JP2019138714A - 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置 - Google Patents

照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019138714A
JP2019138714A JP2018020613A JP2018020613A JP2019138714A JP 2019138714 A JP2019138714 A JP 2019138714A JP 2018020613 A JP2018020613 A JP 2018020613A JP 2018020613 A JP2018020613 A JP 2018020613A JP 2019138714 A JP2019138714 A JP 2019138714A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
illumination
illumination light
ellipsoidal mirror
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018020613A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6371022B1 (ja
Inventor
究 武久
Kiwamu Takehisa
究 武久
楠瀬 治彦
Haruhiko Kususe
治彦 楠瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lasertec Corp
Original Assignee
Lasertec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lasertec Corp filed Critical Lasertec Corp
Priority to JP2018020613A priority Critical patent/JP6371022B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6371022B1 publication Critical patent/JP6371022B1/ja
Publication of JP2019138714A publication Critical patent/JP2019138714A/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

【課題】検査領域に渡って積算される照明光の強度の均一化を向上させることができる照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置を提供する。【解決手段】本発明に係る照明方法は、光源101から取り出された照明光を反射させて第1集光点IF1に集光させるように第1楕円面鏡103を配置するステップと、第1集光点IF1で集光した後に第1集光点IF1から拡がる照明光を反射させて集光させるように第2楕円面鏡104を配置するステップと、第1集光点IF1の近傍に、照明光における光軸を挟んだ両側の端縁部を遮光する遮光部材115を配置させるステップと、第1楕円面鏡103及び第2楕円面鏡104を介して集光させた照明光により検査対象110を照明するステップと、を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置に関するものであり、例えば、半導体製造工程におけるリソグラフィ工程としてEUVリソグラフィ(Extremely Ultraviolet Lithography)で利用されるEUVマスクの欠陥を検出するための照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置に関する。検査対象とするEUVマスクは、例えば、基板(サブストレートと呼ばれる。)の上に多層膜と吸収体が設けられ、その吸収体がパターン形成されたパターン付きEUVマスクである。
半導体の微細化を担うリソグラフィ技術に関しては、現在、露光波長193nmのArFエキシマレーザを露光光源としたArFリソグラフィが量産適用されている。また、露光装置の対物レンズとウエハとの間を水で満たして、解像度を高める液浸技術(ArF液浸リソグラフィと呼ばれる。)も量産に利用されている。さらに、一層の微細化を実現するために、露光波長13.5nmのEUVLの実用化に向けて様々な技術開発が行われている。
図17に示したように、EUVマスク10は、積層構造として、低熱膨張性ガラスから成る基板11の上に、EUV光を反射させるための多層膜12が設けられている。多層膜12は、通常、モリブデンとシリコンを交互に数十層積み重ねた構造になっている。これにより、多層膜12は、波長13.5nmのEUV光を垂直で約65%も反射させることができる。多層膜12の上には、EUV光を吸収する吸収体13が設けられている。吸収体13をパターニングすることにより、ブランクスを形成することができる。ただし、吸収体13と多層膜12との間には、保護膜14(バッファレイヤー、及びキャッピングレイヤーと呼ばれる膜)が設けられている。実際に露光に使うためには、レジストプロセスにより、吸収体13をパターン形成する。このようにして、パターン付きEUVマスクが完成する。
EUVマスク10における許容できない欠陥の大きさは、従来のArFマスクの場合に比べると大幅に小さくなっており、検出することが困難となっている。そこで、検査用照明光として、EUV光、すなわち、波長13.5nmの露光光と同じ波長の照明光を用いて検査するアクティニック(Actinic)検査は、パターン検査に不可欠となっている。なお、EUVマスク10のブランクスを対象としたアクティニック検査装置に関しては、例えば、下記非特許文献1において示されている。また、波長13.5nmのEUV光を発生させる光源のことをアクティニック光源と呼ばれることがあるが、ここではEUV光源と呼ぶ。
EUVマスク10の検査装置の基本構成としては、EUV光源から取り出されるEUV光を、EUV用の多層膜鏡(以下、単にミラーと呼ぶ。)のみで構成される照明光学系によって、EUVマスク10まで導き、EUVマスク10のパターン面における微小な検査領域を照明する。この検査領域におけるEUVマスク10のパターンが、ミラーのみで構成される拡大光学系によって、CCDカメラやTDI(Time Delay Integration)カメラの2次元イメージセンサーの表面に投影(結像)される。そして、観察されたパターンを解析し、パターンが正しいか否かを判断する。こうして、EUVマスク10のパターン検査が行われる。
一般に、EUV光源では、微小なプラズマからEUV光を発生させる。このため、EUVマスクの検査装置の照明光学系としては、微小なプラズマでの輝点をEUVマスク10における検査領域に投影するような構成が好ましい。ただし、照明光学系にはミラーしか利用できないため、例えば、回転楕円面鏡(以下、単に楕円面鏡と呼ぶ。)を1〜2枚用いる光学系が利用されている。
その理由としては、1つの楕円面鏡は、2つの焦点を有しており、1つの焦点から発生する光は、もう一方の焦点に集光する性質を有するからである。これによって、一方の焦点がプラズマの輝点と合うように、かつ、もう一方の焦点がEUVマスク10内の微小な検査領域と合うように、EUV光源、楕円面鏡、及び、EUVマスク10を配置する。これにより、微小な検査領域までEUV光を導いて照明することができる。なお、EUV光源に関しては、例えば、下記非特許文献2、3に示されている。
また、楕円面鏡を2枚用いる場合も原理的には同様である。すなわち、一方の楕円面鏡の第一焦点には、プラズマの輝点が合うようにし、第二焦点には、他方の楕円面鏡の第一焦点が合うように配置させる。また、他方の楕円面鏡の第二焦点と検査領域とが合うようにする。
