JP2019145464A

JP2019145464A - 有機ｅｌ表示パネルの製造方法、及び有機ｅｌ表示パネル

Info

Publication number: JP2019145464A
Application number: JP2018030948A
Authority: JP
Inventors: 正嗣後藤; Masatsugu Goto; 庸一新谷; Yoichi Araya
Original assignee: Joled Inc
Current assignee: Joled Inc
Priority date: 2018-02-23
Filing date: 2018-02-23
Publication date: 2019-08-29
Anticipated expiration: 2038-02-23
Also published as: US10714549B2; US20190267438A1; JP6976571B2

Abstract

【課題】基板の列方向端部付近での有機発光層の膜厚変動の大きさのＲＧＢ間での差を縮小する。【解決手段】複数の間隙５２２ｚから選択される第１間隙５２２ｚＲに、列方向に連続して配された第１の有機発光層１２３Ｒと、第１間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する第２間隙５２２ｚＧ、５２２ｚＢに、列方向に連続して配された第２の有機発光層１２３Ｇ，１２３Ｂとを備え、第１間隙の列方向端５２２ｚＲｅｎｄから基板内方へ所定長さＬｐｌ離れ、周辺領域１０ｎｅ内に存する基準位置Ｙｒｆまでの第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐに形成される第１の有機発光層１２３Ｒｔｐの体積が、第２間隙の列方向端部５２２ｚＧｅｎｄ、５２２ｚＢｅｎｄから基準位置までの第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ、５２２ｚＢｔｐに形成される第２の有機発光層１２３Ｇｔｐ、１２３Ｂｔｐの体積より大きい。【選択図】図６

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネルの製造方法、及び有機ＥＬ表示パネルに関する。

近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。この有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自発光を行うので視認性が高い。
この有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは、絶縁材料からなる絶縁層で仕切られている。カラー表示用の有機ＥL表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色の画素を形成し、隣り合うＲＧＢの画素が合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層等の機能膜が配設された素子構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。

近年、デバイスの大型化が進み、効率の良い機能膜の成膜方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等に基づいて塗布するウエットプロセスが提案されている。
代表的なインクジェット法のウエットプロセスでは、塗布装置の作業テーブル上に塗布対象基板を載置した状態で基板表面に対してインクジェットヘッドを一方向に走査し、インクジェットヘッドの複数のノズルから基板表面の所定領域にインクを滴下し、その後はインクの溶媒を蒸発乾燥させて機能膜を成膜する。例えば、特許文献１では、Ｙ方向の隔壁間に同一濃度の有機材料溶液を滴下し、隔壁内容積に応じた溶液量を塗布することによって成膜することで、簡単で且つ容易なプロセスで均質な有機発光層の形成が可能となることが記載されている。

ところで、このような基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成するウエットプロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分では、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気濃度が低くなることにより溶媒の蒸発速度が大きい。その結果、基板中央部分に形成される画素の機能層と基板端部に形成される画素の機能層とは膜厚が互いに異なる傾向がある。このように、基板中央部分の画素と基板周縁部分の画素とで機能層の膜厚が異なると、各機能層の特性も互いに異なるため、有機ＥＬ表示パネルとして面内輝度ムラの原因となっていた。

これに対して、例えば、特許文献２では、基板中心部を含む表示素子配列領域の周囲の基板上に、インクあるいは溶媒を塗布した非発光領域（ダミー領域）を設けて面内の溶媒蒸気濃度ムラが改善することにより、有機層の形状ムラを改善して輝度ムラを低減する有機ＥＬディスプレイパネルが提案されている。

特開２００７−２３４２３２号公報特開２０１０−２７７９４４号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている、表示素子配列領域において２以上の互いに平行な列状絶縁層の間隙に列状塗布領域を規定して、列状塗布領域に有機発光材料を含むインクを塗布して有機機能層を形成する構成の有機ＥＬ表示パネルでは、表示素子配列領域の周囲に非発光領域を設けた場合でも、列状塗布領域端部付近において有機機能層の膜厚が不均一になり輝度ムラの要因となる。さらに、列方向端部付近での膜厚変動の程度が、ＲＧＢ各色の有機発光層によって異なることにより、ＲＧＢ各色の列方向端部付近の輝度ムラが色調の変化として認識されるという課題があった。

本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、列方向端部付近での有機発光層の膜厚変動の大きさのＲＧＢ間での差を縮小することにより、列方向端部付近での発光特性のムラを抑制する有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配された複数の個別電極と、少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンクと、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第１間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第１の有機発光層と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され前記第１間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する第２間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第２の有機発光層と、前記有機発光層上方に形成された対向電極層とを備え、前記個別電極は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に配された複数の画素電極と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に配された複数のダミー電極からなり、前記第１の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚は、前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚よりも厚く、前記基板の平面視において、前記第１間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第１間隙先端領域に形成される前記第１の有機発光層の体積が、前記第２間隙の列方向端部から前記基準位置までの第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積よりも大きいことを特徴とする。

また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記基板を準備する準備工程と、前記基板上に行列状に複数の個別電極を形成する電極形成工程と、少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する列バンク形成工程と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第１間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して第１の有機発光材料を含む第１のインクを塗布し、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され、前記第１間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する前記第１間隙とは異なる第２間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して前記第１の有機発光材料とは異なる第２の有機発光材料を含む第２のインクを塗布する塗布工程と、前記第１のインク及び前記第２のインクを乾燥させて、第１の有機発光層及び第２の有機発光層をそれぞれ形成する発光層形成工程と、前記有機発光層上方に対向電極層を形成する工程とを含み、前記電極形成工程は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に複数の画素電極を行列状に形成する工程と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に複数のダミー電極を行列状に形成する工程を含み、発光層形成工程では、前記第１の有機発光層及び前記第２の有機発光層は、前記第１の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く、前記基板の平面視において、前記第１間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第１間隙先端領域に形成される前記第１の有機発光層の体積が、前記第２間隙の列方向端部から前記基準位置までの第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積よりも大きく形成されることを特徴とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、列方向端部付近での有機発光層の膜厚変動の大きさのＲＧＢ間での差を縮小することにより、列方向端部付近での発光特性のムラを抑制することができる。

実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。有機ＥＬ表示パネル１０の模式平面図である。図３におけるＸ０部の拡大平面図である。有機ＥＬ素子１００の副画素１００ｓｅに相当する絶縁層の部分を斜め上方から視した斜視図である。図３におけるＸ１部の拡大平面図である。図４におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。（ａ）〜（ｄ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。（ａ）〜（ｃ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。（ａ）〜（ｄ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。表示パネル１０の製造方法において、基板上の隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙に発光層形成用のインクを塗布する工程を示す模式平面図である。（ａ）〜（ｇ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。（ａ）〜（ｂ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。表示パネルの比較例の態様を示す模式平面図である。有機ＥＬ表示パネル１０における、膜厚の測定位置を示す模式平面図である。（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の実施例における領域１０ｅの列バンク端部付近の有機発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの膜厚の測定結果であり、（ｂ）は比較例における同様の測定結果である。（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の実施例における領域１０ｅの列バンク端部付近の有機発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの膜厚差であり、（ｂ）は比較例における同様の膜厚差である。変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図である。変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図である。変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂを図１９におけるＡ２−Ａ２で切断した模式断面図である。変形例３に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｃにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図である。変形例３に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｃを図２１におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図である。変形例４に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｄにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図である。

≪本発明を実施するための形態の概要≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配された複数の個別電極と、
少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンクと、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第１間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第１の有機発光層と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され前記第１間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する第２間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第２の有機発光層と、前記有機発光層上方に形成された対向電極層とを備え、前記個別電極は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に配された複数の画素電極と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に配された複数のダミー電極からなり、前記基板の平面視において、前記第１間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第１間隙先端領域に形成される前記第１の有機発光層の体積が、前記第２間隙の列方向端部から前記基準位置までの第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積よりも大きいことを特徴とする。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第１の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚は、前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚よりも厚い構成としてもよい。
係る構成により、列状の機能層が並設されたパネル構造において、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層の膜厚変動の大きさの第１の有機発光層と第２の有機発光層との間での差を縮小することができる。その結果、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近での各色の列方向端部付近の輝度ムラの第１の有機発光層と第２の有機発光層との間での差を縮小し、列方向端部付近での発光特性のムラを抑制することができる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第１の有機発光層が発する光の波長は、前記第２の有機発光層が発する光の波長よりも長い構成としてもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板の平面視において、前記第１間隙先端領域に形成される前記第１の有機発光層の体積の前記第１の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率は、前記第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積の前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率よりも大きい構成としてもよい。

係る構成により、ＲＧＢ各副画素で、出射させる光の波長に応じて、発光層上面と画素電極上面との間の光学距離が設定して、各色の光成分が強め合うように光共振器構造が形成した場合でも、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層の膜厚変動の大きさの第１の有機発光層と第２の有機発光層との間での差を縮小することができる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第１間隙先端領域の列方向の長さが、前記第２間隙先端領域の列方向の長さよりも長い構成としてもよい。

