JP2019140374A - 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、特許文献1には、部分欠損部を含む内部電極パターンが形成された積層基板を作製し、積層体の端面に内部電極の部分欠損部に相当する非露出部が存在するか否かによって、積層基板の積層位置の良否判断を行う方法が記載されている。
また、特許文献2には、内部電極とチップ側面との間のサイドマージンに、内部電極露出端面への露出状況によって積層精度が確認される積層状態確認用マーカーが形成された積層セラミックコンデンサが記載されている。
未焼成のセラミックシート上に、第1方向に相互に対向する第1主電極部及び第2主電極部と、上記第1主電極部及び上記第2主電極部の間を接続し上記第1方向に沿って上記第1方向に直交する第2方向における幅寸法が変化する幅狭部と、をそれぞれ有し、上記第1方向と、上記第1方向に直交する第2方向と、に沿って配列された複数の内部電極パターンが形成される。
上記複数の内部電極パターンがそれぞれ形成された複数の未焼成のセラミックシートを積層することで積層シートが作製される。
上記積層シートを上記第1方向及び上記第2方向に沿って切断することで、上記テーパ部が切断された引出部が露出する上記第1方向を向いた第1切断面と、上記第2方向を向いた第2切断面と、を有し、上記第1主電極部及び上記第2主電極部の一方と上記引出部とを含む内部電極が積層された未焼成のセラミック素体が作製される。
上記第1切断面の外観を検査して得られた、上記引出部の上記第2方向に沿った第1幅寸法と、上記引出部の上記第2方向端部から上記第2切断面までの上記第2方向に沿った第2幅寸法と、に基づいて、上記内部電極の設計位置からの上記第1方向及び上記第2方向における偏り量が検出される。
上記偏り量が所定の範囲内であると判定された場合に、上記未焼成のセラミック素体が焼成される。
つまり、第1切断面の外観を検査することで、サイドマージン部の第2方向に沿った幅寸法のみならず、エンドマージン部の第1方向に沿った長さ寸法を算出することができる。そして、算出された上記サイドマージン部の幅寸法及び上記エンドマージン部の長さ寸法に基づいて、内部電極の設計位置からの偏りを定量的に検出できる。
したがって、検出された偏り量に基づき、切断工程における切断位置や積層工程における積層位置の詳細なフィードバックが可能となり、内部電極の位置精度を高めることができる。さらに、第1切断面の外観検査のみによって内部電極の上記偏り量を精度よく検出でき、検査にかかるコスト及び時間を大幅に削減できる。
これにより、第1切断面から露出する引出部の幅寸法が、主電極部からの第1方向の距離と一対一に対応することとなる。つまり、内部電極の偏り量のみならず、偏りの向きも判定することができる。したがって、切断位置及び積層位置に対して、より適切なフィードバックを行うことができ、内部電極の位置精度をさらに高めることができる。
このような構成によっても、内部電極の偏りを定量的に検出することが可能となる。
上記幅狭部は、さらに、
上記括れ部と上記第1主電極部との間を接続し、上記第1外縁側が上記括れ部から上記第2方向の一方に膨出する第1接続部と、
上記括れ部と上記第2主電極部との間を接続し、上記第2外縁側が上記括れ部から上記第2方向の他方に膨出する第2接続部と、
を含んでいてもよい。
上記構成では、括れ部はほぼ一定の幅寸法で構成され、第1接続部及び第2接続部は、いずれも括れ部よりも大きく主電極部よりも小さい幅寸法で構成される。これにより、第1切断面から露出する引出部の幅寸法に基づいて、幅狭部のどの部分で切断されたかを判定することができる。さらに、第1接続部及び第2接続部がそれぞれ異なる側に膨出していることから、端面における引出部の第2方向における位置の偏りに基づいて、第1切断面に対応する切断位置がいずれの接続部側に偏ったかを判定することができる。
つまり、上記構成では、一方の端面の外観検査から、内部電極の偏り量及びその向きを判定することが可能であるとともに、幅狭部の一部に幅寸法が一定の領域を設けることができ、幅狭部の幅寸法の狭小化を抑制することができる。これにより、積層セラミックコンデンサが小型化した場合でも、内部電極の位置の偏りを簡便かつ精度よく検出することができる。
これにより、幅狭部が第1主電極部側と第2主電極部側とで異なる形状を有することになる。つまり、幅狭部における切断位置の偏りを検出しやすい構成とすることができ、第1切断面から露出する引出部の幅寸法に基づいて、第1方向に沿った内部電極の偏りの向きを判定しやすくすることができる。
上記未焼成のセラミック素体を作製する工程における上記第1方向及び上記第2方向に沿った切断位置と、
上記積層シートを作製する工程における上記各セラミックシートの積層位置と、
の少なくともいずれか一方を調整することで、上記内部電極の上記第1方向及び上記第2方向に沿った位置が調整されてもよい。
上記構成では偏り量を定量的に検出することができるため、上記切断位置及び上記積層位置のフィードバックが可能となる。これにより、内部電極の位置精度をさらに高めることができる。
上記第1内部電極は、第1主電極部と、上記第1主電極部から第1方向を向いた第1端面まで延びる第1引出部と、を有する。
上記第2内部電極は、第2主電極部と、上記第2主電極部から上記第1端面と上記第1方向に対向する第2端面まで延びる第2引出部と、を有し、上記第1内部電極と交互に積層される。
上記第1引出部は、上記第1端面に向かって上記第1方向に直交する第2方向に沿った幅寸法が減少し、上記第1端面において所定の幅寸法を有するように形成される。
上記第2引出部は、上記第2端面に向かって上記第2方向に沿った幅寸法が増加し、上記第2端面において上記所定の幅寸法を有するように形成される。
したがって、検出された偏り量に基づき、製造過程における切断位置や積層位置の詳細なフィードバックが可能となり、内部電極の位置精度を高めることができる。さらに、一面の外観検査のみによって内部電極の上記偏り量を精度よく検出でき、検査にかかるコスト及び時間を大幅に削減できる。
上記第1内部電極は、第1主電極部と、上記第1主電極部から第1方向を向いた第1端面まで延びる第1引出部と、を有する。
上記第2内部電極は、第2主電極部と、上記第2主電極部から上記第1端面と上記第1方向に対向する第2端面まで延びる第2引出部と、を有する。
上記第1引出部は、上記第2方向に沿った幅寸法が最も小さくなる括れ部を含み、かつ、上記第1主電極部から上記括れ部に向かって上記幅寸法が減少する部分と、上記括れ部から上記第1端面に向かって上記幅寸法が増加する部分と、を有する。
上記第2引出部は、上記第2端面に向かって上記第2方向に沿った幅寸法が減少し、上記第2端面において上記第1引出部の上記第1端面における幅寸法と同一の幅寸法を有するように形成される。
上記第1内部電極は、第1主電極部と、上記第1主電極部から第1方向を向いた第1端面まで延びる第1引出部と、を有する。
上記第2内部電極は、第2主電極部と、上記第2主電極部から上記第1端面と上記第1方向に対向する第2端面まで延びる第2引出部と、を有する。
上記第1引出部は、上記第1主電極部に向かって上記第1方向に直交する第2方向に沿った幅寸法が前記第2方向の一方に増加し、上記第1端面において所定の幅寸法を有するように形成される。
上記第2引出部は、上記第2主電極部に向かって上記第2方向に沿った幅寸法が前記第2方向の他方に増加し、上記第2端面において上記所定の幅寸法を有するように形成される。
したがって、検出された偏り量に基づき、製造過程における切断位置や積層位置のフィードバックが容易となり、内部電極の位置精度を高めることができる。さらに、一面の外観検査のみによって内部電極の上記偏り量を精度よく検出でき、検査にかかるコスト及び時間を大幅に削減できる。
さらに、上記積層セラミック電子部品は、上記第1方向の外形寸法が設計値で0.4mmであり、かつ、上記第2方向の外形寸法が設計値で0.2mmであってもよい。
また、上記積層セラミック電子部品は、上記第1方向の外形寸法が設計値で0.2mmであり、かつ、上記第2方向の外形寸法が設計値で0.1mmであってもよい。
また、上記第1方向及び上記第2方向に直交する第3方向の外形寸法が0.3mm未満であってもよい。
[積層セラミックコンデンサ10の基本構成]
図1〜3は、本発明の第1実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10を示す図である。図1は、積層セラミックコンデンサ10の斜視図である。図2は、積層セラミックコンデンサ10の図1のA−A'線に沿った断面図である。図3は、積層セラミックコンデンサ10の図1のB−B'線に沿った断面図である。
第1端部17aは、第1内部電極12の第1引出部12eと、第1エンドマージン部19aと、を有する。第1エンドマージン部19aは、第2主電極部13mのX軸方向外方に設けられ、第1引出部12eとZ軸方向に交互に積層される。第1エンドマージン部19aのY軸方向における幅寸法は、容量形成部16の幅寸法と略同一に構成される。
