JP2019077601A - Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019077601A JP2019077601A JP2017208241A JP2017208241A JP2019077601A JP 2019077601 A JP2019077601 A JP 2019077601A JP 2017208241 A JP2017208241 A JP 2017208241A JP 2017208241 A JP2017208241 A JP 2017208241A JP 2019077601 A JP2019077601 A JP 2019077601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- group iii
- iii nitride
- plane
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 253
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 237
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 235
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 19
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 41
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 28
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 description 3
- CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynemethyl(alumanylidynemethylalumanylidenemethylidene)alumane Chemical compound [Al]#C[Al]=C=[Al]C#[Al] CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 3
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 2
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000009546 growth abnormality Effects 0.000 description 2
- WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N hafnium;methane Chemical compound C.[Hf] WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- -1 surface flatness Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RVOMEIZTHYMDKM-UHFFFAOYSA-N triethylalumane;trimethylalumane Chemical compound C[Al](C)C.CC[Al](CC)CC RVOMEIZTHYMDKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
サファイア基板と、
前記サファイア基板上に位置し、主面が半極性面であるIII族窒化物半導体層と、
を有し、
前記III族窒化物半導体層の前記主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のm軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定した{11−22}面に対するXRC(X-ray Rocking Curve)の半値幅は、500arcsec以下であるIII族窒化物半導体基板が提供される。
圧力:30torr以上760torr以下
熱処理時間:5分以上20分以下
キャリアガス:H2、又は、H2とN2(H2比率0〜100%)
キャリアガス供給量:3slm以上50slm以下(ただし、成長装置のサイズにより供給量は変動する為、これに限定されない。)
圧力:30torr以上200torr以下
トリメチルアルミニウム供給量、供給時間:20ccm以上500ccm以下、1秒
以上60秒以下
キャリアガス:H2、又は、H2とN2(H2比率0〜100%)
キャリアガス供給量:3slm以上50slm以下(ただしガスの供給量は成長装置のサイズや構成により変動する為、これに限定されない。)
成長温度:800℃以上950℃以下
圧力:30torr以上200torr以下
トリメチルアルミニウム供給量:20ccm以上500ccm以下
NH3供給量:0.5slm以上10slm以下
キャリアガス:H2、又は、H2とN2(H2比率0〜100%)
キャリアガス供給量:3slm以上50slm以下(ただしガスの供給量は成長装置のサイズや構成により変動する為、これに限定されない。)
成長温度:800℃以上1025℃以下
圧力:30torr以上200torr以下
TMGa供給量:25sccm以上1000sccm以下
NH3供給量:1slm以上20slm以下
キャリアガス:H2、又は、H2とN2(H2比率0〜100%)
キャリアガス供給量:3slm以上50slm以下(ただしガスの供給量は成長装置のサイズや構成により変動する為、これに限定されない。)
成長速度:10μm/h以上
第1の評価では、上述した「III族窒化物半導体層の成長面の面方位を、N極性側の半極性面とするための複数の要素」のすべてを満たすことで、III族窒化物半導体層の成長面の面方位をN極性側の半極性面にできることを確認した。また、上述した「III族窒化物半導体層の成長面の面方位を、N極性側の半極性面とするための複数の要素」の中の少なくとも1つを満たさなかった場合、III族窒化物半導体層の成長面の面方位がGa極性側の半極性面になることを確認した。
圧力:100torr
キャリアガス:H2、N2
熱処理時間:10分または15分
キャリアガス供給量:15slm
温度:800〜930℃
圧力:100torr
トリメチルアルミニウム供給量、供給時間:90sccm、10秒
キャリアガス:H2、N2
キャリアガス供給量:15slm
成長温度:800〜930℃
圧力:100torr
トリメチルアルミニウム供給量:90sccm
NH3供給量:5slm
キャリアガス:H2、N2
キャリアガス供給量:15slm
圧力:100torr
TMGa供給量:50〜500sccm(連続変化)
NH3供給量:5〜10slm(連続変化)
キャリアガス:H2、N2
キャリアガス供給量:15slm
成長速度:10μm/h以上
第2の評価では、上述した「III族窒化物半導体層の成長面の面方位を調整するための複数の要素」を調整することで、III族窒化物半導体層の成長面の面方位を調整できることを確認した。
圧力:200torr
熱処理時間:10分
キャリアガス:H2、N2
キャリアガス供給量:15slm
温度:880〜930℃
圧力:100torr
トリメチルアルミニウム供給量、供給時間:90sccm、10秒
キャリアガス:H2、N2
キャリアガス供給量:15slm
圧力:100torr
V/III比:5184
TMAl供給量:90ccm
NH3供給量:5slm
キャリアガス:H2、N2
キャリアガス供給量:15slm
成長温度:900〜1100℃
圧力:100torr
V/III比:321
TMGa供給量:50〜500ccm(ランプアップ)
NH3供給量:5〜10slm(ランプアップ)
キャリアガス:H2、N2
キャリアガス供給量:15slm
本手法により作製したサンプルの結晶性について評価した。試料は3種類を準備した。サンプルAは、本明細記載の手法により作製したものであり、{11−23}面を成長面としている。サンプルB、Cは比較用サンプルであり、サンプルBは{10−10}面を成長面とした。また、サンプルCは{11−22}面を成長面とした。なお、{11−23}面は{−1−12−4}面から10°以内のオフ角を有する面に該当する。
本手法により作製したサンプルの結晶性について評価した。サンプルD(実施例)は、本明細記載の手法により作製したものであり、その詳細は以下の通りである。
圧力:100torr
キャリアガス:H2、N2
熱処理時間:10分
キャリアガス供給量:4slm
温度:800〜930℃
圧力:100torr
トリメチルアルミニウム供給量、供給時間:50sccm、10秒
