JP2019132237A - 電磁波制御装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】排ガスの浄化性能の低下を防止すること。【解決手段】電磁波制御装置200は、内燃機関からの排ガスが流れる排ガス流路1にDOC2が設けられた後処理装置100に用いられる。電磁波制御装置200は、金粒子を含むDOC2の上流側温度が予め定められた閾値未満であるか否かを判定する温度判定部201と、上流側温度が閾値未満である場合、金粒子が発熱可能な波長の電磁波をDOC2に照射するように電磁波発生装置8を制御する照射制御部202と、を有する。【選択図】図2

Description

本開示は、電磁波制御装置に関する。
車両には、内燃機関から排出される排ガスを浄化する後処理装置が搭載されている。
例えば特許文献1には、排ガス流路において上流側から順に、浄化手段として、DOC(Diesel Oxidation Catalyst)、DPF(Diesel Particulate Filter)、SCR(Selective Catalytic Reduction)、およびASC(Ammonia Slip Catalyst)を備えた後処理装置が開示されている。
特開2014−202185号公報
DOCは、例えば白金やパラジウムで構成されるが、このようなDOCを備えた後処理装置では、排ガスが低温である場合、DOCの触媒活性が低下し、排ガスの浄化性能が低下するおそれがある。
本開示の目的は、排ガスの浄化性能の低下を防止できる電磁波制御装置を提供することである。
本開示の一態様に係る電磁波制御装置は、内燃機関からの排ガスが流れる排ガス流路に酸化触媒が設けられた後処理装置に用いられる電磁波制御装置であって、金粒子を含む前記酸化触媒の上流側温度が予め定められた閾値未満であるか否かを判定する温度判定部と、前記上流側温度が前記閾値未満である場合、前記金粒子が発熱可能な波長の電磁波を前記酸化触媒に照射する制御を行う照射制御部と、を有する。
本開示によれば、排ガスの浄化性能の低下を防止できる。
本開示の実施の形態に係る後処理装置の構成の一例を示す模式図 本開示の実施の形態に係る電磁波制御装置の構成の一例を示すブロック図 本開示の実施の形態に係る電磁波制御装置の動作の一例を示すフローチャート
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、本実施の形態に係る後処理装置100について、図1を用いて説明する。図1は、後処理装置100の構成の一例を示す模式図である。図1において、実線の矢印は、排ガスの流れを示しており、破線の矢印は、電気信号の流れを示している。
図1に示すように、後処理装置100は、排ガス流路1(例えば、排気管)に、浄化手段として、DOC(Diesel Oxidation Catalyst)2、DPF(Diesel Particulate Filter)3、SCR(Selective Catalytic Reduction)4、およびASC(Ammonia Slip Catalyst)を有し、それらによって車両のディーゼルエンジン(図示略。内燃機関の一例)から排出される排ガスに含まれる有害成分を浄化する。有害成分は、例えば、一酸化炭素(CO)、炭化水素(HCs)、粒子状物質(PM:Particulate Matter)等である。
ディーゼルエンジンから排出された排ガスは、実線の矢印に示すように、排ガス流路1を図中の左側から右側へ流れる。よって、排ガスは、DOC2、DPF3、SCR4、ASC5の順に通過する。
DOC2(酸化触媒の一例)は、排ガス中の一酸化窒素(NO)や炭化水素(HCs)を酸化させて二酸化窒素(NO)と水を生成する触媒である。
DOC2は、金粒子(Au粒子)を含む。金粒子は、電磁波発生装置8からDOC2に対して照射される電磁波により発熱し、例えば500〜600℃に達する。金粒子の形状は、棒状または球状のいずれでもよい。棒状の金粒子は、「金ナノロッド」と呼ばれる。
なお、DOC2は、金粒子のみで構成されてもよいし、金粒子以外に、例えば白金(Pt)やパラジウム(Pd)等を含んで構成されてもよい。
DPF3(微粒子除去フィルタの一例)は、排ガス中の粒子状物質を捕集して取り除くフィルタである。
SCR4(選択還元触媒の一例)は、アンモニア(NH)によって、排ガス中の窒素酸化物(NOx)を還元して浄化する触媒である。なお、図示は省略するが、排ガス流路1において、DPF3の下流側かつSCR4の上流側には、排ガス流路1内に尿素水を噴射する尿素水噴射弁が設けられている。この尿素水噴射弁から噴射された尿素水は、加水分解によりアンモニアを発生する。このアンモニアは、SCR4に供給される。
ASC5(アンモニアスリップ触媒の一例)は、SCR4で消費しきれなかったアンモニアを酸化、分解する触媒である。
DOC2、DPF3、SCR4、およびASC5を通過した排ガスは、排出口(図示略)から車外へ排出される。
また、排ガス流路1には、DOC2の上流側に上流側温度検出部6が設けられており、DOC2の下流側に下流側温度検出部7が設けられている。
上流側温度検出部6は、適宜、DOC2の上流側の排ガスの温度(以下、上流側温度という)を検出し、検出された上流側温度を示す信号(以下、上流側温度情報という)を電磁波制御装置200へ出力する。
下流側温度検出部7は、適宜、DOC2の下流側の排ガスの温度(以下、下流側温度という)を検出し、検出された下流側温度を示す信号(以下、下流側温度情報という)を電磁波制御装置200へ出力する。
上流側温度検出部6および下流側温度検出部7は、例えば、サーミスタ、センサ、または、熱電対である。
なお、上流側温度検出部6および下流側温度検出部7の設置位置は、図1に示す位置に限定されない。
また、後処理装置100には、DOC2に対して電磁波を照射可能な位置に、電磁波発生装置8が設けられている。
電磁波発生装置8は、DOC2に含まれる金粒子が発熱する波長の電磁波(例えば、マイクロ波)を発生させ、その電磁波をDOC2に照射する。電磁波発生装置8による電磁波の照射は、電磁波制御装置200によって制御される。
以上、後処理装置100の構成について説明した。
次に、本実施の形態に係る電磁波制御装置200の構成について、図2を用いて説明する。図2は、電磁波制御装置200の構成の一例を示すブロック図である。
図2に示す電磁波制御装置200は、後処理装置100と同じ車両に搭載される。電磁波制御装置200は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、制御プログラムを格納したROM(Read Only Memory)等の記憶媒体、RAM(Random Access Memory)等の作業用メモリ、および通信回路(いずれも図示略)を有する。図2に示す各部の機能は、CPUが制御プログラムを実行することにより実現される。
図2に示すように、電磁波制御装置200は、温度判定部201と、照射制御部202と、を有する。
温度判定部201は、上流側温度検出部6から上流側温度情報を受け取り、その上流側温度情報に示される上流側温度が、予め定められた閾値未満であるか否かを判定する。
閾値は、予め実施された実験やシミュレーション等により得られた、DOC2の触媒活性が低下しないことが想定される温度である。
また、温度判定部201は、電磁波発生装置8による電磁波の照射が開始された後、下流側温度検出部7から下流側温度情報を受け取り、その下流側温度情報に示される下流側温度が、上述した閾値以上であるか否かを判定する。
照射制御部202は、温度判定部201によって上流側温度が閾値未満であると判定された場合、DOC2に対する電磁波の照射を開始するように電磁波発生装置8を制御する。これにより、電磁波発生装置8は、DOC2に対する電磁波の照射を開始する。照射される電磁波の波長は、DOC2に含まれる金粒子が発熱可能な波長である。
また、照射制御部202は、電磁波の照射の開始後、温度判定部201によって下流側温度が閾値以上であると判定された場合、DOC2に対する電磁波の照射を停止するように電磁波発生装置8を制御する。これにより、電磁波発生装置8は、DOC2に対する電磁波の照射を停止する。
以上、電磁波制御装置200の構成について説明した。
次に、本実施の形態に係る電磁波制御装置200の動作について、図3を用いて説明する。図3は、電磁波制御装置200の動作の一例を示すフローチャートである。図3に示すフローは、例えば、内燃機関の駆動開始後に行われる。
まず、温度判定部201は、上流側温度検出部6から上流側温度情報を受け取る(ステップS101)。
次に、温度判定部201は、上流側温度情報に示される上流側温度が、閾値未満であるか否かを判定する(ステップS102)。
上流側温度が閾値未満ではない場合(ステップS102:NO)、フローは終了する。
一方、上流側温度が閾値未満である場合(ステップS102:YES)、照射制御部202は、DOC2に対する電磁波の照射を開始するように電磁波発生装置8を制御する(ステップS103)。
これにより、電磁波発生装置8からDOC2への電磁波の照射が開始される。DOC2に含まれる金粒子は電磁波の照射によって発熱し、その結果、DOC2を通過する排ガスの温度が上昇する。
次に、温度判定部201は、電磁波発生装置8による電磁波の照射が開始された後、下流側温度検出部7から下流側温度情報を受け取る(ステップS104)。
次に、温度判定部201は、下流側温度情報に示される下流側温度が、閾値以上であるか否かを判定する(ステップS105)。
下流側温度が閾値以上ではない場合(ステップS105:NO)、フローはステップS103へ戻る。この場合、電磁波の照射が継続される。
一方、下流側温度が閾値以上である場合(ステップS105:YES)、照射制御部202は、DOC2に対する電磁波の照射を停止するように電磁波発生装置8を制御する(ステップS106)。
これにより、電磁波発生装置8からDOC2への電磁波の照射が停止される。
以上、電磁波制御装置200の動作について説明した。
ここまで詳述したように、本実施の形態の電磁波制御装置200によれば、DOC2の上流側温度が閾値未満である場合、DOC2に対して電磁波を照射するように制御する。これにより、DOC2に含まれる金粒子が発熱し、DOC2を通過する排ガスの温度が上昇する。よって、DOC2の触媒活性の低下を防止でき、その結果、排ガスの浄化性能の低下を防止できる。
なお、本開示は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変形して実施することが可能である。以下、各変形例について説明する。
[変形例1]
実施の形態では、閾値が、DOC2の触媒活性が低下しないことが想定される温度である場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。
例えば、閾値は、DOC2、DPF3、SCR4、およびASC5全ての活性が低下しないことが想定される温度であってもよい。
また、実施の形態では、DOC2の下流側の浄化手段として、DPF3、SCR4、およびASC5が設けられる場合を例に挙げて説明したが、それらに限定されない。
例えば、DPF3、SCR4、およびASC5のうち少なくとも1つが設けられる構成であってもよいし、DPF3、SCR4、およびASC5以外の浄化手段(例えば、LNT(Lean NOx Trap)等)が設けられる構成であってもよい。
[変形例2]
実施の形態では、下流側温度が閾値以上となったときに電磁波の照射を停止する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。
例えば、温度判定部201は、電磁波の照射開始後、上流側温度が閾値以上になったか否かを判定し、照射制御部202は、上流側温度が閾値以上になった場合に、電磁波の照射を停止するように電磁波発生装置8を制御してもよい。
または、例えば、照射制御部202は、温度判定部201の判定結果によらず、予め定められた時間の間、電磁波の照射を行うように電磁波発生装置8を制御してもよい。
[変形例3]
実施の形態では、電磁波制御装置200と電磁波発生装置8とが別体である場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。
例えば、電磁波発生装置8が上述した電磁波制御装置200の機能(図2に示した温度判定部201および照射制御部202)を備えてもよい。
以上、各変形例について説明した。なお、各変形例は、適宜組み合わせて実施されてもよい。
<本開示のまとめ>
本開示の一態様に係る電磁波制御装置は、内燃機関からの排ガスが流れる排ガス流路に酸化触媒が設けられた後処理装置に用いられる電磁波制御装置であって、金粒子を含む前記酸化触媒の上流側温度が予め定められた閾値未満であるか否かを判定する温度判定部と、前記上流側温度が前記閾値未満である場合、前記金粒子が発熱可能な波長の電磁波を前記酸化触媒に照射する制御を行う照射制御部と、を有する。
なお、上記電磁波制御装置において、前記照射制御部は、予め定められた時間の間、前記電磁波を前記酸化触媒に照射する制御を行ってもよい。
また、上記電磁波制御装置において、前記温度判定部は、前記電磁波の照射の開始後、前記酸化触媒の下流側温度が前記閾値以上であるか否かを判定し、前記照射制御部は、前記下流側温度が前記閾値以上である場合、前記電磁波の照射を停止する制御を行ってもよい。
また、上記電磁波制御装置において、前記温度判定部は、前記電磁波の照射の開始後、前記酸化触媒の上流側温度が前記閾値以上であるか否かを判定し、前記照射制御部は、前記上流側温度が前記閾値以上である場合、前記電磁波の照射を停止する制御を行ってもよい。
また、上記電磁波制御装置において、前記閾値は、前記酸化触媒の活性が低下しないことが想定される温度、または、前記酸化触媒および前記酸化触媒の下流側に設けられた少なくとも1つの浄化手段の全ての活性が低下しないことが想定される温度であってもよい。
また、上記電磁波制御装置において、前記少なくとも1つの浄化手段は、微粒子除去フィルタ、選択還元触媒、およびアンモニアスリップ触媒のうち少なくとも1つを含んでもよい。
また、上記電磁波制御装置において、前記金粒子の形状は、棒状または球状のいずれかであってもよい。
本開示の電磁波制御装置は、内燃機関の排ガスを浄化する技術に適用できる。
1 排ガス流路
2 DOC
3 DPF
4 SCR
5 ASC
6 上流側温度検出部
7 下流側温度検出部
8 電磁波発生装置
100 後処理装置
200 電磁波制御装置
201 温度判定部
202 照射制御部

Claims (7)

  1. 内燃機関からの排ガスが流れる排ガス流路に酸化触媒が設けられた後処理装置に用いられる電磁波制御装置であって、
    金粒子を含む前記酸化触媒の上流側温度が予め定められた閾値未満であるか否かを判定する温度判定部と、
    前記上流側温度が前記閾値未満である場合、前記金粒子が発熱可能な波長の電磁波を前記酸化触媒に照射する制御を行う照射制御部と、を有する、
    電磁波制御装置。
  2. 前記照射制御部は、
    予め定められた時間の間、前記電磁波を前記酸化触媒に照射する制御を行う、
    請求項1に記載の電磁波制御装置。
  3. 前記温度判定部は、
    前記電磁波の照射の開始後、前記酸化触媒の下流側温度が前記閾値以上であるか否かを判定し、
    前記照射制御部は、
    前記下流側温度が前記閾値以上である場合、前記電磁波の照射を停止する制御を行う、
    請求項1に記載の電磁波制御装置。
  4. 前記温度判定部は、
    前記電磁波の照射の開始後、前記酸化触媒の上流側温度が前記閾値以上であるか否かを判定し、
    前記照射制御部は、
    前記上流側温度が前記閾値以上である場合、前記電磁波の照射を停止する制御を行う、
    請求項1に記載の電磁波制御装置。
  5. 前記閾値は、
    前記酸化触媒の活性が低下しないことが想定される温度、または、前記酸化触媒および前記酸化触媒の下流側に設けられた少なくとも1つの浄化手段の全ての活性が低下しないことが想定される温度である、
    請求項3または4に記載の電磁波制御装置。
  6. 前記少なくとも1つの浄化手段は、
    微粒子除去フィルタ、選択還元触媒、およびアンモニアスリップ触媒のうち少なくとも1つを含む、
    請求項5に記載の電磁波制御装置。
  7. 前記金粒子の形状は、
    棒状または球状のいずれかである、
    請求項1から6のいずれか1項に記載の電磁波制御装置。
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