JP2019104973A - Substrate holder, plating apparatus and method for detecting liquid leakage - Google Patents
Substrate holder, plating apparatus and method for detecting liquid leakage Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019104973A JP2019104973A JP2017238634A JP2017238634A JP2019104973A JP 2019104973 A JP2019104973 A JP 2019104973A JP 2017238634 A JP2017238634 A JP 2017238634A JP 2017238634 A JP2017238634 A JP 2017238634A JP 2019104973 A JP2019104973 A JP 2019104973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holder
- temperature
- holding member
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
Description
本願は、基板ホルダ、めっき装置、および液漏れ検出方法に関する。 The present application relates to a substrate holder, a plating apparatus, and a liquid leakage detection method.
半導体ウェハ等の基板を基板ホルダで保持し、基板をめっき槽内のめっき液中に浸漬させるめっき装置が知られている。図１１に示すように、基板ホルダは、基板Ｗの周縁部に接触する複数の内部接点１００と、これら内部接点１００にそれぞれ接続された複数の外部接点１０１とを備えている。複数の内部接点１００と複数の外部接点１０１とを接続する配線１０４は基板ホルダの内部に配置されている。外部接点１０１は、基板ホルダをめっき槽内の所定位置に配置した時に、電源１０２に接続された給電端子１０３に接触される。電流は外部接点１０１および内部接点１００を通じて基板Ｗに流れ、めっき液の存在下で基板Ｗの表面に金属膜が形成される。 There is known a plating apparatus in which a substrate such as a semiconductor wafer is held by a substrate holder and the substrate is immersed in a plating solution in a plating tank. As shown in FIG. 11, the substrate holder includes a plurality of internal contacts 100 in contact with the peripheral portion of the substrate W, and a plurality of external contacts 101 connected to the respective internal contacts 100. Wiring 104 connecting the plurality of internal contacts 100 and the plurality of external contacts 101 is disposed inside the substrate holder. The external contact 101 is brought into contact with the power supply terminal 103 connected to the power supply 102 when the substrate holder is disposed at a predetermined position in the plating tank. The current flows to the substrate W through the external contact 101 and the internal contact 100, and a metal film is formed on the surface of the substrate W in the presence of the plating solution.
従来から、基板Ｗを基板ホルダに保持した状態で、基板Ｗのめっき前に、外部接点１０１間の電気抵抗を測定することが行われている。これは、基板Ｗの表面に形成されたシード層などの導電層の欠陥や内部接点１００の不良を発見することを目的として行われる。すなわち、ある外部接点１０１間の電気抵抗の値が他の外部接点１０１間の電気抵抗の値よりも極端に大きかったり、または極端に小さい場合、導電層および／または内部接点１００に欠陥が生じていると判断することができる。したがって、導電層および／または内部接点１００の欠陥に起因するめっき不良を、実際にめっきを行うことなく事前に検出することができる。 Conventionally, in a state where the substrate W is held by the substrate holder, the electrical resistance between the external contacts 101 is measured before the plating of the substrate W. This is performed for the purpose of finding defects in a conductive layer such as a seed layer formed on the surface of the substrate W and defects in the internal contact 100. That is, if the value of the electrical resistance between certain external contacts 101 is extremely larger or smaller than the value of the electrical resistance between other external contacts 101, a defect occurs in the conductive layer and / or the internal contacts 100. It can be determined that Therefore, plating defects due to defects in the conductive layer and / or the internal contact 100 can be detected in advance without actually performing plating.
給電端子と外部接点との接触状態が悪いと、給電端子と外部接点との間の電気抵抗が変化することがある。また、電源から複数の外部接点および複数の内部接点を通じた基板までの電気抵抗は、基板ホルダ又は基板の歪みによる内部接点と基板との接触抵抗のばらつきによっても変化する。結果として、不均一な電流が外部接点および内部接点を通じて基板に流れてしまう場合がある。特に近年は、導電層の厚さは薄くなる傾向にあり、さらに基板Ｗに流す電流の密度を高くする傾向がある。このため、電源から基板までの電気抵抗のばらつきがわずかであっても、基板Ｗの表面に形成される金属膜の膜厚の均一性が大きく損なわれたり、めっき装置に損傷が生じたりする可能性がある。さらに、給電端子と外部接点との間の電気抵抗を均一にするために、複数の外部接点を一体部材で形成することが考えられるが、この場合、基板のめっき前にそれぞれの外部接点間の電気抵抗を測定することができない。 Poor contact between the feed terminal and the external contact may change the electrical resistance between the feed terminal and the external contact. In addition, the electrical resistance from the power source to the substrate through the plurality of external contacts and the plurality of internal contacts also changes due to the variation in the contact resistance between the internal contact and the substrate due to distortion of the substrate holder or the substrate. As a result, non-uniform current may flow to the substrate through the external contacts and the internal contacts. In particular, in recent years, the thickness of the conductive layer tends to be reduced, and the density of the current supplied to the substrate W tends to be increased. Therefore, even if the variation of the electrical resistance from the power supply to the substrate is slight, the uniformity of the film thickness of the metal film formed on the surface of the substrate W may be greatly impaired or the plating apparatus may be damaged. There is sex. Furthermore, in order to make the electrical resistance between the feed terminal and the external contact uniform, it is conceivable to form a plurality of external contacts by an integral member, but in this case, between the external contacts before plating the substrate. Unable to measure electrical resistance.
また、基板ホルダは、めっき液中に浸漬させて使用するため、基板ホルダで基板を保持した時に基板の裏面（反被めっき処理面）側へめっき液が周り込まないよう、基板の外周部がシールされる。例えば、一対のサポート（保持部材）で基板を着脱自在に保持するようにした基板ホルダでは、一方のサポートにシール部材を取付け、このシール部材を他方のサポートに載置保持した基板の周縁部に圧接させることで、基板の外周部をシールするようにしている。しかし、シール部材の劣化等により、シールの完全性を図ることはかな
り困難である。めっき液の漏れが発生すると、漏れためっき液が内部接点を腐食させて通電を妨げ、内部接点の温度上昇や発火を生じさせるおそれがある。また、基板ホルダの内部に漏れためっき液が基板の裏面に付着すると、基板から基板搬送機器にもめっき液が付着して装置全体をめっき液で汚してしまう。
In addition, since the substrate holder is used by immersing in a plating solution, the outer peripheral portion of the substrate is such that the plating solution does not go to the back surface (non-plated surface) side of the substrate when holding the substrate by the substrate holder. Be sealed. For example, in a substrate holder in which a substrate is detachably held by a pair of supports (holding members), a seal member is attached to one of the supports, and the seal member is mounted on the periphery of the other substrate. The outer peripheral portion of the substrate is sealed by pressure contact. However, it is quite difficult to achieve the integrity of the seal due to deterioration of the seal member and the like. If the plating solution leaks, the leaked plating solution may corrode the internal contacts, interrupting the current flow, and may cause the temperature rise and ignition of the internal contacts. In addition, when the plating solution leaked to the inside of the substrate holder adheres to the back surface of the substrate, the plating solution also adheres from the substrate to the substrate transfer device, and the entire apparatus is contaminated with the plating solution.
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、電源から基板までの抵抗のばらつきを抑制することを目的の１つとする。また、基板ホルダのシール領域の液漏れを検出することを目的の１つとする。さらに、基板ホルダのシール領域内部で内部接点の温度上昇または発火を抑制することを目的の１つとする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to suppress variations in resistance from a power supply to a substrate. Another object is to detect liquid leakage in the seal area of the substrate holder. Furthermore, it is an object to suppress temperature rise or ignition of the internal contact inside the seal area of the substrate holder.
［形態１］形態１によれば、基板ホルダが提案され、前記基板ホルダは、基板の周縁部に接触し、該基板に電流を流す複数の内部接点と、電源に接続された給電端子に接触する接触面をそれぞれ有する複数の外部接点と、前記複数の内部接点と前記複数の外部接点とを接続する複数の配線と、前記複数の配線のそれぞれに組み込まれて当該複数の配線よりも電気抵抗が大きい複数の抵抗器と、を備える。形態１による基板ホルダによれば、基板の周辺部に接触する複数の内部接点と、電源に接続された給電端子に接触する複数の外部接点と、を接続する複数の配線のそれぞれに抵抗器が組み込まれている。このため、基板ホルダ又は基板の歪みによる内部接点と基板との接触抵抗のばらつきによる影響、および、外部接点と給電端子との接触抵抗のばらつきによる影響を小さくして、電源から基板までの抵抗のばらつきを抑制することができる。また、複数の外部接点のそれぞれが給電端子に接触する接触面を有するので、基板のめっき前にそれぞれの外部接点間の電気抵抗を測定して基板ホルダと基板との接触不良等を発見することができる。 [Mode 1] According to mode 1, a substrate holder is proposed, and the substrate holder contacts the peripheral portion of the substrate and contacts a plurality of internal contacts that flow current to the substrate and a feeding terminal connected to a power supply. Of the plurality of external contacts, the plurality of wirings connecting the plurality of internal contacts and the plurality of external contacts, and the plurality of wirings each having an electrical contact resistance than the plurality of wirings And a plurality of resistors. According to the substrate holder of the first aspect, the resistor is provided for each of the plurality of wirings connecting the plurality of internal contacts in contact with the peripheral portion of the substrate and the plurality of external contacts in contact with the feeding terminal connected to the power supply. It has been incorporated. For this reason, the influence of variations in the contact resistance between the internal contact and the substrate due to the distortion of the substrate holder or the substrate, and the variations due to the variation in the contact resistance between the external contact and the feeding terminal Variations can be suppressed. In addition, since each of the plurality of external contacts has a contact surface that contacts the feed terminal, it is necessary to measure the electrical resistance between the respective external contacts before plating the substrate to find a contact failure or the like between the substrate holder and the substrate. Can.
［形態２］形態２によれば、形態１による基板ホルダにおいて、複数の抵抗器は、チップ抵抗器である。 [Mode 2] According to mode 2, in the substrate holder according to mode 1, the plurality of resistors are chip resistors.
［形態３］形態３によれば、形態１による基板ホルダにおいて、複数の抵抗器は、前記配線よりも電気抵抗が大きい高抵抗電線である。 [Mode 3] According to mode 3, in the substrate holder according to mode 1, the plurality of resistors are high resistance electric wires having a larger electric resistance than the wiring.
［形態４］形態４によれば、形態１から３のいずれか１つによる基板ホルダにおいて、前記基板ホルダの温度を観測するための温度モニタを更に備える。 According to the fourth aspect, the substrate holder according to any one of the first to third aspects further includes a temperature monitor for observing the temperature of the substrate holder.
［形態５］形態５によれば、形態４による基板ホルダにおいて、前記温度モニタは、前記基板ホルダに設けられて所定温度以上に至ったときに不可逆的に変化する。 [Mode 5] According to mode 5, in the substrate holder according to mode 4, the temperature monitor irreversibly changes when provided on the substrate holder and reaching a predetermined temperature or more.
［形態６］形態６によれば、形態４による基板ホルダにおいて、前記温度モニタは、前記基板ホルダに設けられて当該基板ホルダの温度を計測する温度センサである。 According to the sixth aspect, in the substrate holder according to the fourth aspect, the temperature monitor is a temperature sensor provided on the substrate holder to measure the temperature of the substrate holder.
［形態７］形態７によれば、めっき装置が提案され、前記めっき装置は、形態１から３のいずれか１つによる基板ホルダと、めっき液を内部に貯留するためのめっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、前記アノードと前記基板との間に電圧を印加する電源と、前記基板ホルダの温度を当該基板ホルダに非接触で計測する温度モニタと、を備える。 [Mode 7] According to mode 7, a plating apparatus is proposed, wherein the plating apparatus comprises a substrate holder according to any one of modes 1 to 3, a plating tank for internally storing a plating solution, and the plating It comprises an anode disposed in a tank, a power supply for applying a voltage between the anode and the substrate, and a temperature monitor for measuring the temperature of the substrate holder without contacting the substrate holder.
［形態８］形態８によれば、形態４から６のいずれか１つによる基板ホルダ、または、形態７によるめっき装置において、前記温度モニタによって前記基板ホルダの温度が所定温度以上に至ったときに報知する報知部を更に備える。 According to the eighth aspect, in the substrate holder according to any one of the fourth to sixth aspects or the plating apparatus according to the seventh aspect, when the temperature of the substrate holder reaches a predetermined temperature or more by the temperature monitor. The information processing apparatus further comprises a notification unit for giving notification.
［形態９］形態９によれば、めっき装置が提案され、めっき液を内部に貯留するための
めっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、固定保持部材とシール部材を取り付けた可動保持部材との間に基板を介在させ、前記可動保持部材を前記固定保持部材に向けて押圧し前記基板の外周端部を包囲する領域を前記シール部材でシールして前記基板を着脱自在に保持するように構成された基板ホルダと、前記アノードと前記基板との間に電圧を印加する電源と、前記シール部材でシールされる領域に不活性ガスを導入する不活性ガス供給部と、を備える。形態９によれば、基板ホルダのシールされた領域に不活性ガスが導入されるので、シールされた領域の内部で内部接点の温度上昇や発火を抑制することができる。
[Mode 9] According to mode 9, a plating apparatus is proposed, and a plating tank for storing a plating solution inside, an anode disposed in the plating tank, a movable holding member and a seal member attached A substrate is interposed between the substrate and the holding member, the movable holding member is pressed toward the fixed holding member, and a region surrounding the outer peripheral end of the substrate is sealed by the seal member to hold the substrate in a detachable manner. A power supply for applying a voltage between the anode and the substrate, and an inert gas supply unit for introducing an inert gas into a region sealed by the seal member. . According to the ninth aspect, since the inert gas is introduced into the sealed area of the substrate holder, temperature rise and ignition of the internal contact can be suppressed inside the sealed area.
［形態１０］形態１０によれば、めっき装置の基板ホルダにおけるシール部材でシールされた領域への液漏れを検出する方法が提案され、前記めっき装置は、第１保持部材とシール部材を取り付けた第２保持部材との間に基板を介在させ、前記第１保持部材と前記第２保持部材とを押圧して前記基板の外周端部を包囲する領域を前記シール部材でシールして前記基板を着脱自在に保持するように構成された基板ホルダを備え、当該基板ホルダに保持された前記基板をめっき液に浸漬させて前記基板をめっきするめっき装置であり、前記方法は、前記基板ホルダの温度を観測する温度観測ステップと、少なくとも前記温度観測ステップによって観測された前記基板ホルダの温度が所定温度以上に至ったことに基づいて前記領域への液漏れが生じたことを検出する検出ステップと、を含む。形態１０によれば、基板ホルダの温度を観測し、観測された温度が所定温度以上に至ったことに基づいて、シールされた領域への液漏れを検出することができる。これは、シールされた領域にめっき液が漏れて内部の電気回路に付着すると電気回路を腐食させて通電を妨げ、当該箇所の温度が上昇することに基づく。 [Mode 10] According to mode 10, a method for detecting a liquid leak to a region sealed by a seal member in a substrate holder of a plating apparatus is proposed, and the plating apparatus has a first holding member and a seal member attached. A substrate is interposed between the second holding member and the second holding member, and the first holding member and the second holding member are pressed to seal the area surrounding the outer peripheral end of the substrate with the seal member, thereby the substrate A plating apparatus comprising a substrate holder configured to be detachably held, and immersing the substrate held by the substrate holder in a plating solution to plate the substrate, the method comprising: a temperature of the substrate holder Leakage to the region occurs based on the temperature observation step of observing the temperature and the fact that the temperature of the substrate holder observed at least by the temperature observation step has reached a predetermined temperature or higher Including, a detection step of detecting that. According to the tenth aspect, it is possible to observe the temperature of the substrate holder and to detect liquid leakage to the sealed area based on the fact that the observed temperature has reached the predetermined temperature or more. This is based on the fact that if the plating solution leaks into the sealed area and adheres to the internal electric circuit, the electric circuit is corroded to interrupt the current flow and the temperature of the portion rises.
以下に、本発明に係るめっき装置、および基板ホルダにおける液漏れ検出方法の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。 Hereinafter, embodiments of a plating apparatus and a method for detecting liquid leakage in a substrate holder according to the present invention will be described with reference to the attached drawings. In the accompanying drawings, the same or similar elements are denoted by the same or similar reference symbols, and redundant description of the same or similar elements may be omitted in the description of each embodiment. Also, the features shown in each embodiment can be applied to other embodiments as long as they do not contradict each other.
図１は、めっき装置を示す概略図である。図１に示すように、めっき装置は、めっき槽１と、めっき槽１内に配置されたアノード２と、このアノード２を保持するアノードホルダ４と、基板Ｗを着脱自在に保持する基板ホルダ８とを備えている。 FIG. 1 is a schematic view showing a plating apparatus. As shown in FIG. 1, the plating apparatus includes a plating tank 1, an anode 2 disposed in the plating tank 1, an anode holder 4 for holding the anode 2, and a substrate holder 8 for holding a substrate W detachably. And have.
めっき槽１は、内部にめっき液を保持する。めっき槽１は、基板ホルダ８に保持された基板Ｗおよびアノード２が配置される貯留槽１０と、貯留槽１０に隣接するオーバーフロー槽１２とを備えている。貯留槽１０内のめっき液は貯留槽１０の側壁を越流してオーバーフロー槽１２内に流入するようになっている。アノード２および基板Ｗは、互いに対向して貯留槽１０内に配置される。 The plating tank 1 holds a plating solution inside. The plating tank 1 includes a storage tank 10 in which the substrate W held by the substrate holder 8 and the anode 2 are disposed, and an overflow tank 12 adjacent to the storage tank 10. The plating solution in the storage tank 10 overflows the side wall of the storage tank 10 and flows into the overflow tank 12. The anode 2 and the substrate W are disposed in the reservoir 10 to face each other.
さらに、めっき装置は、図１に示すように、基板Ｗ上の電位分布を調整するための開口１４ａを有する調整板（レギュレーションプレート）１４と、貯留槽１０内のめっき液を攪拌するパドル１６とを備えている。調整板１４は、アノード２と基板Ｗとの間に配置されている。パドル１６は、貯留槽１０内の基板ホルダ８に保持された基板Ｗの表面近傍に配置されている。パドル１６は鉛直に配置されており、基板Ｗと平行に往復運動することでめっき液を攪拌する。基板Ｗのめっき中にパドル１６がめっき液を攪拌することで、十分な金属イオンを基板Ｗの表面に均一に供給することができる。 Furthermore, as shown in FIG. 1, the plating apparatus includes a regulation plate (regulation plate) 14 having an opening 14 a for regulating the potential distribution on the substrate W, and a paddle 16 for stirring the plating solution in the storage tank 10. Is equipped. The adjusting plate 14 is disposed between the anode 2 and the substrate W. The paddle 16 is disposed in the vicinity of the surface of the substrate W held by the substrate holder 8 in the storage tank 10. The paddles 16 are arranged vertically, and reciprocate in parallel with the substrate W to agitate the plating solution. Sufficient metal ions can be uniformly supplied to the surface of the substrate W by the paddle 16 stirring the plating solution during the plating of the substrate W.
アノード２は、アノードホルダ４によってめっき槽１内のめっき液に浸漬し、アノードホルダ４を介して電源１８の正極に接続される。また、基板Ｗは、基板ホルダ８によってめっき槽１内のめっき液に浸漬し、基板ホルダ８を介して電源１８の負極に接続される。アノード２と基板Ｗとの間に電圧を印加すると、電流が基板Ｗに流れ、めっき液の存在下で基板Ｗの表面に金属膜が形成される。 The anode 2 is immersed in the plating solution in the plating tank 1 by the anode holder 4, and is connected to the positive electrode of the power source 18 via the anode holder 4. The substrate W is immersed in the plating solution in the plating tank 1 by the substrate holder 8 and connected to the negative electrode of the power supply 18 through the substrate holder 8. When a voltage is applied between the anode 2 and the substrate W, a current flows to the substrate W, and a metal film is formed on the surface of the substrate W in the presence of a plating solution.
オーバーフロー槽１２の底部には、めっき液循環ライン２０の一端が接続され、他端は貯留槽１０の底部に接続されている。めっき液は、貯留槽１０の側壁を越流してオーバーフロー槽１２に流入し、さらにオーバーフロー槽１２から貯留槽１０にめっき液循環ライン２０を通って戻される。このように、めっき液は、めっき液循環ライン２０を通じて貯留槽１０とオーバーフロー槽１２との間を循環する。 One end of the plating solution circulation line 20 is connected to the bottom of the overflow tank 12, and the other end is connected to the bottom of the storage tank 10. The plating solution overflows the side wall of the storage tank 10 to flow into the overflow tank 12 and is further returned from the overflow tank 12 to the storage tank 10 through the plating solution circulation line 20. Thus, the plating solution circulates between the reservoir 10 and the overflow tank 12 through the plating solution circulation line 20.
次に、基板ホルダ８について、図２−５を参照して説明する。基板ホルダ８は、図２−５に示すように、矩形平板状の第１保持部材２２と、この第１保持部材２２にヒンジ２３を介して開閉自在に取付けられた第２保持部材２４とを有している。他の構成例として、第２保持部材２４を第１保持部材２２に対峙した位置に配置し、この第２保持部材２４を第１保持部材２２に向けて前進させ、また第１保持部材２２から離間させることによって第２保持部材２４を開閉するようにしてもよい。 Next, the substrate holder 8 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 2-5, the substrate holder 8 includes a rectangular flat first holding member 22 and a second holding member 24 attached to the first holding member 22 via a hinge 23 so as to be openable and closable. Have. As another configuration example, the second holding member 24 is disposed at a position facing the first holding member 22, and the second holding member 24 is advanced toward the first holding member 22, and from the first holding member 22. The second holding member 24 may be opened and closed by being separated.
第１保持部材２２は例えば塩化ビニル製である。第２保持部材２４は、基部２５と、リング状のシールホルダ２６とを有している。シールホルダ２６は例えば塩化ビニル製である。シールホルダ２６の上部には環状の基板側シール部材２８（図４および図５参照）が内方に突出して取付けられている。この基板側シール部材２８は、基板ホルダ８が基板Ｗを保持した時、基板Ｗの表面外周部に圧接して第２保持部材２４と基板Ｗとの隙間をシールするように構成されている。シールホルダ２６の第１保持部材２２と対向する面には、環状のホルダ側シール部材２９（図４および図５参照）が取付けられている。このホルダ側シール部材２９は、基板ホルダ８が基板Ｗを保持した時、第１保持部材２２に圧接して第１保持部材２２と第２保持部材２４との隙間をシールするように構成されている。ホルダ側シール部材２９は、基板側シール部材２８の外側に位置している。 The first holding member 22 is made of, for example, vinyl chloride. The second holding member 24 has a base 25 and a ring-shaped seal holder 26. The seal holder 26 is made of, for example, vinyl chloride. An annular substrate side seal member 28 (see FIGS. 4 and 5) is attached to the upper portion of the seal holder 26 so as to protrude inward. When the substrate holder 8 holds the substrate W, the substrate-side seal member 28 is in pressure contact with the outer periphery of the surface of the substrate W to seal the gap between the second holding member 24 and the substrate W. An annular holder side sealing member 29 (see FIGS. 4 and 5) is attached to the surface of the seal holder 26 facing the first holding member 22. The holder side sealing member 29 is configured to be in pressure contact with the first holding member 22 and seal a gap between the first holding member 22 and the second holding member 24 when the substrate holder 8 holds the substrate W. There is. The holder side seal member 29 is located outside the substrate side seal member 28.
図５に示すように、基板側シール部材２８は、シールホルダ２６と第１固定リング３０ａとの間に挟持されてシールホルダ２６に取付けられている。第１固定リング３０ａは、シールホルダ２６にねじ等の締結具３１ａを介して取付けられる。ホルダ側シール部材２９は、シールホルダ２６と第２固定リング３０ｂとの間に挟持されてシールホルダ２６に取付けられている。第２固定リング３０ｂは、シールホルダ２６にねじ等の締結具３１ｂ
を介して取付けられる。
As shown in FIG. 5, the substrate-side seal member 28 is attached to the seal holder 26 by being held between the seal holder 26 and the first fixing ring 30 a. The first fixing ring 30 a is attached to the seal holder 26 via a fastener 31 a such as a screw. The holder side sealing member 29 is attached to the seal holder 26 by being held between the seal holder 26 and the second fixing ring 30 b. The second fixing ring 30 b is a fastener 31 b such as a screw on the seal holder 26.
Is attached via
シールホルダ２６の外周部には段部が設けられており、この段部には押えリング２７がスペーサー３２を介して回転自在に装着されている。押えリング２７は、第１固定リング３０ａの外周部によって脱出不能に装着されている。この押えリング２７は、酸やアルカリに対して耐食性に優れ、十分な剛性を有する材料から構成される。例えば、押えリング２７はチタンから構成される。スペーサー３２は、押えリング２７がスムーズに回転できるように、摩擦係数の低い材料、例えばＰＴＦＥで構成されている。 A stepped portion is provided on the outer peripheral portion of the seal holder 26, and a pressing ring 27 is rotatably mounted on the stepped portion via a spacer 32. The pressing ring 27 is mounted so as not to escape from the outer peripheral portion of the first fixing ring 30a. The press ring 27 is made of a material having excellent corrosion resistance to acid and alkali and having sufficient rigidity. For example, the presser ring 27 is made of titanium. The spacer 32 is made of a material having a low coefficient of friction, such as PTFE, so that the press ring 27 can rotate smoothly.
押えリング２７の外側には、複数のクランパ３３が押えリング２７の円周方向に沿って等間隔で配置されている。これらクランパ３３は第１保持部材２２に固定されている。各クランパ３３は、内方に突出する突出部を有する逆Ｌ字状の形状を有している。押えリング２７の外周面には、外方に突出する複数の突起部２７ｂが設けられている。これら突起部２７ｂは、クランパ３３の位置に対応する位置に配置されている。クランパ３３の内方突出部の下面および押えリング２７の突起部２７ｂの上面は、押えリング２７の回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜する傾斜面となっている。押えリング２７の円周方向に沿った複数箇所（例えば３箇所）には、上方に突出する凸部２７ａが設けられている。これにより、回転ピン（図示せず）を回転させて凸部２７ａを横から押し回すことにより、押えリング２７を回転させることができる。 A plurality of clampers 33 are arranged at equal intervals along the circumferential direction of the pressing ring 27 outside the pressing ring 27. The clampers 33 are fixed to the first holding member 22. Each clamper 33 has an inverted L-like shape having an inwardly projecting projection. The outer peripheral surface of the pressing ring 27 is provided with a plurality of protruding portions 27 b protruding outward. The protrusions 27 b are disposed at positions corresponding to the positions of the clampers 33. The lower surface of the inward protrusion of the clamper 33 and the upper surface of the projection 27 b of the pressing ring 27 are inclined surfaces which are inclined in opposite directions along the rotation direction of the pressing ring 27. At a plurality of locations (for example, three locations) along the circumferential direction of the pressing ring 27, convex portions 27a projecting upward are provided. Thereby, the pressing ring 27 can be rotated by rotating the rotation pin (not shown) and pushing the convex portion 27a from the side.
第２保持部材２４を開いた状態で、第１保持部材２２の中央部に基板Ｗが挿入され、ヒンジ２３を介して第２保持部材２４が閉じられる。この状態で押えリング２７を回転させることにより、押えリング２７の突起部２７ｂがクランパ３３の内方突出部の内部に滑り込む。これにより、押えリング２７とクランパ３３にそれぞれ設けた上記傾斜面を介して、第１保持部材２２と第２保持部材２４とが互いに締付けられて第２保持部材２４がロックされる。また、押えリング２７を反時計回りに回転させて押えリング２７の突起部２７ｂをクランパ３３から外すことで、第２保持部材２４のロックが解かれるようになっている。 With the second holding member 24 opened, the substrate W is inserted into the central portion of the first holding member 22, and the second holding member 24 is closed via the hinge 23. By rotating the press ring 27 in this state, the projection 27 b of the press ring 27 slides into the inside of the inward projection of the clamper 33. As a result, the first holding member 22 and the second holding member 24 are tightened to each other through the inclined surfaces respectively provided on the pressing ring 27 and the clamper 33, and the second holding member 24 is locked. The lock of the second holding member 24 is released by rotating the press ring 27 counterclockwise and removing the projection 27 b of the press ring 27 from the clamper 33.
第２保持部材２４をロックした時、基板側シール部材２８の下方突出部は基板Ｗの表面外周部に圧接される。シール部材２８は均一に基板Ｗに押圧され、これによって基板Ｗの表面外周部と第２保持部材２４との隙間をシールする。同じように、第２保持部材２４をロックした時、ホルダ側シール部材２９の下方突出部は第１保持部材２２の表面に圧接される。シール部材２９は均一に第１保持部材２２に押圧され、これによって第１保持部材２２と第２保持部材２４との間の隙間をシールする。 When the second holding member 24 is locked, the lower projecting portion of the substrate-side seal member 28 is in pressure contact with the outer surface of the substrate W. The sealing member 28 is uniformly pressed against the substrate W, thereby sealing the gap between the surface outer periphery of the substrate W and the second holding member 24. Similarly, when the second holding member 24 is locked, the downward protrusion of the holder side sealing member 29 is in pressure contact with the surface of the first holding member 22. The sealing member 29 is uniformly pressed against the first holding member 22, thereby sealing the gap between the first holding member 22 and the second holding member 24.
実施形態のめっき装置は、シール部材２８、２９、第１保持部材２２、および、第２保持部材２４によってシールされる領域（シール領域）に不活性ガスを導入する不活性ガス供給部６６（図４参照）を備えている。不活性ガスは、例えばＮ２ガスである。本実施形態では、不活性ガス供給部６６は、第２保持部材２４を第１保持部材２２へロックするときに不活性ガスを供給して、シール領域を不活性ガスで満たす。しかしながら、不活性ガス供給部６６は、第１保持部材２２と第２保持部材２４とがロックされた後に、シール領域に不活性ガスを供給するものとしてもよい。 The plating apparatus according to the embodiment includes an inert gas supply unit 66 (see FIG. 1) for introducing an inert gas into the area (sealed area) sealed by the sealing members 28 and 29, the first holding member 22 and the second holding member 4)). The inert gas is, for example, N 2 gas. In the present embodiment, when the second holding member 24 is locked to the first holding member 22, the inert gas supply unit 66 supplies the inert gas to fill the seal region with the inert gas. However, the inert gas supply unit 66 may supply the inert gas to the seal area after the first holding member 22 and the second holding member 24 are locked.
図３に示すように、第１保持部材２２の表面には、基板Ｗの大きさにほぼ等しいリング状の突条部３８が形成されている。この突条部３８は、基板Ｗの周縁部に当接して該基板Ｗを支持する環状の支持面３９を有している。この突条部３８の円周方向に沿った所定位置に凹部４０が設けられている。 As shown in FIG. 3, on the surface of the first holding member 22, a ring-shaped ridge portion 38 substantially equal to the size of the substrate W is formed. The protruding portion 38 has an annular support surface 39 that abuts on the peripheral portion of the substrate W to support the substrate W. A recess 40 is provided at a predetermined position along the circumferential direction of the protruding portion 38.
基板ホルダ８は、基板Ｗの周縁部に接触し、基板Ｗに電流を流す複数の内部接点４５（
図５参照）をさらに備えている。各内部接点４５は、導電部材４１と、導電部材４１および基板Ｗの周縁部に接触する接触部材４３とを備えている。図３に示すように、複数（図示では１２個）の導電部材４１は凹部４０内に配置されている。
The substrate holder 8 is in contact with the peripheral portion of the substrate W, and a plurality of internal contacts 45 (for supplying current to the substrate W)
See FIG. 5). Each internal contact 45 includes a conductive member 41 and a contact member 43 that contacts the conductive member 41 and the peripheral portion of the substrate W. As shown in FIG. 3, a plurality of (12 in the drawing) conductive members 41 are disposed in the recess 40.
導電部材４１は第１保持部材２２に取り付けられ、接触部材４３は第２保持部材２４に取り付けられている。したがって、第２保持部材２４が開いているとき、接触部材４３は導電部材４１から離間している。第１保持部材２２の支持面３９上に基板Ｗを載置した状態で第２保持部材２４を閉じると、図５に示すように、接触部材４３が導電部材４１の端部に弾性的に接触するようになっている。接触部材４３は導電部材４１と同じ数だけ（本実施形態では１２個）設けられている。つまり、本実施形態では１２個の内部接点４５が設けられている。 The conductive member 41 is attached to the first holding member 22, and the contact member 43 is attached to the second holding member 24. Therefore, when the second holding member 24 is open, the contact member 43 is separated from the conductive member 41. When the second holding member 24 is closed with the substrate W placed on the support surface 39 of the first holding member 22, the contact member 43 elastically contacts the end of the conductive member 41 as shown in FIG. 5. It is supposed to The contact members 43 are provided in the same number as the conductive members 41 (12 in this embodiment). That is, in the present embodiment, twelve internal contacts 45 are provided.
導電部材４１に電気的に接続される接触部材４３は、ねじ等の締結具４４を介して第２保持部材２４のシールホルダ２６に固着されている（図５参照）。この接触部材４３は、板ばね形状に形成されている。接触部材４３は、基板側シール部材２８の外方に位置した、内方に板ばね状に突出する接点部を有している。接触部材４３はこの接点部において、その弾性力によるばね性を有して容易に屈曲するようになっている。第１保持部材２２と第２保持部材２４で基板Ｗを挟んだ時に、接触部材４３の接点部が、第１保持部材２２の支持面３９上に支持された基板Ｗの周縁部に弾性的に接触し、接触部材４３の下部が導電部材４１に接触する。 The contact member 43 electrically connected to the conductive member 41 is fixed to the seal holder 26 of the second holding member 24 via a fastener 44 such as a screw (see FIG. 5). The contact member 43 is formed in a leaf spring shape. The contact member 43 has a contact portion which is positioned outward of the substrate-side seal member 28 and which protrudes inwardly in the form of a leaf spring. The contact member 43 is adapted to be easily bent at the contact point portion with elasticity due to its elastic force. When the substrate W is sandwiched between the first holding member 22 and the second holding member 24, the contact portion of the contact member 43 is resiliently attached to the peripheral portion of the substrate W supported on the support surface 39 of the first holding member 22. The lower portion of the contact member 43 contacts the conductive member 41.
第２保持部材２４の開閉は、図示しないエアシリンダと第２保持部材２４の自重によって行われる。つまり、第１保持部材２２には通孔２２ａが設けられ、エアシリンダ（図示せず）のピストンロッドにより、通孔２２ａを通じて第２保持部材２４のシールホルダ２６を上方に押し上げることで第２保持部材２４を開き、ピストンロッドを収縮させることで、第２保持部材２４をその自重で閉じるようになっている。 Opening and closing of the second holding member 24 is performed by an unshown air cylinder and the weight of the second holding member 24. That is, the first holding member 22 is provided with the through hole 22a, and the piston holder of the second holding member 24 is pushed upward through the through hole 22a by the piston rod of the air cylinder (not shown). By opening the member 24 and contracting the piston rod, the second holding member 24 is closed by its own weight.
図３に示すように、第１保持部材２２の端部には一対のホルダハンガ３４が設けられている。２つのホルダハンガ３４のうちの一方には複数の外部接点４２が設けられている。図６に示すように、基板ホルダ８には、接触面４２ａをそれぞれに有する合計１２個の外部接点４２が設けられている。外部接点４２は、電源１８に接続された給電端子に接触する。なお、外部接点４２は、弾性力によるばね性を有して給電端子と接触するときに屈曲するようになっていてもよい。この場合には、基板ホルダ８は、屈曲した複数の外部接点４２を互いに電気的に接続する導体ブロックを備えていてもよい。 As shown in FIG. 3, a pair of holder hangers 34 is provided at an end of the first holding member 22. A plurality of external contacts 42 are provided on one of the two holder hangers 34. As shown in FIG. 6, the substrate holder 8 is provided with a total of twelve external contacts 42 each having a contact surface 42a. The external contact 42 contacts a power supply terminal connected to the power supply 18. The external contact 42 may have a spring property by elastic force and may be bent when coming into contact with the feed terminal. In this case, the substrate holder 8 may include a conductor block that electrically connects the bent plurality of external contacts 42 to each other.
１２個の外部接点４２は１２本の配線５５を介して１２個の導電部材４１にそれぞれ接続されている。配線５５は基板ホルダ８の内部に配置されている。なお、図３では、１２個の外部接点４２と１２個の導電部材４１とを接続する配線５５はそれぞれ異なる長さを有しているが、実際には、これら配線５５は等しい長さを有している。１２本の配線５５のそれぞれは、金、銀、銅などの電気抵抗の低い材料から構成されている。 The twelve external contacts 42 are respectively connected to the twelve conductive members 41 via the twelve wires 55. The wiring 55 is disposed inside the substrate holder 8. In FIG. 3, the wires 55 connecting the 12 external contacts 42 and the 12 conductive members 41 have different lengths, but in actuality, the wires 55 have the same length. doing. Each of the twelve wires 55 is made of a material with low electrical resistance such as gold, silver, copper or the like.
また、これら１２本の配線５５のそれぞれには、配線５５よりも電気抵抗が大きい抵抗器４８が組み込まれている。換言すると、外部接点４２と内部接点４５とのそれぞれを接続する電気ラインには、単位長さ辺りの抵抗値が第１の値である配線５５と、単位長さ辺りの抵抗値が第１の値よりも大きい第２の値である抵抗器４８と、が含まれている。電源１８から基板Ｗまでの電気ラインには、給電端子と外部接点４２との接触抵抗、および、内部接点４５と基板Ｗとの接触抵抗が含まれる。また、外部接点４２と内部接点４５との間には、接触部材４３と導電部材４１との接触抵抗も含まれる。抵抗器４８は、これら接触抵抗のばらつきによる影響が小さくなるように配線５５に組み込まれている。 In addition, a resistor 48 having a larger electric resistance than the wiring 55 is incorporated in each of the twelve wirings 55. In other words, in the electric line connecting each of the external contact 42 and the internal contact 45, the wiring 55 whose resistance value per unit length is a first value and the resistance value per unit length is a first resistance. A second value greater than the value, resistor 48, is included. The electrical line from the power supply 18 to the substrate W includes the contact resistance between the power supply terminal and the external contact 42 and the contact resistance between the internal contact 45 and the substrate W. The contact resistance between the contact member 43 and the conductive member 41 is also included between the external contact 42 and the internal contact 45. The resistor 48 is incorporated in the wiring 55 so as to reduce the influence of variations in the contact resistance.
抵抗器４８は、配線５５における外部接点４２側の端部に組み込まれてもよく、この場合には外部接点４２と一体に形成されてもよい。ただし、こうした例に限定されず、抵抗器４８は外部接点４２から導電部材４１までの配線５５の任意の場所に組み込まれればよい。 The resistor 48 may be incorporated at the end of the wiring 55 on the external contact 42 side, and in this case, may be integrally formed with the external contact 42. However, the present invention is not limited to such an example, and the resistor 48 may be incorporated in any place of the wiring 55 from the external contact 42 to the conductive member 41.
抵抗器４８の電気抵抗は、例えば配線５５の電気抵抗の２倍、３倍、または、５倍以上とすることが好ましく、内部接点４５、配線５５、および、外部接点４２の電気抵抗の和より大きくすることが好ましい。また、めっき装置を使用する際に基板ホルダ８が損傷しないように、めっき中に抵抗器４８の温度が所定温度（例えば７０℃程度）未満を維持するように抵抗器４８が選択されるとよい。 The electric resistance of the resistor 48 is preferably, for example, twice, three times, or five times or more the electric resistance of the wiring 55, and the sum of the electric resistances of the internal contact 45, the wiring 55, and the external contact 42 It is preferable to make it large. In addition, the resistor 48 may be selected so that the temperature of the resistor 48 is maintained below a predetermined temperature (eg, about 70 ° C.) during plating so that the substrate holder 8 is not damaged when using the plating apparatus. .
一例として、抵抗器４８としては、公知のチップ抵抗器を用いることができる。図７は、抵抗器４８としてチップ抵抗器を用いた場合の基板ホルダ８の電気回路の一例を模式的に示す図である。チップ抵抗器を用いることにより、小型で高抵抗の抵抗器４８を実現することができる。また、チップ抵抗器を用いる場合、抵抗器４８は外部接点４２の接触面４２ａと一体に形成されるとよい。 As an example, as the resistor 48, a known chip resistor can be used. FIG. 7 is a view schematically showing an example of the electric circuit of the substrate holder 8 when a chip resistor is used as the resistor 48. As shown in FIG. By using a chip resistor, a small, high resistance resistor 48 can be realized. When a chip resistor is used, the resistor 48 may be integrally formed with the contact surface 42 a of the external contact 42.
別の例として、抵抗器４８としては、配線５５の素材よりも電気抵抗が大きい素材で構成される高抵抗電線を用いてもよい。図８は、抵抗器４８として高抵抗電線を用いた場合の基板ホルダ８の電気回路の一例を模式的に示す図である。高抵抗電線としては、例えば耐熱ビニル電線（ＰＶＣ線）を用いることができる。抵抗器４８としては、所望の電気抵抗が得られるように高抵抗電線の径および長さが決定されればよく、例えば直径１ｍｍ程度のＰＶＣ線を数ｃｍ〜十数ｃｍの長さが配線５５に組み込まれるものとすればよい。 As another example, as the resistor 48, a high resistance wire made of a material having a larger electric resistance than the material of the wiring 55 may be used. FIG. 8 is a view schematically showing an example of an electric circuit of the substrate holder 8 when a high resistance wire is used as the resistor 48. As shown in FIG. As the high resistance wire, for example, a heat resistant vinyl wire (PVC wire) can be used. As the resistor 48, the diameter and length of the high resistance wire may be determined so as to obtain a desired electrical resistance. For example, a length of several centimeters to several tens of centimeters of a PVC wire having a diameter of about 1 mm It should be incorporated into the
さらに別の例として、抵抗器４８としては、配線５５の素材よりも電気抵抗が大きい素材で構成される高抵抗体を用いてもよい。図９は、抵抗器４８として高抵抗体を用いた場合の基板ホルダ８の電気回路の一例を模式的に示す図である。高抵抗体としては、例えばエバノームＲ（登録商標）、銅ニッケル合金、ゼラニン（登録商標）などの素材を用いることができる。抵抗器４８として高抵抗電線または高抵抗体が用いられる場合、高抵抗電線または高抵抗体は絶縁体材料によって被覆されることが好ましい。 As still another example, as the resistor 48, a high resistor made of a material having a larger electric resistance than the material of the wiring 55 may be used. FIG. 9 is a view schematically showing an example of an electric circuit of the substrate holder 8 in the case where a high resistance is used as the resistor 48. As shown in FIG. As the high resistance material, for example, materials such as Evanome R (registered trademark), copper-nickel alloy, Geranin (registered trademark) and the like can be used. When a high resistance wire or high resistance is used as the resistor 48, the high resistance wire or high resistance is preferably covered by an insulator material.
実施形態の基板ホルダ８は、複数の外部接点４２のそれぞれが給電端子５１に接触する接触面４２ａを有するので、基板Ｗのめっき前にそれぞれの外部接点４２間の電気抵抗を測定して基板ホルダ８と基板との接触不良等を発見することができる。ここで、複数の外部接点４２間の電気抵抗の測定は、基板Ｗを基板ホルダ８に搭載する基板搭載部（図示しない）において行われる。具体的には、まず、図示しない基板搬送機構によって基板ホルダ８を基板搭載部に搬送する。続いて、基板ホルダ８を開き、基板Ｗを基板ホルダ８に挿入する。次に、基板ホルダ８を閉じ、基板ホルダ８をロックする。その後、図示しない抵抗測定器により、それぞれの外部接点４２間の電気抵抗が測定される。この測定によって電気抵抗の値に異常が発見された場合は、導電層および／または内部接点４５に欠陥が生じていると判断されるため、基板Ｗおよび／または基板ホルダ８が交換される。 The substrate holder 8 according to the embodiment has the contact surface 42a in which each of the plurality of external contacts 42 contacts the feed terminal 51. Therefore, the substrate holder 8 measures the electrical resistance between the respective external contacts 42 before plating the substrate W It is possible to detect a contact failure or the like between 8 and the substrate. Here, the measurement of the electrical resistance between the plurality of external contacts 42 is performed at a substrate mounting portion (not shown) for mounting the substrate W on the substrate holder 8. Specifically, first, the substrate holder 8 is transported to the substrate mounting portion by a substrate transport mechanism (not shown). Subsequently, the substrate holder 8 is opened, and the substrate W is inserted into the substrate holder 8. Next, the substrate holder 8 is closed and the substrate holder 8 is locked. Thereafter, the electrical resistance between the respective external contacts 42 is measured by a resistance measuring device (not shown). If an abnormality is found in the value of the electrical resistance as a result of this measurement, it is determined that the conductive layer and / or the internal contact 45 have a defect, so the substrate W and / or the substrate holder 8 are replaced.
また、実施形態の基板ホルダ８は、内部接点４５と外部接点４２を接続する配線５５に抵抗器４８が組み込まれている。電気抵抗が大きい抵抗器４８が電源から基板Ｗまでの電気ラインに含まれることにより、基板Ｗと複数の内部接点４５との接触抵抗のばらつきの影響を小さくして基板Ｗに電流を流すことができる。したがって、例えばめっき中に基板Ｗと一部の内部接点４５との接触抵抗が変化したような場合であっても、基板Ｗの表面に形成される金属膜の膜厚の均一性を確保することができる。 Further, in the substrate holder 8 of the embodiment, the resistor 48 is incorporated in the wiring 55 connecting the internal contact 45 and the external contact 42. By causing the resistor 48 having a large electric resistance to be included in the electrical line from the power supply to the substrate W, the influence of variations in contact resistance between the substrate W and the plurality of internal contacts 45 can be reduced to flow current to the substrate W it can. Therefore, for example, even when the contact resistance between the substrate W and a part of the internal contacts 45 changes during plating, the uniformity of the film thickness of the metal film formed on the surface of the substrate W is secured. Can.
さらに、実施形態のめっき装置は、シール部材２８、２９、第１保持部材２２、および
、第２保持部材２４によってシールされる領域（シール領域）に不活性ガスを導入する不活性ガス供給部６６を備えている。このため、シール領域に液漏れが生じた場合に、シール領域内部、特に導電部材４１と接触部材４３との接触点の温度上昇や発火が生じることを抑制できる。
Furthermore, in the plating apparatus of the embodiment, an inert gas supply unit 66 for introducing an inert gas into the area (sealed area) sealed by the sealing members 28 and 29, the first holding member 22 and the second holding member 24. Is equipped. For this reason, when a liquid leak arises in a seal | sticker area | region, it can suppress that the temperature rise and ignition of a contact point inside the seal | sticker area | region especially the contact point of the electrically conductive member 41 and the contact member 43 occur.
再び図１を参照する。実施形態のめっき装置は、基板ホルダ８の温度を観測するための温度モニタ６４と、温度モニタ６４によって観測された温度に基づいてめっき装置の異常または基板Ｗの膜厚異常を検出する制御装置６０と、を更に備えている。温度モニタ６４は、内部接点４５（導電部材４１と接触部材４３との接触箇所）、配線５５、抵抗器４８、または、外部接点４２といった電気ラインに直接に取り付けられてもよいし、第１保持部材２２または第２保持部材２４の表面などに取り付けられてもよい。 Refer back to FIG. The plating apparatus according to the embodiment includes a temperature monitor 64 for monitoring the temperature of the substrate holder 8 and a control device 60 for detecting an abnormality in the plating apparatus or a film thickness abnormality in the substrate W based on the temperature observed by the temperature monitor 64. And are further provided. The temperature monitor 64 may be directly attached to an electrical line such as the internal contact 45 (the contact point between the conductive member 41 and the contact member 43), the wire 55, the resistor 48 or the external contact 42, or the first holding It may be attached to the surface of the member 22 or the second holding member 24.
一例として、温度モニタ６４は、所定温度以上に至ったときに不可逆的に変色または変形などの変化をする物体（温度変化部）を基板ホルダ８に設けることにより実現することができる。温度変化部としては、公知のサーモテープを採用することができる。また、所定温度は、めっき装置の使用の際の基板ホルダ８の上限温度に基づいて決定されればよく、例えば、６０度または７０度などとすればよい。温度モニタ６４として温度変化部が採用される場合、制御装置６０は、温度変化部の色を検知するための色認識部を備えているとよい。色認識部としては、一例としてＣＣＤカメラを採用することができる。制御装置６０は、温度変化部（温度モニタ６４）が不可逆的に変化したことを検知したときには、報知部６２による報知を行うとよい。報知部６２としては、ブザー、表示モニタ、またはランプなどを採用することができる。また、報知部６２は、温度モニタ６４が観測した基板ホルダ８の温度について有線または無線により外部装置へ送信してもよい。このように温度モニタ６４が設けられることにより、制御装置６０は、温度モニタ６４によって観測された温度に基づいてめっき装置の異常または基板Ｗの膜厚異常を検出し、ユーザに異常を報知できる。ただし、温度モニタ６４として、温度変化部が採用される場合、制御装置６０に代えて、ユーザが温度変化部を目視することによって基板ホルダ８の温度上昇が検出されてもよい。温度変化部は所定温度以上に至ったときに不可逆に変化するため、めっきの終了後であっても基板ホルダ８の異常を検出することができる。 As an example, the temperature monitor 64 can be realized by providing the substrate holder 8 with an object (temperature change portion) which irreversibly changes color or deformation when reaching a predetermined temperature or more. A well-known thermo tape can be employ | adopted as a temperature change part. Further, the predetermined temperature may be determined based on the upper limit temperature of the substrate holder 8 when using the plating apparatus, and may be 60 degrees or 70 degrees, for example. When a temperature change unit is employed as the temperature monitor 64, the control device 60 may include a color recognition unit for detecting the color of the temperature change unit. As a color recognition unit, a CCD camera can be adopted as an example. When the control device 60 detects that the temperature change unit (the temperature monitor 64) has changed irreversibly, the control device 60 may perform notification by the notification unit 62. As the notification unit 62, a buzzer, a display monitor, a lamp or the like can be adopted. In addition, the notification unit 62 may transmit the temperature of the substrate holder 8 observed by the temperature monitor 64 to an external device by wire or wirelessly. By providing the temperature monitor 64 as described above, the control device 60 can detect abnormality of the plating apparatus or film thickness abnormality of the substrate W based on the temperature observed by the temperature monitor 64, and can notify the user of the abnormality. However, when a temperature change unit is employed as the temperature monitor 64, the temperature rise of the substrate holder 8 may be detected by the user visually observing the temperature change unit instead of the control device 60. Since the temperature change portion changes irreversibly when reaching a predetermined temperature or more, it is possible to detect an abnormality of the substrate holder 8 even after the end of plating.
別の例として、温度モニタ６４は、基板ホルダ８の温度を測定する温度センサを基板ホルダ８に設けることにより実現することができる。温度センサとしては、公知の熱電素子を採用することができる。温度センサは、検出した基板ホルダ８の温度を有線または無線を通じて制御装置６０へ送信する。温度センサが有線によって制御装置６０に接続される場合、外部接点４２と同様に温度センサのための信号接点を設け、基板ホルダがめっき槽内の所定位置に配置されたときに信号接点が制御装置６０に接続されるものとしてもよい。温度モニタ６４として温度センサが採用される場合、制御装置６０は、温度センサによる検出温度が所定温度（例えば、６０度または７０度）以上に至ったときに、報知部６２による報知を行うとよい。温度モニタ６４として温度センサを採用することにより、制御装置６０は、基板ホルダ８の温度変化を細かく監視することもできる。制御装置６０は、温度センサによって測定された温度の履歴を図示しない記憶部に記憶してもよい。 As another example, the temperature monitor 64 can be realized by providing the substrate holder 8 with a temperature sensor that measures the temperature of the substrate holder 8. A well-known thermoelectric element can be employ | adopted as a temperature sensor. The temperature sensor transmits the detected temperature of the substrate holder 8 to the control device 60 by wire or wirelessly. When the temperature sensor is connected to the control device 60 by wire, the signal contact for the temperature sensor is provided similarly to the external contact 42, and the signal contact is a control device when the substrate holder is disposed at a predetermined position in the plating tank. It may be connected to 60. When a temperature sensor is employed as the temperature monitor 64, the control device 60 may perform notification by the notification unit 62 when the temperature detected by the temperature sensor reaches a predetermined temperature (for example, 60 degrees or 70 degrees) or more. . By employing a temperature sensor as the temperature monitor 64, the control device 60 can also monitor the temperature change of the substrate holder 8 in detail. The control device 60 may store the history of the temperature measured by the temperature sensor in a storage unit (not shown).
さらに別の例として、温度モニタ６４は、基板ホルダ８に非接触で基板ホルダ８の温度を測定してもよい。こうした温度モニタ６４としては、公知の赤外線放射温度計を採用することができる。温度モニタ６４による検出信号は、有線または無線を通じて制御装置６０に入力される。そして、制御装置６０は、温度センサによる検出温度が所定温度（例えば、６０度または７０度）以上に至ったときに、報知部６２による報知を行うとよい。非接触の温度モニタ６４を用いることにより、上記の温度センサを用いた場合と同様の効果を奏することができる。また、非接触の温度モニタ６４を採用することにより、基板ホルダ８毎に温度モニタ６４を組み込んだり取り付けたりしなくよい点で有利である。 As yet another example, the temperature monitor 64 may measure the temperature of the substrate holder 8 without contacting the substrate holder 8. A well-known infrared radiation thermometer can be employed as such a temperature monitor 64. A detection signal from the temperature monitor 64 is input to the control device 60 through wired or wireless. Then, the control device 60 may perform notification by the notification unit 62 when the temperature detected by the temperature sensor reaches a predetermined temperature (for example, 60 degrees or 70 degrees) or more. By using the non-contact temperature monitor 64, the same effect as in the case of using the above temperature sensor can be obtained. Further, the adoption of the non-contact temperature monitor 64 is advantageous in that it is not necessary to incorporate or attach the temperature monitor 64 to each substrate holder 8.
また、制御装置６０は、温度モニタ６４によって観測された温度に基づいて、シール部材２８、２９、第１保持部材２２、および、第２保持部材２４によってシールされる領域（シール領域）への液漏れを検出してもよい。この場合、温度モニタ６４は、シール領域の温度を観測するように構成されるとよい。図１０は、制御装置６０によって実行される液漏れ検出処理の一例を示す図である。この処理は、基板Ｗのめっき中に所定時間（例えば数ミリ秒または数秒）ごと、または、ユーザによる操作など制御装置６０に外部入力がなされたとき、に実行される。液漏れ検出処理では、制御装置６０は、まず基板ホルダの温度を観測する（Ｓ１０）。具体的には、温度モニタ６４からの観測信号を受信する。続いて、制御装置６０は、観測した温度が所定温度以上であるか判定する（Ｓ１２）。観測した温度が所定温度未満であるときには（Ｓ１２：Ｎｏ）、制御装置６０はシール領域への液漏れを検出することなく液漏れ検出処理を終了する。一方、観測した温度が所定温度以上であるときには（Ｓ１２：Ｙｅｓ）、制御装置６０は、シール領域への液漏れを検出し（Ｓ１４）、液漏れを検出したことを報知部６２で報知して（Ｓ１６）、液漏れ検出処理を終了する。シール領域内にめっき液が漏れてめっき液が導電部材４１や接触部材４３に付着すると、特に導電部材４１と接触部材４３との接触点が発熱する。このため、制御装置６０は、基板ホルダ８の温度を観測し、観測した温度が所定温度以上に至ったことに基づいて、シール領域への液漏れが生じたことを判定する。そして、報知部６２によって液漏れが生じていることが報知されるので、ユーザがシール領域への液漏れを認識することができる。 Further, the control device 60 controls the liquid to the area (sealed area) sealed by the sealing members 28 and 29, the first holding member 22 and the second holding member 24 based on the temperature observed by the temperature monitor 64. Leaks may be detected. In this case, the temperature monitor 64 may be configured to monitor the temperature of the seal area. FIG. 10 is a diagram showing an example of the liquid leakage detection process performed by the control device 60. This process is performed every predetermined time (for example, several milliseconds or several seconds) during plating of the substrate W, or when an external input is made to the control device 60 such as an operation by the user. In the liquid leakage detection process, the control device 60 first observes the temperature of the substrate holder (S10). Specifically, the observation signal from the temperature monitor 64 is received. Subsequently, the control device 60 determines whether the observed temperature is equal to or higher than a predetermined temperature (S12). When the observed temperature is less than the predetermined temperature (S12: No), the controller 60 ends the liquid leakage detection process without detecting liquid leakage to the seal area. On the other hand, when the observed temperature is equal to or higher than the predetermined temperature (S12: Yes), the control device 60 detects liquid leakage to the seal area (S14), and reports that the liquid leakage has been detected by the notification unit 62. (S16), the liquid leakage detection process is ended. When the plating solution leaks into the seal area and the plating solution adheres to the conductive member 41 and the contact member 43, the contact point between the conductive member 41 and the contact member 43 generates heat. For this reason, the control device 60 observes the temperature of the substrate holder 8 and determines that liquid leakage to the seal area has occurred based on the fact that the observed temperature has reached a predetermined temperature or more. Then, since the notification unit 62 notifies that the liquid leakage has occurred, the user can recognize the liquid leakage to the seal area.
以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above based on several examples, the above-described embodiments of the present invention are for the purpose of facilitating the understanding of the present invention, and are not intended to limit the present invention. . The present invention can be modified and improved without departing from the gist thereof, and the present invention naturally includes the equivalents thereof. In addition, any combination or omission of each component described in the claims and the specification is possible within a range in which at least a part of the above-mentioned problems can be solved, or in a range that exerts at least a part of the effect. It is.
１…槽
２…アノード
４…アノードホルダ
８…基板ホルダ
１０…貯留槽
１２…オーバーフロー槽
１４…調整板
１６…パドル
１８…電源
２０…液循環ライン
４１…導電部材
４２…外部接点
４３…接触部材
４５…内部接点
４８…抵抗器
５１…給電端子
５５…配線
６０…制御装置
６２…報知部
６４…温度モニタ
６６…不活性ガス供給部
Ｗ…基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Tank 2 ... anode 4 ... anode holder 8 ... Substrate holder 10 ... Reservoir 12 ... Overflow tank 14 ... Adjustment board 16 ... Paddle 18 ... Power supply 20 ... Liquid circulation line 41 ... Conductive member 42 ... External contact 43 ... Contact member 45 ... Internal contact 48 ... Resistor 51 ... Feeding terminal 55 ... Wiring 60 ... Control device 62 ... Notification unit 64 ... Temperature monitor 66 ... Inert gas supply unit W ... Substrate
Claims (10)
電源に接続された給電端子に接触する接触面をそれぞれ有する複数の外部接点と、
前記複数の内部接点と前記複数の外部接点とを接続する複数の配線と、
前記複数の配線のそれぞれに組み込まれて当該複数の配線よりも電気抵抗が大きい複数の抵抗器と、
を備える基板ホルダ。 A plurality of internal contacts in contact with the periphery of the substrate and causing current to flow through the substrate;
A plurality of external contacts, each having a contact surface contacting a feed terminal connected to a power supply,
A plurality of wires connecting the plurality of internal contacts and the plurality of external contacts;
A plurality of resistors incorporated in each of the plurality of wires and having a larger electrical resistance than the plurality of wires;
A substrate holder comprising:
めっき液を内部に貯留するためのめっき槽と、
前記めっき槽内に配置されたアノードと、
前記アノードと前記基板との間に電圧を印加する電源と、
前記基板ホルダの温度を当該基板ホルダに非接触で計測する温度モニタと、
を備えるめっき装置。 A substrate holder according to any one of claims 1 to 3;
A plating tank for storing the plating solution inside;
An anode disposed in the plating tank;
A power supply for applying a voltage between the anode and the substrate;
A temperature monitor that measures the temperature of the substrate holder without contacting the substrate holder;
Plating equipment.
前記めっき槽内に配置されたアノードと、
固定保持部材とシール部材を取り付けた可動保持部材との間に基板を介在させ、前記可動保持部材を前記固定保持部材に向けて押圧し前記基板の外周端部を包囲する領域を前記シール部材でシールして前記基板を着脱自在に保持するように構成された基板ホルダと、
前記アノードと前記基板との間に電圧を印加する電源と、
前記シール部材でシールされる領域に不活性ガスを導入する不活性ガス供給部と、
を備えるめっき装置。 A plating tank for storing the plating solution inside;
An anode disposed in the plating tank;
A substrate is interposed between the fixed holding member and the movable holding member attached with the seal member, and the movable holding member is pressed against the fixed holding member to form an area surrounding the outer peripheral end of the substrate with the seal member. A substrate holder configured to be sealed to releasably hold the substrate;
A power supply for applying a voltage between the anode and the substrate;
An inert gas supply unit for introducing an inert gas into the area sealed by the seal member;
Plating equipment.
前記基板ホルダの温度を観測する温度観測ステップと、
少なくとも前記温度観測ステップによって観測された前記基板ホルダの温度が所定温度以上に至ったことに基づいて前記領域への液漏れが生じたことを検出する検出ステップと、
を含む液漏れ検出方法。
A substrate is interposed between the first holding member and the second holding member to which the seal member is attached, and a region surrounding the outer peripheral end of the substrate by pressing the first holding member and the second holding member is provided. A plating apparatus comprising: a substrate holder configured to be sealed by the sealing member and detachably holding the substrate, and immersing the substrate held by the substrate holder in a plating solution to plate the substrate. A detection method for detecting a liquid leak to an area sealed by the seal member, wherein
A temperature observation step of observing the temperature of the substrate holder;
Detecting at least the occurrence of liquid leakage to the area based on the fact that the temperature of the substrate holder observed by the temperature observation step has reached a predetermined temperature or higher;
Leak detection method including:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017238634A JP2019104973A (en) | 2017-12-13 | 2017-12-13 | Substrate holder, plating apparatus and method for detecting liquid leakage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017238634A JP2019104973A (en) | 2017-12-13 | 2017-12-13 | Substrate holder, plating apparatus and method for detecting liquid leakage |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019104973A true JP2019104973A (en) | 2019-06-27 |
Family
ID=67061760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017238634A Pending JP2019104973A (en) | 2017-12-13 | 2017-12-13 | Substrate holder, plating apparatus and method for detecting liquid leakage |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019104973A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110528041A (en) * | 2019-08-13 | 2019-12-03 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | For the electroplating processing method of wafer, wafer and wiring board |
| JP7078811B1 (en) * | 2021-10-28 | 2022-05-31 | 株式会社荏原製作所 | Plating equipment |
-
2017
- 2017-12-13 JP JP2017238634A patent/JP2019104973A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110528041A (en) * | 2019-08-13 | 2019-12-03 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | For the electroplating processing method of wafer, wafer and wiring board |
| JP7078811B1 (en) * | 2021-10-28 | 2022-05-31 | 株式会社荏原製作所 | Plating equipment |
| CN115552060A (en) * | 2021-10-28 | 2022-12-30 | 株式会社荏原制作所 | Plating apparatus |
| WO2023073862A1 (en) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | 株式会社荏原製作所 | Plating apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6328582B2 (en) | Plating apparatus and method for determining electrical resistance of electrical contacts of substrate holder | |
| US11073548B2 (en) | System and method for electrical circuit monitoring | |
| JP6218682B2 (en) | Plating apparatus provided with substrate holder and plating method | |
| WO2015119029A1 (en) | Substrate holder, plating apparatus, and plating method | |
| JP2019104973A (en) | Substrate holder, plating apparatus and method for detecting liquid leakage | |
| JPH06273445A (en) | Probe device | |
| JP2017009449A (en) | Contact probe type temperature detector, evaluation device of semiconductor device and evaluation method of semiconductor device | |
| JP2021105220A (en) | Plating device, substrate holder, resistance measurement module, and method of inspecting substrate holder | |
| KR20180087152A (en) | Plating device, plating method, substrate holder, resistance measuring module, and substrate holder testing method | |
| US10830834B2 (en) | Current measuring module using inspection substrate and inspection substrate | |
| CN107329069B (en) | Apparatus for measuring a condition of an electroplating cell assembly and related method | |
| JP6382096B2 (en) | Plating method, plating apparatus, and substrate holder | |
| US9140726B2 (en) | Support body for contact terminals and probe card | |
| US9915681B2 (en) | Semiconductor test apparatus having pogo pins coated with conduction films | |
| JP2681619B2 (en) | Probe device | |
| JP4621111B2 (en) | Device test mechanism, handler, and device test method | |
| US11307223B2 (en) | Inspection device and method of controlling temperature of probe card | |
| JP7345320B2 (en) | Temperature adjustment method for inspection equipment and probe card | |
| JP6216652B2 (en) | Plating apparatus with substrate holder | |
| KR200486766Y1 (en) | Test socket | |
| TW201829996A (en) | Wireless pressure detector, wireless pressure measuring system, and pressure measuring method | |
| JP2007047103A (en) | Ic socket and inspection method of semiconductor device | |
| JP2004093276A (en) | Heat sensitive element measurement device | |
| JP2018205147A (en) | Circuit board connection fitting, sensor for measurement, and measurement device | |
| JP2016186996A (en) | Method and device for evaluating sulfur resistance of fixed resistor |