係る構成により、非表示領域１０ｎｅに存在する間隙の列方向端は、間隙に配される発光層の発光色によって、列方向における位置が異なり、列方向端の位置は、第１の有機発光層＞第２の有機発光層用の大きさの順に基板１００ｘの列方向外縁に近く、領域１０ｅの列方向外縁から遠い構成を実現することができる。これにより、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層の膜厚変動の大きさの第１の有機発光層と第２の有機発光層との間での差を縮小することができる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板の平面視において、少なくとも前記第１間隙先端領域及び前記第２間隙先端領域の何れか一方が行方向に屈曲している構成としてもよい。
係る構成により、基板１００ｘにおける列方向の長さが小さい場合においても、限られたスペースを有効に活用して、領域１０ｅにおける間隙５２２ｚの列方向端部と、間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄとの距離を、第１間隙先端領域＞第２間隙先端領域にすることができる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板上面における少なくとも前記第１間隙先端領域及び前記第２間隙先端領域の何れか一方に対応する部分が凹陥している構成としてもよい。
係る構成により、間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積を、第１間隙先端領域＞第２間隙先端領域にすることができ、発光層の形成工程において、第１間隙先端領域、第２間隙先端領域上にそれぞれ貯留される有機発光材料を含むインクの体積を大きくできる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、少なくとも前記第２間隙先端領域及び前記第１間隙先端領域の何れか一方には、前記個別電極と共通する層構造を有する前記ダミー電極がなく前記基板上面に前記発光層が存在している発光層存在領域が存在し、前記基板の平面視において、前記第２間隙先端領域における前記発光層存在領域の総面積は、前記第１間隙先端領域における前記発光層存在領域の総面積よりも大きい構成としてもよい。

係る構成により、間隙先端領域上塗布されるインクの量の多さを、第１間隙先端領域＞第２間隙先端領域にすることができる。そのため、発光層の形成工程において、第１間隙先端領域、第２間隙先端領域上にそれぞれ貯留される有機発光材料を含むインクの体積を、第１の有機発光層、第２の有機発光層の順に大きくできる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、少なくとも前記個別電極の列方向外縁間に位置する前記基板上方に複数の行バンクが並設されており、前記第２間隙先端領域における前記行バンクの総数は、前記第１間隙先端領域における前記行バンクの総数よりも多い構成としてもよい。

係る構成により、間隙先端領域上に塗布されるインクの量の多さを、第１間隙先端領域＞第２間隙先端領域にすることができる。そのため、発光層の形成工程において、第１間隙先端領域、第２間隙先端領域上にそれぞれ貯留される有機発光材料を含むインクの体積を、第１の有機発光層＞第２の有機発光層にできる。その結果、第１の有機発光層用のインクと第２の有機発光層用のインクにおいて等価な乾燥時間を実現することができ、領域１０ｅの列方向端付近の膜厚増加の程度が各色の発光層１２３間で同程度とできる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、列方向における同一位置にある前記第１の有機発光層、及び前記第２の有機発光層は、同一の画素に含まれる構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され前記第２間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接し、前記第１間隙とは異なる第３間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第３の有機発光層を備え、前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚は、前記第３の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚よりも厚く、前記基板の平面視において、前記第２間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積が、前記第３間隙の列方向端部から前記基準位置までの第３間隙先端領域に形成される前記第３の有機発光層の体積よりも大きい構成としてもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第２の有機発光層が発する光の波長は、前記第３の有機発光層が発する光の波長よりも長い構成としてもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、列方向における同一位置にある前記第１の有機発光層、前記第２の有機発光層、及び前記第３の有機発光層は、同一の画素に含まれる構成としてもよい。

係る構成により、列状の機能層が並設されたパネル構造において、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層１２３の膜厚変動の大きさのＲＧＢ間での差を縮小することができる。その結果、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近でのＲＧＢ各色の列方向端部付近の輝度ムラのＲＧＢ間での差を縮小し、列方向端部付近での発光特性のムラを抑制することができる。

また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記基板を準備する準備工程と、前記基板上に行列状に複数の個別電極を形成する電極形成工程と、少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する列バンク形成工程と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第１間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して第１の有機発光材料を含む第１のインクを塗布し、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され、前記第１間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する前記第１間隙とは異なる第２間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して前記第１の有機発光材料とは異なる第２の有機発光材料を含む第２のインクを塗布する塗布工程と、前記第１のインク及び前記第２のインクを乾燥させて、第１の有機発光層及び第２の有機発光層をそれぞれ形成する発光層形成工程と、前記有機発光層上方に対向電極層を形成する工程とを含み、前記電極形成工程は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に複数の画素電極を行列状に形成する工程と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に複数のダミー電極を行列状に形成する工程を含み、発光層形成工程では、前記第１の有機発光層及び前記第２の有機発光層は、前記基板の平面視において、前記第１間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第１間隙先端領域に形成される前記第１の有機発光層の体積が、前記第２間隙の列方向端部から前記基準位置までの第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積よりも大きく形成されることを特徴とする。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、発光層形成工程では、前記第１の有機発光層及び前記第２の有機発光層は、前記第１の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く形成する構成としてもよい。
係る構成により、基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成するウエットプロセスを用いて、列状の機能層が並設されたパネル構造において、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層１２３の膜厚変動の大きさの第１の有機発光層と第２の有機発光層との間での差を縮小することができる表示パネル１０を製造できる。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記塗布工程において、前記第１のインクの濃度は、前記第２のインクの濃度よりも高い構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第１の有機発光材料が発する光の波長は、前記第２の有機発光材料が発する光の波長よりも長い構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記列バンク形成工程では、前記第１間隙先端領域の列方向の長さが、前記第２間隙先端領域の列方向の長さよりも長くなるように前記複数の列バンクを形成する構成としてもよい。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記列バンク形成工程では、前記基板の平面視において、少なくとも前記第１間隙先端領域及び前記第２間隙先端領域の何れか一方が行方向に屈曲するよう、前記複数の列バンクを形成する構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記準備工程では、前記第１間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積が、前記第２間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積よりも大きくなるように、前記基板上面における少なくとも前記第１間隙先端領域及び前記第２間隙先端領域の何れか一方に対応する部分が凹陥基板を準備する構成としてもよい。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記電極形成工程では、少なくとも前記第２間隙先端領域及び前記第１間隙先端領域の何れか一方には、前記個別電極がなく前記基板上面に前記発光層が存在している発送層存在領域が存在し、前記基板の平面視において、前記第２間隙先端領域における前記発送層存在領域の総面積は、前記第１間隙先端領域における前記発送層存在領域の総面積よりも大きくなるよう個別電極を形成する構成としてもよい。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記電極形成工程の後に、少なくとも前記個別電極の列方向外縁間に位置する前記基板上方に複数の行バンクが並設する行バンク形成工程を有し、前記行バンク形成工程では、前記第２間隙先端領域における形成される前記行バンクの総数が、前記第１間隙先端領域における形成される前記行バンクの総数よりも多い構成としてもよい。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板の平面視において、前記第１間隙先端領域に形成される前記第１の有機発光層の体積の前記第１の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率は、前記第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積の前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率よりも大きい構成としてもよい。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、列方向における同一位置にある前記第１の有機発光層、及び前記第２の有機発光層は、同一の画素に含まれる構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、発光層形成工程では、さらに、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され前記第２間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接し、前記第１間隙とは異なる第３間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して、前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚は、前記第３の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚よりも厚く、前記基板の平面視において、前記第２間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積が、前記第３間隙の列方向端部から前記基準位置までの第３間隙先端領域に形成される有機発光層の体積よりも大きくなるよう第３の有機発光層を形成する構成としてもよい。

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記塗布工程において、前記第２のインクの濃度は、前記第３のインクの濃度よりも高い構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第２の有機発光層が発する光の波長は、前記第３の有機発光層が発する光の波長よりも長い構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、列方向における同一位置にある前記第１の有機発光層、前記第２の有機発光層、及び前記第３の有機発光層は、同一の画素に含まれる構成としてもよい。

係る構成により、列状の機能層が並設されたパネル構造において、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層１２３の膜厚変動の大きさのＲＧＢ間での差を縮小することができる表示パネル１０を製造でき、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近でのＲＧＢ各色の列方向端部付近の輝度ムラのＲＧＢ間での差を縮小し、列方向端部付近での発光特性のムラを抑制する表示パネル１０を提供ができる。

≪実施の形態≫
１表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。

表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。

２表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発光する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。

図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ₁は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ₂は、スイッチングトランジスタである。

スイッチングトランジスタＴｒ₂のゲートＧ₂は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ₂ は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ₂ のドレインＤ₂は、駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ₁のドレインＤ₁は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ₁ は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。

なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ₂のドレインＤ₂及び駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ₂からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ₂からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。

また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
３．表示パネル１０の全体構成
３．１概要
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。

図３は、表示パネル１０の模式平面図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、Ｙ方向、厚み方向とする。

図３に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ａ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘａ、１０Ｙａ、区別を要しない場合は１０ａとする）と、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成されている。本明細書では、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとを総称して「絶縁層１２２」とする。区画領域１０ａの列方向の外周縁は列バンク５２２Ｙの列方向の端部５２２Ｙｅに相当する。非区画領域１０ｂには、区画領域１０ａを含む絶縁層１２２を取り囲む封止部材３００が形成されている。さらに、区画領域１０ａは、基板中心を含む領域１０ｅと、領域１０ｅの周囲に領域１０ｎｅとから構成されている。領域１０ｅは、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘにより規制される各区画に有機ＥＬ素子１００が形成されている領域であり、領域１０ｎｅでは、各区画に有機ＥＬ素子１００が形成されていない領域である。また、Ｘ、Ｙ方向における領域１０ｎｅの長さは、副画素１００ｓｅのＸ、Ｙ方向の長さに対し、それぞれ、２倍以上であることが好ましい。本実施の形態では、Ｘ，Ｙ方向とも４倍とした。領域１０ｅ、領域１０ｎｅの詳細については後述する。

３．２表示素子配列領域（表示用領域）１０ｅの構成
図４は、図３におけるＸ０部の拡大平面図である。図５は、有機ＥＬ素子１００の副画素１００ｓｅに相当する絶縁層の部分を斜め上方から視した斜視図である。
表示パネル１０の表示素子配列領域（表示用領域）１０ｅ（以後、「領域１０ｅ」とする）には、有機ＥＬ素子１００に対応する単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図４に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。

また、図４に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、Ｇ、Ｂに対応する。

表示パネル１０では、絶縁層１２２の形状は、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の行方向外縁及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク５２２Ｙの行方向外縁により規定される。