第2端部17bは、第2内部電極13の第2引出部13eと、第2エンドマージン部19bと、を有する。第2エンドマージン部19bは、第1主電極部12mのX軸方向外方に設けられ、第2引出部13eとZ軸方向に交互に積層される。第2エンドマージン部19bのY軸方向における幅寸法は、容量形成部16の幅寸法と略同一に構成される。
図6は、積層セラミックコンデンサ10の製造方法を示すフローチャートである。図7〜16は、積層セラミックコンデンサ10の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ10の製造方法について、図6に沿って、図7〜16を適宜参照しながら説明する。
ステップS01では、第1セラミックシート101及び第2セラミックシート102に内部電極パターン110を形成する。
内部電極パターン110は、X軸方向に相互に対向する一対の主電極部112m,113mと、テーパ形状を有し一対の主電極部112m,113m間を接続するテーパ部114と、を有する。主電極部112m,113mは、いずれも、X軸方向及びY軸方向に延びる平面形状をそれぞれ有し、略長方形状に構成される。
ステップS02では、ステップS01で内部電極パターン110が形成されたセラミックシート101,102をZ軸方向に積層することで、図9に示す積層シート104を作製する。積層シート104は、X軸方向及びY軸方向に沿った平板状に構成され、多数のチップを個片化することが可能である。
ステップS03では、ステップS02で得られた積層シート104をX軸方向及びY軸方向に沿って切断することにより、未焼成のセラミック素体111を作製する。
未焼成のセラミック素体111は、X軸方向を向いた2つの端面111a,111bと、Y軸方向を向いた2つの側面111c,111dと、Z軸方向を向いた2つの主面111e,111fと、を有する。端面111a,111bは、Y軸方向に沿って切断されることにより形成された第1切断面として構成される。側面111c,111dは、X軸方向に沿って切断されることにより形成された第2切断面として構成される。主面111e,111fは、第3セラミックシート103が切断されて形成された未焼成のカバー部120によって構成される。
第1内部電極112は、一方の主電極部112mと、テーパ部114が切断された引出部112eと、を有する。引出部112eは、主電極部112mから端面111aまで延び、端面111aに向かってY軸方向の幅寸法が漸減する。
第2内部電極113は、他方の主電極部113mと、テーパ部114が切断された引出部113eと、を有する。引出部113eは、主電極部113mから端面111bまで延びる。
同様に、エンドマージン部119a,119bも、X軸方向に沿って同一の長さ寸法を有するように設計される。エンドマージン部119a,119bの長さ寸法の設計値を、長さ寸法DEとする。
ステップS04では、端面111a,111bの少なくともいずれか一方の外観を検査することで、内部電極112,113の設計位置からの偏り量δx,δyを検出する。以下では、端面111aの外観に基づいて第1内部電極112の偏り量を検出する態様について説明するが、第2内部電極113の偏り量についても、端面111bの外観に基づいて同様に検出することができる。
偏り量δxは、実際の引出部112e及びエンドマージン部119aの長さ寸法deと設計上の長さ寸法DEの差異として求めることができる。そこで、幅寸法w1から長さ寸法deを算出することで、偏り量δxが検出できる。
wt=tanθ・de・・・(1)
WM=w1+2wt・・・(2)
de=(WM−w1)/2tanθ・・・(3)
これらの式より、偏り量δxは、設計上の規定値であるθ、DE,WM及び測定されたw1を用いて、以下のように表される。
δx=de−DE
δx={(WM−w1)/2tanθ}―DE・・・(4)
ws=w2−wt
ws=w2−(WM−w1)/2・・・(5)
dy=ws−WS
dy=w2−(WM−w1)/2−WS・・・(6)
続いて、図16に示すように、ブロックBの端面111a側を撮像装置Cによって撮像する。続いて、情報処理装置が、撮像された端面111aの画像から幅寸法w1,w2の大きさを解析し、上記式(1)〜(6)に相当する計算を自動的に行う。これにより、偏り量δx、δyが自動的に検出される。
ステップS05は、ステップS04で検出された偏り量δx、δyが所定の範囲内であるか否か判定する。つまり、偏り量δxの値が適正と認められる範囲内であり、偏り量δyの値が適正と認められる範囲内である場合、当該セラミック素体111を良品と判定し、ステップS06に進む。
ステップS06では、ステップS05で良品と判定された未焼成のセラミック素体111を焼結させることにより、図1〜3に示すセラミック素体11を作製する。つまり、ステップS06により、容量形成部116が容量形成部16になり、エンドマージン部119a,119bがエンドマージン部19a,19bになり、サイドマージン部118がサイドマージン部18になり、カバー部120がカバー部20になる。焼成は、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において行うことができる。
ステップS07では、ステップS06で得られたセラミック素体11の端面11a,11bに外部電極14,15を形成することにより、図1〜3に示す積層セラミックコンデンサ10を作製する。ステップS07では、まず端面11a,11bに未焼成の電極材料を塗布し、塗布された未焼成の電極材料を焼き付けて下地膜を形成する。そして、当該下地膜の上に中間膜及び表面膜を電解メッキなどのメッキ処理で形成し、外部電極14,15を形成する。
一方、ステップS05においてセラミック素体111が不良と判定された場合は、ステップS03'に進み、算出された偏り量δx、δyに基づいて、ステップS03におけるX軸方向及びY軸方向に沿った切断位置を調整する。これにより、各内部電極112,113のX−Y平面における位置を調整することができる。したがって、製品の不良率を低下させ、歩留まりを高めることができる。さらに、本実施形態では、偏り量δx、δyの正負によって偏りの向きも検出できるため、より的確に切断位置の調整を行うことができる。
テーパ部は、一方の主電極部から他方の主電極部に向かって、Y軸方向に沿った幅方向が漸減する態様に限定されない。
例えば以下のように、テーパ部は、一対の主電極部の間に、Y軸方向に沿った幅寸法が最も小さくなる括れ部を含んでいてもよい。
なお、以下の説明では、第1実施形態と同様の構成に対して同一の符号を付して、その説明を省略する。
図19に示すように、内部電極パターン410は、第1実施形態に係るセラミックシート101,102の内部電極パターン110と同様に、X軸方向及びY軸方向に沿って配列される。内部電極パターン410は、内部電極パターン110と同様に、一対の主電極部412m,413mと、テーパ部414と、を有する。
δx={(WM'−w1')/2tanθ'}―DE'・・・(4)'
δy=w2'−(WM'−w1')/2−WS'・・・(6)'
第1主電極部と第2主電極部とを接続する幅狭部は、X軸方向に沿って幅寸法が次第に変化するテーパ状に限定されない。
図23において、幅狭部514が切断された引出部512eは、端面511aにおいて、Y軸方向における幅寸法WN0を有する。つまり、上記ステップS04で端面511aを外観検査した場合、引出部512eのY軸方向に沿った幅寸法w1が幅寸法WN0にほぼ一致していれば、設計位置からの内部電極512,513のX軸方向における偏り量が適正範囲内であり、良品と判定することができる。
この場合、上記ステップS04の外観検査において、引出部512eのY軸方向に沿った幅寸法w1が、幅寸法WN0より大きく幅寸法WMよりも小さく、例えば幅寸法WN1に一致していることが検出される。これにより、上記ステップS05の良否判定において、X軸方向における設計位置からの内部電極512,513の偏り量が適正範囲を超えており、不良と判定することができる。
図25においても、図24と同様に、上記ステップS04の外観検査において、引出部512eのY軸方向に沿った幅寸法w1が、幅寸法WN0よりも大きく幅寸法WMよりも小さく、例えば幅寸法WN2に一致していることが検出される。これにより、上記ステップS05の良否判定において、X軸方向における設計位置からの内部電極512,513の偏り量が適正範囲を超えており、不良と判定することができる。また、ステップS04において、端面511aから露出する引出部512eが側面511d側に偏っていることを検出でき、第2主電極部513m側に切断位置が偏っていることを検出できる。これにより、上記ステップS03'の内部電極位置調整工程において、的確に切断位置を調整できる。
図26は、本発明の第4実施形態に係るセラミックシート601の平面図である。
同図に示すように、内部電極パターン610は、内部電極パターン510をベースとして角が丸く形成されていてもよい。つまり、内部電極パターン610は、内部電極パターン510と同様に、X軸方向に相互に対向する第1主電極部612m及び第2主電極部613mと、幅狭部614と、を有する。幅狭部614は、主電極部612m、613mよりもY軸方向において幅狭であって、X軸方向に沿って幅寸法がY軸方向の一方または他方に変化するとともに、第1外縁614c及び第2外縁614dの少なくとも一方が直線状の領域と定義できる。
第2接続部617は、第2接続部517と同様に、第2外縁614d側が括れ部615からY軸方向の他方に膨出した構成を有し、幅寸法WN'0よりも大きく幅寸法WMよりも小さい幅寸法WN'2を有する。
つまり、ステップS03'の内部電極位置調整工程では、上記積層位置及び切断位置の少なくとも一方を調整することができる。
11…セラミック素体
11a,11b…端面
12,13…内部電極
12m,13m…主電極部
12e,13e…引出部
14,15…外部電極
16…容量形成部(機能部)
17a…第1端部
17b…第2端部
18…サイドマージン部
19a,19b…エンドマージン部
101,102,401,402,501,601…セラミックシート
111,411,511…未焼成のセラミック素体
111a,111b,411a,411b,511a,511b…端面(第1切断面)
111c,111d,411c,411d,511c,511d…側面(第2切断面)
110,410,510,610…内部電極パターン
114,414…テーパ部(幅狭部)
514,614…幅狭部
112,113,412,413,512,513…未焼成の内部電極
112m,113m,412m,413m,512m,513m,612m,613m…未焼成の主電極部
112e,113e,412e,413e,512e,513e,612e,613e…未焼成の引出部
Nx,Ny…絶縁帯
Claims (13)
- 未焼成のセラミックシート上に、第1方向に相互に対向する第1主電極部及び第2主電極部と、前記第1主電極部及び前記第2主電極部の間を接続し前記第1方向に沿って前記第1方向に直交する第2方向における幅寸法が変化する幅狭部と、をそれぞれ有し、前記第1方向及び前記第2方向に沿って配列された複数の内部電極パターンを形成し、
前記複数の内部電極パターンがそれぞれ形成された複数の未焼成のセラミックシートを積層することで積層シートを作製し、
前記積層シートを前記第1方向及び前記第2方向に沿って切断することで、前記幅狭部が切断された引出部が露出する前記第1方向を向いた第1切断面と、前記第2方向を向いた第2切断面と、を有し、前記第1主電極部及び前記第2主電極部の一方と前記引出部とを含む内部電極が積層された未焼成のセラミック素体を作製し、
前記第1切断面の外観を検査して得られた、前記引出部の前記第2方向に沿った第1幅寸法と、前記引出部の前記第2方向端部から前記第2切断面までの前記第2方向に沿った第2幅寸法と、に基づいて、前記内部電極の設計位置からの前記第1方向及び前記第2方向における偏り量を検出し、
前記偏り量が所定の範囲内であると判定された場合に、前記未焼成のセラミック素体を焼成する
積層セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項1に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記幅狭部では、前記第1主電極部から前記第2主電極部に向かって、前記第2方向に沿った幅寸法が漸減する
積層セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記幅狭部は、前記第1主電極部及び前記第2主電極部の間に、前記第2方向に沿った幅寸法が最も小さくなる括れ部を含む
積層セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項3に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記括れ部は、前記第2方向に対向する第1外縁及び第2外縁が、前記第2方向に延びる設計上の切断線を横切って前記第1方向に延びるように構成され、
前記幅狭部は、さらに、
前記括れ部と前記第1主電極部との間を接続し、前記第1外縁側が前記括れ部から前記第2方向一方に膨出する第1接続部と、
前記括れ部と前記第2主電極部との間を接続し、前記第2外縁側が前記括れ部から前記第2方向他方に膨出する第2接続部と、
を含む
積層セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項1から4のうちいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記幅狭部は、前記第2方向に平行な直線に関して非線対称な形状を有する
積層セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項1から5のうちいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、さらに、
前記偏り量に基づいて、
前記未焼成のセラミック素体を作製する工程における前記第1方向及び前記第2方向に沿った切断位置と、
前記積層シートを作製する工程における前記各セラミックシートの積層位置と、
の少なくともいずれか一方を調整することで、前記内部電極の前記第1方向及び前記第2方向における位置を調整する
積層セラミック電子部品の製造方法。 - 第1主電極部と、前記第1主電極部から第1方向を向いた第1端面まで延びる第1引出部と、を有する第1内部電極と、
第2主電極部と、前記第2主電極部から前記第1端面と前記第1方向に対向する第2端面まで延びる第2引出部と、を有し、前記第1内部電極と交互に積層された第2内部電極と、
を具備し、
前記第1引出部は、前記第1端面に向かって前記第1方向に直交する第2方向に沿った幅寸法が減少し、前記第1端面において所定の幅寸法を有するように形成され、
前記第2引出部は、前記第2端面に向かって前記第2方向に沿った幅寸法が増加し、前記第2端面において前記所定の幅寸法を有するように形成される
積層セラミック電子部品。 - 第1主電極部と、前記第1主電極部から第1方向を向いた第1端面まで延びる第1引出部と、を有する第1内部電極と、
第2主電極部と、前記第2主電極部から前記第1端面と前記第1方向に対向する第2端面まで延びる第2引出部と、を有し、前記第1内部電極と交互に積層された第2内部電極と、
を具備し、
前記第1引出部は、前記第2方向に沿った幅寸法が最も小さくなる括れ部を含み、かつ、前記第1主電極部から前記括れ部に向かって前記幅寸法が減少する部分と、前記括れ部から前記第1端面に向かって前記幅寸法が増加する部分と、を有し、
前記第2引出部は、前記第2端面に向かって前記第2方向に沿った幅寸法が減少し、前記第2端面において前記第1引出部の前記第1端面における幅寸法と同一の幅寸法を有するように形成される
積層セラミック電子部品。 - 第1主電極部と、前記第1主電極部から第1方向を向いた第1端面まで延びる第1引出部と、を有する第1内部電極と、
第2主電極部と、前記第2主電極部から前記第1端面と前記第1方向に対向する第2端面まで延びる第2引出部と、を有し、前記第1内部電極と交互に積層された第2内部電極と、
を具備し、
前記第1引出部は、前記第1主電極部に向かって前記第1方向に直交する第2方向に沿った幅寸法が前記第2方向の一方に増加し、前記第1端面において所定の幅寸法を有するように形成され、
前記第2引出部は、前記第2主電極部に向かって前記第2方向に沿った幅寸法が前記第2方向の他方に増加し、前記第2端面において前記所定の幅寸法を有するように形成される
積層セラミック電子部品。 - 請求項7から9のうちいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品であって、
前記第1方向の外形寸法が設計値で0.6mmであり、かつ、前記第2方向の外形寸法が設計値で0.3mmである
積層セラミック電子部品。 - 請求項7から9のうちいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品であって、
前記第1方向の外形寸法が設計値で0.4mmであり、かつ、前記第2方向の外形寸法が設計値で0.2mmである
積層セラミック電子部品。 - 請求項7から9のうちいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品であって、
前記第1方向の外形寸法が設計値で0.2mmであり、かつ、前記第2方向の外形寸法が設計値で0.1mmである
積層セラミック電子部品。 - 請求項7から9のうちいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品であって、
前記第1方向及び前記第2方向に直交する第3方向の外形寸法が0.3mm未満である
積層セラミック電子部品。
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