JP2019114681A - プリント配線板用基材及びプリント配線板 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、微細回路を容易に形成することができるプリント配線板用基材及びプリント配線板の提供を課題とする。【解決手段】本発明のプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層され、銅を主成分とする金属層とを備え、上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量が、Ｃｒ：０．１ｍｇ／ｍ２未満、Ｎｉ：０．１ｍｇ／ｍ２未満、であり、上記ベースフィルムの上記金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．１０μｍ未満である。【選択図】図１

Description

本発明は、プリント配線板用基材及びプリント配線板に関する。

絶縁性のベースフィルムの表面に接着剤層を介して金属箔を積層したプリント配線板用基材が知られている。また近年の電子部品の小型化に対応すべく、ベースフィルムの表面に直接金属層を積層したプリント配線板用基材も提案されている。このようなプリント配線板用基材として、ベースフィルムの表面にスパッタリング法を用いてシード層を積層したプリント配線板用基材が発案されている（特開２０１１−３７２１４号公報参照）。

上記公報に記載のプリント配線板用基材は、ポリイミドフィルムからなるベースフィルムと、このベースフィルムの表面に積層されるシード層（下地層）とを有する。このシード層は、ベースフィルムの表面にスパッタリング法によってニッケル−クロム合金層及び銅層をこの順で積層することで形成される。

特開２０１１−３７２１４号公報

上記公報に記載されているように、スパッタリング法を用いてシード層を形成する場合、耐マイグレーション性を高めるためベースフィルムと銅層との間にニッケル−クロム合金層が配設される。しかしながら、ニッケル及びクロムは銅に比べてエッチングし難い。また、ベースフィルムと銅層との間にニッケル−クロム合金層が存在すると、銅層のエッチングとニッケル−クロム合金層のエッチングとを別個に行うことを要する。そのため、上記公報に記載のプリント配線板用基材は、エッチングに要する時間が長くなると共にエッチング精度が悪化しやすい。従って、このプリント配線板用基材は、微細回路を形成し難い。

本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、微細回路を容易に形成することができるプリント配線板用基材及びプリント配線板の提供を課題とする。

上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係るプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層され、銅を主成分とする金属層とを備え、上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量が、Ｃｒ：０．１ｍｇ／ｍ^２未満、Ｎｉ：０．１ｍｇ／ｍ^２未満、であり、上記ベースフィルムの上記金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．１０μｍ未満である。

上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係るプリント配線板は、当該プリント配線板用基材を用いる。

本発明のプリント配線板用基材及びプリント配線板は微細回路を容易に形成することができる。

本発明の一実施形態に係るプリント配線板用基材を示す模式的断面図である。 図１のプリント配線板用基材とは異なる実施形態に係るプリント配線板用基材を示す模式的断面図である。 図２のプリント配線板用基材を用いたプリント配線板を示す模式的断面図である。 図１のプリント配線板用基材の製造方法の塗膜形成工程を示す模式的断面図である。 図１のプリント配線板用基材の製造方法の金属層形成工程を示す模式的断面図である。 図２のプリント配線板用基材の製造方法の電気めっき層積層工程を示す模式的断面図である。 図３のプリント配線板の製造方法のエッチング工程を示す模式的断面図である。

［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。

本発明の一態様に係るプリント配線板用基材は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層され、銅を主成分とする金属層とを備え、上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量が、Ｃｒ：０．１ｍｇ／ｍ^２未満、Ｎｉ：０．１ｍｇ／ｍ^２未満、であり、上記ベースフィルムの上記金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．１０μｍ未満である。

当該プリント配線板用基材は、上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＣｒ及びＮｉの単位面積あたりの含有量が上記範囲内と少ないので、上記金属層のエッチングが比較的容易である。また、当該プリント配線板用基材は、上記ベースフィルムの上記金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）が上記範囲内であるので、上記ベースフィルムの表面の凹凸に起因するエッチング精度の低下を抑制することができる。そのため、当該プリント配線板用基材は、エッチングを高精度で行うことができる。従って、当該プリント配線板用基材は、微細回路を容易に形成することができる。

上記金属層が上記ベースフィルムに固着された銅粒子の焼結体を含むとよい。このように、上記金属層が上記ベースフィルムに固着された銅粒子の焼結体を含むことで、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を必要としないので、微細回路を低コストで形成することができる。

上記焼結体の平均粒子径としては、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましい。上記焼結体の平均粒子径が上記範囲内であることによって、緻密な金属層を容易かつ確実に形成することができ、これにより微細回路を形成しやすい。

上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量が、Ｐｄ：０．１ｍｇ／ｍ^２未満であるとよい。上記領域におけるＰｄの含有量が多い場合、銅を除去するためのエッチングに加え、Ｐｄを除去するためのエッチングが別途必要となる。これに対し、上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＰｄの単位面積あたりの含有量が上記範囲内であることによって、Ｐｄを除去するためのエッチングを別途行わなくても微細回路を形成することができる。

上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量が、Ｔｉ：０．００１ｍｇ／ｍ^２以上０．０５ｍｇ／ｍ^２以下であるとよい。上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＴｉの単位面積あたりの含有量が上記範囲内であることによって、上記ベースフィルム中への銅の拡散を抑制することができ、緻密な金属層を形成することができる。

本発明の他の一態様に係るプリント配線板は、当該プリント配線板用基材を用いる。当該プリント配線板は、当該プリント配線板用基材を用いるので、微細回路の形成が容易である。

当該プリント配線板は、上記金属層の外面に電気めっき層を備えるとよい。当該プリント配線板は、上記金属層が緻密であるので、上記金属層の外面に無電解めっき層を積層しなくてもこの金属層の外面に直接電気めっき層を設けることができる。これにより、製造効率を高めると共に低コスト化を促進することができる。

なお、本発明において、「主成分」とは、最も含有量の多い成分をいい、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいい、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上の成分をいう。「金属層のベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量」とは、ＩＣＰ−ＭＳ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）によって測定された値をいう。「算術平均粗さ（Ｓａ）」とは、ＪＩＳ−Ｂ０６０１：２００１に規定される「算術平均粗さ（Ｒａ）」を３次元に拡張したパラメータをいい、測定範囲３０μｍ×３０μｍ、カットオフ値９０で測定した値をいう。「焼結体の平均粒子径」とは、表面ＳＥＭにより測定した粒径の分布において体積積算値が５０％となる粒子径を意味する。

［本発明の実施形態の詳細］
本発明の好適な実施形態について、以下に図面を参照しつつ説明する。

［第一実施形態］
＜プリント配線板用基材＞
図１のプリント配線板用基材１は、絶縁性を有するベースフィルム２と、ベースフィルム２の一方の面に積層され、銅を主成分とする金属層３とを備える。当該プリント配線板用基材１は、フレキシブルプリント配線板用基材であり、可撓性を有する。当該プリント配線板用基材１は、金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量が、クロム（Ｃｒ）：０．１ｍｇ／ｍ^２未満、ニッケル（Ｎｉ）：０．１ｍｇ／ｍ^２未満である。また、当該プリント配線板用基材１は、ベースフィルム２の金属層３が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．１０μｍ未満である。

当該プリント配線板用基材１は、金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＣｒ及びＮｉの単位面積あたりの含有量が上記範囲内と少ないので、金属層３のエッチングが比較的容易であり、例えばＣｒ及びＮｉのエッチングを銅のエッチングとは別途に行わなくてもよい。また、当該プリント配線板用基材１は、ベースフィルム２の金属層３が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）が上記範囲内であるので、ベースフィルム２の表面の凹凸に起因するエッチング精度の低下を抑制することができる。そのため、当該プリント配線板用基材１は、エッチングを高精度で行うことができる。従って、当該プリント配線板用基材１は、微細回路を容易に形成することができる。

（金属層）
金属層３は、当該プリント配線板用基材１のシード層を構成する。金属層３は、ベースフィルム２の一方の面に直接（つまり、接着剤層等の他の層を介さず）積層されている。金属層３は、ベースフィルム２に固着された銅粒子の焼結体３ａを含む。つまり、金属層３はスパッタリング法によって形成されたものではない。当該プリント配線板用基材１は、金属層３を形成する際にスパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を必要としないので、微細回路を低コストで形成することができる。また、当該プリント配線板用基材１は、金属層３がスパッタリング法によって形成されたものではないので、金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＣｒ及びＮｉの含有量を少なくしても十分な耐マイグレーション性を有する。

当該プリント配線板用基材１は、金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域における金属成分の単位面積あたりの含有量を調節することで微細回路を容易に形成することができる。金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域における銅（Ｃｕ）の単位面積あたりの含有量の下限としては、５００ｍｇ／ｍ^２が好ましく、６００ｍｇ／ｍ^２がより好ましい。上記領域におけるＣｕの単位面積あたりの含有量が上記下限に満たないと、安価かつ低抵抗であり、エッチング性に優れた金属層３を形成し難くなるおそれがある。一方、上記領域におけるＣｕの単位面積あたりの含有量の上限としては、後述する他の成分との調節の容易性から、例えば８９４ｍｇ／ｍ^２とすることができる。

金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＣｒの単位面積あたりの含有量は上述のように０．１ｍｇ／ｍ^２未満である。Ｃｒは銅に比べてエッチングし難いので、上記領域におけるＣｒの単位面積あたりの含有量が上記上限を超えると、エッチング精度が悪化し、微細回路を有するプリント配線板を形成し難い。また、上記領域におけるＣｒの単位面積あたりの含有量が上記上限を超えると、Ｃｒのエッチングを銅のエッチングとは別途行うことを要する場合があり、エッチング時間が長くなり、プリント配線板の製造効率が低下する。上記領域におけるＣｒの単位面積あたりの含有量の上限としては、０．０５ｍｇ／ｍ^２が好ましく、０．０１ｍｇ／ｍ^２がより好ましい。上記領域におけるＣｒの単位面積あたりの含有量が上記上限以下であることで、エッチングの容易化及びエッチング精度をより高めることができる。一方、上記領域におけるＣｒの単位面積あたりの含有量の下限としては、特に限定されるものではなく、０．００ｍｇ／ｍ^２とすることができる。

金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＮｉの単位面積あたりの含有量は上述のように０．１ｍｇ／ｍ^２未満である。Ｎｉは銅に比べてエッチングし難いので、上記領域におけるＮｉの単位面積あたりの含有量が上記上限を超えると、エッチング精度が悪化し、微細回路を有するプリント配線板を形成し難い。また、上記領域におけるＮｉの単位面積あたりの含有量が上記上限を超えると、Ｎｉのエッチングを銅のエッチングとは別途行うことを要する場合があり、エッチング時間が長くなり、プリント配線板の製造効率が低下する。上記領域におけるＮｉの単位面積あたりの含有量の上限としては、０．０５ｍｇ／ｍ^２が好ましく、０．０１ｍｇ／ｍ^２がより好ましい。上記領域におけるＮｉの単位面積あたりの含有量が上記上限以下であることで、エッチングの容易化及びエッチング精度をより高めることができる。一方、上記領域におけるＮｉの単位面積あたりの含有量の下限としては、特に限定されるものではなく、０．００ｍｇ／ｍ^２とすることができる。

金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域におけるパラジウム（Ｐｄ）の単位面積あたりの含有量としては、０．１ｍｇ／ｍ^２未満が好ましい。また、上記領域におけるＰｄの単位面積あたりの含有量の上限としては、０．０５ｍｇ／ｍ^２がより好ましい。従来、ベースフィルムの一方の面に金属層を積層する場合、ベースフィルムの一方の面にＰｄを含む触媒を付着させた後、無電解銅めっきによって金属層を形成することが行われてきた。しかしながら、この構成によると、上記領域におけるＰｄの含有量が多くなり、銅を除去するためのエッチングに加え、Ｐｄを除去するためのエッチングを別途要する。これに対し、当該プリント配線板用基材１は、無電解めっきを行わなくても緻密な金属層３を形成することができるので、Ｐｄの含有量を上記範囲に調節することが容易である。上記領域における単位面積あたりのＰｄの含有量が上記範囲内であることによって、Ｐｄを除去するためのエッチングを別途行わなくても微細回路を形成することができる。なお、上記領域におけるＰｄの単位面積あたりの含有量の下限としては、特に限定されるものではなく、０．００ｍｇ／ｍ^２とすることができる。

金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＴｉの単位面積あたりの含有量の下限としては、０．００１ｍｇ／ｍ^２が好ましく、０．０１ｍｇ／ｍ^２がより好ましい。一方、上記領域におけるＴｉの単位面積あたりの含有量の上限としては、０．０５ｍｇ／ｍ^２が好ましく、０．０４ｍｇ／ｍ^２がより好ましい。後述するように、金属層３は、例えばチタンレドックス法で得られる銅粒子を用いて形成される。これにより、上記領域におけるＴｉの単位面積あたりの含有量を上述の範囲に調節しやすい。Ｔｉは金属層３中で層状に析出することで、銅がベースフィルム２中に拡散するのを抑制することができる。上記領域におけるＴｉの単位面積あたりの含有量が上記下限に満たないと、銅のベースフィルム２中への拡散を十分に抑制することができないおそれがある。逆に、上記領域におけるＴｉの単位面積あたりの含有量が上記上限を超えると、エッチングの容易化及びエッチング精度を十分に向上できなくなるおそれがある。

金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域におけるナトリウム（Ｎａ）の単位面積あたりの含有量の下限としては、０ｍｇ／ｍ^２超であることが好ましく、１ｍｇ／ｍ^２がより好ましい。一方、上記領域におけるＮａの単位面積あたりの含有量の上限としては、５０ｍｇ／ｍ^２が好ましく、４０ｍｇ／ｍ^２がより好ましい。上記領域におけるＮａの単位面積あたりの含有量が上記下限に満たないと、焼結体３ａとベースフィルム２との密着性が不十分となるおそれや、銅がベースフィルム２中に拡散するおそれがある。逆に、上記領域におけるＮａの単位面積あたりの含有量が上記上限を超えると、エッチングの容易化及びエッチング精度を十分に向上できなくなるおそれがある。なお、上記領域におけるＮａの単位面積あたりの含有量は、例えばベースフィルム２の金属層３が積層される側の面を適当な濃度の水酸化ナトリウム溶液によってアルカリ処理することで調節することができる。

ベースフィルム２及び金属層３の界面近傍には、酸化銅（ＣｕＯ又はＣｕ_２Ｏ）又は酸化銅に由来する基が存在することが好ましい。この酸化銅又は酸化銅に由来する基は、後述する塗膜の焼成等の際に導電性インクに含まれる銅粒子に基づいて生成される。なお、「ベースフィルム及び金属層の界面近傍」とは、ベースフィルムと金属層との界面から厚さ方向にそれぞれ所定範囲内の領域を意味し、好ましくは上記界面から厚さ方向に０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の領域である。

ベースフィルム２及び金属層３の界面近傍における酸化銅又は酸化銅に由来する基の単位面積あたりの含有量の下限としては、０．１０μｇ／ｃｍ^２が好ましく、０．１５μｇ／ｃｍ^２がより好ましい。一方、上記含有量の上限としては、１０μｇ／ｃｍ^２が好ましく、５μｇ／ｃｍ^２がより好ましい。上記含有量が上記下限に満たないと、焼結体３ａとベースフィルム２との密着性が不十分となるおそれや、銅がベースフィルム２中に拡散するおそれがある。逆に、上記含有量が上記上限を超えると、導電性インクの熱処理の制御が困難になるおそれがある。

焼結体３ａの平均粒子径の下限としては、５０ｎｍが好ましく、７０ｎｍがより好ましい。一方、焼結体３ａの平均粒子径の上限としては、３００ｎｍが好ましく、２００ｎｍがより好ましい。焼結体３ａの平均粒子径が上記下限より小さいと、金属層３の耐酸化性が低下するおそれがある。逆に、焼結体３ａの平均粒子径が上記上限を超えると、十分に緻密な金属層３を形成し難くなるおそれがある。

金属層３の平均厚さの下限としては、１００ｎｍが好ましく、２００ｎｍがより好ましい。一方、金属層３の平均厚さの上限としては、１０００ｎｍが好ましく、５００ｎｍがより好ましい。金属層３の平均厚さを上記下限以上とすることにより、金属層３の抵抗を下げることができるため、例えば高周波信号処理用のプリント配線板の製造に適用する場合に伝送損失を抑制することができる。一方、金属層３の平均厚みが上記上限を超えると、金属層３が不要に厚くなり、当該プリント配線板用基材１の製造効率が低下するおそれがある。

（ベースフィルム）
ベースフィルム２は絶縁性を有する。ベースフィルム２の主成分としては、例えばポリイミド、液晶ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、フッ素樹脂等の軟質材を用いることができる。これらの中でも、焼結体３ａとの結合力が高いことから、ポリイミド、液晶ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、及びこれらの組み合わせが好ましく、ポリイミドがより好ましい。なお、ベースフィルム２は、多孔化されたものでもよく、また充填材、添加剤等を含んでもよい。

ベースフィルム２の厚さは、特に限定されないが、例えばベースフィルム２の平均厚さの下限としては、５μｍが好ましく、１２μｍがより好ましい。一方、ベースフィルム２の平均厚さの上限としては、２ｍｍが好ましく、１．６ｍｍがより好ましい。ベースフィルム２の平均厚さが上記下限より小さいと、ベースフィルム２の強度が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム２の平均厚さが上記上限を超えると、薄型化が要求される電子機器への適用が困難となるおそれや可撓性が不十分となるおそれがある。

後述する導電性インクを用いて焼結体３ａを形成する場合、ベースフィルム２の金属層３が積層される側の面（焼結体３ａの固着面）に親水化処理を施すことが好ましい。上記親水化処理としては、例えばプラズマを照射して固着面を親水化するプラズマ処理や、アルカリ溶液で固着面を親水化するアルカリ処理を採用することができる。固着面に親水化処理を施すことにより、固着面に対する導電性インクの表面張力が小さくなるので、導電性インクを固着面に均一に塗布することができる。

ベースフィルム２の金属層３が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）としては、上述のように０．１０μｍ未満である。また、上記算術平均粗さ（Ｓａ）の上限としては、０．０５μｍが好ましい。上記算術平均粗さ（Ｓａ）が上記上限を超えると、ベースフィルム２の表面の凹み部分のエッチングが容易でなくなり、エッチング精度が低下するおそれがある。また、金属層３に高周波を伝搬させた場合に表皮効果により信号がベースフィルム２の表面の凹凸に沿って伝送されることで、移動距離が長くなり損失が大きくなるおそれがある。一方、上記算術平均粗さ（Ｓａ）の下限としては、特に限定されるものではなく、例えば０．００μｍとすることができる。

（ベースフィルムと金属層との間の剥離強度）
ベースフィルム２と金属層３との間の剥離強度の下限としては、６Ｎ／ｃｍが好ましく、８Ｎ／ｃｍがより好ましい。上記剥離強度が上記下限以上であることによって、ベースフィルム２及び金属層３間の剥離が防止され、電気的な接続信頼性の高いプリント配線板を形成することができる。一方、上記剥離強度の上限としては、特に限定されるものではなく、例えば２０Ｎ／ｃｍとすることができる。上記剥離強度は、例えばベースフィルム２に固着される焼結体３ａの量、導電性インク中の銅粒子のサイズ、後述する塗膜を焼成する際の焼成温度及び焼成時間等によって制御することができる。なお、「剥離強度」とは、ＪＩＳ−Ｃ６４７１：１９９５に準拠する１８０°方向引き剥がし試験で得られる剥離強度をいう。

［第二実施形態］
＜プリント配線板用基材＞
次に、図２を参照して、本発明の第二実施形態に係るプリント配線板用基材１１について説明する。当該プリント配線板用基材１１は、絶縁性を有するベースフィルム２と、ベースフィルム２の一方の面に積層され、銅を主成分とする金属層１３とを備える。当該プリント配線板用基材１１は、フレキシブルプリント配線板用基材であり、可撓性を有する。金属層１３は、ベースフィルム２に直接積層される図１の金属層３からなるシード層１３ａと、シード層１３ａの外面に積層される電気めっき層１３ｂとを有する。当該プリント配線板用基材１１は、金属層１３がシード層１３ａの外面に積層される電気めっき層１３ｂを有する以外、図１のプリント配線板用基材１と同様の構成を有する。そのため、以下では、電気めっき層１３ｂについてのみ説明する。

（電気めっき層）
電気めっき層１３ｂは、シード層１３ａの外面に直接積層されている。電気めっき層１３ｂは、電気めっきによって形成された電気めっき銅を含む。この電気めっき銅は、シード層１３ａの外面に積層されると共に、シード層１３ａを構成する焼結体３ａ間の空隙に充填されていることが好ましい。

当該プリント配線板用基材１１は、シード層１３ａが緻密に形成されているため、シード層１３ａの外面に無電解めっき層を介することなく、電気めっき層１３ｂを直接積層することができる。当該プリント配線板用基材１１は、電気めっき層１３ｂを有することで金属層１３の厚さを大きくすることができ、金属層１３の抵抗を下げることができる。そのため、当該プリント配線板用基材１１は、例えば高周波信号処理用のプリント配線板の製造に適用する場合に伝送損失を抑制することができる。また、当該プリント配線板用基材１１は、シード層１３ａの外面に直接電気めっき層１３ｂを積層することで、金属層１３の抵抗の低減しつつ、金属層１３への異種金属の混入を容易に抑えることができる。これにより、金属層１３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域における各種金属成分の含有量を容易かつ確実に上述の範囲内に調節することができる。

金属層１３は、電気めっき層１３ｂを有することで、厚さの調節を比較的短時間で容易かつ確実に行うことができる。金属層１３の平均厚さとしては、どのようなプリント回路を作製するかによって設定されるもので特に限定されないが、金属層１３の平均厚さの下限としては、１μｍが好ましく、２μｍがより好ましい。一方、上記平均厚さの上限としては、１００μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。上記平均厚さが上記下限より小さいと、金属層１３が損傷しやすくなるおそれがある。逆に、上記平均厚さが上記上限を超えると、薄型化が要求される電子機器への適用が困難となるおそれがある。

［第三実施形態］
＜プリント配線板＞
図３のプリント配線板２１は、図２のプリント配線板用基材１１を用いている。当該プリント配線板２１は、ベースフィルム２の一方の面側に導電パターン２２を備える。導電パターン２２は、プリント配線板用基材１１の金属層１３をパターニングしたものであり、金属層１３の一部を含む。この際のパターニング方法としては、例えば金属層１３にレジストパターン等のマスキングを施してエッチングする方法（サブトラクティブ法）を採用することができる。当該プリント配線板２１は、シード層１３ａのベースフィルム２の界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＣｒ及びＮｉの単位面積あたりの含有量、並びにベースフィルム２の金属層１３が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）が上述の範囲に制御された当該プリント配線板用基材１１を用いているので、微細回路の形成が容易である。

当該プリント配線板２１は、シード層１３ａの外面に電気めっき層１３ｂを有する。当該プリント配線板２１は、シード層１３ａが緻密であるので、シード層１３ａの外面に無電解めっき層を積層しなくてもシード層１３ａの外面に直接電気めっき層１３ｂを設けることができる。これにより、当該プリント配線板２１は、製造効率を高めると共に低コスト化を促進することができる。

＜プリント配線板用基材の製造方法＞
次に、図４Ａ〜図４Ｃを参照して、本発明に係るプリント配線板用基材の製造方法の一実施形態を説明する。まず、図４Ａ及び図４Ｂを参照して、図１のプリント配線板用基材１の製造方法について説明する。

当該プリント配線板用基材の製造方法は、銅粒子３ｂを含む導電性インクの塗布によりベースフィルム２の一方の面に塗膜３０を形成する塗膜形成工程と、塗膜３０の焼成により銅粒子３ｂの焼結体３ａを含む金属層３を形成する金属層形成工程とを備える。当該プリント配線板用基材の製造方法は、金属層３のベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量を、Ｃｒ：０．１ｍｇ／ｍ^２未満、Ｎｉ：０．１ｍｇ／ｍ^２未満に調節する。また、当該プリント配線板用基材の製造方法は、ベースフィルム２の金属層３が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）を０．１０μｍ未満に制御する。当該プリント配線板用基材の製造方法は、微細回路の形成が容易な上述の当該プリント配線板用基材１を製造することができる。なお、当該プリント配線板用基材の製造方法は、上記塗膜形成工程の前に、ベースフィルム２の一方の面（塗膜３０が形成される側の面）に親水化処理を施す親水化処理工程をさらに備えていてもよい。この親水化処理工程における親水化処理方法としては、例えばプラズマを照射してベースフィルム２の一方の面を親水化するプラズマ処理や、アルカリ溶液でベースフィルム２の一方の面を親水化するアルカリ処理が挙げられる。また、当該プリント配線板用基材の製造方法は、上記塗膜形成工程の前に、ベースフィルム２の一方の面に、算術平均粗さ（Ｓａ）が上記範囲内となるようにウェットブラスト処置、サンドブラスト処理等を施してもよい。

（塗膜形成工程）
上記塗膜形成工程では、図４Ａに示すように、ベースフィルム２の一方の面に銅粒子３ｂを含む導電性インクを塗布し、この導電性インクを乾燥させることで塗膜３０を形成する。なお、塗膜３０には、上記導電性インクの分散媒等が含まれていてもよい。

〔銅粒子〕
上記導電性インクに分散される銅粒子３ｂは、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造することができる。中でも、液相還元法によれば、製造コストをより低減できるうえ、水溶液中での攪拌等により、容易に銅粒子３ｂの粒子径を均一にすることができる。

液相還元法によって銅粒子３ｂを製造するためには、例えば水に銅粒子３ｂを形成する銅イオンのもとになる水溶性の銅化合物と分散剤とを溶解させると共に、還元剤を加えて一定時間銅イオンを還元反応させればよい。液相還元法で製造される銅粒子３ｂは、形状が球状又は粒状で揃っており、しかも微細な粒子とすることができる。上記銅イオンのもとになる水溶性の銅化合物としては、硝酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＮＯ_３）_２）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ）等を挙げることができる。

上記還元剤としては、液相（水溶液）の反応系において、銅イオンを還元及び析出させることができる種々の還元剤を用いることができる。この還元剤としては、例えば水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、３価のチタンイオンや２価のコバルトイオン等の遷移金属のイオン、アスコルビン酸、グルコースやフルクトース等の還元性糖類、エチレングリコールやグリセリン等の多価アルコールなどが挙げられる。中でも、還元剤としては３価のチタンイオンが好ましい。３価のチタンイオンを還元剤とする液相還元法は、チタンレドックス法という。チタンレドックス法では、３価のチタンイオンが４価に酸化される際の酸化還元作用によって銅イオンを還元し、銅粒子３ｂを析出させる。チタンレドックス法で得られる銅粒子３ｂは、粒子径が小さくかつ揃っているため、銅粒子３ｂがより高密度に充填され、塗膜３０をより緻密な膜に形成することができる。なお、当該プリント配線板用基材の製造方法は、例えば上記導電性インク中におけるチタンイオンの含有量を調節することで、得られるプリント配線板用基材１における金属層３とベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＴｉの単位面積あたりの含有量を上記範囲に制御することができる。

銅粒子３ｂの粒子径を調節するには、銅化合物、分散剤及び還元剤の種類並びに配合割合を調節すると共に、銅化合物を還元反応させる際に、攪拌速度、温度、時間、ｐＨ等を調節すればよい。反応系のｐＨの下限としては７が好ましく、反応系のｐＨの上限としては１３が好ましい。反応系のｐＨを上記範囲とすることで、微小な粒子径の銅粒子３ｂを得ることができる。このときｐＨ調整剤を用いることで、反応系のｐＨを上記範囲に容易に調節することができる。このｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸、硝酸、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア等の一般的な酸又はアルカリが使用できるが、特に周辺部材の劣化を防止するために、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン元素、硫黄、リン、ホウ素等の不純物を含まない硝酸及びアンモニアが好ましい。

銅粒子３ｂの平均粒子径の下限としては、１０ｎｍが好ましく、１５ｎｍがより好ましい。一方、銅粒子３ｂの平均粒子径の上限としては、４０ｎｍが好ましく、３５ｎｍがより好ましい。銅粒子３ｂの平均粒子径が上記下限より小さいと、導電性インク中での銅粒子３ｂの分散性及び安定性が低下するおそれがある。逆に、銅粒子３ｂの平均粒子径が上記上限を超えると、銅粒子３ｂが沈殿しやすくなるおそれがあると共に、導電性インクを塗布した際に銅粒子３ｂの密度が不均一になるおそれがある。なお、「平均粒子径」とは、分散液中の銅粒子の粒度分布の体積中心径Ｄ５０で表される平均粒子径を指す。

導電性インク中の銅粒子３ｂの含有割合の下限としては、５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、２０質量％がさらに好ましい。一方、導電性インク中の銅粒子３ｂの含有割合の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３０質量％がさらに好ましい。銅粒子３ｂの含有割合を上記下限以上とすることで、塗膜３０をより緻密な膜に形成することができる。これに対し、銅粒子３ｂの含有割合が上記上限を超えると、塗膜３０の膜厚が不均一になるおそれがある。

〈その他の成分〉
上記導電性インクには、銅粒子３ｂ以外に分散剤が含まれていてもよい。この分散剤としては、特に限定されず、銅粒子３ｂを良好に分散させることができる種々の分散剤を用いることができる。

上記分散剤は、周辺部材の劣化防止の観点より、硫黄、リン、ホウ素、ハロゲン及びアルカリを含まないものが好ましい。好ましい分散剤としては、分子量が上記範囲にあるもので、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等のアミン系の高分子分散剤、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース等の分子中にカルボキシ基を有する炭化水素系の高分子分散剤、ポバール（ポリビニルアルコール）、スチレン−マレイン酸共重合体、オレフィン−マレイン酸共重合体、１分子中にポリエチレンイミン部分とポリエチレンオキサイド部分とを有する共重合体等の極性基を有する高分子分散剤などを挙げることができる。

分散剤の分子量の下限としては、２，０００が好ましく、分散剤の分子量の上限としては、５４，０００が好ましい。分子量が上記範囲の分散剤を用いることで、銅粒子３ｂを導電性インク中に良好に分散させることができ、塗膜３０の膜質を緻密でかつ欠陥のないものにすることができる。上記分散剤の分子量が上記下限より小さいと、銅粒子３ｂの凝集を防止して分散を維持する効果が十分に得られないおそれがある。逆に、上記分散剤の分子量が上記上限を超えると、分散剤の嵩が大きすぎて、塗膜３０の焼成時において、銅粒子３ｂ同士の焼結を阻害してボイドを生じさせるおそれがある。また、分散剤の嵩が大きすぎると、塗膜３０の緻密さが低下したり、分散剤の分解残渣が導電性を低下させるおそれがある。

上記分散剤は、水又は水溶性有機溶媒に溶解させた溶液の状態で導電性インクに配合することもできる。導電性インクに分散剤を配合する場合、分散剤の含有割合の下限としては、１００質量部の銅粒子３ｂに対して１質量部が好ましい。一方、分散剤の含有割合の上限としては、１００質量部の銅粒子３ｂに対して６０質量部が好ましい。上記分散剤の含有割合が上記下限に満たないと、銅粒子３ｂの凝集防止効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記分散剤の含有割合が上記上限を超えると、塗膜３０の焼成時に過剰の分散剤が銅粒子３ｂの焼結を阻害してボイドが発生するおそれがあり、また、分散剤の分解残渣が不純物として焼結体３ａ中に残存して導電性を低下させるおそれがある。

上記導電性インクにおける分散媒としては、例えば水が使用できる。水を分散媒とする場合、水の含有割合の下限としては、１００質量部の銅粒子３ｂに対して２０質量部が好ましい。また、水の含有割合の上限としては、１００質量部の銅粒子３ｂに対して１，９００質量部が好ましい。分散媒である水は、例えば分散剤を十分に膨潤させて分散剤で囲まれた銅粒子３ｂを良好に分散させる役割を果たすが、上記水の含有割合が上記下限に満たないと、この分散剤の膨潤効果が不十分となるおそれがある。一方、上記水の含有割合が上記上限を超えると、導電性インク中の銅粒子３ｂの含有割合が少なくなり、必要な厚さと密度とを有する良好な金属層３を形成できないおそれがある。

なお、液相還元法で銅粒子３ｂを製造する場合、液相（水溶液）の反応系で析出させた銅粒子３ｂは、ろ別、洗浄、乾燥、解砕等の工程を経て、一旦粉末状としたものを用いて導電性インクを調製することができる。この場合は、粉末状の銅粒子３ｂと、水等の分散媒と、必要に応じて分散剤、有機溶媒等とを所定の割合で配合し、銅粒子３ｂを含む導電性インクとすることができる。このとき、銅粒子３ｂを析出させた液相（水溶液）を出発原料として導電性インクを調製することが好ましい。具体的には、析出した銅粒子３ｂを含む液相（水溶液）を限外ろ過、遠心分離、水洗、電気透析等の処理に供して不純物を除去し、必要に応じて濃縮して水を除去する。又は、逆に水を加えて銅粒子３ｂの濃度を調節した後、さらに必要に応じて有機溶媒を所定の割合で配合することによって銅粒子３ｂを含む導電性インクを調製する。この方法では、銅粒子３ｂの乾燥時の凝集による粗大で不定形な粒子の発生を防止することができ、緻密で均一な焼結体３ａを形成しやすい。

〔導電性インクの塗布方法〕
銅粒子３ｂを分散させた導電性インクをベースフィルム２の一方の面に塗布する方法としては、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ダイコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法等の従来公知の塗布法を用いることができる。また、スクリーン印刷、ディスペンサ等によりベースフィルム２の一方の面の一部のみに導電性インクを塗布するようにしてもよい。導電性インクの塗布後、例えば室温以上の温度で乾燥することにより塗膜３０が形成される。乾燥温度の上限としては、１００℃が好ましく、４０℃がより好ましい。乾燥温度が上記上限を超えると、塗膜３０の急激な乾燥により、塗膜３０にクラックが発生するおそれがある。

（金属層形成工程）
上記金属層形成工程では、図４Ｂに示すように、塗膜３０の焼成により銅粒子３ｂの焼結体３ａを含む金属層３を形成する。

〔焼成〕
上記焼成により銅粒子３ｂ同士が焼結すると共に、焼結体３ａがベースフィルム２の一方の面に固着される。なお、導電性インクに含まれ得る分散剤やその他の有機物は、焼成によって殆どが揮発又は分解される。また、焼結体３ａとベースフィルム２との界面近傍では、焼成によって銅粒子３ｂが酸化されるため、銅粒子３ｂに基づく水酸化銅やその水酸化銅に由来する基の生成を抑えつつ、銅粒子３ｂに基づく酸化銅やその酸化銅に由来する基が生成する。この焼結体３ａとベースフィルム２との界面近傍に生成した酸化銅及び酸化銅に由来する基は、ベースフィルム２を構成するポリイミド等の樹脂と強く結合するため、ベースフィルム２と焼結体３ａとの間の密着力が大きくなる。

上記焼成は、焼結体３ａとベースフィルム２との界面近傍の銅粒子３ｂの酸化を促進させるため、一定量の酸素が含まれる雰囲気下で行うことが好ましい。この場合、焼成雰囲気の酸素濃度の下限としては、１体積ｐｐｍが好ましく、１０体積ｐｐｍがより好ましい。一方、上記酸素濃度の上限としては、１０，０００体積ｐｐｍが好ましく、１，０００体積ｐｐｍがより好ましい。上記酸素濃度が上記下限に満たないと、焼結体３ａとベースフィルム２との界面近傍における酸化銅及び酸化銅に由来する基の生成量が少なくなり、ベースフィルム２と焼結体３ａとの間の密着力を十分に向上させることができなくなるおそれがある。逆に、上記酸素濃度が上記上限を超えると、銅粒子３ｂの過度の酸化により焼結体３ａの導電性が低下するおそれがある。

上記焼成の温度の下限としては、１５０℃が好ましく、２００℃がより好ましい。一方、上記焼成の温度の上限としては、５００℃が好ましく、４００℃がより好ましい。上記焼成の温度が上記下限に満たないと、焼結体３ａとベースフィルム２との界面近傍における酸化銅及び酸化銅に由来する基の生成量が少なくなり、ベースフィルム２と焼結体３ａとの間の密着力を十分に向上させることができなくなるおそれがある。逆に、上記焼成の温度が上記上限を超えると、ベースフィルム２が変形するおそれがある。なお、焼成時間については、特に限定されないが、例えば３０分以上６００分以下の範囲とすればよい。

当該プリント配線板用基材の製造方法は、上述の塗膜形成工程及び金属層形成工程により、図１のプリント配線板用基材１を製造することができる。一方、当該プリント配線板用基材の製造方法は、図４Ｃに示すように、図４Ｂの金属層３からなるシード層１３ａの外面に電気めっき層１３ｂを積層する電気めっき層積層工程を備えることで、上述した図２のプリント配線板用基材１１を製造することができる。当該プリント配線板用基材の製造方法は、電気めっき層積層工程を備えることで、金属層１３の厚さを大きくすることができ、金属層１３の抵抗を下げることができる。そのため、当該プリント配線板用基材の製造方法は、例えば高周波信号処理用のプリント配線板に用いられるプリント配線板用基材の製造方法として適している。

（電気めっき層積層工程）
上記電気めっき層積層工程では、電気銅めっきによってシード層１３ａの外面に電気めっき層１３ｂを積層する。上記電気めっき層積層工程では、シード層１３ａのベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域における各種金属成分の含有量に影響を与えないよう、異種金属ができるだけ少ない触媒及びめっき液により電気めっき層１３ｂを形成することが好ましい。上記電気めっき層積層工程の具体的手順としては、特に限定されるものではなく、例えば公知の電解銅めっき浴及びめっき条件から適宜選択すればよい。

＜プリント配線板の製造方法＞
続いて、図５を参照して、本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態を説明する。ここでは、図２のプリント配線板用基材１１を用いた図３プリント配線板２１の製造方法を説明する。当該プリント配線板の製造方法は、金属層１３にレジストパターン等のマスキングを施してエッチングするエッチング工程を備える。

（エッチング工程）
上記エッチング工程では、シード層１３ａの導電パターン２２間の部分を１回のエッチングによって除去することが好ましい。当該プリント配線板の製造方法は、シード層１３ａとベースフィルム２との界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＣｒ及びＮｉの単位面積あたりの含有が上述の範囲内である当該プリント配線板用基材１１を用いるため、銅以外の金属のエッチングを別途に行うことを要しない。当該プリント配線板の製造方法は、上記エッチング工程により、微細回路を容易に形成することができる。

［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

例えば、当該プリント配線板用基材は、ベースフィルムの片面のみに金属層が積層される必要はなく、ベースフィルムの両面に金属層が積層されていてもよい。

上述のように、上記金属層はベースフィルムに固着された銅粒子の焼結体を含むことが好ましい。しかしながら、金属層のベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域におけるＣｒ及びＮｉの単位面積あたりの含有量が上述の範囲内である限り、上記金属層は必ずしもベースフィルムに固着される銅粒子の焼結体を含まなくてもよい。

当該プリント配線板用基材は、必ずしもフレキシブルプリント配線板用基材である必要はなく、リジッド基材であってもよい。この場合、上記ベースフィルムの主成分としては、例えば紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、ガラスエポキシ、ガラス基材等の硬質材、軟質材と硬質材とを複合したリジッドフレキシブル材などが挙げられる。

当該プリント配線板は、例えば図１のプリント配線板用基材１を用いて形成されてもよい。また、当該プリント配線板は、上記シード層の外面に無電解めっき層を有していてもよい。

上記実施形態では、サブトラクティブ法によって導電パターンを形成する場合を例に説明したが、当該プリント配線板の製造方法は、セミアディティブ法によって導電パターンを形成してもよい。

以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［実施例］
［Ｎｏ．１］
還元剤としての三塩化チタン溶液８０ｇ（０．１Ｍ）、ｐＨ調整剤としての炭酸ナトリウム５０ｇ、錯化剤としてのクエン酸ナトリウム９０ｇ、及び分散剤としてのＰＥＩ−ＰＥＯグラフト共重合体１ｇをビーカー内で純水１Ｌに溶解させ、この水溶液を３５℃に保温した。また、この水溶液に同温度（３５℃）で保温した硝酸銅三水和物１０ｇ（０．０４Ｍ）の水溶液を添加し撹拌させることで銅微粒子を析出させた。さらに、遠心分離により分離した銅微粒子に対し、２００ｍＬの純水による洗浄工程を２回繰り返した上、この銅微粒子を乾燥させることで粉末状の銅微粒子を得た。この銅微粒子の平均粒子径Ｄ５０は３０ｎｍであった。続いて、この粉末状の銅微粒子に純水を加えて濃度調整を行うことで、銅微粒子の含有割合が３０質量％である導電性インクを製造した。さらに、この導電性インク３００μＬを親水化処理を行ったポリイミドフィルム（１０ｃｍ角）からなるベースフィルムにバーコート法により塗布して塗膜を形成した。そして、この塗膜を３５０℃で焼成することで銅粒子の焼結体からなる金属層を形成してＮｏ．１のプリント配線板用基材を作成した。この銅粒子の焼結体の平均粒子径を日立ハイテクノロジーズ社製のＳＥＭ装置「ＳＵ８０２０」によって測定したところ、１０５ｎｍであった。Ｎｏ．１のプリント配線板用基材の金属層のベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりのＣｒ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＴｉの含有量をＩＣＰ−ＭＳ（アジレントテクノロジー社製の「ＩＣＰ−ＭＳ ７７００ｘ」）によって測定した。また、ベースフィルムの金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）を測定範囲３０μｍ×３０μｍ、カットオフ値９０で測定した。この測定結果を表１に示す。

［Ｎｏ．２及びＮｏ．３］
銅粒子の焼結体の平均粒子径、金属層のベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりのＣｒ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＴｉの含有量、並びにベースフィルムの金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）を表１の通りとした以外、Ｎｏ．１と同様にしてＮｏ．２及びＮｏ．３のプリント配線板用基材を作成した。

［比較例］
［Ｎｏ．４］
ポリイミドフィルム（１０ｃｍ角）からなるベースフィルムにスパッタリング法によってニッケル−クロム合金層及び銅層をこの順で積層することでＮｏ．４のプリント配線板用基材を作成した。Ｎｏ．４のプリント配線板用基材の金属層のベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりのＣｒ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＴｉの含有量、並びにベースフィルムの金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）の上記と同様の測定方法による測定結果を表１に示す。

［Ｎｏ．５］
ポリイミドフィルム（１０ｃｍ角）からなるベースフィルムに接着剤層を介して銅箔を積層することでベースフィルムの一方の面に銅箔からなる金属層が積層されたＮｏ．５のプリント配線板用基材を作成した。Ｎｏ．５のプリント配線板用基材の金属層のベースフィルムとの界面（金属層のベースフィルム側の界面）から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりのＣｒ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＴｉの含有量、並びにベースフィルムの金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）の上記と同様の測定方法による測定結果を表１に示す。

［Ｎｏ．６］
ポリイミドフィルム（１０ｃｍ角）からなるベースフィルムにスパッタリング法によってニッケル−クロム合金層及び銅層をこの順で積層することでＮｏ．６のプリント配線板用基材を作成した。Ｎｏ．６のプリント配線板用基材の金属層のベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりのＣｒ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＴｉの含有量、並びにベースフィルムの金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）の上記と同様の測定方法による測定結果を表１に示す。

［Ｎｏ．７］
銅粒子の焼結体の平均粒子径、金属層のベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりのＣｒ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＴｉの含有量、並びにベースフィルムの金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）を表１の通りとした以外、Ｎｏ．１と同様にしてＮｏ．７のプリント配線板用基材を作成した。

＜微細回路の成形性＞
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７のプリント配線板用基材の金属層の表面にＬ／Ｓ（Ｌｉｎｅ＆Ｓｐａｃｅ）＝１０μｍ／１０μｍとなるようレジストパターンを施して、エッチングを行った。具体的には、１ｗｔ％ドデシル硫酸ナトリウム水溶液に浸漬後、ＣＡ５３３０（メック株式会社製）に浸漬させて行った。このエッチング結果を表１に示す。なお、表１における「Ａ」はＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ回路が形成されたことを示し、「Ｂ」はＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ回路が形成されなかったことを示す。

＜評価結果＞
表１に示すように、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３のプリント配線板用基材は、金属層のベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりのＣｒ及びＮｉの含有量が上記値であり、かつベースフィルムの金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）が上記値であるので、金属層のエッチングを高精度で行うことができ、その結果微細回路を形成することができた。これに対し、Ｎｏ．４及びＮｏ．６のプリント配線板用基材は、金属層のベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりのＣｒ及びＮｉの含有量が０．１ｍｇ／ｍ^２以上であり、またＮｏ．５及びＮｏ．７のプリント配線板用基材は、ベースフィルムの金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．１０μｍ以上であるので、エッチングが困難であり、高精度のエッチングを行えず、微細回路を形成することができなかった。

以上のように、本発明のプリント配線板用基材は、微細回路を容易に形成することができるので、小型の電子機器等に使用されるプリント配線板用基材として適している。

１，１１ プリント配線板用基材
２ ベースフィルム
３，１３ 金属層
３ａ 焼結体
３ｂ 銅粒子
１３ａ シード層
１３ｂ 電気めっき層
２１ プリント配線板
２２ 導電パターン
３０ 塗膜

Claims (7)

1. 絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に積層され、銅を主成分とする金属層とを備え、
   上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量が、
   Ｃｒ：０．１ｍｇ／ｍ^２未満、
   Ｎｉ：０．１ｍｇ／ｍ^２未満、
   であり、
   上記ベースフィルムの上記金属層が積層される側の表面の算術平均粗さ（Ｓａ）が０．１０μｍ未満であるプリント配線板用基材。
2. 上記金属層が、上記ベースフィルムに固着された銅粒子の焼結体を含む請求項１に記載のプリント配線板用基材。
3. 上記焼結体の平均粒子径が５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である請求項２に記載のプリント配線板用基材。
4. 上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量が、
   Ｐｄ：０．１ｍｇ／ｍ^２未満
   である請求項１、請求項２又は請求項３に記載のプリント配線板用基材。
5. 上記金属層の上記ベースフィルムとの界面から１００ｎｍ以下の領域における単位面積あたりの含有量が、
   Ｔｉ：０．００１ｍｇ／ｍ^２以上０．０５ｍｇ／ｍ^２以下
   である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプリント配線板用基材。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプリント配線板用基材を用いたプリント配線板。
7. 上記金属層の外面に電気めっき層を備える請求項６に記載のプリント配線板。

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