JP2019110340A - Substrate processing device, semiconductor device manufacturing method and recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, a method of manufacturing a semiconductor device, and a recording medium.
半導体装置（デバイス）の製造工程における基板処理では、例えば、複数枚の基板を一括して処理する縦型基板処理装置が使用されている。基板処理装置のメンテナンスの際には、基板処理装置周辺にメンテナンスエリアを確保する必要があり、メンテナンスエリアを確保するために、基板処理装置のフットプリントが大きくなってしまう場合がある（例えば、特許文献１）。 In substrate processing in a manufacturing process of a semiconductor device (device), for example, a vertical substrate processing apparatus which processes a plurality of substrates collectively is used. At the time of maintenance of the substrate processing apparatus, it is necessary to secure a maintenance area around the substrate processing apparatus, and in order to secure the maintenance area, the footprint of the substrate processing apparatus may be large (for example, patent Literature 1).
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、メンテナンスエリアを確保しつつフットプリントを低減させることが可能な技術を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a technology capable of reducing a footprint while securing a maintenance area.
本発明の一態様によれば、
基板処理用の第１の処理容器を有する第１の処理モジュールと、
前記第１の処理モジュールの側面側に隣接して配置され、基板処理用の第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系と、前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する第１の供給系とを含み、前記第１の処理モジュール背面に隣接して配置される第１のユーティリティ系と、
前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系とを含み、前記第２の処理モジュール背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系と、
を備える基板処理装置であって、
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの背面方向には、前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系の間において、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールに対して共通に使用されるメンテナンスエリアが形成され、
前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系は、その正面側よりも背面側の方が前記メンテナンスエリアに突出して形成される技術が提供される。
According to one aspect of the invention:
A first processing module having a first processing vessel for substrate processing;
A second processing module disposed adjacent to the side surface of the first processing module and having a second processing container for substrate processing;
A first exhaust system for exhausting the inside of the first processing vessel, and a first supply system for supplying a processing gas into the first processing vessel, adjacent to the back of the first processing module The first utility system to be deployed,
A second exhaust system for exhausting the inside of the second processing vessel, and a second supply system for supplying a processing gas into the second processing vessel, adjacent to the back of the second processing module The second utility system to be deployed,
A substrate processing apparatus comprising:
In the back direction of the first processing module and the second processing module, the first processing module and the second processing module are located between the first utility system and the second utility system. A common maintenance area is formed,
The first utility system and the second utility system are provided with a technology in which the back side is protruded to the maintenance area rather than the front side.
本発明によれば、メンテナンスエリアを確保しつつフットプリントを低減させることが可能となる。 According to the present invention, the footprint can be reduced while securing the maintenance area.
以下、図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。全図面中、同一または対応する構成については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、後述する収納室９側を正面側（前側）、後述する搬送室６Ａ、６Ｂ側を背面側（後ろ側）とする。さらに、後述する処理モジュール３Ａ、３Ｂの境界線（隣接面）に向う側を内側、境界線から離れる側を外側とする。
Hereinafter, non-limiting exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same or corresponding reference symbols are attached to the same or corresponding components, and redundant description is omitted. Further, the
本実施形態において、基板処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造方法における製造工程の一工程として熱処理等の基板処理工程を実施する縦型基板処理装置（以下、処理装置と称する）２として構成されている。 In the present embodiment, the substrate processing apparatus is configured as a vertical substrate processing apparatus (hereinafter referred to as a processing apparatus) 2 which performs a substrate processing process such as heat treatment as one step of a manufacturing process in a method of manufacturing a semiconductor device. It is done.
図１、２に示すように、処理装置２は隣接する２つの処理モジュール３Ａ、３Ｂを備えている。処理モジュール３Ａは、処理炉４Ａと搬送室６Ａにより構成される。処理モジュール３Ｂは、処理炉４Ｂと搬送室６Ｂにより構成される。処理炉４Ａ、４Ｂの下方には、搬送室６Ａ、６Ｂがそれぞれ配置されている。搬送室６Ａ、６Ｂの正面側に隣接して、ウエハＷを移載する移載機７を備える移載室８が配置されている。移載室８の正面側には、ウエハＷを複数枚収納するポッド（フープ）５を収納する収納室９が連結されている。収納室９の全面にはＩ／Ｏポート２２が設置され、Ｉ／Ｏポート２２を介して処理装置２内外にポッド５が搬入出される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the processing device 2 includes two
搬送室６Ａ、６Ｂと移載室８との境界壁（隣接面）には、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂがそれぞれ設置される。移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内には圧力検知器がそれぞれに設置されており、移載室８内の圧力は、搬送室６Ａ、６Ｂ内の圧力よりも低くなるように設定されている。また、移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内には酸素濃度検知器がそれぞれに設置されており、移載室８Ａ内および搬送室６Ａ、６Ｂ内の酸素濃度は大気中における酸素濃度よりも低く維持されている。移載室８の天井部には、移載室８内にクリーンエアを供給するクリーンユニット６２Ｃが設置されており、移載室８内にクリーンエアとして、例えば、不活性ガスを循環させるように構成されている。移載室８内を不活性ガスにて循環パージすることにより、移載室８内を清浄な雰囲気とすることができる。このような構成により、移載室８内に搬送室６Ａ、６Ｂ内のパーティクル等が混入することを抑制することができ、移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内でウエハＷ上に自然酸化膜が形成されることを抑制することができる。
Gate valves 90A and 90B are installed on the boundary walls (adjacent surfaces) of the
処理モジュール３Ａおよび処理モジュール３Ｂは同一の構成を備えるため、以下においては、代表して処理モジュール３Ａについてのみ説明する。
Since the
図４に示すように、処理炉４Ａは、円筒形状の反応管１０Ａと、反応管１０Ａの外周に設置された加熱手段（加熱機構）としてのヒータ１２Ａとを備える。反応管は、例えば石英やＳｉＣにより形成される。反応管１０Ａの内部には、基板としてのウエハＷを処理する処理室１４Ａが形成される。反応管１０Ａには、温度検出器としての温度検出部１６Ａが設置される。温度検出部１６Ａは、反応管１０Ａの内壁に沿って立設されている。
As shown in FIG. 4, the
基板処理に使用されるガスは、ガス供給系としてのガス供給機構３４Ａによって処理室１４Ａ内に供給される。ガス供給機構３４Ａが供給するガスは、成膜される膜の種類に応じて換えられる。ここでは、ガス供給機構３４Ａは、原料ガス供給部、反応ガス供給部および不活性ガス供給部を含む。ガス供給機構３４Ａは後述する供給ボックス７２Ａに収納されている。
A gas used for substrate processing is supplied into the processing chamber 14A by a
原料ガス供給部は、ガス供給管３６ａを備え、ガス供給管３６ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３８ａおよび開閉弁であるバルブ４０ａが設けられている。ガス供給管３６ａはマニホールド１８の側壁を貫通するノズル４４ａに接続される。ノズル４４ａは、反応管１０内に上下方向に沿って立設し、ボート２６に保持されるウエハＷに向かって開口する複数の供給孔が形成されている。ノズル４４ａの供給孔を通してウエハＷに対して原料ガスが供給される。
The raw material gas supply unit includes a gas supply pipe 36a, and the gas supply pipe 36a is provided with a mass flow controller (MFC) 38a which is a flow rate controller (flow rate control unit) and a
以下、同様の構成にて、反応ガス供給部からは、供給管３６ｂ、ＭＦＣ３８ｂ、バルブ４０ｂおよびノズル４４ｂを介して、反応ガスがウエハＷに対して供給される。不活性ガス供給部からは、供給管３６ｃ、３６ｄ、ＭＦＣ３８ｃ、３８ｄ、バルブ４０ｃ、４０ｄおよびノズル４４ａ、４４ｂを介して、ウエハＷに対して不活性ガスが供給される。
Thereafter, in the same configuration, the reaction gas is supplied to the wafer W from the reaction gas supply unit through the supply pipe 36 b, the
反応管１０Ａの下端開口部には、円筒形のマニホールド１８Ａが、Ｏリング等のシール部材を介して連結され、反応管１０Ａの下端を支持している。マニホールド１８Ａの下端開口部は円盤状の蓋部２２Ａによって開閉される。蓋部２２Ａの上面にはＯリング等のシール部材が設置されており、これにより、反応管１０Ａ内と外気とが気密にシールされる。蓋部２２Ａ上には断熱部２４Ａが載置される。
A cylindrical manifold 18A is connected to the lower end opening of the
マニホールド１８Ａには、排気管４６Ａが取り付けられている。排気管４６Ａには、処理室１４Ａ内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ４８Ａおよび圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ４０Ａを介して、真空排気装置としての真空ポンプ５２Ａが接続されている。このような構成により、処理室１４Ａ内の圧力を処理に応じた処理圧力とすることができる。主に、排気管４６Ａ、ＡＰＣバルブ４０Ａ、圧力センサ４８Ａにより、排気系Ａが構成される。排気系Ａは後述する排気ボックス７４Ａに収納されている。
An
処理室１４Ａは、複数枚、例えば２５〜１５０枚のウエハＷを垂直に棚状に支持する基板保持具としてのボート２６Ａを内部に収納する。ボート２６Ａは、蓋部２２Ａおよび断熱部２４Ａを貫通する回転軸２８Ａにより、断熱部２４Ａの上方に支持される。回転軸２８Ａは蓋部２２Ａの下方に設置された回転機構３０Ａに接続されており、回転軸２８Ａは反応管１０Ａの内部を気密にシールした状態で回転可能に構成される。蓋部２２は昇降機構としてのボートエレベータ３２Ａにより上下方向に駆動される。これにより、ボート２６Ａおよび蓋部２２Ａが一体的に昇降され、反応管１０Ａに対してボート２６Ａが搬入出される。
The processing chamber 14A accommodates therein a
ボート２６ＡへのウエハＷの移載は搬送室６Ａで行われる。図３に示すように、搬送室６Ａ内の一側面（搬送室６Ａの外側側面、搬送室６Ｂに面する側面と反対側の側面）には、クリーンユニット６０Ａが設置されており、搬送室６Ａ内にクリーンエア（例えば、不活性ガス）を循環させるように構成されている。搬送室６Ａ内に供給された不活性ガスは、ボート２６Ａを挟んでクリーンユニット６０Ａと対面する側面（搬送室６Ｂに面する側面）に設置された排気部６２Ａによって搬送室６Ａ内から排気され、クリーンユニット６０Ａから搬送室６Ａ内に再供給される（循環パージ）。搬送室６Ａ内の圧力は移載室８内の圧力よりも低くなるように設定されている。また、搬送室６Ａ内の酸素濃度は、大気中における酸素濃度よりも低くなるように設定されている。このような構成により、ウエハＷの搬送作業中にウエハＷ上に自然酸化膜が形成されることを抑制することができる。
Transfer of the wafer W to the
回転機構３０Ａ、ボートエレベータ３２Ａ、ガス供給機構３４ＡのＭＦＣ３８ａ〜ｄおよびバルブ４０ａ〜ｄ、ＡＰＣバルブ５０Ａには、これらを制御するコントローラ１００が接続される。コントローラ１００は、例えば、ＣＰＵを備えたマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、処理装置２の動作を制御するよう構成される。コントローラ１００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１０２が接続されている。コントローラ１００は、処理モジュール３Ａと処理モジュール３Ｂとで夫々に１つずつ設置されても良いし、共通して１つ設置されても良い。
A
コントローラ１００には記憶媒体としての記憶部１０４が接続されている。記憶部１０４には、処理装置１０の動作を制御する制御プログラムや、処理条件に応じて処理装置２の各構成部に処理を実行させるためのプログラム（レシピとも言う）が、読み出し可能に格納される。
A
記憶部１０４は、コントローラ１００に内蔵された記憶装置（ハードディスクやフラッシュメモリ）であってもよいし、可搬性の外部記録装置（磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）であってもよい。また、コンピュータへのプログラムの提供は、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。プログラムは、必要に応じて、入出力装置１０２からの指示等にて記憶部１０４から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ１００が実行することで、処理装置２は、コントローラ１００の制御のもと、所望の処理を実行する。コントローラ１００は、コントローラボックス７６Ａ、７６Ｂに収納される。
The
次に、上述の処理装置２を用い、基板上に膜を形成する処理（成膜処理）について説明する。ここでは、ウエハＷに対して、原料ガスとしてＤＣＳ（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ：ジクロロシラン）ガスと、反応ガスとしてＯ2 （酸素）ガスとを供給することで、ウエハＷ上にシリコン酸化（ＳｉＯ2）膜を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、処理装置２を構成する各部の動作はコントローラ１００により制御される。
Next, processing (film formation processing) for forming a film on a substrate using the above-described processing apparatus 2 will be described. Here, silicon oxidation (SiO 2) on the wafer W is performed by supplying DCS (SiH 2 Cl 2 : dichlorosilane) gas as a source gas and O 2 (oxygen) gas as a reaction gas to the wafer W. An example of forming a film will be described. In the following description, the operation of each unit constituting the processing device 2 is controlled by the
（ウエハチャージおよびボートロード）
ゲートバルブ９０Ａを開き、ボート２０Ａに対してウエハＷを搬送する。複数枚のウエハＷがボート２６Ａに装填（ウエハチャージ）されると、ゲートバルブ９０Ａが閉じられる。ボート２６Ａは、ボートエレベータ３２Ａによって処理室１４内に搬入（ボートロード）され、反応管１０Ａの下部開口は蓋部２２Ａによって気密に閉塞（シール）された状態となる。
(Wafer charge and boat load)
The gate valve 90A is opened to transfer the wafer W to the
（圧力調整および温度調整）
処理室１４Ａ内が所定の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ５２Ａによって真空排気（減圧排気）される。処理室１４Ａ内の圧力は、圧力センサ４８Ａで測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ５０Ａが、フィードバック制御される。また、処理室１４Ａ内のウエハＷが所定の温度となるように、ヒータ１２Ａによって加熱される。この際、処理室１４Ａが所定の温度分布となるように、温度検出部１６Ａが検出した温度情報に基づきヒータ１２Ａへの通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構３０Ａによるボート２６ＡおよびウエハＷの回転を開始する。
(Pressure adjustment and temperature adjustment)
The
（成膜処理）
［原料ガス供給工程］
処理室１４Ａ内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、処理室１４Ａ内のウエハＷに対してＤＣＳガスを供給する。ＤＣＳガスは、ＭＦＣ３８ａにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ａおよびノズル４４ａを介して処理室１４Ａ内に供給される。
(Deposition processing)
[Source gas supply process]
When the temperature in the processing chamber 14A stabilizes at a preset processing temperature, the DCS gas is supplied to the wafer W in the processing chamber 14A. The DCS gas is controlled by the MFC 38a to have a desired flow rate, and is supplied into the processing chamber 14A through the gas supply pipe 36a and the
［原料ガス排気工程］
次に、ＤＣＳガスの供給を停止し、真空ポンプ５２Ａにより処理室１４Ａ内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスとしてＮ２ガスを処理室１４Ａ内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
[Source gas exhaust process]
Next, the supply of DCS gas is stopped, and the inside of the processing chamber 14A is evacuated by the
［反応ガス供給工程］
次に、処理室１４Ａ内のウエハＷに対してＯ2ガスを供給する。Ｏ2ガスは、ＭＦＣ３８ｂにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ｂおよびノズル４４ｂを介して処理室１４Ａ内に供給される。
[Reaction gas supply process]
Next, O 2 gas is supplied to the wafer W in the processing chamber 14A. The O 2 gas is controlled by the
［反応ガス排気工程］
次に、Ｏ2ガスの供給を停止し、真空ポンプ５２Ａにより処理室１４Ａ内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部からＮ２ガスを処理室１４Ａ内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
[Reactant gas exhaust process]
Next, the supply of O 2 gas is stopped, and the inside of the processing chamber 14A is evacuated by the
上述した４つの工程を行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことにより、ウエハＷ上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＯ2膜を形成することができる。 By performing the cycle of performing the four steps described above a predetermined number of times (one or more times), it is possible to form an SiO 2 film of a predetermined composition and a predetermined film thickness on the wafer W.
