JP2019070605A - Radiation detection module, scintillator panel, and radiation detector - Google Patents

Radiation detection module, scintillator panel, and radiation detector Download PDF

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篤也 吉田
Atsuya Yoshida
篤也 吉田
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Abstract

To provide a radiation detection module having an area the dimensions of which is small and the thickness of a scintillator gradually decreases and, a scintillator panel, and a radiation detector.SOLUTION: A radiation detection module in an embodiment comprises: an array substrate having multiple photoelectric conversion parts; and a scintillator disposed on the multiple photoelectric conversion parts. The angle formed by the array substrate and a first side face of the scintillator is larger than the angle formed by the array substrate and a second side faces at the side opposite to the first side face.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明の実施形態は、放射線検出モジュール、シンチレータパネル、および放射線検出器に関する。   Embodiments of the present invention relate to a radiation detection module, a scintillator panel, and a radiation detector.

放射線検出器の一例にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器には、Ｘ線を蛍光に変換するシンチレータと、蛍光を電気信号に変換するアレイ基板と、シンチレータを覆う防湿体とが設けられている。
ここで、柱状結晶を有するシンチレータとすれば、Ｘ線を蛍光に変換する機能と、発生した蛍光を伝達する機能（ライトガイド効果）とを備えたシンチレータとすることができる。例えば、真空蒸着法を用いて、基板の上にタリウム賦活ヨウ化セシウムなどからなる膜を形成すれば、柱状結晶を有するシンチレータが形成される。 An example of a radiation detector is an X-ray detector. The X-ray detector is provided with a scintillator that converts X-rays into fluorescence, an array substrate that converts fluorescence into an electrical signal, and a moisture-proof body that covers the scintillator.
Here, if a scintillator having a columnar crystal is used, a scintillator having a function of converting X-rays into fluorescence and a function of transmitting generated fluorescence (light guide effect) can be obtained. For example, when a film made of thallium activated cesium iodide or the like is formed on a substrate by using a vacuum evaporation method, a scintillator having columnar crystals is formed.

真空蒸着法においては、開口を有するマスクが用いられる。この場合、基板上の開口に対峙する位置にシンチレータが形成される。ところが、開口を有するマスクを用いると、開口の周縁を蒸気が回り込んで蒸気が基板の上に到達する。そのため、シンチレータの周縁近傍は、外側になるに従い厚みが薄くなる。シンチレータの厚みが漸減する領域においては蛍光の量が少なくなるので、Ｘ線画像の品質が低下するおそれがある。そのため、一般的には、シンチレータの厚みが漸減する領域は、アレイ基板の有効画素領域の外側に設けられる。   In the vacuum evaporation method, a mask having an opening is used. In this case, a scintillator is formed at a position facing the opening on the substrate. However, when a mask having an opening is used, the vapor wraps around the periphery of the opening and the vapor reaches the substrate. Therefore, the thickness in the vicinity of the peripheral edge of the scintillator becomes thinner toward the outside. Since the amount of fluorescence decreases in the region where the thickness of the scintillator gradually decreases, the quality of the X-ray image may be degraded. Therefore, in general, the region where the thickness of the scintillator gradually decreases is provided outside the effective pixel region of the array substrate.

また、防湿体の周縁近傍もアレイ基板の有効画素領域の外側に接合される。防湿体の周縁近傍の封止性を確保し、且つ高い信頼性を得るためには、防湿体の周縁近傍の接合寸法（幅寸法）を長くすることが好ましい。ところが、防湿体の周縁近傍の接合寸法を長くすると、その寸法に応じた余分なスペースが必要となる。この場合、シンチレータの厚みが漸減する領域の平面寸法（基板の表面に平行な方向における寸法）を小さくできれば、その分、防湿体の周縁近傍の接合寸法を長くすることができる。
そこで、シンチレータの厚みが漸減する領域の平面寸法が小さいＸ線検出モジュール、シンチレータパネル、およびＸ線検出器の開発が望まれていた。 Further, the vicinity of the periphery of the moistureproof body is also bonded to the outside of the effective pixel area of the array substrate. In order to secure the sealability in the vicinity of the periphery of the moistureproof body and to obtain high reliability, it is preferable to lengthen the bonding dimension (width dimension) in the vicinity of the periphery of the moistureproof body. However, if the bonding dimension in the vicinity of the periphery of the moistureproof body is increased, an extra space corresponding to the dimension is required. In this case, if the planar dimensions (dimensions in the direction parallel to the surface of the substrate) of the region in which the thickness of the scintillator gradually decreases can be reduced, the junction dimensions near the periphery of the moistureproof body can be lengthened accordingly.
Therefore, it has been desired to develop an X-ray detection module, a scintillator panel, and an X-ray detector in which the planar dimension of the region where the thickness of the scintillator gradually decreases is small.

特開２０１３−１７１０１２号公報JP, 2013-171012, A

本発明が解決しようとする課題は、シンチレータの厚みが漸減する領域の平面寸法が小さい放射線検出モジュール、シンチレータパネル、および放射線検出器を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a radiation detection module, a scintillator panel, and a radiation detector in which the planar dimension of the region where the thickness of the scintillator gradually decreases is small.

実施形態に係る放射線検出モジュールは、複数の光電変換部を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換部の上に設けられたシンチレータと、を備えている。前記シンチレータの第１の側面と、前記アレイ基板とがなす角度は、前記第１の側面と反対側の第２の側面と、前記アレイ基板とがなす角度よりも大きい。   The radiation detection module according to the embodiment includes an array substrate having a plurality of photoelectric conversion units, and a scintillator provided on the plurality of photoelectric conversion units. The angle formed by the first side surface of the scintillator and the array substrate is larger than the angle formed by the second side surface opposite to the first side surface and the array substrate.