一方、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の列方向外縁及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」とする）が存在し、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。

また、図４に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ₁とを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極１１９に対して電気接続するための画素電極１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。

図４、５に示すように、１つの副画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク５２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは列方向において行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘの間に位置している。
３．３非発光領域（周辺領域）１０ｎｅの構成
図６は、図３におけるＸ１部の拡大平面図である。表示パネル１０では、上述のとおり、基板１００ｘ上の区画領域１０ａの外縁から所定の区画数だけ、各区画に有機ＥＬ素子１００が形成されていない非発光領域（周辺領域）１０ｎｅ（以後、「領域１０ｎｅ」とする）が形成されている。本実施の形態では、領域１０ｎｅ内において、基板１００ｘ上の各区画にダミー電極１１９Ｅが配設されている。ダミー電極１１９Ｅは、平坦化層１１８のコンタクト孔が形成されておらず、駆動トランジスタＴｒ₁のソースＳ₁ に接続されておらずトランジスタにより駆動されない点で、画素電極１１９と機能が相違する。なお、ダミー電極１１９Ｅは、表面が画素電極１１９と共通であればよい。ダミー電極１１９Ｅは、駆動トランジスタＴｒ₁からの電流を流す必要は無いので、上述のようにコンタクト孔が形成されない形態の他、下部配線をダミー電極１１９Ｅの駆動トランジスタＴｒ₁に接続させない形態や、ダミー電極１１９Ｅを含むダミーの画素には駆動トランジスタＴｒ₁を形成しない形態等であってもよい。

領域１０ｎｅでは、隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚには、領域１０ｅの自己発光領域１００ａＲと同じ有機発光材料からなる有機発光層１２３Ｒが形成された赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧと同じ有機発光材料からなる有機発光層１２３Ｇが形成された緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢと同じ有機発光材料からなる有機発光層１２３Ｂが形成された青色間隙５２２ｚＢが存在する。

表示パネル１０は、図６に示すように、領域１０ｅを取り囲む領域１０ｎｅにおいても、赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢが、領域１０ｅ同様、当該順に行方向に多数繰り返し並んで配列された構成を有している。そして、領域１０ｎｅに存在する間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄは、間隙５２２ｚに配される発光層１２３の発光色によって、列方向における位置が異なるように構成されている。

具体的には、赤色間隙５２２ｚＲの列方向端５２２ｚＲｅｎｄは、緑色間隙５２２ｚＧの列方向端５２２ｚＧｅｎｄよりも列方向に位置が基板１００ｘの列方向外縁に近く、緑色間隙５２２ｚＧの列方向端５２２ｚＧｅｎｄは青色間隙５２２ｚＢの列方向端５２２ｚＢｅｎｄよりも、基板１００ｘの列方向外縁に近い。
そのため、赤色間隙５２２ｚＲの列方向端５２２ｚＲｅｎｄから基板１００ｘの内方に所定長さＬｐｌ離れ領域１０ｎｅに存在する位置を基準位置Ｙｒｆと定義するとき、赤色間隙５２２ｚＲの列方向端５２２ｚＲｅｎｄから基準位置Ｙｒｆまでの赤色間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ（以後、「赤先端領域５２２ｚＲｔｐ」とする）の列方向長さは、緑色間隙５２２ｚＧの列方向端５２２ｚＧｅｎｄから基準位置Ｙｒｆの緑色間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ（以後、「緑先端領域５２２ｚＧｔｐ」とする）の列方向長さよりも長く、緑先端領域５２２ｚＧｔｐの列方向長さは、青色間隙５２２ｚＢの列方向端５２２ｚＢｅｎｄから基準位置１２１Ｘ１の青色間隙先端領域５２２ｚＢｔｐ（以後、「青先端領域５２２ｚＢｔｐ」とする）の列方向長さよりも長い。（青色間隙先端領域の色の区別を要しないときは、「間隙先端領域５２２ｚｔｐ」とする）
また、図６に示すように、赤先端領域５２２ｚＲｔｐには、ダミー電極１１９ＲＥｔｐ、発光層１２３ＲＥｔｐが積層形成され、緑先端領域５２２ｚＧｔｐには、ダミー電極１１９ＲＥｔｐ、発光層１２３ＧＥｔｐが積層形成され、青先端領域５２２ｚＢｔｐには、ダミー電極１１９ＲＥｔｐ、発光層１２３ＢＥｔｐが積層形成されている。

そのため、赤先端領域５２２ｚＲｔｐに形成される発光層１２３ＲＥｔｐの列方向の長さが、緑先端領域５２２ｚＧｔｐに形成される発光層１２３ＧＥｔｐの列方向の長さよりも大きく、その結果、発光層１２３ＲＥｔｐの体積が、発光層１２３ＧＥｔｐの体積よりも大きい。また、発光層１２３ＧＥｔｐの列方向の長さが、青先端領域５２２ｚＢｔｐに形成される発光層１２３ＢＥｔｐの列方向の長さよりも大きく、その結果、発光層１２３ＧＥｔｐの体積が、発光層１２３ＢＥｔｐの体積よりも大きく構成される。

係る構成により、表示パネル１０では、従来の構成に比べて、領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層１２３の膜厚変動の大きさのＲＧＢ間での差を縮小することができ、領域１０ｅの列方向端部付近での発光特性のムラを抑制することができる。その理由については、後述する。
４表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成について、図７を用いて説明する。図７は、図４におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。

本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
４．１有機ＥＬ素子１００の各部構成
（１）基板１００ｘ
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ層（不図示）とを有する。

基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線（ＴＦＴのソースＳ₁ と、対応する画素電極１１９を接続する）を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。

（２）平坦化層１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するものである。また、平坦化層１１８は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。

平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応する画素のソースＳ₁ に接続される配線とを接続するために、画素電極１１９に対応して、当該配線の上方の一部にコンタクト孔（不図示）が開設されている。
４．２有機ＥＬ素子部
（１）画素電極１１９
基板１００ｘにおける領域１０ｅ上面に位置する平坦化層１１８上には、図６に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。

画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極１１９は光反射性を有する。画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。平坦化層１１８のコンタクト孔（不図示）上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部（コンタクト孔；不図示）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１に接続される配線とが接続される。

（２）ダミー電極１１９Ｅ
基板１００ｘにおける領域１０ｎｅ上面に位置する平坦化層１１８上には、図６に示すように、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが規定する区画毎にダミー電極１１９Ｅが設けられている。
ダミー電極１１９Ｅの形状は、画素電極１１９と同様に、例えば、概矩形形状をした平板状である。画素電極１１９と異なる点は、平坦化層１１８のコンタクト孔が形成されておらず、ダミー電極１１９Ｅが対応する画素のソースＳ₁ に接続されていない点である。

（３）ホール注入層１２０
画素電極１１９及びダミー電極１１９Ｅ上には、図７に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９及びダミー電極１１９Ｅ上に形成された金属酸化物からなるホール注入層１２０Ａと、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内のホール注入層１２０Ａ上それぞれに積層された有機物からなるホール注入層１２０Ｂとを含む。

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、ホール注入層１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール注入層１２０Ｂは、画素電極１１９上に形成されたホール注入層１２０Ａ上にのみ形成され、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。

（４）バンク１２２
図６に示すように、画素電極１１９及びダミー電極１１９Ｅ、ホール注入層１２０の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある。図４に示すように、列バンク５２２Ｙは、行バンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と称する）。

行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。

行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行バンク１２２Ｘは、インクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、副画素間のインク塗布量の変動を抑制する。行バンク１２２Ｘにより画素電極１１９の端部は、露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では発光せず、輝度には寄与しない。

行バンク１２２Ｘは、画素電極１１９の列方向における外縁の上方に存在することにより、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止する。行バンク１２２Ｘは、列方向の基部により列方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。

列バンク５２２Ｙは、画素電極１１９の行方向における外縁上方に存在することにより、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止する。列バンク５２２Ｙは、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。
（５）ホール輸送層１２１
図７に示すように、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。また、行バンク１２２Ｘにおけるホール注入層１２０上にも、ホール輸送層１２１が積層される（不図示）。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂと同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。
（６）発光層１２３
図７に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。

各色の副画素１００ｓｅにおいて、画素電極１１９と対向電極層１２５との間に各色の発光層１２３が存在し、以下のように、発光層１２３からの光を共振させて対向電極層１２５側から出射させる光共振器構造が形成されている。発光層１２３において発生した光は、対向電極層１２５から外部に出射されるが、その光には、発光層１２３から対向電極層１２５に向けて直接出射される「直接光」と、発光層１２３から画素電極１１９に向けて出射され、画素電極１１９で反射されてから対向電極層１２５に向かう「反射光」の両方の成分が含まれる。

パネル１０の光共振器構造においては、発光層１２３から出射された光の一部が、画素電極１１９側に進行することなく対向電極層１２５側に進行し、対向電極層１２５を通じて有機発光素子の外部に出射される第１光路と、発光層１２３から出射された光の残りの一部が画素電極１１９側に進行し、画素電極１１９により反射された後、発光層１２３および対向電極層１２５を通じて有機発光素子の外部に出射される第２光路とが形成される。

この直接光と反射光との干渉によって、各色に対応する光成分が強め合うように、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定されている。具体的には、発光層１２３Ｒの厚さは発光層１２３Ｇの厚さよりも大きく、発光層１２３Ｇの厚さは発光層１２３Ｂの厚さよりも大きい。ここで、各色の副画素１００ｓｅにおける発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの厚さは、各色の副画素１００ｓｅが存在する領域１０ｅにおける平均膜厚により規定される。例えば、発光層１２３Ｒの厚さは７０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、発光層１２３Ｇの厚さは４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、発光層１２３Ｂの厚さは６０ｎｍ未満であり、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離は、赤色副画素１００ｓｅＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ、青色副画素１００ｓｅＢの順に大きい構成となる。