（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
所定膜厚の膜を形成した後、不活性ガス供給部からＮ２ガスが供給され、処理室１４Ａ内がＮ２ガスに置換されると共に、処理室１４Ａの圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ３２Ａにより蓋部２２Ａが降下されて、ボート２６Ａが反応管１０Ａから搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウエハＷはボート２６Ａより取出される（ウエハディスチャージ）。
(Boat unloading and wafer discharging)
After forming a film having a predetermined film thickness, N 2 gas is supplied from the inert gas supply unit, the inside of the processing chamber 14A is replaced with N 2 gas, and the pressure of the processing chamber 14A is restored to normal pressure. Thereafter, the
その後、ウエハＷはポッド５に収納され処理装置２外に搬出されても良いし、処理炉４Ｂへ搬送され、例えば、アニール等の基板処理が連続して行われても良い。処理炉４ＡでのウエハＷの処理後に連続して処理炉４ＢでウエハＷの処理を行う場合、ゲートバルブ９０Ａおよび９０Ｂを開とし、ボート２６Ａからボート２６ＢへウエハＷが直接搬送される。その後の処理炉４Ｂ内へのウエハＷの搬入出は、上述の処理炉４Ａによる基板処理と同様の手順にて行われる。また、処理炉４Ｂ内での基板処理は、例えば、上述の処理炉４Ａによる基板処理と同様の手順にて行われる。
Thereafter, the wafer W may be stored in the
ウエハＷにＳｉＯ2膜を形成する際の処理条件としては、例えば、下記が例示される。
処理温度（ウエハ温度）：３００℃〜７００℃、
処理圧力（処理室内圧力）１Ｐａ〜４０００Ｐａ、
ＤＣＳガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
Ｏ2ガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
Ｎ2ガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。
The processing conditions for forming the SiO 2 film on the wafer W may be, for example, the following.
Processing temperature (wafer temperature): 300 ° C. to 700 ° C.,
Processing pressure (pressure in processing chamber) 1 Pa to 4000 Pa,
DCS gas: 100 sccm to 10000 sccm,
O 2 gas: 100 sccm to 10000 sccm,
N 2 gas: 100 sccm to 10000 sccm,
By setting each processing condition to a value within each range, the film formation processing can be appropriately advanced.
次に、処理装置２の背面構成について説明する。
例えば、ボート２６が破損した場合には、ボート２６を交換する必要がある。また、反応管１０が破損した場合や、反応管１０のクリーニングが必要な場合は、反応管１０を取り外す必要がある。このように、搬送室６や処理炉４におけるメンテナンスを実施する場合には、処理装置２の背面側のメンテナンスエリアからメンテナンスを行う。
Next, the rear surface configuration of the processing device 2 will be described.
For example, if the boat 26 is broken, the boat 26 needs to be replaced. When the reaction tube 10 is broken or when it is necessary to clean the reaction tube 10, it is necessary to remove the reaction tube 10. As described above, when the maintenance in the transfer chamber 6 or the processing furnace 4 is performed, the maintenance is performed from the maintenance area on the back side of the processing apparatus 2.
図１に示すように、搬送室６Ａ、６Ｂの背面側には、メンテナンス口７８Ａ、７８Ｂがそれぞれ形成されている。メンテナンス口７８Ａは搬送室６Ａの搬送室６Ｂ側に形成され、メンテナンス口７８Ｂは搬送室６Ｂの搬送室６Ａ側に形成される。メンテナンス口７８Ａ、７８Ｂはメンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂにより開閉される。メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂはヒンジ８２Ａ、８２Ｂを基軸として回動可能に構成される。ヒンジ８２Ａは搬送室６Ａの搬送室６Ｂ側に設置され、ヒンジ８２Ｂは搬送室６Ｂの搬送室６Ａ側に設置される。すなわち、ヒンジ８２Ａ、８２Ｂは搬送室６Ａ、６Ｂの背面側の隣接面に位置する内側角部付近に互いに隣接するように設置される。メンテナンスエリアは処理モジュール３Ａ背面における処理モジュール３Ｂ側と処理モジュール３Ｂ背面における処理モジュール３Ａ側とに形成されている。
As shown in FIG. 1, maintenance ports 78A and 78B are respectively formed on the back side of the
想像線で示すように、メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂがヒンジ８２Ａ、８２Ｂを中心にして搬送室６Ａ、６Ｂの背面側後方に水平に回動されることにより、背面メンテナンス口７８Ａ、７８Ｂが開かれる。メンテナンス扉８０Ａは、搬送室６Ａに向かって左開きに１８０°まで開放可能なように構成される。メンテナンス扉８０Ｂは、搬送室６Ｂに向かって右開きに１８０°まで開放可能なように構成される。すなわち、搬送室６Ａに向かって、メンテナンス扉８０Ａは時計回りに回動し、メンテナンス扉８０Ｂは反時計回りに回動する。言い換えれば、メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂは、互いに反対方向に回動される。メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂは取外し可能に構成されており、取り外してメンテナンスを行っても良い。
As shown by imaginary lines, the
搬送室６Ａ、６Ｂの背面近傍には、ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂが設置されている。ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂはメンテナンスリアを介在して対向して配置される。ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂのメンテナンスを行う際は、ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂの内側、すなわち、ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂの間の空間（メンテナンスエリア）から行う。ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂは、筐体側（搬送室６Ａ、６Ｂ側）からそれぞれ順に、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂ、供給ボックス７２Ａ、７２Ｂ、コントローラボックス７６Ａ、７６Ｂで構成されている。ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂの各ボックスのメンテナンス口はそれぞれ内側（メンテナンスエリア側）に形成されている。すなわち、ユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂの各ボックスのメンテナンス口は互いに向かい合うように形成されている。
排気ボックス７４Ａは、搬送室６Ａの背面における搬送室６Ｂとは反対側に位置する外側角部に配置される。排気ボックス７４Ｂは、搬送室６Ｂの背面における搬送室６Ａとは反対側に位置する外側角部に配置される。すなわち、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂは、搬送室６Ａ、６Ｂの外側側面と排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの外側側面とが平面に接続するように、平坦に（なめらかに）設置される。供給ボックス７２Ａは、排気ボックス７４Ａの搬送室６Ａに隣接する側と反対側に隣接して配置される。供給ボックス７２Ｂは、排気ボックス７４Ｂの搬送室６Ｂに隣接する側と反対側に隣接して配置される。
The exhaust box 74A is disposed at an outer corner of the back surface of the
上面視において、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの厚さ（短辺方向の幅）は供給ボックス７２Ａ、７２Ｂの厚さより小さくなっている。言い換えれば、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂよりも供給ボックス７２Ａ、７２Ｂの方が、メンテナンスエリア側に突出している。供給ボックス７２Ａ、７２Ｂ内には、ガス集積システムや多数の付帯設備が配置されているため、排気ボックス７２Ａ、７２Ｂよりも厚さが大きくなってしまうことがある。そこで、排気ボックス７２Ａ、７２Ｂを筐体側に設置することにより、メンテナンス扉８０Ａ，８０Ｂ前のメンテナンスエリアを広く確保することができる。すなわち、上面視において、供給ボックス７２Ａ、７２Ｂ間の距離よりも、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂ間の距離の方が大きくなっているため、供給ボックス７２Ａ，７２Ｂを筐体側に設置するよりも、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂを筐体側に設置した方が、メンテナンススペースを広く確保することができる。
In a top view, the thickness (width in the short side direction) of the
図３に示すように、ガス供給機構３４Ａ、３４Ｂのファイナルバルブ（ガス供給系の最下段に位置するバルブ４０ａ、４０ｂ）は、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの上方に配置されている。好ましくは、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂの真上（直上）に配置されている。このような構成により、供給ボックス７２Ａ、７２Ｂを筐体側から離れたところに設置しても、ファイナルバルブから処理室内への配管長を短くすることができるため、成膜の品質を向上させることができる。
As shown in FIG. 3, final valves (
図５に示すように、処理モジュール３Ａ、３Ｂおよびユーティリティ系７０Ａ、７０Ｂの各構成は、処理モジュール３Ａ、３Ｂの隣接面Ｓ１に対して面対称に配置されている。排気管４６Ａ、４６Ｂはそれぞれが角部方向を臨むように、すなわち、排気管４６Ａ、４６Ｂが、排気ボックス７４Ａ、７４Ｂ方向を臨むように反応管１０Ａ、１０Ｂが設置される。また、ファイナルバルブからノズルまでの配管長が、処理モジュール３Ａ、３Ｂで略同じ長さとなるように配管が配置されている。さらに、図５中の矢印で示すように、ウエハＷの回転方向も処理炉４Ａ、４Ｂにおいて互いに反対方向となるように構成される。
As shown in FIG. 5, the
次に、処理装置２のメンテナンスについて説明する。
搬送室６Ａ内が不活性ガスで循環パージされている場合、メンテナンス扉８０Ａを開放できないようにインターロックが設定されている。また、搬送室６Ａ内の酸素濃度が大気圧における酸素濃度よりも低い場合も、メンテナンス扉８０Ａを開放できないようにインターロックが設定されている。メンテナンス扉８０Ｂに関しても同様である。さらに、メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂを開いているときは、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開放できないようにインターロックが設定されている。メンテナンス扉８０Ａ、８０Ｂが開の状態でゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開とする場合は、処理装置２全体をメンテナンスモードとした上で、別途設置されているメンテナンススイッチをオンとすることにより、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂに関するインターロックが解除され、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開とすることができる。
Next, maintenance of the processing apparatus 2 will be described.
An interlock is set so that the
メンテナンス扉８０Ａを開ける際は、搬送室６Ａ内の酸素濃度を大気中における酸素濃度以上、好ましくは、大気中における酸素濃度まで上昇させるために、クリーンユニット６２Ａから搬送室６Ａ内に大気雰囲気を流入させる。この時、搬送室６Ａ内の圧力が、移載室８内の圧力よりも高くならないように、搬送室６Ａ内の循環パージを解除し、搬送室６Ａ内の雰囲気を搬送室６Ａ外に排気するとともに、クリーンユニット６２Ａのファンの回転数を循環パージ時の回転数よりも落とし、搬送室６Ａ内への大気の流入量を制御する。このように制御することにより、搬送室６Ａ内の酸素濃度を上昇させつつ、搬送室６Ａ内の圧力を移載室８内の圧力よりも低く維持することができる。
When the
搬送室６Ａ内の酸素濃度が大気圧中における酸素濃度と同等となると、インターロックが解除され、メンテナンス扉８０Ａを開けることができる。この時、搬送室６Ａ内の酸素濃度が大気圧中における酸素濃度と同等であっても、搬送室６Ａ内の圧力が移載室８内の圧力よりも高い場合は、メンテナンス扉８０Ａを開放できないように設定されている。メンテナンス扉８０Ａが開放されると、クリーンユニット６２Ａのファンの回転数を、少なくとも循環パージ時の回転数よりも大きくする。より好適には、クリーンユニット６２Ａのファンの回転数を最大とする。
When the oxygen concentration in the
移載室９内のメンテナンスは、移載室９の前方であって、ポッドオープナが設置されていない部分に形成されたメンテナンス口７８Ｃから行われる。メンテナンス口７８Ｃはメンテナンス扉によって開閉されるよう構成されている。上述のように、処理装置２全体をメンテナンスモードとした際は、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂを開として、ゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂ側よりメンテナンスすることも出来る。すなわち、移載室８内のメンテナンスは、装置正面からでも装置背面からでも、どちらからでも実施することができる。
The maintenance in the
＜本実施形態による効果＞
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
<Effect of this embodiment>
According to this embodiment, one or more effects described below can be obtained.
（１）ユーティリティ系を筐体側から排気ボックス、供給ボックスと配置することにより、処理装置背面のメンテナンスエリアを広くすることができる。このような構成により、搬送室背面のメンテナンス口を広く形成することができ、メンテナンス性を向上させることができる。また、処理装置背面のメンテナンスエリアを広くすることで、装置の両側にメンテナンスエリアを確保する必要がないため、装置のフットプリントを低減させることができる。 (1) By arranging the utility system from the housing side to the exhaust box and the supply box, the maintenance area on the back of the processing apparatus can be widened. With such a configuration, the maintenance port on the rear side of the transfer chamber can be widely formed, and the maintainability can be improved. Further, by widening the maintenance area on the rear side of the processing device, it is not necessary to secure maintenance areas on both sides of the device, so the footprint of the device can be reduced.
（２）左右の処理モジュールのユーティリティ系を処理装置の両外側側面に互いに対面して設置することにより、装置背面の空間を左右の処理モジュール共通のメンテナンスエリアとして使用することが可能となる。例えば、従来の装置においては、装置背面の両端に供給ボックスと排気ボックスとを対面するように設置していることがある。このような構成の装置を２つ並べた場合、２つ装置の境界線で、一方の排気ボックスと他方の供給ボックスとが隣接することになる。これに対して本実施形態によれば、２つの処理モジュールの境界線において、ユーティリティ系が配置されていないため、メンテナンスエリアを広く確保することができる。 (2) By installing utility systems of left and right processing modules facing each other on both outer side surfaces of the processing apparatus, it is possible to use the space on the back of the apparatus as a maintenance area common to the left and right processing modules. For example, in the conventional apparatus, the supply box and the exhaust box may be installed to face each other at both ends of the rear of the apparatus. When two devices having such a configuration are arranged, one exhaust box and the other supply box are adjacent to each other at the boundary between the two devices. On the other hand, according to the present embodiment, the utility system is not arranged at the boundary between the two processing modules, so a wide maintenance area can be secured.
（３）ガス供給系のファイナルバルブを排気ボックスの上方に設置することにより、ファイナルバルブから処理室までの配管長を短くすることができる。すなわち、ガス供給時のガス遅延や流量変動等を抑制することができ、成膜の品質を向上させることができる。通常、成膜の品質は、ガス流量やガス圧力等のガス供給条件に影響されるため、反応管内にガスを安定して供給するために供給ボックスを筐体近くに設置することが好まれる。しかしながら、本発明においては、ファイナルバルブを反応管の近くに設置することにより、成膜の品質に悪影響を及ぼすことなく、筐体から離れた位置に供給ボックスを配置することが可能となる。また、排気ボックスを処理容器（反応管）から延在される排気管よりも下方に配置し、その直上にファイナルバルブを配置することにより、処理室までの配管長を短くできる。さらに、ファイナルバルブを排気ボックスの直上に設置することにより、ファイナルバルブの交換等のメンテナンスが容易となる。 (3) By installing the final valve of the gas supply system above the exhaust box, the pipe length from the final valve to the processing chamber can be shortened. That is, gas delay at the time of gas supply, flow rate fluctuation and the like can be suppressed, and the quality of film formation can be improved. Usually, the quality of film formation is affected by the gas supply conditions such as the gas flow rate and the gas pressure, so in order to stably supply the gas into the reaction tube, it is preferable to place a supply box near the housing. However, in the present invention, by arranging the final valve near the reaction tube, it becomes possible to arrange the supply box at a position away from the housing without adversely affecting the quality of film formation. Further, by disposing the exhaust box below the exhaust pipe extending from the processing container (reaction pipe) and arranging the final valve immediately above, the piping length to the processing chamber can be shortened. Furthermore, by installing the final valve directly above the exhaust box, maintenance such as replacement of the final valve is facilitated.
（４）処理モジュールの境界を境として線対称に各構成を設置することにより、左右の処理モジュールでの成膜の品質のばらつきを抑制することができる。すなわち、処理モジュール内の各構成、ユーティリティ系、ガス供給管配置や排気配管配置を線対称に設置することにより、供給ボックスから反応管への配管長や、反応管から排気ボックスへの配管長を左右の処理モジュールで略同一とすることができる。これにより、左右の処理モジュールにおいて同様の条件で成膜を実施することができ、成膜の品質を揃えることができるため、生産性を向上させることができる。 (4) By arranging the respective components line-symmetrically with the boundaries of the processing modules as boundaries, it is possible to suppress variations in the quality of film formation in the left and right processing modules. That is, by arranging the components in the processing module, the utility system, the gas supply pipe arrangement and the exhaust pipe arrangement in line symmetry, the pipe length from the supply box to the reaction pipe and the pipe length from the reaction pipe to the exhaust box are The left and right processing modules can be substantially the same. Thus, the film formation can be performed under the same conditions in the left and right processing modules, and the quality of the film formation can be made uniform, so that the productivity can be improved.
（５）メンテナンス扉を２つの処理モジュールの境界側に設置し、他方の処理モジュールに向けて回動するように構成することにより、メンテナンス扉を１８０度開放することができ、また、搬送室背面のメンテナンス口を広く形成することができるため、メンテナンス性を向上させることができる。 (5) The maintenance door can be opened 180 degrees by arranging the maintenance door on the boundary side of the two processing modules so as to rotate toward the other processing module, and the back of the transfer chamber The maintenance port can be widely formed, so that the maintainability can be improved.
（６）一方の処理モジュールで基板処理を行いつつ、他方の処理モジュールや移載室内のメンテナンスをすることが可能となる。これにより、成膜処理を停止せずにメンテナンスができるため、装置の稼働率を上昇させることができ、生産性を向上させることができる。 (6) It is possible to perform maintenance on the other processing module and the transfer chamber while performing the substrate processing in one processing module. Thus, maintenance can be performed without stopping the film forming process, so that the operation rate of the apparatus can be increased, and productivity can be improved.
(７)一方の処理モジュールのメンテナンス扉を開放する際、搬送室内の圧力を移載室内の圧力よりも低く維持しつつ、搬送室内の酸素濃度を大気圧における酸素濃度へ上昇させることにより、移載室側への搬送室から移載室への雰囲気の流入を抑制することができる。また、メンテナンス扉を開放後は搬送室内のクリーンユニットのファンの回転数を循環パージ時よりも上げることにより、メンテナンス扉開放後（搬送室を大気開放後）も、搬送室内から移載室内へ雰囲気が流入することを抑制することができる。このような構成により、一方の処理モジュールでメンテナンス扉を開放したとしても、他方の処理モジュールを稼働させ続けることが可能となる。すなわち、搬送室でメンテナンスを行っていても、移載室内の清浄雰囲気を保つことができ、また、移載室内の酸素濃度の上昇を抑制することができるため、稼働中の処理モジュールに悪影響を及ぼすことなく、停止中の処理モジュールをメンテナンスすることができる。これにより、一方の処理モジュールを稼働させた状態で他方の処理モジュールのメンテナンスをすることができるため、メンテナンスの際に処理装置全体の稼働を停止させる必要がなく、生産性を向上させることができる。 (7) When the maintenance door of one processing module is opened, the oxygen concentration in the transfer chamber is raised to the oxygen concentration at atmospheric pressure while maintaining the pressure in the transfer chamber lower than the pressure in the transfer chamber. The flow of the atmosphere from the transfer chamber to the loading chamber to the transfer chamber can be suppressed. In addition, after the maintenance door is opened, the rotation speed of the fan of the clean unit in the transfer chamber is increased more than in the circulation purge, so that the atmosphere from the transfer chamber to the transfer chamber is also after the maintenance door is opened (after the transfer chamber is opened to the atmosphere). Can be suppressed. With such a configuration, even if the maintenance door is opened by one processing module, the other processing module can be kept operating. That is, even when maintenance is performed in the transfer chamber, the clean atmosphere in the transfer chamber can be maintained, and the increase in the oxygen concentration in the transfer chamber can be suppressed. It is possible to maintain the processing module being stopped without affecting it. As a result, maintenance of one processing module can be performed while the other processing module is in operation, so that it is not necessary to stop the operation of the entire processing apparatus at the time of maintenance, and productivity can be improved. .
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。 The embodiments of the present invention have been specifically described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
例えば、上述の実施形態では、原料ガスとしてＤＣＳガスを用いる例について説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、原料ガスとしては、ＤＣＳガスの他、ＨＣＤ（Ｓｉ２Ｃｌ６：ヘキサクロロジシラン）ガス、ＭＣＳ（ＳｉＨ３Ｃｌ：モノクロロシラン）ガス、ＴＣＳ（ＳｉＨＣｌ３：トリクロロシラン）ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、３ＤＭＡＳ（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ：トリスジメチルアミノシラン）ガス、ＢＴＢＡＳ（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２：ビスターシャリブチルアミノシラン）ガス等のハロゲン基非含有のアミノ系（アミン系）シラン原料ガスや、ＭＳ（ＳｉＨ４：モノシラン）ガス、ＤＳ（Ｓｉ２Ｈ６：ジシラン）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを用いることができる。 For example, although the above-mentioned embodiment demonstrated the example which uses DCS gas as source gas, this invention is not limited to such an aspect. For example, inorganic halosilane raw materials such as HCD (Si 2 Cl 6 : hexachlorodisilane) gas, MCS (SiH 3 Cl: monochlorosilane) gas, TCS (SiHCl 3 : trichlorosilane) gas and the like as the source gas as DCS gas Halogen group non-containing gas such as gas, 3DMAS (Si [N (CH 3 ) 2 ] 3 H: trisdimethylaminosilane) gas, BTBAS (SiH 2 [NH (C 4 H 9 )] 2 : bistally butylaminosilane) gas, etc. It is possible to use a non-halogen group-containing inorganic silane source gas such as an amino (amine) silane source gas of the following, or MS (SiH 4 : monosilane) gas or DS (Si 2 H 6 : disilane) gas.
例えば、上述の実施形態では、ＳｉＯ2膜を形成する例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、これらの他、もしくは、これらに加え、アンモニア（ＮＨ３）ガス等の窒素（Ｎ）含有ガス（窒化ガス）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）ガス等の炭素（Ｃ）含有ガス、三塩化硼素（ＢＣｌ３）ガス等の硼素（Ｂ）含有ガス等を用い、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＳｉＢＣＮ膜等を形成することができる。これらの成膜を行う場合においても、上述の実施形態と同様な処理条件にて成膜を行うことができ、上述の実施形態と同様の効果が得られる。 For example, in the above embodiment, an example of forming a SiO 2 film has been described. However, the present invention is not limited to such an embodiment. For example, in addition to or in addition to these, nitrogen (N) containing gas such as ammonia (NH 3 ) gas (nitriding gas), carbon (C) containing gas such as propylene (C 3 H 6 ) gas, trichloride A SiN film, a SiON film, a SiOCN film, a SiOC film, a SiCN film, a SiBN film, a SiBCN film or the like can be formed using a boron (B) -containing gas such as a boron (BCl 3 ) gas or the like. Even when these film formations are performed, the film formation can be performed under the same processing conditions as the above-described embodiment, and the same effects as the above-described embodiment can be obtained.
また例えば、本発明は、ウエハＷ上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む膜、すなわち、金属系膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。 Also, for example, according to the present invention, titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), tantalum (Ta), niobium (Nb), aluminum (Al), molybdenum (Mo), tungsten (W) on the wafer W And the like, i.e., in the case of forming a film containing a metal element such as a metal film, i.e., a metal-based film.
上述の実施形態では、ウエハＷ上に膜を堆積させる例について説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、ウエハＷやウエハＷ上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。 Although the above-mentioned embodiment demonstrated the example which deposits a film on the wafer W, this invention is not limited to such an aspect. For example, the present invention can also be suitably applied to the case where the wafer W, the film formed on the wafer W, etc. are subjected to processing such as oxidation processing, diffusion processing, annealing processing, and etching processing.
また、上述の実施形態や変形例は、適宜組み合わせて用いることができる。このときの処理条件は、例えば上述の実施形態や変形例と同様な処理条件とすることができる。 Moreover, the above-mentioned embodiment and modification can be combined suitably, and can be used. The processing conditions at this time can be, for example, the same processing conditions as those in the above-described embodiment and modification.
３・・・処理モジュール
７２・・・供給ボックス
７４・・・排気ボックス
７６・・・コントローラボックス
3 · · · Processing module 72 · · ·
Claims (40)
前記第１の処理モジュールの側面側に隣接して配置され、基板処理用の第２の処理容器を有する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理容器内を排気する第１の排気系と、前記第１の処理容器内に処理ガスを供給する第１の供給系とを含み、前記第１の処理モジュール背面に隣接して配置される第１のユーティリティ系と、
前記第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系とを含み、前記第２の処理モジュール背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系と、
を備え、
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの背面方向には、前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系の間において、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールに対して共通に使用されるメンテナンスエリアが形成され、
前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系は、その正面側よりも背面側の方が前記メンテナンスエリアに突出して形成される、基板処理装置。 A first processing module having a first processing vessel for substrate processing;
A second processing module disposed adjacent to the side surface of the first processing module and having a second processing container for substrate processing;
A first exhaust system for exhausting the inside of the first processing vessel, and a first supply system for supplying a processing gas into the first processing vessel, adjacent to the back of the first processing module The first utility system to be deployed,
A second exhaust system for exhausting the inside of the second processing vessel, and a second supply system for supplying a processing gas into the second processing vessel, adjacent to the back of the second processing module The second utility system to be deployed,
Equipped with
In the back direction of the first processing module and the second processing module, the first processing module and the second processing module are located between the first utility system and the second utility system. A common maintenance area is formed,
The substrate processing apparatus, wherein the first utility system and the second utility system are formed such that the back side is protruded to the maintenance area rather than the front side.
前記第２のユーティリティ系は、前記第２の供給系を含む第２の供給ボックスと、前記第２の排気系を含む第２の排気ボックスを含む請求項１に記載の基板処理装置。 The first utility system includes a first supply box including the first supply system, and a first exhaust box including the first exhaust system.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second utility system includes a second supply box including the second supply system and a second exhaust box including the second exhaust system.
前記第２の処理容器と前記第２の供給ボックスとの間の第２配管に設けられる第２のファイナルバルブとを更に備え、
前記第１のファイナルバルブおよび前記第２のファイナルバルブは、前記メンテナンスエリアを避けて配置される請求項２に記載の基板処理装置。 A first final valve provided in a first pipe between the first processing container and the first supply box;
And a second final valve provided in a second pipe between the second processing vessel and the second supply box,
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the first final valve and the second final valve are disposed apart from the maintenance area.
前記第２のユーティリティ系には、前記第２の排気ボックス及び前記第２の供給ボックスよりも背面側に、前記第２のファイナルバルブ、前記第２の排気系及び前記第２の供給系の動作を制御する第２のコントローラを収納する第２のコントローラボックスが設けられる請求項４に記載の基板処理装置。 In the first utility system, the operation of the first final valve, the first exhaust system and the first supply system on the rear side of the first exhaust box and the first supply box A first controller box for housing a first controller for controlling
In the second utility system, the operation of the second final valve, the second exhaust system and the second supply system on the back side of the second exhaust box and the second supply box 5. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising: a second controller box that houses a second controller that controls the controller.
前記第２の排気ボックスは、少なくとも前記第２の排気系が備える第２のＡＰＣバルブを収納する請求項２に記載の基板処理装置。 The first exhaust box accommodates at least a first APC valve provided in the first exhaust system.
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second exhaust box accommodates at least a second APC valve provided in the second exhaust system.
前記第１のユーティリティ系と前記第２のユーティリティ系は、前記隣接面に対して面対称に配置される請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。 The first processing module and the second processing module are disposed in plane symmetry with respect to the adjacent surfaces of the first processing module and the second processing module,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first utility system and the second utility system are disposed in plane symmetry with respect to the adjacent surface.
前記第２のファイナルバルブは、前記第２のユーティリティ系の外に設けられる請求項４に記載の基板処理装置。 The first final valve is provided outside the first utility system,
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the second final valve is provided outside the second utility system.
前記第２の供給ボックスは、少なくとも前記第２の供給系が備えるガス集積システムを収納する請求項２に記載の基板処理装置。 The first supply box contains a gas accumulation system provided in at least the first supply system,
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second supply box accommodates a gas accumulation system provided at least in the second supply system.
前記第２のユーティリティ系内において、前記第２の供給ボックス及び前記第２の排気ボックスのうち、厚みの小さい方が、前記第２の処理モジュール側に配置される請求項２に記載の基板処理装置。 In the first utility system, the smaller one of the first supply box and the first exhaust box is disposed on the first processing module side,
The substrate processing according to claim 2, wherein in the second utility system, the smaller one of the second supply box and the second exhaust box is disposed on the second processing module side. apparatus.
第２の処理モジュールの第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系とを含み、前記第２の処理モジュール背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系とを備え、
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの背面方向には、前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系の間において、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールに対して共通に使用されるメンテナンスエリアが形成され、
前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系は、その正面側よりも背面側の方が前記メンテナンスエリアに突出して形成される基板処理装置を使用し、
前記第１の供給系から前記第１の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第１の排気系から前記第１の処理容器内を排気し、前記第１の処理容器内で基板を処理する第１処理工程と、
前記第２の供給系から前記第２の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第２の排気系から前記第２の処理容器内を排気し、前記第２の処理容器内で基板を処理する第２処理工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。 A first exhaust system for exhausting the inside of a first processing container of the first processing module; and a first supply system for supplying a processing gas into the first processing container, wherein the first processing module A first utility system disposed adjacent to the back,
A second exhaust system for exhausting the inside of a second processing container of the second processing module; and a second supply system for supplying a processing gas into the second processing container, wherein the second processing module And a second utility system disposed adjacent to the back surface,
In the back direction of the first processing module and the second processing module, the first processing module and the second processing module are located between the first utility system and the second utility system. A common maintenance area is formed,
The first utility system and the second utility system use a substrate processing apparatus in which the back side is protruded to the maintenance area from the front side,
A processing gas is supplied from the first supply system into the first processing container, the inside of the first processing container is exhausted from the first exhaust system, and the substrate is processed in the first processing container. A first processing step
A processing gas is supplied from the second supply system into the second processing container, the inside of the second processing container is exhausted from the second exhaust system, and the substrate is processed in the second processing container. A second processing step
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記第１のユーティリティ系は、前記第１の供給系を含む第１の供給ボックスと、前記第１の排気系を含む第１の排気ボックスを含み、
前記第２のユーティリティ系は、前記第２の供給系を含む第２の供給ボックスと、前記第２の排気系を含む第２の排気ボックスを含む前記基板処理装置によって行われる請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step and the second processing step are
The first utility system includes a first supply box including the first supply system, and a first exhaust box including the first exhaust system.
21. The substrate processing apparatus according to claim 20, wherein the second utility system is performed by the substrate processing apparatus including a second supply box including the second supply system and a second exhaust box including the second exhaust system. Semiconductor device manufacturing method.
前記第１のユーティリティ系と前記第２のユーティリティ系の背面側よりも前記第１のユーティリティ系と前記第２のユーティリティ系の正面側の方が大きい前記メンテナンスエリアが構成される前記基板処理装置によって行われる請求項２０または請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step and the second processing step are
The substrate processing apparatus includes the maintenance area in which the front side of the first utility system and the second utility system is larger than the back side of the first utility system and the second utility system. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 20 or 21, which is performed.
前記第２の処理容器と前記第２の供給ボックスの間の第２配管に設けられる第２のファイナルバルブとを更に備え、
前記第１のファイナルバルブおよび前記第２のファイナルバルブは、前記メンテナンスエリアを避けて配置される前記基板処理装置を使用し、
前記第１処理工程では、前記第１のファイナルバルブを介して、前記処理ガスが前記第１の処理容器に供給され、
前記第２処理工程では、前記第２のファイナルバルブを介して、前記処理ガスが前記第２の処理容器に供給される請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 A first final valve provided in a first pipe between the first processing container and the first supply box;
And a second final valve provided in a second pipe between the second processing vessel and the second supply box,
The first final valve and the second final valve use the substrate processing apparatus disposed away from the maintenance area,
In the first processing step, the processing gas is supplied to the first processing container via the first final valve,
22. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 21, wherein in the second processing step, the processing gas is supplied to the second processing container via the second final valve.
前記第１の排気ボックスのメンテナンス口と前記第２の排気ボックスのメンテナンス口は互いに向かい合い、前記第１の供給ボックスのメンテナンス口と前記第２の供給ボックスのメンテナンス口は互いに向かい合うように、前記メンテナンスエリア側に配置された前記基板処理装置によって行われる請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step and the second processing step are
The maintenance port of the first exhaust box and the maintenance port of the second exhaust box face each other, and the maintenance port of the first supply box and the maintenance port of the second supply box face each other. 22. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 21, performed by the substrate processing apparatus disposed on the area side.
前記第２処理工程では、前記第２のユーティリティ系の、前記第２の排気ボックス及び前記第２の供給ボックスよりも背面側に設けられた第２のコントローラボックスに収納された第２のコントローラにより、前記第２のファイナルバルブ、前記第２の排気系及び前記第２の供給系の動作を制御する請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。 In the first processing step, the first controller of the first utility system housed in the first controller box provided on the rear side of the first exhaust box and the first supply box Controlling the operation of the first final valve, the first exhaust system, and the first supply system;
In the second processing step, a second controller accommodated in a second controller box provided behind the second exhaust box and the second supply box of the second utility system The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 23, wherein operations of the second final valve, the second exhaust system, and the second supply system are controlled.
前記第２処理工程では、前記第２の排気ボックスに収納された、前記第２の排気系が備えるＡＰＣバルブにて前記第２の処理容器内の排気を制御する工程を有する請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step includes the step of controlling the exhaust in the first processing container with an APC valve provided in the first exhaust system and accommodated in the first exhaust box,
22. The method according to claim 21, further comprising the step of controlling the exhaust in the second processing container by an APC valve provided in the second exhaust system and accommodated in the second exhaust box in the second processing step. Semiconductor device manufacturing method.
前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールが、前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールの隣接面に対して面対称に配置され、
前記第１のユーティリティ系と前記第２のユーティリティ系が、前記隣接面に対して面対称に配置された前記基板処理装置によって行われる請求項２０または請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step and the second processing step are
The first processing module and the second processing module are disposed in plane symmetry with respect to the adjacent surfaces of the first processing module and the second processing module,
22. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 20, wherein the first utility system and the second utility system are performed by the substrate processing apparatus disposed plane-symmetrically with respect to the adjacent surface.
前記第２処理工程では、前記第２の処理容器で、前記第１の処理容器での基板の回転方向と反対方向に基板を回転させて処理する請求項２０または請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 In the first processing step, the substrate is processed by rotating the substrate in the first processing container,
22. The semiconductor device according to claim 20, wherein, in the second processing step, processing is performed by rotating the substrate in the second processing container in a direction opposite to the rotation direction of the substrate in the first processing container. Manufacturing method.
前記第２処理工程では、前記第２の処理容器で複数枚の基板を垂直に棚状に支持する基板保持具を内部にそれぞれ収容させて処理する請求項２０または請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 In the first processing step, substrate holders that support a plurality of substrates vertically in a shelf shape in the first processing container are accommodated and processed therein.
22. The semiconductor device according to claim 20, wherein in the second processing step, a substrate holder for supporting a plurality of substrates vertically in a shelf shape in the second processing container is accommodated and internally processed. Manufacturing method.
前記第２処理工程では、前記第２のユーティリティ系の外に設けられた前記第２のファイナルバルブを介して前記処理ガスを前記第２の処理容器に供給する請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。 In the first processing step, the processing gas is supplied to the first processing container via the first final valve provided outside the first utility system,
The semiconductor device according to claim 23, wherein in the second processing step, the processing gas is supplied to the second processing container via the second final valve provided outside the second utility system. Production method.
前記第１のファイナルバルブから前記第１の処理容器への配管長と、前記第２のファイナルバルブから前記第２の処理容器への配管長が等しい前記基板処理装置によって行われる請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step and the second processing step are
24. The substrate processing apparatus according to claim 23, wherein the pipe length from the first final valve to the first processing vessel and the pipe length from the second final valve to the second processing vessel are equal. Semiconductor device manufacturing method.
前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールは、互いに隙間を設けずに配置された前記基板処理装置によって行われる請求項２０または請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step and the second processing step are
22. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 20, wherein the first processing module and the second processing module are performed by the substrate processing apparatus disposed without a gap therebetween.
前記第２処理工程では、前記第２の供給ボックスに収納された、前記第２の供給系が備えるガス集積システムにて前記第２の処理容器内への前記処理ガスの供給を制御する工程を有する請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 Controlling the supply of the processing gas into the first processing container by a gas accumulation system provided in the first supply system and contained in the first supply box in the first processing step; Have
Controlling the supply of the processing gas into the second processing container by the gas accumulation system provided in the second supply system, which is accommodated in the second supply box, in the second processing step; 22. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 21.
前記第１のユーティリティ系内において、前記第１の供給ボックス及び前記第１の排気ボックスのうち、厚みの小さい方が、前記第１の処理モジュール側に配置され、
前記第２のユーティリティ系内において、前記第２の供給ボックス及び前記第２の排気ボックスのうち、厚みの小さい方が、前記第２の処理モジュール側に配置される前記基板処理装置によって行われる請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step and the second processing step are
In the first utility system, the smaller one of the first supply box and the first exhaust box is disposed on the first processing module side,
In the second utility system, one of the second supply box and the second exhaust box, which is smaller in thickness, is performed by the substrate processing apparatus disposed on the second processing module side. The manufacturing method of the semiconductor device of Claim 21.
前記メンテナンスエリアが、前記第１の処理モジュールの第１の搬送室及び前記第２の処理モジュールの第２の搬送室に対して共通に使用されるように構成された前記基板処理装置によって行われる請求項２０または請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step and the second processing step are
The maintenance area is performed by the substrate processing apparatus configured to be commonly used for the first transfer chamber of the first processing module and the second transfer chamber of the second processing module. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 20 or 21.
前記メンテナンスエリアが、前記第１の処理モジュールの第１の搬送室及び前記第２の処理モジュールの第２の搬送室の背面に隣接し、前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系の間において、前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系のいずれも存在しなくて、前記第１の搬送室及び前記第２の搬送室に対して共通に使用されるように構成された前記基板処理装置によって行われる請求項２０または請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step and the second processing step are
The maintenance area is adjacent to a back surface of a first transfer chamber of the first processing module and a back surface of a second transfer chamber of the second processing module, and the first utility system and the second utility system are provided. In the meantime, neither the first utility system nor the second utility system exists, and it is configured to be commonly used for the first transfer chamber and the second transfer chamber. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 20, wherein the method is performed by the substrate processing apparatus.
前記メンテナンスエリアが、前記第１の処理モジュールの第１の搬送室の第１のメンテナンス扉及び前記第２の処理モジュールの第２の搬送室の第２のメンテナンス扉の背面に隣接し、前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系の間において、前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系のいずれも存在しなくて、前記第１のメンテナンス扉及び前記第２のメンテナンス扉の開閉に対して共通に使用されるように構成された前記基板処理装置によって行われる請求項２０または請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。 The first processing step and the second processing step are
The maintenance area is adjacent to a back surface of a first maintenance door of a first transfer chamber of the first processing module and a back surface of a second maintenance door of a second transfer chamber of the second processing module, Between the first utility system and the second utility system, neither the first utility system nor the second utility system exists, and the first maintenance door and the second maintenance door 22. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 20 or 21, performed by the substrate processing apparatus configured to be commonly used for opening and closing.
第２の処理モジュールの第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系とを含み、前記第２の処理モジュール背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系とを備え、
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの背面方向には、前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系の間において、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールに対して共通に使用されるメンテナンスエリアが形成され、
前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系は、その正面側よりも背面側の方が前記メンテナンスエリアに突出して形成される基板処理装置によって、
前記第１の供給系から前記第１の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第１の排気系から前記第１の処理容器内を排気し、前記第１の処理容器内で基板を処理する第１処理手順と、
前記第２の供給系から前記第２の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第２の排気系から前記第２の処理容器内を排気し、前記第２の処理容器内で基板を処理する第２処理手順と、
を行わせるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納されたプログラム。 A first exhaust system for exhausting the inside of a first processing container of the first processing module; and a first supply system for supplying a processing gas into the first processing container, wherein the first processing module A first utility system disposed adjacent to the back,
A second exhaust system for exhausting the inside of a second processing container of the second processing module; and a second supply system for supplying a processing gas into the second processing container, wherein the second processing module And a second utility system disposed adjacent to the back surface,
In the back direction of the first processing module and the second processing module, the first processing module and the second processing module are located between the first utility system and the second utility system. A common maintenance area is formed,
The first utility system and the second utility system are formed by the substrate processing apparatus which is formed so that the back side is projected to the maintenance area rather than the front side.
A processing gas is supplied from the first supply system into the first processing container, the inside of the first processing container is exhausted from the first exhaust system, and the substrate is processed in the first processing container. The first processing procedure to
A processing gas is supplied from the second supply system into the second processing container, the inside of the second processing container is exhausted from the second exhaust system, and the substrate is processed in the second processing container. The second processing procedure to
A program stored on a computer readable recording medium that causes
第２の処理モジュールの第２の処理容器内を排気する第２の排気系と、前記第２の処理容器内に処理ガスを供給する第２の供給系とを含み、前記第２の処理モジュール背面に隣接して配置される第２のユーティリティ系とを備え、
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの背面方向には、前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系の間において、前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールに対して共通に使用されるメンテナンスエリアが形成され、
前記第１のユーティリティ系及び前記第２のユーティリティ系は、その正面側よりも背面側の方が前記メンテナンスエリアに突出して形成される基板処理装置によって、
前記第１の供給系から前記第１の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第１の排気系から前記第１の処理容器内を排気し、前記第１の処理容器内で基板を処理する第１処理手順と、
前記第２の供給系から前記第２の処理容器内に処理ガスを供給し、前記第２の排気系から前記第２の処理容器内を排気し、前記第２の処理容器内で基板を処理する第２処理手順と、
を行わせるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 A first exhaust system for exhausting the inside of a first processing container of the first processing module; and a first supply system for supplying a processing gas into the first processing container, wherein the first processing module A first utility system disposed adjacent to the back,
A second exhaust system for exhausting the inside of a second processing container of the second processing module; and a second supply system for supplying a processing gas into the second processing container, wherein the second processing module And a second utility system disposed adjacent to the back surface,
In the back direction of the first processing module and the second processing module, the first processing module and the second processing module are located between the first utility system and the second utility system. A common maintenance area is formed,
The first utility system and the second utility system are formed by the substrate processing apparatus which is formed so that the back side is projected to the maintenance area rather than the front side.
A processing gas is supplied from the first supply system into the first processing container, the inside of the first processing container is exhausted from the first exhaust system, and the substrate is processed in the first processing container. The first processing procedure to
A processing gas is supplied from the second supply system into the second processing container, the inside of the second processing container is exhausted from the second exhaust system, and the substrate is processed in the second processing container. The second processing procedure to
A computer readable recording medium storing a program for causing
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019110340A true JP2019110340A (en) | 2019-07-04 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2019059946A Active JP6616917B2 (en) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and recording medium |
Country Status (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP7416902B1 (en) | 2022-06-28 | 2024-01-17 | ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド | Substrate processing apparatus and substrate processing system equipped with the same |
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