JP2019085651A - タンタル粉末およびその製造方法 - Google Patents
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- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 34
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 32
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 23
- 238000003801 milling Methods 0.000 abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 abstract description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 VIB metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010316 high energy milling Methods 0.000 description 1
- 238000000713 high-energy ball milling Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
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Abstract
【課題】タンタル粉末の要求特性、特に比表面積や純度を増加させる手段を提供する。【解決手段】タンタル粉末および他のバルブ金属粉末の生成法が記載されている。その方法は、流体媒体中で、任意には粉砕媒体により、高エネルギー粉砕機を用いて原料粉末を高衝撃粉砕することを含む。本発明方法は、キャパシターアノードに形成されるとき、バルブ金属粉末のDC漏れを低減し、および/またはキャパシタンス能力を増加させることができる。さらに、本発明の方法は高表面積バルブ金属粉末を生成するのに必要な粉砕時間を減少させ、バルブ金属における混入物含量を減少させる。その方法は、高純度のタンタルもしくは二オブフレークのような金属フレークを生成するのに好適である。【選択図】なし
Description
本発明は、バルブ金属粉末およびそのバルブ金属粉末を用いた電解キャパシターならびにその粉末およびキャパシターの製造方法に関する。特に、本発明は高表面積バルブ金属粉末および高キャパシタンスを有するキャパシターに関する。
タンタル粉末から製造されるタンタルキャパシターは、電子回路の小型化に大きな貢献をしており、極端な環境下の回路適用を可能にしてきた。タンタルキャパシターはタンタル粉末を圧縮してペレットを形成し、炉内でペレットを焼結し、多孔質タンタル体(電極)を形成し、ついでその多孔質体を適切な電解質中で陽極化して焼結体上に連続した絶縁酸化物膜を化成することにより製造されるのが通常である。
タンタルキャパシターを製造するのに適切な粉末の開発は、高品質キャパシターの製造に最も役立ちうるタンタル粉末の要求特性を得るためにキャパシター製造者およびタンタル加工者双方の努力から生じたものである。そのような特性は比表面積、純度、収縮、加圧成形性等を含む。
第一に、粉末は多孔質体に形成され焼結されるときに、適切な電極表面積を与えなければならない。タンタルキャパシターのμFV/gはタンタル粉末ペレットを焼結することにより製造される焼結多孔質体の比表面積に関連しうる。タンタル粉末の比表面積は焼結多孔質体において達成しうる最大μFV/gに関連しうる。
さらに、粉末の純度が考慮されることも重要でありうる。金属および非金属の混入物はタンタルキャパシターにおける絶縁酸化物膜を劣化させ易い。高焼結温度は揮発性混入物を除去するのに役立つが、高温は多孔質体を収縮させ、その正味の比表面積、そして得られるキャパシターのキャパシタンスを低下させ易い。焼結条件下で、比表面積の損失、すなわち収縮、を最小化することは、高いμFV/gのタンタルキャパシターを製造するために必要である。
上述のように、タンタルペレットのμFV/gは、焼結粉末の比表面積の関数でありうる。もちろん、比較的大きな正味表面積は、ペレット当たりの粉末の量(g)を増加させることにより得られうるが、コストやサイズを考慮すると、開発はタンタル粉末の比表面積を増加させる手段に焦点を当てられざるを得ない。
タンタル粉末の比表面積を増加させるために提案された方法の一つは、粉末粒子をフレーク形状に平たくすることである。しかしながら、比較的薄いタンタルフレークを製造することによって比表面積を増加させる努力は、たとえば加工特性の付随的喪失により妨げられてきた。たとえば、非常に薄いタンタルフレークは加圧成形性に乏しく、化成電圧が低いと予測される。さらに、高表面積粉末を製造するプロセスにおいて、粉砕は多くの時間を要することがあり得、時間がかかり高価であり、そして長い粉砕時間は粉末が破壊する時点に達するのが通常である。このように、本発明に至るまで、高キャパシタンス粉末を妨げるしきいがあった。
したがって、本発明の1つの特徴は、フレーク状、こぶのあるおよび角張った形状を有する湿式粉砕されたタンタル粉末を提供することである。
本発明のもう1つの特徴は、タンタル粉末およびその他のバルブ金属を提供することであり、好適には高表面積、ならびにタンタル粉末を比較的高いキャパシタンスを有するキャパシターに形成しうる、他の特性、を有するものである。
本発明のさらなる特徴は、キャパシターに形成されたときに、比較的低いDC漏れを有するタンタル粉末および他のバルブ金属を提供することである。
本発明のさらなる特徴および利点は、部分的には以下の説明において述べられるが、部分的にはその記述から明らかであり、または本発明の実施により学びうる。本発明の目的および他の利点は、詳細な説明および請求項で特に記載される要素および組み合わせにより認識し、得られるであろう。
これらおよび他の利点を達成するために、そして本発明の目的にしたがって、ここに具体化され、広範に記載されているように、本発明は、少なくとも1.5m2/gのBET表面積を有し、そして電解キャパシターアノードに形成される場合に、20VのVf(化成電圧)で化成され、かつ1400℃の温度で10分間焼結されるとき、該アノードは好ましくは少なくとも約190,000CV/gのキャパシタンスを有する、タンタル粉末に関する。
さらに、本発明は少なくとも約1.5m2/gのBET表面積を有するタンタル粉末の製造方法に関し、その方法は原料粉末を流体中で、任意には粉砕媒体により、高エネルギー粉砕機を用いて粉砕することを含む。さらに、その方法はタンタル粉末からその流体を除去することを含むのが好適である。
前述の一般的な説明および以下の詳細な説明の双方は典型的、説明的なものにすぎず、請求項に記載されるような本発明をさらに説明しようとするものであることが理解されるべきである。
添付の図面は、本出願に組み入れられ、その一部を構成し、本発明のいくつかの態様を示すものであり、詳細な説明とともに本発明の原理を説明する役割を担うものである。
添付の図面は、本出願に組み入れられ、その一部を構成し、本発明のいくつかの態様を示すものであり、詳細な説明とともに本発明の原理を説明する役割を担うものである。
本発明は、部分的には、高いキャパシタンスおよび/または低いDC漏れを有するのが好的なタンタル粉末および他のバルブ金属を製造する方法に関する。
本発明の目的で、バルブ金属はタンタル、二オブおよびそれらの合金を含むのが通常であり、さらにIVB,VBおよびVIB族の金属、ならびにアルミニウムおよび銅およびそれらの合金を含みうる。バルブ金属はたとえばDiggleによる「Oxides and Oxide Films」Vol.1,pp.94−95,1972(Marcel Dekker, Inc., New York)に記載されており、引用によりすべてここに組み入れられる。バルブ金属は鉱石から抽出されるのが通常であり、たとえば米国特許第6,348,113号明細書に記載されるように、一次金属加工者により、化学還元を含むプロセスで粉末に形成される。一次金属加工者により通常実施される、さらなる金属精錬法は、金属粉末を熱凝集させること、ゲッター材料の存在下に凝集金属粉末を脱酸素すること、そしてたとえば米国特許第6,312,642号明細書に記載されるように、酸浸出溶液中で脱酸素金属粉末を浸出することを含む。
フレークを含むタンタル粉末の例は、米国特許第6,348,113; 5,580,367; 5,580,516; 5,448,447; 5,261,942; 5,242,481; 5,211,741; 4,940,490および4,441,927号明細書に記載されており、これらは引用によりここにすべて組み込まれる。二オブ粉末の例は、米国特許第6,420,043; 6,402,066; 6,375,704および6,165,623号明細書に記載されており、これらは引用によりここにすべて組み込まれる。他の金属フレーク、金属フレークの製造法および金属フレークの用途は次の米国特許に記載されており、それぞれは引用によりここにすべて組み込まれる:米国特許第4,684,399; 5,261,942; 5,211,741; 4,940,490; 5,448,447; 5,580,516; 5,580,367; 3,779,717; 4,441,927; 4,555,268; 5,217,526; 5,306,462; 5,242,481および5,245,514号明細書。
タンタル粉末は好適には少なくとも1.5m2/g、もっと好適には少なくとも1.7m2/g、そしてさらに好適には少なくとも約5m2/g、さらにもっと好適には約5〜約8m2/g、そして最も好適には少なくとも7.5m2/gのBET表面積を有する。BETの範囲は凝集前タンタル粉末に基づくのが好ましい。タンタル粉末は水素化されてもされなくてもよい。さらに、タンタル粉末は凝集されてもされなくてもよい。
さらに本発明は、部分的には、バルブ金属フレークならびにバルブ金属フレークを製造するための湿式粉砕もしくは湿式磨砕方法に関する。特に、本発明はタンタルフレークおよび二オブフレークに関する。本発明はバルブ金属フレーク、たとえばタンタルフレークを製造するために湿式粉砕に有用である。さらに、フレーク形状にされたタンタル粉末は約1〜約50のアスペクト比(厚さに対する直径の比)を有しうる。フレーク形状にされたタンタル粉末はその形態により向上した表面積を可能にする。
通常、タンタル粉末は流体媒体および任意には粉砕媒体中に分散された原料粉末を、高エネルギー粉砕機を用いて高衝撃粉砕することにより調製されうる。粉砕後に、流体媒体はタンタル粉末から除去されうる。原料粉末はたとえばインゴット由来および/またはナトリウム還元粉末であり得、たとえば米国特許第6,348,113号明細書に記載されている。流体媒体は気体および/または液体でありうる。流体媒体(水性もしくは非水性)はたとえば界面活性剤であり得、そして流体はステアリン酸等の潤滑剤を含みうる。粉砕媒体は、たとえばステンレス鋼ボールでありうる。高エネルギー粉砕機は、たとえば遊星形ボールミル粉砕機であり得る。タンタル粉末からの流体媒体の除去は、たとえば蒸発によることができる。
さらに詳しくは、種々のBET表面積が原料粉末を高エネルギー粉砕もしくは高衝撃粉砕することにより達成されうる。原料粉末はたとえばインゴット由来および/または化学還元粉末であり得、好ましくはフレーク状、角張った、もしくはこぶのあるタンタル粉末、またはそれらの組み合わせである。原料粉末は流体媒体、好ましくはメタノール、中に分散され、スラリーを形成しうる。流体媒体はたとえば界面活性剤もしくは有機表面活性剤であり得、そして流体はステアリン酸等の潤滑剤を含みうる。スラリーおよび粉砕媒体、好ましくは金属製ボール、が一緒にされる。金属ボールはコーティングを含みうる。金属ボールは粉末が粉砕されるのと同一の金属で製造されうる。金属ボールは同一金属で被覆もしくはめっきされうる。好適には、粉砕媒体は3/16インチの440Cステンレス鋼ボールであるが、3/8インチのような他のボールサイズ、ならびに炭化タングステンのような他の材料も使用されうる。如何なる数のボールも使用され得、粉砕機のサイズに依存する。たとえば、約100〜約2000である。好適には、少なくとも約600以上のボールが使用される。スラリーおよび任意の粉砕媒体が、高エネルギー粉砕機、たとえば遊星形ボールミル、回転空気流ジェットミル、もしくは対向ジェット流体エネルギーミル、の粉砕チャンバーにおいて一緒にされうる。遊星形ミルが使用されるならば、粉砕媒体が好適である。対向ジェット流体エネルギーミルのような粉砕機が使用されるならば、粉砕媒体がないのが好適である。原料粉末、流体媒体、および任意には粉砕媒体が所定の割合で一緒にされる。粉砕質量に対する原料粉末の比はたとえば約1:5〜約1:50でありうる。原料粉末および粉砕媒体の合計容積に対する流体の容積の比は約0.5:1〜約3:1であり得、好ましくは約0.5:1〜約2:1、そしてもっと好ましくは約0.5:1〜約1:1である。
高エネルギー粉砕機はいかなる高エネルギー粉砕機であってもよく、たとえば遠心粉砕機、そして好ましくはたとえばGlen Mills,Inc.もしくはRetsch(たとえばPM400)から商業的に入手しうる遊星形ボールミルである。他の例は回転空気流ジェットミルのようなジェットミル、もしくは対向ジェット流体エネルギーミル(たとえばCCE Technologies, Inc.から入手しうる)のような流体エネルギーミルを含む。さらに、粉砕機の例は、米国特許第5,522,558; 5,232,169; 6,126,097および6,145,765号明細書に記載されており、これらは引用によりここにすべて組み込まれる。好適には、高エネルギー粉砕機は粉砕媒体および/または粉末に約0.3G〜約25Gの高衝撃力を与えるように十分な速度で回転される。もっと好ましくは、高エネルギー粉砕機は粉砕媒体および/または粉末に少なくとも約0.5Gの力を与える。たとえば、高エネルギー粉砕機は約100rpm〜約400rpm以上、そして好ましくは少なくとも約300rpmで回転されうる。
たとえば、粉砕は粉砕媒体を回転させるために用いられる回転軸を含む粉砕チャンバーを有する遊星形ボールミルを用いて達成されうる。その粉砕チャンバーは好ましくはタンタル製である内張りもしくはコーティングを備えるのが好適である。さらに、高エネルギー粉砕機は、G.Le Caer, S.Bein−Colin およびP.Delcroixによる「Mechanical Alloying and High−Energy Ball−Milling: Technical Simplicity and Physical Complexity for the Synthesis of New Materials」(www.ademe.fr/recherche/manifestations/materiau02/Site/file/pdf%5CCM01109.PDFでみることができる)、ならびにH.Zoz およびH.Renによる「Processing of ceramic Powder Using High Energy Milling」(www.zoz.de/de/veroeff/19.htm)に記載されており、これらの両方は引用によりここにすべて組み込まれる。粉砕ボールは回転するローターにより加速され得、14m/s以上までの相対速度で互いに衝突しうる。
高エネルギー粉砕機による粉砕は所定時間行なうことができ、好適には約30分〜約10時間のような約10時間以下、たとえば約2〜約3時間である。製造される粉末のBET表面積は粉砕時間に関連するのが通常である。
粉砕後に、流体は空気乾燥、加熱、ろ過、蒸発、もしくはそれらの組合わせのような方法により、タンタル粉末から分離もしくは除去されうる。流体は、通常凝集を生じさせるのに十分な時間加熱し、好適には表面積を減少させないで、除去される。使用されうる熱処理温度の例は、約1100で、約30分間である。しかし、加熱温度および加熱時間は高BET表面積が減少しないことを確実にするために変更されうる。BET分析は、実質的に、米国特許第6,402,066; 6,165,623; 5,011,742; 4,960,471および4,964,906号明細書に記載されるように測定され得、これらは引用によりここにすべて組み込まれる。
上述の種々のタンタル粉末は、本発明のタンタル粉末を用いるキャパシターの形成から生じる電気的特性により特徴づけられうる。通常、本発明のタンタル粉末は、タンタル粉末をプレスしてアノードとし、プレスされたタンタル粉末を適切な温度で焼結し、ついでそのアノードを陽極化して、つぎに電気的特性を試験されうる電解キャパシターアノードを製造することにより、電気的特性を試験されうる。
したがって、さらに本発明は電解キャパシターアノードに形成される場合に、アノードは少なくとも約190,000CV/g、もっと好ましくは少なくとも約200,000CV/g、のキャパシタンスを有する、タンタル粉末に関する。好適には、タンタル粉末が電解キャパシターアノードに形成される場合に、アノードは約190,000〜約285,000CV/g、もっと好適には約200,000〜約285,000CV/g、そして最も好適には約250,000〜約285,000CV/gのキャパシタンスを有する。これらのキャパシタンスは20Vの化成電圧(Vf)に基づくのが好適であり、そこでは粉末は約1400℃で10分間焼結される。タンタル粉末はアノードに形成され、キャパシタンスは実質的に次のように測定されうる。
アノードはタンタル製の焼結容器を用いて製造されうる。使用される焼結容器は径0.201インチ、長さ0.446インチであり得、一端が開放され、外側に溶接されたタンタルワイアを有しうる。焼結容器は低スコット密度タンタル粉末を自由充填され、計量され、そして焼結されうる。本発明のキャパシターアノード形成において、焼結温度は所望の特性を有するキャパシターアノードの形成を可能にするように用いられる。好適には、焼結温度は約1200〜約1750℃、もっと好適には約1200〜約1500℃、そして最も好適には約1350〜約1400℃である。ついで、焼結タンタル充填容器は約10〜約50V、そして好ましくは約20〜約35V、のVfを用いて陽極化される。陽極化され、焼結されたタンタル充填容器は、ついでキャパシタンス(μF)を試験される。空の焼結容器のキャパシタンスがタンタル充填容器のキャパシタンスから引かれ、真のキャパシタンス測定値を得る。得られた電気的分析はμFV/gで報告される。
本発明のタンタル粉末から形成されるアノードは、好ましくは約60V未満、さらに好ましくは約10〜約50V、そしてもっと好ましくは約40V、の電圧で化成される。好適には、本発明のタンタル粉末から形成されるアノードの作動電圧は、約4〜約16V、そしてもっと好ましくは約4〜約10Vである。さらに、本発明のタンタル粉末から形成されるアノードは、好適には約5.0nA/CV未満のDC 漏れを有する。本発明の一態様において、本発明のあるタンタル粉末から形成されるアノードは、約5〜約0.5nA/CV、または約2〜約0.5nA/CVのDC 漏れを有する。
高キャパシタンスタンタル粉末を用いて、比較的高い化成電圧と比較的高い作動電圧が使用され得、たとえば約50〜約80V以上の化成電圧ならびに約10〜約20V以上の作動電圧である。さらに、本発明の付加的な利点はDC漏れの向上、たとえばタンタルのBETが増加するにつれて安定なもしくは比較的低いDC漏れ、でありうる。
タンタルの他に、本発明は粉砕しうるいかなるバルブ金属、たとえば二オブを含むバルブ金属、にも適用し得る。得られる利点、たとえば比較的高いBET、バルブ金属粉末から形成されるアノードの比較的高いキャパシタンスおよび/または関連する化成電圧、作動電圧ならびに改良された、もしくは安定なDC漏れ、も本発明の一部である。
本発明の一態様によれば、製造されるタンタル粉末はキャパシターを形成するのに用いられる。キャパシターは、たとえば米国特許第6,527,937; 6,462,934; 6,420,043; 6,375,704; 6,338,816; 6,322,912; 6,616,623; 6,051,044; 5,580,367; 5,448,447; 5,412,533; 5,306,462; 5,245,514; 5,217,526; 5,211,741; 4,805,704および4,940,490号明細書に記載されるような、いかなる方法によっても形成され得、これらは引用によりここにすべて組み込まれる。本発明により製造されるタンタル粉末から製造されるキャパシターは改良された電気的漏れ特性を有すると考えられる。本発明のキャパシターは、自動車の電子機器;携帯電話;コンピューター、たとえばモニターおよびマザーボード等;コンシューマー電子機器、たとえばTVおよびCRT;プリンター/コピー機;電源;モデム;ノート型コンピューター;ならびにディスクドライブ、のような種々の用途で使用されうる。
本発明は次の例によりさらに明らかにされるが、これらは本発明の典型例を示そうとするものにすぎない。
例1
脱気したKDELタンタル出発原料粉末が遊星形ボールミル(Glen Mills, Inc.より入手)で処理された。そこでは、出発原料粉末はメタノール媒体に分散され(粉末および粉砕媒体に対する液体の比は1:1であった)、3/16インチのステンレス鋼ボール(試料3および5で、それぞれ600および1998個のボール)を用い、300rpmで8時間であった。タンタル粉末は粉砕チャンバーとローター軸の間で作り出される相対的回転運動の作用により推進されるステンレス鋼ボールの衝撃により生成された。ついで、流体が除去され、タンタル粉末は洗浄され、乾燥された。試料3および5〜製造された、いくつかの粉末は図2から10に示される。ついで、タンタル粉末はアノード容器内で密度3.5g/ccにプレスされた。プレスされたタンタル粉末は約1400℃で10分間、真空中(10−3Pa未満)で焼結され、ついで化成電圧Vf20Vで100mA/gの定電流で、0.1%リン酸に浸漬したアノードを陽極化して電解キャパシターアノードを化成し、洗浄、乾燥した。キャパシター性能が18wt%硫酸に浸漬されたアノードについて評価され、表1に示される。120ヘルツの周波数で測定されたキャパシタンスはグラムあたりのマイクロファラドボルト単位(CV/g)で示される。
脱気したKDELタンタル出発原料粉末が遊星形ボールミル(Glen Mills, Inc.より入手)で処理された。そこでは、出発原料粉末はメタノール媒体に分散され(粉末および粉砕媒体に対する液体の比は1:1であった)、3/16インチのステンレス鋼ボール(試料3および5で、それぞれ600および1998個のボール)を用い、300rpmで8時間であった。タンタル粉末は粉砕チャンバーとローター軸の間で作り出される相対的回転運動の作用により推進されるステンレス鋼ボールの衝撃により生成された。ついで、流体が除去され、タンタル粉末は洗浄され、乾燥された。試料3および5〜製造された、いくつかの粉末は図2から10に示される。ついで、タンタル粉末はアノード容器内で密度3.5g/ccにプレスされた。プレスされたタンタル粉末は約1400℃で10分間、真空中(10−3Pa未満)で焼結され、ついで化成電圧Vf20Vで100mA/gの定電流で、0.1%リン酸に浸漬したアノードを陽極化して電解キャパシターアノードを化成し、洗浄、乾燥した。キャパシター性能が18wt%硫酸に浸漬されたアノードについて評価され、表1に示される。120ヘルツの周波数で測定されたキャパシタンスはグラムあたりのマイクロファラドボルト単位(CV/g)で示される。
表1に示されるように、高表面積タンタル粉末が高エネルギーボールミルを用いる高衝撃粉砕により比較的短い粉砕時間で達成されうる。図1〜9は異なる倍率での試料3もしくは5の粉末のSEM写真である。タンタル粉末から形成されたアノードは表1に示されるように比較的高いキャパシタンスを生じさせた。表1に示されるように、粉砕媒体、すなわちステンレス鋼ボール、の割合を増加させると、粉末の表面積が増加し、それから形成されるアノードのキャパシタンスを増加させる。さらに、短縮された粉砕時間は粉砕プロセスにおける粉末の望ましくない酸化量を制限するように働く。
例2
KDELタンタル出発原料粉末(Cabot Corporation から商業的に入手しうるC275を製造するのに用いられる、ナトリウム還元Ta基本ロット粉末)が対向ジェットミル(CCE Technologies,Inc.より入手)で処理された。そこでは、出発原料粉末は2000rpmで作動する分級機に導入された。2μmより小さい粒子は上方へ移動する分級空気によりローターを通過した。オーバーサイズ粒子はローターにより拒絶され、微粉砕帯域に向かって下方に移動した。この時点で、粒子は圧縮流体の制御された膨張により高速に加速され、ついで対向流と衝突した。粒子同士の衝突後に、材料は循環を繰り返すために分級機にもどされる。製造された粉末は図10および13に示される。ついで、タンタル粉末(238mg)は密度4.5g/ccにプレスされアノードとされた。プレスされたタンタル粉末試料は1250℃で10分間、真空中(10−3Pa未満)で焼結され、ついで化成電圧Vf20V、化成温度83℃で100mA/gの定電流で、0.06%リン酸に浸漬したアノードを陽極化して電解キャパシターアノードを形成し、洗浄、乾燥した。アノード径は0.15インチであった。キャパシター性能が18wt%硫酸に浸漬されたアノードについて評価され、表2に示される。120ヘルツの周波数で測定されたキャパシタンスはグラムあたりのマイクロファラドボルト単位(CV/g)で示される。
例2
KDELタンタル出発原料粉末(Cabot Corporation から商業的に入手しうるC275を製造するのに用いられる、ナトリウム還元Ta基本ロット粉末)が対向ジェットミル(CCE Technologies,Inc.より入手)で処理された。そこでは、出発原料粉末は2000rpmで作動する分級機に導入された。2μmより小さい粒子は上方へ移動する分級空気によりローターを通過した。オーバーサイズ粒子はローターにより拒絶され、微粉砕帯域に向かって下方に移動した。この時点で、粒子は圧縮流体の制御された膨張により高速に加速され、ついで対向流と衝突した。粒子同士の衝突後に、材料は循環を繰り返すために分級機にもどされる。製造された粉末は図10および13に示される。ついで、タンタル粉末(238mg)は密度4.5g/ccにプレスされアノードとされた。プレスされたタンタル粉末試料は1250℃で10分間、真空中(10−3Pa未満)で焼結され、ついで化成電圧Vf20V、化成温度83℃で100mA/gの定電流で、0.06%リン酸に浸漬したアノードを陽極化して電解キャパシターアノードを形成し、洗浄、乾燥した。アノード径は0.15インチであった。キャパシター性能が18wt%硫酸に浸漬されたアノードについて評価され、表2に示される。120ヘルツの周波数で測定されたキャパシタンスはグラムあたりのマイクロファラドボルト単位(CV/g)で示される。
表2に示されるように、高表面積タンタル粉末が高エネルギー流体ミルを用いる高衝撃粉砕により比較的短い粉砕時間で達成されうる。図10〜13は異なる倍率での粉末のSEM写真である。タンタル粉末から形成されたアノードは表1に示されるように比較的高いキャパシタンスを生じさせた。表2に示されるように、タンタル粉末から形成されたアノードは比較的高いキャパシタンスを生じさせた。
他の本発明の態様は、本発明の明細書を考慮し、さらにはここに開示された本発明の実施から、当業者に明らかであろう。本発明の詳細な説明および例は典型的なものであるにすぎず、本発明の真の範囲および精神は請求項およびその均等物に示されるとおりである。
Claims (3)
- 少なくとも1.7m2/gのBET表面積を有し、1〜50のアスペクト比を有するタンタル粉末であって、該タンタル粉末を電解キャパシターアノードに形成する場合、1400℃で10分間焼結して20Vの形成電圧(Vf)で形成したときの電解キャパシターアノードのキャパシタンスが少なくとも190,000CV/gであり、漏れ電流が5.0nA/CV未満であることを特徴とするタンタル粉末。
- 請求項1に記載のタンタル粉末を有するキャパシターアノード。
- 少なくとも1.7m2/gのBET表面積を有し、1〜50のアスペクト比を有するタンタル粉末であって、該タンタル粉末を電解キャパシターアノードに形成する場合、約1200℃〜1750℃の温度で焼結して20Vの形成電圧(Vf)で形成したときの電解キャパシターアノードのキャパシタンスが少なくとも190,000CV/gであり、漏れ電流が5.0nA/CV未満であることを特徴とするタンタル粉末。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US47741803P | 2003-06-10 | 2003-06-10 | |
US60/477,418 | 2003-06-10 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017031489A Division JP6563968B2 (ja) | 2003-06-10 | 2017-02-22 | タンタル粉末およびこれを含むキャパシターアノード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019085651A true JP2019085651A (ja) | 2019-06-06 |
Family
ID=33551715
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006533642A Pending JP2007511667A (ja) | 2003-06-10 | 2004-06-09 | タンタル粉末およびその製造方法 |
JP2012034356A Expired - Lifetime JP5773441B2 (ja) | 2003-06-10 | 2012-02-20 | タンタル粉末およびその製造方法 |
JP2014157711A Pending JP2014222776A (ja) | 2003-06-10 | 2014-08-01 | タンタル粉末およびその製造方法 |
JP2016055884A Pending JP2016146500A (ja) | 2003-06-10 | 2016-03-18 | タンタル粉末およびその製造方法 |
JP2017031489A Expired - Lifetime JP6563968B2 (ja) | 2003-06-10 | 2017-02-22 | タンタル粉末およびこれを含むキャパシターアノード |
JP2018248509A Withdrawn JP2019085651A (ja) | 2003-06-10 | 2018-12-28 | タンタル粉末およびその製造方法 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006533642A Pending JP2007511667A (ja) | 2003-06-10 | 2004-06-09 | タンタル粉末およびその製造方法 |
JP2012034356A Expired - Lifetime JP5773441B2 (ja) | 2003-06-10 | 2012-02-20 | タンタル粉末およびその製造方法 |
JP2014157711A Pending JP2014222776A (ja) | 2003-06-10 | 2014-08-01 | タンタル粉末およびその製造方法 |
JP2016055884A Pending JP2016146500A (ja) | 2003-06-10 | 2016-03-18 | タンタル粉末およびその製造方法 |
JP2017031489A Expired - Lifetime JP6563968B2 (ja) | 2003-06-10 | 2017-02-22 | タンタル粉末およびこれを含むキャパシターアノード |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7142408B2 (ja) |
JP (6) | JP2007511667A (ja) |
CN (2) | CN101579743B (ja) |
WO (1) | WO2004110684A2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101010160A (zh) * | 2004-06-28 | 2007-08-01 | 卡伯特公司 | 高电容钽片及其制备方法 |
DE102004049040B4 (de) * | 2004-10-08 | 2008-11-27 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytkondensatoren |
DE102004049039B4 (de) * | 2004-10-08 | 2009-05-07 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung feinteiliger Ventilmetallpulver |
JP2006278851A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ素子の製造方法 |
US8241470B1 (en) * | 2006-06-28 | 2012-08-14 | Tantalum Pellet Company | Method of anodizing |
CZ306436B6 (cs) * | 2006-05-05 | 2017-01-25 | Cabot Corporation | Tantalový prášek a způsob jeho výroby a anoda elektrolytického kondenzátoru |
US7154742B1 (en) * | 2006-05-10 | 2006-12-26 | Kemet Electronics Corporation | Fluted anode with improved capacitance and capacitor comprising same |
US20080026955A1 (en) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Halliburton Energy Services, Inc. | Degradable particulates and associated methods |
GB0622463D0 (en) * | 2006-11-10 | 2006-12-20 | Avx Ltd | Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes |
US20080229880A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Reading Alloys, Inc. | Production of high-purity tantalum flake powder |
US20080233420A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Mccracken Colin G | Production of high-purity tantalum flake powder |
CN104889381A (zh) * | 2007-08-16 | 2015-09-09 | H.C.施塔克有限公司 | 由阀金属和阀金属低氧化物组成的纳米结构及其制备方法 |
WO2009052007A1 (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Hi-Temp Specialty Metals, Inc. | Method for the production of tantalum powder using reclaimed scrap as source material |
US8477479B2 (en) | 2011-01-12 | 2013-07-02 | Avx Corporation | Leadwire configuration for a planar anode of a wet electrolytic capacitor |
US8687347B2 (en) * | 2011-01-12 | 2014-04-01 | Avx Corporation | Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor |
DE102013101443A1 (de) * | 2012-03-01 | 2013-09-05 | Avx Corporation | Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor |
US9548163B2 (en) * | 2012-07-19 | 2017-01-17 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages |
CN105026078B (zh) * | 2013-03-13 | 2017-10-24 | 凯米特电子公司 | 低能量研磨以制备片状粉末 |
WO2015096048A1 (zh) | 2013-12-25 | 2015-07-02 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种改善了电性能的电容器级高比容钽粉及其制备方法 |
CN105051225A (zh) * | 2014-02-21 | 2015-11-11 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种钽粉的湿式球磨方法及由该方法制备的钽粉 |
RU2734851C2 (ru) * | 2016-07-13 | 2020-10-23 | Нинся Ориэнт Танталум Индастри Ко.,Лтд. | Хлопьевидный порошкообразный тантал и способ его получения |
BR102021017032A2 (pt) * | 2021-08-27 | 2023-03-07 | Instituto Hercílio Randon | Preparado de nanopartículas de tântalo, uso e processo para sua obtenção |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62188701A (ja) * | 1986-02-15 | 1987-08-18 | Keijiyou Kioku Gokin Gijutsu Kenkyu Kumiai | 粉末成形方法 |
US5211741A (en) * | 1987-11-30 | 1993-05-18 | Cabot Corporation | Flaked tantalum powder |
US5580367A (en) * | 1987-11-30 | 1996-12-03 | Cabot Corporation | Flaked tantalum powder and method of using same flaked tantalum powder |
EP0449890B1 (en) * | 1988-12-22 | 1996-02-21 | The University Of Western Australia | Process for the production of metals, alloys and ceramic materials |
JPH04314802A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-06 | Daido Steel Co Ltd | フレーク粉の製造方法 |
US5217526A (en) * | 1991-05-31 | 1993-06-08 | Cabot Corporation | Fibrous tantalum and capacitors made therefrom |
US5448447A (en) * | 1993-04-26 | 1995-09-05 | Cabot Corporation | Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
EP0744234B1 (de) * | 1995-05-26 | 1999-10-27 | Th. Goldschmidt AG | Verfahren zur Herstellung röntgenamorpher und nanokristalliner Metallpulver |
JPH09296201A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-11-18 | Hitachi Maxell Ltd | 合金の製造方法及び合金、これを用いた合金含有シ−ト |
US5954856A (en) * | 1996-04-25 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Method of making tantalum metal powder with controlled size distribution and products made therefrom |
JP3817742B2 (ja) * | 1997-02-19 | 2006-09-06 | エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード |
EP0964937B1 (de) * | 1997-02-19 | 2001-10-04 | H.C. Starck Gmbh & Co.Kg | Tantalpulver, verfahren zu seiner herstellung, sowie daraus erhältliche sinteranoden |
WO2000067936A1 (en) | 1998-05-06 | 2000-11-16 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
DE19847012A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP3871824B2 (ja) * | 1999-02-03 | 2007-01-24 | キャボットスーパーメタル株式会社 | 高容量コンデンサー用タンタル粉末 |
JP2004500480A (ja) * | 1999-03-19 | 2004-01-08 | キャボット コーポレイション | 粉砕によるニオビウムおよびその他の金属粉末の製造 |
US6375704B1 (en) * | 1999-05-12 | 2002-04-23 | Cabot Corporation | High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes |
US6436268B1 (en) * | 2000-08-02 | 2002-08-20 | Kemet Electronics Corporation | Non-aqueous electrolytes for anodizing |
US6652619B2 (en) * | 2000-08-10 | 2003-11-25 | Showa Denko K.K. | Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same |
JP2002285369A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Permelec Electrode Ltd | 過酸化水素水及び次亜ハロゲン化物の製造用電解槽及び方法 |
CN1174826C (zh) * | 2001-06-26 | 2004-11-10 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 钨铝合金粉末的制备方法 |
-
2004
- 2004-06-09 JP JP2006533642A patent/JP2007511667A/ja active Pending
- 2004-06-09 WO PCT/US2004/018288 patent/WO2004110684A2/en active Application Filing
- 2004-06-09 CN CN200910146899.7A patent/CN101579743B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-09 US US10/864,253 patent/US7142408B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-09 CN CNB2004800228012A patent/CN100528417C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-02-20 JP JP2012034356A patent/JP5773441B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2014
- 2014-08-01 JP JP2014157711A patent/JP2014222776A/ja active Pending
-
2016
- 2016-03-18 JP JP2016055884A patent/JP2016146500A/ja active Pending
-
2017
- 2017-02-22 JP JP2017031489A patent/JP6563968B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2018
- 2018-12-28 JP JP2018248509A patent/JP2019085651A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012169631A (ja) | 2012-09-06 |
WO2004110684A2 (en) | 2004-12-23 |
US20040252445A1 (en) | 2004-12-16 |
WO2004110684A3 (en) | 2005-06-09 |
US7142408B2 (en) | 2006-11-28 |
CN101579743B (zh) | 2014-11-26 |
CN100528417C (zh) | 2009-08-19 |
CN1832823A (zh) | 2006-09-13 |
JP2016146500A (ja) | 2016-08-12 |
CN101579743A (zh) | 2009-11-18 |
JP2007511667A (ja) | 2007-05-10 |
JP2017119919A (ja) | 2017-07-06 |
JP6563968B2 (ja) | 2019-08-21 |
JP2014222776A (ja) | 2014-11-27 |
JP5773441B2 (ja) | 2015-09-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190128 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20190716 |