キャリアガス:H2、N2
キャリアガス供給量:4slm
成長温度:800〜930℃
圧力:100torr
トリメチルアルミニウム供給量:50sccm
NH3供給量:2slm
キャリアガス:H2、N2
キャリアガス供給量:15slm
成長温度:900℃±25℃
圧力:100torr
TMGa供給量:50〜500sccm(連続変化)
NH3供給量:5〜10slm(連続変化)
キャリアガス:H2、N2
キャリアガス供給量:15slm
成長速度:10μm/h以上
(2) m軸入射XRCの測定を行う。具体的には、(000−2)面XRCを測定した部分(テンプレート基板の中心部)で{11−22}面の軸立(最も良好な回折が得られるよう、基板面内回転方向以外の各種角度を調整する)を行う。その後、中心部と、中心部からm軸方向に20mm離れた2点との合計3点について、{11−22}面XRCの測定を行う。
(3) c投影軸入射XRCの測定を行う。具体的には、(2)記載の測定終了後、テンプレート基板を面内方向に90°回転する。これにより、X線はc投影軸(c軸を主面に投影した投影軸)に対して入射する形になる。その後、中心部で{11−22}面の軸立を行い、中心部と、中心部からc投影軸方向に20mm離れた2点との合計3点について、{11−22}面XRCの測定を行う。
1. サファイア基板と、
前記サファイア基板上に位置し、主面が半極性面であって、ミラー指数(hkml)で表され、lが0未満の面であるIII族窒化物半導体層と、
を有し、
前記III族窒化物半導体層の前記主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のm軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定した{11−22}面に対するXRC(X-ray Rocking Curve)の半値幅は、500arcsec以下であるIII族窒化物半導体基板。
2. 1に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記III族窒化物半導体層の前記主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のc軸を前記主面に投影した投影軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定した{11−22}面に対するXRCの半値幅は、500arcsec以下であるIII族窒化物半導体基板。
3. 1または2に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記III族窒化物半導体層の前記主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のm軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定した{11−22}面に対するXRCの半値幅であって、m軸方向に20mmずつ離れた3点での測定値、及び、
前記III族窒化物半導体層の主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のc軸を前記主面に投影した投影軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定した{11−22}面に対するXRCの半値幅であって、c軸を前記主面に投影した投影軸方向に20mmずつ離れた3点での測定値、
における最大値と最小値の差が50arcsec.以内であるIII族窒化物半導体基板。
4. 1から3のいずれかに記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記III族窒化物半導体層の厚さは、1μm以上20μm以下であるIII族窒化物半導体基板。
5. 1から4のいずれかに記載のIII族窒化物半導体基板の上に、HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)法でIII族窒化物半導体を成長させてHVPE層を形成するIII族窒化物半導体基板の製造方法。
6. 5に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、
前記HVPE層からIII族窒化物半導体基板を切り出すIII族窒化物半導体基板の製造方法。
11 第1の主面
12 第2の主面
20 III族窒化物半導体基板
21 サファイア基板
22 バッファ層
23 III族窒化物半導体層
24 成長面
Claims (6)
- サファイア基板と、
前記サファイア基板上に位置し、主面が半極性面であって、ミラー指数(hkml)で表され、lが0未満の面であるIII族窒化物半導体層と、
を有し、
前記III族窒化物半導体層の前記主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のm軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定した{11−22}面に対するXRC(X-ray Rocking Curve)の半値幅は、500arcsec以下であるIII族窒化物半導体基板。 - 請求項1に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記III族窒化物半導体層の前記主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のc軸を前記主面に投影した投影軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定した{11−22}面に対するXRCの半値幅は、500arcsec以下であるIII族窒化物半導体基板。 - 請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記III族窒化物半導体層の前記主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のm軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定した{11−22}面に対するXRCの半値幅であって、m軸方向に20mmずつ離れた3点での測定値、及び、
前記III族窒化物半導体層の主面に対してエックス線をIII族窒化物半導体結晶のc軸を前記主面に投影した投影軸に平行に入射し、エックス線の入射方向と前記主面のなす角度を走査して測定した{11−22}面に対するXRCの半値幅であって、c軸を前記主面に投影した投影軸方向に20mmずつ離れた3点での測定値、
における最大値と最小値の差が50arcsec.以内であるIII族窒化物半導体基板。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記III族窒化物半導体層の厚さは、1μm以上20μm以下であるIII族窒化物半導体基板。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体基板の上に、HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)法でIII族窒化物半導体を成長させてHVPE層を形成するIII族窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項5に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、
前記HVPE層からIII族窒化物半導体基板を切り出すIII族窒化物半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017208241A JP6894825B2 (ja) | 2017-10-27 | 2017-10-27 | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017208241A JP6894825B2 (ja) | 2017-10-27 | 2017-10-27 | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019077601A true JP2019077601A (ja) | 2019-05-23 |
JP6894825B2 JP6894825B2 (ja) | 2021-06-30 |
Family
ID=66626328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017208241A Active JP6894825B2 (ja) | 2017-10-27 | 2017-10-27 | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6894825B2 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006087958A1 (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | 窒化物半導体材料および窒化物半導体結晶の製造方法 |
JP2009046382A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-03-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体結晶とその成長方法、材料、および窒化ガリウム単結晶基板 |
WO2010023846A1 (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | 国立大学法人山口大学 | 半導体基板及びその製造方法 |
JP2011042542A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Furukawa Co Ltd | Iii族窒化物基板の製造方法およびiii族窒化物基板 |
JP2011528318A (ja) * | 2008-07-16 | 2011-11-17 | オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | ハイドライド気相成長法(HVPE)による平坦な非極性{1−100}m面及び半極性{11−22}窒化ガリウムの成長 |
JP2016012717A (ja) * | 2014-06-05 | 2016-01-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体構造、窒化物半導体構造を備えた電子デバイス、窒化物半導体構造を備えた発光デバイス、および窒化物半導体構造を製造する方法 |
WO2016125890A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 三菱化学株式会社 | GaN単結晶およびGaN単結晶製造方法 |
US20170047220A1 (en) * | 2014-04-16 | 2017-02-16 | Yale University | Nitrogen-polar semipolar gan layers and devices on sapphire substrates |
-
2017
- 2017-10-27 JP JP2017208241A patent/JP6894825B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006087958A1 (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | 窒化物半導体材料および窒化物半導体結晶の製造方法 |
JP2009046382A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-03-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体結晶とその成長方法、材料、および窒化ガリウム単結晶基板 |
JP2011528318A (ja) * | 2008-07-16 | 2011-11-17 | オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | ハイドライド気相成長法(HVPE)による平坦な非極性{1−100}m面及び半極性{11−22}窒化ガリウムの成長 |
WO2010023846A1 (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | 国立大学法人山口大学 | 半導体基板及びその製造方法 |
JP2011042542A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Furukawa Co Ltd | Iii族窒化物基板の製造方法およびiii族窒化物基板 |
US20170047220A1 (en) * | 2014-04-16 | 2017-02-16 | Yale University | Nitrogen-polar semipolar gan layers and devices on sapphire substrates |
JP2016012717A (ja) * | 2014-06-05 | 2016-01-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体構造、窒化物半導体構造を備えた電子デバイス、窒化物半導体構造を備えた発光デバイス、および窒化物半導体構造を製造する方法 |
WO2016125890A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 三菱化学株式会社 | GaN単結晶およびGaN単結晶製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6894825B2 (ja) | 2021-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5838523B2 (ja) | 半極性(Al,In,Ga,B)NまたはIII族窒化物の結晶 | |
TWI453813B (zh) | 用於生長平坦半極性的氮化鎵之技術 | |
US10612161B2 (en) | GaN substrate | |
US9343525B2 (en) | Aluminum nitride substrate and group-III nitride laminate | |
CN108155279B (zh) | 氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 | |
TWI404122B (zh) | 增進半-極性(Al,In,Ga,B)N藉由金屬有機化學氣相沈積生長之方法 | |
JP5293591B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法、およびテンプレート基板 | |
KR102415252B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 반도체 기판 및 ⅲ족 질화물 반도체 기판의 제조방법 | |
JP5293592B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法およびテンプレート基板 | |
KR102464462B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 반도체 기판 | |
JP2015032730A (ja) | 窒化物半導体構造およびそれを製造する方法 | |
JP6894825B2 (ja) | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP6865669B2 (ja) | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP6934802B2 (ja) | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP6982469B2 (ja) | Iii族窒化物半導体基板及びiii族窒化物半導体基板の製造方法 | |
WO2018180672A1 (ja) | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP7084123B2 (ja) | Iii族窒化物半導体基板 | |
US20140183579A1 (en) | Miscut semipolar optoelectronic device | |
WO2020162346A1 (ja) | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200904 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210601 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210604 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6894825 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |