JP2019131885A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019131885A JP2019131885A JP2018224878A JP2018224878A JP2019131885A JP 2019131885 A JP2019131885 A JP 2019131885A JP 2018224878 A JP2018224878 A JP 2018224878A JP 2018224878 A JP2018224878 A JP 2018224878A JP 2019131885 A JP2019131885 A JP 2019131885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- sensor
- forming apparatus
- hole
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】成膜キャリアの損傷を防止し、かつセンサーの正常作動を確保する、成膜装置の提供。【解決手段】位置センサー30が成膜室10の外側に配置されて、センサー探測通路60を介して成膜室10の内部の成膜キャリア20の位置を探測することにより、位置センサー30が成膜キャリア20に直接的に接触して成膜キャリア20を損傷することを避け、さらに、防護装置40が配置されることにより、センサー探測通路60が成膜材料に覆われることを防止し、位置センサー30の正常作動が確保される成膜装置。【選択図】図1
Description
(関連出願についての記載)
本願は、「成膜装置」を主題とした、中国特許出願第201820160021.3号(出願日2018年01月30日)、及びPCT国際出願第PCT/CN2018/093288号(出願日2018年06月28日)を優先権の基礎とし、これら出願の全記載内容を引用し本願の参照とする。
本願は、「成膜装置」を主題とした、中国特許出願第201820160021.3号(出願日2018年01月30日)、及びPCT国際出願第PCT/CN2018/093288号(出願日2018年06月28日)を優先権の基礎とし、これら出願の全記載内容を引用し本願の参照とする。
本願は太陽電池加工分野に関し、特に成膜装置に関する。
環境汚染がますます深刻化するにつれ、クリーンエネルギーの開発及び適用はますます重視されてきている。エネルギー危機を緩和する新しいタイプの光起電デバイスとして、薄膜太陽電池がますます流行っている。PVD(Physical Vapor Deposition,物理蒸着)及びCVD(Chemical Vapor Deposition,化学蒸着)は、電池の製造によく利用される技術的方法である。通常は、量産のPVD装置及びCVD装置は、ロード・ロック室、加熱室、成膜室、冷却室、アンロード室など複数の真空室からなる構成が一般で、真空室の数は成膜プロセスの需要に応じて決められるものである。電子制御システムは、主に真空システムの制御、加熱システムの制御、冷却システムの制御、プロセス用ガスの制御、及び搬送システムの制御などを行う。そのうち、搬送システムは、例えばガラスキャリアプレート又はシリコンウェーハキャリアプレートなどの成膜キャリアを搬送する。キャリアが指定された室に到着すると、通常は、位置センサーにより位置信号が制御システムに伝送され、これにより、制御システムは、成膜キャリアの位置に応じて滞留時間及び搬送速度を調整して、生産ライン全体の生産ペースを制御することができる。
成膜装置では、真空室、特に、マグネトロンスパッタリング法、共蒸着法、プラズマ成膜法など色々な成膜方法が実施される成膜室の温度は、場合によっては600℃程度に達するほど高いことがある。このため、位置センサーの取付位置及び取付方法は重要である。量産用のPVD、CVD装置その他の同類の装置では、搬送ラインで成膜キャリアが搬送される際にキャリアの位置を検出することは、プロセス条件の満足及び生産ペースのコントロールにとって非常に重要である。室内の環境は、真空環境又は高真空環境下であり、場合によっては600℃ほどに達する高温であり、色々な成膜方法が実施されて成膜環境が複雑である。それで、位置センサーを選択するとき、次のことが考えられる。1)真空室内に取り付けられなければならない接触式の機械式センサーを採用するか、或いは、2)現在よく用いられている、真空室内に取り付けられる非接触式の光電センサーを採用するか、又は、3)現在よく用いられている、真空室外に取り付けられる非接触式の光電センサーを採用する。
しかしながら、実際の適用においては、上記方法には下記のような問題がある。
方法1)では、接触式の機械式センサーは成膜キャリアに接触すると、成膜キャリアを損傷し、成膜の品質を低下させる恐れがあり、さらに、真空室内に取付られ真空室内で稼働するため、取付及びメンテナンスが不便となる。
方法2)では、非接触式の光電センサーは、真空室内に取り付けられているため、取付及びメンテナンスが不便となり、さらに、センサーは真空・高温の成膜環境下で作動することがほとんどできず、できるとしてもコストがより高くなる。
方法3)では、非接触式の光電センサーは真空室外に取り付けられて、上記方法1)と2)の欠陥がなくなるものの、センサーが成膜キャリアの存在を感知できるように、外部の光電センサーのために光線経路が設けられなければならない。実際の適用においてガラス窓が採用されているが、成膜室内において、ガラス窓にも薄膜が形成されてしまって、光電センサーの正常作動が妨害されるという問題がある。
方法1)では、接触式の機械式センサーは成膜キャリアに接触すると、成膜キャリアを損傷し、成膜の品質を低下させる恐れがあり、さらに、真空室内に取付られ真空室内で稼働するため、取付及びメンテナンスが不便となる。
方法2)では、非接触式の光電センサーは、真空室内に取り付けられているため、取付及びメンテナンスが不便となり、さらに、センサーは真空・高温の成膜環境下で作動することがほとんどできず、できるとしてもコストがより高くなる。
方法3)では、非接触式の光電センサーは真空室外に取り付けられて、上記方法1)と2)の欠陥がなくなるものの、センサーが成膜キャリアの存在を感知できるように、外部の光電センサーのために光線経路が設けられなければならない。実際の適用においてガラス窓が採用されているが、成膜室内において、ガラス窓にも薄膜が形成されてしまって、光電センサーの正常作動が妨害されるという問題がある。
本願は、既存技術の問題を解決し、成膜キャリアの損傷を防止し、かつセンサーの正常作動を確保するような、成膜装置を提供することを目的とする。
本願は成膜装置を提供している。前記成膜装置は、
成膜室と、
前記成膜室の内部に配置されており、成膜対象としてのワークピースを支える成膜キャリアと、
前記成膜室の外部に配置されている位置センサーと、
前記位置センサーと前記成膜室の内部とを連通させるセンサー探測通路であって、前記位置センサーが当該センサー探測通路を介して前記成膜キャリアの位置を探測するセンサー探測通路と、
前記センサー探測通路の周りに配置されて前記センサー探測通路に沿って延びている防護装置と、を含む。
成膜室と、
前記成膜室の内部に配置されており、成膜対象としてのワークピースを支える成膜キャリアと、
前記成膜室の外部に配置されている位置センサーと、
前記位置センサーと前記成膜室の内部とを連通させるセンサー探測通路であって、前記位置センサーが当該センサー探測通路を介して前記成膜キャリアの位置を探測するセンサー探測通路と、
前記センサー探測通路の周りに配置されて前記センサー探測通路に沿って延びている防護装置と、を含む。
一実施例において、前記防護装置は、両端が開口している中空筒状部品である。
一実施例において、前記センサー探測通路は、前記成膜室に設けられている貫通孔と、前記貫通孔を密封する光透過窓とを含む。
一実施例において、前記防護装置は、一端が前記貫通孔の周りに配置されており、他端が前記成膜室の内部へ延びている。
一実施例において、前記防護装置は前記貫通孔から前記成膜室の内部へ50mm〜160mmだけ延びている。
一実施例において、前記光透過窓は前記貫通孔を密封する少なくとも1枚の透明ガラスを含む。
一実施例において、前記成膜装置は、フランジ孔が設けられた密封フランジをさらに含み、前記少なくとも1枚の透明ガラスは前記密封フランジのフランジ孔の中に配置されており、前記密封フランジは前記貫通孔に接続されている。
一実施例において、前記成膜装置は、前記成膜室の外部に配置されている位置決めブラケットをさらに含み、前記位置センサーは前記位置決めブラケットに配置されている。
一実施例において、前記位置決めブラケットは前記密封フランジと接続されている。
一実施例において、前記貫通孔は、前記成膜室において前記位置センサーに対応する区域に設けられている。
一実施例において、前記少なくとも1枚の透明ガラスは高ホウケイ酸ガラスである。
一実施例において、前記成膜装置内に成膜源が配置されており、前記防護装置の延在方向と前記成膜源の噴射方向との間の角度は45°〜90°である。
一実施例において、前記成膜装置は少なくとも2つの位置センサーを含み、前記位置センサーのそれぞれに対応して前記センサー探測通路及び前記防護装置が設けられている。
一実施例において、前記位置センサーは光電センサーである。
本願に係る成膜装置では、位置センサーは成膜室の外側に配置されて、センサー探測通路を介して成膜室の内部の成膜キャリアの位置を探測することにより、位置センサーが成膜キャリアに直接的に接触して成膜キャリアを損傷することが避けられ、かつ成膜室の内部の極限環境で位置センサーが不利な影響を受けるのが避けられる。さらに、防護装置が配置されることにより、センサー探測通路が成膜材料に覆われることが防止でき、位置センサーの正常作動が確保される。本願に係る成膜装置は、構成が簡単でコストが安く、使用も便利である。
本願の目的、技術案及び利点をより明確にさせるため、以下、図面を参照しつつ、本願の具体的な実施例を詳細に説明する。
以下、本願の実施例を詳細に説明する。実施例の例は図面に示される。異なる図面を亘って同一もしくは類似の参照番号が同一もしくは類似の要素、または同一もしくは類似の機能を有する要素を表すものとする。図面を参照して説明される実施例は例であって本願を解釈するものにすぎず、本願を制限するものではない。
図1に示すように、本願の実施例は成膜装置を提供している。前記成膜装置は、
成膜対象としてのワークピースの入口及び出口を含んでもよい成膜室10であって、成膜する際にその内部が真空状態にある成膜室10と、
成膜室10の内部に配置されており、成膜対象としてのワークピースを支える成膜キャリア20と、
成膜室10の外部に配置されており、センサー探測通路60を介して成膜キャリア20の位置を探知する位置センサー30と、
位置センサー30と成膜室10の内部とを連通させ、位置センサー30からの検出信号は、センサー探測通路60を介して成膜室10の外部から成膜室10の内部に入ることができるセンサー探測通路60と、
センサー探測通路60周りに配置されてセンサー探測通路60に沿って延びる防護装置40と、を含む。
成膜対象としてのワークピースの入口及び出口を含んでもよい成膜室10であって、成膜する際にその内部が真空状態にある成膜室10と、
成膜室10の内部に配置されており、成膜対象としてのワークピースを支える成膜キャリア20と、
成膜室10の外部に配置されており、センサー探測通路60を介して成膜キャリア20の位置を探知する位置センサー30と、
位置センサー30と成膜室10の内部とを連通させ、位置センサー30からの検出信号は、センサー探測通路60を介して成膜室10の外部から成膜室10の内部に入ることができるセンサー探測通路60と、
センサー探測通路60周りに配置されてセンサー探測通路60に沿って延びる防護装置40と、を含む。
一実施例において、防護装置40は、両端が開口している中空筒状部品であり、成膜室10の内部に配置されてよい。
一実施例において、図2及び図3に示すように、センサー探測通路60は、成膜室10の側壁に設けられている貫通孔11と、貫通孔11を密封する光透過窓61とを含む。貫通孔11は、成膜室10の頂壁又は底壁に設けられてもよく、位置センサー30に対応する区域に位置してよい。一実施例において、光透過窓61は、貫通孔11の外側に配置される透明ガラスを含む。前記透明ガラスは高ホウケイ酸ガラスであってもよい。
一実施例において、前記成膜装置は、成膜室10の外側に配置されている位置決めブラケット50をさらに含み、位置センサー30は位置決めブラケット50に配置されている。位置決めブラケット50は位置センサー30を固定させるためのものである。前記透明ガラスは貫通孔11に直接的に配置されてもよく、密封フランジ70を介して貫通孔11に配置されてもよい。成膜室10が真空室になるように透明ガラスと密封フランジ70とは貫通孔11を密封する。防護装置40は透明ガラスをも防護することができる。
一実施例において、透明ガラスは、密封フランジ70のフランジ孔に配置されてもよい。この場合、密封フランジ70は貫通孔11に接続されることにより貫通孔11を密封することができる。さらに、貫通孔11にも前記透明ガラスが配置されてもよい。即ち、密封フランジ70のフランジ孔のほか、貫通孔11にも前記透明ガラスが配置されてもよく、これにより、貫通孔11の密封性がさらに向上する。位置決めブラケット50は密封フランジ70にさらに接続されてもよく、これにより、位置センサー30を簡単に設けることができる。
一実施例において、防護装置40は、貫通孔11周りに配置され成膜室10の内部へ延びており、両端が開口している中空筒状部品である。防護装置40の延在方向と成膜室10内の成膜源の噴射方向との間の角度は45°〜90°であってもよく、例えば、防護装置40の延在方向と前記成膜源の噴射方向とは互いに垂直であってもよい。延在長さは噴射方向及び噴射強さに応じて調整されてよい。一実施例において、防護装置40は、前記貫通孔から前記成膜室の内部へ50mm〜160m、例えば155mmだけ延びている。
防護装置40は、両端が開口しており、一端が貫通孔11の内側の外周縁に配置されており、他端が成膜キャリア20へ延びるように配置されている。一実施例において、防護装置40は、延在長さが155mmであり、直径が10mmである。防護装置40は、延在方向が成膜源の噴射方向と垂直であってもよく、貫通孔11における光透過窓61を効果的に防護することができる。
一実施例において、防護装置40は防護筒であってもよい。前記防護筒の軸方向と成膜キャリア20の動き方向との間の角度は80°〜100°であり、例えば、前記防護筒の軸方向と成膜キャリア20の動き方向とは互いに略垂直であってもよい。これにより、位置センサー30は成膜キャリアの位置を検出することができる。
一般的には、成膜室10は真空室である。真空室の内部で、成膜キャリア20により成膜対象としてのワークピースを支えて動かす。このとき、制御システムが成膜キャリア20の位置に応じて滞留時間及び搬送速度を調整できるように、位置センサー30によって成膜キャリア20の具体的な位置を探測する必要がある。位置センサー30は、光透過窓61及び貫通孔11を介した信号伝送により、成膜キャリア20の具体的な移動位置を探測する。
実際の操作においては、成膜対象としてのワークピースに成膜を行うとき、成膜材料が光透過窓61及び貫通孔11にスパッタリングされて、光透過窓61及び貫通孔11が覆われてしまい、光電センサーによる信号伝送ができなくなる。このため、本実施例において、防護装置40は光透過窓61及び貫通孔11に配置されて、光透過窓61及び貫通孔11を囲んで防護する。経路の深さが深くされることにより、光電信号は、光透過窓61及び貫通孔11を通って、防護装置40に囲まれたセンサー探測通路60に沿って成膜キャリア20へと伝送されることにより、信号の順調な伝送が確保される。同時に、防護装置40が光透過窓及び貫通孔11を囲むことにより、成膜材料が光透過窓及び貫通孔11にスパッタリングされることが防止される。防護装置40の材料としては、耐高温金属材料、樹脂材料などを使用することができる。
一実施例において、防護装置40は、長さが155mmであり、直径が10mmであり、光透過窓及び貫通孔11を効果的に防護でき、かつ材料の無駄がない。防護装置40の軸方向と成膜キャリア20の動き方向とが互いに垂直であること、即ち、防護筒の軸方向と成膜キャリア20の動き軌跡とが互いに垂直であることにより、成膜対象としてのワークピースが搬送される際に、光電信号の伝送がブロックされないことが確保される。
一実施例において、位置センサー30は光ビームを発する光電センサーである。光ビームはセンサー探測通路を通って成膜キャリア20に達する。
一実施例において、前記成膜装置は少なくとも2つの位置センサー30を含み、位置センサー30のそれぞれに対応してセンサー探測通路及び防護装置40が設けられている。
位置センサー30、センサー探測通路及び防護装置40は実際の装置に応じて適切な数だけ配置されればよく、複数配置されてもよい。
一実施例において、前記成膜装置は制御器をさらに含む。前記制御器は、位置センサー30及び成膜キャリア20にそれぞれ接続されている。制御器は、位置センサー30による位置探測及び成膜キャリア20のスマートな動きを制御することができる。
本願に係る成膜装置では、位置センサー30が成膜室10の外側に配置されて、センサー探測通路の貫通孔11及び光透過窓を介して成膜室10の内部の成膜キャリア20の位置を探測することにより、位置センサー30が成膜キャリア20に直接的に接触して成膜キャリア20を損傷することが避けられ、かつ成膜室10の内部の極限環境で位置センサー30が不利な影響を受けることが避けられる。さらに、成膜室10の貫通孔11の内側に防護装置40が配置されることにより、センサー探測通路の貫通孔11及び光透過窓が成膜材料に覆われることが防止され、位置センサー30の正常作動が確保される。本願による成膜装置は、構成が簡単でコストが安く、利用も便利である。
以上、図示した実施例に基づき本発明の構造、特徴及び作用効果を詳細に説明したが、上記実施例は本願の好ましい実施例にすぎない。本願の実施範囲は図示により限定されず、本願の構想に基づいた変更、又は修正は均等となる等価の実施例は、明細書及び図面に含まれている主旨を超えない限り、いずれも本願の保護の範囲内のものとされる。
10 成膜室
11 貫通孔
20 成膜キャリア
30 位置センサー
40 防護装置
50 位置決めブラケット
60 センサー探測通路
61 光透過窓
70 フランジ
11 貫通孔
20 成膜キャリア
30 位置センサー
40 防護装置
50 位置決めブラケット
60 センサー探測通路
61 光透過窓
70 フランジ
Claims (14)
- 成膜室(10)、
前記成膜室(10)の内部に配置されており、成膜対象としてのワークピースを支える成膜キャリア(20)と、
前記成膜室(10)の外部に配置されている位置センサー(30)と、
前記位置センサー(30)と前記成膜室(10)の内部とを連通させるセンサー探測通路(60)であって、前記位置センサー(30)が当該センサー探測通路(60)を介して前記成膜キャリア(20)の位置を探測するためのセンサー探測通路(60)と、
前記センサー探測通路(60)の周りに配置されて前記センサー探測通路(60)に沿って延びている防護装置(40)と、を含む
ことを特徴とする、成膜装置。 - 前記防護装置(40)は、両端が開口している中空筒状部品であることを特徴とする、請求項1に記載の成膜装置。
- 前記センサー探測通路(60)は、前記成膜室(10)に設けられている貫通孔(11)と、前記貫通孔(11)を密封する光透過窓(61)とを含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 前記防護装置(40)は、一端が前記貫通孔(11)の周りに配置されており、他端が前記貫通孔(11)から前記成膜室(10)の内部へ延びていることを特徴とする、請求項3に記載の成膜装置。
- 前記防護装置(40)が前記貫通孔(11)から前記成膜室(10)の内部へ延びる距離の範囲は50mm〜160mmであることを特徴とする、請求項4に記載の成膜装置。
- 前記光透過窓(61)は、前記貫通孔(11)を密封する少なくとも1枚の透明ガラスを含むことを特徴とする、請求項3〜5のいずれか一項に記載の成膜装置。
- フランジ孔が設けられた密封フランジ(70)をさらに含み、前記少なくとも1枚の透明ガラスは前記密封フランジ(70)の前記フランジ孔の中に配置されており、前記密封フランジ(70)は前記貫通孔(11)に接続されていることを特徴とする、請求項6に記載の成膜装置。
- 前記成膜室(10)の外部に配置されている位置決めブラケット(50)をさらに含み、前記位置センサー(30)は前記位置決めブラケット(50)に配置されていることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記位置決めブラケット(50)は前記密封フランジ(70)と接続されていることを特徴とする、請求項8に記載の成膜装置。
- 前記貫通孔(11)は、前記成膜室(10)において前記位置センサー(30)に対応する区域に設けられていることを特徴とする、請求項3〜9のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記成膜室(10)内に成膜源が配置されており、前記防護装置(40)の延在方向と成膜源の噴射方向との間の角度の範囲は45°〜90°であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 少なくとも2つの位置センサー(30)を含み、前記位置センサー(30)のそれぞれに対して前記センサー探測通路(60)及び前記防護装置(40)が設けられていることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記位置センサー(30)は光電センサーであることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記保護手段(40)の軸方向と前記成膜キャリア(20)の動き方向との間の角度の範囲は、80°〜100°であることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか一項に記載の成膜装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201820160021.3U CN207793418U (zh) | 2018-01-30 | 2018-01-30 | 一种镀膜设备 |
CN201820160021.3 | 2018-01-30 | ||
CNPCT/CN2018/093288 | 2018-06-28 | ||
PCT/CN2018/093288 WO2019148763A1 (zh) | 2018-01-30 | 2018-06-30 | 镀膜设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019131885A true JP2019131885A (ja) | 2019-08-08 |
Family
ID=63267488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018224878A Pending JP2019131885A (ja) | 2018-01-30 | 2018-11-30 | 成膜装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190237613A1 (ja) |
EP (1) | EP3517649A1 (ja) |
JP (1) | JP2019131885A (ja) |
KR (1) | KR20190092231A (ja) |
CN (1) | CN207793418U (ja) |
AU (1) | AU2018208690A1 (ja) |
WO (1) | WO2019148763A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111041443A (zh) * | 2018-10-11 | 2020-04-21 | 君泰创新(北京)科技有限公司 | 镀膜装置及镀膜方法 |
DE102020116673B3 (de) * | 2020-06-24 | 2021-09-30 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Bauteil für einen elektrischen Fahrzeugantrieb, Baugruppe für einen elektrischen Fahrzeugantrieb sowie Verfahren zur elektrisch leitenden Verbindung zweier Bauteile |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5565034A (en) * | 1993-10-29 | 1996-10-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate |
JP4096567B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2008-06-04 | 東レ株式会社 | 統合マスク、ならびに統合マスクを用いた有機el素子の製造方法およびその製造装置 |
JP2003264214A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置及び真空処理方法 |
JP4137711B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2008-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送手段の位置合わせ方法 |
US20080296258A1 (en) * | 2007-02-08 | 2008-12-04 | Elliott David J | Plenum reactor system |
WO2008115606A2 (en) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Verity Instruments, Inc. | Method and apparatus for reducing the effects of window clouding on a viewport window in a reactive environment |
JPWO2010087218A1 (ja) * | 2009-01-28 | 2012-08-02 | 富士電機株式会社 | 可撓性基板の位置制御装置 |
CN101930084B (zh) * | 2009-06-25 | 2013-05-15 | 友威科技股份有限公司 | 防镀膜影响的外部检出装置及溅镀装置 |
US8189198B2 (en) * | 2009-12-15 | 2012-05-29 | Primestar Solar, Inc. | Active viewport detection assembly for substrate detection in a vapor detection system |
CN102918640B (zh) * | 2010-05-27 | 2015-11-25 | 松下知识产权经营株式会社 | 等离子体处理装置 |
KR102261013B1 (ko) * | 2013-03-14 | 2021-06-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다중-구역 히터에서의 온도 측정 |
JP6239417B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2017-11-29 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
TWI653701B (zh) * | 2014-06-09 | 2019-03-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | Substrate attaching and detaching portion for substrate holder, wet substrate processing device including the substrate attaching and detaching portion, substrate processing device, and substrate transfer method |
CN107012441B (zh) * | 2017-05-19 | 2023-04-21 | 华东师范大学 | 一种用于热蒸发镀膜仪的防污染窗口 |
-
2018
- 2018-01-30 CN CN201820160021.3U patent/CN207793418U/zh active Active
- 2018-06-30 WO PCT/CN2018/093288 patent/WO2019148763A1/zh active Application Filing
- 2018-07-24 EP EP18185294.8A patent/EP3517649A1/en not_active Withdrawn
- 2018-07-25 AU AU2018208690A patent/AU2018208690A1/en not_active Abandoned
- 2018-10-15 US US16/159,720 patent/US20190237613A1/en not_active Abandoned
- 2018-10-19 KR KR1020180125005A patent/KR20190092231A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-11-30 JP JP2018224878A patent/JP2019131885A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190237613A1 (en) | 2019-08-01 |
EP3517649A1 (en) | 2019-07-31 |
KR20190092231A (ko) | 2019-08-07 |
CN207793418U (zh) | 2018-08-31 |
AU2018208690A1 (en) | 2019-08-15 |
WO2019148763A1 (zh) | 2019-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9786537B2 (en) | Wafer edge measurement and control | |
US9245786B2 (en) | Apparatus and methods for positioning a substrate using capacitive sensors | |
US20090308316A1 (en) | Transfer apparatus and organic deposition device with the same | |
CN106197718B (zh) | 一种薄膜温度传感器及制备方法 | |
JP2019131885A (ja) | 成膜装置 | |
SG188754A1 (en) | Method and apparatus for depositing a layer on a semiconductor wafer by vapor deposition in a process chamber | |
US10508333B2 (en) | Heating apparatus and substrate processing apparatus having the same | |
US8064070B2 (en) | Methods and apparatus for an integral local substrate center finder for I/O and chamber slit valves | |
KR20110068919A (ko) | 증착 시스템에 있어서의 기판 검출을 위한 액티브 뷰포트 검출 조립체 | |
US9139381B2 (en) | Transport apparatus and vacuum system | |
KR20160001649U (ko) | 로봇 장착식 관통-빔 기판 검출기 | |
US20230016016A1 (en) | Systems and methods of placing substrates in semiconductor manufacturing equipment | |
JP2762022B2 (ja) | Cvd装置に使用する回転機構、およびこの機構を利用して被処理体の温度を制御する方法 | |
US20160216143A1 (en) | Deposition rate measuring apparatus | |
US20070232009A1 (en) | System and method for wafer handling in semiconductor process tools | |
JP2005068502A (ja) | 気相成長装置 | |
US8070356B2 (en) | Method for the temperature measurement of substrates, and vacuum processing apparatus | |
US20140369387A1 (en) | Method for the temperature measurement of substrates in a vacuum chamber | |
KR20200110122A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
CN214793495U (zh) | 一种mocvd法制备高温超导带材的在线温度监测*** | |
CN113846301B (zh) | 半导体工艺设备、磁控管的位置检测方法及速度检测方法 | |
JP2023530559A (ja) | Epiチャンバのためのインシトゥ温度マッピング | |
KR20160088722A (ko) | 박막증착장치 | |
WO2015010713A1 (en) | Closed loop control by measuring optical properties | |
KR20030000601A (ko) | 웨이퍼의 온도 편차를 검출하는 퍼니스 설비 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191203 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200714 |