JP2019096645A - 電子装置 - Google Patents
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
Description
図1〜図19を用いて、本開示の第1実施形態について説明する。
図15を用いて、本開示の第1実施形態の第1変形例について説明する。
図16、図17を用いて、本開示の第1実施形態の第2変形例について説明する。
図18を用いて、本開示の第1実施形態の第3変形例について説明する。
図19〜図27を用いて、本開示の第2実施形態について説明する。
図24を用いて、本開示の第2実施形態の第1変形例について説明する。
図25〜図26を用いて、本開示の第2実施形態の第2変形例について説明する。
図27を用いて、本開示の第2実施形態の第3変形例について説明する。
[付記1]
表面を有する基材と、
前記基材の前記表面に形成され、第1導電部位を含む導電部分と、
前記導電部分に配置された光学素子と、
前記光学素子および前記第1導電部位にボンディングされた第1ワイヤと、
前記導電部分に形成された保護層と、を備え、
前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する第1領域と、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第1区域と、を含み、
前記第1区域は、前記基材の厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第1領域のいずれにも隣り合っており、且つ、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第1領域の間に位置する、電子装置。
[付記2]
前記保護層には、少なくとも1つの開口が形成されており、
前記少なくとも1つの開口のいずれか1つは、閉じた線となっている縁を有し、且つ、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第1区域と重なっている、付記1に記載の電子装置。
[付記3]
前記少なくとも1つの開口は、第1開口および第2開口を含み、
前記第1開口は、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位と重なっており、
前記第2開口は、前記厚さ方向視において、前記光学素子と重なっており、
前記第1開口および前記第2開口の各々の縁は、閉じた線となっている、付記2に記載の電子装置。
[付記4]
前記基材の前記表面は、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第1中間区域を含み、
前記導電部分は、前記光学素子がボンディングされた第2導電部位を含み、
前記第1中間区域は、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第2導電部位の間に位置している、付記1ないし付記3のいずれかに記載の電子装置。
[付記5]
前記導電部分は、前記保護層が形成された第1部位を有し、前記第1領域は、前記厚さ方向視において、前記第1部位および前記第1区域の間に位置している、付記1ないし付記4のいずれかに記載の電子装置。
[付記6]
前記導電部分における前記第1部位は、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位を挟んで、前記光学素子とは反対側に位置している、付記5に記載の電子装置。
[付記7]
前記第1領域は、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位を挟んで、前記光学素子とは反対側に位置している部位を有する、付記5または付記6に記載の電子装置。
[付記8]
前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する第2領域と、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第2区域と、を含み、
前記第2区域は、前記基材の厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第2領域のいずれにも隣り合っており、且つ、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第2領域の間に位置する、付記1に記載の電子装置。
[付記9]
前記第1領域は、前記第1導電部位から第1方向側に位置し、前記第2領域は、前記第1導電部位から第2方向側に位置し、
前記第1方向および前記第2方向のなす角度は、90度以上180度以下である、付記8に記載の電子装置。
[付記10]
前記第1方向および前記第2方向のなす角度は、90度であり、
前記第2領域は、前記第1領域につながっている、付記9に記載の電子装置。
[付記11]
前記第1領域は、前記第2方向に沿って延びており、前記第2領域は、前記第1方向に沿って延びている、付記9に記載の電子装置。
[付記12]
前記第1方向および前記第2方向のなす角度は、180度であり、
前記第2領域は、前記第1領域から離間している、付記11に記載の電子装置。
[付記13]
前記第1ワイヤは、前記第1導電部位にボンディングされた端部を含み、
前記第1導電部位は、前記厚さ方向視において、前記端部および前記第1領域の間に位置する縁を含み、
前記厚さ方向視における、前記第1導電部位における前記縁と、前記端部との距離は、前記厚さ方向視における、前記第1導電部位における前記縁と、前記第1領域との距離の2倍以下である、付記1に記載の電子装置。
[付記14]
前記厚さ方向視における、前記第1導電部位における前記縁と、前記端部との前記距離は、50〜100μmである、付記13に記載の電子装置。
[付記15]
前記厚さ方向視における、前記第1導電部位における前記縁と、前記第1領域との前記距離は、10〜130μmである、付記13に記載の電子装置。
[付記16]
前記基材の前記表面に形成された透光部を更に備え、
前記保護層は、前記基材の表面から起立する側面を含み、
前記側面は、前記厚さ方向に対し傾斜しており、前記透光部は、前記側面および前記表面の間に位置する部位を有する、付記1ないし付記15のいずれかに記載の電子装置。
[付記17]
前記導電部分は、第3導電部位を含み、
前記光学素子および前記第3導電部位にボンディングされた第2ワイヤを更に備える、付記1に記載の電子装置。
[付記18]
前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する追加領域を含み、
前記追加領域は、前記厚さ方向視において、前記光学素子および前記第3導電部位の間に位置している、付記17に記載の電子装置。
[付記19]
前記基材の前記表面は、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する追加区域を含み、
前記追加区域は、前記厚さ方向視において、前記光学素子および前記第1導電部位の間、あるいは、前記光学素子および前記第3導電部位の間に位置している、付記17に記載の電子装置。
11 表面
111〜114,116,11A〜11D,11F 領域
1111 部位
115 追加領域
1171,1172,1181,1182,11J,11K,11M,11N 区域
11A1 部位
11P,11Q 中間区域
13 裏面
15A 第1側面
15B 第2側面
15C 第3側面
15D 第4側面
161A,162A 縁
16A 第1凹部
16B 第2凹部
3 導電部分
31 導電部位
33 導電部位
331 縁
34 導電部位
35A 第1端縁部
35B 第2端縁部
36A 導電部
36B 導電部
37A 第1側面部
37B 第2側面部
38A 第1裏面部
38B 第2裏面部
41 光学素子
42 ワイヤ
421 端部
43 ワイヤ
5 接合層
6 保護層
61〜63,65 開口
611,621,631,651 縁
61A 側面
7 透光部
A1〜A8 電子装置
L1,L2 距離
X1,Y1 方向
Z1 厚さ方向
Claims (19)
- 表面を有する基材と、
前記基材の前記表面に形成され、第1導電部位を含む導電部分と、
前記導電部分に配置された光学素子と、
前記光学素子および前記第1導電部位にボンディングされた第1ワイヤと、
前記導電部分に形成された保護層と、を備え、
前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する第1領域と、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第1区域と、を含み、
前記第1区域は、前記基材の厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第1領域のいずれにも隣り合っており、且つ、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第1領域の間に位置する、電子装置。 - 前記保護層には、少なくとも1つの開口が形成されており、
前記少なくとも1つの開口のいずれか1つは、閉じた線となっている縁を有し、且つ、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第1区域と重なっている、請求項1に記載の電子装置。 - 前記少なくとも1つの開口は、第1開口および第2開口を含み、
前記第1開口は、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位と重なっており、
前記第2開口は、前記厚さ方向視において、前記光学素子と重なっており、
前記第1開口および前記第2開口の各々の縁は、閉じた線となっている、請求項2に記載の電子装置。 - 前記基材の前記表面は、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第1中間区域を含み、
前記導電部分は、前記光学素子がボンディングされた第2導電部位を含み、
前記第1中間区域は、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第2導電部位の間に位置している、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子装置。 - 前記導電部分は、前記保護層が形成された第1部位を有し、前記第1領域は、前記厚さ方向視において、前記第1部位および前記第1区域の間に位置している、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の電子装置。
- 前記導電部分における前記第1部位は、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位を挟んで、前記光学素子とは反対側に位置している、請求項5に記載の電子装置。
- 前記第1領域は、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位を挟んで、前記光学素子とは反対側に位置している部位を有する、請求項5または請求項6に記載の電子装置。
- 前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する第2領域と、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第2区域と、を含み、
前記第2区域は、前記基材の厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第2領域のいずれにも隣り合っており、且つ、前記厚さ方向視において、前記第1導電部位および前記第2領域の間に位置する、請求項1に記載の電子装置。 - 前記第1領域は、前記第1導電部位から第1方向側に位置し、前記第2領域は、前記第1導電部位から第2方向側に位置し、
前記第1方向および前記第2方向のなす角度は、90度以上180度以下である、請求項8に記載の電子装置。 - 前記第1方向および前記第2方向のなす角度は、90度であり、
前記第2領域は、前記第1領域につながっている、請求項9に記載の電子装置。 - 前記第1領域は、前記第2方向に沿って延びており、前記第2領域は、前記第1方向に沿って延びている、請求項9に記載の電子装置。
- 前記第1方向および前記第2方向のなす角度は、180度であり、
前記第2領域は、前記第1領域から離間している、請求項11に記載の電子装置。 - 前記第1ワイヤは、前記第1導電部位にボンディングされた端部を含み、
前記第1導電部位は、前記厚さ方向視において、前記端部および前記第1領域の間に位置する縁を含み、
前記厚さ方向視における、前記第1導電部位における前記縁と、前記端部との距離は、前記厚さ方向視における、前記第1導電部位における前記縁と、前記第1領域との距離の2倍以下である、請求項1に記載の電子装置。 - 前記厚さ方向視における、前記第1導電部位における前記縁と、前記端部との前記距離は、50〜100μmである、請求項13に記載の電子装置。
- 前記厚さ方向視における、前記第1導電部位における前記縁と、前記第1領域との前記距離は、10〜130μmである、請求項13に記載の電子装置。
- 前記基材の前記表面に形成された透光部を更に備え、
前記保護層は、前記基材の表面から起立する側面を含み、
前記側面は、前記厚さ方向に対し傾斜しており、前記透光部は、前記側面および前記表面の間に位置する部位を有する、請求項1ないし請求項15のいずれかに記載の電子装置。 - 前記導電部分は、第3導電部位を含み、
前記光学素子および前記第3導電部位にボンディングされた第2ワイヤを更に備える、請求項1に記載の電子装置。 - 前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する追加領域を含み、
前記追加領域は、前記厚さ方向視において、前記光学素子および前記第3導電部位の間に位置している、請求項17に記載の電子装置。 - 前記基材の前記表面は、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する追加区域を含み、
前記追加区域は、前記厚さ方向視において、前記光学素子および前記第1導電部位の間、あるいは、前記光学素子および前記第3導電部位の間に位置している、請求項17に記載の電子装置。
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