JP2019140379A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板の周囲の雰囲気を調節する機能を有する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus having a function of adjusting an atmosphere around a substrate.
半導体装置の製造のために、半導体ウエハ等の基板に様々な処理が施される。ある一つの処理を行う場合、基板は、ＦＯＵＰ等の基板搬送容器内に収容された状態で、基板処理装置に搬入される。次いで、基板は、基板搬送容器から基板搬送装置により取り出されて処理チャンバ内に搬入されてそこで処理が施され、その後、基板搬送装置により処理チャンバから取り出されて元の基板搬送容器に搬入される。 Various processes are performed on a substrate such as a semiconductor wafer in order to manufacture a semiconductor device. When performing a certain process, the substrate is carried into a substrate processing apparatus while being accommodated in a substrate transport container such as FOUP. Next, the substrate is taken out from the substrate transfer container by the substrate transfer device and is carried into the processing chamber where the substrate is processed. Thereafter, the substrate is taken out from the processing chamber by the substrate transfer device and carried into the original substrate transfer container. .
酸素を比較的多く含有するクリーンルーム内の大気雰囲気によって、基板の表面に問題となるレベルの酸化が生じることがある。これを防止するため、基板搬送容器から搬出された後に再び基板搬送容器に戻されるまでに基板が通過する領域の少なくとも一部分を、低酸素濃度ガス雰囲気にすることが行われている（例えば特許文献１を参照）。 An atmospheric atmosphere in a clean room containing a relatively large amount of oxygen may cause a problematic level of oxidation on the surface of the substrate. In order to prevent this, at least a part of the region through which the substrate passes after being unloaded from the substrate transport container and returned to the substrate transport container is made a low oxygen concentration gas atmosphere (for example, Patent Documents). 1).
基板搬送容器から搬出された後に再び基板搬送容器に戻されるまでに基板が通過する全領域を低酸素濃度ガス雰囲気にすることが求められる場合もある。この場合、多量の低酸素濃度ガスを基板処理装置の内部に流通させる必要があり、多大な工場用力を消費することになってしまう。 In some cases, it is required that the entire region through which the substrate passes before being returned to the substrate transport container after being unloaded from the substrate transport container is in a low oxygen concentration gas atmosphere. In this case, it is necessary to distribute a large amount of low oxygen concentration gas inside the substrate processing apparatus, which consumes a great deal of factory power.
本発明は、基板処理装置内の空間の雰囲気調整を確実に行いつつ、雰囲気調整用のガスの使用量を削減することを目的としている。 An object of the present invention is to reduce the amount of gas used for adjusting the atmosphere while reliably adjusting the atmosphere of the space in the substrate processing apparatus.
本発明の一実施形態によれば、基板を収容した基板搬送容器が載置される容器搬出入部と、前記基板に処理を施す処理ユニットと、前記容器搬出入部と前記処理ユニットとの間で基板が搬送される搬送空間と、前記搬送空間内において、前記容器搬出入部と前記処理ユニットとの間で、前記基板を搬送する基板搬送機構と、前記処理ユニットに雰囲気調整ガスを供給するための第１ガス供給路と、前記処理ユニットから前記雰囲気調整ガスを排出するための第１ガス排出路と、前記搬送空間に接続され、前記搬送空間から流出した前記雰囲気調整ガスを前記搬送空間に戻す循環路と、前記搬送空間と前記循環路とから構成された循環系に前記雰囲気調整ガスを供給するための第２ガス供給路と、前記循環系から前記雰囲気調整ガスを排出するための第２ガス排出路と、を備えた基板処理装置が提供される。 According to one embodiment of the present invention, a container carry-in / out unit on which a substrate transport container containing a substrate is placed, a processing unit for processing the substrate, and a substrate between the container carry-in / out unit and the processing unit A transport space for transporting the substrate, a substrate transport mechanism for transporting the substrate between the container carry-in / out section and the processing unit in the transport space, and a first for supplying an atmosphere adjustment gas to the processing unit. 1 gas supply path, a first gas discharge path for discharging the atmosphere adjustment gas from the processing unit, and a circulation connected to the transfer space and returning the atmosphere adjustment gas flowing out of the transfer space to the transfer space A second gas supply path for supplying the atmosphere adjustment gas to a circulation system composed of a passage, the transfer space, and the circulation path, and the atmosphere adjustment gas is discharged from the circulation system. A second gas discharge passage because, a substrate processing apparatus having a are provided.
上記本発明の実施形態によれば、搬送空間の雰囲気調整のための雰囲気調整ガスが循環させられて繰り返し利用されるため、雰囲気調整ガスの使用量を削減することができ、基板処理装置のランニングコスト及び工場用力への負担を低減することができる。 According to the embodiment of the present invention, since the atmosphere adjustment gas for adjusting the atmosphere of the transfer space is circulated and repeatedly used, the usage amount of the atmosphere adjustment gas can be reduced, and the running of the substrate processing apparatus is performed. Costs and burden on factory power can be reduced.
以下に添付図面を参照して本発明による基板処理装置の一実施形態としての基板処理システムについて説明する。図１は、基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 A substrate processing system as an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出部２と、第１搬送部３と、インターフェイス部（接続部）４と、処理部５と、を有する。第１搬送部３と、インターフェイス部４と処理部５は、基板処理システム１の全体を覆うハウジング内に収容されている。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a carry-in / out unit 2, a first transfer unit 3, an interface unit (connection unit) 4, and a processing unit 5. The first transport unit 3, the interface unit 4, and the processing unit 5 are accommodated in a housing that covers the entire substrate processing system 1.
搬入出部２は、容器載置部２０を有し、この容器載置部２０上には複数の基板搬送容器Ｃ（以下、単に「容器Ｃ」と称する）を載置することができる。容器Ｃは、例えば、ＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）と呼ばれる方式のキャリアである。容器Ｃ内には、複数枚の基板Ｗ（例えば半導体ウエハ）が、水平姿勢で鉛直方向に等間隔に収納されている。容器載置部２０に載置された容器Ｃの外面は、この基板処理システム１が設置されているクリーンルーム内の雰囲気に晒される。 The carry-in / out unit 2 includes a container mounting unit 20, and a plurality of substrate transfer containers C (hereinafter simply referred to as “containers C”) can be mounted on the container mounting unit 20. The container C is, for example, a carrier of a type called FOUP (Front-Opening Unified Pod). In the container C, a plurality of substrates W (for example, semiconductor wafers) are stored in a horizontal posture at equal intervals in the vertical direction. The outer surface of the container C placed on the container placement unit 20 is exposed to the atmosphere in a clean room where the substrate processing system 1 is installed.
第１搬送部３の前面パネル３１（図１及び図２を参照）には、複数のドアが設けられている。各ドアには、容器Ｃの蓋（図示せず）の解錠機構及び蓋吸着機構が設けられており、容器載置部２０に載置された容器Ｃの蓋を取り外すことができる。容器Ｃの蓋が取り外されると、容器Ｃの内部空間は、第１搬送部３の内部空間（後述の第１搬送空間３３）と連通する。このとき、容器Ｃの開口部の周縁と第１搬送部３の前面パネル３１とが密接しているので、クリーンルーム内の雰囲気が容器Ｃの内部に侵入しない。基板Ｗを収納した容器Ｃがこの基板処理システム１に搬入されてくるとき、容器Ｃ内は窒素ガス雰囲気とされて密閉されている。この段落に記載したことは、半導体製造装置の技術分野において周知であり、図面には示さない。 The front panel 31 (see FIGS. 1 and 2) of the first transport unit 3 is provided with a plurality of doors. Each door is provided with an unlocking mechanism and a lid adsorbing mechanism for a lid (not shown) of the container C, and the lid of the container C placed on the container placing portion 20 can be removed. When the lid of the container C is removed, the internal space of the container C communicates with the internal space of the first transfer unit 3 (first transfer space 33 described later). At this time, since the peripheral edge of the opening of the container C and the front panel 31 of the first transport unit 3 are in close contact with each other, the atmosphere in the clean room does not enter the inside of the container C. When the container C containing the substrate W is carried into the substrate processing system 1, the container C is sealed with a nitrogen gas atmosphere. What is described in this paragraph is well known in the technical field of semiconductor manufacturing equipment and is not shown in the drawings.
第１搬送部３内には、第１基板搬送装置３２が設けられている。インターフェイス部４には、２つの受け渡しユニット４Ａ，４Ｂが設けられている。各受け渡しユニット４Ａ，４Ｂは、複数枚の基板Ｗを水平姿勢で鉛直方向に間隔を空けて保持することができる。第１基板搬送装置３２は、容器載置部２０に載置されて蓋が取り外された容器Ｃから基板Ｗを取り出し、２つの受け渡しユニット４Ａ，４Ｂのいずれか一方に搬入する。第１搬送部３の内部空間３３は、第１搬送空間３３とも呼ばれる。なお、本明細書において「搬送空間」とは、基板搬送装置により基板Ｗが搬送される空間を意味する。 A first substrate transfer device 32 is provided in the first transfer unit 3. The interface unit 4 is provided with two delivery units 4A and 4B. Each delivery unit 4A, 4B can hold a plurality of substrates W in a horizontal posture with a gap in the vertical direction. The first substrate transfer device 32 takes out the substrate W from the container C placed on the container placement unit 20 and having the lid removed, and carries it in one of the two delivery units 4A and 4B. The internal space 33 of the first transport unit 3 is also referred to as a first transport space 33. In the present specification, the “transport space” means a space in which the substrate W is transported by the substrate transport device.
処理部５は、上側部分５Ａ及び下側部分５Ｂを有する。上側部分５Ａと下側部分５Ｂの構成は互いにほぼ同一であるので、本明細書においては多くの場合、上側部分５Ａについてのみ説明することとする。上側部分５Ａの左右方向（Ｙ方向）中央部には、前後方向（Ｘ方向）に延びる第２搬送空間５０Ａが形成されている。第２搬送空間５０Ａ内には第２基板搬送装置５１Ａが設けられている。第２搬送空間５０Ａの左右両脇には、それぞれ複数の処理ユニット６０Ａが設けられている。第２基板搬送装置５１Ａは、上側の受け渡しユニット４Ａと、上側部分５Ａにある複数の処理ユニット６０Ａとの間で基板を搬送することができる。 The processing unit 5 includes an upper part 5A and a lower part 5B. Since the configurations of the upper portion 5A and the lower portion 5B are substantially the same, in this specification, only the upper portion 5A will be described in many cases. A second transport space 50A extending in the front-rear direction (X direction) is formed at the center in the left-right direction (Y direction) of the upper portion 5A. A second substrate transfer device 51A is provided in the second transfer space 50A. A plurality of processing units 60A are provided on the left and right sides of the second transfer space 50A. The second substrate transfer device 51A can transfer a substrate between the upper delivery unit 4A and the plurality of processing units 60A in the upper portion 5A.
図４に示すように、処理ユニット６０Ａは、ユニットケーシング（チャンバ）６１と、ユニットケーシング６１内に配置された処理機構６２とを有している。図示された実施形態では、処理機構６２は、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直軸線回りに回転させるスピンチャック６３（基板保持回転機構）と、基板Ｗに処理流体（薬液、リンス液、二流体等）を供給するノズル６４と、基板Ｗの周囲を囲むカップ体６５と、を有している。 As shown in FIG. 4, the processing unit 60 </ b> A includes a unit casing (chamber) 61 and a processing mechanism 62 disposed in the unit casing 61. In the illustrated embodiment, the processing mechanism 62 includes a spin chuck 63 (substrate holding and rotating mechanism) that holds the substrate W in a horizontal posture and rotates the substrate W around a vertical axis, and a processing fluid (chemical solution, rinse solution, two liquids) on the substrate W. A nozzle 64 for supplying fluid or the like, and a cup body 65 surrounding the substrate W.
処理ユニット６０Ａは、ユニットケーシング６１の内部空間（処理空間）、特に基板Ｗの上方の空間に雰囲気調整ガス、本例では窒素ガスを供給する窒素ガス供給部６６を有している。窒素ガス供給部６６はファンフィルタユニットとして構成されていてもよく、この場合、処理空間に雰囲気調整ガスのダウンフローが形成される。 The processing unit 60A has a nitrogen gas supply unit 66 for supplying an atmosphere adjustment gas, in this example, nitrogen gas, to the internal space (processing space) of the unit casing 61, particularly the space above the substrate W. The nitrogen gas supply unit 66 may be configured as a fan filter unit. In this case, a down flow of the atmosphere adjustment gas is formed in the processing space.
カップ体６５には、カップ体６５の内部の雰囲気を吸引するための排気路６７と、基板Ｗから飛散した処理流体をカップ体６５から排出するための排液路６８とが接続されている。排液路６８は、半導体製造工場の廃液ラインに接続されている。排気路６７からは、ユニットケーシング６１の内部空間を満たすガスと、ノズル６４から基板Ｗに供給された処理流体とを含む混合流体が排出される。 Connected to the cup body 65 are an exhaust path 67 for sucking the atmosphere inside the cup body 65 and a drain path 68 for discharging the processing fluid scattered from the substrate W from the cup body 65. The drainage path 68 is connected to a waste liquid line of a semiconductor manufacturing factory. From the exhaust path 67, a mixed fluid including a gas that fills the internal space of the unit casing 61 and the processing fluid supplied from the nozzle 64 to the substrate W is discharged.
処理ユニット６０には、ユニットケーシング６１の内部空間にパージガスとしての空気（ここでは濾過されたクリーンルーム内の空気であるクリーンエア）を供給するための空気供給口６９（ユニット通気路）が設けられている。 The processing unit 60 is provided with an air supply port 69 (unit air passage) for supplying air as purge gas (here, clean air that is filtered air in the clean room) to the internal space of the unit casing 61. Yes.
ユニットケーシング６１の第２搬送空間５０Ａに面した側面には、基板Ｗを保持した第２基板搬送装置５１のアームが通ることができる開口７０が設けられている。開口７０にはシャッタ７１が設けられている。シャッタ７１は、第２基板搬送装置５１が処理ユニット６０Ａに基板Ｗを搬出入するときに開く。シャッタ７１は、処理ユニット６０Ａ内で基板Ｗの処理が実行される時に閉じ、処理ユニット６０Ａの内部空間と搬送空間５０Ａとを隔離する。シャッタ７１は、ゲートバルブのような構成を有していてもよい。 On the side surface of the unit casing 61 facing the second transfer space 50 </ b> A, an opening 70 through which the arm of the second substrate transfer apparatus 51 holding the substrate W can pass is provided. A shutter 71 is provided in the opening 70. The shutter 71 is opened when the second substrate transport apparatus 51 carries the substrate W into and out of the processing unit 60A. The shutter 71 is closed when the processing of the substrate W is executed in the processing unit 60A, and isolates the internal space of the processing unit 60A from the transport space 50A. The shutter 71 may have a configuration like a gate valve.
処理ユニット６０Ａのシャッタ７１と反対側の側面には、処理ユニット６０Ａの各種構成部品をメンテナンスするときに開かれるメンテナンスドア７２が設けられている。メンテナンスドア７２には、キーシリンダ７３及び電磁ロック７４が設けられている。作業者が操作キーをキーシリンダ７３に差し込み回転させることにより、処理ユニット６０Ａの状態をメンテナンスモードと処理モードとの間で切り替えることができる。 On the side surface of the processing unit 60A opposite to the shutter 71, a maintenance door 72 that is opened when various components of the processing unit 60A are maintained is provided. The maintenance door 72 is provided with a key cylinder 73 and an electromagnetic lock 74. The operator can switch the state of the processing unit 60A between the maintenance mode and the processing mode by inserting the operation key into the key cylinder 73 and rotating it.
各処理ユニット６０Ａには、ユニットケーシング６１の内部空間の酸素濃度を検出するための酸素濃度センサＳ４（図５参照）が設けられている。 Each processing unit 60A is provided with an oxygen concentration sensor S4 (see FIG. 5) for detecting the oxygen concentration in the internal space of the unit casing 61.
処理部５の下側部分５Ｂにある処理ユニット６０Ｂも、処理ユニット６０Ａと同様の構成を有している。 The processing unit 60B in the lower portion 5B of the processing unit 5 has the same configuration as the processing unit 60A.
図３及び図４に示すように、処理部５の上側部分５Ａの上部には、上側部分５Ａにある各処理ユニット６０Ａの窒素ガス供給部６６に雰囲気調整ガスとしての窒素ガスを供給するための、窒素ガス供給ダクト７６Ａが設けられている。各処理ユニット６０Ａの窒素ガス供給部６６と窒素ガス供給ダクト７６Ａとの間には開閉弁６６Ｖが設けられている。また、処理部５の上側部分５Ａの上部には、上側部分５Ａにある各処理ユニット６０Ａの空気供給口(通気路)６９にパージガスである空気を供給するための、空気供給ダクト７８Ａが設けられている。各処理ユニット６０Ａの空気供給口６９と空気供給ダクト７８Ａとの間には開閉弁６９Ｖが設けられている。処理部５の上側部分５Ａには、処理ユニット６０Ａの排気路６７から排出されるガスまたは混合流体が流入する、排気ダクト７９Ａが設けられている。 As shown in FIGS. 3 and 4, the upper portion of the upper portion 5A of the processing section 5 is for supplying nitrogen gas as an atmosphere adjusting gas to the nitrogen gas supply section 66 of each processing unit 60A in the upper portion 5A. A nitrogen gas supply duct 76A is provided. An open / close valve 66V is provided between the nitrogen gas supply unit 66 and the nitrogen gas supply duct 76A of each processing unit 60A. In addition, an air supply duct 78A for supplying air as purge gas to an air supply port (air passage) 69 of each processing unit 60A in the upper portion 5A is provided above the upper portion 5A of the processing section 5. ing. An open / close valve 69V is provided between the air supply port 69 and the air supply duct 78A of each processing unit 60A. The upper portion 5A of the processing unit 5 is provided with an exhaust duct 79A into which gas or mixed fluid discharged from the exhaust path 67 of the processing unit 60A flows.
処理部５の下側部分５Ｂにも、上側部分５Ａと同様の形態で、窒素ガス供給ダクト７６Ｂ、空気供給ダクト７８Ｂ及び排気ダクト７９Ｂが設けられている。 The lower part 5B of the processing unit 5 is also provided with a nitrogen gas supply duct 76B, an air supply duct 78B, and an exhaust duct 79B in the same form as the upper part 5A.
排気ダクト７９Ａ及び排気ダクト７９Ｂは、処理部５のハウジングの床パネルの高さ位置まで延びている。 The exhaust duct 79A and the exhaust duct 79B extend to the height position of the floor panel of the housing of the processing unit 5.
第１搬送部３の内部空間つまり第１搬送空間３３を囲むパネルのうちの天井パネルには、第１搬送空間３３内に雰囲気調整ガスのダウンフロー（Ｚ負方向に流れる）を形成するファンフィルタユニット３４が設けられている。第１搬送空間３３を囲むパネルのうちの床パネルには、第１搬送空間３３から雰囲気調整ガスを排出するための排気口３５が設けられている。図２に示すように、排気口３５に第１搬送空間３３からの排気を促進するための吸引ファン３５ａを設けてもよい。 A fan filter that forms a downflow (flowing in the Z negative direction) of the atmosphere adjustment gas in the first transfer space 33 in the ceiling panel of the panels surrounding the internal space of the first transfer unit 3, that is, the first transfer space 33. A unit 34 is provided. Of the panels surrounding the first transfer space 33, the floor panel is provided with an exhaust port 35 for discharging the atmosphere adjustment gas from the first transfer space 33. As shown in FIG. 2, a suction fan 35 a for promoting exhaust from the first transfer space 33 may be provided at the exhaust port 35.
第１搬送空間３３を囲むパネルのうちの床パネルには、第１基板搬送装置３２の表面及び内部のダスト、パーティクル等を排出するために第１搬送空間３３から第１基板搬送装置３２内に取り込まれる雰囲気調整ガスを排出するための排気口３６が設けられている。図２に示すように、排気口３６に排気を促進するための吸引ファン３６ａを設けてもよい。 Of the panels surrounding the first transfer space 33, the floor panel includes the surface of the first substrate transfer device 32 and the inside of the first substrate transfer device 32 from the first transfer space 33 in order to discharge dust, particles, and the like. An exhaust port 36 is provided for discharging the taken-in atmosphere adjustment gas. As shown in FIG. 2, a suction fan 36 a for promoting exhaust may be provided at the exhaust port 36.
図１に示すように、第１搬送空間３３を囲むパネルのうちの左側または右側の側面パネルには、メンテナンスドア３７が設けられている。メンテナンスドア３７を開くことにより、作業者が第１搬送空間３３に入って第１基板搬送装置３２のメンテナンス等の作業を行うことができる。 As shown in FIG. 1, a maintenance door 37 is provided on the left or right side panel among the panels surrounding the first transfer space 33. By opening the maintenance door 37, an operator can enter the first transfer space 33 and perform work such as maintenance of the first substrate transfer device 32.
メンテナンスドア３７には、キーシリンダ３８及び電磁ロック３９が設けられている。作業者が操作キーをキーシリンダ３８に差し込み回転させることにより、第１搬送空間３３及び第２搬送空間５０Ａ，５０Ｂの状態をメンテナンスモードと処理モードとの間で切り替えることができる。 The maintenance door 37 is provided with a key cylinder 38 and an electromagnetic lock 39. The operator can switch the state of the first transfer space 33 and the second transfer spaces 50A and 50B between the maintenance mode and the processing mode by inserting the operation key into the key cylinder 38 and rotating it.
図２に示すように、インターフェイス部４の受け渡しユニット４Ａの上方には、ファンフィルタユニット４１Ａが設けられている。ファンフィルタユニット４１Ａは、第２搬送空間５０Ａを囲むパネルのうちのインターフェイス部４側の側面パネルに形成された開口を介して、第２搬送空間５０Ａ内に雰囲気調整ガスを概ね水平方向に吹き出す。これにより、第２搬送空間５０Ａ内をＸ正方向に流れる雰囲気調整ガスのサイドフローが形成される。 As shown in FIG. 2, a fan filter unit 41 </ b> A is provided above the transfer unit 4 </ b> A of the interface unit 4. The fan filter unit 41A blows out the atmosphere adjustment gas into the second transfer space 50A in a substantially horizontal direction through an opening formed in the side panel on the interface unit 4 side among the panels surrounding the second transfer space 50A. Thereby, the side flow of the atmosphere adjustment gas flowing in the X positive direction in the second transfer space 50A is formed.
第２搬送空間５０Ａを囲むパネルのうちのインターフェイス部４と反対側の側面パネルには、第２搬送空間５０Ａから雰囲気調整ガスを排出するための排気口５３Ａが設けられている。第２搬送空間５０Ａから雰囲気調整ガスの排出を促進するためのファン５４Ａを、排気口５３Ａの近傍に設けてもよい。上側の第２搬送空間５０Ａの排気口５３Ａと下側の第２搬送空間５０Ｂの排気口５３は一つの排気ダクト５５に接続されている。 An exhaust port 53A for discharging the atmosphere adjustment gas from the second transfer space 50A is provided in a side panel opposite to the interface unit 4 among the panels surrounding the second transfer space 50A. A fan 54A for promoting the discharge of the atmosphere adjustment gas from the second transfer space 50A may be provided in the vicinity of the exhaust port 53A. The exhaust port 53A of the upper second transfer space 50A and the exhaust port 53 of the lower second transfer space 50B are connected to one exhaust duct 55.
図１及び図２に示すように、第２搬送空間５０Ａ、５０Ｂのインターフェイス部４と反対側の端部には、メンテナンスドア５６Ａ，５６Ｂがそれぞれ設けられている。メンテナンスドア５６Ａを開くことにより、作業者が第２搬送空間５０Ａに入って、第２基板搬送装置５１Ａのメンテナンス等を行うことができる。メンテナンスドア５６Ａには電磁ロック５７が設けられている。メンテナンスドア５６Ｂは、メンテナンスドア５６Ａと同様の構成及び機能を有する。 As shown in FIGS. 1 and 2, maintenance doors 56A and 56B are provided at the ends of the second transfer spaces 50A and 50B opposite to the interface section 4 respectively. By opening the maintenance door 56A, an operator can enter the second transfer space 50A and perform maintenance of the second substrate transfer device 51A. An electromagnetic lock 57 is provided on the maintenance door 56A. The maintenance door 56B has the same configuration and function as the maintenance door 56A.
第２基板搬送装置５１Ａにも、当該第２基板搬送装置５１Ａの表面及び内部のダスト、パーティクル等を排出するために、第２搬送空間５０Ａ内から雰囲気調整ガスが取り込まれる。この雰囲気調整ガスを第２基板搬送装置５１Ａから排出するための排気ダクト５８Ａが、インターフェイス部４の内部を通って、この基板処理システム１のハウジングの床パネルの下方まで延びている。 The atmosphere adjustment gas is also taken into the second substrate transfer device 51A from the second transfer space 50A in order to discharge dust, particles, and the like on the surface and inside of the second substrate transfer device 51A. An exhaust duct 58 </ b> A for discharging the atmosphere adjusting gas from the second substrate transfer apparatus 51 </ b> A extends through the inside of the interface unit 4 to below the floor panel of the housing of the substrate processing system 1.
上記の点に関して、第２基板搬送装置５１Ｂ及び第２搬送空間５０Ｂは、第２基板搬送装置５１Ａ及び第２搬送空間５０Ａと同一であり、同様の排気ダクト５８Ｂを有する。排気ダクト５８Ａ、５８Ｂの下流端に、排気を促進するための吸引ファン５６を設けてもよい。 Regarding the above points, the second substrate transfer device 51B and the second transfer space 50B are the same as the second substrate transfer device 51A and the second transfer space 50A, and have the same exhaust duct 58B. A suction fan 56 for promoting exhaust may be provided at the downstream end of the exhaust ducts 58A and 58B.
第１搬送空間３３は、インターフェイス部４の上側の受け渡しユニット４Ａの内部空間を介して上側の第２搬送空間５０Ａと常時連通しており、かつ、インターフェイス部４の下側の受け渡しユニット４Ｂの内部空間を介して下側の第２搬送空間５０Ｂと常時連通している。つまり、第１搬送空間３３、第２搬送空間５０Ａ及び第２搬送空間５０Ｂは連続した一つの搬送空間を形成すると見なすことができる。この連続した一つの搬送空間は、基板処理システム１の通常運転時には、基板処理システム１が設置されているクリーンルーム内の雰囲気から常時隔離されている。なお、第１搬送部３の前面パネル３１の開口部が開くときも、開口部には容器Ｃが装着されているため、クリーンルーム内の雰囲気が上記搬送空間（３０，５０Ａ，５０Ｂ）に侵入することはない。上側の第２搬送空間５０Ａと下側の第２搬送空間５０Ｂとは、直接連通しておらず、第１搬送空間３３を介して連通している。 The first transfer space 33 is always in communication with the upper second transfer space 50A via the inner space of the upper transfer unit 4A of the interface unit 4, and the lower transfer unit 4B on the lower side of the interface unit 4 It is always in communication with the lower second transfer space 50B through the space. That is, it can be considered that the first transfer space 33, the second transfer space 50A, and the second transfer space 50B form one continuous transfer space. This continuous transfer space is always isolated from the atmosphere in the clean room in which the substrate processing system 1 is installed during normal operation of the substrate processing system 1. Even when the opening of the front panel 31 of the first transfer unit 3 is opened, the container C is attached to the opening, so that the atmosphere in the clean room enters the transfer space (30, 50A, 50B). There is nothing. The upper second transfer space 50 </ b> A and the lower second transfer space 50 </ b> B are not in direct communication but are in communication via the first transfer space 33.
基板処理システム１の通常運転時には、各処理ユニット６０Ａの内部空間は第２搬送空間５０Ａから隔離されており、また、各処理ユニット６０Ｂの内部空間は第２搬送空間５０Ｂから隔離されている（基板の搬出入のためシャッタ７１が開いている時を除く）。また、基板処理システム１の通常運転時には、各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂの内部空間は、基板処理システム１が設置されているクリーンルーム内の雰囲気から隔離されている。 During normal operation of the substrate processing system 1, the internal space of each processing unit 60A is isolated from the second transfer space 50A, and the internal space of each processing unit 60B is isolated from the second transfer space 50B (substrate) Except when the shutter 71 is open for loading and unloading). Further, during normal operation of the substrate processing system 1, the internal spaces of the processing units 60 </ b> A and 60 </ b> B are isolated from the atmosphere in the clean room in which the substrate processing system 1 is installed.
次に、第１搬送空間３３、第２搬送空間５０Ａ，５０Ｂ及び処理ユニット６０に雰囲気調整ガスを供給するガス供給／循環系について説明する。 Next, a gas supply / circulation system that supplies the atmosphere adjustment gas to the first transfer space 33, the second transfer spaces 50A and 50B, and the processing unit 60 will be described.
本明細書において、雰囲気調整ガスとは、当該雰囲気調整ガスを空間に供給することにより当該空間の雰囲気をクリーンルーム内の清浄空気雰囲気（クリーンエア雰囲気）と異ならせることができる任意のガスを意味している。雰囲気調整ガスは、例えば不活性ガス、具体的には窒素ガスである。窒素ガスを搬送空間３０，５０Ａ，５０Ｂまたは処理ユニット６０の内部空間に供給することにより、これらの内部空間を、クリーンルーム内の清浄空気よりも酸素濃度が低く、かつ、湿度が低い雰囲気にすることができる。雰囲気調整ガスは、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよく、クリーンルーム内のクリーンエアよりも低湿度のドライエア、あるいは、二酸化炭素ガスなどであってもよい。 In this specification, the atmosphere adjustment gas means any gas that can make the atmosphere of the space different from the clean air atmosphere (clean air atmosphere) in the clean room by supplying the atmosphere adjustment gas to the space. ing. The atmosphere adjustment gas is, for example, an inert gas, specifically nitrogen gas. By supplying nitrogen gas to the internal space of the transfer space 30, 50A, 50B or the processing unit 60, the internal space is made an atmosphere having a lower oxygen concentration and lower humidity than clean air in the clean room. Can do. The atmosphere adjustment gas may be an inert gas other than nitrogen gas, dry air having a lower humidity than clean air in a clean room, or carbon dioxide gas.
図５に示すように、基板処理システム１のガス供給／循環系は、ガス供給排出機構８０を有している。ガス供給排出機構８０内に設けられた内部管路８０Ｌの下流端には、ガス供給管路８１が接続されている。ガス供給管路８１は、第１，第２及び第３分岐供給管路８１１，８１２，８１３に分岐する。第１分岐供給管路８１１は、ファンフィルタユニット３４に接続されている。第２分岐供給管路８１２はファンフィルタユニット４１Ａに接続されている。第３分岐供給管路８１３はファンフィルタユニット４１Ｂに接続されている。 As shown in FIG. 5, the gas supply / circulation system of the substrate processing system 1 has a gas supply / discharge mechanism 80. A gas supply line 81 is connected to the downstream end of the internal line 80 </ b> L provided in the gas supply / discharge mechanism 80. The gas supply line 81 branches into first, second and third branch supply lines 811, 812 and 813. The first branch supply conduit 811 is connected to the fan filter unit 34. The second branch supply conduit 812 is connected to the fan filter unit 41A. The third branch supply line 813 is connected to the fan filter unit 41B.
第１搬送空間３３の排気口３５には、第１分岐排気管路８２１が接続されている。第１基板搬送装置３２の排気口３６には、第２分岐排気管路８２２が接続されている。上側の第２搬送空間５０Ａの排気口５３Ａ及び下側の第２搬送空間５０Ｂの排気口５３Ｂに連なる排気ダクト５５には、第３分岐排気管路８２３が接続されている。第２基板搬送装置５１Ａ，５１Ｂの排気ダクト５８Ａ，５８Ｂには、第４分岐排気管路８２４が接続されている。第１〜第４分岐排気管路８２１〜８２４は合流して排気管路８２となり、ガス供給排出機構８０内の内部管路８０Ｌの上流端に接続されている。 A first branch exhaust pipe 821 is connected to the exhaust port 35 of the first transfer space 33. A second branch exhaust line 822 is connected to the exhaust port 36 of the first substrate transfer device 32. A third branch exhaust pipe 823 is connected to the exhaust duct 55 connected to the exhaust port 53A of the upper second transfer space 50A and the exhaust port 53B of the lower second transfer space 50B. A fourth branch exhaust pipe 824 is connected to the exhaust ducts 58A and 58B of the second substrate transfer apparatuses 51A and 51B. The first to fourth branch exhaust pipe lines 821 to 824 merge to form the exhaust pipe line 82, and are connected to the upstream end of the internal pipe line 80L in the gas supply / discharge mechanism 80.
内部管路８０Ｌ、ガス供給管路８１、第１〜第３分岐供給管路８１１〜８１３、第１〜第４分岐排気管路８２１〜８２４、排気管路８２により循環路が形成され、この循環路と搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂとにより雰囲気調整ガスが循環する循環系が形成される。 The internal conduit 80L, the gas supply conduit 81, the first to third branch supply conduits 811 to 813, the first to fourth branch exhaust conduits 821 to 824, and the exhaust conduit 82 form a circulation path, and this circulation A circulation system in which the atmosphere adjusting gas circulates is formed by the path and the transfer spaces 33, 50A, 50B.
第１，第２及び第３分岐供給管路８１１，８１２，８１３、並びに第１〜第４分岐排気管路８２１〜８２４の一部に、ダンパ（図示せず）を設けてもよい。これにより、各搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂ内を流れるガス流量のバランス、各搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂの内圧のバランスなどを調節することができる。ガス流量及び内圧のバランスは、各搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂに付設されたファンフィルタユニット３４，４１Ａ，４１Ｂのファンの回転数を調整することによっても、調整することもできる。つまり、上記の図示しないダンパ及びファンは、圧力調整機器として機能する。 Dampers (not shown) may be provided in part of the first, second and third branch supply pipes 811, 812, 813 and the first to fourth branch exhaust pipes 821 to 824. Thereby, the balance of the gas flow volume which flows through each conveyance space 33, 50A, 50B, the balance of the internal pressure of each conveyance space 33, 50A, 50B, etc. can be adjusted. The balance between the gas flow rate and the internal pressure can also be adjusted by adjusting the number of rotations of the fans of the fan filter units 34, 41A, 41B attached to the transfer spaces 33, 50A, 50B. That is, the damper and fan (not shown) function as a pressure adjusting device.
第２搬送空間５０Ａ（５０Ｂ）の圧力は、当該第２搬送空間５０Ａ（５０Ｂ）に面している処理ユニット６０Ａ（６０Ｂ）の圧力よりやや高くすることが好ましい。こうすることにより処理ユニット６０Ａ（６０Ｂ）から第２搬送空間５０Ａ（５０Ｂ）にケミカルが流入することにより第２搬送空間５０Ａ（５０Ｂ）が汚染されることを防止することができる。 The pressure in the second transfer space 50A (50B) is preferably slightly higher than the pressure in the processing unit 60A (60B) facing the second transfer space 50A (50B). By doing so, it is possible to prevent the second transport space 50A (50B) from being contaminated by the chemical flowing into the second transport space 50A (50B) from the processing unit 60A (60B).
ガス供給排出機構８０の内部管路８０Ｌに、窒素ガス供給源８０１（Ｎ２）に接続された窒素ガス供給管８０１ａ及びクリーンエア供給源８０２（ＡＩＲ）に接続されたエア供給管（循環系通気路）８０２ａが接続されている。窒素ガス供給源８０１は、半導体製造工場に設けられた工場用力として提供される。クリーンエア供給源８０２は、半導体製造工場に設けられた工場用力として提供されるものであってもよいし、クリーンルーム内に開口するクリーンエアの吸込口であってもよい。窒素ガス供給管８０１ａ及びエア供給管８０２ａにはそれぞれ開閉弁８０１ｂ、８０２ｂが接続されている。 The internal supply line 80L of the gas supply / discharge mechanism 80 is connected to a nitrogen gas supply pipe 801a connected to the nitrogen gas supply source 801 (N2) and an air supply pipe (circulation system ventilation path) connected to the clean air supply source 802 (AIR). ) 802a is connected. The nitrogen gas supply source 801 is provided as factory power provided in a semiconductor manufacturing factory. The clean air supply source 802 may be provided as factory power provided in a semiconductor manufacturing factory, or may be a clean air inlet opening in a clean room. On-off valves 801b and 802b are connected to the nitrogen gas supply pipe 801a and the air supply pipe 802a, respectively.
ガス供給排出機構８０は、内部管路８０Ｌに介設されたブロア８０３を有しており、ブロア８０３に流入したガスを、圧力を高めて下流側に送り出すことができる。ガス供給排出機構８０の内部管路８０Ｌには、工場排気系に接続された排気管８０４が接続されている。排気管８０４には、ダンパ８０４ａが設けられている。 The gas supply / discharge mechanism 80 has a blower 803 interposed in the internal pipe line 80L, and the gas that has flowed into the blower 803 can be sent to the downstream side with increased pressure. An exhaust pipe 804 connected to the factory exhaust system is connected to the internal pipe line 80L of the gas supply / discharge mechanism 80. The exhaust pipe 804 is provided with a damper 804a.
上述した内部管路８０Ｌ、ガス供給管路８１、排気管路８２（これら管路８１，８２から分岐する分岐管路を含む）並びに、ガス供給排出機構８０及び上述した搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂにより、雰囲気調整ガス（あるいはパージガスとしてのクリーンエア）が循環する循環系が構成される。 The internal pipe 80L, the gas supply pipe 81, the exhaust pipe 82 (including the branch pipe branched from the pipes 81, 82), the gas supply / discharge mechanism 80, and the transfer spaces 33, 50A, 50B described above. Thus, a circulation system in which the atmosphere adjustment gas (or clean air as the purge gas) circulates is configured.
処理ユニット６０Ａ，６０Ｂには、上記循環系から独立した系により雰囲気調整ガス（あるいはパージガスとしてのクリーンエア）が供給される。窒素ガス供給ダクト７６Ａ，７６Ｂに窒素ガス供給源８０１が接続され、空気供給ダクト７８Ａ、７８Ｂにクリーンエア供給源８０２が接続され、窒素ガス及びクリーンエアを各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂに分配することができる。 An atmosphere adjustment gas (or clean air as a purge gas) is supplied to the processing units 60A and 60B by a system independent of the circulation system. A nitrogen gas supply source 801 is connected to the nitrogen gas supply ducts 76A and 76B, a clean air supply source 802 is connected to the air supply ducts 78A and 78B, and nitrogen gas and clean air can be distributed to the processing units 60A and 60B. it can.
図４及び図５に示すように、各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂには、各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂに付設された開閉弁６６Ｖ、６９Ｖにより、雰囲気調整ガスまたはクリーンエアを択一的に供給することができる。各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂの排気路６７は、排気ダクト７９Ａ、７９Ｂに接続されており、各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂ内にあるガスを、排気路６７及び排気ダクト７９Ａ、７９Ｂを介して工場排気系に排出することができる。 As shown in FIGS. 4 and 5, the atmosphere control gas or clean air is alternatively supplied to the processing units 60A and 60B by the on-off valves 66V and 69V attached to the processing units 60A and 60B. Can do. The exhaust path 67 of each processing unit 60A, 60B is connected to the exhaust ducts 79A, 79B, and the gas in each processing unit 60A, 60B is sent to the factory exhaust system via the exhaust path 67 and the exhaust ducts 79A, 79B. Can be discharged.
基板処理システム１は、制御装置１００を備える。制御装置１００は、たとえばコンピュータであり、制御部１０１と記憶部１０２とを備える。記憶部１０２には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１０１は、記憶部１０２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 The substrate processing system 1 includes a control device 100. The control device 100 is a computer, for example, and includes a control unit 101 and a storage unit 102. The storage unit 102 stores a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1. The control unit 101 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing a program stored in the storage unit 102.
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置１００の記憶部１０２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 Note that such a program may be recorded on a computer-readable storage medium and may be installed in the storage unit 102 of the control device 100 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.
以下に、基板処理システム１の動作について説明する。 Below, operation | movement of the substrate processing system 1 is demonstrated.
基板処理システム１では、まず、容器載置部２０上に載置された容器Ｃから、第１基板搬送装置３２が基板Ｗを取り出し、基板Ｗを受け渡しユニット４Ａ（または４Ｂ）に載置する。第２基板搬送装置５１Ａ（または５１Ｂ）が基板Ｗを処理ユニット６０Ａ（または６０Ｂ）に搬入し、処理ユニット６０Ａ（または６０Ｂ）内で基板Ｗに所定の液処理が施される。処理済みの基板Ｗは、第２基板搬送装置５１Ａ（または５１Ｂ）により、処理ユニット６０Ａ（または６０Ｂ）から搬出され、受け渡しユニット４Ａ（または４Ｂ）に載置される。その後、第１基板搬送装置３２が、受け渡しユニット４Ａ（または４Ｂ）に載置された基板Ｗを元の容器Ｃに戻す。 In the substrate processing system 1, first, the first substrate transport device 32 takes out the substrate W from the container C placed on the container placement unit 20, and places the substrate W on the delivery unit 4 </ b> A (or 4 </ b> B). The second substrate transfer apparatus 51A (or 51B) carries the substrate W into the processing unit 60A (or 60B), and a predetermined liquid process is performed on the substrate W in the processing unit 60A (or 60B). The processed substrate W is unloaded from the processing unit 60A (or 60B) by the second substrate transfer device 51A (or 51B) and placed on the delivery unit 4A (or 4B). Thereafter, the first substrate transfer device 32 returns the substrate W placed on the delivery unit 4A (or 4B) to the original container C.
基板処理システム１の立ち上げの際には、開閉弁８０１ｂが開かれて窒素ガス供給源８０１から窒素ガスがガス供給排出機構８０に供給され、ガス供給排出機構８０はブロア８０３により窒素ガスをガス供給管路８１に送り出す。これにより、ファンフィルタユニット３４により第１搬送空間３３に窒素ガスのダウンフローが形成されるとともに、ファンフィルタユニット４１Ａ，４１Ｂにより第２搬送空間５０Ａ，５０Ｂに窒素ガスのサイドフローが形成される。窒素ガスの供給前に搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂに存在していた空気は窒素ガスにより追い出され、第１〜第４分岐排気管路８２１〜８２４及び排気管路８２を介してガス供給排出機構８０に流入する。ガス供給排出機構８０に流入した空気は、排気管８０４を介して工場排気系に排出される。これにより、搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂ並びにガス供給管路８１及び排気管路８２等から構成される循環系内に存在していた空気が、窒素ガスに置換される。なお、この置換を効率良く行うため、ガス供給排出機構８０の内部管路８０Ｌの部分８０５（図５参照）に、窒素ガス供給源８０１から供給される窒素ガスが排気管路８２側に逆流することを防止する逆止弁、あるいは開閉弁を設けてもよい（図示せず）。 When starting up the substrate processing system 1, the on-off valve 801 b is opened and nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply source 801 to the gas supply / discharge mechanism 80, and the gas supply / discharge mechanism 80 gasses nitrogen gas by the blower 803. The feed line 81 is sent out. Thus, a down flow of nitrogen gas is formed in the first transfer space 33 by the fan filter unit 34, and a side flow of nitrogen gas is formed in the second transfer spaces 50A and 50B by the fan filter units 41A and 41B. The air that was present in the transfer spaces 33, 50 </ b> A, 50 </ b> B before the supply of the nitrogen gas is expelled by the nitrogen gas, and the gas supply / discharge mechanism via the first to fourth branch exhaust pipes 821-824 and the exhaust pipe 82 80. The air flowing into the gas supply / discharge mechanism 80 is discharged to the factory exhaust system via the exhaust pipe 804. As a result, the air existing in the circulation system including the transfer spaces 33, 50A, 50B, the gas supply pipe 81, the exhaust pipe 82, and the like is replaced with nitrogen gas. In order to efficiently perform this replacement, the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 801 flows back to the exhaust pipe 82 side in the portion 805 (see FIG. 5) of the internal pipe line 80L of the gas supply / discharge mechanism 80. A check valve or an on-off valve for preventing this may be provided (not shown).
循環系内の雰囲気が窒素ガスに置換された後も、ブロア８０３は引き続き駆動され、上述した循環系内を窒素ガスが流れる。このように窒素ガスを循環させた場合には、搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂに供給する窒素ガスを使い捨てにした場合と比較して、窒素ガスの使用量を大幅に削減することができる。 Even after the atmosphere in the circulation system is replaced with nitrogen gas, the blower 803 is continuously driven, and the nitrogen gas flows in the circulation system described above. When nitrogen gas is circulated in this way, the amount of nitrogen gas used can be greatly reduced compared to the case where the nitrogen gas supplied to the transfer spaces 33, 50A, and 50B is made disposable.
なお、基板処理システム１の周囲に多量の窒素ガスがリークすると、人体に危険が及ぶおそれがあるため、基板処理システム１の周囲に酸素濃度センサを設けて、基板処理システム１の周囲の酸素濃度を監視してもよい。 If a large amount of nitrogen gas leaks around the substrate processing system 1, there is a risk of danger to the human body. Therefore, an oxygen concentration sensor is provided around the substrate processing system 1, and the oxygen concentration around the substrate processing system 1 is May be monitored.
一方、各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂにおいても、開閉弁６９Ｖが閉じた状態で開閉弁６６Ｖが開かれ、これにより各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂに窒素ガス供給源８０１から窒素ガスが供給され、各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂ内の空気が、窒素ガスに置換される。 On the other hand, in each of the processing units 60A and 60B, the on-off valve 66V is opened with the on-off valve 69V closed, whereby nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply source 801 to each of the processing units 60A and 60B. The air in 60A and 60B is replaced with nitrogen gas.
循環系及び各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂ内が窒素ガス雰囲気に置換されたら、上述した容器Ｃからの基板Ｗの搬送及び処理を行うことができる。窒素ガス雰囲気への置換の完了は、第１搬送空間３３内に設けた酸素濃度センサＳ１、第２搬送空間５０Ａ内に設けた酸素濃度センサＳ２、第２搬送空間５０Ａ内に設けた酸素濃度センサＳ３、各処理ユニット６０Ａ，６０Ｂ内に設けた酸素濃度センサＳ４により確認することができる。 When the inside of the circulation system and each of the processing units 60A and 60B is replaced with a nitrogen gas atmosphere, the transfer and processing of the substrate W from the container C described above can be performed. Completion of the replacement with the nitrogen gas atmosphere includes the oxygen concentration sensor S1 provided in the first transfer space 33, the oxygen concentration sensor S2 provided in the second transfer space 50A, and the oxygen concentration sensor provided in the second transfer space 50A. This can be confirmed by S3, an oxygen concentration sensor S4 provided in each processing unit 60A, 60B.
なお、循環系内を確実に窒素ガスが循環していることを確認するために、第１〜第３分岐供給管路８１１〜８１３及び第１〜第４分岐排気管路８２１〜８２４のうちの少なくともいくつかに圧力計を設けてもよい。 In order to confirm that nitrogen gas is circulated reliably in the circulation system, one of the first to third branch supply pipes 811 to 813 and the first to fourth branch exhaust pipes 821 to 824 is used. At least some of the pressure gauges may be provided.
メンテナンスのため、搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂ内に作業者またはオペレータが立ち入る場合には、低酸素濃度の気体を吸入することにより人体に害が生じ無いように、搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂ内の酸素濃度が適切な値になっていなければならない。 When a worker or an operator enters the transfer spaces 33, 50A, and 50B for maintenance, the transfer spaces 33, 50A, and 50B are set so as not to cause harm to the human body by inhaling a low oxygen concentration gas. The oxygen concentration must be an appropriate value.
作業者が操作キー（図示せず）によりキーシリンダ３８を操作することにより、第１搬送空間３３及び第２搬送空間５０Ａ，５０Ｂの状態をメンテナンスモードに移行させると、全ての基板搬送装置（第１基板搬送装置３２、第２基板搬送装置５１Ａ、５１Ｂ）の動作が停止する。また、開閉弁８０１ｂが閉じられるとともに開閉弁８０２ｂが開かれ、これにより、パージガスとしてのクリーンエアの供給源８０２からガス供給排出機構８０の内部管路８０Ｌにクリーンエアが供給されるとともに、排気管８０４からガスが排出される。これにより循環系に存在していた窒素ガスがクリーンエアに置換される。酸素濃度センサＳ１〜Ｓ３により検出された酸素濃度が人体に安全な酸素濃度、例えば１９．５％以上となったことが検出されると、各メンテナンスドア３７，５６Ａ，５６Ｂのロック機構である電磁ロック３９，５７が解除される。これにより、作業者はメンテナンスドア３７，５６Ａ，５６Ｂを開いて搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂ内に入ることができるようになる。この電磁ロック３９，５７の施錠／解錠制御は独立した安全装置により行ってもよいし、制御部１００に設けられた安全装置機能により行ってもよい。 When the operator moves the state of the first transfer space 33 and the second transfer spaces 50A and 50B to the maintenance mode by operating the key cylinder 38 with an operation key (not shown), all the substrate transfer apparatuses (first The operations of the first substrate transfer device 32 and the second substrate transfer devices 51A and 51B) are stopped. Further, the on-off valve 801b is closed and the on-off valve 802b is opened, whereby clean air is supplied from the supply source 802 of clean air as purge gas to the internal conduit 80L of the gas supply / discharge mechanism 80, and the exhaust pipe Gas is discharged from 804. Thereby, the nitrogen gas existing in the circulation system is replaced with clean air. When it is detected that the oxygen concentration detected by the oxygen concentration sensors S1 to S3 has reached an oxygen concentration that is safe for the human body, for example, 19.5% or more, an electromagnetic that is a lock mechanism of each maintenance door 37, 56A, 56B. Locks 39 and 57 are released. As a result, the operator can open the maintenance doors 37, 56A, and 56B and enter the transfer spaces 33, 50A, and 50B. The locking / unlocking control of the electromagnetic locks 39 and 57 may be performed by an independent safety device, or may be performed by a safety device function provided in the control unit 100.
なおこの場合、処理ユニット６０Ａ，６０Ｂ内は窒素ガス雰囲気のまま維持してもよい。 In this case, the processing units 60A and 60B may be maintained in a nitrogen gas atmosphere.
複数ある処理ユニット６０Ａ，６０Ｂの一部、例えば一つの処理ユニット６０Ａをメンテナンスしたいときには、その処理ユニット６０Ａのメンテナンスドア７２に設けられたキーシリンダ７３を操作し、その処理ユニット６０Ａの状態をメンテナンスモードにする。すると、その処理ユニット６０Ａはそのときの状態のまま停止する。開閉弁６６Ｖが閉じられるとともに開閉弁６９Ｖが開かれ、これにより、また、処理ユニット６０Ａ内への窒素ガスの供給が停止され、かつ、クリーンエアの供給が開始される。酸素濃度センサＳ４によりその処理ユニット６０Ａ内の酸素濃度が人体に安全な酸素濃度になったことが検出されると、その処理ユニット６０Ａの電磁ロック７４が解除され、メンテナンスドア７２を開くことができるようになる。この電磁ロック７４の施錠／解錠制御は独立した安全装置により行ってもよいし、制御部１００に設けられた安全装置機能により行ってもよい。 When it is desired to maintain a part of the plurality of processing units 60A and 60B, for example, one processing unit 60A, the key cylinder 73 provided on the maintenance door 72 of the processing unit 60A is operated, and the state of the processing unit 60A is changed to the maintenance mode. To. Then, the processing unit 60A stops in the state at that time. The on-off valve 66V is closed and the on-off valve 69V is opened, whereby the supply of nitrogen gas into the processing unit 60A is stopped and the supply of clean air is started. When it is detected by the oxygen concentration sensor S4 that the oxygen concentration in the processing unit 60A is safe for the human body, the electromagnetic lock 74 of the processing unit 60A is released and the maintenance door 72 can be opened. It becomes like this. The locking / unlocking control of the electromagnetic lock 74 may be performed by an independent safety device, or may be performed by a safety device function provided in the control unit 100.
複数ある処理ユニット６０Ａ，６０Ｂの一部のみのメンテナンスドア７２を開く操作は、搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂ内における基板Ｗの搬送を継続したまま行うことができる。 The operation of opening the maintenance door 72 of only a part of the plurality of processing units 60A, 60B can be performed while the transfer of the substrate W in the transfer spaces 33, 50A, 50B is continued.
上記実施形態によれば、雰囲気調整のために搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂに供給した窒素ガスを再利用することにより、窒素ガスの消費量を削減し、基板処理システムのメンテナンスコストを低減することができる。 According to the above embodiment, by reusing the nitrogen gas supplied to the transfer spaces 33, 50A, and 50B for adjusting the atmosphere, the consumption of the nitrogen gas is reduced and the maintenance cost of the substrate processing system is reduced. Can do.
また、上記実施形態によれば、メンテナンスドアの開閉許可を検出した酸素濃度に基づいて行っているため、作業者の安全を確保することができる。 Moreover, according to the said embodiment, since it has performed based on the oxygen concentration which detected the permission of opening and closing of a maintenance door, a worker's safety can be ensured.
なお、上記実施形態では、ファンフィルタユニット３４，４１Ａ，４１Ｂを介して第１搬送空間３３、上側の第２搬送空間５０Ａ及び下側の第２搬送空間５０Ｂに雰囲気調整ガスを供給していたが、これには限定されない。例えば、ガス供給排出機構８０が、搬送空間３３，５０Ａ，５０Ｂ内に必要な雰囲気調整ガスの流れを形成するに十分な駆動力（風量、風圧）を有しているのならば、ファンフィルタユニット３４，４１Ａ，４１Ｂに代えてファンを有しないフィルタユニットを用いてもよい。 In the above embodiment, the atmosphere adjustment gas is supplied to the first transfer space 33, the upper second transfer space 50A, and the lower second transfer space 50B via the fan filter units 34, 41A, 41B. However, the present invention is not limited to this. For example, if the gas supply / discharge mechanism 80 has a driving force (air volume, wind pressure) sufficient to form a flow of the atmosphere adjustment gas required in the transfer spaces 33, 50A, 50B, the fan filter unit Instead of 34, 41A and 41B, a filter unit having no fan may be used.
また、上記実施形態（以下、区別のため「第１実施形態」とも呼ぶ）では、基板処理システム１に設けられた全ての搬送空間（３３，５０Ａ，５０Ｂ）と、これらの搬送空間に接続された管路（８１，８２，８０Ｌ，８１１，８１２，８２１，８２２，８２３，８２４）が単一の循環系を形成していたが、これには限定されない。例えば、図６に示した第２実施形態のように、上記の単一の循環系から、第１搬送空間３３と、第１搬送空間３３に接続された管路８１Ｎ，８２Ｎ，８１１とから構成される循環系（以下、「第１循環系」と呼ぶ）を分離してもよい。この場合、第１循環系専用のガス供給排出機構８０Ｎが設けられる。ガス供給排出機構８０Ｎの構成は、図６の右側に示したガス供給排出機構８０の構成と同じでよい。この場合、第２搬送空間５０Ａ，５０Ｂと、第２搬送空間５０Ａ，５０Ｂに接続された管路（８１，８２，８０Ｌ，８１２，８２３，８２４）と、ガス供給排出機構８０とから、基板処理システム１の第２循環系が構成されることになる。図６に示した第２実施形態において、第１実施形態に設けられた構成要素と同一構成要素には、同一符号を付けて重複説明は省略する。 In the above embodiment (hereinafter, also referred to as “first embodiment” for distinction), all the transfer spaces (33, 50A, 50B) provided in the substrate processing system 1 and these transfer spaces are connected. Although the pipe lines (81, 82, 80L, 811, 812, 821, 822, 823, and 824) form a single circulation system, the present invention is not limited to this. For example, as in the second embodiment shown in FIG. 6, the first transport space 33 and the pipe lines 81N, 82N, 811 connected to the first transport space 33 are configured from the single circulation system. The circulatory system (hereinafter referred to as “first circulatory system”) may be separated. In this case, a gas supply / discharge mechanism 80N dedicated to the first circulation system is provided. The configuration of the gas supply / discharge mechanism 80N may be the same as the configuration of the gas supply / discharge mechanism 80 shown on the right side of FIG. In this case, the substrate processing is performed from the second transfer spaces 50A, 50B, the pipe lines (81, 82, 80L, 812, 823, 824) connected to the second transfer spaces 50A, 50B, and the gas supply / discharge mechanism 80. The second circulation system of the system 1 is configured. In the second embodiment shown in FIG. 6, the same components as those provided in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
図６に示す第２実施施形態には、下記の利点がある。基板処理システム１の循環系を第１循環系と第２循環系とに分割して一つの循環系当たりのガス流量を減少させることにより、ガス流路（ダクト、管など）の最大断面積を小さくすることができる。これにより、基板処理システム１の全体のサイズの増大を防止または抑制することができる。図５に示したような単一の循環系を用いた場合には、時間当たりのガス循環流量（単位は例えばｍ３／min）を十分に大きく維持しつつ圧力損失を低減するため、例えばガス供給管路８１の断面積をかなり大きくする必要がある。 The second embodiment shown in FIG. 6 has the following advantages. By dividing the circulation system of the substrate processing system 1 into a first circulation system and a second circulation system to reduce the gas flow rate per circulation system, the maximum cross-sectional area of the gas flow path (duct, pipe, etc.) is increased. Can be small. Thereby, an increase in the overall size of the substrate processing system 1 can be prevented or suppressed. When a single circulation system as shown in FIG. 5 is used, in order to reduce the pressure loss while maintaining a sufficiently high gas circulation flow rate per unit (unit: m 3 / min, for example), for example, gas The cross-sectional area of the supply pipe 81 needs to be considerably increased.
また、処理ユニット６０Ａ（６０Ｂ）のシャッタ７１が開いたときに、第２搬送空間５０Ａ（５０Ｂ）は、処理ユニット６０Ａ（６０Ｂ）の内部空間と連通する。このため、処理ユニット６０Ａ（６０Ｂ）の内部の雰囲気（例えばケミカル雰囲気）が第２搬送空間５０Ａ（５０Ｂ）内に流出し、第２搬送空間５０Ａ（５０Ｂ）を汚染するおそれがある。第２搬送空間５０Ａ（５０Ｂ）の雰囲気中のケミカル濃度を所定の閾値以下に抑える要求がある場合には、既存の雰囲気の排気管８０４を介した排出量及び窒素ガス供給源８０１からの新たな雰囲気調整ガスの供給量を高くしなければならない。一方で、第１搬送空間３３は、外部から侵入してくる物質により汚染される可能性は低い。このため、第１循環系からのガスの排出量及び第１循環系への新たな窒素ガスの供給量を低く抑えることができる。つまり、要求条件次第では、基板処理システム１が単一の循環系を有する場合と比較して、窒素ガスの供給量を低く抑えることが可能となる。また、要求条件次第では、基板処理システム１が単一の循環系を有する場合と比較して、ファン、ブロア類（３４，３５ａ，３６ａ，５４Ａ，５４Ｂ，５６）の消費電力を削減することも可能となる。 Further, when the shutter 71 of the processing unit 60A (60B) is opened, the second transport space 50A (50B) communicates with the internal space of the processing unit 60A (60B). For this reason, the atmosphere (for example, chemical atmosphere) inside the processing unit 60A (60B) may flow out into the second transfer space 50A (50B) and contaminate the second transfer space 50A (50B). When there is a request to suppress the chemical concentration in the atmosphere of the second transfer space 50A (50B) to a predetermined threshold value or less, a discharge amount of the existing atmosphere through the exhaust pipe 804 and a new amount from the nitrogen gas supply source 801 are added. The supply amount of the atmosphere adjustment gas must be increased. On the other hand, the first transport space 33 is unlikely to be contaminated by a substance entering from the outside. For this reason, the discharge amount of gas from the first circulation system and the supply amount of new nitrogen gas to the first circulation system can be kept low. That is, depending on the requirements, the supply amount of nitrogen gas can be kept low as compared with the case where the substrate processing system 1 has a single circulation system. Also, depending on the requirements, the power consumption of the fans and blowers (34, 35a, 36a, 54A, 54B, 56) may be reduced as compared with the case where the substrate processing system 1 has a single circulation system. It becomes possible.
また、第１搬送空間３３と第２搬送空間５０Ａ，５０Ｂとを別々の循環系（第１循環系、第２循環系）を用いて雰囲気調整することにより、両搬送空間を別々の雰囲気に調整することができる。例えば第２搬送空間５０Ａ，５０Ｂだけを特に低酸素濃度にしたい等の要求にも柔軟に対応することができる。 Further, by adjusting the atmosphere of the first transfer space 33 and the second transfer spaces 50A and 50B using separate circulation systems (first circulation system and second circulation system), both the conveyance spaces are adjusted to separate atmospheres. can do. For example, it is possible to flexibly respond to a request for making only the second transport spaces 50A and 50B particularly low oxygen concentration.
第２実施形態と同様に第１搬送空間と第２搬送空間とを別々の循環系（第１循環系、第２循環系）を用いて雰囲気調整する他の実施形態（第３実施形態）について、図７を参照して説明する。図７に示した第３実施形態において、第１及び第２実施形態に設けられた構成要素と同一構成要素には、同一符号を付けて重複説明は省略する。 About other embodiment (3rd Embodiment) which adjusts atmosphere using a separate circulation system (a 1st circulation system, a 2nd circulation system) similarly to 2nd Embodiment using 1st conveyance space and 2nd conveyance space This will be described with reference to FIG. In the third embodiment shown in FIG. 7, the same components as those provided in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
第３実施形態では、第１及び第２実施形態では上下に仕切られていた２つの空間（第２搬送空間５０Ａ，５０Ｂ）に分割されていた搬送空間が、単一の空間５０Ｃ（第２搬送空間５０Ｃ）からなる。第２搬送空間５０Ｃは、全ての処理ユニット１６に面している。第２搬送空間５０Ｃ内には、全ての処理ユニット１６との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる単一の第２基板搬送装置５１Ｃが設けられている。第３実施形態において、第１搬送空間３３及びその中の第１基板搬送装置３２の構成は、先に説明した第１及び第２実施形態と同じでよい。第３実施形態では、第１搬送空間３３と第２搬送空間５０Ｃとの間に一つの受け渡しユニット４Ｃが設けられている。第１搬送空間３３と第２搬送空間５０Ｃとの間に、未処理基板専用の受け渡しユニットと、処理済み基板専用の受け渡しユニットが設けられていてもよい。 In 3rd Embodiment, the conveyance space divided | segmented into two space (2nd conveyance space 50A, 50B) divided up and down in 1st and 2nd embodiment is single space 50C (2nd conveyance). Space 50C). The second transfer space 50C faces all the processing units 16. In the second transfer space 50C, a single second substrate transfer device 51C capable of transferring the substrate W to and from all the processing units 16 is provided. In 3rd Embodiment, the structure of the 1st conveyance space 33 and the 1st board | substrate conveyance apparatus 32 in it may be the same as 1st and 2nd embodiment demonstrated previously. In the third embodiment, one delivery unit 4C is provided between the first transfer space 33 and the second transfer space 50C. Between the 1st conveyance space 33 and the 2nd conveyance space 50C, the delivery unit only for a non-processed substrate and the delivery unit only for a processed substrate may be provided.
図７に示す第３実施形態の第１循環系は、図６に示した第２実施形態の第１循環系に対して以下の点が異なる。ガス供給排出機構８０Ｎから出発してガス供給排出機構８０に戻る循環ライン（管路８１Ｎ，８１１，８２１，８２Ｎ）から、分岐路８１１Ｂが分岐し、再び循環ラインに戻るようになっている。分岐路８１１Ｂには、受け渡しユニット４Ｃが介設されている。受け渡しユニット４Ｃの天井部には、ファンフィルタユニット３４Ｂ１が設けられている。受け渡しユニット４Ｃの底床部には、吸引ファン３４Ｂ２が設けられている。ファンフィルタユニット３４Ｂ１は、分岐路８１１Ｂから流入してきた雰囲気調整ガスを濾過した後に、受け渡しユニット４Ｃの内部空間に下向きに吹き出す。吸引ファン３４Ｂ２は、受け渡しユニット４Ｃの内部空間の雰囲気を吸引し、分岐路８１１Ｂに送り出す。つまり、ファンフィルタユニット３４Ｂ１及び吸引ファン３４Ｂ２により、分岐路８１１Ｂを流れるガスが駆動されることになる。 The first circulatory system of the third embodiment shown in FIG. 7 differs from the first circulatory system of the second embodiment shown in FIG. 6 in the following points. A branch path 811B branches from a circulation line (pipe lines 81N, 811, 821, 82N) starting from the gas supply / discharge mechanism 80N and returning to the gas supply / discharge mechanism 80, and returns to the circulation line again. A delivery unit 4C is interposed in the branch path 811B. A fan filter unit 34B1 is provided on the ceiling of the delivery unit 4C. A suction fan 34B2 is provided on the bottom floor of the delivery unit 4C. The fan filter unit 34B1 blows downward into the internal space of the delivery unit 4C after filtering the atmosphere adjustment gas flowing in from the branch path 811B. The suction fan 34B2 sucks the atmosphere in the internal space of the delivery unit 4C and sends it out to the branch path 811B. That is, the gas flowing through the branch path 811B is driven by the fan filter unit 34B1 and the suction fan 34B2.
図７に示す第３実施形態の第２循環系は、図６に示した第２実施形態の第２循環系に対して以下の点が異なる。第２搬送空間５０Ｃ内には、サイドフローではなく、ダウンフローが形成されるようになっている。つまり、基板処理システム１のハウジングのうちの第２搬送空間５０Ｃを区画する部分（複数のパネルからなる）の天井部に、ファンフィルタユニット４１Ｃが設けられ、底床部には、吸引ファン５４Ｃが設けられている。ファンフィルタユニット４１Ｃは、第２循環系の循環ライン（管路８１２）から流入してきた雰囲気調整ガスを濾過した後に、第２搬送空間５０Ｃに下向きに吹き出す。吸引ファン５４Ｃは、第２搬送空間５０Ｃの雰囲気を吸引し、第２循環系の循環ライン（管路８２３）に送り出す。つまり、ファンフィルタユニット４１Ｃ及び吸引ファン５４Ｃにより、第２循環系を構成する管路（８１，８１２，８２３，８２等）を流れるガスが駆動されることになる。 The second circulatory system of the third embodiment shown in FIG. 7 differs from the second circulatory system of the second embodiment shown in FIG. 6 in the following points. Not the side flow but the down flow is formed in the second transfer space 50C. In other words, the fan filter unit 41C is provided on the ceiling of the portion (consisting of a plurality of panels) that partitions the second transfer space 50C in the housing of the substrate processing system 1, and the suction fan 54C is provided on the bottom floor. Is provided. The fan filter unit 41C filters the atmosphere adjustment gas flowing in from the circulation line (pipe 812) of the second circulation system, and then blows it downward into the second transfer space 50C. The suction fan 54C sucks the atmosphere of the second transfer space 50C and sends it out to the circulation line (pipe 823) of the second circulation system. That is, the gas flowing through the pipe lines (81, 812, 823, 82, etc.) constituting the second circulation system is driven by the fan filter unit 41C and the suction fan 54C.
上記の第３実施形態によれば、第２実施形態と概ね同様の利点が得られる。 According to said 3rd Embodiment, the substantially the same advantage as 2nd Embodiment is acquired.
なお、第１搬送空間３３、第２搬送空間５０Ｃ、及び受け渡しユニット４Ｃの内部空間の各々の内圧は、各空間にガスを押し込む力（例えばファンフィルタユニット３４，３４Ｂ１，４１Ｃの回転数により変化する）と、各空間からガスを吸引する力（例えば吸引ファン３５ａ，３４Ｂ２，５４Ｃの回転数により変化する）のバランスを調節することによって、制御することができる。受け渡しユニット４Ｃの内部空間内の圧力を、第１搬送空間３３内の圧力よりも高く、かつ、第２搬送空間５０Ｃ内の圧力よりも高く設定することが好ましい。受け渡しユニット４Ｃは、容器Ｃから取り出されてから容器Ｃに戻されるまでの間、基板Ｗが最も長時間滞留する可能性が高い場所である。第２搬送空間５０Ｃ内の圧力を最も高くすることにより、受け渡しユニット４Ｃに置かれた基板Ｗにダスト等の浮遊物質が付着する可能性を大幅に低減することができる。 The internal pressure of each of the internal spaces of the first transfer space 33, the second transfer space 50C, and the delivery unit 4C varies depending on the force for pushing the gas into each space (for example, the rotation speed of the fan filter units 34, 34B1, and 41C). ) And the force for sucking the gas from each space (for example, it varies depending on the number of rotations of the suction fans 35a, 34B2, and 54C). It is preferable to set the pressure in the internal space of the delivery unit 4C to be higher than the pressure in the first transfer space 33 and higher than the pressure in the second transfer space 50C. The delivery unit 4C is a place where the substrate W is most likely to stay for the longest time from when it is taken out from the container C until it is returned to the container C. By making the pressure in the second transfer space 50C the highest, the possibility that floating substances such as dust adhere to the substrate W placed on the delivery unit 4C can be greatly reduced.
なお、第１〜第３実施形態の全てにおいて、ファンフィルタユニット、吸引ファン等が循環系内に循環流を形成するのに十分なガスの駆動力を発生させることができるならば、ガス供給排出機構８０内のブロア８０３を省略することも可能である。 In all of the first to third embodiments, if a fan filter unit, a suction fan, etc. can generate a driving force of gas sufficient to form a circulation flow in the circulation system, the gas supply / discharge is performed. The blower 803 in the mechanism 80 may be omitted.
本明細書に開示された全ての実施形態において、互いに接続された第１搬送空間（３３）、第２搬送空間（５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ）及び受け渡しユニット（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）の内部空間を一つの搬送空間と見なすことができる。またこの場合、第１搬送空間を上記搬送空間のうちの第１搬送エリア（３３）、第２搬送空間を上記搬送空間のうちの第２搬送エリア（５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ）、受け渡しユニット（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）の内部空間を上記搬送空間のうちの連絡エリア、つまり、第１搬送エリア（３３）と第２搬送エリア（５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ）とを連絡するエリア、と見なすことができる。また、基板処理システム１に設けられた循環路のうち、第１搬送エリア（３３）に接続されてそれ自体が循環路を成す部分を第１循環路部分、第２搬送エリア（５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ）接続されてそれ自体が循環路を成す部分を第２循環路部分と見なすことができる。 In all the embodiments disclosed in this specification, the internal spaces of the first transfer space (33), the second transfer space (50A, 50B, 50C) and the delivery unit (4A, 4B, 4C) connected to each other are provided. It can be regarded as one conveyance space. In this case, the first transfer space is the first transfer area (33) of the transfer space, the second transfer space is the second transfer area (50A, 50B, 50C) of the transfer space, and the delivery unit (4A). , 4B, 4C) can be regarded as a communication area in the transfer space, that is, an area for connecting the first transfer area (33) and the second transfer area (50A, 50B, 50C). . Of the circulation paths provided in the substrate processing system 1, a portion connected to the first transfer area (33) and forming a circulation path itself is defined as a first circulation path portion and a second transfer area (50 A, 50 B, 50C) A part that is connected and forms a circuit itself can be regarded as a second circuit part.
雰囲気調整ガスは、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよく、クリーンルーム内のクリーンエアよりも低湿度のドライエア、あるいは、二酸化炭素ガスなどであってもよい。 The atmosphere adjustment gas may be an inert gas other than nitrogen gas, dry air having a lower humidity than clean air in a clean room, or carbon dioxide gas.
ガス供給排出機構８０は、基板処理システム１のハウジングの内部に設けられてもよいし、外部に設置されてもよい。 The gas supply / discharge mechanism 80 may be provided inside the housing of the substrate processing system 1 or may be installed outside.
上記実施形態においては、処理ユニット６０は、ノズル６４とカップ体６５を備えた液処理ユニットであったが、これに限らず、処理ユニット６０は、例えば超臨界流体を用いて基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニット、あるいは表面改質処理を行う表面処理ユニットであってもよい。 In the above embodiment, the processing unit 60 is a liquid processing unit including the nozzle 64 and the cup body 65. However, the processing unit 60 is not limited to this, and the processing unit 60 performs, for example, a substrate drying process using a supercritical fluid. It may be a drying processing unit to perform, or a surface processing unit to perform surface modification processing.
基板処理システム１において処理される基板Ｗは、半導体ウエハに限定されず、ガラス基板、セラミック基板等、半導体装置を製造するための様々な種類の基板であってよい。 The substrate W processed in the substrate processing system 1 is not limited to a semiconductor wafer, and may be various types of substrates for manufacturing a semiconductor device, such as a glass substrate and a ceramic substrate.
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration and restrictive at no points. The above-described embodiments may be omitted, replaced, and modified in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.
Ｗ 基板
Ｃ 基板搬送容器
２ 容器搬出入部
６０Ａ，６０Ｂ 処理ユニット
３３，５０Ａ，５０Ｂ，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ 搬送空間
３３ 第１搬送エリア
５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ 第２搬送エリア
４Ａ，４Ｂ，４Ｃ 連絡エリア（受け渡しユニット）
３２，５１Ａ，５１Ｂ 基板搬送機構（基板搬送装置）
３２ 第１基板搬送装置
５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ 第２基板搬送装置
７６Ａ，７６Ｂ，６６ 第１ガス供給路
６７、７９Ａ，７９Ｂ 第１ガス排出路（排気路）
８１，８２，８０Ｌ，８１１〜８１３，８２１〜８２４ 循環路
８０１ａ 第２ガス供給路
８０４ 第２ガス排出路
３７，５６Ａ，５６Ｂ，７２ メンテナンスドア
８０２ａ 循環系通気路
６９ ユニット通気路
３９，５７，７４，ロック機構
Ｓ１〜Ｓ４ 酸素濃度センサ
１００ 制御部（安全装置）
W substrate C substrate transport container 2 container carry-in / out section 60A, 60B processing unit 33, 50A, 50B, 4A, 4B, 4C transport space 33 first transport area 50A, 50B, 50C second transport area 4A, 4B, 4C contact area ( Delivery unit)
32, 51A, 51B Substrate transport mechanism (substrate transport device)
32 1st board | substrate conveyance apparatus 51A, 51B, 51C 2nd board | substrate conveyance apparatus 76A, 76B, 66 1st gas supply path 67, 79A, 79B 1st gas discharge path (exhaust path)
81, 82, 80L, 811-813, 821-824 Circulation path 801a Second gas supply path 804 Second gas discharge path 37, 56A, 56B, 72 Maintenance door 802a Circulation system ventilation path 69 Unit ventilation path 39, 57, 74 , Lock mechanism S1-S4 Oxygen concentration sensor 100 Control unit (safety device)
Claims (14)
前記基板に処理を施す処理ユニットと、
前記容器搬出入部と前記処理ユニットとの間で基板が搬送される搬送空間と、
前記搬送空間内において、前記容器搬出入部と前記処理ユニットとの間で、前記基板を搬送する基板搬送機構と、
前記処理ユニットに雰囲気調整ガスを供給するための第１ガス供給路と、
前記処理ユニットから前記雰囲気調整ガスを排出するための第１ガス排出路と、
前記搬送空間に接続され、前記搬送空間から流出した前記雰囲気調整ガスを前記搬送空間に戻す循環路と、
前記搬送空間と前記循環路とから構成された循環系に前記雰囲気調整ガスを供給するための第２ガス供給路と、
前記循環系から前記雰囲気調整ガスを排出するための第２ガス排出路と、
を備えた基板処理装置。 A container carry-in / out section on which a substrate transport container containing a substrate is placed;
A processing unit for processing the substrate;
A transport space in which a substrate is transported between the container carry-in / out section and the processing unit;
In the transfer space, a substrate transfer mechanism for transferring the substrate between the container carry-in / out unit and the processing unit;
A first gas supply path for supplying an atmosphere adjustment gas to the processing unit;
A first gas discharge path for discharging the atmosphere adjustment gas from the processing unit;
A circulation path connected to the transfer space and returning the atmosphere adjusting gas flowing out of the transfer space to the transfer space;
A second gas supply path for supplying the atmosphere adjusting gas to a circulation system constituted by the transfer space and the circulation path;
A second gas discharge path for discharging the atmosphere adjustment gas from the circulation system;
A substrate processing apparatus comprising:
前記メンテナンスドアに付設されたロック機構と、
前記酸素濃度センサにより検出された酸素濃度が予め定められた閾値より高い場合に前記ロック機構の解錠を許可する安全装置と、
をさらに備えた請求項７記載の基板処理装置。 An oxygen concentration sensor for detecting the oxygen concentration in the space inside the processing unit;
A lock mechanism attached to the maintenance door;
A safety device that permits unlocking of the lock mechanism when the oxygen concentration detected by the oxygen concentration sensor is higher than a predetermined threshold;
The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising:
前記メンテナンスドアに付設されたロック機構と、
前記酸素濃度センサにより検出された酸素濃度が予め定められた閾値より高い場合にのみ前記ロック機構の解錠を許可する安全装置と、
をさらに備えた請求項１０記載の基板処理装置。 An oxygen concentration sensor for detecting the oxygen concentration in the space inside the transfer space;
A lock mechanism attached to the maintenance door;
A safety device that permits unlocking of the lock mechanism only when the oxygen concentration detected by the oxygen concentration sensor is higher than a predetermined threshold;
The substrate processing apparatus according to claim 10, further comprising:
前記基板搬送機構は、前記第１搬送エリアに設けられた第１基板搬送装置と、前記第２搬送エリアに設けられた第２基板搬送装置と、を有し、
前記連絡エリアにおいて、前記第１基板搬送装置及び前記第２基板搬送装置との間で基板の受け渡しが可能であり、
前記循環路は、前記第１搬送エリアに接続され、前記第１搬送エリアから流出した前記雰囲気調整ガスを前記第１搬送エリアに戻す第１循環路部分と、前記第２搬送エリアに接続され、前記第２搬送エリアから流出した前記雰囲気調整ガスを前記第２搬送エリアに戻す第２循環路部分と、を有している、請求項１記載の基板処理装置。 The transport space has a first transport area, a second transport area, and a communication area that connects the first transport area and the second transport area.
The substrate transfer mechanism includes a first substrate transfer device provided in the first transfer area, and a second substrate transfer device provided in the second transfer area,
In the communication area, the substrate can be transferred between the first substrate transfer device and the second substrate transfer device,
The circulation path is connected to the first transfer area, and is connected to the first transfer path portion that returns the atmosphere adjusting gas that has flowed out of the first transfer area to the first transfer area, and the second transfer area. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a second circulation path portion that returns the atmosphere adjustment gas that has flowed out of the second transfer area to the second transfer area.
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