これにより、赤色副画素１００ｓｅＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ、青色副画素１００ｓｅＢでは、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂそれぞれから出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定され、各色に対応する光成分が強め合うように光共振器構造が形成されている。
発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面の上方にある部分は発光せず、この部分は非自己発光領域となる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいては、ホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する（不図示）。
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、列方向に隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。

（７）電子輸送層１２４
図４、図７に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂとを含む（以後において、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを総称する場合は「電子輸送層１２４」と表記する）。

電子輸送層１２４は、図７に示すように、発光層１２３上に形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極層１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。
（８）共通電極層１２５（対向電極層）
図７に示すように、電子輸送層１２４上に、共通電極層１２５が形成されている。共通電極層１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。共通電極層１２５は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物からなる共通電極層１２５Ａと、共通電極層１２５Ａ上に積層された金属を主成分とする共通電極層１２５Ｂとを含む（以後において、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂを総称する場合は「共通電極層１２５」と表記する）。

共通電極層１２５は、図７に示すように、電子輸送層１２４上の画素電極１１９上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。
他方、共通電極層１２５Ｂは、図７に示すように、主として共通電極層１２５Ａの上面にのみ形成される。

（９）封止層１２６
共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極層１２５の上面を覆うように設けられている。
（１０）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。

４．３ＣＦ基板の各部構成
（１）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。

（２）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。

（３）遮光層１２９
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。

４．４各部の構成材料
図４、図７に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材１００ｐとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。

ＴＦＴ層は、基材１００ｐに形成されたＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路上に形成された無機絶縁層（不図示）、平坦化層１１８とを有する。ＴＦＴ回路は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、有機ＥＬ素子１００の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。

ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。
基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。

（２）画素電極１１９及びダミー電極１１９Ｅ
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）合金では、反射率が８０〜９５％と高く、電気抵抗率が、２．８２×１０^-8（１０ｎΩｍ）小さく、画素電極１１９の材料として好適である。

アルミニウム合金などの金属層の他、高反射率の観点から、例えば、銀や銀を含む合金等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。さらに、コスト面からアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが好ましい。
ダミー電極１１９Ｅは、画素電極１１９と同じ材料から構成されている。

（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。ホール注入層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。

ホール注入層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。
（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。

又は、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。

また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。

（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４には、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４Ａは、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層１２４Ｂに用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。

また、電子輸送層１２４Ｂは、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。
（８）共通電極層１２５
共通電極層１２５Ａは、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。

共通電極層１２５Ｂは、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。
（９）封止層１２６
封止層１２６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

封止層１２６は、トップエミッション型の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。

（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。

（１３）遮光層１２９
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。

５表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図８〜１３を用いて説明する。図８〜図１３における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
（１）基板１００ｘの準備
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図８（ａ））。

（２）平坦化層１１８の形成
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図８（ｂ））。
（３）、画素電極１１９及びダミー電極１１９Ｅ、ホール注入層１２０Ａの形成
スパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法を用い金属膜を積層して形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる。

具体的には、先ず、平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い製膜前洗浄を行う。
次に、平坦化層１１８の表面に製膜前洗浄を行った後、画素電極１１９を形成するための第２金属層１１９Ｘを気相成長法により平坦化層１１８の表面に製膜する（図８（ｃ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。

さらに、第２金属層１１９Ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、ホール注入層１２０Ａを形成するための第３金属層１２０ＡＸを気相成長法により第２金属層１１９Ｘの表面に製膜する（図８（ｃ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する。
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図８（ｄ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。

その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、第３金属層１２０ＡＸ、第２金属層１１９Ｘにエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０Ａ、画素電極１１９を形成する。
最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０Ａの積層体を形成する（図９（ａ））。

画素電極１１９の形成と同様の方法により、図６に示すように、基板１００ｘ上の領域１０ｎｅにおいて、基板１００ｘ上に行列状にダミー電極１１９Ｅを形成する。このとき、基板１００ｘの列方向の外縁付近には、図６に示す形状の、ダミー電極１１９ＲＥｔｐ、ダミー電極１１９ＲＥｔｐ、ダミー電極１１９ＲＥｔｐを形成する。
基板１００ｘの領域１０ｅにおける画素電極１１９の形成と、領域１０ｎｅにおけるダミー電極１１９Ｅの形成とは、同様の方法により同時に行う。

（４）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａを形成した後、ホール注入層１２０Ａを覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙５２２ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成する（図９（ｂ））。

先ず、行バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘを形成する。
行バンク１２２Ｘのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。

次に、列バンク５２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０Ａ上及び行バンク１２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。

具体的には、列バンク５２２Ｙの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。

次に、感光性樹脂を現像によって列バンク５２２Ｙをパターニングした絶縁層を、焼成（約２３０℃、約６０分）することにより形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずに残存する。
ここで、ホール注入層１２０Ａは、上述のとおり、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングされるが、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０Ａとして完成する。

列バンク５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。
ここでも、基板１００ｘ上の領域１０ｎｅにおいて、基板１００ｘの列方向の外縁付近には、行方向に隣接する２つの列バンク５２２Ｙの間隙に、図６に示す形状の赤先端領域５２２ｚＲｔｐ、緑先端領域５２２ｚＧｔｐ、青先端領域５２２ｚＢｔｐが開設されるように複数の列バンク５２２Ｙを形成する。このとき、先端領域５２２ｚＲｔｐ、緑先端領域５２２ｚＧｔｐ、青先端領域５２２ｚＢｔｐの底には、先に形成された、ダミー電極１１９ＲＥｔｐ、ダミー電極１１９ＲＥｔｐ、ダミー電極１１９ＲＥｔｐがそれぞれ敷設された構成となる。

（５）有機機能層の形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図９（ｃ））。

ホール注入層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。

ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる（図１０（ａ））。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述したホール注入層１２０Ｂにおける方法と同じである。

発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる（図１０（ａ））。具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。

基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。

ここで、上述のとおり、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＢ、間隙５２２ｚＧの溝の大きさは等しく、貯留できるインクの上限体積は等価である。そこで、発光層１２３のウエットプロセスでは、ＲＧＢ各副画素の発光層１２３の膜厚の調整は、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの有機発光材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩにおける固形分の比率を異ならせることによりなされる。具体的には、インク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩにおける有機発光材料の比率をＲ＞Ｇ＞Ｂの大きさの順にすることにより、溶媒が蒸発して形成される発光層の厚みを発光層１２３Ｒ＞発光層１２３Ｇ＞発光層１２３Ｂとなるように制御している。なお、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＢ、間隙５２２ｚＧの溝に貯留できるインクの上限体積は等価でない場合には、ＲＧＢ各副画素の発光層１２３の膜厚の調整は、インク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩにおける固形分の比率を等価とし、Ｒ、Ｇ、Ｂ毎に滴下インクの量を変えることにより行ってもよい。滴下インクに含まれる固形分の量をＲ＞Ｇ＞Ｂとすることにより、形成される発光層の厚みは発光層１２３Ｒ＞発光層１２３Ｇ＞発光層１２３Ｂとなるからである。

これにより、発光層１２３Ｒの厚さは発光層１２３Ｇの厚さよりも大きく、発光層１２３Ｇの厚さは発光層１２３Ｂの厚さよりも大きい構成となる。発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂそれぞれから出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定して光共振器構造を形成することができる。
また、基板１００ｘ上の領域１０ｎｅにおいて、基板１００ｘの列方向の外縁付近には、行方向に隣接する２つの列バンク５２２Ｙの間隙に形成された赤先端領域５２２ｚＲｔｐ、緑先端領域５２２ｚＧｔｐ、青先端領域５２２ｚＢｔｐに、Ｒ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填する。これにより、赤先端領域５２２ｚＲｔｐ内のダミー電極１１９ＲＥｔｐ上に発光層１２３ＲＥｔｐを積層形成し、緑先端領域５２２ｚＧｔｐ内のダミー電極１１９ＧＥｔｐ上に発光層１２３ＧＥｔｐを積層形成し、青先端領域５２２ｚＢｔｐ内のダミー電極１１９ＢＥｔｐ上に発光層１２３ＢＥｔｐを積層形成する。

（列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する方法）
インクジェット法を用いて、発光層１２３のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法の詳細について説明する。図１１は、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、隣接する列バンク５２２Ｙ間の堀状の間隙５２２ｚに一様に発光層形成用のインクを塗布する工程を示す模式平面図である。

１色の間隙中にインク（例えば、赤色間隙用のインク）を塗布する方法について説明する。発光層１２３は、発光領域だけでなく、隣接する非自己発光領域まで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、発光領域に塗布されたインクが、非自己発光領域に塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、後述する本実施の形態に係るインク乾燥工程を実施することにより列方向の画素間でその発光層１２３の膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域では、Ｘ方向に延伸した低い行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。

本塗布方法では、図１１に示すように、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹＸがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク５２２ＹＸ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクを着弾させることによって行う。

なお、同一の塗布量にて発光層１２３のインクを塗布する領域は、ｘ方向に隣接して並ぶ３つの領域の中の１つである。
ＲＧＢ３色の発光層１２３を形成する場合に、例えば、ノズルから吐出するインクの量を第１の条件に設定して基板上の複数の第１色目の間隙にインクを塗布し、次に、ノズルから吐出するインクの量を第２の条件に設定してその基板上の複数の第２色目の間隙にインクを塗布し、次にノズルから吐出するインクの量を第３の条件に設定してその基板上の複数の第３色目の間隙にインクを塗布する方法で、３色全部の間隙にインクを順次塗布する。

また、上記において、複数の基板に対して第１色目の間隙へのインクの塗布が終わると、次に、その複数の基板に第２色目の間隙にインクを塗布し、次にその複数の基板の第３色目の間隙にインクを塗布する工程を繰り返し行って、３色の間隙用のインクを順次塗布してもよい。
なお、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。

（６）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図１０（ｂ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子輸送層１２４Ａは、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。電子輸送層１２４Ａの上に、有機材料と金属材料との共蒸着法により、電子輸送層１２４Ｂを、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。なお、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂの膜厚は、一例であり、上記数値に限られるものではなく、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。

（７）共通電極層１２５の形成
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極層１２５を形成する。共通電極層１２５は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物からなる共通電極層１２５Ａと、共通電極層１２５Ａ上に積層された金属を主成分とする共通電極層１２５Ｂとを含む。

このうち、先ず、共通電極層１２５Ａは、電子輸送層１２４を被覆するように、スパッタリング法などにより形成する（図１０（ｃ））。本例では、共通電極層１２５Ａはスパッタリング法を用いてＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電層を形成する構成としている。
次に、共通電極層１２５Ｂは、共通電極層１２５Ａ上にＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する（図１０（ｃ））。本例では、共通電極層１２５Ｂを真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。

（８）封止層１２６の形成
共通電極層１２５を形成した後、共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６を形成する（図１０（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（９）カラーフィルタ基板１３１の形成
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。

透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図１２（ａ））。
塗布した遮光層１２９の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図１２（ｂ））。

その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１２９を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図１２（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料１２８Ｇを塗布し（図１２（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図１２（ｅ））。

その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１２８Ｒを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図１２（ｆ））。
この図１２（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する（図１２（ｇ））。なお、ペースト１２８Ｒを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。

（１０）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１３（ａ））。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１３（ｂ））。

６．領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層１２３の膜厚変動について
以下、表示パネル１０における、領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層１２３の膜厚変動について説明する。
６．１試験方法
発明者は、表示パネル１０の実施例及び比較例における領域１０ｅ内の発光層１２３の膜厚の分布を測定した。実施例は、図６に示したものと同じ仕様である。図１４は、表示パネルの比較例の態様を示す模式平面図である。比較例では、基板１００ｘ上の領域１０ｎｅに存在する間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄの列方向における位置が、間隙５２２ｚに配される発光層１２３の発光色にかかわらず等価とした仕様である。実施例と比較例の基板を用いて、インクヘッドＩのノズル列をＹ方向に平行にした状態でインクヘッドＩを基板１００ｘに対し相対的にＸ方向に移動させて発光層１２３を形成して表示パネルを完成した。

図１５は、表示パネル１０の膜厚の測定位置を示す模式平面図である。表示パネル１０の実施例及び比較例における、領域１０ｅのＸ方向中心線上における基板１００ｘ上の発光層１２３の膜厚の分布を、間隙５２２ｚの領域１０ｅの列方向上端部から基板１００ｘ中央部に向けて約５０画素測定した。そして、領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの膜厚変動の大きさの差について評価を行った。さらに、実施例及び比較例のパネルに対して列方向の各画素には画像信号を付与して駆動してＲＧＢ各色の輝度分布を測定した。

６．２膜厚測定結果
図１６（ａ）は、表示パネル１０の実施例における領域１０ｅの列バンク端部付近の有機発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの膜厚の測定結果であり、（ｂ）は比較例における同様の測定結果である。領域１０ｅの列バンク端部付近の有機発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの膜厚と、間隙５２２ｚ内における有機発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの領域１０ｅ内の平均膜厚との差を求め、規格化して示したものである。図１７（ａ）は、表示パネル１０の実施例における領域１０ｅの列バンク端部付近の有機発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの膜厚差であり、（ｂ）は比較例における同様の膜厚差である。領域１０ｅの列バンク端部付近の有機発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３間の膜厚差と、間隙５２２ｚ内における有機発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの領域１０ｅ内の平均膜厚間の差との差を求め、規格化して示したものである。

図１６（ｂ）に示すように、比較例では、領域１０ｅの列方向端部付近の発光層の膜厚の領域１０ｅにおける平均膜厚との差は、１８画素から４８画素の範囲ではＲＧＢともに２％未満であるのに対し、領域１０ｅの列方向端付近である１画素から３画素の範囲においては、発光層の平均膜厚との差は何れも増加する。そして、ＲＧＢ間では、発光層１２３Ｒの膜厚差は約５．３％〜約１２．７％、発光層１２３Ｇの膜厚差は約１．６％〜約６．５％、発光層１２３Ｂの膜厚差は約１．３％〜約２．６％となり、ＲＧＢ間で発光層の平均膜厚との差に差が生じており、発光層１２３Ｒの膜厚が、発光層１２３Ｇ、１２３Ｂの膜厚よりもより顕著に増加していることがわかる。定量的には、ＲＧＢ間の膜厚変動の差は、図１７（ｂ）に示すように、１８画素から４８画素の範囲ではＲＧＢ間で２％未満であるのに対し、１画素から３画素の範囲において約４％〜約１０．１％（最大値：１０．１％）と急激に増加していることがわかる。

これに対し、実施例では、図１６（ａ）に示すように、発光層の平均膜厚との差は、１８画素から４８画素の範囲ではＲＧＢともに２％未満と小さい。領域１０ｅの列方向端付近である１画素から３画素の範囲においては、発光層の平均膜厚との差は各色とも増加する。ＲＧＢ間では、発光層１２３Ｒの膜厚差は約３．５％〜約５．３％、発光層１２３Ｇの膜厚差は約０．６％〜約３％、発光層１２３Ｂの膜厚差は約１．３％〜約２．６％となり、ＲＧＢ間で発光層の平均膜厚との差における差は減少し、領域１０ｅの列方向端付近である１画素から３画素の範囲において発光層１２３Ｒ、及び発光層１２３Ｇの膜厚が、発光層１２３Ｂの膜厚よりもより顕著に増加する傾向は見られない。定量的には、ＲＧＢ間の膜厚変動の差は、図１７（ａ）に示すように、１８画素から４８画素の範囲ではＲＧＢ間で２％未満に対し、１画素から３画素の範囲において約３％以下（最大値：３．０％）に減少していることがわかる。

以上の結果から、表示パネル１０では、比較例に対して表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層の膜厚変動の大きさのＲＧＢ間での差を縮小したことが確認できる。
６．２膜厚測定結果について
表示パネル１０から得られた発光層１２３の膜厚測定結果について考察する。

（比較例について）
図１６（ｂ）に示すように、比較例において、領域１０ｅの列方向端部付近の発光層の膜厚の領域１０ｅにおける平均膜厚との差は、領域１０ｅの列方向端付近である１画素から３画素の範囲においては、ＲＧＢ各色とも増加している。その理由は、間隙端部の方が、間隙中央部よりも、乾燥時間が短く固形分が短時間で堆積して有機発光材料からなる層が形成されることに基づくと考えられる。

発光層１２３の形成は、例えば、インクジェット法等のウエットプロセスを用い、Ｒ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。このとき、基板１００ｘ上に塗布された発光層１２３のインクは、間隙５２２ｚの間隙先端領域５２２ｚｔｐから溶媒の乾燥は始まり、間隙５２２ｚの間隙端部から順にインクから溶媒が蒸発して固形分のみが揮発せずに堆積し有機発光材料からなる層が形成される。その理由は、主にウエットプロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分とでは、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気濃度が低くなることにより溶媒の乾燥速度が大きいためである。そのため、乾燥時間が短く短時間で固形分が堆積する間隙端部の方が、乾燥時間が長く固形分が長時間かけて堆積する間隙中央部よりも、形成される有機発光材料からなる層の膜厚が大きくなる傾向があり、その結果、比較例において、間隙端部からの距離が相対的に近い領域１０ｅの列方向端付近である１画素から３画素の範囲において、ＲＧＢ各色とも増加したものと考えられる。

図１６（ｂ）に示すように、比較例において、ＲＧＢ間では発光層１２３Ｒ＞発光層１２３Ｇ＞発光層１２３Ｂの大きさの順に、領域１０ｅの列方向端付近の膜厚増加が顕著である。その理由は、発光層１２３の設計膜厚の厚さが発光層１２３Ｒ＞発光層１２３Ｇ＞発光層１２３Ｂである（Ｒ＞Ｇ＞Ｂの大きさの順に大きい）ことに起因すると考えられる。

上述のとおり、ＲＧＢ各副画素では、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂそれぞれから出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定され、各色に対応する光成分が強め合うように光共振器構造が形成されている。そのため、発光層１２３Ｒの厚さは発光層１２３Ｇの厚さよりも大きく、発光層１２３Ｇの厚さは発光層１２３Ｂの厚さよりも大きい構成となる。発光層１２３の形成は、ウエットプロセスを用い、有機発光層の材料を含むインクを間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされ、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＢ、間隙５２２ｚＧの溝の大きさは等しく、貯留できるインクの上限体積は等価である。したがって、ＲＧＢ各副画素の発光層１２３の膜厚の調整は、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの有機発光材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩにおける固形分の比率を異ならせることによりなされる。

具体的には、インク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩにおける有機発光材料の比率をＲ＞Ｇ＞Ｂとすることにより、溶媒が蒸発して形成される発光層の厚みを発光層１２３Ｒ＞発光層１２３Ｇ＞発光層１２３Ｂとなるように制御している。その結果、間隙端部においてインクに含まれる固形分の多さは、インク１２３ＲＩ＞インク１２３ＧＩ＞インク１２３ＢＩになるため、領域１０ｅの列方向端付近の膜厚増加も発光層１２３Ｒ＞発光層１２３Ｇ＞発光層１２３Ｂの大きさの順に顕著になると考えられる。

図１６（ｂ）に示すように、比較例では、領域１０ｅの列方向端付近において、発光層１２３Ｒの膜厚差は約５．３％〜約１２．７％、発光層１２３Ｇの膜厚差は約１．６％〜約６．５％、発光層１２３Ｂの膜厚差は約１．３％〜約２．６％となり、ＲＧＢ間で発光層の平均膜厚との差に差が生じている。ＲＧＢ各副画素では、出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定され、各色の光成分が強め合うように光共振器構造が形成されている。したがって、平均膜厚からの乖離が大きいほど光共振器効果が減少し発光層１２３Ｒ＞発光層１２３Ｇ＞発光層１２３Ｂの大きさの順に、領域１０ｅの列方向端付近における輝度低下が顕著に生じるとともに、ＲＧＢの輝度低下量のアンバランスに起因して領域１０ｅの列方向端付近における発光特性のムラ（発光色の色調のズレ）が生じる。

（実施例）
図１６（ａ）に示すように、発光層の平均膜厚との差は、領域１０ｅの列方向端付近である１画素から３画素の範囲においては、発光層１２３Ｒの膜厚差は約３．５％〜約５．３％、発光層１２３Ｇの膜厚差は約０．６％〜約３％、発光層１２３Ｂの膜厚差は約１．３％〜約２．６％となり、比較例の結果と比較すると、発光層１２３Ｒ、発光層１２３Ｇにおいて発光層の平均膜厚からの増加量が減少していることがわかる。すなわち、図１６（ａ）では、比較例において見られた、領域１０ｅの列方向端付近である１画素から３画素の範囲における発光層１２３Ｒ、及び発光層１２３Ｇの膜厚が、発光層１２３Ｂの膜厚よりもより顕著に増加するという傾向は見られない。

実施例に係る表示パネル１０では、図６に示すように、領域１０ｅを取り囲む領域１０ｎｅにおいて領域１０ｎｅに存在する間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄは、間隙５２２ｚに配される発光層１２３の発光色によって、列方向における位置が異なり、列方向端５２２ｚｅｎｄの位置は、赤色間隙５２２ｚＲの列方向端５２２ｚＲｅｎｄ＞緑色間隙５２２ｚＧの列方向端５２２ｚＧｅｎｄ＞青色間隙５２２ｚＢの列方向端５２２ｚＢｅｎｄの大きさの順に基板１００ｘの列方向外縁に近く、領域１０ｅの列方向外縁から遠い。

これにより、係る表示パネル１０では、領域１０ｅにおける間隙５２２ｚの列方向端部と、間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄとの距離を、間隙５２２ｚＲ＞間隙５２２ｚＧ＞間隙５２２ｚＢにしたことにより、Ｒ＞Ｇ＞Ｂの大きさの順に、領域１０ｅの列方向端部にある発光層１２３の部分における間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄの膜厚増加の影響を小さくすることができたものと考えられる。なお、実施例と比較例において構成上の相違がない間隙５２２ｚＢの列方向端５２２ｚＢｅｎｄに関しては、発光層１２３Ｂの膜厚差も約１．３％〜約２．６％と同じ結果を示している。

すなわち、表示パネル１０では、赤先端領域５２２ｚＲｔｐに形成される発光層１２３ＲＥｔｐの列方向の長さが、緑先端領域５２２ｚＧｔｐに形成される発光層１２３ＧＥｔｐの列方向の長さよりも大きく、発光層１２３ＲＥｔｐの体積が、発光層１２３ＧＥｔｐの体積よりも大きい。また、発光層１２３ＧＥｔｐの列方向の長さが、青先端領域５２２ｚＢｔｐに形成される発光層１２３ＢＥｔｐの列方向の長さよりも大きく、発光層１２３ＧＥｔｐの体積が、発光層１２３ＢＥｔｐの体積よりも大きく構成される。

係る構成により、従来の構成に比べて、領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層１２３の膜厚変動の大きさのＲＧＢ間での差を縮小することができ、領域１０ｅの列方向端部付近での発光特性のムラを抑制することができる。
７．小括
以上、説明したように、実施の形態に係る表示パネル１０は、基板１００ｘ上に行列状に配された複数の個別電極１１９、１１９Ｅと、少なくとも個別電極１１９、１１９Ｅの行方向外縁間に位置する基板１００ｘ上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンク５２２Ｙと、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚから選択される第１間隙５２２ｚＲに、列方向に連続して配された第１の有機発光層１２３Ｒと、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚから選択され第１間隙５２２ｚＲと列バンク５２２Ｙを挟んで行方向に隣接する第２間隙５２２ｚＧ、５２２ｚＢに、列方向に連続して配された第２の有機発光層１２３Ｇ、１２３Ｂと、有機発光層１２３上方に形成された対向電極層１２５とを備え、個別電極１１９、１１９Ｅは、基板１００ｘの平面視において、基板１００ｘ内方に位置する表示用領域１０ｅに配された複数の画素電極１１９と、表示用領域１０ｅの外周を取り囲む周辺領域１０ｎｅに配された複数のダミー電極１１９Ｅからなり、第１の有機発光層１２３Ｒの表示用領域１０ｅにおける平均層厚は、第２の有機発光層１２３Ｇ、１２３Ｂの表示用領域１０ｅ表示用領域における平均層厚よりも厚く、基板１００ｘの平面視において、第１間隙５２２ｚＲの列方向端５２２ｚＲｅｎｄから基板内方へ所定長さＬｐｌ離れ、周辺領域１０ｎｅ内に存する基準位置Ｙｒｆまでの第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐに形成される第１の有機発光層１２３Ｒｔｐの体積が、第２間隙５２２ｚＧ、５２２ｚＢの列方向端部５２２ｚＧｅｎｄ、５２２ｚＢｅｎｄから基準位置Ｙｒｆまでの第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ、５２２ｚＢｔｐに形成される第２の有機発光層１２３Ｇｔｐ、１２３Ｂｔｐの体積よりも大きいことを特徴とする。

また、別の態様では、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐの列方向の長さが、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ、５２２ｚＢｔｐの列方向の長さよりも長い構成としてもよい。
また、別の態様では、第１の有機発光層１２３Ｒが発する光の波長は、第２の有機発光層１２３Ｇ、１２３Ｂが発する光の波長よりも長い構成としてもよい。
また、別の態様では、基板１００ｘの平面視において、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐに形成される第１の有機発光層１２３Ｒｔｐの体積の第１の有機発光層１２３Ｒの表示用領域１０ｅにおける平均膜厚に対する比率（表示用領域の平均膜厚で規格化した先端領域の有機発光層の体積の値（体積／平均膜厚））は、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ、５２２ｚＢｔｐに形成される第２の有機発光層１２３Ｇｔｐ、１２３Ｂｔｐの体積の第２の有機発光層１２３Ｇ、１２３Ｂの表示用領域１０ｅにおける平均膜厚に対する比率よりも大きい構成としてもよい。このとき、第２の有機発光層１２３Ｇが発する光の波長は、第３の有機発光層１２３Ｂが発する光の波長よりも長い構成としてもよい。

また、実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法は、基板１００ｘを準備する準備工程と、基板１００ｘ上に行列状に複数の個別電極１１９、１１９Ｅを形成する電極形成工程と、少なくとも個別電極１１９、１１９Ｅの行方向外縁間に位置する基板１００ｘ上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンク５２２Ｙを並設する列バンク形成工程と、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙から選択される第１間隙５２２ｚＲに、列バンク５２２Ｙの列方向端部の間にわたり列方向に連続して第１の有機発光材料を含む第１のインクを塗布し、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙から選択され、第１間隙５２２ｚＲと列バンク５２２Ｙを挟んで行方向に隣接する第１間隙５２２ｚＲとは異なる第２間隙５２２ｚＧ、５２２ｚＢに、列バンク５２２Ｙの列方向端部の間にわたり列方向に連続して第１の有機発光材料とは異なる第２の有機発光材料を含む第２のインクを塗布する塗布工程と、第１のインク及び第２のインクを乾燥させて、第１の有機発光層１２３Ｒ及び第２の有機発光層１２３Ｇ、１２３Ｂをそれぞれ形成する発光層形成工程と、有機発光層上方に対向電極層を形成する工程とを含み、電極形成工程は、基板１００ｘの平面視において、基板１００ｘ内方に位置する表示用領域１０ｅに複数の画素電極を行列状に形成する工程と、表示用領域１０ｅの外周を取り囲む周辺領域１０ｎｅに複数のダミー電極１１９Ｅを行列状に形成する工程を含み、発光層形成工程では、第１の有機発光層１２３Ｒ及び第２の有機発光層１２３Ｇ、１２３Ｂは、第１の有機発光層１２３Ｒの表示用領域１０ｅにおける平均膜厚は、第２の有機発光層１２３Ｇ、１２３Ｂの表示用領域１０ｅにおける平均膜厚よりも厚く、基板１００ｘの平面視において、第１間隙５２２ｚＲの列方向端から基板１００ｘ内方へ所定長さＬＰｌ離れ、周辺領域１０ｎｅ内に存する基準位置Ｙｒｆまでの第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐに形成される第１の有機発光層１２３Ｒｔｐの体積が、第２間隙５２２ｚＧ、５２２ｚＢの列方向端部から基準位置までの第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ、５２２ｚＢｔｐに形成される第２の有機発光層１２３Ｇｔｐ、１２３Ｂｔｐの体積よりも大きく形成されることを特徴とする。

係る構成により、列状の機能層が並設されたパネル構造において、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近での有機発光層１２３の膜厚変動の大きさのＲＧＢ間での差を縮小することができる表示パネル１０を製造できる。
８．変形例
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。

（１）変形例１
変形例１に係る表示パネル１０Ａについて説明する。図１８は、変形例１に係る表示パネル１０Ａにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図である。変形例１に係る表示パネル１０Ａは、基板１００ｘの平面視において、少なくとも第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ及び第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐが行方向に屈曲している構成を採る。そして、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐにはダミー電極１１９ＲＥｔｐ１、１１９ＲＥｔｐ２（屈曲部分）、また、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐにはダミー電極１１９ＲＥｔｐ１、１１９ＲＥｔｐ２（屈曲部分）がそれぞれ敷設されている。これらの点で実施の形態に係る表示パネル１０と相違し、それ以外の構成で表示パネル１０と共通する。係る表示パネル１０Ａでは、表示パネル１０に比べて基板１００ｘにおける列方向の長さが小さい場合においても、限られたスペースの中で、領域１０ｅにおける間隙５２２ｚの列方向端部と、間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄとの距離を、間隙５２２ｚＲ＞間隙５２２ｚＧ＞間隙５２２ｚＢにすることができる。その結果、表示パネル１０Ａでは、領域１０ｎｅが狭い場合でも、Ｒ＞Ｇ＞Ｂの大きさの順に、領域１０ｅの列方向端部にある発光層１２３の部分における間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄの膜厚増加の影響を小さくすることができ、実施の形態に係る表示パネル１０と同様の効果が得られる。

（２）変形例２
変形例２に係る表示パネル１０Ｂについて説明する。図１９は、変形例２に係る表示パネル１０Ｂにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図であり、図２０は、表示パネル１０Ｂを図１９におけるＡ２−Ａ２で切断した模式断面図である。変形例２に係る表示パネル１０Ｂは、基板１００ｘの平面視において、基板１００ｘ上の領域１０ｎｅに存在する間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄの列方向における位置が、間隙５２２ｚに配される発光層１２３の発光色にかかわらず等価である点で実施の形態に係る表示パネル１０と相違する。加えて、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ上であって列バンク５２２Ｙに挟まれた部分の容積が、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ上であって列バンク５２２Ｙに挟まれた部分の容積よりも大きい構成を採る点でも実施の形態に係る表示パネル１０と相違する。さらに、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ上であって列バンク５２２Ｙに挟まれた部分の容積が、第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐ上であって列バンク５２２Ｙに挟まれた部分の容積よりも大きい構成としてもよい。表示パネル１０Ｂは、それ以外の構成で表示パネル１０と共通する。

表示パネル１０Ｂでは、図２０に示すように、基板１００ｘ上面の平坦化層１１８における少なくとも第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ及び第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐの何れか一方に対応する部分が凹陥した構成を有している。平坦化層１１８の一部を凹陥させることにより、隣接する２つの列バンク５２２Ｙと基板１００ｘ上面とで構成する列バンク５２２Ｙに挟まれた部分の容積を拡大でき、発光層１２３の形成する際に当該部分により大きな体積のインクを貯留することができる。

表示パネル１０Ｂでは、図１９に示すように、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐでは２個のダミー電極１１９Ｅに対応する部分５２２ｚＲｔｐｖが凹陥部をなし、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐでは１個のダミー電極１１９Ｅに対応する部分５２２ｚＧｔｐｖが凹陥部をなし、第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐには凹陥している部分がない。
係る構成により、表示パネル１０Ｂでは、間隙先端領域５２２ｚｔｐ上であって列バンク５２２Ｙに挟まれた部分の容積を、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ＞第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ＞第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐに構成することができる。そのため、発光層１２３の形成工程において、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ、第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐ上にそれぞれ貯留されるＲ、Ｇ、Ｂの有機発光材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩの体積を大きくできる。

これにより、間隙５２２ｚの間隙先端領域５２２ｚｔｐにおける、インクに含まれる固形分の多さを、インク１２３ＲＩ＞インク１２３ＧＩ＞インク１２３ＢＩにするという作用が得られる。その結果、領域１０ｅの列方向端付近の膜厚増加が発光層１２３Ｒ＞発光層１２３Ｇ＞発光層１２３Ｂの大きさの順に顕著になる要因を抑制することができる。これにより、表示パネル１０Ｂでは、領域１０ｅの列方向端付近の膜厚増加の程度がＲＧＢの発光層１２３間で同程度にすることができ、表示子配列領域１０ｅの列方向端部付近でのＲＧＢ各色の列方向端部付近の輝度ムラのＲＧＢ間での差を縮小し、列方向端部付近での発光特性のムラを抑制することができる。

（３）変形例３
変形例３に係る表示パネル１０Ｃについて説明する。図２１は、変形例３に係る表示パネル１０Ｃにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図であり、図２２は、表示パネル１０Ｃを図２１におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図である。表示パネル１０Ｃは、基板１００ｘの平面視において、基板１００ｘ上の領域１０ｎｅに存在する間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄの列方向における位置が、間隙５２２ｚに配される発光層１２３の発光色にかかわらず等価である構成で実施の形態に係る表示パネル１０と相違する。加えて、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ及び第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐのうち、少なくとも第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐには、ダミー電極がなく基板１００ｘ上面の平坦化層１１８の上面に発光層１２３が存在している発光層存在領域が存在し、基板１００ｘの平面視において、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐにおける発光層存在領域の総面積は、発光層存在領域がない第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐよりも大きい構成を採る点で実施の形態に係る表示パネル１０と相違する。さらに、少なくとも第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐには、ダミー電極がなく基板１００ｘ上面の平坦化層１１８の上面に発光層１２３が存在している発光層存在領域が存在し、基板１００ｘの平面視において、第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐにおける発光層存在領域の総面積は、第１間隙先端領域５２２ｚＧｔｐにおける発光層存在領域の総面積よりも大きい構成としてもよい。表示パネル１０Ｃは、それ以外の構成で表示パネル１０と共通する。

表示パネル１０Ｃでは、図２２に示すように、基板１００ｘ上面の平坦化層１１８における第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ及び第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐに対応する部分においてダミー電極１１９Ｅが存在せず、当該部分（発光層存在領域）において基板１００ｘの平坦化層１１８の上面に発光層１２３が存在している構成を有している。樹脂からなる平坦化層１１８は発光層１２３に対して高い撥液性を有しており、発光層存在領域となる部分の平坦化層１１８の上面に塗布されるインクの量はダミー電極１１９Ｅ上と比較して相対的に少ない傾向にある。したがって、発光層存在領域となる部分の平坦化層１１８の上面ではインクを乾燥して形成される発光層１２３の膜厚もダミー電極１１９Ｅ上に形成される発光層１２３と比較して相対的に小さいものとなる。

表示パネル１０Ｃでは、図２１に示すように、第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐでは２個のダミー電極１１９Ｅに対応する部分５２２ｚＢｔｐｗが発光層存在領域をなし、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐでは１個のダミー電極１１９Ｅに対応する部分５２２ｚＧｔｐｗが発光層存在領域をなし、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐには発光層存在領域が存在しない。これにより、表示パネル１０Ｂでは、間隙先端領域５２２ｚｔｐ上塗布されるインクの量の多さを、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ＞第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ＞第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐにすることができる。そのため、発光層１２３の形成工程において、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ、第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐ上にそれぞれ貯留されるＲ、Ｇ、Ｂの有機発光材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩの体積を、Ｒ、Ｇ、Ｂの順に大きくできる。

係る構成により、変形例２と同様に、間隙５２２ｚの間隙先端領域５２２ｚｔｐにおける、インクに含まれる固形分の多さを、インク１２３ＲＩ＞インク１２３ＧＩ＞インク１２３ＢＩにするという作用が得られる。その結果、表示パネル１０Ｃでは、領域１０ｅの列方向端付近の膜厚増加が発光層１２３Ｒ＞発光層１２３Ｇ＞発光層１２３Ｂの大きさの順に顕著になる要因を抑制することができ、領域１０ｅの列方向端付近の膜厚増加の程度がＲＧＢの発光層１２３間で同程度にすることができる。

（４）変形例４
変形例４に係る表示パネル１０Ｄについて説明する。図２３は、変形例４に係る表示パネル１０Ｄにおける、図３におけるＸ１部と同じ部分を示した拡大平面図である。表示パネル１０Ｄは、基板１００ｘの平面視において、基板１００ｘ上の領域１０ｎｅに存在する間隙５２２ｚの列方向端５２２ｚｅｎｄの列方向における位置が、間隙５２２ｚに配される発光層１２３の発光色にかかわらず等価である構成で実施の形態に係る表示パネル１０と相違する。加えて、少なくともダミー電極１１９Ｅの列方向外縁間に位置する基板１００ｘ上方に複数の行バンク１２２ｘが並設されており、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐにおける行バンク１２２ｘの総数は、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐにおける行バンク１２２ｘの総数よりも多い構成を採る点で実施の形態に係る表示パネル１０と相違する。さらに、少なくとも第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐにおける行バンク１２２ｘの総数は、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐにおける行バンク１２２ｘの総数よりも多い構成としてもよい。表示パネル１０Ｄは、それ以外の構成で表示パネル１０と共通する。

表示パネル１０Ｃでは、基板１００ｘ上面の第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ及び第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐにおいて、ダミー電極１１９Ｅの列方向外縁間に位置する基板１００ｘ上方に複数の行バンク１２２ｘを設けることにより、間隙先端領域５２２ｚｔｐに流れ込むインクの量を規制する機能を有している。樹脂からなる行バンク１２２ｘは発光層１２３に対して親和性を有しているが、所定の高さを持つ行バンク１２２ｘを設けることにより、間隙先端領域５２２ｚｔｐに流れ込み塗布されるインクの量は、行バンク１２２ｘを設けない場合と比較して相対的に少ない。したがって、行バンク１２２ｘの数が多い間隙先端領域５２２ｚｔｐではインクを乾燥して形成される発光層１２３の膜厚も行バンク１２２ｘの数が少ない間隙先端領域５２２ｚｔｐ上に形成される発光層１２３と比較して相対的に小さいものとなる。

表示パネル１０Ｄでは、図２３に示すように、第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐでは２個のダミー電極１１９Ｅ間隙に対応する部分に行バンク１２２ｘが存在し、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐでは１個のダミー電極１１９Ｅ間隙に対応する部分に行バンク１２２ｘが存在し、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐには行バンク１２２ｘが存在しない。
これにより、表示パネル１０Ｂでは、間隙先端領域５２２ｚｔｐ上に塗布されるインクの量の多さを、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ＞第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ＞第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐにすることができる。そのため、発光層１２３の形成工程において、第１間隙先端領域５２２ｚＲｔｐ、第２間隙先端領域５２２ｚＧｔｐ、第３間隙先端領域５２２ｚＢｔｐ上にそれぞれ貯留されるＲ、Ｇ、Ｂの有機発光材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩの体積を、Ｒ、Ｇ、Ｂの順に大きくできる。

以上により、表示パネル１０Ｄでは、変形例２、３と同様に、間隙５２２ｚの間隙先端領域５２２ｚｔｐにおける、インクに含まれる固形分の多さを、インク１２３ＲＩ＞インク１２３ＧＩ＞インク１２３ＢＩにすることができ、領域１０ｅの列方向端付近の膜厚増加の程度がＲＧＢの発光層１２３間で同程度とできる。
（５）その他の変形例
実施の形態に係る表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。

表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、白色などに発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、単位画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。

また、上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。

また、上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。

また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。

≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。

本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。

１有機ＥＬ表示装置
１０有機ＥＬ表示パネル
１０ｅ表示素子配列領域（表示用領域）
１０ｎｅ非発光領域（周辺領域）
１００有機ＥＬ素子
１００ｅ単位画素
１００ｓｅ副画素
１００ａ自己発光領域
１００ｂ非自己発光領域
１００ｘ基板（ＴＦＴ基板）
１１８層間絶縁層
１１９（１１９Ｒ、１１９Ｇ、１１９Ｂ）画素電極
１１９Ｅ（１１９ＲＥ、１１９ＧＥ、１１９ＢＥ）ダミー電極
１１９Ｅｔｐ（１１９ＲＥｔｐ、１１９ＧＥｔｐ、１１９ＢＥｔｐ）ダミー電極（先端部）
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂホール注入層
１２１ホール輸送層
１２２バンク
１２２Ｘ行バンク（行絶縁層）
５２２Ｙ列バンク（列絶縁層）
５２２ｚ（５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ）間隙
５２２ｚｅｎｄ（５２２ｚＲｅｎｄ、５２２ｚＧｅｎｄ、５２２ｚＢｅｎｄ）列方向端
５２２ｚｔｐ（５２２ｚＲｔｐ、５２２ｚＧｔｐ、５２２ｚＢｔｐ）間隙先端領域
５２２ｚＲｔｐｖ、５２２ｚＧｔｐｖ凹陥部
５２２ｚＢｔｐｗ、５２２ｚＧｔｐｗ発光層存在領域
１２３（１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ）発光層
１２３ｔｐ（１２３Ｒｔｐ、１２３Ｇｔｐ、１２３Ｂｔｐ）発光層（先端部）
１２４、１２４Ａ、１２４Ｂ電子輸送層
１２５、１２５Ａ、１２５Ｂ共通電極層（対向電極層）
１２６封止層
１２７接合層
１２８カラーフィルタ層
１３０上部基板
１３１カラーフィルタ基板

Claims

基板上に複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に行列状に配された複数の個別電極と、
少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンクと、
行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第１間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第１の有機発光層と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され前記第１間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する第２間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第２の有機発光層と、
前記有機発光層上方に形成された対向電極層と、を備え、
前記個別電極は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に配された複数の画素電極と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に配された複数のダミー電極からなり、
前記基板の平面視において、前記第１間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第１間隙先端領域に形成される前記第１の有機発光層の体積が、前記第２間隙の列方向端部から前記基準位置までの第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積よりも大きい
有機ＥＬ表示パネル。
前記第１の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚は、前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚よりも厚い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記第１の有機発光層が発する光の波長は、前記第２の有機発光層が発する光の波長よりも長い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記基板の平面視において、前記第１間隙先端領域に形成される前記第１の有機発光層の体積の前記第１の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率は、
前記第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積の前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率よりも大きい
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記第１間隙先端領域の列方向の長さが、前記第２間隙先端領域の列方向の長さよりも長い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記基板の平面視において、少なくとも前記第１間隙先端領域及び前記第２間隙先端領域の何れか一方が行方向に屈曲している
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記基板上面における少なくとも前記第１間隙先端領域及び前記第２間隙先端領域の何れか一方に対応する部分が凹陥している
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記第１間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積が、前記第２間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積よりも大きい
請求項７に記載の有機ＥＬ表示パネル。
少なくとも前記第２間隙先端領域及び前記第１間隙先端領域の何れか一方には、前記個別電極と共通する層構造を有する前記ダミー電極がなく前記基板上面に前記発光層が存在している発光層存在領域が存在し、
前記基板の平面視において、前記第２間隙先端領域における前記発光層存在領域の総面積は、前記第１間隙先端領域における前記発光層存在領域の総面積よりも大きい
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
さらに、少なくとも前記個別電極の列方向外縁間に位置する前記基板上方に複数の行バンクが並設されており、
前記第２間隙先端領域における前記行バンクの総数は、前記第１間隙先端領域における前記行バンクの総数よりも多い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
列方向における同一位置にある前記第１の有機発光層、及び前記第２の有機発光層は、同一の画素に含まれる
請求項１から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
さらに、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され前記第２間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接し、前記第１間隙とは異なる第３間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第３の有機発光層を備え、
前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚は、前記第３の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚よりも厚く、
前記基板の平面視において、前記第２間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積が、前記第３間隙の列方向端部から前記基準位置までの第３間隙先端領域に形成される前記第３の有機発光層の体積よりも大きい
請求項１から１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記第２の有機発光層が発する光の波長は、前記第３の有機発光層が発する光の波長よりも長い
請求項１２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
列方向における同一位置にある前記第１の有機発光層、前記第２の有機発光層、及び前記第３の有機発光層は、同一の画素に含まれる
請求項１２又は１３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
基板上に複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
前記基板を準備する準備工程と、
前記基板上に行列状に複数の個別電極を形成する電極形成工程と、
少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する列バンク形成工程と、
行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第１間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して第１の有機発光材料を含む第１のインクを塗布し、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され、前記第１間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する前記第１間隙とは異なる第２間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して前記第１の有機発光材料とは異なる第２の有機発光材料を含む第２のインクを塗布する塗布工程と、
前記第１のインク及び前記第２のインクを乾燥させて、第１の有機発光層及び第２の有機発光層をそれぞれ形成する発光層形成工程と、
前記有機発光層上方に対向電極層を形成する工程とを含み、
前記電極形成工程は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に複数の画素電極を行列状に形成する工程と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に複数のダミー電極を行列状に形成する工程を含み、
発光層形成工程では、前記第１の有機発光層及び前記第２の有機発光層は、前記基板の平面視において、前記第１間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第１間隙先端領域に形成される前記第１の有機発光層の体積が、前記第２間隙の列方向端部から前記基準位置までの第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積よりも大きく形成される
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
発光層形成工程では、前記第１の有機発光層及び前記第２の有機発光層は、前記第１の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く形成される
請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記塗布工程において、前記第１のインクの濃度は、前記第２のインクの濃度よりも高い
請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記第１の有機発光材料が発光可能な光の波長は、前記第２の有機発光材料が発光可能な光の波長よりも長い
請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記列バンク形成工程では、前記第１間隙先端領域の列方向の長さが、前記第２間隙先端領域の列方向の長さよりも長くなるように前記複数の列バンクを形成する
請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記列バンク形成工程では、前記基板の平面視において、少なくとも前記第１間隙先端領域及び前記第２間隙先端領域の何れか一方が行方向に屈曲するよう、前記複数の列バンクを形成する
請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記準備工程では、前記第１間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積が、前記第２間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積よりも大きくなるように、前記基板上面における少なくとも前記第１間隙先端領域及び前記第２間隙先端領域の何れか一方に対応する部分が凹陥基板を準備する
請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記電極形成工程では、少なくとも前記第２間隙先端領域及び前記第１間隙先端領域の何れか一方には、前記個別電極がなく前記基板上面に前記発光層が存在している発光層存在領域が存在し、前記基板の平面視において、前記第２間隙先端領域における前記発光層存在領域の総面積は、前記第１間隙先端領域における前記発光層存在領域の総面積よりも大きくなるよう個別電極を形成する
請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記電極形成工程の後に、少なくとも前記個別電極の列方向外縁間に位置する前記基板上方に複数の行バンクが並設する行バンク形成工程を有し、
前記行バンク形成工程では、前記第２間隙先端領域における形成される前記行バンクの総数が、前記第１間隙先端領域における形成される前記行バンクの総数よりも多い
請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記基板の平面視において、前記第１間隙先端領域に形成される前記第１の有機発光層の体積の前記第１の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率は、
前記第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積の前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率よりも大きい
請求項１５から２２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
列方向における同一位置にある前記第１の有機発光層、及び前記第２の有機発光層は、同一の画素に含まれる
請求項１５から２３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
発光層形成工程では、さらに、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され前記第２間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接し、前記第１間隙とは異なる第３間隙に、
前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して、
前記第２の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚は、前記第３の有機発光層の前記表示用領域における平均層厚よりも厚く、
前記基板の平面視において、前記第２間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第２間隙先端領域に形成される前記第２の有機発光層の体積が、前記第３間隙の列方向端部から前記基準位置までの第３間隙先端領域に形成される有機発光層の体積よりも大きくなるよう第３の有機発光層を形成する
請求項１５から２４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記塗布工程において、前記第２のインクの濃度は、前記第３のインクの濃度よりも高い
請求項２６に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
前記第２の有機発光層が発する光の波長は、前記第３の有機発光層が発する光の波長よりも長い
請求項２６又は２７に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
列方向における同一位置にある前記第１の有機発光層、前記第２の有機発光層、及び前記第３の有機発光層は、同一の画素に含まれる
請求項２６から２８の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。