低コスト化を図る観点から、ロールツーロールプロセスを採用することが望まれている。

このように、高いガスバリア性、および高反射率を有しており、かつ薄型化、軽量化、およびフレキシブル化を図ることができ、さらにロールツーロール加工により製造され得る基板の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。

アルミニウムは、プラスチックフィルムと比べて、高いガスバリア性、および可視光に対する高い反射率を有している。さらに、アルミニウムを箔状にすることで薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能となる。また、アルミニウム箔はロールツーロール加工が可能である。

一方で、上記用途の電子デバイスの基板上には、一般的に、基板と基板上に積層される電極との間の電気的絶縁性を確保するための絶縁層が配置されている。このような絶縁層の絶縁破壊電圧は一般的に０．２ｋＶ以上とされている。アルミニウムの表面には陽極酸化処理により絶縁性を有する陽極酸化皮膜が容易に形成され得る。

そのため、上記用途の電子デバイスの基板には、アルミニウムと、アルミニウム上に積層された陽極酸化皮膜との積層体が好適である。

特開２０１５−１９９９８５号公報（特許文献１）には、Ｆｅ：０．０５質量％〜０．４０質量％、Ｓｉ：０．０２質量％〜０．２０質量％を含有し、残部がアルミニウム及び不可避不純物からなるアルミニウム合金を連続鋳造圧延した後、冷間圧延を行うことにより、表面の粗さ曲線における最大高さ粗さＲｚが０．５０μｍ以下で、表面に存在する円相当径１μｍ以上の金属間化合物が１０００個／ｍｍ２以下のアルミニウム圧延材を製造し、さらに前記アルミニウム圧延材に液温１５℃以下の硫酸水溶液中での陽極酸化処理を施すことを特徴とする陽極酸化皮膜付アルミニウム基板の製造方法が提案されている。

特開２０１５−１９９９８５号公報

上記特許文献１には、アルミニウム基材と、アルミニウム基材の表面に０．１μｍ〜２０μｍの厚さで形成された陽極酸化皮膜との積層体が開示されている。しかし、本発明者らによる検討の結果、上記特許文献１に実施例として記載された厚さが０．３ｍｍであるアルミニウム板に陽極酸化皮膜が積層されたアルミニウム積層体では、十分なフレキシブル性を有していないことが確認された。具体的には、最小直径が５０ｍｍのガイドロールを用いたロールツーロール加工により製造されたアルミニウム積層体の陽極酸化皮膜層には、クラックが確認された。

そこで、本発明の目的は、絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上である陽極酸化皮膜を備え、最小直径が５０ｍｍのガイドロールを用いたロールツーロール加工においても当該陽極酸化皮膜層にクラックが生じないアルミニウム積層体を提供することである。

本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、アルミニウム基材の組成、陽極酸化皮膜の表面平滑性および厚み、ならびにアルミニウム積層体が特定の条件を満たしたとき、陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上であり、かつ最小直径が５０ｍｍのガイドロールを通過しても陽極酸化皮膜層のクラックが生じないアルミニウム積層体が得られることを見出した。なお、最小直径が５０ｍｍ以下の曲げ加工が可能とは、アルミニウム積層体を少なくとも直径が５０ｍｍである円筒の外周面に沿わせて１０秒間保持する加工を施した後に陽極酸化皮膜表面を目視により観察するという曲げ加工試験（以下、単に曲げ加工試験という）において、陽極酸化皮膜表面にクラックが確認されないことを指す。

すなわち、本発明の一実施の形態に係るアルミニウム積層体は、以下の特徴を有する。一実施の形態に従ったアルミニウム積層体は、第１面を有するアルミニウム基材と、第１面に接して形成されており、かつ、第１面と交差する方向において第１面から離れた位置にある第２面を有する第１陽極酸化皮膜とを備える。アルミニウム基材の第１面を含む表層は、純度９９．９質量％以上であるアルミニウムと、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄とを含む。第１陽極酸化皮膜の第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下である。第１陽極酸化皮膜の交差する方向の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下である。アルミニウム積層体の上記交差する方向の全体の厚みの値Ｔ１（単位：μｍ）と、第１陽極酸化皮膜の上記交差する方向の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ）とが、関係式Ｘ＋１０×Ｙ≦２３０を満足する。

上記一実施の形態に係るアルミニウム積層体において、上記陽極酸化皮膜の封孔度アドミッタンスＹ値は、が１００μＳ未満であるのが好ましい。

また、本発明の他の実施の形態に係るアルミニウム積層体は、以下の特徴を有する。他の実施の形態に従ったアルミニウム積層体は、第１面を有するアルミニウム基材と、第１面に接して形成されており、かつ、第１面と交差する方向において第１面から離れた位置にある第２面を有する第１陽極酸化皮膜とを備える。アルミニウム基材の第１面を含む表層は、純度９９．９質量％以上であるアルミニウムと、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄とを含む。第１陽極酸化皮膜の第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下である。第１陽極酸化皮膜の交差する方向の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である。アルミニウム積層体の上記交差する方向の全体の厚みの値Ｔ１（単位：μｍ）と、第１陽極酸化皮膜の上記交差する方向の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ）とが、関係式Ｘ＋１０×Ｙ≦２３０を満足する。さらに、陽極酸化皮膜の封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ未満である。

本発明者らは、上記２つの実施の形態に係るアルミニウム積層体の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上であることを確認した。さらに、本発明者らは、上記２つの実施の形態に係るアルミニウム積層体が可視光に対し高い反射特性を有していることを確認した。

上記アルミニウム積層体において、陽極酸化皮膜は好ましくは硫酸陽極酸化皮膜である。

上記アルミニウム積層体を製造する方法は、第１面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であるアルミニウム基材を準備する工程と、アルミニウム基材の第１面上に、硫酸を含む電解液を用いて、交差する方向の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である第１陽極酸化皮膜を形成する工程とを備える。

本発明によれば、絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上である陽極酸化皮膜を備え、最小直径が５０ｍｍのガイドロールを用いたロールツーロール加工においても当該陽極酸化皮膜層にクラックが生じないアルミニウム積層体を提供することができる。

本実施の形態に係るアルミニウム積層体を示す概略断面図である。 本実施の形態に係るアルミニウム積層体の製造方法を示すフローチャートである。 本実施の形態に係るアルミニウム積層体の変形例を示す概略断面図である。 本実施の形態に係るアルミニウム積層体の製造方法の変形例を示すフローチャートである。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
［アルミニウム積層体の構成］
図１に示されるように、本実施の形態に係るアルミニウム積層体１０は、アルミニウム基材１と、第１陽極酸化皮膜２とを備える。

アルミニウム基材１は、第１面１Ａ、および第１面１Ａと反対側に位置する第３面１Ｂを有している。アルミニウム基材１を構成する材料は、アルミニウム（Ａｌ）を含む。アルミニウム基材１は、例えばアルミニウム箔である。

アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層は、アルミニウム純度が９９．９質量％以上である。

アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層は、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄（Ｆｅ）を含む。鉄の含有量が０．００１質量％未満であると、アルミニウム基材１の強度が低下する。一方で、鉄はアルミニウムへの固溶度が小さいため、アルミニウムの鋳造時にＦｅＡｌ_３等の金属間化合物が晶出しやすくなる。これらの晶出物は、アルミニウム素地よりも可視光領域の反射率が低く、アルミニウム基材としての光沢度および可視光反射率を低下させる原因になる。また、ＦｅＡｌ_３等の金属間化合物が存在すると、陽極酸化皮膜が不均一となり、陽極酸化皮膜の透明性が著しく悪くなり反射率が低下するだけでなく、陽極酸化皮膜の硬度も低下し、さらに陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧も低下する。このため、鉄の含有量は０．０２質量％以下にする必要がある。

アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層は、例えば０．００１質量％以上０．０９質量％以下のシリコン（Ｓｉ）を含んでいてもよい。シリコンはアルミニウムへの固溶度が大きく晶出物を形成し難いため、晶出物を生成させない程度の含有量であれば可視光領域の反射率を低下させることがない。また、シリコンが０．００１質量％以上固溶されたアルミニウム基材１の機械的強度は、シリコンが固溶されていないアルミニウム基材１の機械的強度と比べて、固溶強化によって向上されている。そのため、例えばシリコンが０．００１質量％以上固溶されたアルミニウム基材１は、シリコンが固溶されていないアルミニウム基材１と同等の機械的強度を維持しながらもより厚みの薄い箔の圧延も容易にすることができる。一方で、アルミニウム基材１が０．０９質量％よりも多いシリコンを含む場合、第１陽極酸化皮膜２の厚みを厚くすると第１陽極酸化皮膜２の透明性が低下し反射率が低下する。さらに、第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの硬度も低下する。そのため、シリコンの含有量は０．０９質量％以下にする必要がある。

アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層におけるＡｌ、Ｆｅ、およびＳｉ以外の残部は、不純物からなる。該不純物は、例えば不可避不純物であるが、不可避不純物の他に、光沢度、可視光の全反射率に大きく影響しない微量の不純物を含んでいてもよい。上記不純物は、例えば銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、およびビスマス（Ｂｉ）等からなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む。各不純物元素は、個々の含有量が０．０１質量％以下である。

アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む上記表層は、第１面１Ａと交差する方向（深さ方向）において第１面１Ａから５μｍまでの領域である。好ましくは、第１面１Ａの表面粗さＲａは、１５ｎｍ以下である。アルミニウム基材１の第１面１Ａをこのように小さな表面粗さＲａとする方法としては、物理的な研磨、電解研磨、化学研磨等の研磨加工、あるいは、表面が鏡面状態である圧延ロールを用いた冷間圧延等がある。

上記表層以外のアルミニウム基材１の他の部分の組成は特に制限されるものではなく、アルミニウム基材１は例えばクラッド材として構成されていてもよい。

第１陽極酸化皮膜２は、第１面１Ａに接して形成されている。第１陽極酸化皮膜２は、第１面１Ａに接している面と、第１面１Ａと交差する方向において第１面１Ａから離れた位置にある第２面２Ａとを有している。第１陽極酸化皮膜２は、アルミニウム基材１の第１面１Ａに対する陽極酸化処理により形成されている。陽極酸化処理は、公知の陽極酸化処理方法であればよく、例えば硫酸、ホウ酸、シュウ酸、およびリン酸の少なくともいずれかを含む電解液を用いた陽極酸化処理である。好ましくは、第１陽極酸化皮膜２は、硫酸を含む電解液を用いた陽極酸化処理により形成されている。すなわち、好ましくは、第１陽極酸化皮膜２は硫酸陽極酸化皮膜である。第１陽極酸化皮膜２は、封孔処理されている。好ましくは、第１陽極酸化皮膜２は透明である。

第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みは、２μｍ以上２０μｍ以下である。第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みは、第１陽極酸化皮膜２において第１面１Ａと接している面と第２面２Ａとの間の距離である。

第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みが２μｍよりも小さい場合、陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧を０．２ｋＶ以上とすることは困難である。一方、第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みが２０μｍよりも大きい場合、上記曲げ加工試験において第１陽極酸化皮膜２の表面にクラックが生じやすくなる。

本発明者らは、後述する実施例に示されるように、上記交差する方向の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下である第１陽極酸化皮膜２は、その封孔度によらず高い絶縁性を有しており、かつ上記曲げ加工試験においてもクラックの発生が抑制されていることを確認した。

さらに、本発明者らは、第１陽極酸化皮膜２の絶縁破壊電圧が第１陽極酸化皮膜２の封孔度アドミッタンスＹ値に応じて変化すること、特に第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みが２μｍ以上３μｍ以下である場合には、絶縁破壊電圧を０．２ｋＶ以上とするには封孔度アドミッタンスＹ値を一定値未満とすべきことを確認した。

具体的には、上記交差する方向の厚みが２μｍ以上３μｍ以下であって、封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ未満である第１陽極酸化皮膜２の絶縁破壊電圧は、０．２ｋＶ以上であった。一方、上記交差する方向の厚みが２μｍ以上３μｍ以下であって、封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ以上である第１陽極酸化皮膜２の絶縁破壊電圧は、０．２ｋＶ未満であった。

第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａは、２０ｎｍ以下である。アルミニウム積層体１０に入射した光の一部は第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａで反射し、残部は第２面２Ａで屈折しアルミニウム基材１の第１面１Ａに到達する。第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａが１５ｎｍを超える場合には、第２面２Ａで反射した光または第２面２Ａで屈折した光が拡散することにより、第２面２Ａの光沢度および全反射率が低下する。第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であれば、第２面２Ａで反射した光または第２面２Ａで屈折した光の拡散を抑制でき、第２面２Ａは高い光沢度および高い全反射率を有している。なお、第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａはＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１年版）およびＩＳＯ４２８７（１９９７年版）で定義されている算術平均粗さＲａを、面に対して適用できるように三次元に拡張して算出された値である。

第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａを上記数値範囲とするために、アルミニウム基材１の第１面１Ａの表面粗さＲａが小さくされているのが好ましい。好ましくは、上述のように、アルミニウム基材１の第１面１Ａの表面粗さＲａが１５ｎｍ以下である。

アルミニウム積層体１０の上記交差する方向の全体の厚みの値Ｔ１（単位：μｍ、図１参照）と、第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ、図１参照）とが、関係式Ｘ＋１０×Ｙ≦２３０を満足する。本発明者らは、上記関係式を満足しない、Ｘ＋１０×Ｙが２３０を超えるアルミニウム積層体は、最小直径を５０ｍｍ以下とする上記曲げ加工試験が施された場合に、陽極酸化皮膜にクラックが生じることを確認した。一方で、本発明者らは、上述した特徴を備え、かつ上記関係式を満たすアルミニウム積層体は、上記曲げ加工試験が施された場合にも、クラックの発生が抑制されていることを見出した。

具体的には、本発明者らは、高い電気的絶縁性、高い全反射率、および高い曲げ加工性を有するアルミニウム積層体について鋭意検討した。その結果、アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層が、純度９９．９質量％以上であるアルミニウムと、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄とを含み、第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であり、第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下であるアルミニウム積層体が、高い電気的絶縁性および高い全反射率を有することを確認した。さらに、本発明者らは、このようなアルミニウム積層体の曲げ加工性、すなわち曲げ加工が施されたときのクラックの発生し難さが、アルミニウム積層体の全体の厚みの値Ｔ１および第１陽極酸化皮膜２の厚みの値Ｔ２と相関することを見出した（詳細は、実施例に後述する）。

アルミニウム積層体１０の上記Ｔ１および上記Ｔ２は、第１陽極酸化皮膜２の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下であって、かつ上記関係式Ｔ１＋１０×Ｔ２≦２３０を満足する限りにおいて任意に設定され得る。アルミニウム積層体１０は、曲げ加工性を向上させる観点から言えば、好ましくはＴ１＋１０×Ｔ２≦２００を満足し、より好ましくはＴ１＋１０×Ｔ２≦１５０を満足し、より好ましくはＴ１＋１０×Ｔ２≦１００を満足する。

アルミニウム積層体１０の上記Ｔ１＋１０×Ｔ２の下限値は、少なくとも第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みＴ２を２μｍ以上とすることができるように、設定されていればよい。上記Ｔ１＋１０×Ｔ２の下限値は、例えば、５０であってもよい。

なお、図１に示されるアルミニウム積層体１０では、アルミニウム基材１の上記交差する方向の厚みの値をＴ３（単位：μｍ）とすると、上記値Ｔ１は、アルミニウム基材１の厚みの値Ｔ３と第１陽極酸化皮膜２の厚みの値Ｔ２との和として表される。図１に示されるアルミニウム積層体１０は、関係式Ｔ３＋１１×Ｔ２≦２３０を満足する。

＜アルミニウム積層体の製造方法＞
次に、本実施の形態に係るアルミニウム積層体の製造方法の一例について説明する。図２に示されるように、本実施の形態に係るアルミニウム積層体の製造方法は、鋳塊を準備する工程（Ｓ１０）、鋳塊に均質化処理を行う工程（Ｓ２０）、鋳塊を熱間圧延する工程（Ｓ３０）、熱間圧延により得られた熱延材を冷間圧延する工程（Ｓ４０）、冷間圧延により得られた冷延材を最終仕上げとして冷間圧延（以下、最終仕上げ冷間圧延という）してアルミニウム基材を形成する工程（Ｓ５０）、および陽極酸化皮膜を形成する工程（Ｓ６０）を備える。

まず、鋳塊を準備する（工程（Ｓ１０））。具体的には、所定の組成のアルミニウムの溶湯を調製し、アルミニウムの溶湯を凝固させることにより鋳塊を鋳造（例えば半連続鋳造）する。溶湯中のＦｅ、Ｍｎ、Ｓｉなどの金属元素の含有量は、アルミニウム基材１の上記表層におけるアルミニウム純度が９９．９質量％以上となるように制御されている。溶湯中のＦｅの含有量は、アルミニウム基材１の上記表層におけるＦｅの含有量が０．００１質量％以上０．０２質量％以下となるように制御されている。好ましくは、溶湯中のＦｅの含有量は、アルミニウム基材１の上記表層におけるＦｅの含有量が０．００１質量％以上０．０２質量％以下となるように制御されている。

次に、得られた鋳塊に均質化熱処理を行う（工程（Ｓ２０））。均質化熱処理は、一般的な操業条件の範囲内であればよいが、例えば加熱温度を４００℃以上６３０℃以下、加熱時間を１時間以上２０時間以下とする条件で行われる。

次に、鋳塊を熱間圧延する（工程（Ｓ３０））。本工程により、所定の厚みＷ１を有する熱延材が得られる。熱間圧延は、１回または複数回行われてもよい。なお、連続鋳造によって薄板のアルミニウム鋳塊を製造する場合には、当該薄板状の鋳塊は本工程を介さずに冷間圧延されてもよい。

次に、熱間圧延により得られた熱延材を冷間圧延する（工程（Ｓ４０））。本工程により、所定の厚みＷ２を有する冷延材（最終仕上げ冷間圧延工程（Ｓ５０）における被圧延材）が得られる。本工程において、冷間圧延はたとえば中間焼鈍工程を挟んで複数回行われる。たとえば、まず熱延材に対し第１冷間圧延工程（Ｓ４０Ａ）を実施して熱延材の厚みＷ１よりも薄く冷延材の厚みＷ２よりも厚い圧延材を形成する。次に、得られた圧延材に対し中間焼鈍工程（Ｓ４０Ｂ）を施す。中間焼鈍は、一般的な操業条件の範囲内であればよいが、例えば焼鈍温度を５０℃以上５００℃以下、焼鈍時間を１秒以上２０時間以下とする条件で行われる。次に、焼鈍後の圧延材に対し第２冷間圧延工程（Ｓ４０Ｃ）を実施して厚みＷ２の冷延材を形成する。

次に、冷延材を最終仕上げ冷間圧延する（工程（Ｓ５０））。本工程では、圧延ロールを用いて被圧延材を最終仕上げ冷間圧延する。圧延ロールは被圧延材と接触して圧延するロール面を有している。被圧延材を挟んで配置される一対の圧延ロールのうち、少なくとも一方の圧延ロールのロール面の表面粗さＲａが５０ｎｍ以下であることが好ましい。表面粗さが５０ｎｍより大きい圧延ロールを用いて被圧延材を圧延すると、得られるアルミニウム基材は第１面の表面粗さＲaは２０ｎｍ以上となる。本工程で使用する圧延ロールの表面粗さＲａは、できるだけ小さいことが好ましく、より好ましくは４０ｎｍ以下である。このようにして、アルミニウム基材１が準備される。

次に、得られたアルミニウム基材１の第１面１Ａ上に第１陽極酸化皮膜２が形成される（工程（Ｓ６０））。本工程（Ｓ６０）は一般的に公知となっている陽極酸化処理方法により実施され得る。陽極酸化処理は、例えば硫酸浴、ホウ酸浴、シュウ酸浴、およびリン酸浴からなる群から選択される少なくとも１つを電解液とし、これにアルミニウム基材１を浸漬させて陽極とし、該電解液中に浸漬させた他の電極を陰極とし、これらの間を通電することにより行われる。陽極酸化処理方法の各条件は、第１陽極酸化皮膜２の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下、第２面２Ａの表面粗さＲａが１５ｎｍ以下となるように、適宜選択される。好ましくは、硫酸浴が電解液に用いられる。このようにして、図１に示される本実施の形態に係るアルミニウム積層体１０を得ることができる。

＜変形例＞
アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層は、Ｓｉを含んでいなくてもよい。上述のように、Ｓｉはアルミニウム基材１の機械的強度の向上に寄与するが、厚み等他のパラメータによって要求される機械的強度を確保し得る場合には、アルミニウム基材１はＳｉを含有していなくてもよい。この場合、アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層におけるＡｌおよびＦｅ以外の残部を構成する上記不純物の含有量の合計は、０．１０質量％以下であればよい。

図３に示されるように、アルミニウム積層体１１は、アルミニウム基材１の上記第３面１Ｂに接するように設けられている第２陽極酸化皮膜３をさらに備えていてもよい。第２陽極酸化皮膜３は、上記交差する方向において、第３面１Ｂから離れた位置にある第４面３Ｂを有している。つまり、アルミニウム積層体１１は、アルミニウム基材１と、アルミニウム基材１を挟むように設けられた第１陽極酸化皮膜２および第２陽極酸化皮膜３を備えている。

図３に示されるアルミニウム積層体１１では、上記全体の厚みの値Ｔ１は、アルミニウム基材１の厚みの値Ｔ３（単位：μｍ）、第１陽極酸化皮膜２の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ）、および第２陽極酸化皮膜３の上記交差する方向の厚みの値Ｔ４（単位：μｍ）との和として表される。第２陽極酸化皮膜３の厚み、第１陽極酸化皮膜２の厚み以下である。第２陽極酸化皮膜３の厚みは、２μｍ以上２０μｍ以下である。

アルミニウム積層体１１は、関係式Ｔ１＋１０×Ｔ２≦２３０を満足する。すなわち、アルミニウム積層体１１は、関係式Ｔ１＋１０×Ｔ４≦Ｔ１＋１０×Ｔ２≦２３０を満足する。上記関係式を満足するアルミニウム積層体１１は、実施の形態１に係るアルミニウム積層体１０と同様の効果を奏することができ、高い曲げ加工性を有している。好ましくは、アルミニウム積層体１１は、関係式Ｔ１＋１０×（Ｔ２＋Ｔ４）≦２３０を満足する。

アルミニウム積層体１１において、アルミニウム基材１の第３面１Ｂを含む表層は、第１面１Ａを含む表層と同様に、アルミニウム純度が９９．９質量％以上であり、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄を含む。このようなアルミニウム基材１は、上述したアルミニウム積層体１０の製造方法の上記工程（Ｓ１０）〜（Ｓ５０）と同様の方法により準備され得る。

アルミニウム積層体１１において、第２陽極酸化皮膜３は、上記第１陽極酸化皮膜２と同様に、第４面３Ｂの表面粗さＲａが１５ｎｍ以下である。このような第２陽極酸化皮膜３は、上述したアルミニウム積層体１０の製造方法の上記工程（Ｓ６０）と同様の方法により形成され得る。このようなアルミニウム積層体１１では、第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａおよび第２陽極酸化皮膜３の第４面３Ｂが、高い光沢度および高い全反射率を有する。

上記アルミニウム積層体１１において、アルミニウム基材１の第３面１Ｂを含む表層の組成は、第１面１Ａを含む表層の組成と異なっていてもよいが、好ましくは同じである。アルミニウム基材１は、例えばクラッド材の様に、第１面１Ａを含む表層および第３面１Ｂを含む表層の各組成と、これらに挟まれている中間層の組成とが異なっていてもよい。

図４に示されるように、上記アルミニウム積層体の製造方法において、上記工程（Ｓ５０）の後であって上記工程（Ｓ６０）の前に、最終仕上げ冷間圧延により得られたアルミニウム基材を研磨加工する工程（Ｓ７０）が実施されてもよい。本工程（Ｓ７０）では、上記アルミニウム基材において第１面１Ａとなるべき表面が研磨加工され、第１面１Ａを有するアルミニウム基材１が形成される。上記アルミニウム積層体１１の製造方法においては、第１面１Ａとなるべき表面および第３面１Ｂとなるべき表面が研磨加工され、第１面１Ａおよび第３面１Ｂを有するアルミニウム基材１が形成される。研磨加工方法は、物理的な研磨、電解研磨、および化学研磨等のうちから選択され得るが、これに限られるものではない。

上記アルミニウム積層体の製造方法において、上記工程（Ｓ５０）の後であって上記工程（Ｓ６０）の前に、最終仕上げ冷間圧延により得られたアルミニウム基材を所定の形に成形する工程が実施されてもよい。もしくは上記工程（Ｓ６０）の後に、工程（Ｓ６０）により得られた上記アルミニウム積層体１０，１１を成型する工程が実施されてもよい。また、上記工程（Ｓ６０）の後に、アルミニウム積層体１０の少なくとも１つの面上に、例えばアルミニウム基材１の第３面１Ｂ上に、皮膜を形成する工程が実施されてもよい。該皮膜を構成する材料は、樹脂、金属、およびセラミックス等からなる群から選択される少なくとも１つである。上記皮膜は例えば接着層であり、上記皮膜を形成する工程の後に、該皮膜を介してアルミニウム積層体１０，１１を他の部材または壁等に接着させる工程が実施されてもよい。また、上記工程（Ｓ６０）の後に、工程（Ｓ６０）により得られた上記アルミニウム積層体１０，１１の第１陽極酸化皮膜２および第２陽極酸化皮膜３の少なくともいずれかのポーラス部に、着色処理および封孔処理を施してもよいし、封孔処理のみを施してもよい。なお、着色処理は、任意の方法であればよいが、例えば染料や顔料を吸着させる方法であってもよいし、二次電解着色法であってもよい。

以下に説明するように本実施の形態の実施例と比較例のアルミニウム積層体の試料を作製し、それらの光沢度、全反射率、曲げ加工性および絶縁破壊電圧を評価した。

まず、表１および表２に示されるアルミニウム純度およびＦｅの含有量が異なるアルミニウムを用いて、以下に示す製造工程に従って、実施例および比較例のアルミニウム基材を作製した。

ＤＣ鋳造によって得られたアルミニウムの鋳塊を加熱炉にて均質化熱処理を行った。その後、厚みが約６．５ｍｍになるまで熱間圧延を行った。得られた熱間圧延材に対し、厚みが所定の値になるまで、複数回の冷間圧延を行った。複数回の冷間圧延は中間焼鈍を挟んで実施し、表１および表２に示す厚みのアルミニウム基材を作製した。

この際、実施例１〜１０および比較例１〜９，１２〜１８については、最終仕上げ冷間圧延において表面粗さＲａが４０ｎｍの圧延ロールを使用して圧延を行った。比較例１０，１１については、最終仕上げ冷間圧延において面粗さＲａが５０ｎｍの圧延ロールを使用して圧延を行った。比較例１９〜２１については、最終仕上げ冷間圧延において表面粗さＲａが１５０ｎｍの圧延ロールを使用して圧延を行った。

なお、各試料に対し、均質化熱処理は、加熱温度を４００℃以上６３０℃以下、加熱時間を１時間以上２０時間以下とする条件で行った。各試料に対し、中間焼鈍は、例えば焼鈍温度を５０℃以上５００℃以下、焼鈍時間を１秒以上２０時間以下とする条件で行った。各実施例のアルミニウム基材の第１面の表面粗さＲａは１５ｎｍ以下であった。

上記のようにして得られたアルミニウム基材に対し、陽極酸化処理を行った。電解液は、１５体積％の硫酸を含み浴温度２１℃の水溶液とした。各試料を当該電解液に浸漬させて陽極とし、これと陰極との間に電流密度１３０ｍＡ／ｍ²の電流を所定時間流し、陽極酸化処理を行った。各試料の陽極酸化処理時間は、所定の厚みの陽極酸化被覆層が得られる時間とした。つまり、各試料に対する陽極酸化処理条件は、陽極酸化処理時間以外は同等とした。

さらに、全試料に対し、封孔処理を行った。実施例２〜１０、及び比較例２、４〜２１の封孔処理は、陽極酸化皮膜が形成されている各試料を、濃度５ｇ／Ｌの酢酸ニッケルと濃度５ｇ／Ｌの硼酸とを含み浴温度９０℃の水溶液中に２０分浸漬させ、次いで温度９８℃の純水中に２０分浸漬させることにより行った。実施例１及び比較例１、３の封孔処理は、温度６６℃の純水中に５分浸漬させることにより行った。

このようにして作成された各試料を、以下の評価方法により評価した。評価結果は表１〜表４に示される。

＜評価方法＞
得られた陽極酸化皮膜の厚みは、株式会社バイテック製Ｆｉｌｍｅｔｒｉｃｓ Ｆ２０を用い、以下のような測定方法により行った。アルミニウム積層体の上記第３面に可視光を照射したときに得られた反射光から、４００ｎｍから１１００ｎｍまでの波長範囲での反射率スペクトラムを得た。得られた反射率スペクトラムと、干渉部分の谷もしくは山部分が理論上のスペクトラムと同じ波長になるようフィッティングを行い、膜厚を導出した。

絶縁破壊電圧はヤマヨ試験器有限会社製の絶縁破壊試験装置ＹＳＴ−２４３−３０ＲＯを用いて測定した。５０ｍｍ×５０ｍｍに切った試験片の２Ａ面から通電させてゆき、１Ｂ面に電流５ｍＡ以上が流れた時点を絶縁破壊電圧とした。なお、電圧は５０Ｖ／秒のスピードで上昇させた。

封孔度アドミッタンスＹ値は、ＪＩＳ Ｈ ８６８３（２０１３年版）に基づいて測定した。封孔度アドミッタンスＹ値は、フィッシャー・インストルメンツ製ＡＮＯＴＥＳＴＹＭＰ３０−Ｓを用いて、測定面積を２８．２６ｍｍ^２としたときのアドミッタンスを測定した。

原子間力顕微鏡による表面凹凸の観察は、株式会社日立ハイテクサイエンス製の走査型プローブ顕微鏡ＡＦＭ５０００ＩＩを用いて、ダイナミックフォースモード方式（非接触）による表面形状を８０μｍ×８０μｍの矩形の視野で行った。得られた観察結果に対して、最小二乗近似によって曲面を求めてフィッティングを行う３次曲面自動傾き補正で試料の傾きを補正し、表面粗さＲａを測定した。表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１年版）およびＩＳＯ４２８７（１９９７年版）で定義されている算術平均粗さＲａを、観察された表面全体に対して適用できるように三次元に拡張して算出された値である。

光沢度の測定は、日本電色工業株式会社製Ｇｌｏｓｓ ｍｅｔｅｒ ＶＧ７０００を用い、光入射角６０°で光沢度を測定した。光沢度の測定は圧延方向（ＲＤ）と圧延方向に対して垂直な方向（ＴＤ）との二つの方向で測定し、それぞれの方向の値を評価した。光沢度が高いほど金属光沢感が得られている。

全反射率の測定は、日本分光株式会社製紫外可視分光光度計Ｖ５７０を用い、Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ社製積分球用標準白板スペクトラロンをリファレンスとして積分球での全反射率を波長域２５０ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲で測定した。得られた全反射率測定値から、波長域４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視光の平均値を求めた。全反射率の測定は圧延方向（ＲＤ）と圧延方向に対して垂直な方向（ＴＤ）との二つの方向で測定し、これらの平均値として全反射率を評価した。

曲げ加工性は、上述した曲げ加工が施された各試料に対し、各陽極酸化皮膜のクラックの有無を観察することにより、評価した。

具体的には、まず、各実施例及び比較例の試験片を圧延方向（ＲＤ）１００ｍｍ、圧延方向に対して垂直な方向（ＴＤ）に１５ｍｍ切り出した。さらに、段階的に異なる直径を有する複数の円筒を準備した。次に、切り出された各小片を、直径が最も長い円筒の外周面に沿わせ、かつ１０秒間保持した。次に、このような曲げ加工後の陽極酸化皮膜表面を目視観察した。目視観察において陽極酸化皮膜にクラックが確認されなかったものは、先に用いた円筒よりも直径が短い円筒の外周面に沿わせ、１０秒間保持した後の陽極酸化皮膜表面を目視観察した。このように、陽極酸化皮膜にクラックが確認されなかったものについては、段階的に直径がより短い円筒を用いて上記曲げ加工および上記評価を実施した。表３，４中の最小直径は、各試験片について、陽極酸化皮膜にクラックが確認されなかった上記曲げ加工に用いられた円筒の直径の最小値（単位：ｍｍ）を示す。

＜評価結果＞

実施例１〜１０は、アルミニウム純度が９９．９質量％以上であり、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄を含むアルミニウム基材と、第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であって、厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である陽極酸化皮膜とを備え、かつ上記関係式を満足する。実施例１〜１０の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ以上であった。陽極酸化皮膜の厚みが２μｍ以上９μｍ未満である実施例１〜６、８においても、絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ以上であった。

これに対し、比較例２，６，７は、上述した５つのパラメータ、すなわちアルミニウム基材のアルミニウム純度および鉄の含有量、陽極酸化皮膜の表面粗さおよび厚み、ならびに上記関係式に関し、陽極酸化皮膜の厚みが２μｍ未満である点でのみ実施例１〜１０とは異なるものである。比較例２，６，７の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ未満であった。

また、比較例１４，１５は、上述した５つのパラメータに関し、アルミニウム基材の鉄の含有量が０．０２質量％超えである点でのみ実施例１〜１０とは異なるものである。アルミニウム積層体である。比較例１４，１５の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ未満であった。

また、比較例１９は、上述した５つのパラメータに関し、第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ超えである点でのみ実施例１〜１０とは異なるものである。比較例１９の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ未満であった。

また、実施例１の陽極酸化皮膜は、上記厚みが４．７μｍであって、封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ超えである。実施例２，４，５，１０の陽極酸化皮膜は、上記厚みが２μｍ以上３μｍ以下であって、封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ未満である。これに対し、比較例１，３は、上述した５つのパラメータに関しては実施例１〜１０と同等であるが、封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ超えである点でのみ実施例２〜１０と異なるものである。特に、実施例４と比較例３とは、陽極酸化皮膜の封孔度のみが異なるものであり、実施例４は、比較例３よりも封孔度アドミッタンスＹ値が低い、すなわち封孔度が高いものである。実施例１〜１０の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は上述のように０．２ｋＶ以上であったのに対し、比較例１，３，１８の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ未満であった。

以上の結果から、上記アルミニウム基材上の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は陽極酸化皮膜の封孔度よりも陽極酸化皮膜の厚みおよびアルミニウム基材の鉄の含有量に依存し、絶縁破壊電圧を０．２ｋＶ以上とするには陽極酸化皮膜の厚みの下限値を２μｍとし、かつアルミニウム基材の鉄の含有量の下限値を０．０２質量％とすべきことが確認された。

また、陽極酸化皮膜の厚みが２μｍ以上３μｍ以下と比較的薄い場合には、上記アルミニウム基材上の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は封孔度に依存し、絶縁破壊電圧を０．２ｋＶ以上とするには封孔度アドミッタンスＹ値の上限値を１００μＳとすべきことが確認された。

さらに、本発明者らは、実施例１〜１０および比較例１〜２１の各試料について、曲げ加工試験において陽極酸化皮膜にクラックが確認されなかった上記曲げ加工に用いられた円筒の直径の最短値（単位：ｍｍ）が、アルミニウム基材および陽極酸化皮膜の上記交差する方向の全体の厚みの値をＴ１、陽極酸化皮膜の上記交差する方向の厚みの値をＴ２としたときの値Ｔ１＋１０×Ｔ２と相関することを見出した。相関係数Ｒ²は０．９２超であった。上記関係式を満足する実施例１〜１０は、少なくとも直径が５０ｍｍである円筒の外周面に沿って曲げ加工されても、その第１陽極酸化皮膜２にクラックが確認されなかった。さらに、上記値Ｔ１が９μｍ未満であって上記値Ｔ１＋１０×Ｔ２が１５０以下である実施例１〜６，８は、直径が３２ｍｍである円筒の外周面に沿って曲げ加工されても、その第１陽極酸化皮膜２にクラックが確認されなかった。さらに、上記値Ｔ１＋１０×Ｔ２が１００以下である実施例６，８は、直径が１６ｍｍである円筒の外周面に沿って曲げ加工されても、その第１陽極酸化皮膜２にクラックが確認されなかった。

一方、上記関係式を満足しない比較例４，５，８，９，１１〜１３，１５，２１は、直径が５０ｍｍ以上である円筒の外周面に沿って曲げ加工されたときに、陽極酸化皮膜にクラックが確認された。

本発明者らは、陽極酸化皮膜の厚みＴ２が２μｍ以上と比較的厚いアルミニウム積層体であっても、上記関係式を満足している限りにおいて高い曲げ加工性が実現されることを確認した。

例えば実施例６の陽極酸化皮膜の厚みは、比較例８，９と同等であるが、比較例８，９と比べてアルミニウム基材の厚みが１００μｍ以上薄い。上記関係式を満足する実施例６は、曲げ加工試験において最小直径が２５ｍｍである円筒の外周に巻き回したときにもクラックが確認されなかった。一方、上記関係式を満足しない比較例８，９は、曲げ加工試験において直径が５０ｍｍである円筒の外周に巻き回したときにクラックが確認された。

本発明者らは、上記関係式中の左辺Ｔ１＋１０×Ｔ２の係数１および１０は、アルミニウム基材および陽極酸化皮膜の曲げ加工性に対する影響度の違いに関係していると考えている。陽極酸化皮膜は、アルミニウム基材と比べて延性が低い。そのため、陽極酸化皮膜は、アルミニウム基材と比べて、曲げ加工性に対する影響度が高いと考えられる。例えば、アルミニウム積層体の厚みが数十μｍ増減された場合であって、その増減がアルミニウム基材の厚みの増減に起因する場合には、その増減によっては曲げ加工性は大きく変わらない。これに対し、アルミニウム積層体の厚みが数十μｍ増減された場合であって、その増減が陽極酸化皮膜の厚みの増減に起因する場合には、その増減によっては曲げ加工性は大きく変わる。このことは、本評価結果に表されている。

さらに、実施例１〜１０は、光沢度がＲＤ方向およびＴＤ方向において６３％以上、可視光全反射率が８３％以上であり、高い光沢度および高い全反射率を有していた。これに対し、比較例１０，１１，１６，１７，１９〜２１は、少なくとも光沢度および可視光全反射率のいずれかが上記数値範囲を満たしていなかった。

アルミニウム基材のアルミニウム純度が９９．９質量％より低く、かつアルミニウム基材のＦｅの含有量が０．０５２質量％より多い比較例１６，１７は、陽極酸化皮膜の表面粗さＲａが１５ｎｍ超えであって、光沢度が６３％未満、可視光全反射率が８３％未満であり、高い光沢度および高い全反射率を有していなかった。さらに、陽極酸化皮膜の厚みが１μｍ未満である比較例６は、可視光全反射率が８３％未満であり、高い全反射率を有していなかった。さらに、陽極酸化皮膜の表面粗さＲａが１５ｎｍ超えである比較例１０，１１，１９〜２１は、光沢度が６３％未満、可視光全反射率が８３％未満であり、高い光沢度および高い全反射率を有していなかった。

以上の結果より、本実施の形態によって、高い電気的絶縁性および高い曲げ加工性を有するとともに、高い光沢度および高い全反射率を有するアルミニウム積層体を提供できることが確認された。本実施の形態に係るアルミニウム積層体は、液晶、有機ＥＬ、電子ペーパなどのディスプレイ、薄膜太陽電池、およびタッチパネルを構成する電子デバイスの基板に特に好適である。

今回開示された実施の形態と実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は以上の実施の形態と実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正と変形を含むものであることが意図される。

１ アルミニウム基材、１Ａ 第１面、１Ｂ 第３面、２ 第１陽極酸化皮膜、２Ａ 第２面、３ 第２陽極酸化皮膜、３Ｂ 第４面、４ 基板、１０，１１ アルミニウム積層体。

Claims (6)

1. 第１面を有するアルミニウム基材と、
   前記第１面に接して形成されており、かつ、前記第１面と交差する方向において前記第１面から離れた位置にある第２面を有する第１陽極酸化皮膜とを備え、
   前記アルミニウム基材の前記第１面を含む表層は、純度９９．９質量％以上であるアルミニウムと、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄とを含み、
   前記第１陽極酸化皮膜の前記第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であり、
   前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下であり、
   前記アルミニウム基材および前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みの合計値Ｔ１（単位：μｍ）と前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ）との関係がＴ１＋１０×Ｔ２≦２３０であり、
   前記第１陽極酸化皮膜の封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ未満である、アルミニウム積層体。
2. 第１面を有するアルミニウム基材と、
   前記第１面に接して形成されており、かつ、前記第１面と交差する方向において前記第１面から離れた位置にある第２面を有する第１陽極酸化皮膜とを備え、
   前記アルミニウム基材の前記第１面を含む表層は、純度９９．９質量％以上であるアルミニウムと、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄とを含み、
   前記第１陽極酸化皮膜の前記第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であり、
   前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下であり、
   前記アルミニウム基材および前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みの合計値Ｔ１（単位：μｍ）と前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ）との関係がＴ１＋１０×Ｔ２≦２３０である、アルミニウム積層体。
3. 前記第１陽極酸化皮膜の封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ未満である、請求項２に記載のアルミニウム積層体。
4. 前記第１陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のアルミニウム積層体。
5. 前記第１陽極酸化皮膜は、硫酸陽極酸化皮膜である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のアルミニウム積層体。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のアルミニウム積層体を製造する方法であって、
   前記第１面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下である前記アルミニウム基材を準備する工程と、
   前記アルミニウム基材の前記第１面上に、硫酸を含む電解液を用いて、前記交差する方向の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である第１陽極酸化皮膜を形成する工程とを備える、アルミニウム積層体の製造方法。

Images