JP2019086698A - 表示装置 - Google Patents
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
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Abstract
Description
10 表示装置
11 表示領域
12 額縁領域
13 ゲート絶縁膜
20 表示パネル駆動部
21 ソース駆動部
22,22−1,22−2 ゲート駆動部
23 層間絶縁膜
31 第2反射膜
32 半導体膜
33 平坦化膜
41 共通電極
43 第1反射膜
45 絶縁膜
61 保護膜
100 TFT基板
130 対向基板
131 基材
133 対向電極
152 シール部
153 接続部材
160 電気泳動層
161 黒色微粒子
162 白色微粒子
163 マイクロカプセル
165 分散液
200 電源回路
220 ゲートパルス生成部
221 第1レベル変換部
222 第2レベル変換部
223 第3レベル変換部
224 第4レベル変換部
225 第5レベル変換部
300 制御回路
CS 画素容量
DTLp(pは、1からnの整数) ソースバスライン(映像信号線)
GATEq(qは、1からmの整数) ゲート駆動信号(走査信号)
GATEq(+),GATEq(−) ゲート駆動原信号
GATEq(N) 第2ゲート駆動信号(第2走査信号)
GATEq(P) 第1ゲート駆動信号(第1走査信号)
H1 第1コンタクトホール
H2 第2コンタクトホール
NTR,ntr NMOSトランジスタ
Pix 画素電極
PTR,ptr PMOSトランジスタ
PX 画素
SCLq(N) 第2ゲートバスライン(第2走査線)
SCLq(P) 第1ゲートバスライン(第1走査線)
SIGp ソース駆動信号(映像信号)
TR 画素トランジスタ
VGH 第2正極性電圧
VGI 第1正極性電圧
VGJ 第3正極性電圧
VGK 第1負極性電圧
VGL 第2負極性電圧
VGO ハイ電位(スタートパルス)
VCOM 共通電位
VP スタートパルス
Claims (11)
- 第1方向及び当該第1方向に交わる第2方向にマトリクス状に並ぶ複数の画素を構成する画素容量及び画素トランジスタ、前記第1方向に並ぶ前記各画素に電気的に接続される複数の走査線、及び前記第2方向に並ぶ前記各画素に電気的に接続される複数の映像信号線を備えたTFT基板と、
前記TFT基板に設けられ、前記走査線を介して前記画素トランジスタをオンオフ制御する駆動部と、
を備え、
前記画素トランジスタは、
前記映像信号線と前記画素容量との間に電気的に接続されたPMOSトランジスタと、
前記PMOSトランジスタに電気的に並列接続されたNMOSトランジスタと、
を含み、
前記走査線は、
前記NMOSトランジスタのゲートに電気的に接続される第1走査線と、
前記PMOSトランジスタのゲートに電気的に接続される第2走査線と、
を含み、
前記駆動部は、
前記PMOSトランジスタのゲートを駆動する第1走査信号を、a個のレベル変換部を経由し生成して前記第1走査線に供給すると共に、前記NMOSトランジスタのゲートを駆動する第2走査信号を、b個のレベル変換部を経由し生成して前記第2走査線に供給し、前記aと前記bとは、互いに異なる整数である
表示装置。 - 前記画素トランジスタは、
複数の前記PMOSトランジスタが前記映像信号線と前記画素容量との間に直列接続され、前記PMOSトランジスタと同数のNMOSトランジスタが前記映像信号線と前記画素容量との間に直列接続されて構成されている
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1走査信号と前記第2走査信号とは、互いに極性反転している
請求項1又は請求項2に記載の表示装置。 - 前記第1走査信号のハイ電位は、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧上限値よりも高く、
前記第2走査信号のロー電位は、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧下限値よりも低い
請求項3に記載の表示装置。 - 前記第1走査信号のロー電位は、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧上限値と電圧下限値との電位差の半値以下であり、
前記第2走査信号のハイ電位は、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧上限値と電圧下限値との電位差の半値以上である
請求項4に記載の表示装置。 - 前記第2走査信号のハイ電位は、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧上限値と電圧下限値との電位差の半値に対し、前記NMOSトランジスタのオフセット電圧分だけ高い値である
請求項5に記載の表示装置。 - 前記第1走査信号のロー電位は、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧上限値と電圧下限値との電位差の半値に対し、前記PMOSトランジスタのオフセット電圧分だけ低い値である
請求項6に記載の表示装置。 - 第1方向及び当該第1方向に交わる第2方向にマトリクス状に並ぶ複数の画素を構成する画素容量及び画素トランジスタ、前記第1方向に並ぶ前記各画素に電気的に接続される複数の走査線、及び前記第2方向に並ぶ前記各画素に電気的に接続される複数の映像信号線を備えたTFT基板と、
前記TFT基板に設けられ、前記走査線を介して前記画素トランジスタをオンオフ制御する駆動部と、
を備え、
前記画素トランジスタは、
前記映像信号線と前記画素容量との間に電気的に接続されたPMOSトランジスタと、
前記PMOSトランジスタに電気的に並列接続されたNMOSトランジスタと、
を含み、
前記走査線は、
前記NMOSトランジスタのゲートに電気的に接続される第1走査線と、
前記PMOSトランジスタのゲートに電気的に接続される第2走査線と、
を含み、
前記駆動部は、
GND電位をロー電位、所定の正極性電圧をハイ電位とする正極性パルスのハイ電位を、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧上限値よりも低く、前記正極性電圧よりも高い第1正極性電圧に変換する第1レベル変換部と、
前記第1レベル変換部の出力を、1水平期間毎にシフトして出力するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタの出力のロー電位とハイ電位とを反転させる反転バッファと、
前記反転バッファの出力のハイ電位を、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧上限値よりも高い第2正極性電圧に変換した第1走査信号を生成し、前記第1走査線に供給する第2レベル変換部と、
前記シフトレジスタの出力のロー電位を、GND電位よりも低く、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧下限値よりも高い第1負極性電圧に変換する第3レベル変換部と、
前記第3レベル変換部の出力のハイ電位を、前記第1正極性電圧よりも低い第3正極性電圧に変換する第4レベル変換部と、
前記第4レベル変換部の出力のロー電位を、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧下限値よりも低い第2負極性電圧に変換した第2走査信号を生成し、前記第2走査線に供給する第5レベル変換部と、
を備える
表示装置。 - 前記第3正極性電圧は、前記映像信号線に供給される映像信号の電圧上限値と電圧下限値との電位差の半値に対し、前記NMOSトランジスタのオフセット電圧分だけ高い値である
請求項8に記載の表示装置。 - 前記駆動部は、前記TFT基板の前記画素が設けられた表示領域の外側の額縁領域に設けられている
請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記駆動部は、複数の薄膜トランジスタで構成され、
前記TFT基板は、前記額縁領域において、平面視で前記薄膜トランジスタに重なる領域のみ遮光する反射膜が設けられている
請求項10に記載の表示装置。
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