JP2019147974A - Aluminum laminate and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

To provide an aluminum laminate that has an anodic oxide film with a breakdown voltage of 0.2 kV or greater, in which any crack does not occur in the anodic oxide film layer even in a roll-to-roll processing using a guide roll of 50 mm in minimum diameter.SOLUTION: An anodic oxide film 2 is formed on an aluminum base material 1 so that the thickness is between 2 and 20 μm, Ra is 15 nm or less, and overall thickness+anodic oxide film thickness×10 is 230 or less. Sealing degree admittance Y value after sealing treatment is less than 100 μS.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、アルミニウム積層体およびその製造方法に関する。   The present invention relates to an aluminum laminate and a method for producing the same.

近年、液晶、有機ＥＬ、電子ペーパなどのディスプレイ、薄膜太陽電池、およびタッチパネルなどの急速な進歩に伴い、電子デバイスの薄型化、軽量化、およびフレキシブル化が要求されている。また、上記用途の電子デバイスにも、例えばディスプレイのドット抜け等の異常の発生を防止する観点から、一般的な電子デバイスと同様に、外部から供給される水蒸気や酸素等のガスによる品質低下を抑制するために高いガスバリア性が要求されている。   In recent years, with rapid progress of displays such as liquid crystal, organic EL, and electronic paper, thin-film solar cells, and touch panels, electronic devices are required to be thinner, lighter, and flexible. In addition, from the viewpoint of preventing the occurrence of abnormalities such as missing dots in the display, the quality of the electronic device for the above-mentioned applications is also deteriorated due to gas such as water vapor and oxygen supplied from the outside as in the general electronic device. In order to suppress it, high gas barrier properties are required.

そこで、電子デバイスを構成する基板について、高いガスバリア性を実現しながら、薄型化、軽量化、およびフレキシブル化が検討されている。基板の薄型化、軽量化、およびフレキシブル化を実現する方法としては、基板を構成する材料を樹脂とすることが検討されている。しかし、例えばプラスチックフィルムなどの樹脂から成る基板は、外部から供給される水蒸気や酸素等のガスを比較的透過しやすい。この場合、高いガスバリア性を実現するためには、樹脂からなる基板上にガスバリア性を有する薄膜が形成される必要がある。そのため、電子デバイスの基板自体がガス透過性の低い材料で構成されてガスバリア性を有しているのが好ましい。   Therefore, thinning, lightening, and flexibility of a substrate constituting an electronic device are being studied while realizing high gas barrier properties. As a method for realizing a reduction in thickness, weight, and flexibility of a substrate, it has been studied to use a material constituting the substrate as a resin. However, for example, a substrate made of a resin such as a plastic film is relatively easily permeable to gas such as water vapor and oxygen supplied from the outside. In this case, in order to realize high gas barrier properties, it is necessary to form a thin film having gas barrier properties on a substrate made of resin. Therefore, it is preferable that the substrate of the electronic device itself is made of a material having low gas permeability and has a gas barrier property.

また、上記用途の電子デバイスは可視光を利用するものが多いため、電子デバイスを構成する基板には可視光に対し高い反射率を示す基材が好適である。   In addition, since many of the electronic devices for the above applications use visible light, a substrate that exhibits a high reflectance with respect to visible light is suitable for the substrate constituting the electronic device.

また、このような電子デバイスの製造方法として、低コスト化を図る観点から、ロールツーロールプロセスを採用することが望まれている。   In addition, as a method for manufacturing such an electronic device, it is desired to adopt a roll-to-roll process from the viewpoint of cost reduction.

このように、高いガスバリア性、および高反射率を有しており、かつ薄型化、軽量化、およびフレキシブル化を図ることができ、さらにロールツーロール加工により製造され得る基板の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。   As described above, aluminum has a high gas barrier property and high reflectivity, and can be made thin, light, and flexible, and can be manufactured by roll-to-roll processing. (Al).

アルミニウムは、プラスチックフィルムと比べて、高いガスバリア性、および可視光に対する高い反射率を有している。さらに、アルミニウムを箔状にすることで薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能となる。また、アルミニウム箔はロールツーロール加工が可能である。   Aluminum has a high gas barrier property and a high reflectance with respect to visible light as compared with a plastic film. Furthermore, by making aluminum into a foil shape, it becomes possible to reduce the thickness, weight, and flexibility. The aluminum foil can be roll-to-roll processed.

一方で、上記用途の電子デバイスの基板上には、一般的に、基板と基板上に積層される電極との間の電気的絶縁性を確保するための絶縁層が配置されている。このような絶縁層の絶縁破壊電圧は一般的に０．２ｋＶ以上とされている。アルミニウムの表面には陽極酸化処理により絶縁性を有する陽極酸化皮膜が容易に形成され得る。   On the other hand, an insulating layer for ensuring electrical insulation between the substrate and the electrode laminated on the substrate is generally disposed on the substrate of the electronic device for the above-described use. The dielectric breakdown voltage of such an insulating layer is generally 0.2 kV or more. An anodized film having an insulating property can be easily formed on the surface of aluminum by anodizing treatment.

そのため、上記用途の電子デバイスの基板には、アルミニウムと、アルミニウム上に積層された陽極酸化皮膜との積層体が好適である。   Therefore, a laminated body of aluminum and an anodic oxide film laminated on aluminum is suitable for the substrate of the electronic device for the above application.

特開２０１５−１９９９８５号公報（特許文献１）には、Ｆｅ：０．０５質量％〜０．４０質量％、Ｓｉ：０．０２質量％〜０．２０質量％を含有し、残部がアルミニウム及び不可避不純物からなるアルミニウム合金を連続鋳造圧延した後、冷間圧延を行うことにより、表面の粗さ曲線における最大高さ粗さＲｚが０．５０μｍ以下で、表面に存在する円相当径１μｍ以上の金属間化合物が１０００個／ｍｍ２以下のアルミニウム圧延材を製造し、さらに前記アルミニウム圧延材に液温１５℃以下の硫酸水溶液中での陽極酸化処理を施すことを特徴とする陽極酸化皮膜付アルミニウム基板の製造方法が提案されている。   JP-A-2015-199985 (Patent Document 1) contains Fe: 0.05 mass% to 0.40 mass%, Si: 0.02 mass% to 0.20 mass%, with the balance being aluminum and After continuously casting and rolling an aluminum alloy composed of inevitable impurities, the maximum height roughness Rz in the surface roughness curve is 0.50 μm or less by performing cold rolling, and the equivalent circle diameter existing on the surface is 1 μm or more. An aluminum substrate with an anodized film, characterized in that an aluminum rolled material having an intermetallic compound of 1000 pieces / mm 2 or less is produced, and the aluminum rolled material is further subjected to an anodizing treatment in a sulfuric acid aqueous solution having a liquid temperature of 15 ° C. or lower. The manufacturing method of this is proposed.

特開２０１５−１９９９８５号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-199985

上記特許文献１には、アルミニウム基材と、アルミニウム基材の表面に０．１μｍ〜２０μｍの厚さで形成された陽極酸化皮膜との積層体が開示されている。しかし、本発明者らによる検討の結果、上記特許文献１に実施例として記載された厚さが０．３ｍｍであるアルミニウム板に陽極酸化皮膜が積層されたアルミニウム積層体では、十分なフレキシブル性を有していないことが確認された。具体的には、最小直径が５０ｍｍのガイドロールを用いたロールツーロール加工により製造されたアルミニウム積層体の陽極酸化皮膜層には、クラックが確認された。   Patent Document 1 discloses a laminate of an aluminum base material and an anodized film formed with a thickness of 0.1 μm to 20 μm on the surface of the aluminum base material. However, as a result of studies by the present inventors, an aluminum laminate in which an anodized film is laminated on an aluminum plate having a thickness of 0.3 mm described as an example in Patent Document 1 has sufficient flexibility. It was confirmed that they do not have. Specifically, cracks were confirmed in the anodized film layer of the aluminum laminate produced by roll-to-roll processing using a guide roll having a minimum diameter of 50 mm.

そこで、本発明の目的は、絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上である陽極酸化皮膜を備え、最小直径が５０ｍｍのガイドロールを用いたロールツーロール加工においても当該陽極酸化皮膜層にクラックが生じないアルミニウム積層体を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an anodized film having a dielectric breakdown voltage of 0.2 kV or more, and no cracks are generated in the anodized film layer even in a roll-to-roll process using a guide roll having a minimum diameter of 50 mm. It is to provide an aluminum laminate.

本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、アルミニウム基材の組成、陽極酸化皮膜の表面平滑性および厚み、ならびにアルミニウム積層体が特定の条件を満たしたとき、陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上であり、かつ最小直径が５０ｍｍのガイドロールを通過しても陽極酸化皮膜層のクラックが生じないアルミニウム積層体が得られることを見出した。なお、最小直径が５０ｍｍ以下の曲げ加工が可能とは、アルミニウム積層体を少なくとも直径が５０ｍｍである円筒の外周面に沿わせて１０秒間保持する加工を施した後に陽極酸化皮膜表面を目視により観察するという曲げ加工試験（以下、単に曲げ加工試験という）において、陽極酸化皮膜表面にクラックが確認されないことを指す。   As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found that the composition of the aluminum base material, the surface smoothness and thickness of the anodized film, and the aluminum laminate satisfy the specific conditions, the anode It has been found that an aluminum laminate can be obtained in which the oxide breakdown voltage of the oxide film is 0.2 kV or more and the crack of the anodized film layer does not occur even when passing through a guide roll having a minimum diameter of 50 mm. The bending process with a minimum diameter of 50 mm or less means that the aluminum laminate can be held for at least 10 seconds along the outer peripheral surface of a cylinder with a diameter of 50 mm, and then the anodized film surface is visually observed. In a bending process test (hereinafter simply referred to as a bending process test), it means that no cracks are confirmed on the surface of the anodized film.

すなわち、本発明の一実施の形態に係るアルミニウム積層体は、以下の特徴を有する。一実施の形態に従ったアルミニウム積層体は、第１面を有するアルミニウム基材と、第１面に接して形成されており、かつ、第１面と交差する方向において第１面から離れた位置にある第２面を有する第１陽極酸化皮膜とを備える。アルミニウム基材の第１面を含む表層は、純度９９．９質量％以上であるアルミニウムと、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄とを含む。第１陽極酸化皮膜の第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下である。第１陽極酸化皮膜の交差する方向の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下である。アルミニウム積層体の上記交差する方向の全体の厚みの値Ｔ１（単位：μｍ）と、第１陽極酸化皮膜の上記交差する方向の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ）とが、関係式Ｘ＋１０×Ｙ≦２３０を満足する。   That is, the aluminum laminate according to one embodiment of the present invention has the following characteristics. An aluminum laminate according to an embodiment is formed in contact with an aluminum base material having a first surface and the first surface, and is located away from the first surface in a direction intersecting the first surface. And a first anodized film having a second surface. The surface layer including the first surface of the aluminum substrate contains aluminum having a purity of 99.9% by mass or more and iron having a purity of 0.001% by mass or more and 0.02% by mass or less. The surface roughness Ra of the second surface of the first anodic oxide film is 15 nm or less. The thickness of the intersecting direction of the first anodized film is 3 μm or more and 20 μm or less. The total thickness value T1 (unit: μm) in the intersecting direction of the aluminum laminate and the thickness value T2 (unit: μm) in the intersecting direction of the first anodized film are expressed by the relation X + 10 × Y. ≦ 230 is satisfied.

上記一実施の形態に係るアルミニウム積層体において、上記陽極酸化皮膜の封孔度アドミッタンスＹ値は、が１００μＳ未満であるのが好ましい。   In the aluminum laminate according to the above-described embodiment, the admittance Y value of the anodic oxide film is preferably less than 100 μS.

また、本発明の他の実施の形態に係るアルミニウム積層体は、以下の特徴を有する。他の実施の形態に従ったアルミニウム積層体は、第１面を有するアルミニウム基材と、第１面に接して形成されており、かつ、第１面と交差する方向において第１面から離れた位置にある第２面を有する第１陽極酸化皮膜とを備える。アルミニウム基材の第１面を含む表層は、純度９９．９質量％以上であるアルミニウムと、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄とを含む。第１陽極酸化皮膜の第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下である。第１陽極酸化皮膜の交差する方向の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である。アルミニウム積層体の上記交差する方向の全体の厚みの値Ｔ１（単位：μｍ）と、第１陽極酸化皮膜の上記交差する方向の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ）とが、関係式Ｘ＋１０×Ｙ≦２３０を満足する。さらに、陽極酸化皮膜の封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ未満である。   Moreover, the aluminum laminated body which concerns on other embodiment of this invention has the following characteristics. An aluminum laminate according to another embodiment is formed in contact with an aluminum substrate having a first surface, and is separated from the first surface in a direction intersecting the first surface. A first anodized film having a second surface in position. The surface layer including the first surface of the aluminum substrate contains aluminum having a purity of 99.9% by mass or more and iron having a purity of 0.001% by mass or more and 0.02% by mass or less. The surface roughness Ra of the second surface of the first anodic oxide film is 15 nm or less. The thickness of the first anodized film in the intersecting direction is 2 μm or more and 20 μm or less. The total thickness value T1 (unit: μm) in the intersecting direction of the aluminum laminate and the thickness value T2 (unit: μm) in the intersecting direction of the first anodized film are expressed by the relation X + 10 × Y. ≦ 230 is satisfied. Furthermore, the sealing degree admittance Y value of the anodized film is less than 100 μS.

本発明者らは、上記２つの実施の形態に係るアルミニウム積層体の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上であることを確認した。さらに、本発明者らは、上記２つの実施の形態に係るアルミニウム積層体が可視光に対し高い反射特性を有していることを確認した。   The present inventors have confirmed that the dielectric breakdown voltage of the anodized film of the aluminum laminate according to the above two embodiments is 0.2 kV or more. Furthermore, the present inventors have confirmed that the aluminum laminates according to the above two embodiments have high reflection characteristics with respect to visible light.

上記アルミニウム積層体において、陽極酸化皮膜は好ましくは硫酸陽極酸化皮膜である。   In the aluminum laminate, the anodized film is preferably a sulfuric acid anodized film.

上記アルミニウム積層体を製造する方法は、第１面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であるアルミニウム基材を準備する工程と、アルミニウム基材の第１面上に、硫酸を含む電解液を用いて、交差する方向の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である第１陽極酸化皮膜を形成する工程とを備える。   The method for producing the aluminum laminate includes a step of preparing an aluminum substrate having a surface roughness Ra of 15 nm or less on the first surface, and an electrolytic solution containing sulfuric acid on the first surface of the aluminum substrate. And a step of forming a first anodized film having a thickness in the intersecting direction of 2 μm or more and 20 μm or less.

本発明によれば、絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上である陽極酸化皮膜を備え、最小直径が５０ｍｍのガイドロールを用いたロールツーロール加工においても当該陽極酸化皮膜層にクラックが生じないアルミニウム積層体を提供することができる。   According to the present invention, an aluminum laminate is provided with an anodized film having a dielectric breakdown voltage of 0.2 kV or higher, and in which the anodized film layer does not crack even in roll-to-roll processing using a guide roll having a minimum diameter of 50 mm. The body can be provided.

本実施の形態に係るアルミニウム積層体を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the aluminum laminated body which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るアルミニウム積層体の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the aluminum laminated body which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るアルミニウム積層体の変形例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the modification of the aluminum laminated body which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るアルミニウム積層体の製造方法の変形例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the modification of the manufacturing method of the aluminum laminated body which concerns on this Embodiment.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
［アルミニウム積層体の構成］
図１に示されるように、本実施の形態に係るアルミニウム積層体１０は、アルミニウム基材１と、第１陽極酸化皮膜２とを備える。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
[Configuration of aluminum laminate]
As shown in FIG. 1, an aluminum laminate 10 according to the present embodiment includes an aluminum substrate 1 and a first anodic oxide film 2.

アルミニウム基材１は、第１面１Ａ、および第１面１Ａと反対側に位置する第３面１Ｂを有している。アルミニウム基材１を構成する材料は、アルミニウム（Ａｌ）を含む。アルミニウム基材１は、例えばアルミニウム箔である。   The aluminum substrate 1 has a first surface 1A and a third surface 1B located on the opposite side of the first surface 1A. The material which comprises the aluminum base material 1 contains aluminum (Al). The aluminum substrate 1 is, for example, an aluminum foil.

アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層は、アルミニウム純度が９９．９質量％以上である。   The surface layer including the first surface 1A of the aluminum substrate 1 has an aluminum purity of 99.9% by mass or more.

アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層は、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄（Ｆｅ）を含む。鉄の含有量が０．００１質量％未満であると、アルミニウム基材１の強度が低下する。一方で、鉄はアルミニウムへの固溶度が小さいため、アルミニウムの鋳造時にＦｅＡｌ３等の金属間化合物が晶出しやすくなる。これらの晶出物は、アルミニウム素地よりも可視光領域の反射率が低く、アルミニウム基材としての光沢度および可視光反射率を低下させる原因になる。また、ＦｅＡｌ３等の金属間化合物が存在すると、陽極酸化皮膜が不均一となり、陽極酸化皮膜の透明性が著しく悪くなり反射率が低下するだけでなく、陽極酸化皮膜の硬度も低下し、さらに陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧も低下する。このため、鉄の含有量は０．０２質量％以下にする必要がある。 The surface layer including the first surface 1A of the aluminum substrate 1 contains 0.001 mass% or more and 0.02 mass% or less of iron (Fe). The intensity | strength of the aluminum base material 1 falls that content of iron is less than 0.001 mass%. On the other hand, since iron has a low solid solubility in aluminum, intermetallic compounds such as FeAl 3 are easily crystallized at the time of casting of aluminum. These crystallized substances have a lower reflectance in the visible light region than the aluminum base, and cause a decrease in glossiness and visible light reflectance as an aluminum base material. In addition, when an intermetallic compound such as FeAl 3 is present, the anodic oxide film becomes non-uniform, the transparency of the anodic oxide film is remarkably deteriorated and the reflectance is reduced, and the hardness of the anodic oxide film is also reduced. The dielectric breakdown voltage of the anodized film also decreases. For this reason, it is necessary to make iron content into 0.02 mass% or less.

アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層は、例えば０．００１質量％以上０．０９質量％以下のシリコン（Ｓｉ）を含んでいてもよい。シリコンはアルミニウムへの固溶度が大きく晶出物を形成し難いため、晶出物を生成させない程度の含有量であれば可視光領域の反射率を低下させることがない。また、シリコンが０．００１質量％以上固溶されたアルミニウム基材１の機械的強度は、シリコンが固溶されていないアルミニウム基材１の機械的強度と比べて、固溶強化によって向上されている。そのため、例えばシリコンが０．００１質量％以上固溶されたアルミニウム基材１は、シリコンが固溶されていないアルミニウム基材１と同等の機械的強度を維持しながらもより厚みの薄い箔の圧延も容易にすることができる。一方で、アルミニウム基材１が０．０９質量％よりも多いシリコンを含む場合、第１陽極酸化皮膜２の厚みを厚くすると第１陽極酸化皮膜２の透明性が低下し反射率が低下する。さらに、第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの硬度も低下する。そのため、シリコンの含有量は０．０９質量％以下にする必要がある。   The surface layer including the first surface 1A of the aluminum substrate 1 may contain, for example, 0.001 mass% or more and 0.09 mass% or less of silicon (Si). Since silicon has a high solid solubility in aluminum and hardly forms a crystallized substance, the reflectivity in the visible light region is not lowered if the content is such that no crystallized substance is generated. Further, the mechanical strength of the aluminum base material 1 in which 0.001% by mass or more of silicon is dissolved is improved by solid solution strengthening compared to the mechanical strength of the aluminum base material 1 in which silicon is not dissolved. Yes. Therefore, for example, the aluminum substrate 1 in which 0.001% by mass or more of silicon is solid-dissolved is rolled with a thinner foil while maintaining the same mechanical strength as the aluminum substrate 1 in which silicon is not dissolved. Can also be made easier. On the other hand, when the aluminum substrate 1 contains more than 0.09% by mass of silicon, increasing the thickness of the first anodic oxide film 2 decreases the transparency of the first anodic oxide film 2 and decreases the reflectance. Furthermore, the hardness of the 2nd surface 2A of the 1st anodic oxide film 2 also falls. Therefore, the silicon content needs to be 0.09% by mass or less.

アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層におけるＡｌ、Ｆｅ、およびＳｉ以外の残部は、不純物からなる。該不純物は、例えば不可避不純物であるが、不可避不純物の他に、光沢度、可視光の全反射率に大きく影響しない微量の不純物を含んでいてもよい。上記不純物は、例えば銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、およびビスマス（Ｂｉ）等からなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む。各不純物元素は、個々の含有量が０．０１質量％以下である。   The remainder other than Al, Fe, and Si in the surface layer including the first surface 1A of the aluminum base 1 is made of impurities. The impurity is, for example, an unavoidable impurity, but may contain a trace amount of impurity that does not greatly affect the glossiness and the total reflectance of visible light in addition to the unavoidable impurity. The impurities include, for example, copper (Cu), manganese (Mn), magnesium (Mg), zinc (Zn), titanium (Ti), vanadium (V), nickel (Ni), chromium (Cr), zirconium (Zr), It contains at least one element selected from the group consisting of boron (B), gallium (Ga), bismuth (Bi), and the like. Each impurity element has an individual content of 0.01% by mass or less.

アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む上記表層は、第１面１Ａと交差する方向（深さ方向）において第１面１Ａから５μｍまでの領域である。好ましくは、第１面１Ａの表面粗さＲａは、１５ｎｍ以下である。アルミニウム基材１の第１面１Ａをこのように小さな表面粗さＲａとする方法としては、物理的な研磨、電解研磨、化学研磨等の研磨加工、あるいは、表面が鏡面状態である圧延ロールを用いた冷間圧延等がある。   The surface layer including the first surface 1A of the aluminum base 1 is a region from the first surface 1A to 5 μm in a direction (depth direction) intersecting the first surface 1A. Preferably, the surface roughness Ra of the first surface 1A is 15 nm or less. As a method for setting the first surface 1A of the aluminum substrate 1 to such a small surface roughness Ra, a polishing roll such as physical polishing, electrolytic polishing, chemical polishing, or a roll whose surface is in a mirror surface state is used. There is cold rolling used.

上記表層以外のアルミニウム基材１の他の部分の組成は特に制限されるものではなく、アルミニウム基材１は例えばクラッド材として構成されていてもよい。   The composition of the other part of the aluminum substrate 1 other than the surface layer is not particularly limited, and the aluminum substrate 1 may be configured as, for example, a clad material.

第１陽極酸化皮膜２は、第１面１Ａに接して形成されている。第１陽極酸化皮膜２は、第１面１Ａに接している面と、第１面１Ａと交差する方向において第１面１Ａから離れた位置にある第２面２Ａとを有している。第１陽極酸化皮膜２は、アルミニウム基材１の第１面１Ａに対する陽極酸化処理により形成されている。陽極酸化処理は、公知の陽極酸化処理方法であればよく、例えば硫酸、ホウ酸、シュウ酸、およびリン酸の少なくともいずれかを含む電解液を用いた陽極酸化処理である。好ましくは、第１陽極酸化皮膜２は、硫酸を含む電解液を用いた陽極酸化処理により形成されている。すなわち、好ましくは、第１陽極酸化皮膜２は硫酸陽極酸化皮膜である。第１陽極酸化皮膜２は、封孔処理されている。好ましくは、第１陽極酸化皮膜２は透明である。   The first anodic oxide film 2 is formed in contact with the first surface 1A. The first anodic oxide film 2 has a surface that is in contact with the first surface 1A and a second surface 2A that is located away from the first surface 1A in the direction intersecting the first surface 1A. The first anodic oxide film 2 is formed by an anodic oxidation treatment on the first surface 1A of the aluminum base 1. The anodizing treatment may be any known anodizing treatment method. For example, the anodizing treatment is an anodizing treatment using an electrolytic solution containing at least one of sulfuric acid, boric acid, oxalic acid, and phosphoric acid. Preferably, the first anodic oxide film 2 is formed by an anodic oxidation treatment using an electrolytic solution containing sulfuric acid. That is, preferably, the first anodized film 2 is a sulfuric acid anodized film. The first anodic oxide film 2 is sealed. Preferably, the first anodic oxide film 2 is transparent.

第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みは、２μｍ以上２０μｍ以下である。第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みは、第１陽極酸化皮膜２において第１面１Ａと接している面と第２面２Ａとの間の距離である。   The thickness of the first anodic oxide film 2 in the intersecting direction is 2 μm or more and 20 μm or less. The thickness of the first anodic oxide film 2 in the intersecting direction is the distance between the surface of the first anodic oxide film 2 that is in contact with the first surface 1A and the second surface 2A.

第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みが２μｍよりも小さい場合、陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧を０．２ｋＶ以上とすることは困難である。一方、第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みが２０μｍよりも大きい場合、上記曲げ加工試験において第１陽極酸化皮膜２の表面にクラックが生じやすくなる。   When the thickness of the first anodic oxide film 2 in the intersecting direction is smaller than 2 μm, it is difficult to set the dielectric breakdown voltage of the anodic oxide film to 0.2 kV or more. On the other hand, when the thickness of the first anodic oxide film 2 in the intersecting direction is larger than 20 μm, cracks are likely to occur on the surface of the first anodic oxide film 2 in the bending test.

本発明者らは、後述する実施例に示されるように、上記交差する方向の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下である第１陽極酸化皮膜２は、その封孔度によらず高い絶縁性を有しており、かつ上記曲げ加工試験においてもクラックの発生が抑制されていることを確認した。   The present inventors show that the first anodic oxide film 2 having a thickness in the intersecting direction of 3 μm or more and 20 μm or less has a high insulating property regardless of its sealing degree, as shown in Examples described later. In addition, it was confirmed that the generation of cracks was also suppressed in the bending test.

さらに、本発明者らは、第１陽極酸化皮膜２の絶縁破壊電圧が第１陽極酸化皮膜２の封孔度アドミッタンスＹ値に応じて変化すること、特に第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みが２μｍ以上３μｍ以下である場合には、絶縁破壊電圧を０．２ｋＶ以上とするには封孔度アドミッタンスＹ値を一定値未満とすべきことを確認した。   Furthermore, the present inventors have found that the dielectric breakdown voltage of the first anodic oxide film 2 changes according to the sealing degree admittance Y value of the first anodic oxide film 2, and in particular, the first anodic oxide film 2 intersects. When the thickness in the direction is 2 μm or more and 3 μm or less, it was confirmed that the sealing degree admittance Y value should be less than a certain value in order to make the dielectric breakdown voltage 0.2 kV or more.

具体的には、上記交差する方向の厚みが２μｍ以上３μｍ以下であって、封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ未満である第１陽極酸化皮膜２の絶縁破壊電圧は、０．２ｋＶ以上であった。一方、上記交差する方向の厚みが２μｍ以上３μｍ以下であって、封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ以上である第１陽極酸化皮膜２の絶縁破壊電圧は、０．２ｋＶ未満であった。   Specifically, the dielectric breakdown voltage of the first anodic oxide film 2 having a thickness in the intersecting direction of 2 μm or more and 3 μm or less and a sealing degree admittance Y value of less than 100 μS was 0.2 kV or more. . On the other hand, the dielectric breakdown voltage of the first anodic oxide film 2 having a thickness in the intersecting direction of 2 μm or more and 3 μm or less and a sealing degree admittance Y value of 100 μS or more was less than 0.2 kV.

第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａは、２０ｎｍ以下である。アルミニウム積層体１０に入射した光の一部は第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａで反射し、残部は第２面２Ａで屈折しアルミニウム基材１の第１面１Ａに到達する。第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａが１５ｎｍを超える場合には、第２面２Ａで反射した光または第２面２Ａで屈折した光が拡散することにより、第２面２Ａの光沢度および全反射率が低下する。第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であれば、第２面２Ａで反射した光または第２面２Ａで屈折した光の拡散を抑制でき、第２面２Ａは高い光沢度および高い全反射率を有している。なお、第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａはＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１年版）およびＩＳＯ４２８７（１９９７年版）で定義されている算術平均粗さＲａを、面に対して適用できるように三次元に拡張して算出された値である。   The surface roughness Ra of the second surface 2A of the first anodic oxide film 2 is 20 nm or less. A part of the light incident on the aluminum laminate 10 is reflected by the second surface 2A of the first anodic oxide film 2, and the remaining part is refracted by the second surface 2A and reaches the first surface 1A of the aluminum substrate 1. When the surface roughness Ra of the second surface 2A of the first anodic oxide film 2 exceeds 15 nm, the light reflected by the second surface 2A or the light refracted by the second surface 2A diffuses to cause the second surface 2A to diffuse. The glossiness and total reflectance of 2A are reduced. If the surface roughness Ra of the second surface 2A of the first anodic oxide film 2 is 15 nm or less, the diffusion of the light reflected by the second surface 2A or the light refracted by the second surface 2A can be suppressed, and the second surface 2A. Has high gloss and high total reflectivity. The surface roughness Ra of the second surface 2A of the first anodic oxide film 2 can be the arithmetic average roughness Ra defined in JIS B0601 (2001 version) and ISO 4287 (1997 version) for the surface. It is a value calculated by extending to three dimensions.

第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａを上記数値範囲とするために、アルミニウム基材１の第１面１Ａの表面粗さＲａが小さくされているのが好ましい。好ましくは、上述のように、アルミニウム基材１の第１面１Ａの表面粗さＲａが１５ｎｍ以下である。   In order to make the surface roughness Ra of the second surface 2A of the first anodic oxide film 2 within the above numerical range, it is preferable that the surface roughness Ra of the first surface 1A of the aluminum base 1 is made small. Preferably, as described above, the surface roughness Ra of the first surface 1A of the aluminum base 1 is 15 nm or less.

アルミニウム積層体１０の上記交差する方向の全体の厚みの値Ｔ１（単位：μｍ、図１参照）と、第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ、図１参照）とが、関係式Ｘ＋１０×Ｙ≦２３０を満足する。本発明者らは、上記関係式を満足しない、Ｘ＋１０×Ｙが２３０を超えるアルミニウム積層体は、最小直径を５０ｍｍ以下とする上記曲げ加工試験が施された場合に、陽極酸化皮膜にクラックが生じることを確認した。一方で、本発明者らは、上述した特徴を備え、かつ上記関係式を満たすアルミニウム積層体は、上記曲げ加工試験が施された場合にも、クラックの発生が抑制されていることを見出した。   The total thickness value T1 of the aluminum laminate 10 in the intersecting direction (unit: μm, see FIG. 1) and the thickness value T2 of the first anodized film 2 in the intersecting direction (unit: μm, FIG. 1) Satisfies the relational expression X + 10 × Y ≦ 230. The present inventors have found that an aluminum laminate that does not satisfy the above relational expression and X + 10 × Y exceeds 230 has a crack in the anodized film when subjected to the bending test with a minimum diameter of 50 mm or less. It was confirmed. On the other hand, the present inventors have found that the aluminum laminate having the above-described features and satisfying the above relational expression is suppressed from cracking even when the bending test is performed. .

具体的には、本発明者らは、高い電気的絶縁性、高い全反射率、および高い曲げ加工性を有するアルミニウム積層体について鋭意検討した。その結果、アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層が、純度９９．９質量％以上であるアルミニウムと、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄とを含み、第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａの表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であり、第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下であるアルミニウム積層体が、高い電気的絶縁性および高い全反射率を有することを確認した。さらに、本発明者らは、このようなアルミニウム積層体の曲げ加工性、すなわち曲げ加工が施されたときのクラックの発生し難さが、アルミニウム積層体の全体の厚みの値Ｔ１および第１陽極酸化皮膜２の厚みの値Ｔ２と相関することを見出した（詳細は、実施例に後述する）。   Specifically, the inventors diligently studied an aluminum laminate having high electrical insulation, high total reflectivity, and high bending workability. As a result, the surface layer including the first surface 1A of the aluminum substrate 1 contains aluminum having a purity of 99.9% by mass or more and iron having a purity of 0.001% by mass or more and 0.02% by mass or less, and the first anode The aluminum laminate in which the surface roughness Ra of the second surface 2A of the oxide film 2 is 15 nm or less and the thickness of the first anodic oxide film 2 in the intersecting direction is 2 μm or more and 20 μm or less has high electrical insulation and It was confirmed to have a high total reflectance. Furthermore, the present inventors have found that the bending property of such an aluminum laminate, that is, the difficulty of cracking when the bending is performed, is the value of the total thickness T1 of the aluminum laminate and the first anode. It was found to correlate with the thickness value T2 of the oxide film 2 (details will be described later in Examples).

アルミニウム積層体１０の上記Ｔ１および上記Ｔ２は、第１陽極酸化皮膜２の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下であって、かつ上記関係式Ｔ１＋１０×Ｔ２≦２３０を満足する限りにおいて任意に設定され得る。アルミニウム積層体１０は、曲げ加工性を向上させる観点から言えば、好ましくはＴ１＋１０×Ｔ２≦２００を満足し、より好ましくはＴ１＋１０×Ｔ２≦１５０を満足し、より好ましくはＴ１＋１０×Ｔ２≦１００を満足する。   T1 and T2 of the aluminum laminate 10 can be arbitrarily set as long as the thickness of the first anodic oxide film 2 is 2 μm or more and 20 μm or less and the above relational expression T1 + 10 × T2 ≦ 230 is satisfied. From the viewpoint of improving bending workability, the aluminum laminate 10 preferably satisfies T1 + 10 × T2 ≦ 200, more preferably satisfies T1 + 10 × T2 ≦ 150, and more preferably satisfies T1 + 10 × T2 ≦ 100. To do.

アルミニウム積層体１０の上記Ｔ１＋１０×Ｔ２の下限値は、少なくとも第１陽極酸化皮膜２の上記交差する方向の厚みＴ２を２μｍ以上とすることができるように、設定されていればよい。上記Ｔ１＋１０×Ｔ２の下限値は、例えば、５０であってもよい。   The lower limit value of T1 + 10 × T2 of the aluminum laminate 10 may be set so that at least the thickness T2 in the intersecting direction of the first anodic oxide film 2 can be 2 μm or more. The lower limit value of T1 + 10 × T2 may be 50, for example.

なお、図１に示されるアルミニウム積層体１０では、アルミニウム基材１の上記交差する方向の厚みの値をＴ３（単位：μｍ）とすると、上記値Ｔ１は、アルミニウム基材１の厚みの値Ｔ３と第１陽極酸化皮膜２の厚みの値Ｔ２との和として表される。図１に示されるアルミニウム積層体１０は、関係式Ｔ３＋１１×Ｔ２≦２３０を満足する。   In addition, in the aluminum laminated body 10 shown by FIG. 1, if the value of the thickness of the said aluminum base material 1 in the said crossing direction is set to T3 (unit: micrometer), the said value T1 will be the value T3 of the thickness of the aluminum base material 1. And the sum of the thickness value T2 of the first anodic oxide film 2. The aluminum laminate 10 shown in FIG. 1 satisfies the relational expression T3 + 11 × T2 ≦ 230.

＜アルミニウム積層体の製造方法＞
次に、本実施の形態に係るアルミニウム積層体の製造方法の一例について説明する。図２に示されるように、本実施の形態に係るアルミニウム積層体の製造方法は、鋳塊を準備する工程（Ｓ１０）、鋳塊に均質化処理を行う工程（Ｓ２０）、鋳塊を熱間圧延する工程（Ｓ３０）、熱間圧延により得られた熱延材を冷間圧延する工程（Ｓ４０）、冷間圧延により得られた冷延材を最終仕上げとして冷間圧延（以下、最終仕上げ冷間圧延という）してアルミニウム基材を形成する工程（Ｓ５０）、および陽極酸化皮膜を形成する工程（Ｓ６０）を備える。 <Method for producing aluminum laminate>
Next, an example of the manufacturing method of the aluminum laminated body which concerns on this Embodiment is demonstrated. As shown in FIG. 2, the method for manufacturing an aluminum laminate according to the present embodiment includes a step of preparing an ingot (S10), a step of homogenizing the ingot (S20), The step of rolling (S30), the step of cold rolling the hot-rolled material obtained by hot rolling (S40), and cold rolling (hereinafter referred to as final finishing cold) A step (S50) of forming an aluminum substrate by performing an intermediate rolling) and a step of forming an anodized film (S60).

まず、鋳塊を準備する（工程（Ｓ１０））。具体的には、所定の組成のアルミニウムの溶湯を調製し、アルミニウムの溶湯を凝固させることにより鋳塊を鋳造（例えば半連続鋳造）する。溶湯中のＦｅ、Ｍｎ、Ｓｉなどの金属元素の含有量は、アルミニウム基材１の上記表層におけるアルミニウム純度が９９．９質量％以上となるように制御されている。溶湯中のＦｅの含有量は、アルミニウム基材１の上記表層におけるＦｅの含有量が０．００１質量％以上０．０２質量％以下となるように制御されている。好ましくは、溶湯中のＦｅの含有量は、アルミニウム基材１の上記表層におけるＦｅの含有量が０．００１質量％以上０．０２質量％以下となるように制御されている。   First, an ingot is prepared (step (S10)). Specifically, an aluminum ingot having a predetermined composition is prepared, and the ingot is cast (for example, semi-continuous casting) by solidifying the aluminum melt. The content of metal elements such as Fe, Mn, and Si in the molten metal is controlled so that the aluminum purity in the surface layer of the aluminum base 1 is 99.9% by mass or more. The Fe content in the molten metal is controlled so that the Fe content in the surface layer of the aluminum base 1 is 0.001% by mass or more and 0.02% by mass or less. Preferably, the content of Fe in the molten metal is controlled so that the content of Fe in the surface layer of the aluminum base 1 is 0.001% by mass or more and 0.02% by mass or less.

次に、得られた鋳塊に均質化熱処理を行う（工程（Ｓ２０））。均質化熱処理は、一般的な操業条件の範囲内であればよいが、例えば加熱温度を４００℃以上６３０℃以下、加熱時間を１時間以上２０時間以下とする条件で行われる。   Next, the obtained ingot is subjected to homogenization heat treatment (step (S20)). The homogenization heat treatment may be performed within the range of general operating conditions. For example, the homogenization heat treatment is performed under conditions where the heating temperature is 400 ° C. or more and 630 ° C. or less and the heating time is 1 hour or more and 20 hours or less.

次に、鋳塊を熱間圧延する（工程（Ｓ３０））。本工程により、所定の厚みＷ１を有する熱延材が得られる。熱間圧延は、１回または複数回行われてもよい。なお、連続鋳造によって薄板のアルミニウム鋳塊を製造する場合には、当該薄板状の鋳塊は本工程を介さずに冷間圧延されてもよい。   Next, the ingot is hot-rolled (step (S30)). By this step, a hot rolled material having a predetermined thickness W1 is obtained. Hot rolling may be performed once or a plurality of times. When a thin aluminum ingot is manufactured by continuous casting, the thin plate ingot may be cold-rolled without going through this step.

次に、熱間圧延により得られた熱延材を冷間圧延する（工程（Ｓ４０））。本工程により、所定の厚みＷ２を有する冷延材（最終仕上げ冷間圧延工程（Ｓ５０）における被圧延材）が得られる。本工程において、冷間圧延はたとえば中間焼鈍工程を挟んで複数回行われる。たとえば、まず熱延材に対し第１冷間圧延工程（Ｓ４０Ａ）を実施して熱延材の厚みＷ１よりも薄く冷延材の厚みＷ２よりも厚い圧延材を形成する。次に、得られた圧延材に対し中間焼鈍工程（Ｓ４０Ｂ）を施す。中間焼鈍は、一般的な操業条件の範囲内であればよいが、例えば焼鈍温度を５０℃以上５００℃以下、焼鈍時間を１秒以上２０時間以下とする条件で行われる。次に、焼鈍後の圧延材に対し第２冷間圧延工程（Ｓ４０Ｃ）を実施して厚みＷ２の冷延材を形成する。   Next, the hot-rolled material obtained by hot rolling is cold-rolled (step (S40)). By this step, a cold-rolled material (the material to be rolled in the final finish cold rolling step (S50)) having a predetermined thickness W2 is obtained. In this step, cold rolling is performed a plurality of times, for example, with an intermediate annealing step. For example, the first cold rolling step (S40A) is first performed on the hot-rolled material to form a rolled material that is thinner than the hot-rolled material thickness W1 and thicker than the cold-rolled material thickness W2. Next, an intermediate annealing step (S40B) is performed on the obtained rolled material. The intermediate annealing may be performed within the range of general operating conditions. For example, the annealing is performed under conditions where the annealing temperature is 50 ° C. or more and 500 ° C. or less, and the annealing time is 1 second or more and 20 hours or less. Next, a 2nd cold rolling process (S40C) is implemented with respect to the rolled material after annealing, and the cold-rolled material of thickness W2 is formed.

次に、冷延材を最終仕上げ冷間圧延する（工程（Ｓ５０））。本工程では、圧延ロールを用いて被圧延材を最終仕上げ冷間圧延する。圧延ロールは被圧延材と接触して圧延するロール面を有している。被圧延材を挟んで配置される一対の圧延ロールのうち、少なくとも一方の圧延ロールのロール面の表面粗さＲａが５０ｎｍ以下であることが好ましい。表面粗さが５０ｎｍより大きい圧延ロールを用いて被圧延材を圧延すると、得られるアルミニウム基材は第１面の表面粗さＲaは２０ｎｍ以上となる。本工程で使用する圧延ロールの表面粗さＲａは、できるだけ小さいことが好ましく、より好ましくは４０ｎｍ以下である。このようにして、アルミニウム基材１が準備される。   Next, the final cold rolling of the cold rolled material is performed (step (S50)). In this step, the material to be rolled is subjected to final finish cold rolling using a rolling roll. The rolling roll has a roll surface that rolls in contact with the material to be rolled. It is preferable that the surface roughness Ra of the roll surface of at least one of the rolling rolls among the pair of rolling rolls arranged with the material to be rolled is 50 nm or less. When the material to be rolled is rolled using a rolling roll having a surface roughness greater than 50 nm, the resulting aluminum base material has a surface roughness Ra of the first surface of 20 nm or more. The surface roughness Ra of the rolling roll used in this step is preferably as small as possible, and more preferably 40 nm or less. In this way, the aluminum substrate 1 is prepared.

次に、得られたアルミニウム基材１の第１面１Ａ上に第１陽極酸化皮膜２が形成される（工程（Ｓ６０））。本工程（Ｓ６０）は一般的に公知となっている陽極酸化処理方法により実施され得る。陽極酸化処理は、例えば硫酸浴、ホウ酸浴、シュウ酸浴、およびリン酸浴からなる群から選択される少なくとも１つを電解液とし、これにアルミニウム基材１を浸漬させて陽極とし、該電解液中に浸漬させた他の電極を陰極とし、これらの間を通電することにより行われる。陽極酸化処理方法の各条件は、第１陽極酸化皮膜２の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下、第２面２Ａの表面粗さＲａが１５ｎｍ以下となるように、適宜選択される。好ましくは、硫酸浴が電解液に用いられる。このようにして、図１に示される本実施の形態に係るアルミニウム積層体１０を得ることができる。   Next, the first anodic oxide film 2 is formed on the first surface 1A of the obtained aluminum substrate 1 (step (S60)). This step (S60) can be performed by a generally known anodizing method. In the anodizing treatment, for example, at least one selected from the group consisting of a sulfuric acid bath, a boric acid bath, an oxalic acid bath, and a phosphoric acid bath is used as an electrolytic solution, and the aluminum substrate 1 is immersed in the electrolytic solution to form an anode. The other electrode immersed in the electrolytic solution is used as a cathode, and electricity is passed between them. Each condition of the anodizing method is appropriately selected so that the thickness of the first anodized film 2 is 2 μm or more and 20 μm or less, and the surface roughness Ra of the second surface 2A is 15 nm or less. Preferably, a sulfuric acid bath is used for the electrolyte. Thus, the aluminum laminated body 10 which concerns on this Embodiment shown by FIG. 1 can be obtained.

＜変形例＞
アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層は、Ｓｉを含んでいなくてもよい。上述のように、Ｓｉはアルミニウム基材１の機械的強度の向上に寄与するが、厚み等他のパラメータによって要求される機械的強度を確保し得る場合には、アルミニウム基材１はＳｉを含有していなくてもよい。この場合、アルミニウム基材１の第１面１Ａを含む表層におけるＡｌおよびＦｅ以外の残部を構成する上記不純物の含有量の合計は、０．１０質量％以下であればよい。 <Modification>
The surface layer including the first surface 1A of the aluminum substrate 1 may not contain Si. As described above, Si contributes to the improvement of the mechanical strength of the aluminum substrate 1, but when the mechanical strength required by other parameters such as thickness can be secured, the aluminum substrate 1 contains Si. You don't have to. In this case, the total content of the impurities constituting the balance other than Al and Fe in the surface layer including the first surface 1A of the aluminum substrate 1 may be 0.10% by mass or less.

図３に示されるように、アルミニウム積層体１１は、アルミニウム基材１の上記第３面１Ｂに接するように設けられている第２陽極酸化皮膜３をさらに備えていてもよい。第２陽極酸化皮膜３は、上記交差する方向において、第３面１Ｂから離れた位置にある第４面３Ｂを有している。つまり、アルミニウム積層体１１は、アルミニウム基材１と、アルミニウム基材１を挟むように設けられた第１陽極酸化皮膜２および第２陽極酸化皮膜３を備えている。   As shown in FIG. 3, the aluminum laminate 11 may further include a second anodized film 3 provided so as to be in contact with the third surface 1 </ b> B of the aluminum base 1. The 2nd anodic oxide film 3 has the 4th surface 3B in the position away from the 3rd surface 1B in the said crossing direction. That is, the aluminum laminate 11 includes the aluminum base 1 and the first anodic oxide film 2 and the second anodic oxide film 3 provided so as to sandwich the aluminum base 1.

図３に示されるアルミニウム積層体１１では、上記全体の厚みの値Ｔ１は、アルミニウム基材１の厚みの値Ｔ３（単位：μｍ）、第１陽極酸化皮膜２の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ）、および第２陽極酸化皮膜３の上記交差する方向の厚みの値Ｔ４（単位：μｍ）との和として表される。第２陽極酸化皮膜３の厚み、第１陽極酸化皮膜２の厚み以下である。第２陽極酸化皮膜３の厚みは、２μｍ以上２０μｍ以下である。   In the aluminum laminate 11 shown in FIG. 3, the total thickness value T1 is the thickness value T3 (unit: μm) of the aluminum base 1 and the thickness value T2 of the first anodic oxide film 2 (unit: μm). ) And the value T4 (unit: μm) of the thickness of the second anodic oxide film 3 in the intersecting direction. The thickness of the second anodized film 3 is equal to or less than the thickness of the first anodized film 2. The thickness of the second anodic oxide film 3 is not less than 2 μm and not more than 20 μm.

アルミニウム積層体１１は、関係式Ｔ１＋１０×Ｔ２≦２３０を満足する。すなわち、アルミニウム積層体１１は、関係式Ｔ１＋１０×Ｔ４≦Ｔ１＋１０×Ｔ２≦２３０を満足する。上記関係式を満足するアルミニウム積層体１１は、実施の形態１に係るアルミニウム積層体１０と同様の効果を奏することができ、高い曲げ加工性を有している。好ましくは、アルミニウム積層体１１は、関係式Ｔ１＋１０×（Ｔ２＋Ｔ４）≦２３０を満足する。   The aluminum laminate 11 satisfies the relational expression T1 + 10 × T2 ≦ 230. That is, the aluminum laminate 11 satisfies the relational expression T1 + 10 × T4 ≦ T1 + 10 × T2 ≦ 230. The aluminum laminate 11 that satisfies the above relational expression can achieve the same effects as the aluminum laminate 10 according to Embodiment 1, and has high bending workability. Preferably, the aluminum laminate 11 satisfies the relational expression T1 + 10 × (T2 + T4) ≦ 230.

アルミニウム積層体１１において、アルミニウム基材１の第３面１Ｂを含む表層は、第１面１Ａを含む表層と同様に、アルミニウム純度が９９．９質量％以上であり、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄を含む。このようなアルミニウム基材１は、上述したアルミニウム積層体１０の製造方法の上記工程（Ｓ１０）〜（Ｓ５０）と同様の方法により準備され得る。   In the aluminum laminate 11, the surface layer including the third surface 1B of the aluminum substrate 1 has an aluminum purity of 99.9% by mass or more, and 0.001% by mass or more 0 similarly to the surface layer including the first surface 1A. 0.02 mass% or less of iron is included. Such an aluminum substrate 1 can be prepared by a method similar to the steps (S10) to (S50) of the method for manufacturing the aluminum laminate 10 described above.

アルミニウム積層体１１において、第２陽極酸化皮膜３は、上記第１陽極酸化皮膜２と同様に、第４面３Ｂの表面粗さＲａが１５ｎｍ以下である。このような第２陽極酸化皮膜３は、上述したアルミニウム積層体１０の製造方法の上記工程（Ｓ６０）と同様の方法により形成され得る。このようなアルミニウム積層体１１では、第１陽極酸化皮膜２の第２面２Ａおよび第２陽極酸化皮膜３の第４面３Ｂが、高い光沢度および高い全反射率を有する。   In the aluminum laminate 11, the second anodic oxide film 3 has a surface roughness Ra of the fourth surface 3B of 15 nm or less, like the first anodic oxide film 2. Such a second anodic oxide film 3 can be formed by a method similar to the above-described step (S60) of the method for manufacturing the aluminum laminate 10 described above. In such an aluminum laminate 11, the second surface 2A of the first anodic oxide coating 2 and the fourth surface 3B of the second anodic oxide coating 3 have high gloss and high total reflectance.

上記アルミニウム積層体１１において、アルミニウム基材１の第３面１Ｂを含む表層の組成は、第１面１Ａを含む表層の組成と異なっていてもよいが、好ましくは同じである。アルミニウム基材１は、例えばクラッド材の様に、第１面１Ａを含む表層および第３面１Ｂを含む表層の各組成と、これらに挟まれている中間層の組成とが異なっていてもよい。   In the aluminum laminate 11, the composition of the surface layer including the third surface 1B of the aluminum substrate 1 may be different from the composition of the surface layer including the first surface 1A, but is preferably the same. The aluminum base material 1 may have different compositions of the surface layer including the first surface 1A and the surface layer including the third surface 1B, and the composition of the intermediate layer sandwiched between them, like a clad material, for example. .

図４に示されるように、上記アルミニウム積層体の製造方法において、上記工程（Ｓ５０）の後であって上記工程（Ｓ６０）の前に、最終仕上げ冷間圧延により得られたアルミニウム基材を研磨加工する工程（Ｓ７０）が実施されてもよい。本工程（Ｓ７０）では、上記アルミニウム基材において第１面１Ａとなるべき表面が研磨加工され、第１面１Ａを有するアルミニウム基材１が形成される。上記アルミニウム積層体１１の製造方法においては、第１面１Ａとなるべき表面および第３面１Ｂとなるべき表面が研磨加工され、第１面１Ａおよび第３面１Ｂを有するアルミニウム基材１が形成される。研磨加工方法は、物理的な研磨、電解研磨、および化学研磨等のうちから選択され得るが、これに限られるものではない。   As shown in FIG. 4, in the method for manufacturing the aluminum laminate, the aluminum substrate obtained by final finish cold rolling is polished after the step (S50) and before the step (S60). The process (S70) to process may be implemented. In this step (S70), the surface of the aluminum base material to be the first surface 1A is polished to form the aluminum base material 1 having the first surface 1A. In the manufacturing method of the aluminum laminate 11, the surface to be the first surface 1A and the surface to be the third surface 1B are polished to form the aluminum substrate 1 having the first surface 1A and the third surface 1B. Is done. The polishing method can be selected from physical polishing, electrolytic polishing, chemical polishing, and the like, but is not limited thereto.

上記アルミニウム積層体の製造方法において、上記工程（Ｓ５０）の後であって上記工程（Ｓ６０）の前に、最終仕上げ冷間圧延により得られたアルミニウム基材を所定の形に成形する工程が実施されてもよい。もしくは上記工程（Ｓ６０）の後に、工程（Ｓ６０）により得られた上記アルミニウム積層体１０，１１を成型する工程が実施されてもよい。また、上記工程（Ｓ６０）の後に、アルミニウム積層体１０の少なくとも１つの面上に、例えばアルミニウム基材１の第３面１Ｂ上に、皮膜を形成する工程が実施されてもよい。該皮膜を構成する材料は、樹脂、金属、およびセラミックス等からなる群から選択される少なくとも１つである。上記皮膜は例えば接着層であり、上記皮膜を形成する工程の後に、該皮膜を介してアルミニウム積層体１０，１１を他の部材または壁等に接着させる工程が実施されてもよい。また、上記工程（Ｓ６０）の後に、工程（Ｓ６０）により得られた上記アルミニウム積層体１０，１１の第１陽極酸化皮膜２および第２陽極酸化皮膜３の少なくともいずれかのポーラス部に、着色処理および封孔処理を施してもよいし、封孔処理のみを施してもよい。なお、着色処理は、任意の方法であればよいが、例えば染料や顔料を吸着させる方法であってもよいし、二次電解着色法であってもよい。   In the method for manufacturing an aluminum laminate, a step of forming an aluminum substrate obtained by final finish cold rolling into a predetermined shape is performed after the step (S50) and before the step (S60). May be. Or the process of shape | molding the said aluminum laminated bodies 10 and 11 obtained by the process (S60) may be implemented after the said process (S60). Moreover, the process of forming a film | membrane on the 3rd surface 1B of the aluminum base material 1 may be implemented after the said process (S60) on the at least 1 surface of the aluminum laminated body 10, for example. The material constituting the film is at least one selected from the group consisting of resin, metal, ceramics and the like. The film is, for example, an adhesive layer, and after the step of forming the film, a step of bonding the aluminum laminates 10 and 11 to another member or a wall or the like through the film may be performed. Further, after the step (S60), at least one of the porous portions of the first anodic oxide film 2 and the second anodic oxide film 3 of the aluminum laminates 10, 11 obtained by the step (S60) is colored. Further, the sealing process may be performed or only the sealing process may be performed. The coloring process may be any method, but may be, for example, a method of adsorbing a dye or pigment, or a secondary electrolytic coloring method.

以下に説明するように本実施の形態の実施例と比較例のアルミニウム積層体の試料を作製し、それらの光沢度、全反射率、曲げ加工性および絶縁破壊電圧を評価した。   As described below, samples of the aluminum laminates of Examples and Comparative Examples of the present embodiment were prepared, and their glossiness, total reflectivity, bending workability, and dielectric breakdown voltage were evaluated.

Figure 2019147974
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まず、表１および表２に示されるアルミニウム純度およびＦｅの含有量が異なるアルミニウムを用いて、以下に示す製造工程に従って、実施例および比較例のアルミニウム基材を作製した。   First, using aluminum having different aluminum purity and Fe content shown in Tables 1 and 2, aluminum base materials of Examples and Comparative Examples were produced according to the following production steps.

ＤＣ鋳造によって得られたアルミニウムの鋳塊を加熱炉にて均質化熱処理を行った。その後、厚みが約６．５ｍｍになるまで熱間圧延を行った。得られた熱間圧延材に対し、厚みが所定の値になるまで、複数回の冷間圧延を行った。複数回の冷間圧延は中間焼鈍を挟んで実施し、表１および表２に示す厚みのアルミニウム基材を作製した。   The aluminum ingot obtained by DC casting was subjected to homogenization heat treatment in a heating furnace. Thereafter, hot rolling was performed until the thickness became about 6.5 mm. The obtained hot-rolled material was cold-rolled a plurality of times until the thickness reached a predetermined value. A plurality of cold rolling operations were performed with intermediate annealing in between, and aluminum substrates having thicknesses shown in Tables 1 and 2 were produced.

この際、実施例１〜１０および比較例１〜９，１２〜１８については、最終仕上げ冷間圧延において表面粗さＲａが４０ｎｍの圧延ロールを使用して圧延を行った。比較例１０，１１については、最終仕上げ冷間圧延において面粗さＲａが５０ｎｍの圧延ロールを使用して圧延を行った。比較例１９〜２１については、最終仕上げ冷間圧延において表面粗さＲａが１５０ｎｍの圧延ロールを使用して圧延を行った。   At this time, Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 9 and 12 to 18 were rolled using a rolling roll having a surface roughness Ra of 40 nm in the final finish cold rolling. For Comparative Examples 10 and 11, rolling was performed using a rolling roll having a surface roughness Ra of 50 nm in the final finish cold rolling. About Comparative Examples 19-21, it rolled using the rolling roll whose surface roughness Ra is 150 nm in the final finish cold rolling.

なお、各試料に対し、均質化熱処理は、加熱温度を４００℃以上６３０℃以下、加熱時間を１時間以上２０時間以下とする条件で行った。各試料に対し、中間焼鈍は、例えば焼鈍温度を５０℃以上５００℃以下、焼鈍時間を１秒以上２０時間以下とする条件で行った。各実施例のアルミニウム基材の第１面の表面粗さＲａは１５ｎｍ以下であった。   Note that the homogenization heat treatment was performed on each sample under the conditions of a heating temperature of 400 ° C. to 630 ° C. and a heating time of 1 hour to 20 hours. For each sample, the intermediate annealing was performed, for example, under conditions where the annealing temperature was 50 ° C. or higher and 500 ° C. or lower, and the annealing time was 1 second or longer and 20 hours or shorter. Surface roughness Ra of the 1st surface of the aluminum base material of each Example was 15 nm or less.

上記のようにして得られたアルミニウム基材に対し、陽極酸化処理を行った。電解液は、１５体積％の硫酸を含み浴温度２１℃の水溶液とした。各試料を当該電解液に浸漬させて陽極とし、これと陰極との間に電流密度１３０ｍＡ／ｍ2の電流を所定時間流し、陽極酸化処理を行った。各試料の陽極酸化処理時間は、所定の厚みの陽極酸化被覆層が得られる時間とした。つまり、各試料に対する陽極酸化処理条件は、陽極酸化処理時間以外は同等とした。 The aluminum base material obtained as described above was anodized. The electrolyte was an aqueous solution containing 15% by volume sulfuric acid and having a bath temperature of 21 ° C. Each sample was immersed in the electrolytic solution to form an anode, and a current having a current density of 130 mA / m 2 was passed between the cathode and the cathode for a predetermined time to perform anodization. The anodizing time for each sample was set to a time for obtaining an anodized coating layer having a predetermined thickness. That is, the anodizing conditions for each sample were the same except for the anodizing time.

さらに、全試料に対し、封孔処理を行った。実施例２〜１０、及び比較例２、４〜２１の封孔処理は、陽極酸化皮膜が形成されている各試料を、濃度５ｇ／Ｌの酢酸ニッケルと濃度５ｇ／Ｌの硼酸とを含み浴温度９０℃の水溶液中に２０分浸漬させ、次いで温度９８℃の純水中に２０分浸漬させることにより行った。実施例１及び比較例１、３の封孔処理は、温度６６℃の純水中に５分浸漬させることにより行った。   Furthermore, the sealing process was performed with respect to all the samples. In the sealing treatments of Examples 2 to 10 and Comparative Examples 2 and 4 to 21, each sample on which an anodized film was formed contained nickel acetate having a concentration of 5 g / L and boric acid having a concentration of 5 g / L. It was immersed in an aqueous solution having a temperature of 90 ° C. for 20 minutes and then immersed in pure water having a temperature of 98 ° C. for 20 minutes. The sealing treatment of Example 1 and Comparative Examples 1 and 3 was performed by immersing in pure water at a temperature of 66 ° C. for 5 minutes.

このようにして作成された各試料を、以下の評価方法により評価した。評価結果は表１〜表４に示される。   Each sample thus prepared was evaluated by the following evaluation method. The evaluation results are shown in Tables 1 to 4.

＜評価方法＞
得られた陽極酸化皮膜の厚みは、株式会社バイテック製Ｆｉｌｍｅｔｒｉｃｓ Ｆ２０を用い、以下のような測定方法により行った。アルミニウム積層体の上記第３面に可視光を照射したときに得られた反射光から、４００ｎｍから１１００ｎｍまでの波長範囲での反射率スペクトラムを得た。得られた反射率スペクトラムと、干渉部分の谷もしくは山部分が理論上のスペクトラムと同じ波長になるようフィッティングを行い、膜厚を導出した。 <Evaluation method>
The thickness of the obtained anodic oxide film was measured by the following measuring method using Vimetrics F20 manufactured by Vitec Co., Ltd. From the reflected light obtained when the third surface of the aluminum laminate was irradiated with visible light, a reflectance spectrum in a wavelength range from 400 nm to 1100 nm was obtained. Fitting was performed so that the obtained reflectance spectrum and the valley or peak of the interference part had the same wavelength as the theoretical spectrum, and the film thickness was derived.

絶縁破壊電圧はヤマヨ試験器有限会社製の絶縁破壊試験装置ＹＳＴ−２４３−３０ＲＯを用いて測定した。５０ｍｍ×５０ｍｍに切った試験片の２Ａ面から通電させてゆき、１Ｂ面に電流５ｍＡ以上が流れた時点を絶縁破壊電圧とした。なお、電圧は５０Ｖ／秒のスピードで上昇させた。   The dielectric breakdown voltage was measured using a dielectric breakdown test apparatus YST-243-30RO manufactured by Yamayo Tester Co., Ltd. Electricity was applied from the 2A surface of the test piece cut to 50 mm × 50 mm, and the time when a current of 5 mA or more flowed to the 1B surface was defined as a dielectric breakdown voltage. The voltage was increased at a speed of 50 V / second.

封孔度アドミッタンスＹ値は、ＪＩＳ Ｈ ８６８３（２０１３年版）に基づいて測定した。封孔度アドミッタンスＹ値は、フィッシャー・インストルメンツ製ＡＮＯＴＥＳＴＹＭＰ３０−Ｓを用いて、測定面積を２８．２６ｍｍ２としたときのアドミッタンスを測定した。 The sealing degree admittance Y value was measured based on JIS H 8683 (2013 edition). Sealing degree admittance Y value measured admittance when the measurement area was set to 28.26 mm < 2 > using Fisher Instruments ANOTESTYMP30-S.

原子間力顕微鏡による表面凹凸の観察は、株式会社日立ハイテクサイエンス製の走査型プローブ顕微鏡ＡＦＭ５０００ＩＩを用いて、ダイナミックフォースモード方式（非接触）による表面形状を８０μｍ×８０μｍの矩形の視野で行った。得られた観察結果に対して、最小二乗近似によって曲面を求めてフィッティングを行う３次曲面自動傾き補正で試料の傾きを補正し、表面粗さＲａを測定した。表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１年版）およびＩＳＯ４２８７（１９９７年版）で定義されている算術平均粗さＲａを、観察された表面全体に対して適用できるように三次元に拡張して算出された値である。   Observation of surface irregularities with an atomic force microscope was performed using a scanning probe microscope AFM5000II manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd., and the surface shape was 80 μm × 80 μm in a rectangular field of view using a dynamic force mode method (non-contact). With respect to the obtained observation results, the inclination of the sample was corrected by third-order curved surface automatic inclination correction in which a curved surface was obtained by least square approximation and fitting was performed, and the surface roughness Ra was measured. The surface roughness Ra is calculated by extending the arithmetic average roughness Ra defined in JIS B0601 (2001 edition) and ISO 4287 (1997 edition) in three dimensions so that it can be applied to the entire observed surface. Value.

光沢度の測定は、日本電色工業株式会社製Ｇｌｏｓｓ ｍｅｔｅｒ ＶＧ７０００を用い、光入射角６０°で光沢度を測定した。光沢度の測定は圧延方向（ＲＤ）と圧延方向に対して垂直な方向（ＴＤ）との二つの方向で測定し、それぞれの方向の値を評価した。光沢度が高いほど金属光沢感が得られている。   The glossiness was measured using a Gloss meter VG7000 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., with a light incident angle of 60 °. The glossiness was measured in two directions, ie, a rolling direction (RD) and a direction perpendicular to the rolling direction (TD), and the value in each direction was evaluated. The higher the glossiness, the better the metallic luster.

全反射率の測定は、日本分光株式会社製紫外可視分光光度計Ｖ５７０を用い、Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ社製積分球用標準白板スペクトラロンをリファレンスとして積分球での全反射率を波長域２５０ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲で測定した。得られた全反射率測定値から、波長域４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視光の平均値を求めた。全反射率の測定は圧延方向（ＲＤ）と圧延方向に対して垂直な方向（ＴＤ）との二つの方向で測定し、これらの平均値として全反射率を評価した。   The total reflectance is measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer V570 manufactured by JASCO Corporation, and the total reflectance of the integrating sphere in the wavelength range of 250 nm to 2000 nm with reference to the standard white plate Spectralon for integrating sphere manufactured by Labsphere. It was measured. The average value of visible light in the wavelength range of 400 nm to 800 nm was obtained from the obtained total reflectance measurement value. The total reflectance was measured in two directions, a rolling direction (RD) and a direction perpendicular to the rolling direction (TD), and the total reflectance was evaluated as an average value of these.

曲げ加工性は、上述した曲げ加工が施された各試料に対し、各陽極酸化皮膜のクラックの有無を観察することにより、評価した。   The bending workability was evaluated by observing the presence or absence of cracks in each anodized film for each sample subjected to the bending process described above.

具体的には、まず、各実施例及び比較例の試験片を圧延方向（ＲＤ）１００ｍｍ、圧延方向に対して垂直な方向（ＴＤ）に１５ｍｍ切り出した。さらに、段階的に異なる直径を有する複数の円筒を準備した。次に、切り出された各小片を、直径が最も長い円筒の外周面に沿わせ、かつ１０秒間保持した。次に、このような曲げ加工後の陽極酸化皮膜表面を目視観察した。目視観察において陽極酸化皮膜にクラックが確認されなかったものは、先に用いた円筒よりも直径が短い円筒の外周面に沿わせ、１０秒間保持した後の陽極酸化皮膜表面を目視観察した。このように、陽極酸化皮膜にクラックが確認されなかったものについては、段階的に直径がより短い円筒を用いて上記曲げ加工および上記評価を実施した。表３，４中の最小直径は、各試験片について、陽極酸化皮膜にクラックが確認されなかった上記曲げ加工に用いられた円筒の直径の最小値（単位：ｍｍ）を示す。   Specifically, first, the test pieces of each Example and Comparative Example were cut out in a rolling direction (RD) of 100 mm and a direction perpendicular to the rolling direction (TD) by 15 mm. Furthermore, a plurality of cylinders having different diameters were prepared in stages. Next, each piece cut out was placed along the outer peripheral surface of the cylinder with the longest diameter and held for 10 seconds. Next, the surface of the anodized film after such bending was visually observed. In the case where no crack was confirmed in the anodized film by visual observation, the surface of the anodized film after being held for 10 seconds was visually observed along the outer peripheral surface of the cylinder whose diameter was shorter than that of the previously used cylinder. As described above, for the case where no crack was confirmed in the anodized film, the bending process and the evaluation were performed using a cylinder having a diameter that was gradually reduced. The minimum diameter in Tables 3 and 4 indicates the minimum value (unit: mm) of the diameter of the cylinder used for the bending process in which no crack was confirmed in the anodized film for each test piece.

＜評価結果＞   <Evaluation results>

Figure 2019147974
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実施例１〜１０は、アルミニウム純度が９９．９質量％以上であり、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄を含むアルミニウム基材と、第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であって、厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である陽極酸化皮膜とを備え、かつ上記関係式を満足する。実施例１〜１０の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ以上であった。陽極酸化皮膜の厚みが２μｍ以上９μｍ未満である実施例１〜６、８においても、絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ以上であった。   In Examples 1 to 10, the aluminum purity is 99.9% by mass or more, the aluminum base material containing iron of 0.001% by mass or more and 0.02% by mass or less, and the surface roughness Ra of the second surface is 15 nm. And an anodized film having a thickness of 2 μm or more and 20 μm or less and satisfying the above relational expression. The dielectric breakdown voltage of the anodic oxide films of Examples 1 to 10 was 0.2 kV or higher. In Examples 1 to 6 and 8 where the thickness of the anodized film was 2 μm or more and less than 9 μm, the dielectric breakdown voltage was 0.2 kV or more.

これに対し、比較例２，６，７は、上述した５つのパラメータ、すなわちアルミニウム基材のアルミニウム純度および鉄の含有量、陽極酸化皮膜の表面粗さおよび厚み、ならびに上記関係式に関し、陽極酸化皮膜の厚みが２μｍ未満である点でのみ実施例１〜１０とは異なるものである。比較例２，６，７の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ未満であった。   On the other hand, Comparative Examples 2, 6, and 7 are related to the above-mentioned five parameters, namely, the aluminum purity and iron content of the aluminum base material, the surface roughness and thickness of the anodized film, and the above relational expression, and the anodic oxidation. It differs from Examples 1-10 only in that the thickness of the film is less than 2 μm. The dielectric breakdown voltage of the anodic oxide films of Comparative Examples 2, 6, and 7 was less than 0.2 kV.

また、比較例１４，１５は、上述した５つのパラメータに関し、アルミニウム基材の鉄の含有量が０．０２質量％超えである点でのみ実施例１〜１０とは異なるものである。アルミニウム積層体である。比較例１４，１５の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ未満であった。   Moreover, the comparative examples 14 and 15 differ from Examples 1-10 only in the point whose iron content of an aluminum base material exceeds 0.02 mass% regarding the five parameters mentioned above. It is an aluminum laminate. The dielectric breakdown voltages of the anodic oxide films of Comparative Examples 14 and 15 were less than 0.2 kV.

また、比較例１９は、上述した５つのパラメータに関し、第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ超えである点でのみ実施例１〜１０とは異なるものである。比較例１９の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ未満であった。   Moreover, the comparative example 19 differs from Examples 1-10 only in that the surface roughness Ra of the second surface exceeds 15 nm with respect to the five parameters described above. The dielectric breakdown voltage of the anodized film of Comparative Example 19 was less than 0.2 kV.

また、実施例１の陽極酸化皮膜は、上記厚みが４．７μｍであって、封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ超えである。実施例２，４，５，１０の陽極酸化皮膜は、上記厚みが２μｍ以上３μｍ以下であって、封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ未満である。これに対し、比較例１，３は、上述した５つのパラメータに関しては実施例１〜１０と同等であるが、封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ超えである点でのみ実施例２〜１０と異なるものである。特に、実施例４と比較例３とは、陽極酸化皮膜の封孔度のみが異なるものであり、実施例４は、比較例３よりも封孔度アドミッタンスＹ値が低い、すなわち封孔度が高いものである。実施例１〜１０の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は上述のように０．２ｋＶ以上であったのに対し、比較例１，３，１８の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は０．２ｋＶ未満であった。   The anodized film of Example 1 has a thickness of 4.7 μm and a sealing degree admittance Y value exceeding 100 μS. The anodic oxide films of Examples 2, 4, 5, and 10 have a thickness of 2 μm or more and 3 μm or less, and a sealing degree admittance Y value of less than 100 μS. In contrast, Comparative Examples 1 and 3 are equivalent to Examples 1 to 10 with respect to the five parameters described above, but differ from Examples 2 to 10 only in that the sealing degree admittance Y value exceeds 100 μS. Is. In particular, Example 4 and Comparative Example 3 differ only in the degree of sealing of the anodized film, and Example 4 has a lower sealing degree admittance Y value than Comparative Example 3, that is, the degree of sealing is low. It is expensive. The dielectric breakdown voltage of the anodic oxide films of Examples 1 to 10 was 0.2 kV or higher as described above, whereas the dielectric breakdown voltage of the anodic oxide films of Comparative Examples 1, 3 and 18 was less than 0.2 kV. there were.

以上の結果から、上記アルミニウム基材上の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は陽極酸化皮膜の封孔度よりも陽極酸化皮膜の厚みおよびアルミニウム基材の鉄の含有量に依存し、絶縁破壊電圧を０．２ｋＶ以上とするには陽極酸化皮膜の厚みの下限値を２μｍとし、かつアルミニウム基材の鉄の含有量の下限値を０．０２質量％とすべきことが確認された。   From the above results, the dielectric breakdown voltage of the anodized film on the aluminum substrate depends on the thickness of the anodized film and the iron content of the aluminum substrate rather than the sealing degree of the anodized film. In order to make it 0.2 kV or more, it was confirmed that the lower limit of the thickness of the anodized film should be 2 μm and the lower limit of the iron content of the aluminum base should be 0.02 mass%.

また、陽極酸化皮膜の厚みが２μｍ以上３μｍ以下と比較的薄い場合には、上記アルミニウム基材上の陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧は封孔度に依存し、絶縁破壊電圧を０．２ｋＶ以上とするには封孔度アドミッタンスＹ値の上限値を１００μＳとすべきことが確認された。   In addition, when the thickness of the anodic oxide film is relatively thin, such as 2 μm or more and 3 μm or less, the dielectric breakdown voltage of the anodic oxide film on the aluminum substrate depends on the sealing degree, and the dielectric breakdown voltage is 0.2 kV or more. In order to achieve this, it was confirmed that the upper limit value of the sealing admittance Y value should be 100 μS.

さらに、本発明者らは、実施例１〜１０および比較例１〜２１の各試料について、曲げ加工試験において陽極酸化皮膜にクラックが確認されなかった上記曲げ加工に用いられた円筒の直径の最短値（単位：ｍｍ）が、アルミニウム基材および陽極酸化皮膜の上記交差する方向の全体の厚みの値をＴ１、陽極酸化皮膜の上記交差する方向の厚みの値をＴ２としたときの値Ｔ１＋１０×Ｔ２と相関することを見出した。相関係数Ｒ2は０．９２超であった。上記関係式を満足する実施例１〜１０は、少なくとも直径が５０ｍｍである円筒の外周面に沿って曲げ加工されても、その第１陽極酸化皮膜２にクラックが確認されなかった。さらに、上記値Ｔ１が９μｍ未満であって上記値Ｔ１＋１０×Ｔ２が１５０以下である実施例１〜６，８は、直径が３２ｍｍである円筒の外周面に沿って曲げ加工されても、その第１陽極酸化皮膜２にクラックが確認されなかった。さらに、上記値Ｔ１＋１０×Ｔ２が１００以下である実施例６，８は、直径が１６ｍｍである円筒の外周面に沿って曲げ加工されても、その第１陽極酸化皮膜２にクラックが確認されなかった。 Furthermore, the present inventors made the shortest of the diameter of the cylinder used for the said bending process by which the crack was not confirmed by the bending process test about each sample of Examples 1-10 and Comparative Examples 1-21. The value (unit: mm) is T1 + 10 ×, where T1 is the total thickness value of the aluminum substrate and the anodized film in the intersecting direction, and T2 is the thickness value of the anodized film in the intersecting direction. It was found to correlate with T2. The correlation coefficient R 2 was greater than 0.92. In Examples 1 to 10 that satisfy the above relational expression, no cracks were confirmed in the first anodic oxide film 2 even when bending was performed along the outer peripheral surface of a cylinder having a diameter of at least 50 mm. Further, in Examples 1 to 6, 8 in which the value T1 is less than 9 μm and the value T1 + 10 × T2 is 150 or less, even if the bending is performed along the outer peripheral surface of the cylinder having a diameter of 32 mm, 1 No cracks were observed in the anodized film 2. Further, in Examples 6 and 8 in which the above value T1 + 10 × T2 is 100 or less, no cracks are confirmed in the first anodic oxide film 2 even when being bent along the outer peripheral surface of a cylinder having a diameter of 16 mm. It was.

一方、上記関係式を満足しない比較例４，５，８，９，１１〜１３，１５，２１は、直径が５０ｍｍ以上である円筒の外周面に沿って曲げ加工されたときに、陽極酸化皮膜にクラックが確認された。   On the other hand, Comparative Examples 4, 5, 8, 9, 11-13, 15, and 21 that do not satisfy the above relational expression show an anodized film when bent along the outer peripheral surface of a cylinder having a diameter of 50 mm or more. Cracks were confirmed.

本発明者らは、陽極酸化皮膜の厚みＴ２が２μｍ以上と比較的厚いアルミニウム積層体であっても、上記関係式を満足している限りにおいて高い曲げ加工性が実現されることを確認した。   The present inventors have confirmed that high bending workability can be realized even if the anodized film thickness T2 is a relatively thick aluminum laminate of 2 μm or more as long as the above relational expression is satisfied.

例えば実施例６の陽極酸化皮膜の厚みは、比較例８，９と同等であるが、比較例８，９と比べてアルミニウム基材の厚みが１００μｍ以上薄い。上記関係式を満足する実施例６は、曲げ加工試験において最小直径が２５ｍｍである円筒の外周に巻き回したときにもクラックが確認されなかった。一方、上記関係式を満足しない比較例８，９は、曲げ加工試験において直径が５０ｍｍである円筒の外周に巻き回したときにクラックが確認された。   For example, the thickness of the anodized film of Example 6 is equivalent to that of Comparative Examples 8 and 9, but the thickness of the aluminum substrate is 100 μm or more thinner than that of Comparative Examples 8 and 9. In Example 6 satisfying the above relational expression, no cracks were observed when wound around the outer periphery of a cylinder having a minimum diameter of 25 mm in a bending test. On the other hand, in Comparative Examples 8 and 9, which did not satisfy the above relational expression, cracks were confirmed when wound around the outer periphery of a cylinder having a diameter of 50 mm in a bending test.

本発明者らは、上記関係式中の左辺Ｔ１＋１０×Ｔ２の係数１および１０は、アルミニウム基材および陽極酸化皮膜の曲げ加工性に対する影響度の違いに関係していると考えている。陽極酸化皮膜は、アルミニウム基材と比べて延性が低い。そのため、陽極酸化皮膜は、アルミニウム基材と比べて、曲げ加工性に対する影響度が高いと考えられる。例えば、アルミニウム積層体の厚みが数十μｍ増減された場合であって、その増減がアルミニウム基材の厚みの増減に起因する場合には、その増減によっては曲げ加工性は大きく変わらない。これに対し、アルミニウム積層体の厚みが数十μｍ増減された場合であって、その増減が陽極酸化皮膜の厚みの増減に起因する場合には、その増減によっては曲げ加工性は大きく変わる。このことは、本評価結果に表されている。   The present inventors believe that the coefficients 1 and 10 of the left side T1 + 10 × T2 in the above relational expression are related to the difference in the degree of influence on the bending workability of the aluminum base material and the anodized film. The anodized film has a lower ductility than the aluminum base material. Therefore, it is considered that the anodized film has a higher influence on the bending workability than the aluminum base material. For example, when the thickness of the aluminum laminate is increased or decreased by several tens of μm, and the increase or decrease is caused by the increase or decrease of the thickness of the aluminum base material, the bending workability does not change greatly depending on the increase or decrease. On the other hand, when the thickness of the aluminum laminate is increased or decreased by several tens of μm, and the increase or decrease is caused by the increase or decrease of the thickness of the anodized film, the bending workability changes greatly depending on the increase or decrease. This is shown in the evaluation results.

さらに、実施例１〜１０は、光沢度がＲＤ方向およびＴＤ方向において６３％以上、可視光全反射率が８３％以上であり、高い光沢度および高い全反射率を有していた。これに対し、比較例１０，１１，１６，１７，１９〜２１は、少なくとも光沢度および可視光全反射率のいずれかが上記数値範囲を満たしていなかった。   Further, in Examples 1 to 10, the glossiness was 63% or more in the RD direction and the TD direction, the visible light total reflectance was 83% or more, and the glossiness was high and the total reflectance was high. On the other hand, in Comparative Examples 10, 11, 16, 17, and 19 to 21, at least one of glossiness and visible light total reflectance did not satisfy the above numerical range.

アルミニウム基材のアルミニウム純度が９９．９質量％より低く、かつアルミニウム基材のＦｅの含有量が０．０５２質量％より多い比較例１６，１７は、陽極酸化皮膜の表面粗さＲａが１５ｎｍ超えであって、光沢度が６３％未満、可視光全反射率が８３％未満であり、高い光沢度および高い全反射率を有していなかった。さらに、陽極酸化皮膜の厚みが１μｍ未満である比較例６は、可視光全反射率が８３％未満であり、高い全反射率を有していなかった。さらに、陽極酸化皮膜の表面粗さＲａが１５ｎｍ超えである比較例１０，１１，１９〜２１は、光沢度が６３％未満、可視光全反射率が８３％未満であり、高い光沢度および高い全反射率を有していなかった。   In Comparative Examples 16 and 17 in which the aluminum purity of the aluminum base material is lower than 99.9% by mass and the Fe content of the aluminum base material is higher than 0.052% by mass, the surface roughness Ra of the anodized film exceeds 15 nm. The glossiness was less than 63%, the visible light total reflectance was less than 83%, and the glossiness was not high and the total reflectance was not high. Further, Comparative Example 6 in which the thickness of the anodized film was less than 1 μm had a visible light total reflectance of less than 83% and did not have a high total reflectance. Further, Comparative Examples 10, 11, and 19 to 21 in which the surface roughness Ra of the anodized film is more than 15 nm have a glossiness of less than 63% and a visible light total reflectance of less than 83%, and a high glossiness and a high glossiness. It did not have total reflectivity.

以上の結果より、本実施の形態によって、高い電気的絶縁性および高い曲げ加工性を有するとともに、高い光沢度および高い全反射率を有するアルミニウム積層体を提供できることが確認された。本実施の形態に係るアルミニウム積層体は、液晶、有機ＥＬ、電子ペーパなどのディスプレイ、薄膜太陽電池、およびタッチパネルを構成する電子デバイスの基板に特に好適である。   From the above results, it was confirmed that this embodiment can provide an aluminum laminate having high electrical insulation and high bending workability, as well as high glossiness and high total reflectance. The aluminum laminate according to the present embodiment is particularly suitable for a substrate of an electronic device that constitutes a display such as a liquid crystal, an organic EL, and electronic paper, a thin film solar cell, and a touch panel.

今回開示された実施の形態と実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は以上の実施の形態と実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正と変形を含むものであることが意図される。   It should be considered that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is shown not by the above embodiments and examples but by the scope of claims, and is intended to include all modifications and variations within the meaning and scope equivalent to the scope of claims. .

１ アルミニウム基材、１Ａ 第１面、１Ｂ 第３面、２ 第１陽極酸化皮膜、２Ａ 第２面、３ 第２陽極酸化皮膜、３Ｂ 第４面、４ 基板、１０，１１ アルミニウム積層体。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Aluminum base material, 1A 1st surface, 1B 3rd surface, 2 1st anodized film, 2A 2nd surface, 3nd 2nd anodized film, 3B 4th surface, 4 board | substrate 10,11 11 Aluminum laminated body.

Claims (6)

第１面を有するアルミニウム基材と、
前記第１面に接して形成されており、かつ、前記第１面と交差する方向において前記第１面から離れた位置にある第２面を有する第１陽極酸化皮膜とを備え、
前記アルミニウム基材の前記第１面を含む表層は、純度９９．９質量％以上であるアルミニウムと、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄とを含み、
前記第１陽極酸化皮膜の前記第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であり、
前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下であり、
前記アルミニウム基材および前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みの合計値Ｔ１（単位：μｍ）と前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ）との関係がＴ１＋１０×Ｔ２≦２３０であり、
前記第１陽極酸化皮膜の封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ未満である、アルミニウム積層体。 An aluminum substrate having a first surface;
A first anodic oxide film that is formed in contact with the first surface and has a second surface that is located away from the first surface in a direction intersecting the first surface;
The surface layer including the first surface of the aluminum base material includes aluminum having a purity of 99.9% by mass or more, and iron of 0.001% by mass to 0.02% by mass,
The surface roughness Ra of the second surface of the first anodic oxide film is 15 nm or less,
A thickness of the first anodized film in the intersecting direction is 2 μm or more and 20 μm or less;
A total value T1 (unit: μm) of thicknesses in the intersecting direction of the aluminum base material and the first anodic oxide film, and a value T2 (unit: μm) of thicknesses in the intersecting direction of the first anodic oxide film The relationship is T1 + 10 × T2 ≦ 230,
The aluminum laminated body whose sealing degree admittance Y value of a said 1st anodic oxide film is less than 100 microseconds. 第１面を有するアルミニウム基材と、
前記第１面に接して形成されており、かつ、前記第１面と交差する方向において前記第１面から離れた位置にある第２面を有する第１陽極酸化皮膜とを備え、
前記アルミニウム基材の前記第１面を含む表層は、純度９９．９質量％以上であるアルミニウムと、０．００１質量％以上０．０２質量％以下の鉄とを含み、
前記第１陽極酸化皮膜の前記第２面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下であり、
前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下であり、
前記アルミニウム基材および前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みの合計値Ｔ１（単位：μｍ）と前記第１陽極酸化皮膜の前記交差する方向の厚みの値Ｔ２（単位：μｍ）との関係がＴ１＋１０×Ｔ２≦２３０である、アルミニウム積層体。 An aluminum substrate having a first surface;
A first anodic oxide film that is formed in contact with the first surface and has a second surface that is located away from the first surface in a direction intersecting the first surface;
The surface layer including the first surface of the aluminum base material includes aluminum having a purity of 99.9% by mass or more, and iron of 0.001% by mass to 0.02% by mass,
The surface roughness Ra of the second surface of the first anodic oxide film is 15 nm or less,
The thickness of the first anodized film in the intersecting direction is 3 μm or more and 20 μm or less;
A total value T1 (unit: μm) of thicknesses in the intersecting direction of the aluminum base material and the first anodic oxide film, and a value T2 (unit: μm) of thicknesses in the intersecting direction of the first anodic oxide film The aluminum laminated body whose relationship is T1 + 10 × T2 ≦ 230. 前記第１陽極酸化皮膜の封孔度アドミッタンスＹ値が１００μＳ未満である、請求項２に記載のアルミニウム積層体。   The aluminum laminate according to claim 2, wherein the first anodic oxide film has a sealing degree admittance Y value of less than 100 µS. 前記第１陽極酸化皮膜の絶縁破壊電圧が０．２ｋＶ以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のアルミニウム積層体。   The aluminum laminated body of any one of Claims 1-3 whose dielectric breakdown voltage of a said 1st anodic oxide film is 0.2 kV or more. 前記第１陽極酸化皮膜は、硫酸陽極酸化皮膜である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のアルミニウム積層体。   The aluminum laminate according to claim 1, wherein the first anodic oxide film is a sulfuric acid anodic oxide film. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のアルミニウム積層体を製造する方法であって、
前記第１面の表面粗さＲａが１５ｎｍ以下である前記アルミニウム基材を準備する工程と、
前記アルミニウム基材の前記第１面上に、硫酸を含む電解液を用いて、前記交差する方向の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である第１陽極酸化皮膜を形成する工程とを備える、アルミニウム積層体の製造方法。 A method for producing the aluminum laminate according to any one of claims 1 to 5,
Preparing the aluminum base material having a surface roughness Ra of 15 nm or less on the first surface;
Forming a first anodic oxide film having a thickness in the intersecting direction of 2 μm or more and 20 μm or less on the first surface of the aluminum base using an electrolyte containing sulfuric acid. Manufacturing method.
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