一方、EUVマスク10の検査装置によって、パターン検査を行う場合に、TDIカメラを用いて、EUVマスク10のパターン面における検査領域内の画像データを取得する。EUVマスク10は、ステージ上で一つの方向に往復運動(スキャン動作)する。このため、TDIカメラで撮像されるパターン面は常に変化する。従って、パターンにおける特定の場所は、繰り返し動作するパルス状の照明光のパルス数だけ、画像データが積算される。
画像データを積算させることにより、パルスごとに照明光のエネルギーにバラツキが多少存在しても、積算されるエネルギーのバラツキは低減される。一般に、パルスごとのエネルギーのバラツキがX%の場合に、n個のパルスが積算されると、積算されるエネルギーのバラツキは、下記の(1)式で表されるように小さくなる。
X/√(n) (1)
なお、画像データの積算に関して、図18を用いて説明する。図18は、EUVマスクのパターンPTNの一部を示した説明図である。EUVマスク10はステージに載置されている。このため、検査中において、EUVマスク10は、スキャン方向SC(ここでは上から下の方向)にスキャンされる。よって、n番目のパルス状の照明光L0(図で長円形で示された領域)と、(n+k)番目のパルス状の照明光L0とがパターンPTNの同じ微小領域QNを照明する。微小領域QNは、計4個のパルス状の照明光L0を照明されている。その結果、照明光L0で照明されたパターンPTNから発生する投影光(パターンの情報を含んだ光)は、TDIセンサーに投影されるため、TDIセンサーにおけるスキャン方向に関しては、一定の画素ピッチで信号が積算されることになる。
Anna Tchikoulaeva, et.al., "EUV actinic blank inspection: from prototype to production", Proceedings of SPIE Volume 8679, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IV; 86790I (2013). Paul A. Blackborow, et.al., "EUV Source development for AIMS and Blank Inspection", Proceedings of SPIE Volume 7636, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography; 763609 (2010). S. Ellwi, et.al., "High-brightness LPP source for actinic mask inspection", Proceedings of SPIE Volume 7969, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography II; 79690C (2011).
EUVマスク10の検査装置用として開発されているEUV光源では、パルス発光動作の繰り返し数が2〜5[kHz]であり、高くても20[kHz]程度である。したがって、パルス発光動作の繰り返し数が低く、検査装置の精度を向上させることができない。その理由を以下に説明する。
一般に、EUVマスク10の検査装置では、1秒間に、検査領域が数百フレームの速度で観察される。これによると、例えば、毎秒333フレームとすると、1フレームは3.0[ms]間、照明されることになる。つまり、仮に、光源のパルス発光繰り返し数が10[kHz]の場合には、1フレームに対して、30(10,000×0.003)パルス分が照明されることになる。その結果、パターンの同じ場所に対して、30回積算されることになる。ところが、厳密には、検査領域の境界近傍においては、パルスの積算数が30パルスではなく、31パルス、あるいは、29パルスになる場合がある。したがって、検査領域内のパターンの全面で均一な照度(照明光の積算強度)で照明することが困難となっている。
なお、図18では、4パルス分の積算であるが、微小領域QNに関しては、1番目のパルスと4番目のパルスは、照明領域の端に近い。よって、照明領域内に設定される検査領域で積算されるか不確定となる。パルスの発光のタイミングと、マスクのスキャンによる移動のタイミングがずれると、1番目または4番目のパルスは当たらないことがある。その場合には、3パルス分の照明光が同じ場所に当たることになる。よって、そこだけ積算されるエネルギーが極端に低くなってしまう。
本発明の目的は、このような問題を解決するためになされたものであり、検査領域に渡って積算される照明光の強度の均一化を向上させることができる照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置を提供することである。
本発明に係る照明方法は、光源から取り出された照明光を反射させて第1集光点に集光させるように第1楕円面鏡を配置するステップと、前記第1集光点で集光した後に前記第1集光点から拡がる前記照明光を反射させて集光させるように第2楕円面鏡を配置するステップと、前記第1集光点の近傍に、前記照明光における光軸を挟んだ両側の端縁部を遮光する遮光部材を配置させるステップと、前記第1楕円面鏡及び前記第2楕円面鏡を介して集光させた前記照明光により検査対象を照明するステップと、を備える。このような構成とすることにより、検査領域に渡って積算される照明光の強度の均一化を向上させることができる。
また、本発明に係る検査方法は、光源から取り出された照明光を反射させて第1集光点に集光させるように第1楕円面鏡を配置するステップと、前記第1集光点で集光した後に前記第1集光点から拡がる前記照明光を反射させて集光させるように第2楕円面鏡を配置するステップと、前記第1集光点の近傍に、前記照明光における光軸を挟んだ両側の端縁部を遮光する遮光部材を配置させるステップと、前記第1楕円面鏡及び前記第2楕円面鏡を介して集光させた前記照明光により検査対象を照明するステップと、前記照明光により照明された前記検査対象からの光を集光するステップと、前記検査対象を照明する前記照明光に対して、前記検査対象の検査面に平行な面内の所定のスキャン方向に前記検査対象を移動させながら、集光された前記検査対象からの光を検出し、前記検査対象の画像を取得するステップと、前記画像に基づいて前記検査対象を検査するステップと、を備える。このような構成により、検査領域に渡って積算される照明光の強度の均一化を向上させることができ、精度よく検査対象を検査することができる。
さらに、本発明に係る照明装置は、光源から取り出された照明光を反射させて第1集光点に集光させる第1楕円面鏡と、前記第1集光点で集光した後に前記第1集光点から拡がる前記照明光を反射させて集光させる第2楕円面鏡と、前記第1集光点の近傍に配置され、前記照明光における光軸を挟んだ両側の端縁部を遮光する遮光部材と、を備え、前記第1楕円面鏡及び前記第2楕円面鏡を介して集光させた前記照明光により検査対象を照明する。このような構成とすることにより、検査領域に渡って積算される照明光の強度の均一化を向上させることができる。
また、本発明に係る検査装置は、光源から取り出された照明光を反射させて第1集光点に集光させる第1楕円面鏡と、前記第1集光点で集光した後に前記第1集光点から拡がる前記照明光を反射させて集光させる第2楕円面鏡と、前記第1集光点の近傍に配置され、前記照明光における光軸を挟んだ両側の端縁部を遮光する遮光部材と、を含み、前記第1楕円面鏡及び前記第2楕円面鏡を介して集光させた前記照明光により前記検査対象を照明する照明光学系と、前記照明光により照明された前記検査対象からの光を集光する検出光学系と、前記検査対象を照明する前記照明光に対して、前記検査対象の検査面に平行な面内の所定のスキャン方向に前記検査対象を移動させながら、集光された前記検査対象からの光を検出し、前記検査対象の画像を取得する検出器と、を備える。このような構成により、検査領域に渡って積算される照明光の強度の均一化を向上させることができ、精度よく検査対象を検査することができる。
本発明によれば、検査領域に渡って積算される照明光の強度の均一化を向上させることができる照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置を提供する。
実施形態1に係る検査装置を例示した構成図である。 実施形態1に係る検査装置において、第1集光点近傍を例示した図である。 実施形態1に係る検査装置において、遮光部材で遮光された照明光の照明領域を例示した図である。 遮光部材で遮光されない照明光の照明領域を例示した図である。 実施形態1に係る検査装置を用いた検査方法を例示したフローチャート図である。 (a)は、検査領域における照度分布がフラットな場合において、検査面における所定の微小領域を照明するパルス数を例示した図であり、(b)は、照明を開始するスタートパルスのタイミングをずらした場合の微小領域の輝度の総和を例示したグラフであり、横軸は、時間を示し、縦軸は、パルス状の照明光の輝度の総和を示す。 (a)は、検査領域における照度分布がガウシャン分布の場合において、検査面における所定の微小領域を照明するパルス数を例示した図であり、(b)は、照明を開始するスタートパルスのタイミングをずらした場合の微小領域の輝度の総和を例示したグラフであり、横軸は、時間を示し、縦軸は、パルス状の照明光の輝度の総和を示す。 (a)は、検査領域における照度分布が台形状の場合において、検査面における所定の微小領域を照明するパルス数を例示した図であり、(b)は、照明を開始するスタートパルスのタイミングをずらした場合の微小領域の輝度の総和を例示したグラフであり、横軸は、時間を示し、縦軸は、パルス状の照明光の輝度の総和を示す。 (a)は、検査領域における照度分布が三角形状の場合において、検査面における所定の微小領域を照明するパルス数を例示した図であり、(b)は、照明を開始するスタートパルスのタイミングをずらした場合の微小領域の輝度の総和を例示したグラフであり、横軸は、時間を示し、縦軸は、パルス状の照明光の輝度の総和を示す。 タイミングのズレの微調整に対するバラツキの標準偏差を例示したグラフであり、横軸は、タイミングの微調整を示し、縦軸は、バラツキの標準偏差を示す。 実施形態1に係る検査装置により検査されるEUVマスクのペリクル温度をシミュレーションによって例示したグラフであり、横軸は、照明時間を示し、縦軸は、ペリクル温度を示す。 実施形態2に係る検査装置において、第1集光点近傍を例示した図である。 実施形態2に係る検査装置において、遮光部材で遮光された照明光の照明領域を例示した図である。 実施形態3に係る検査装置を例示した構成図である。 実施形態3に係る検査装置において、遮光部材で遮光された照明光の照明領域を例示した図である。 遮光部材で遮光されない照明光の照明領域を例示した図である。 EUVマスクを例示した断面図である。 EUVマスクのパターンの一部を例示した説明図である。
以下、本実施形態の具体的構成について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。
(実施形態1)
実施形態1に係る検査装置について、図を参照しながら説明する。まず、検査装置の構成を説明する。その後、検査装置による検査方法を説明する。図1は、実施形態1に係る検査装置100を例示した構成図である。図1に示すように、実施形態1に係る検査装置100は、例えば、EUVマスクを検査対象110とし、EUVマスクのパターンを検査する。ステージ111上に配置された検査対象110の検査面がXY平面となるようにXYZ直交座標軸を導入する。検査装置100は、光源101、照明光学系120、検出光学系130及び検出器109を備えている。
光源101は、照明光を発生させる。光源101は、例えば、照明光として、EUV光EUV01を発生させるプラズマ102を含んでいる。光源101は、LPP光源でもよい。なお、照明光は、EUV光に限らず、UV光、可視光等でもよい。
照明光学系120は、第1楕円面鏡103、第2楕円面鏡104、平面鏡105及び遮光部材115を含んでいる。照明光学系120は、第1楕円面鏡103及び第2楕円面鏡104を介して集光させた照明光により検査対象110を照明する。第1楕円面鏡103は、光源101から取り出された照明光EUV01を反射させて第1集光点IF1に集光させる。第1集光点IF1を、第1中間焦点ともいう。第1集光点IF1は、第1楕円面鏡103の2つの焦点の内の一方の焦点である。第1楕円面鏡103の2つの焦点の内の他方の焦点には、プラズマ102が位置している。
第2楕円面鏡104は、第1集光点IF1で集光した後に第1集光点IF1から拡がる照明光EUV02を反射させて集光させる。第2楕円面鏡104の2つの焦点の内の一方の焦点に第1集光点IF1が位置している。
遮光部材115は、第1集光点IF1の近傍に配置されている。遮光部材115は、例えば、スリット116を有している。遮光部材115は、例えば、第1集光点IF1と第2楕円面鏡104との間における第1集光点IFよりも第2楕円面鏡104側に配置されている。なお、遮光部材115は、第1楕円面鏡103と第1集光点IF1との間における第1集光点IFよりも第1楕円面鏡103側に配置されてもよい。
図2は、実施形態1に係る検査装置100において、第1集光点IF1近傍を例示した図である。図2に示すように、遮光部材115は、第1集光点IF1の後方に配置されている。
ここで、後方とは、光源101から検出器109へ進む光の光路において、検出器109側をいう。光源101から検出器109へ進む光の光路において、光源101側を前方という。
遮光部材115は、照明光EUV02の光軸Cが通るスリット116を有している。照明光EUV02の光軸Cに直交した方向におけるスリット116の幅を幅G1とする。光軸C方向における第1集光点IF1と遮光部材115との間の間隔を間隔Δfとする。例えば、幅G1は、18[μm]であり、間隔Δfは、20[μm]である。照明光EUV02の外周面をカットするためには、幅G1は、第1集光点IF1における照明光EUV02のNAに依存し、2・Δf・tan(asin(NA))より小さい必要がある。
遮光部材115は、照明光EUV02の一部を遮光する。遮光部材115は、第1集光点IF1から拡がって進む照明光EUV02に対して、その円錐形状のビーム外周面の両側を少しカットするように配置されている。言い換えれば、遮光部材115は、照明光EUV02の光軸Cを挟んだ両側の端縁部を遮光する。
図3は、実施形態1に係る検査装置100において、遮光部材115で遮光された照明光の照明領域121を例示した図である。図4は、遮光部材115で遮光されない照明光の照明領域121を例示した図である。照明領域121は、照明光により検査対象110が照明された領域をいう。
図3に示すように、遮光部材115が、照明光EUV02の一部を遮光することにより、照明領域121上での照明光の照度分布は、+Y軸方向側及び−Y軸方向側の境界線がピンボケするように、カットされている。例えば、照明領域121の形状は、対向する平行な2辺を有するようになる。Y軸方向の位置に関する照度分布は、+Y軸方向側及び−Y軸方向側ほど強度が低下するようになっている。これを傾斜照明と呼ぶ。照度の傾き、すなわち、傾斜照明のスロープの大きさは、+Y軸方向側と−Y軸方向側とで異なっていてもよい。このように、遮光部材115は、Y軸方向における照度分布が傾斜照明部分を有する台形状になるように、第1集光点IF1の近傍に配置される。これに対して、仮に、遮光部材115がちょうど第1集光点IF1に配置される場合には(つまり間隔Δf=0)、+Y軸方向側及び−Y軸方向側の境界線は、シャープになる。
図4に示すように、遮光部材115で遮光されない照明光の場合には、照明領域121は、周辺がぼけた丸い照度分布になる。これは、光源101のプラズマ102が球形状であるからである。検査対象110の検査領域131は、例えば、100×50[μm]である。したがって、検査領域131は、照明領域121全体より小さいため、照明領域121内ではほぼ均一な照度分布になる。
図3及び図4を比べれば、遮光部材115で遮光された照明光により検査対象110が照明された照明領域121は、照明光が遮光部材115で遮光された部分の間に配置される。また、照明光が遮光部材115で遮光された部分は、スキャン方向に並んでいる。よって、照明光により検査対象110が照明された照明領域121は、スキャン方向において、照明光が遮光部材115で遮光された部分の間に配置される。
平面鏡105は、第2楕円面鏡104で反射して集光された照明光EUV03を反射させる。平面鏡105は反射させた照明光EUV04を検査対象110に集光させる。
検出光学系130は、シュバルツシルト光学系106、平面鏡107、凹面鏡108を含んでいる。検出光学系130は、照明光EUV04により照明された検査対象110からの光EUV05を集光する。照明光EUV04により検査対象110が照明された照明領域121は、検査領域131をカバーしている。照明領域121における検査対象110から発生する光EUV05は、照明光EUV04の反射光及び回折光を含んでいる。よって、検査対象110から発生する光EUV05は、検査領域131のパターン情報を含んでいる。シュバルツシルト光学系106は、凹面鏡106aと凸面鏡106bとで構成されている。凹面鏡106a及び凸面鏡106bで構成されたシュバルツシルト光学系106は、拡大光学系である。凹面鏡106aは、検査対象110からの光EUV05を反射する。凸面鏡106bは、凹面鏡106aで反射された光EUV05を反射する。平面鏡107及び平面鏡108は、凸面鏡106bで反射された光EUV06を反射して、検出器109に導く。
検出器109は、例えば、TDIカメラである。検出器109がTDIカメラの場合には、検査対象110を照明する照明光EUV04に対して、検査対象110の検査面に平行な面内の所定のスキャン方向に検査対象110を移動させながら、検査対象110からの光EUV05を検出する。スキャン方向は、例えば、Y軸方向である。そして、検出器109は、検査対象110の画像を取得する。
検査対象110は、XYステージ111におけるY方向スキャンテーブル112上に配置されている。検査対象110は、例えば、EUVマスクであるが、これに限らず、ウエハ等でもよい。検査装置100は、検査対象110を照明光で照明することから、照明装置ということもできる。
次に、検査方法を説明する。図5は、実施形態1に係る検査装置100を用いた検査方法を例示したフローチャート図である。図5のステップS11に示すように、光源101から取り出された照明光EUV01を反射させて第1集光点IFに集光させるように第1楕円面鏡103を配置させる。
次に、ステップS12に示すように、第1集光点IF1で集光した後に第1集光点IF1から拡がる照明光EUV02を反射させて集光させるように第2楕円面鏡104を配置させる。
次に、ステップS13に示すように、第1集光点IF1の近傍に遮光部材115を配置させる。具体的には、遮光部材115を、第1集光点IF1と第2楕円面鏡104との間における第1集光点IF1よりも第2楕円面鏡104側に配置させる。このとき、照明光EUV02における光軸Cを挟んだ両側の端縁部を遮光するように遮光部材115を配置させる。なお、遮光部材115を、第1楕円面鏡103と第1集光点IF1との間における第1集光点IF1よりも第1楕円面鏡103側に配置させてもよい。
そして、ステップS14に示すように、第1楕円面鏡103及び第2楕円面鏡104を介して集光させた照明光EUV04により検査対象110を照明する。
具体的には、光源101のプラズマ102から発生させた照明光EUV01を、照明光学系120内に進入させる。そして、照明光学系120内に進入させた照明光EUV01を、第1の楕円面鏡103で反射させる。第1の楕円面鏡103で反射した照明光EUV02は、絞られながら進み、第1集光点IF1(中間焦点Intermediate Focusともいう。)において集光する。第1集光点IF1で一旦集光した照明光EUV02は、第1集光点IF1の後で拡がる。その後、照明光EUV02を、スリット116を有する遮光部材115に通過させる。遮光部材115を通過した照明光EUV02を、第2の楕円面鏡104で反射させる。第2の楕円面鏡104で反射した照明光EUV03は、絞られながら進み、平面鏡105に入射して反射される。平面鏡105で反射された照明光EUV04は、検査対象110上で集光する。
次に、ステップS15に示すように、照明光EUV04により照明された検査対象110からの光EUV05を集光する。具体的には、照明光EUV04を照明することにより、検査対象110から発生した光EUV05は、凹面鏡106a及び凸面鏡106bで反射される。凹面鏡106a及び凸面鏡106bで反射された光EUV06は、平面鏡107で折り返された後に、凹面鏡108でさらに拡大される。凹面鏡108で拡大された光EUV06は、検出器109の下側に配置されたセンサー面に投影される。
次に、ステップS16に示すように、検査対象110を照明する照明光EUV04に対して、スキャン方向に検査対象110を移動させながら、集光された検査対象110からの光EUV06を検出し、検査対象110の画像を取得する。スキャン方向は、検査対象110の検査面に平行な面内の所定の方向であり、例えば、Y軸方向である。検査対象110からの光EUV06の検出は、TDIカメラ等の検出器109により行われる。
次に、ステップS17に示すように、検出器109により取得された画像に基づいて検査対象110を検査する。このようにして、検査対象110の検査が実施される。なお、ステップS11〜S14は、検査対象に対して照明光EUV04を照明する照明方法ということができる。
次に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態の検査装置100は、光源101から取り出された照明光EUV02を検査対象110へ導く間に第1集光点IF1を形成している。そして、第1集光点IFの近傍において、円錐状のビームとなった照明光EUV02の外周面の2箇所を直線的にカットするように、遮光部材115を配置させている。よって、検査対象110の検査面への照明光EUV04の照射位置がパルスごとに僅かにずれたとしても、検査領域131に渡って積算されるパルス状の照明光EUV04のエネルギー密度分布は、検査面の位置に依らずにほぼ等しくなる。このことを以下で図を用いて説明する。
図6(a)は、検査領域131における照度分布がフラットな場合において、検査面における所定の微小領域を照明するパルス数を例示した説明図であり、(b)は、照明を開始するスタートパルスのタイミングをずらした場合の微小領域の輝度の総和を例示したグラフであり、横軸は、ずらし量を時間で示し、縦軸は、照明光の輝度の総和を示す。
図6(a)に示すように、パルス状の照明光L0が検査領域131に含まれる個数は、検査面における所定の微小領域を照明する照明光L0の積算数を示している。照明を開始するスタートパルスのタイミングをずらすと、検査領域131に含まれる照明光L0の個数が変化する。例えば、あるタイミングでは、30個であったり、あるタイミングでは29個であったりする。よって、微小領域を照明する照明光の積算数も30個または29個に変化する。例えば、所定の微小領域は、平均30個の照明光L0によって照明されるように設定する。そして、スタートタイミングのずらし量を変化させる。そうすると、検査領域131と照明光L0の発光タイミングの微妙なズレによって、検査領域131内に入る回数(すなわち、照明光L0の積算数)が29パルス分の場合がある。よって、スタートタイミングによって積算数が変わることになる。
図6に示すように、検査領域131における照度分布がフラットの場合には、29個の照明光L0と、30個の照明光L0との輝度の総和の違いは、1個の照明光の輝度の違いとなる。よって、積算数の変動によるエネルギーバラツキの標準偏差は、1.64%と計算される。
図7(a)は、検査領域131における照度分布がガウシャン分布の場合において、検査面における所定の微小領域を照明するパルス数を例示した図であり、(b)は、スタートパルスのタイミングをずらした場合の微小領域の輝度の総和を例示したグラフである。
図7に示すように、検査領域131における照度分布がガウシャン分布の場合には、29個の照明光L0と、30個の照明光L0との輝度の総和の違いは、単純に1個の照明光の輝度の違いとはならない。輝度の総和の違いは、検査領域131の中央部の強度に対する端部の強度による。ガウシャン分布では、検査領域131の中央部の強度が高く、端部では強度が低い。よって、輝度の総和の違いは、フラットの場合よりも小さい。積算数の変動によるエネルギーバラツキの標準偏差は、1.16%と計算される。
図8(a)は、検査領域における照度分布が台形状の場合において、検査面における所定の微小領域を照明するパルス数を例示した図であり、(b)は、スタートパルスのタイミングをずらした場合の微小領域の輝度の総和を例示したグラフである。
図9(a)は、検査領域における照度分布が三角形状の場合において、検査面における所定の微小領域を照明するパルス数を例示した図であり、(b)は、スタートパルスのタイミングをずらした場合の微小領域の輝度の総和を例示したグラフである。
図8及び図9に示すように、検査領域131における照度分布が台形状及び三角形状の場合には、検査領域131の端部の照度分布は傾斜している。台形状の場合には、検査領域131のY軸方向の長さWに対して(W/4)の部分を傾斜させている。図8及び図9に示すように、29個の照明光L0と、30個の照明光L0との輝度の総和の違いは、フラット及びガウシャンよりも小さくなる。バラツキの標準偏差は、それぞれ0.085%及び0.060%と計算される。本実施形態では、遮光部材115で照明光を遮光することにより、照度分布を台形状とすることができる。よって、遮光部材115で遮光しない場合のフラットな照度分布の場合に比べて、バラツキの標準偏差を大幅に低減することができる。
図10は、タイミングのズレの微調整に対するバラツキの標準偏差を例示したグラフであり、横軸は、タイミングの微調整を示し、縦軸は、バラツキの標準偏差を示す。図10に示すように、例えば、検査領域131にちょうど30個のパルス状の照明光L0が含まれるように、照明光L0が発光する場合は、バラツキは低くなる。そこからのズレの大きさによって標準偏差も大きく変化する。その場合でも、台形状の照度分布の場合には、フラットな照度分布に比べてバラツキの標準偏差を低減することができる。
このように、本実施形態によれば、検査領域131に渡って積算される照明光の強度の均一化を向上させることができる。よって、検査対象110を高精度で検査することができる。
特に、パルス状の照明光の積算数が少なくても、均一な感度で検査対象110を検査することができる。したがって、例えば、EUV光源においては、無理に周波数を高めずに、平均出力を最大にするような周波数に設定することができる。検査時間は、光源101の平均出力に反比例する。よって、検査時間を短縮することができる。
また、EUV光の光源101の寿命(例えば電極等の消耗品の寿命)は、発生させるパルス状の照明光L0の総数で決まる。よって、照明光の周波数を低め目に設定することにより、光源101の寿命を長くすることができる。本実施形態の検査装置は、周波数を無理に高くしなくても高感度な検査が行えることから、EUV光源の寿命を長くすることができる。
さらに、検査対象110がEUVペリクル付きEUVマスクの場合には、EUVペリクルが照明光で加熱される際の最大温度を数百度も下げることできる。EUVペリクルは、ポリシリコンを母材とした薄膜である。よって、EUVペリクルは、EUV光を20%程度吸収する。EUV光を含む照明光で照明されると、EUVペリクルの温度は上昇する。EUVペリクルの温度上昇分は、EUVペリクルを通過するEUV光の平均パワーに依存する。EUV光の平均パワーが高ければ温度上昇も大きい。ただし線形には比例しない。
図11は、実施形態1に係る検査装置により検査されるEUVマスクのペリクル温度をシミュレーションによって例示したグラフであり、横軸は、照明時間を示し、縦軸は、ペリクル温度を示す。図11に示すように、本実施形態では、遮光部材115によって、EUV光を含む照明光の一部を遮光している。このため、EUVペリクルを通過するパワーが低くなっている。その結果、EUVペリクルの温度上昇を抑制することができる。なお、図11におけるシミュレーションでは、EUVペリクルの母材は、厚さ約45nmのポリシリコンである。表面には放射率0.2のルテニウムが塗布されている。平均パワー約125mWのEUV光が入射してその20%が吸収されると仮定している。シミュレーションでは、EUV光の照射時間は40ミリ秒であり、照射開始と供に温度上昇し、ある一定の温度に達すると温度上昇は止まって平衡状態になる。平衡状態になるのは、温度が高くなることで放射冷却の効果が増すからである。遮光部材115を用いることにより、遮光部材115を用いない場合に比べて、平衡状態の温度を、約400度も低下させることができる。
このように、EUVペリクルの温度上昇を抑制できる理由は以下のとおりである。すなわち、EUVペリクル面における照明光の照射領域が、遮光部材115の有無に関わらず、ほとんど同等な大きさである。したがって、遮光部材115を配置させることで、照明光の強度を低下させることができる。照明光の照度分布は、EUVマスク面上では、遮光部材115の有無によって、図3及び図4のように異なる。しかしながら、EUVペリクル面は、EUVマスクのパターン面から2mmも離れている。よって、EUVペリクル面は、第1集光点IF1と共益位置にならないから、遮光部材115の有無に関わらず、ほぼ同じ丸い形状で照明されるため、温度上昇を抑制することができる。
(実施形態2)
次に、実施形態2を説明する。実施形態2に係る検査装置は、実施形態1に係る検査装置1と、遮光部材215の構成が異なっている。図12は、実施形態2に係る検査装置において、第1集光点IF1近傍を例示した図である。
図12に示すように、遮光部材215は、一方の遮光板215a及び他方の遮光板215bを含んでいる。一方の遮光板215a及び他方の遮光板215bは、第1集光点IF1の近傍に配置されている。一方の遮光板215aは、第1楕円面鏡103と第1集光点IF1との間における第1集光点IFよりも第1楕円面鏡103側に配置されている。他方の遮光板215bは、第1集光点IF1と第2楕円面鏡104との間における第1集光点IF1よりも第2楕円面鏡104側に配置されている。
EUV02の光軸Cに直交した方向における一方の遮光板215aと他方の遮光板215bとの間隔を間隔G2とする。光軸C方向における第1集光点IF1と各遮光板との間の間隔を間隔Δfとする。例えば、間隔G2は、22[μm]であり、間隔Δfは、25[μm]である。照明光EUV02の外周面をカットするためには、間隔G2は、第1集光点IF1における照明光EUV02のNAに依存し、2・Δf・tan(asin(NA))より小さい必要がある。
一方の遮光板215a及び他方の遮光板215bは、照明光EUV02の一部を遮光する。一方の遮光板215a及び他方の遮光板215bは、第1集光点IF1から拡がって進む照明光EUV02に対して、その円錐形状のビーム外周面の両側を少しカットするように配置されている。言い換えれば、一方の遮光板215a及び他方の遮光板215bを含む遮光部材215は、照明光EUV02の光軸Cを挟んだ両側の端縁部を遮光する。
図13は、実施形態2に係る検査装置において、遮光部材215で遮光された照明光EUV04の照明領域121を例示した図である。図13に示すように、一方の遮光板215a及び他方の遮光板215bが、照明光EUV02の一部を遮光することにより、照明領域121上での照明光EUV04の照度分布は、+Y軸方向側及び−Y軸方向側の境界線がピンボケするように、カットされている。例えば、照明領域121の形状は、対向する平行な2辺を有するようになる。照度分布は、+Y軸方向側及び−Y軸方向側ほど強度が低下する傾斜照明となっている。遮光部材215で遮光された場合には、遮光部材115で遮光された場合と異なり、+Y軸方向側及び−Y軸方向側における照度の傾きを同等とすることができる。よって、遮光部材115よりも光量損失を抑制することができる。このように、遮光部材215の一方の遮光板215a及び他方の遮光板215bは、Y軸方向における照度分布が傾斜照明部分を有する台形状になるように、第1集光点IF1の近傍に配置される。また、+Y軸方向側及び−Y軸方向側における照度の傾きが同等となるように配置される。
傾斜照明における片方のスロープが緩やかになる理由としては、遮光部材115の近傍の第1集光点IF1を1枚の楕円面鏡104のみで、検査対象110に投影しているからと考えられる。1枚の第2楕円面鏡104において、照明光EUV02が約90度に折れ曲がることから、遮光部材115及び第1集光点IF1近傍の照明光EUV02のプロファイルと、検査対象110直前での照明光EUV04のプロファイルとが完全に対象にはないからと考えられる。これ以外の構成及び効果は、実施形態1の記載に含まれている。
(実施形態3)
次に、実施形態3を説明する。本実施形態は、光源をLPP光源としている。また、本実施形態は、第3楕円面鏡を含んでいる。図14は、実施形態3に係る検査装置を例示した構成図である。
図14に示すように、実施形態3の検査装置300は、光源310、照明光学系320、検出光学系330、検出器309を備えている。
光源310は、例えば、LPP光源である。光源310は、例えば、EUV光を含む照明光EUV300を発生させる。光源310は、スズ供給タンク301、回収容器303、レンズ304を備えている。
光源310において、スズ供給タンク301からは、スズドロップ302が高速に飛ばされている。図示しない近赤外のレーザ装置から出射したレーザ光L300は、レンズ304を介してスズドロップ302に集光する。これにより、スズのプラズマが生成される。よって、プラズマから、照明光EUV300が発生される。なお、レーザ光L300が照射されずにプラズマが生成されなかったスズドロップ302は、回収容器303内に回収され貯蔵される。
照明光学系320は、第1楕円面鏡321、第2楕円面鏡322、第3楕円面鏡323、平面鏡324及び遮光部材315を含んでいる。第1楕円面鏡321はコレクタミラーと呼ばれることもある。スズドロップ302におけるプラズマから発生させた照明光EUV300は、第1楕円面鏡321で反射する。第1楕円面鏡321で反射した照明光EUV301は、絞られながら進み、第1集光点IF1において集光する。第1集光点IF1で一旦集光した照明光EUV301は、第1集光点IF1の後で拡がる。その後、照明光EUV301は、遮光部材315を通過する。
遮光部材315は、第1集光点IF1と第2楕円面鏡211との間における第1集光点IF1よりも第2楕円面鏡211側に配置されている。なお、遮光部材315は、第1楕円面鏡321と第1集光点IF1との間における第1集光点IF1よりも第1楕円面鏡321側に配置されてもよい。遮光部材315は、照明光EUV301の光軸が通るスリットを有している。これにより、遮光部材315は、照明光EUV301の光軸を挟んだ両側の端縁部を遮光する。例えば、スリットの幅Gは、50[μm]であり、第1集光点IF1と遮光部材315との間隔Δfは、50[μm]である。照明光EUV301の外周面をカットするためには、幅Gは、第1集光点IF1における照明光EUV301のNAに依存し、2・Δf・tan(asin(NA))より小さい必要がある。
遮光部材315を通過した照明光EUV301は、第2楕円面鏡322で反射する。第2楕円面鏡322で反射した照明光EUV302は、絞られながら進み、第2集光点IF2において集光する。第2集光点IF2で一旦集光した照明光EUV302は、第2集光点IF2の後で拡がる。その後、照明光EUV302は、第3楕円面鏡323で反射する。第3楕円面鏡323で反射した照明光EUV303は、絞られながら進み、平面鏡324に入射して反射される。平面鏡324で反射された照明光EUV304は、検査対象110上に集光する。
このように、照明光学系320は、第2楕円面鏡322により照明光EUV302が集光される第2集光点IF2の後で、第2集光点IF2から拡がる照明光EUV302を反射させて集光させる第3楕円面鏡323をさらに備えている。そして、照明光学系320は、第1楕円面鏡321、第2楕円面鏡322及び第3楕円面鏡323を介して集光させた照明光EUV304により検査対象110を照明する。検出光学系330、検出器309等の構成は、実施形態1と同様である。検査装置300を用いた検査方法は、第2楕円面鏡322により照明光EUV302が集光される第2集光点IF2の後で、第2集光点IF2から拡がる照明光EUV302を反射させて集光させるように第3楕円面鏡323を配置すること以外は、実施形態1の検査方法と同様である。
図15は、実施形態3に係る検査装置300において、遮光部材315で遮光された照明光EUV304の照明領域121を例示した図である。図15に示すように、遮光部材315が、照明光EUV301の一部を遮光することにより、照明領域121上での照明光EUV304の照度分布は、+Y軸方向側及び−Y軸方向側の境界線がピンボケするように、カットされている。例えば、照明領域121の形状は、対向する平行な2辺を有するようになる。照度分布は、+Y軸方向側及び−Y軸方向側ほど強度が低下する傾斜照明となっている。このように、遮光部材315は、Y軸方向における照度分布が傾斜照明部分を有する台形状になるように、第1集光点IF1の近傍に配置される。遮光部材315で遮光された場合には、遮光部材115で遮光された場合と異なり、+Y軸方向側及び−Y軸方向側における照度の傾きを同等とすることができる。よって、遮光部材115よりも光量損失を抑制することができる。
図16は、遮光部材315で遮光されない照明光EUV304の照明領域を例示した図である。図16に示すように、遮光部材315で遮光されない照明光EUV304の場合には、照明領域121は、周辺がぼけた丸い照度分布になる。
図15及び図16を比べれば、遮光部材315で遮光された照明光EUV304により検査対象110が照明された照明領域121は、照明光EUV301が遮光部材115で遮光された部分の間に配置される。また、照明光EUV301が遮光部材315で遮光された部分は、スキャン方向に並んでいる。よって、照明光EUV304により検査対象110が照明された照明領域121は、スキャン方向において、照明光EUV301が遮光部材115で遮光された部分の間に配置される。
本実施形態の検査装置300は、2つの集光点を有している。2つの集光点のうち、検査対象110側から2個目の第1集光点IF1の近傍に遮光部材315を配置している。これにより、照度分布を台形状とし、2つの傾斜照明のスロープの大きさを同等にすることができる。実施形態1のように、遮光部材115によって遮光された照明光EUV02を、1枚の楕円面鏡だけで投影したのでは、照度分布の2つの傾斜照明のスロープに違いが生じる。しかしながら、本実施形態では、遮光部材315によって遮光された照明光EUV201を、2枚の楕円面鏡を用いて検査対象110までリレーしている。しかも2枚の楕円面鏡を反対向きで利用する。このようにすることで、照度分布の2つの傾斜照明のスロープを同等にすることができる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態よる限定は受けない。
10 EUVマスク
11 基板
12 多層膜
13 吸収体
14 保護膜
100、300 検査装置
101、310 光源
102 プラズマ
103、321 第1楕円面鏡
104、322 第2楕円面鏡
105、107 平面鏡
106 シュバルツシルト光学系
106a 凹面鏡
106b 凸面鏡
108 凹面鏡
109 検出器
110 検査対象
111 XYステージ
112 Y方向スキャンテーブル
115、315 遮光部材
116 スリット
120、320 照明光学系
121 照明領域
130、330 検出光学系
131 検査領域
301 スズ供給タンク
302 スズドロップ
303 回収容器
304 レンズ
323 第3楕円面鏡
324 平面鏡
IF1 第1集光点
IF2 第2集光点
EUV01、EUV02、EUV03、EUV04 照明光
EUV300、EUV301、EUV302、EUV303、EUV304 照明光
EUV05、EUV06 光
PTN パターン
L0 照明光
SC スキャン方向

Claims (16)

  1. 光源から取り出された照明光を反射させて第1集光点に集光させるように第1楕円面鏡を配置するステップと、
    前記第1集光点で集光した後に前記第1集光点から拡がる前記照明光を反射させて集光させるように第2楕円面鏡を配置するステップと、
    前記第1集光点の近傍に、前記照明光における光軸を挟んだ両側の端縁部を遮光する遮光部材を配置させるステップと、
    前記第1楕円面鏡及び前記第2楕円面鏡を介して集光させた前記照明光により検査対象を照明するステップと、
    を備えた照明方法。
  2. 前記遮光部材は、前記照明光の光軸が通るスリットを有する、
    請求項1に記載の照明方法。
  3. 前記遮光部材は、一方の遮光板及び他方の遮光板を含み
    前記遮光部材を配置させるステップにおいて、
    前記一方の遮光板は、前記第1楕円面鏡と前記第1集光点との間における前記第1集光点よりも前記第1楕円面鏡側に配置され、
    前記他方の遮光板は、前記第1集光点と前記第2楕円面鏡との間における前記第1集光点よりも前記第2楕円面鏡側に配置された、
    請求項1に記載の照明方法。
  4. 前記第2楕円面鏡により前記照明光が集光される第2集光点の後で、前記第2集光点から拡がる前記照明光を反射させて集光させるように第3楕円面鏡を配置するステップをさらに備え、
    前記遮光部材は、前記照明光の光軸が通るスリットを有し、
    前記検査対象を照明するステップにおいて、
    前記第3楕円面鏡も介して集光させた前記照明光により前記検査対象を照明する、
    請求項1に記載の照明方法。
  5. 前記光源は、LPP光源である、
    請求項1〜4のいずれか一項に記載の照明方法。
  6. 前記照明光により前記検査対象が照明された照明領域は、前記照明光が前記遮光部材で遮光された部分の間に配置される、
    請求項1〜5のいずれか一項に記載の照明方法。
  7. 光源から取り出された照明光を反射させて第1集光点に集光させるように第1楕円面鏡を配置するステップと、
    前記第1集光点で集光した後に前記第1集光点から拡がる前記照明光を反射させて集光させるように第2楕円面鏡を配置するステップと、
    前記第1集光点の近傍に、前記照明光における光軸を挟んだ両側の端縁部を遮光する遮光部材を配置させるステップと、
    前記第1楕円面鏡及び前記第2楕円面鏡を介して集光させた前記照明光により検査対象を照明するステップと、
    前記照明光により照明された前記検査対象からの光を集光するステップと、
    前記検査対象を照明する前記照明光に対して、前記検査対象の検査面に平行な面内の所定のスキャン方向に前記検査対象を移動させながら、集光された前記検査対象からの光を検出し、前記検査対象の画像を取得するステップと、
    前記画像に基づいて前記検査対象を検査するステップと、
    を備えた検査方法。
  8. 前記照明光により前記検査対象が照明された照明領域は、前記スキャン方向において、前記照明光が前記遮光部材で遮光された部分の間に配置される、
    請求項7に記載の検査方法。
  9. 光源から取り出された照明光を反射させて第1集光点に集光させる第1楕円面鏡と、
    前記第1集光点で集光した後に前記第1集光点から拡がる前記照明光を反射させて集光させる第2楕円面鏡と、
    前記第1集光点の近傍に配置され、前記照明光における光軸を挟んだ両側の端縁部を遮光する遮光部材と、
    を備え、
    前記第1楕円面鏡及び前記第2楕円面鏡を介して集光させた前記照明光により検査対象を照明する照明装置。
  10. 前記遮光部材は、前記照明光の光軸が通るスリットを有する、
    請求項9に記載の照明装置。
  11. 前記遮光部材は、一方の遮光板及び他方の遮光板を含み
    前記一方の遮光板は、前記第1楕円面鏡と前記第1集光点との間における前記第1集光点よりも前記第1楕円面鏡側に配置され、
    前記他方の遮光板は、前記第1集光点と前記第2楕円面鏡との間における前記第1集光点よりも前記第2楕円面鏡側に配置された、
    請求項9に記載の照明装置。
  12. 前記第2楕円面鏡により前記照明光が集光される第2集光点の後で、前記第2集光点から拡がる前記照明光を反射させて集光させる第3楕円面鏡をさらに備え、
    前記遮光部材は、前記照明光の光軸が通るスリットを有し、
    前記第1楕円面鏡、前記第2楕円面鏡及び前記第3楕円面鏡を介して集光させた前記照明光により前記検査対象を照明する、
    請求項9に記載の照明装置。
  13. 前記光源は、LPP光源である、
    請求項9〜12のいずれか一項に記載の照明装置。
  14. 前記照明光により前記検査対象が照明された照明領域は、前記照明光が前記遮光部材で遮光された部分の間に配置される、
    請求項9〜13のいずれか一項に記載の照明装置。
  15. 光源から取り出された照明光を反射させて第1集光点に集光させる第1楕円面鏡と、
    前記第1集光点で集光した後に前記第1集光点から拡がる前記照明光を反射させて集光させる第2楕円面鏡と、
    前記第1集光点の近傍に配置され、前記照明光における光軸を挟んだ両側の端縁部を遮光する遮光部材と、
    を含み、前記第1楕円面鏡及び前記第2楕円面鏡を介して集光させた前記照明光により検査対象を照明する照明光学系と、
    前記照明光により照明された前記検査対象からの光を集光する検出光学系と、
    前記検査対象を照明する前記照明光に対して、前記検査対象の検査面に平行な面内の所定のスキャン方向に前記検査対象を移動させながら、集光された前記検査対象からの光を検出し、前記検査対象の画像を取得する検出器と、
    を備えた検査装置。
  16. 前記照明光により前記検査対象が照明された照明領域は、前記スキャン方向において、前記照明光が前記遮光部材で遮光された部分の間に配置される、
    請求項15に記載の検査装置。
JP2018020613A 2018-02-08 2018-02-08 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置 Expired - Fee Related JP6371022B1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018020613A JP6371022B1 (ja) 2018-02-08 2018-02-08 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018020613A JP6371022B1 (ja) 2018-02-08 2018-02-08 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6371022B1 JP6371022B1 (ja) 2018-08-08
JP2019138714A true JP2019138714A (ja) 2019-08-22

Family

ID=63104330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018020613A Expired - Fee Related JP6371022B1 (ja) 2018-02-08 2018-02-08 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6371022B1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017211443A1 (de) * 2017-07-05 2019-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Metrologiesystem mit einer EUV-Optik

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005241290A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Toshiba Corp 画像入力装置及び検査装置
JP2012052870A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Renesas Electronics Corp マスクブランク検査装置およびその光学調整方法
JP2012059984A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Nuflare Technology Inc マスク検査装置及び露光用マスク製造装置
US20120075456A1 (en) * 2010-09-29 2012-03-29 Carl Zeiss Sms Gmbh Method for characterizing a feature on a mask and device for carrying out the method
JP2013080810A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Lasertec Corp Euvマスク検査装置及びeuvマスク検査方法
JP2014505900A (ja) * 2010-12-23 2014-03-06 カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー マスク上の構造を特徴付ける方法及び方法を実施するためのデバイス
JP2014514736A (ja) * 2011-03-16 2014-06-19 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 薄膜スペクトル純度フィルタコーティングとともに画像センサを使用するeuv化学線レチクル検査システム
JP2016170133A (ja) * 2015-03-16 2016-09-23 株式会社東芝 撮像装置及び撮像方法
JP2017156545A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 レーザーテック株式会社 検査装置、及びそのフォーカス調整方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005241290A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Toshiba Corp 画像入力装置及び検査装置
JP2012052870A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Renesas Electronics Corp マスクブランク検査装置およびその光学調整方法
JP2012059984A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Nuflare Technology Inc マスク検査装置及び露光用マスク製造装置
US20120075456A1 (en) * 2010-09-29 2012-03-29 Carl Zeiss Sms Gmbh Method for characterizing a feature on a mask and device for carrying out the method
JP2014505900A (ja) * 2010-12-23 2014-03-06 カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー マスク上の構造を特徴付ける方法及び方法を実施するためのデバイス
JP2014514736A (ja) * 2011-03-16 2014-06-19 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 薄膜スペクトル純度フィルタコーティングとともに画像センサを使用するeuv化学線レチクル検査システム
JP2013080810A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Lasertec Corp Euvマスク検査装置及びeuvマスク検査方法
JP2016170133A (ja) * 2015-03-16 2016-09-23 株式会社東芝 撮像装置及び撮像方法
JP2017156545A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 レーザーテック株式会社 検査装置、及びそのフォーカス調整方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6371022B1 (ja) 2018-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6522604B2 (ja) 簡略化された光学素子を備えた極端紫外線(euv)基板検査システム及びその製造方法
JP6004126B1 (ja) 検査装置、及びそのフォーカス調整方法
JP4668401B2 (ja) フォトリソグラフィシミュレーションによるレティクル検査方法及びシステム
KR102013083B1 (ko) Euv 이미징을 위한 장치 및 이의 이용 방법
JP3729154B2 (ja) パターン欠陥検査方法及びその装置
US7911599B2 (en) Reticle defect inspection apparatus and reticle defect inspection method
JP2009251412A (ja) マスクブランク検査装置および方法、反射型露光マスクの製造方法ならびに半導体集積回路の製造方法
JP6462843B1 (ja) 検出方法、検査方法、検出装置及び検査装置
US6738135B1 (en) System for inspecting EUV lithography masks
KR100357659B1 (ko) 조명 시스템의 조정을 확인하는 포토마스크 및 방법
JP5008012B2 (ja) 検査装置、及び検査方法
JP5847841B2 (ja) コヒーレンス低減のための方法及びシステム
US8023759B2 (en) Focus monitoring method
JP2012058558A (ja) マスクブランクの検査方法およびマスクの製造方法
JP6371022B1 (ja) 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置
JP2014235365A (ja) フォーカス制御方法、及び光学装置
US8049897B2 (en) Reticle defect inspection apparatus and inspection method using thereof
US20210247323A1 (en) Inspection device and inspection method
JP2017187547A (ja) Euvマスク検査装置、及びフォーカス調整方法
JP4822471B1 (ja) Euvマスク検査装置及びeuvマスク検査方法
JP2016027342A (ja) 欠陥検査方法及びその装置
JP2014048217A (ja) パターン検査装置及びパターン検査方法、パターン基板の製造方法
JP4521548B2 (ja) 検査装置、検査方法及びパターン基板の製造方法
KR102297038B1 (ko) 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법
KR100800579B1 (ko) 면광 발생 장치 및 그를 이용한 면광 발생 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180328

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20180328

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180328

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20180517

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180612

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180711

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6371022

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20220124

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees