JP2019124830A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フレキシブルな液晶表示装置を実現する。【解決手段】無機絶縁膜を含むＴＦＴ配線層６０の上にＴＦＴを有する画素が複数形成された表示領域と樹脂で形成された対向基板２００の間に液晶３００が挟持された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ配線層６０には下偏光板４０１が接着し、前記液晶３００を挟んで、前記対向基板２００には、上偏光板４０２が接着していることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図２

Description

本発明は表示装置に係り、特にフレキシブルな液晶表示装置に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成され、画素毎に液晶の透過率を制御することによって画像を形成している。液晶表示装置は、軽量であり、画面を高精細にも出来ることから色々な分野で用途が広がっている。近年、液晶表示装置においても、フレキシブルに湾曲することが出来る表示装置であることが要求されている分野が存在する。

特許文献１には、フレキシブルな液晶表示装置を実現するために、ＴＦＴをガラス上に形成し、これを透明な樹脂基板に転写することによって、フレキシブル液晶表示装置を実現する構成が記載されている。

特開２０１５−１０２６８３号公報

液晶表示装置では、ＴＦＴを画素におけるスイッチングトランジスタとして用いているが、ＴＦＴを多結晶シリコン（ｐｏｌｙ-Ｓｉ）で形成しようとすると、４００℃以上でアニールをする必要がある。ＴＦＴを酸化物半導体で形成すると、３００℃程度のアニールでも形成することが出来るが、特性の安定化のためには、３５０℃程度でアニールする必要がある。製造装置をこのような温度に設定しても、局部的には、３５０℃を超えてしまう。

フレキシブル表示装置を実現するには、ＴＦＴ基板を樹脂、例えば、ポリイミドで形成する必要がある。ポリイミドも種々の材料が存在するが、透明なポリイミドは、耐熱温度が３５０℃程度である。したがって、透明ポリイミド上では、ポリシリコンによるＴＦＴの形成は不可能であるし、酸化物半導体によるＴＦＴを高い信頼性を持って実現することも困難である。

本発明の課題は、高温プロセスでＴＦＴを形成することが可能な、フレキシブル表示装置を実現することである。

本発明は上記課題を克服するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。

（１）無機絶縁膜の上にＴＦＴを有する画素が複数形成された表示領域と樹脂で形成された対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記無機絶縁膜には下偏光板が接着していることを特徴とする液晶表示装置。

（２）第１のガラス基板の上にポリイミドを形成し、前記ポリイミドの上に複数の層からなる無機絶縁膜を形成し、前記無機絶縁膜の上にＴＦＴを含む層を形成し、前記ＴＦＴを含む層に対向し、液晶を挟んで第２のガラス基板に形成された透明樹脂による対向基板を配置し、その後、前記第１のガラス基板及び前記ポリイミドを除去し、前記無機絶縁膜に下偏光板を貼り付け、その後、前記第２のガラス基板を除去することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（３）第１のガラス基板の上に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成し、前記ａ−Ｓｉ膜の上に複数の層からなる無機絶縁膜を形成し、前記無機絶縁膜の上にＴＦＴを含む層を形成し、前記ＴＦＴを含む層に対向し、液晶を挟んで第２のガラス基板に形成された透明樹脂による対向基板を配置し、その後、前記第１のガラス基板を除去し、前記無機絶縁膜又は前記ａ−Ｓｉ膜に下偏光板を貼り付け、その後、前記第２のガラス基板を除去することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

液晶表示装置の平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 液晶表示装置の画素部の平面図である。 液晶表示装置の画素部の断面図である。 マザー基板の平面図である。 第１のガラス基板の上に着色ポリイミドを形成した断面図である。 着色ポリイミドの上にＴＦＴ配線層を形成した断面図である。 配向膜を形成した状態を示す断面図である。 配向膜の上に液晶を滴下している断面図である。 第２のガラス基板付の対向基板を貼り合わせた状態の断面図である。 図１０を上下反転した状態の断面図である。 第１のガラス基板を除去している状態を示す断面図である。 着色ポリイミドを、プラズマアッシングによって除去している状態を示す断面図である。 プラズマアッシング工程の例を示す断面図である。 プラズマアッシング工程の他の例を示す断面図である。 着色ポリイミドを除去した状態を示す断面図である。 ＴＦＴ配線層に下偏光板を貼り付けた状態を示す断面図である。 図１７を上下反転した状態の断面図である。 第２ガラス基板を除去している状態を示す断面図である。 対向基板に上偏光板を貼り付けた状態の断面図である。 実施例２において、第１ガラス基板の上にａ−Ｓｉ膜を形成した状態を示す断面図である。 ａ−Ｓｉ膜の上にＴＦＴ配線層を形成した状態の断面図である。 第１ガラス基板及びａ−Ｓｉ膜を除去している状態を示す断面図である。 実施例３を説明する液晶表示装置の平面図である。 図２４における端子領域を折り曲げた状態の断面図である。 実施例３の第１の形態を示す平面図である。 図２６における端子領域を折り曲げた状態の断面図である。 実施例３の第２の形態を示す平面図である。 実施例３の第２の形態の中間工程を示す断面図である。 図２８における端子領域を折り曲げた状態の断面図である。 実施例３の第３の形態を示す平面図である。 図３１の端子領域の詳細断面図である。 図３１における端子領域を折り曲げた状態の断面図である。 実施例３の第４の形態を示す断面図である。 実施例４の平面図である。 図３５のＢ−Ｂ断面図である。 実施例４の裏面図である。

以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。

図１は本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。図１は携帯電話あるいはタブレット等に使用される液晶表示装置の例である。図１において、ＴＦＴや画素電極等を含む画素がマトリクス状に配置したＴＦＴ配線層６０と、ブラックマトリクス等が形成された対向基板２００がシール材５０によって接着し、ＴＦＴ配線層６０と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。

対向基板２００はポリイミド等の透明な樹脂で形成されている。上偏光板４０２は対向基板２００と重ね合わされている。本発明の特徴は、いわゆるＴＦＴ基板が存在せず、ＴＦＴ配線層６０は下偏光板４０１の上に直接配置されている。ここで、ＴＦＴ配線層６０とは、下地膜をはじめとする種々の絶縁膜、ＴＦＴ、配線、有機パッシベーション膜、配向膜等を含む概念である。

表示領域３０におけるＴＦＴ配線層６０には、走査線１１が横方向（ｘ方向）に延在し、縦方向（ｙ方向）に配列している。また、映像信号線１２が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線１１と映像信号線１２で囲まれた領域に画素１３が形成されている。

ＴＦＴ配線層６０は、表示領域３０から端子領域４０に延在している。ＴＦＴ配線層６０は薄い層であり、フレキシブルではあるが、機械的に弱いので、下偏光板４０１が端子領域４０に延在して、機械的な補強も行っている。端子領域４０には、ドライバＩＣ４１が搭載され、フレキシブル配線基板５００が接続している。

図２は図１のＡ−Ａ断面図である。図２において、下偏光板４０１の粘着材４０１１の上にＴＦＴ配線層６０が配置している。下偏光板４０１、粘着材４０１１、ＴＦＴ配線層６０は表示領域のみでなく、端子領域４０にも延在している。表示領域３０に対応する部分に、対向基板２００および対向基板２００に形成されたカラーフィルタ層２２０が配置されている。カラーフィルタ層２２０は、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、オーバーコート膜、配向膜等を含む概念である。対向基板２００は、透明樹脂で形成されている。

ＴＦＴ配線層６０とカラーフィルタ層２２０の間に液晶層３００が挟持されている。シール材５０がＴＦＴ配線層６０とカラーフィルタ層２２０を接着し、液晶３００を封止している。上偏光板４０２が粘着材４０２１を介して対向基板に接着している。液晶表示装置は背面にバックライトを有しているが、図２では省略されている。

図３は、本発明における液晶表示装置の表示領域３０の平面図である。図３は、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置の例である。図３において、走査線１１と映像信号線１２に囲まれた領域に画素電極１１２が形成されている。図３では、画素電極１１２は、２個のスリットを有し、３本の櫛歯電極によって形成されている。各櫛歯電極は中央付近で屈曲している。視野角特性をより均一にするためである。

液晶分子の初期配向方向を規定する配向膜の配向軸ＡＬは縦方向（ｙ方向）である。櫛歯電極は、ｙ方向に対して角度θだけ傾いている。画素電極１１２とコモン電極１１０の間に電圧が印加されたときの液晶分子の回転方向を規定するためである。

θの角度は、５度乃至１５度である。画素電極１１２を屈曲させることによって、画素のｙ方向の上側と下側とで液晶の回転方向を異ならせ、視野角をより均一にしている。しかし、櫛歯電極の屈曲部では、液晶分子の回転方向が定まらず、いわゆるドメイン境界が発生する。ドメイン境界の部分では、透過率が低下する。

図３において、半導体層１０３がスルーホール１３１において映像信号線と接続し、走査線１１の下を２回通過して、スルーホール１３２においてコンタクト電極１０７と接続している。半導体層１０３が走査線１１の下を通過する場所においてＴＦＴが形成されるので、図２では、ＴＦＴが直列に２個形成されている。あるいは、ダブルゲートのＴＦＴが形成されているということが出来る。

コンタクト電極１０７は、有機パッシベーション膜に形成されたスルーホール１３０において、画素電極１１２と接続している。有機パッシベーション膜の上には、スルーホール１３０部分を除いてコモン電極１１０が平面状に形成されている。コモン電極１１０を覆って形成された容量絶縁膜の上に画素電極１１２が形成されている。

図４は図３に対応する表示領域の断面図である。図４に示すように、本発明では、ＴＦＴ基板を使用していない。後で説明するように、ＴＦＴや配線層が形成されたＴＦＴ配線層を、当初はガラス基板及び着色ポリイミド上に形成し、その後、ガラス基板及び着色ポリイミドを除去し、ガラス基板の代わりに、下偏光板をＴＦＴ配線層に貼り付けたものである。

透明樹脂基板を用いたフレキシブル表示装置は、樹脂基板の耐熱温度の制約から、ｐｏｌｙ−Ｓｉを用いたＴＦＴを形成することはできない。本発明では、製造工程においては、ＴＦＴ基板として、着色ポリイミドを用いているが、着色ポリイミドは、耐熱温度が透明ポリイミドよりも高いので、ｐｏｌｙ−ＳｉによるＴＦＴを形成することが出来る。

また、本発明では、酸化物半導体を用いることが出来る。酸化物半導体は、高温でアニールすることによって、信頼性が向上する。本発明の構成によれば、酸化物半導体を用いた場合にも、高温でアニールすることが出来るので、信頼性の高いＴＦＴを用いることが出来る。また、本発明では、ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）によるＴＦＴとすることも可能である。
図４におけるＴＦＴは、いわゆるトップゲートタイプのＴＦＴであり、使用される半導体としては、ｐｏｌｙ-Ｓｉが使用されている。一方、ａ−Ｓｉ半導体を使用した場合は、いわゆるボトムゲート方式のＴＦＴが多く用いられる。また、酸化物半導体は、いずれの場合にも用いられる。以後の説明では、トップゲート方式のＴＦＴを用いた場合を例にして説明するが、ボトムゲート方式のＴＦＴを用いた場合についても、本発明を適用することが出来る。

図４において、第１下地膜１０１は、例えば窒化シリコン（以後ＳｉＮで代表させる）で形成され、第２下地膜１０２は、例えば、酸化シリコン(以後ＳｉＯで代表させる)で形成されている。第１下地膜の厚さは例えば１００ｎｍ、第２下地膜の厚さは３００ｎｍである。いずれもＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で形成される。本発明では、下地膜の下には、ＴＦＴ基板が存在しないので、下地膜によるバリア特性は重要である。

下地膜のバリア特性を向上させるために、例えば、下地膜を、ＳｉＯによってＳｉＮをサンドイッチしたような３層構造とする場合もある。この場合は、例えば、下層ＳｉＯ膜が３００ｎｍ、ＳｉＮ膜が１００ｎｍ、上層ＳｉＯ膜が３００ｎｍである。ＳｉＯ膜とＳｉＮ膜はＣＶＤによって連続して形成することが出来る。図４では、ＴＦＴは、ｐｏｌｙ−Ｓｉで形成されているが、ＴＦＴを酸化物半導体で形成する場合もある。酸化物半導体は、ＳｉＮから放出される水素によって還元されるため、酸化物半導体をＳｉＮに直接接触させることはできない。このような場合、下地膜の最上層はＳｉＯとなる。

さらに、バリア特性を向上させるために、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜に加えて、酸化アルミニウム（以後ＡｌＯで代表させる）を下地膜に加える場合もある。ＡｌＯ膜はスパッタリングで形成される。ＡｌＯ膜は、ＳｉＯ膜及びＳｉＮ膜を形成する前に形成することが好ましい。ＡｌＯ膜は例えば、５０ｎｍ程度の膜厚に形成される。

図４において、第２下地膜１０２の上には半導体層１０３が形成される。この半導体層１０３は第２下地膜１０２に上にＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜を形成し、これをレーザアニールすることによってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換したものである。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィによってパターニングする。

半導体膜１０３の上にはゲート絶縁膜１０４が形成される。このゲート絶縁膜１０４はＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）を原料とするＳｉＯ膜である。この膜もＣＶＤによって形成される。その上にゲート電極１０５が形成される。ゲート電極１０５は図１に示す走査線１１が兼ねている。ゲート電極１０５は例えば、ＭｏＷ膜によって形成される。ゲート電極１０５あるいは走査線１０の抵抗を小さくする必要があるときはＡｌ合金をＴｉ等でサンドイッチしたものが使用される。

ゲート電極１０５はフォトリソグラフィによってパターニングされるが、このパターニングの際に、イオンインプランテーションによって、リンあるいはボロン等の不純物をｐｏｌｙ−Ｓｉ層にドープしてｐｏｌｙ−Ｓｉ層にソースＳあるいはドレインＤを形成する。

その後、ゲート電極１０５を覆って層間絶縁膜１０６をＳｉＯあるいはＳｉＮで形成する。層間絶縁膜１０６はゲート電極１０５とコンタクト電極１０７、あるいは、走査線１１と映像信号線１２を絶縁するためである。層間絶縁膜１０６およびゲート絶縁膜１０４には、映像信号線１２と半導体層１０３とを接続するためにスルーホール１３１が形成され、また、半導体層１０３とコンタクト電極１０７を接続するためのスルーホール１３２が形成される。

映像信号線１２とコンタクト電極１０７の間には、半導体層１０３が走査線１１の下を２回通過することによって形成される、ダブルゲートのＴＦＴが形成されている。層間絶縁膜１０６とゲート絶縁膜１０４にスルーホール１３１、１３２を形成するためのフォトリソグラフィは同時に行われる。

層間絶縁膜１０６の上にコンタクト電極１０７が形成される。コンタクト電極１０７は、スルーホール１３０を介して画素電極１１２と接続する。コンタクト電極１０７および映像信号線１２は、同層で、同時に形成される。コンタクト電極１０７および映像信号線（以後コンタクト電極１０７で代表させる）は、抵抗を小さくするために、例えば、ＡｌＳｉ合金が使用される。ＡｌＳｉ合金はヒロックを発生したり、Ａｌが他の層に拡散したりするので、例えば、ＴｉあるいはＭｏＷ等によるバリア層、およびキャップ層によってＡｌＳｉをサンドイッチする構造がとられている。

コンタクト電極１０７を覆って無機パッシベーション膜１０８を被覆し、ＴＦＴ全体を保護する。無機パッシベーション膜１０８は第１下地膜１０１等と同様にＣＶＤによって形成される。無機パッシベーション膜１０８を覆って有機パッシベーション膜１０９が形成される。有機パッシベーション膜１０９は、透明な感光性のアクリル樹脂で形成される。有機パッシベーション膜は、ＴＦＴが完成した後形成されるので、耐熱性の問題はないため、透明樹脂を使用することが出来る。

有機パッシベーション膜１０９は、アクリル樹脂の他、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等でも形成することが出来る。有機パッシベーション膜１０９は平坦化膜としての役割を持っているので、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０９の膜厚は１．５〜４．５μｍであるが、多くの場合は２μｍ程度である。

画素電極１１２とコンタクト電極１０７との導通を取るために、有機パッシベーション膜１０９にスルーホール１３０が形成される。その後コモン電極１１０となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）をスパッタリングによって形成し、スルーホール１３０およびその周辺からＩＴＯを除去するようにパターニングする。コモン電極１１０は各画素共通に平面状に形成することが出来る。

その後、容量絶縁膜１１１となるＳｉＮをＣＶＤによって全面に形成する。その後、スルーホール１３０内において、コンタクト電極１０７と画素電極１１２の導通をとるためのスルーホールを容量絶縁膜１１１および無機パッシベーション膜１０８に形成する。容量絶縁膜１１１は、コモン電極１１０と画素電極１１２の間に保持容量を形成するものであるから、容量絶縁膜と呼ばれる。

その後、ＩＴＯをスパッタリングによって形成し、パターニングして画素電極１１２を形成する。画素電極１１２の形状は図２に示したとおりである。画素電極１１２の上に配向膜材料をフレキソ印刷あるいはインクジェット等によって塗布し、焼成して配向膜１１３を形成する。配向膜１１３の配向処理にはラビング法のほか偏光紫外線による光配向が用いられる。

画素電極１１２とコモン電極１１０の間に電圧が印加されると図３に示すような電気力線が発生する。この電界によって液晶分子３０１を回転させ、液晶層３００を通過する光の量を画素毎に制御することによって画像を形成する。

図４において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置されている。対向基板は透明な樹脂で形成される。対向基板側においては、高温プロセスは無いので、透明樹脂、例えば透明ポリイミドを使用することが出来る。また、後で説明するように、複屈折の無い材料を選定することも可能である。対向基板の厚さは、５μｍ乃至１０μｍである。

対向基板２００の内側には、カラーフィルタ２０１が形成されている。カラーフィルタ２０１は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成されており、これによってカラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成され、画像のコントラストを向上させている。

カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜２０３によって表面を平らにしている。オーバーコート膜２０３の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜２０４が形成される。配向膜２０４の配向処理はＴＦＴ基板１００側の配向膜１１３と同様、ラビング法あるいは光配向法が用いられる。

液晶表示装置は、個々に製造したのでは効率が悪いので、多数の液晶セルを含むマザー基板を製造し、完成後、マザー基板から個々の液晶セルを分離することが行われる。図５は、マザー基板６００の例である。図５の例は、1個のマザー基板６００に６０個の液晶セル１０が形成されている例である。図１に示すような液晶表示装置の場合は、マザー基板６００に６０個よりもはるかに多い数の液晶セル１０が形成される。

図６乃至図２０は、１乃至４に示す液晶表示装置を実現するための製造工程を示す図である。本発明における液晶表示装置は、製造工程においては、ガラス基板の上に形成された着色ポリイミドを使用し、液晶表示装置が完成した後、ガラス基板及び着色ポリイミドは除去される。図６乃至図１２までは、マザー基板の状態で加工し、図１３以後は、個々の液晶表示装置に対して加工される。

図６はガラス基板９０の上に着色ポリイミド１００が形成された状態を示す断面図である。ガラス基板の厚さは、例えば、０．５ｍｍあるいは０．７ｍｍである。ガラス基板９０の上に着色ポリイミド１００が５乃至１０μｍの厚さで形成される。着色ポリイミド１００は、液体である前駆体をスリットコータ等によって塗布し、その後、焼成してイミド化することによって形成される。着色ポリイミド１００は、透明ポリイミドよりも耐熱温度が高く、例えば、４００℃以上の耐熱温度を有する。

図７は着色ポリイミド１００の上にＴＦＴ配線層６０を形成した状態を示す断面図である。ＴＦＴ配線層６０は、図４における下地膜１０１から画素電極１１２までを含む概念である。図７では、便宜上、ＴＦＴ配線層６０を下地膜６１とそれより上の上層６２に分けて説明する。

着色ポリイミド１００は後で剥離されるので、下地膜６１のバリア特性は重要である。下地膜６１は、ＳｉＯ膜とＳｉＮ膜の積層膜を含む、複数の無機絶縁膜で形成される。下地膜６１は、下層がＳｉＮ膜であり、上層がＳｉＯ膜である場合もあるし、下層がＳｉＯ膜であり、上層がＳｉＮ膜である場合もある。また、下地膜６１は、ＳｉＮ膜をＳｉＯ膜でサンドイッチした構成の場合もある。いずれにせよ、着色ポリイミドの上にＣＶＤによって、連続してＳｉＯ膜及びＳｉＮ膜を形成することが可能である。

下地膜６１は、さらに、ＡｌＯ膜を含む場合もある。この場合、ＡｌＯを、例えばスパッタリングによって、着色ポリイミド１００の上に形成しその上にＳｉＯ膜とＳｉＮ膜をＣＶＤによって形成する。ＡｌＯ膜は１０ｎｍから５０ｎｍ程度形成される。なお、ＡｌＯ膜と着色ポリイミド１００の接着力は強いが、界面にレーザ照射をすれば、簡単に剥離する。

下地膜６１の上に形成される上層６２の形成において、特に、ｐｏｌｙ−Ｓｉを半導体層に用いる場合、半導体層のアニールにおいて、着色ポリイミド基板１００は、４００℃以上の高温を経験するが、着色ポリイミド１００は４００℃以上の耐熱性を有している。また、酸化物半導体を半導体層として用いる場合も４００℃以上の高温でアニールすることが出来れば、酸化物半導体の特性の信頼性が向上する。

図８は、ＴＦＴ配線層６０の上に液晶を配向するための、配向膜１１３を形成した状態を示す断面図である。以後の図では、配向膜１１３をＴＦＴ配線層６０に含ませる場合もある。

図９は、液晶セルの境界にシール材５０を形成し、シール材５０で囲まれた領域に液晶３００を滴下している状態を示す断面図である。シール材５０は、対向基板２００側に形成されることもある。この場合は、対向基板２００側に液晶３００が滴下される。

図１０は、別途形成した対向基板２００を、シール材５０を介して着色ポリイミド１００側と接着した状態を示す断面図である。配向膜１１３と配向膜２０４の間に液晶３００が挟持されている。対向基板２００側の製造プロセスは次のとおりである。まず、厚さが０．５ｍｍあるいは０．７ｍｍのガラス基板２１０の上に透明樹脂、例えば透明ポリイミドで形成される対向基板２００を厚さ５乃至１０μmで形成する。対向基板２００の上にカラーフィルタ層２２０を形成する。カラーフィルタ層２２０は、図４におけるカラーフィルタ２０１、ブラックマトリクス２０２、オーバーコート膜２０３を含む構成である。そして、カラーフィルタ層２２０の上に配向膜２０４を形成する。以後の図では、配向膜２０４をカラーフィルタ層２２０に含ませる場合もある。

図１１は図１０を上下反転したものである。図１１の構造は上下が逆になっているだけで、構造は図１０で説明したのと同様である。図１１の状態において、ガラス基板９０と着色ポリイミド１００の境界にレーザを照射し、いわゆるレーザアブレーションによって、ガラス基板９０と着色ポリイミド１００を分離する。

図１２は、レーザアブレーションによって、ガラス基板９０を剥離した状態を示す断面図である。図１２では、着色ポリイミド１００が露出した状態である。ガラス基板９０の剥離までは、マザー基板６００の状態で加工される。その後、ダイシング等によって、マザー基板６００から個々の液晶セル１０を切り出して分離する。

図１３は、個々の、液晶セル１０について、酸素プラズマアッシングＰＡによって、着色ポリイミド１００を除去している状態を示す断面図である。酸素プラズマアッシングの条件は、例えば、Ｏ_２流量３０００ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅｓ）、１８００Ｔｏｒｒ、２ｋＷ，２５０℃である。このような条件であれば、着色ポリイミド１００を１０μｍ/ｍｉｎのレートでアッシング除去可能である。

図１４は、プラズマアッシングの装置を示す断面図である。図１４の上側の図は、液晶セル１０を下部電極７０１の上に載置した状態を示す断面図である。図１４において、液晶セル１０と対向してプラズマ形成のための上部電極７０２が配置されている。図１４の下側の図は、液晶セル１０の周辺をクランプ７１０によって抑え、プラズマ７００によって、液晶セル１０の表面の着色ポリイミド１００を除去している状態を示す断面図である。

液晶セル１０は周辺にシール材５０が形成されているが、プラズマ７００によって、シール材５０がダメージを受ける危険がある。これを防止するために、クランプ７１０によって液晶セル１０の周辺を抑えると同時に、プラズマ７００がシール材５０に到達しないように、液晶セル１０の側面も覆っている。クランプ７１０はモータ７１１によって駆動される。図１４の構成であれば、クランプされている部分には、プラズマ７００が達しないので、着色ポリイミド１００は除去されない。すなわち、着色ポリイミド１００が部分的に残留する。着色ポリイミド１００が残留した部分が表示領域３０より外側であれば、液晶表示装置としての問題は生じない。

図１５は、プラズマアッシングの装置の他の例を示す断面図である。図１５の場合も、個々の液晶セル１０に対して、プラズマアッシングが行われる。図１５は、液晶セル１０の周辺にクランプではなく、マスク７２０が形成されていることが図１４と異なっている。マスク７２０は、液晶セル１０の側面全体を覆っているので、シール材５０に対する保護効果はより優れている。また、マスク７２０であれば、着色ポリイミド１００を残したい領域に合わせて、簡単に形状を変化させることが出来る。

図１４及び図１５は、クランプ７１０あるいはマスク７２０を用いて、プラズマアッシングを行っているが、クランプあるいはマスクされた部分からは、着色ポリイミド１００は除去できない。液晶セル１０の全面から着色ポリイミド１００を除去したい場合は、液晶セル１０を単に、下部電極７０１の上に載置すればよい。

図１６は、着色ポリイミド１００を除去した状態を示す断面図である。図１６において、ＴＦＴ配線層６０の厚さは、最も厚い有機パッシベーション膜を含んでも、数μｍであり、機械的には極めて弱い。したがって、このままでは、ハンドリングが困難である。

そこで、図１７に示すように、ＴＦＴ配線層６０に下偏光板４０１を貼り付ける。偏光板４０１は、本体の厚さが１００μｍ程度、貼り付けるための粘着材が１０μｍ程度である。したがって、補強材としては充分である。偏光板４０１は、液晶表示装置には必須の要素なので、偏光板貼り付けによるプロセス負荷が増大するわけではない。

図１８は、対向基板２００側を加工するために、図１７を上下反転した状態を示す断面図である。図１８は、図１７が上下逆になっただけであり、構造は図１７と同じである。図１８において、対向基板２００とガラス基板２１０の界面にレーザを照射し、レーザアブレーションによって、ガラス基板２１０を対向基板２００から除去する。図１９は、ガラス基板２１０を対向基板２００から剥離している状態を示す断面図である。

図２０は、ガラス基板２１０が除去された後の透明樹脂による対向基板２００に対して、上偏光板４０２を貼り付けた状態を示す断面図である。上偏光板４０２は、対向基板２００に対応する部分にのみ貼り付けられる。一方、下偏光板４１０は、表示領域３０のみでなく、端子領域４０にも貼り付けられる。端子領域４０を機械的に補強するためである。なお、実施例３、４等に示すように、端子領域４０を別な方法によって補強することによって、下偏光板４０１も表示領域３０にのみ貼り付ける構成にすることも出来る。

図１３における、プラズマアッシングは、個々の液晶セル１０に対して行われているが、装置的に可能であれば、マザー基板２００の状態で、プラズマアッシングを行い、その後、個々の、液晶セル１０に分離することも可能である。この場合、液晶セル１０の全面から着色ポリイミド１００は除去されるが、着色ポリイミド１００を一部残す必要があれば、マスクを用いてアッシングすればよい。

このように、本発明によれば、ＴＦＴ基板無しで、フレキシブルな液晶表示装置を形成することが出来る。したがって、液晶表示装置を薄く形成することが出来る。なお、一般にＴＦＴ基板として用いられる透明ポリイミドは、複屈折特性を有している。したがって、透明ポリイミドを通過する光は、リタデーションを受ける。透明ポリイミドの複屈折Δｎは０．００５である。透明ポリイミドの厚さが１０μｍであると、リタデーションの量Δｎ・ｄは、５０ｎｍである。すなわち、この影響によって、黒の浮き上がりによるコントラストの低下が生ずる。

本発明では、ポリイミドによるＴＦＴ基板が存在しないので、このようなリタデーションの発生を防止することが出来、高いコントラストを維持することが出来る。なお、本発明においても、対向基板側には、樹脂による対向基板２００が存在している。しかし、対向基板２００側では、高温プロセスが存在しないので、樹脂の選定に自由度がある。つまり、複屈折が存在しない、あるいは、複屈折の小さい透明樹脂材料を選定することができる。したがって、コントラストの低下を防止した構成とすることが出来る。

実施例１では、製造工程において、ガラス基板の上に着色ポリイミドを形成し、その上に、下地膜やＴＦＴ等を形成し、最後にガラス基板を除去し、また、プラズマアッシングによって着色ポリイミドを除去している。

本実施例では、製造工程において、着色ポリイミドを用いずに、ａ−Ｓｉ膜９５を用いている。ａ−Ｓｉ膜９５を用いれば、レーザアブレーションによってガラス基板９０を除去すると同時にａ−Ｓｉ膜９５も除去できるので、プラズマアッシングのプロセスを省略することが出来る。

図２１乃至２３は実施例２の製造プロセスを説明する断面図である。図２１はガラス基板９０の上にａ−Ｓｉ膜９５を形成した状態を示す断面図である。ａ−Ｓｉ膜９５は例えば５０ｎｍの厚さに形成される。図２２は、ａ−Ｓｉ膜９５の上に、ＴＦＴ配線層６０を形成した状態を示す断面図である。ＴＦＴ配線層６０の構成は実施例１で説明したのと同様である。図２２では、実施例１の図７と比べて、着色ポリイミド１００の代わりにａ−Ｓｉ９５が形成されている。

実施例１における図８乃至図１１までのプロセスは、実施例２においても同じである。すなわち、実施例２では、実施例１の図８乃至図１１において、着色ポリイミドをａ−Ｓｉに置き換えた構成になる。
図２３は、実施例２において、レーザアブレーションによってガラス基板９０を除去している状態を示す断面図である。この時、ａ−Ｓｉ膜９５はガラス基板９０と一緒に除去される。したがって、プラズマアッシングのプロセスは不要になる。その他の構成は、実施例１における図１２と同じである。

図２３では、ａ−Ｓｉ膜９５はガラス基板と一緒に剥離しているが、ａ−Ｓｉのガラスとの接着力は強くないので、レーザアブレーション後、ａ−Ｓｉ膜９５が下地膜の側に付着している場合もある。この場合であっても、ａ−Ｓｉは透明なので、画像への影響は無い。

実施例２におけるその後のプロセスは、実施例１における図１６乃至図２０と同じである。そして、液晶表示パネル完成後の構成も、図１乃至図４で説明したのと同様である。また、実施例２における効果も実施例１で説明したのと同様である。

液晶表示装置によっては、表示領域３０はフラットに保ち、端子領域４０を折り曲げて使用することによって、表示装置の外形を小さくする使用方法がある。図２４はそのような液晶表示装置を示す平面図である。図２４において、端子領域４０には、表示領域３０から延在した、ＴＦＴ配線層６０が形成されている。そして、端子領域４０には、フレキシブル配線基板５００が接続している。図２４において、端子領域４０における湾曲の妨げにならないように、ドライバＩＣ４１はフレキシブル配線基板５００に搭載されている。

実施例１及び２の構成は、端子領域４０にも下偏光板４０１が延在している。したがって、機械的強度は、端子領域４０においても維持されているが、偏光板４０１は機械的な強度が強いので、小さな曲率半径で湾曲させることは困難である。端子領域４０に下偏光板を延在させないようにすることはできるが、そうすると、端子領域４０の機械的な強度がきわめて弱くなる。図２５はそのような場合を示す断面図である。

図２５において、端子領域４０は、ＴＦＴ配線層６０のみによって構成されている。ＴＦＴ配線層６０の厚さｔｔは、有機パッシベーション膜１０９の厚さを加えた場合であっても、トータルで数μｍである。したがって、機械的に信頼性の高い表示装置とすることはできない。

図２６及び図２７はこれを対策した、本実施例における第１の例の構成を示すものである。図２６は、実施例２の第１の例を示す平面図である。図２６において、端子領域４０には、対向基板２００が延在している。対向基板２００は、フレキシブル配線基板５００が接続する端子部分まで延在している。図２６では、対向基板２００によって、端子領域４０の機械的強度を維持している。対向基板２００は、例えば、厚さが５乃至１０μｍのポリイミド基板で形成されているので、機械的強度及びフレキシビリティーは充分に維持されている。

図２７は図２６に示す液晶表示装置において、端子領域４０を折り曲げた状態を示す断面図である。図２７において、液晶表示装置の端子領域４０が折り曲げられている。端子領域４０の厚さｔｔ１は、対向基板の厚さを入れても、１５μｍ以下なので、折り曲げの曲率半径は充分に小さくすることが出来る。

図２７において、フレキシブル配線基板５００の先端は対向基板２００とオーバーラップしている。フレキシブル配線基板５００は、対向基板２００によって覆われていない、端子領域４０の先端部において、ＴＦＴ配線層６０と電気的に接続している。図２７の構成であれば、端子領域４０の機械的な強度を維持し、かつ、小さな曲率半径で折り曲げることが可能である。

図２８は実施例３の第２の形態を示す平面図である。図２８が第１の形態である図２６と異なる点は、端子領域４０に着色ポリイミド１００が残留し、端子領域４０の機械的強度を補強していることである。その代わり、端子領域４０の上側には、対向基板２００は存在していない。対向基板２００は表示領域にのみ形成されている。着色ポリイミド１００は、着色ポリイミド１００を表示領域３０からプラズマアッシングで除去する際、残したい部分をマスクすることによって形成することが出来る。

図２９は第２の形態の特徴を示す断面図である。図２９において、着色ポリイミド１００が端子領域４０の下面に残留している。着色ポリイミド１００は、表示領域３０からは除去されているので、表示品質を害することは無い。また、着色ポリイミド１００は、端子領域４０の背面に形成されているので、フレキシブル配線基板５００の接続を妨げることは無い。

図２９において、ＴＦＴ配線層６０と対向基板２００とがシール材５０で接着し、内部に液晶３００が封止されている。着色ポリイミド１００は、平面で視て、シール材５０とオーバーラップしている。ＴＦＴ配線層６０のみの部分が生ずることを防止するためである。シール材５０と着色ポリイミド１００のオーバーラップの範囲ｄ１はシール材５０の幅までであれば問題ない。

図３０は、図２８及び図２９の液晶表示装置の端子領域４０を湾曲した状態を示す断面図である。上偏光板４０２も下偏光板４０１も表示領域３０に対応して配置しており、端子部４０の湾曲に影響は与えない。湾曲部分には、着色ポリイミド１００が存在しているが、着色ポリイミド１００の厚さは５乃至１０μｍであり、端子領域４０の厚さｔｔ２は、トータルでも１５μｍ以下であるから、端子領域４０を小さな曲率半径で折り曲げることには全く問題がない。

図３１乃至図３３は、実施例３の第３の形態を示す図である。図３１は、第３の形態を表す液晶表示装置の平面図である。図３１の特徴は、端子領域４０である。図３１に示すように、フレキシブル配線基板５００は、端子領域４０の裏側で接続している。つまり、端子配線が端子領域４０の裏側に形成されている。

図３２は、図３１の断面図である。図３２において、絶縁層１６は、下地膜１０１、ゲート絶縁膜１０４、層間絶縁膜１０６を含む構成である。絶縁層１６の上に例えば、表示領域３０において、映像信号線１２が形成され、この映像信号線１２と接続する引出し線１５が端子領域４０に延在している。そして、端子領域４０において、絶縁層１６に形成されたスルーホールを介して、絶縁層１６の背面に露出している。絶縁層１６は、３層合計しても１μｍ前後である。端子領域４０のスルーホールは、表示領域３０にスルーホールを形成する時に同時に形成することが出来る。

図３２において、透明樹脂で形成された対向基板２００が平面で視て、端子領域４０の端部にまで形成されている。したがって、端子領域４０の機械的な強度は対向基板２００によって確保することが出来る。図３２では、フレキシブル配線基板５００は絶縁層１６の裏側において接続しているので、対向基板２００を端子領域４０の端部にまで形成しても、フレキシブル配線基板５００の接続には問題はない。

図３３は、図３２の構成において、端子領域４０を湾曲させた状態を示す断面図である。対向基板２００は、厚さが５μｍ乃至１０μｍであるから、端子領域４０の厚さｔｔ３はトータルでも１５μｍ以下であり、端子領域４０を小さな曲率半径で折り曲げる障害にはならない。また、図３３に示すように、対向基板２００を端子領域４０の端部まで延在させても、フレキシブル配線基板５００の接続の妨げになることは無い。

図３４は実施例３の第４の形態を示す断面図である。図３４は図２５の構成に対し、端子領域４０に機械的な補強のための樹脂７０を塗布したものである。樹脂材料としては、シリコン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を使用することが出来るが、紫外線硬化樹脂であれば、作業性は優れている。

図３４において、樹脂７０が曲げ応力に抗して端子領域４０から剥離しないように、樹脂７０の端部は、表示領域側では、対向基板２００あるいは上偏光板４０２とオーバーラップしている。また、フレキシブル配線基板５００側では、フレキシブル配線基板５００の端部にオーバーラップしている。図３４において、対向基板２００のほうが、上偏光板４０２よりも外側に出っ張っている場合が多いので、樹脂７０は対向基板２００の端部とオーバーラップすることが出来る。

実施例４は、平面的には、端子領域４０を省略し、フレキシブル配線基板等を全て、液晶表示パネルの裏側に配置することによって、液晶表示装置の外形をさらに小さくすることが可能な構成を与えるものである。図３５は、実施例４における液晶表示装置の平面図である。図３５において、表面には、端子領域４０やフレキシブル配線基板５００等が存在していない。その他の構成は図１と同じである。

図３６は、図３５のＢ−Ｂ断面図である。図３６において、ＴＦＴ基板は存在していない。下地膜１０１、ゲート絶縁膜１０４、層間絶縁膜１０６で形成される絶縁層１６の上に、表示領域と接続している引出し線１５が層間絶縁膜１０６の端部近くまで延在している。層間絶縁層１０６の端部付近において、絶縁層１６にスルーホールが形成され、絶縁層１６の裏側に配置しているドライバＩＣ４１と電気的に接続している。

図３６におけるバンプ４２は接続端子というような広い意味で使用している。ドライバＩＣ４１のバンプ４２は例えば、スルーホールを介して、異方性導電膜４５等により引出し線１５と接続している。また、端子配線４５とフレキシブル配線基板５００もバンプ４２を介して接続している。図３６の構成であれば、端子は、液晶表示パネルの背面に形成され、背面において、ドライバＩＣ４１やフレキシブル配線基板５００が接続しているので、フレキシブル配線基板５００を折り曲げなくとも、液晶表示パネルの背面にフレキシブル配線基板５００やドライバＩＣ４１を配置することが出来る。

図３６において、引出し線１５を覆って有機パッシベーション膜１０９が形成されている。図３６では、無機パッシベーション膜は省略されている。有機パッシベーション膜１０９の上には容量絶縁膜１１１が形成され、その上に配向膜１１３が形成されている。

図３６において、樹脂で形成された対向基板２００には、ブラックマトリクス２０２とカラーフィルタ２０１が形成され、その上にオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３を覆って配向膜２０４が形成されている。シール材５０が配向膜１１３と配向膜２０４を接着し、内部に液晶を封止している。

図３６において、対向基板２００の上には上偏光板４０２が貼り付けられている。上偏光板４０２は、対向基板２００の端部まで形成されている。すなわち、表示装置の表面側には端子領域が無いので、上偏光板４０２は表示装置の端部まで配置されている。一方、ＴＦＴ配線層６０の裏側には、端子が形成されているので、この領域を避けるように、下偏光板４０１が配置している。下偏光板４０１は、表示領域３０の範囲は覆っているので、表示品質には問題はない。

図３７は、図３５の裏面図である。図３７において、ドライバＩＣ４１やフレキシブル配線基板５００と接続する端子が形成された辺の部分以外は、下偏光板４０１が全面を覆っている。端子を形成する領域も狭く、平面で視て、シール材５０と重なった領域に配置している。下偏光板４０１は、表示領域を覆うに十分な範囲まで形成されている。図３７に示すように、フレキシブル配線基板５００は折り曲げることなく、液晶表示パネルの背面に配置することが出来る。

図３７では、バックライトは省略してあるが、バックライトは、フレキシブル配線基板５００と液晶表示パネルの間に配置される。

１０…液晶セル、 １１…走査線、 １２…映像信号線、 １３…画素、 １５…引出し線、 １６…絶縁層、 ３０…表示領域、 ４０…端子領域、 ４１…ドライバＩＣ、 ４２…バンプ、 ４５…端子配線、 ４６…異方性導電フィルム、 ５０…シール材、 ６０…ＴＦＴ配線層、 ７０…保護樹脂、 ９０…ガラス基板、 ９５…ａ−Ｓｉ、 １００…着色ポリイミド、 １０１…第１下地膜、 １０２…第２下地膜、 １０３…半導体層、 １０４…ゲート絶縁膜、 １０５…ゲート電極、 １０６…層間絶縁膜、 １０７…コンタクト電極、 １０８…無機パッシベーション膜、 １０９…有機パッシベーション膜、 １１０…コモン電極、 １１１…容量絶縁膜、 １１２…画素電極、 １１３…配向膜、 １３０…スルーホール、 １３１…スルーホール、 １３２…スルーホール、 ２００…対向基板、 ２０１…カラーフィルタ、 ２０２…ブラックマトリクス、 ２０３…オーバーコート膜、 ２０４…配向膜、 ２００…対向基板、 ２１０…上ガラス基板、 ２２０…カラーフィルタ層、 ３００…液晶層、 ３０１…液晶分子、 ４０１…下偏光板、 ４０２…上偏光板、 ５００…フレキシブル配線基板、 ６００…マザー基板、 ７００…プラズマ、 ７−１…下電極、 ７０２…上電極、 ７１０…クランプ、 ７１１…モータ、 ７２０…マスク、 ４０２１…粘着材、 ４０２２…粘着材、 ＡＬ…配向方向、 Ｄ…ドレイン、 Ｓ…ソース

Claims (20)

1. ＴＦＴを有する画素が複数形成された無機絶縁膜と樹脂で形成された対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
   前記無機絶縁膜には下偏光板が接着していることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記下偏光板は、前記無機絶縁膜に粘着材によって貼り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記無機絶縁膜は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層構造を有していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記無機絶縁膜は、窒化シリコン膜が酸化シリコン膜によってサンドイッチされている構成であり、前記下偏光板は、前記酸化シリコン膜に貼り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記無機絶縁膜は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とアルミニウム酸化膜との積層構造であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記下偏光板は、前記アルミニウム酸化膜に貼り付けられていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記無機絶縁膜は端子領域に延在し、前記端子領域において、配線基板が接続していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
8. 前記端子領域には、前記下偏光板が延在して、前記無機絶縁膜に接着していることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記端子領域には、前記対向基板が延在し、前記無機絶縁膜を覆っていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
10. 前記端子領域における前記無機絶縁膜の裏側には、ポリイミド膜が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
11. 前記ポリイミド膜の厚さは、５乃至１０μｍであることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 前記無機絶縁膜の表側には表示領域から延在する引出し線が形成され、前記引出し線は、前記無機絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記無機絶縁膜の裏側の端子と接続し、前記端子は、前記配線基板と接続することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
13. ＴＦＴを有する画素が複数形成された無機絶縁膜と樹脂で形成された対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
    前記無機絶縁膜には下偏光板が接着し、
    前記無機絶縁膜と前記下偏光板との間にはガラスまたはポリイミドは配置されないことを特徴とする液晶表示装置。
14. 前記無機絶縁膜は端子領域に延在し、前記端子領域において、配線基板が接続しており、
    前記端子領域における前記無機絶縁膜の裏側には、ポリイミド膜が形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
15. 第１のガラス基板の上にポリイミドを形成し、
    前記ポリイミドの上に複数の層からなる無機絶縁膜を形成し、
    前記無機絶縁膜の上にＴＦＴを含む層を形成し、
    前記ＴＦＴを含む層に対向し、液晶を挟んで第２のガラス基板に形成された透明樹脂による対向基板を配置し、
    その後、前記第１のガラス基板及び前記ポリイミドを除去し、前記無機絶縁膜に下偏光板を貼り付け、
    その後、前記第２のガラス基板を除去することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
16. 前記無機絶縁膜は、ＳｉＯ膜とＳｉＮ膜を含み、前記ＳｉＯ膜と前記ＳｉＮ膜はＣＶＤによって積層して形成することを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
17. 前記無機絶縁膜はさらにアルミニウム酸化膜を含み、前記アルミニウム酸化膜はスパッタリングで形成することを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
18. 前記ポリイミドは、プラズマアッシングによって除去することを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
19. 第１のガラス基板の上にａ−Ｓｉ膜を形成し、
    前記ａ−Ｓｉ膜の上に複数の層からなる無機絶縁膜を形成し、
    前記無機絶縁膜の上にＴＦＴを含む層を形成し、
    前記ＴＦＴを含む層に対向し、液晶を挟んで第２のガラス基板に形成された透明樹脂による対向基板を配置し、
    その後、前記第１のガラス基板を除去し、前記無機絶縁膜又は前記ａ−Ｓｉ膜に下偏光板を貼り付け、
    その後、前記第２のガラス基板を除去することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
20. 無機絶縁膜は、ＳｉＯ膜とＳｉＮ膜を含み、前記ａ−Ｓｉ膜、前記ＳｉＯ膜、前記ＳｉＮ膜はＣＶＤによって形成することを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置の製造方法。

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