本実施の形態に係るＸ線検出器およびＸ線検出モジュールを例示するための模式斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view for illustrating an X-ray detector and an X-ray detection module according to the present embodiment. Ｘ線検出器およびＸ線検出モジュールの模式平面図である。It is a model top view of an X-ray detector and an X-ray detection module. 放射線検出モジュールの模式断面図である。It is a schematic cross section of a radiation detection module. Ｘ線検出器のブロック図である。It is a block diagram of an X-ray detector. 本実施の形態に係るシンチレータパネルを例示するための模式断面図である。It is a schematic cross section for illustrating the scintillator panel concerning this embodiment. シンチレータ形成装置を例示するための模式図である。It is a schematic diagram for illustrating a scintillator formation device. （ａ）〜（ｄ）は、比較例に係るシンチレータの形成を例示するための模式工程断面図である。(A)-(d) is a schematic process sectional drawing for illustrating formation of the scintillator which concerns on a comparative example. （ａ）〜（ｃ）は、角度θ１、θ２の形成を例示するための模式図である。(A)-(c) is a schematic diagram for illustrating formation of angle (theta) 1 and (theta) 2. In FIG. マスクに載置されたアレイ基板を例示するための模式平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view for illustrating an array substrate placed on a mask. （ａ）〜（ｃ）は、シンチレータが形成されたアレイ基板を例示するための模式図である。(A)-(c) is a schematic diagram for illustrating the array substrate in which the scintillator was formed.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
また、放射線検出器は、例えば、一般医療などに用いることができる。ただし、放射線検出器の用途は、一般医療に限定されるわけではない。 Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals and the detailed description will be appropriately omitted.
Moreover, the radiation detector according to the embodiment of the present invention can be applied to various types of radiation such as γ-rays in addition to X-rays. Here, as an example, a case related to X-rays will be described as a representative example of radiation. Therefore, other radiation can also be applied by replacing “X-ray” in the following embodiments with “other radiation”.
Also, the radiation detector can be used, for example, in general medical care. However, the application of the radiation detector is not limited to general medicine.

（Ｘ線検出器および放射線検出モジュール）
図１は、本実施の形態に係るＸ線検出器１およびＸ線検出モジュール１０を例示するための模式斜視図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図１においては、防湿体４などを省いて描いている。
図２は、Ｘ線検出器１およびＸ線検出モジュール１０の模式平面図である。
図３は、Ｘ線検出モジュール１０の模式断面図である。
図４は、Ｘ線検出器１のブロック図である。
Ｘ線検出器１は、Ｘ線画像を検出するＸ線平面センサである。
図１〜図４に示すように、Ｘ線検出器１には、Ｘ線検出モジュール１０、回路基板５、画像処理部６などが設けられている。 (X-ray detector and radiation detection module)
FIG. 1 is a schematic perspective view for illustrating an X-ray detector 1 and an X-ray detection module 10 according to the present embodiment.
In addition, in order to avoid becoming complicated, in FIG. 1, the moisture-proof body 4 etc. are abbreviate | omitted and drawn.
FIG. 2 is a schematic plan view of the X-ray detector 1 and the X-ray detection module 10.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the X-ray detection module 10.
FIG. 4 is a block diagram of the X-ray detector 1.
The X-ray detector 1 is an X-ray flat sensor that detects an X-ray image.
As shown in FIGS. 1 to 4, the X-ray detector 1 is provided with an X-ray detection module 10, a circuit board 5, an image processing unit 6 and the like.

Ｘ線検出モジュール１０は、アレイ基板２、シンチレータ３、および防湿体４を有する。
アレイ基板２は、シンチレータ３によりＸ線から変換された蛍光を信号電荷に変換する。
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、配線パッド２ｄ１、２ｄ２、および保護層２ｆなどを有する。
なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２などの数は例示をしたものに限定されるわけではない。 The X-ray detection module 10 includes an array substrate 2, a scintillator 3, and a moistureproof body 4.
The array substrate 2 converts the fluorescence converted from the X-rays by the scintillator 3 into a signal charge.
The array substrate 2 includes a substrate 2a, photoelectric conversion units 2b, control lines (or gate lines) 2c1, data lines (or signal lines) 2c2, wiring pads 2d1 and 2d2, and protective layers 2f.
The number of photoelectric conversion units 2 b, control lines 2 c 1, data lines 2 c 2, etc. is not limited to those illustrated.

基板２ａは、板状を呈し、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されている。基板２ａの平面形状は、四角形とすることができる。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の面に複数設けられている。光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とにより画された領域に設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。なお、１つの光電変換部２ｂは、Ｘ線画像の１つの画素（pixel）に対応する。 The substrate 2a has a plate-like shape and is formed of a translucent material such as non-alkali glass. The planar shape of the substrate 2a can be square.
A plurality of photoelectric conversion units 2b are provided on one surface of the substrate 2a. The photoelectric conversion unit 2b has a rectangular shape, and is provided in an area defined by the control line 2c1 and the data line 2c2. The plurality of photoelectric conversion units 2b are arranged in a matrix. One photoelectric conversion unit 2 b corresponds to one pixel of the X-ray image.

複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）２ｂ２が設けられている。
また、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ２ｂ３を設けることができる。蓄積キャパシタ２ｂ３は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ２ｂ２の下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねることができる。 Each of the plurality of photoelectric conversion units 2b is provided with a photoelectric conversion element 2b1 and a thin film transistor (TFT; Thin Film Transistor) 2b2 which is a switching element.
In addition, a storage capacitor 2b3 can be provided which stores the signal charge converted in the photoelectric conversion element 2b1. The storage capacitor 2b3 has, for example, a rectangular plate shape, and can be provided below each thin film transistor 2b2. However, depending on the capacitance of the photoelectric conversion element 2b1, the photoelectric conversion element 2b1 can double as the storage capacitor 2b3.

光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蓄積キャパシタ２ｂ３への電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極は、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極は、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極は、対応する光電変換素子２ｂ１と蓄積キャパシタ２ｂ３とに電気的に接続される。また、光電変換素子２ｂ１のアノード側と蓄積キャパシタ２ｂ３は、グランドに電気的に接続される。 The photoelectric conversion element 2b1 can be, for example, a photodiode.
The thin film transistor 2b2 switches between storage and discharge of charge to the storage capacitor 2b3. The thin film transistor 2b2 has a gate electrode, a drain electrode, and a source electrode. The gate electrode of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding control line 2c1. The drain electrode of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding data line 2c2. The source electrode of the thin film transistor 2b2 is electrically connected to the corresponding photoelectric conversion element 2b1 and the storage capacitor 2b3. The anode side of the photoelectric conversion element 2b1 and the storage capacitor 2b3 are electrically connected to the ground.

制御ライン２ｃ１は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、例えば、行方向に延びている。
１つの制御ライン２ｃ１は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、回路基板５に設けられた読み出し回路５ａとそれぞれ電気的に接続されている。 A plurality of control lines 2c1 are provided in parallel with each other at a predetermined interval. The control line 2c1 extends, for example, in the row direction.
One control line 2c1 is electrically connected to one of a plurality of wiring pads 2d1 provided in the vicinity of the periphery of the substrate 2a. One of the plurality of wires provided on the flexible printed board 2e1 is electrically connected to one wiring pad 2d1. The other ends of the plurality of wirings provided on the flexible printed circuit 2e1 are electrically connected to the readout circuit 5a provided on the circuit substrate 5, respectively.

データライン２ｃ２は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、例えば、行方向に直交する列方向に延びている。
１つのデータライン２ｃ２は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、回路基板５に設けられた信号検出回路５ｂとそれぞれ電気的に接続されている。
制御ライン２ｃ１およびデータライン２ｃ２は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。 A plurality of data lines 2c2 are provided in parallel with each other at a predetermined interval. The data line 2c2 extends, for example, in the column direction orthogonal to the row direction.
One data line 2c2 is electrically connected to one of a plurality of wiring pads 2d2 provided in the vicinity of the peripheral edge of the substrate 2a. One of the plurality of wires provided on the flexible printed circuit 2e2 is electrically connected to one wiring pad 2d2. The other ends of the plurality of wires provided on the flexible printed board 2e2 are electrically connected to the signal detection circuit 5b provided on the circuit board 5, respectively.
The control line 2c1 and the data line 2c2 can be formed using, for example, a low resistance metal such as aluminum or chromium.

保護層２ｆは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２を覆っている。保護層２ｆは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも１種を含む。   The protective layer 2f covers the photoelectric conversion unit 2b, the control line 2c1, and the data line 2c2. The protective layer 2 f includes, for example, at least one of an oxide insulating material, a nitride insulating material, an oxynitride insulating material, and a resin material.

シンチレータ３は、複数の光電変換部２ｂの上に設けられ、入射するＸ線を蛍光に変換する。シンチレータ３は、有効画素領域２ｇを覆うように設けられている。有効画素領域２ｇとは、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられている領域である。
シンチレータ３は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいは臭化セシウム（ＣｓＢｒ）：ユーロピウム（Ｅｕ）などを用いて形成することができる。シンチレータ３は、真空蒸着法を用いて形成することができる。真空蒸着法を用いてシンチレータ３を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ３が形成される。 The scintillator 3 is provided on the plurality of photoelectric conversion units 2b, and converts incident X-rays into fluorescence. The scintillator 3 is provided to cover the effective pixel area 2g. The effective pixel area 2g is an area where the plurality of photoelectric conversion units 2b are provided on the substrate 2a.
The scintillator 3 may be formed, for example, using cesium iodide (CsI): thallium (Tl), sodium iodide (NaI): thallium (Tl), or cesium bromide (CsBr): europium (Eu) or the like. it can. The scintillator 3 can be formed using a vacuum evaporation method. If the scintillator 3 is formed using a vacuum evaporation method, the scintillator 3 consisting of an aggregate of a plurality of columnar crystals is formed.

後述するように、真空蒸着法を用いてシンチレータ３を形成する際には、開口１０６ａを有するマスク１０６が用いられる。マスク１０６を用いれば、アレイ基板２上の開口１０６ａに対峙する位置（有効画素領域２ｇの上）にシンチレータ３を形成することができる。ところが、開口１０６ａを有するマスク１０６を用いると、開口１０６ａの周縁を回り込んで蒸気がアレイ基板２上に到達する。そのため、アレイ基板２上の、開口１０６ａの周縁の外側に対峙する位置にも膜が形成される。この部分に形成される膜は、外側になるに従い厚みが薄くなる。そのため、図３に示すように、シンチレータ３の周縁近傍は、外側になるに従い厚みが薄くなる。シンチレータ３の厚みが漸減する領域においては蛍光の量が少なくなるので、Ｘ線画像の品質が低下するおそれがある。そのため、一般的には、シンチレータ３の厚みが漸減する領域は、アレイ基板２の有効画素領域２ｇの外側に設けられる。
また、後述する防湿体４のつば（鍔）部４ｃもアレイ基板２の有効画素領域２ｇの外側に接着される。 As described later, when forming the scintillator 3 using a vacuum evaporation method, a mask 106 having an opening 106 a is used. If the mask 106 is used, the scintillator 3 can be formed at a position (above the effective pixel area 2 g) facing the opening 106 a on the array substrate 2. However, when the mask 106 having the opening 106 a is used, the vapor reaches the array substrate 2 around the periphery of the opening 106 a. Therefore, a film is also formed on the array substrate 2 at a position facing the outside of the periphery of the opening 106 a. The film formed on this portion becomes thinner as it goes to the outside. Therefore, as shown in FIG. 3, the thickness of the vicinity of the peripheral edge of the scintillator 3 becomes thinner toward the outside. Since the amount of fluorescence decreases in the region where the thickness of the scintillator 3 gradually decreases, the quality of the X-ray image may be degraded. Therefore, in general, the area where the thickness of the scintillator 3 gradually decreases is provided outside the effective pixel area 2 g of the array substrate 2.
Further, a collar 4 c of the moistureproof body 4 described later is also bonded to the outside of the effective pixel area 2 g of the array substrate 2.

一般的に、基板の、配線パッドが設けられていない側の辺と、有効画素領域２ｇとの間の距離は、基板の、配線パッドが設けられている側の辺と、有効画素領域２ｇとの間の距離よりも短くできる場合が多い。
そのため、以下においては、一例として、基板２ａの辺２ａ２と、有効画素領域２ｇとの間の距離が、辺２ａ１と、有効画素領域２ｇとの間の距離よりも短い場合を説明する。
図２に示すように、基板２ａの辺２ａ１の近傍には配線パッド２ｄ１やこれに接続される配線などが設けられているが、辺２ａ１に対峙する辺２ａ２の近傍には配線パッドや配線などが設けられていない。そのため、辺２ａ２と有効画素領域２ｇとの間の距離Ｌ２は、辺２ａ１と有効画素領域２ｇとの間の距離Ｌ１よりも短くすることができる。
基板２ａの辺２ａ３の近傍には配線パッド２ｄ２やこれに接続される配線などが設けられているが、辺２ａ３に対峙する辺２ａ４の近傍には配線パッドや配線などが設けられていない。そのため、辺２ａ４と有効画素領域２ｇとの間の距離Ｌ４は、辺２ａ３と有効画素領域２ｇとの間の距離Ｌ３よりも短くすることができる。
距離Ｌ２と距離Ｌ４を短くすると、Ｘ線検出モジュール１０の小型化、ひいてはＸ線検出器１の小型化を図ることができる。 Generally, the distance between the side of the substrate where the wiring pad is not provided and the effective pixel area 2g is the side of the substrate where the wiring pad is provided and the effective pixel area 2g. It can often be shorter than the distance between
Therefore, the case where the distance between the side 2a2 of the substrate 2a and the effective pixel area 2g is shorter than the distance between the side 2a1 and the effective pixel area 2g will be described below as an example.
As shown in FIG. 2, the wiring pad 2d1 and the wiring connected to the wiring pad 2d1 are provided near the side 2a1 of the substrate 2a, but the wiring pad and the wiring are provided near the side 2a2 facing the side 2a1. Is not provided. Therefore, the distance L2 between the side 2a2 and the effective pixel area 2g can be shorter than the distance L1 between the side 2a1 and the effective pixel area 2g.
Although the wiring pad 2d2 and the wiring connected to the wiring pad 2d2 are provided near the side 2a3 of the substrate 2a, the wiring pad or the wiring is not provided near the side 2a4 facing the side 2a3. Therefore, the distance L4 between the side 2a4 and the effective pixel area 2g can be shorter than the distance L3 between the side 2a3 and the effective pixel area 2g.
If the distance L2 and the distance L4 are shortened, the miniaturization of the X-ray detection module 10 and hence the miniaturization of the X-ray detector 1 can be achieved.

ところが、距離Ｌ２と距離Ｌ４を短くすると、アレイ基板２の有効画素領域２ｇの外側のスペースが小さくなる。前述したように、有効画素領域２ｇの外側のスペースには防湿体４のつば部４ｃが接着される。この場合、防湿体４のつば部４ｃとアレイ基板２との間の封止性を確保し、且つ高い信頼性を得るためには、防湿体４のつば部４ｃの幅寸法を長くすることが好ましい。しかしながら、距離Ｌ２と距離Ｌ４を短くすると、つば部４ｃの幅寸法を長くするのが困難となる。   However, when the distance L2 and the distance L4 are shortened, the space outside the effective pixel area 2g of the array substrate 2 is reduced. As described above, the flange 4c of the moistureproof body 4 is adhered to the space outside the effective pixel area 2g. In this case, in order to ensure the sealability between the flange 4c of the moistureproof body 4 and the array substrate 2 and to obtain high reliability, the width dimension of the flange 4c of the moistureproof body 4 may be increased. preferable. However, if the distance L2 and the distance L4 are shortened, it will be difficult to increase the width dimension of the flange 4c.

そこで、シンチレータ３においては、配線パッド２ｄ１、２ｄ２が設けられる側とは反対側における厚みが漸減する領域の平面寸法（アレイ基板２の表面に平行な方向における寸法）を小さくしている。すなわち、図３に示すように、シンチレータ３の一方の側の側面３ａ（第１の側面の一例に相当する）とアレイ基板２とがなす角度θ１が、これと反対側の側面３ｂ（第２の側面の一例に相当する）とアレイ基板２とがなす角度θ２よりも大きくなるようにしている。また、アレイ基板２の、側面３ｂが設けられる側の周縁近傍には、複数の配線パッド２ｄ１、２ｄ２が設けられている。
本実施の形態によれば、距離Ｌ２と距離Ｌ４を短くしてもつば部４ｃの幅寸法を長くすることが可能となる。そのため、小型化と防湿に対する信頼性の向上を図ることができる。
なお、シンチレータ３のテーパ角を四辺均等に大きくすることは困難である。本発明者は、後述するマスク１０６の形状とマスク１０６とアレイ基板２の位置関係を調整することにより、となり合う２辺のテーパ角であれば大きくできることを見出した。
シンチレータ３のテーパ角を大きくした側と、有効画素領域２ｇとアレイ基板２の辺との間の距離が短い側、または、有効画素領域２ｇと配線パッド２ｄ１、２ｄ２との間の距離が短い側とを組み合わせることにより、アレイ基板２の４辺の側において、有効画素領域２ｇでのシンチレータ３の膜厚の均一性と、防湿体４の封止幅の確保が容易となる。
例えば、図２に示すように、シンチレータ３の隣り合う２辺のテーパ角を大きくすることは、シンチレータ３の対向する２辺のテーパ角を大きくするよりも容易である。なお、図８（ａ）〜（ｃ）に例示をした様にすれば、図１０（ａ）〜（ｃ）に例示をしたアレイ基板２を容易に製造することができる。 Therefore, in the scintillator 3, the planar dimensions (dimensions in the direction parallel to the surface of the array substrate 2) of the region in which the thickness gradually decreases on the side opposite to the side on which the wiring pads 2d1 and 2d2 are provided. That is, as shown in FIG. 3, an angle θ1 formed between the side surface 3a on one side of the scintillator 3 (corresponding to an example of the first side surface) and the array substrate 2 is a side surface 3b on the opposite side And the array substrate 2 make an angle θ 2 larger than the angle θ 2. A plurality of wiring pads 2d1 and 2d2 are provided in the vicinity of the periphery of the array substrate 2 on the side where the side surface 3b is provided.
According to the present embodiment, it is possible to shorten the distance L2 and the distance L4 and to lengthen the width dimension of the crimped portion 4c. Therefore, it is possible to reduce the size and to improve the reliability against moisture.
In addition, it is difficult to increase the taper angle of the scintillator 3 to four sides equally. The present inventor has found that by adjusting the shape of the mask 106 and the positional relationship between the mask 106 and the array substrate 2 described later, the taper angles of two adjacent sides can be increased.
The side where the taper angle of the scintillator 3 is increased, the side where the distance between the effective pixel area 2g and the side of the array substrate 2 is short, or the side where the distance between the effective pixel area 2g and the wiring pads 2d1, 2d2 is short By combining the above, the uniformity of the film thickness of the scintillator 3 in the effective pixel area 2g and the sealing width of the moistureproof body 4 can be easily secured on the four sides of the array substrate 2.
For example, as shown in FIG. 2, it is easier to increase the taper angles of two adjacent sides of the scintillator 3 than to increase the taper angles of two opposite sides of the scintillator 3. In addition, if it is made to illustrate to FIG. 8 (a)-(c), the array substrate 2 illustrated to FIG. 10 (a)-(c) can be manufactured easily.

なお、以上においては、ハット形状を有する防湿体４を例に挙げて説明したが、防湿体が透湿係数の小さい樹脂などからなる膜の場合も同様である。透湿係数の小さい樹脂は、例えば、ポリパラキシリレンなどである。
すなわち、本実施の形態によれば、距離Ｌ２と距離Ｌ４を短くしても防湿体の周縁近傍の幅寸法を長くすることが可能となる。そのため、小型化と防湿に対する信頼性の向上を図ることができる。 Although the moisture-proof body 4 having a hat shape has been described above as an example, the same applies to the case where the moisture-proof body is a film made of a resin or the like having a small moisture permeability coefficient. The resin having a low moisture permeability coefficient is, for example, polyparaxylylene or the like.
That is, according to the present embodiment, even if the distance L2 and the distance L4 are shortened, the width dimension in the vicinity of the peripheral edge of the moistureproof body can be increased. Therefore, it is possible to reduce the size and to improve the reliability against moisture.

防湿体４は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ３の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。防湿体４は、シンチレータ３を覆っている。なお、シンチレータ３の上に反射層が設けられる場合には、防湿体４は、シンチレータ３と反射層を覆う。反射層は、例えば、光散乱粒子（例えば、ＴｉＯ２粒子）をバインダ材（例えば、ブチラール樹脂）に分散させた材料をシンチレータ３の上に塗布することで形成することができる。反射層の厚みは、例えば、１００μｍ〜２００μｍ程度とすることができる。 防湿体４は、透湿係数の小さい材料から形成することができる。例えば、防湿体４は、アルミニウム、アルミニウム合金、低透湿防湿材料などから形成することができる。低透湿防湿材料は、例えば、樹脂層と無機材料（アルミニウムなどの軽金属、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３などのセラミック系材料）の層とが積層されたものとすることができる。 The moistureproof body 4 is provided to suppress the deterioration of the characteristics of the scintillator 3 due to the water vapor contained in the air. The moistureproof body 4 covers the scintillator 3. When the reflective layer is provided on the scintillator 3, the moistureproof body 4 covers the scintillator 3 and the reflective layer. The reflective layer can be formed, for example, by applying a material in which light scattering particles (for example, TiO 2 particles) are dispersed in a binder material (for example, butyral resin) on the scintillator 3. The thickness of the reflective layer can be, for example, about 100 μm to 200 μm. The moistureproof body 4 can be formed of a material having a low moisture permeability coefficient. For example, the moisture-proof body 4 can be formed of aluminum, an aluminum alloy, a low moisture-permeable moisture-proof material, or the like. The low moisture-permeable moisture-proof material can be, for example, a laminate of a resin layer and a layer of an inorganic material (a light metal such as aluminum, a ceramic material such as SiO 2 , SiON, or Al 2 O 3 ).

図２および図３に示すように、防湿体４は、ハット形状を呈するものとすることができる。ハット形状を呈する防湿体４とすれば、透湿係数の小さい樹脂などからなる膜と比べて高い防湿性を得ることができる。
ハット形状を呈する防湿体４は、表面部４ａ、周面部４ｂ、及びつば部４ｃを有する。表面部４ａ、周面部４ｂ、及びつば部４ｃは、一体成形することができる。例えば、防湿体４は、厚みが０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成することができる。
表面部４ａおよび周面部４ｂは、シンチレータ３を覆う。つば部４ｃは、アレイ基板２の、光電変換部２ｂが設けられる側の面に接着される。 As shown in FIGS. 2 and 3, the moisture-proof body 4 can have a hat shape. If the moisture-proof body 4 having a hat shape is used, higher moisture resistance can be obtained as compared to a film made of a resin or the like having a small moisture permeability coefficient.
The moisture-proof body 4 having a hat shape has a surface portion 4a, a circumferential surface portion 4b, and a collar portion 4c. The surface portion 4a, the circumferential surface portion 4b, and the collar portion 4c can be integrally formed. For example, the moistureproof body 4 can be formed by press-forming an aluminum foil having a thickness of 0.1 mm.
The surface portion 4 a and the circumferential surface portion 4 b cover the scintillator 3. The flange 4 c is bonded to the surface of the array substrate 2 on the side where the photoelectric conversion unit 2 b is provided.

回路基板５は、アレイ基板２の、シンチレータ３が設けられる側とは反対側に設けられている。
図４に示すように、回路基板５には、読み出し回路５ａおよび信号検出回路５ｂが設けられている。なお、これらの回路を１つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。
読み出し回路５ａは、薄膜トランジスタ２ｂ２のオン状態とオフ状態を切り替える。 The circuit board 5 is provided on the side of the array substrate 2 opposite to the side where the scintillator 3 is provided.
As shown in FIG. 4, the circuit board 5 is provided with a read circuit 5 a and a signal detection circuit 5 b. Note that these circuits can be provided on one substrate, or these circuits can be provided separately on a plurality of substrates.
The readout circuit 5a switches the on state and the off state of the thin film transistor 2b2.

読み出し回路５ａは、複数のゲートドライバ５ａａと行選択回路５ａｂとを有する。
行選択回路５ａｂには、制御回路から制御信号Ｓ１が入力される。行選択回路５ａｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ５ａａに制御信号Ｓ１を入力する。
ゲートドライバ５ａａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を入力する。
例えば、読み出し回路５ａは、フレキシブルプリント基板２ｅ１を介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次入力する。制御ライン２ｃ１に入力された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、蓄積キャパシタ２ｂ４からの電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。 The readout circuit 5a has a plurality of gate drivers 5aa and a row selection circuit 5ab.
Control signal S1 is input to row selection circuit 5ab from the control circuit. Row selection circuit 5ab inputs control signal S1 to corresponding gate driver 5aa in accordance with the scanning direction of the X-ray image.
The gate driver 5aa inputs the control signal S1 to the corresponding control line 2c1.
For example, the readout circuit 5a sequentially receives the control signal S1 for each control line 2c1 via the flexible printed circuit 2e1. The thin film transistor 2b2 is turned on by the control signal S1 input to the control line 2c1, and the charge (image data signal S2) from the storage capacitor 2b4 can be received.

信号検出回路５ｂは、複数の積分アンプ５ｂａ、複数の選択回路５ｂｂ、および複数のＡＤコンバータ５ｂｃを有している。
１つの積分アンプ５ｂａは、１つのデータライン２ｃ２と電気的に接続されている。積分アンプ５ｂａは、光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順次受信する。そして、積分アンプ５ｂａは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路５ｂｂへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータライン２ｃ２を流れる電流の値（電荷量）を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプ５ｂａは、シンチレータ３において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。 The signal detection circuit 5b includes a plurality of integration amplifiers 5ba, a plurality of selection circuits 5bb, and a plurality of AD converters 5bc.
One integrating amplifier 5ba is electrically connected to one data line 2c2. The integration amplifier 5ba sequentially receives the image data signal S2 from the photoelectric conversion unit 2b. Then, integration amplifier 5ba integrates the current flowing within a fixed time, and outputs a voltage corresponding to the integrated value to selection circuit 5bb. In this way, it is possible to convert the value (the amount of charge) of the current flowing through the data line 2c2 into a voltage value within a predetermined time. That is, the integral amplifier 5 ba converts image data information corresponding to the intensity distribution of the fluorescence generated in the scintillator 3 into potential information.

選択回路５ｂｂは、読み出しを行う積分アンプ５ｂａを選択し、電位情報へと変換された画像データ信号Ｓ２を順次読み出す。
ＡＤコンバータ５ｂｃは、読み出された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順次変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、配線６ａを介して画像処理部６に入力される。 The selection circuit 5 bb selects the integration amplifier 5 ba to read out, and sequentially reads out the image data signal S 2 converted into the potential information.
The AD converter 5 bc sequentially converts the read image data signal S 2 into a digital signal. The image data signal S2 converted into the digital signal is input to the image processing unit 6 through the wiring 6a.

画像処理部６は、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいてＸ線画像を構成する。画像処理部６は、配線６ａを介して、回路基板５と電気的に接続されている。
なお、画像処理部６は、回路基板５と一体化することもできる。 The image processing unit 6 constructs an X-ray image based on the image data signal S2 converted into the digital signal. The image processing unit 6 is electrically connected to the circuit board 5 via the wiring 6 a.
The image processing unit 6 can also be integrated with the circuit board 5.

（シンチレータパネル）
図５は、本実施の形態に係るシンチレータパネル２０を例示するための模式断面図である。
図５に示すように、シンチレータパネル２０には、基板２１、防湿体２２、およびシンチレータ３が設けられている。
基板２１は、板状を呈している。基板２１は、複数のプリプレグが積層されたものとすることもできる。基板２１は、Ｘ線を透過する。基板２１は、例えば、炭素繊維強化プラスチック（CFRP；Carbon-Fiber-Reinforced Plastic)などから形成することができる。基板２１の平面形状には特に限定はない。基板２１の平面形状は、例えば、四角形などとすることができる。
シンチレータ３は、基板２１の上に設けられている。 (Scintillator panel)
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for illustrating the scintillator panel 20 according to the present embodiment.
As shown in FIG. 5, the scintillator panel 20 is provided with a substrate 21, a moistureproof body 22, and a scintillator 3.
The substrate 21 has a plate shape. The substrate 21 may be a laminate of a plurality of prepregs. The substrate 21 transmits X-rays. The substrate 21 can be formed, for example, of carbon fiber reinforced plastic (CFRP; Carbon-Fiber-Reinforced Plastic) or the like. The planar shape of the substrate 21 is not particularly limited. The planar shape of the substrate 21 can be, for example, a square or the like.
The scintillator 3 is provided on the substrate 21.

防湿体２２は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ３の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。防湿体２２は、膜状を呈し、シンチレータ３を覆うように設けられている。防湿体２２は、透光性を有し、透湿係数の小さい材料から形成することができる。防湿体２２は、例えば、ポリパラキシリレンなどから形成することができる。   The moistureproof body 22 is provided to suppress the deterioration of the characteristics of the scintillator 3 due to the water vapor contained in the air. The moistureproof body 22 has a film shape and is provided so as to cover the scintillator 3. The moistureproof body 22 can be formed of a material that is translucent and has a low moisture permeability coefficient. The moistureproof body 22 can be formed of, for example, polyparaxylylene or the like.

本実施の形態に係るシンチレータパネル２０においても、シンチレータ３の一方の側の側面３ａ（第１の側面の一例に相当する）と基板２１とがなす角度θ１が、これと反対側の側面３ｂ（第２の側面の一例に相当する）と基板２１とがなす角度θ２よりも大きくなるようにしている。   Also in the scintillator panel 20 according to the present embodiment, an angle θ1 between the side surface 3a on one side of the scintillator 3 (corresponding to an example of the first side surface) and the substrate 21 is a side surface 3b on the opposite side. It is made to become larger than angle theta 2 which it corresponds to an example of the 2nd side, and substrate 21 make.

シンチレータパネル２０は、前述したシンチレータ３および防湿体４に代えて、アレイ基板２の、光電変換部２ｂが設けられる側の面に接着される。この際、シンチレータパネル２０のシンチレータ３側をアレイ基板２の有効画素領域２ｇに接着することができる。   The scintillator panel 20 is bonded to the surface of the array substrate 2 on the side where the photoelectric conversion unit 2 b is provided, instead of the scintillator 3 and the moistureproof body 4 described above. At this time, the scintillator 3 side of the scintillator panel 20 can be bonded to the effective pixel area 2 g of the array substrate 2.

（シンチレータの製造方法）
次に、シンチレータ３の製造方法について説明する。
シンチレータ３の製造には、シンチレータ形成装置１００を用いることができる。
図６は、シンチレータ形成装置１００を例示するための模式図である。
図６に示すように、シンチレータ形成装置１００には、チャンバ１０１、第１のるつぼ１０２、第２のるつぼ１０３、シャッター１０４、回転機構１０５、およびマスク１０６が設けられている。
第１のるつぼ１０２、第２のるつぼ１０３、およびマスク１０６は、チャンバ１０１の内部に設けられている。 (Method of manufacturing scintillator)
Next, a method of manufacturing the scintillator 3 will be described.
The scintillator forming apparatus 100 can be used to manufacture the scintillator 3.
FIG. 6 is a schematic view for illustrating the scintillator forming apparatus 100. As shown in FIG.
As shown in FIG. 6, the scintillator forming apparatus 100 is provided with a chamber 101, a first crucible 102, a second crucible 103, a shutter 104, a rotation mechanism 105, and a mask 106.
The first crucible 102, the second crucible 103 and the mask 106 are provided inside the chamber 101.

マスク１０６には回転機構１０５が接続されている。また、マスク１０６には、アレイ基板２（基板２１）が載置される。回転機構１０５は、アレイ基板２（基板２１）が載置されたマスク１０６を回転させる。   The rotation mechanism 105 is connected to the mask 106. Further, the array substrate 2 (substrate 21) is placed on the mask 106. The rotation mechanism 105 rotates the mask 106 on which the array substrate 2 (substrate 21) is mounted.

第１のるつぼ１０２には、所定の量のヨウ化セシウムが収納される。
第２のるつぼ１０３には、所定の量のタリウムが収納される。
第１のるつぼ１０２および第２のるつぼ１０３は、アレイ基板２（基板２１）と対峙するように設けられている。
シャッター１０４は、第１のるつぼ１０２および第２のるつぼ１０３と、アレイ基板２（基板２１）との間に設けられている。 The first crucible 102 contains a predetermined amount of cesium iodide.
The second crucible 103 contains a predetermined amount of thallium.
The first crucible 102 and the second crucible 103 are provided to face the array substrate 2 (substrate 21).
The shutter 104 is provided between the first crucible 102 and the second crucible 103 and the array substrate 2 (substrate 21).

シンチレータ３は、以下のようにして製造することができる。
図示しないポンプによりチャンバ１０１の内部のガスを排気して、内部圧力が０．４Ｐａ程度となるようにする。
回転機構１０５によりアレイ基板２（基板２１）を回転させる。この際、図示しないヒータを用いて、アレイ基板２（基板２１）の温度が１５０℃程度となるようにする。 The scintillator 3 can be manufactured as follows.
The gas inside the chamber 101 is exhausted by a pump not shown so that the internal pressure becomes about 0.4 Pa.
The array substrate 2 (substrate 21) is rotated by the rotation mechanism 105. At this time, the temperature of the array substrate 2 (substrate 21) is set to about 150 ° C. using a heater (not shown).

第１のるつぼ１０２および第２のるつぼ１０３を図示しない加熱手段で加熱する。この際、第１のるつぼ１０２の温度が７００℃程度となるようにする。第２のるつぼ１０３の温度が４００℃程度となるようにする。   The first crucible 102 and the second crucible 103 are heated by heating means not shown. At this time, the temperature of the first crucible 102 is set to about 700.degree. The temperature of the second crucible 103 is set to about 400.degree.

第１のるつぼ１０２に収納されたヨウ化セシウムの蒸発、および第２のるつぼ１０３に収納されたタリウムの蒸発が安定した場合には、シャッター１０４を退避位置に移動させる。ヨウ化セシウムの蒸気とタリウムの蒸気がチャンバ１０１の内部の空間で混合され、混合された蒸気がマスク１０６の開口１０６ａを介してアレイ基板２（基板２１）の表面に到達する。アレイ基板２（基板２１）の表面に蒸気が到達することで、開口１０６ａに対峙する位置にシンチレータ３が形成される。   When the evaporation of cesium iodide contained in the first crucible 102 and the evaporation of thallium contained in the second crucible 103 are stabilized, the shutter 104 is moved to the retracted position. The cesium iodide vapor and thallium vapor are mixed in the space inside the chamber 101, and the mixed vapor reaches the surface of the array substrate 2 (substrate 21) through the opening 106a of the mask 106. When the vapor reaches the surface of the array substrate 2 (substrate 21), the scintillator 3 is formed at a position facing the opening 106a.

この場合、ヨウ化セシウムの蒸気の量が多いのでヨウ化セシウムの結晶が形成される。一部のヨウ化セシウムの結晶においては、セシウムイオンが配置されるサイトにタリウムが配置される。そのため、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含むシンチレータ３が形成される。   In this case, because the amount of cesium iodide vapor is large, crystals of cesium iodide are formed. In some cesium iodide crystals, thallium is disposed at a site where cesium ions are disposed. Therefore, the scintillator 3 containing thallium activated cesium iodide is formed.

シンチレータ３の厚みが所定の値となった場合には、シャッター１０４を移動させて蒸気の供給を遮断する。シンチレータ３の厚みは、例えば、６００μｍ程度とすることができる。
その後、アレイ基板２（基板２１）、第１のるつぼ１０２、および第２のるつぼ１０３の加熱を停止し、チャンバ１０１内の温度を常温に戻す。続いて、チャンバ１０１内に窒素ガスを供給して、チャンバ１０１内の圧力を大気圧に戻す。続いて、チャンバ１０１からシンチレータ３が形成されたアレイ基板２（基板２１）を取り出す。 When the thickness of the scintillator 3 reaches a predetermined value, the shutter 104 is moved to shut off the supply of steam. The thickness of the scintillator 3 can be, for example, about 600 μm.
Thereafter, the heating of the array substrate 2 (substrate 21), the first crucible 102, and the second crucible 103 is stopped, and the temperature in the chamber 101 is returned to room temperature. Subsequently, nitrogen gas is supplied into the chamber 101 to return the pressure in the chamber 101 to the atmospheric pressure. Subsequently, the array substrate 2 (substrate 21) on which the scintillator 3 is formed is taken out from the chamber 101.

次に、シンチレータ３の側面３ａ、３ｂの角度θ１、θ２の形成について説明する。
前述したように、材料の蒸気は、マスク１０６の開口１０６ａの周縁を回り込んでアレイ基板２（基板２１）の表面に到達する。そのため、シンチレータ３の周縁近傍は、外側になるに従い厚みが薄くなるので、傾斜した側面３ａ、３ｂが形成される。
すなわち、角度θ１、θ２が形成される要因には、まず、開口１０６ａとアレイ基板２（基板２１）との間の隙間がある。ただし、マスク１０６の開口１０６ａの周縁近傍にも、ヨウ化セシウムの蒸気による蒸着膜が形成される。そのため、マスク１０６に形成された蒸着膜も角度θ１、θ２の形成に影響する。
さらに、マスク１０６の熱膨張率と、アレイ基板２（基板２１）の熱膨張率との差も角度θ１、θ２の形成に影響する。
例えば、アレイ基板２の熱膨張率は、３．８×１０−６／℃程度である。アレイ基板２の大きさが４００ｍｍ程度の場合、約０．２ｍｍの熱膨張がある。これに対して、マスク１０６の材料に、ステンレス、アルミニウム、チタン、インバー材を用いた場合には、それぞれの熱膨張率は、１７．３×１０−６／℃、２３×１０−６／℃、８．４×１０−６／℃、０×１０−６／℃となる。そのため、それぞれの熱膨張は、１．０ｍｍ、１．４ｍｍ、０．５ｍｍ、０ｍｍとなる。従って、蒸着工程による加熱により、マスク１０６は、アレイ基板２に対して、それぞれ、０．８ｍｍ、１．２ｍｍ、０．３ｍｍ、−０．２ｍｍ膨張することになる。なお、相対膨張が負になることは、アレイ基板２の方が膨張していることを意味する。
この様な膨張差が、角度θ１、θ２の形成に影響する。 Next, the formation of the angles θ1 and θ2 of the side surfaces 3a and 3b of the scintillator 3 will be described.
As described above, the vapor of the material goes around the periphery of the opening 106 a of the mask 106 to reach the surface of the array substrate 2 (substrate 21). Therefore, since the thickness of the vicinity of the peripheral edge of the scintillator 3 becomes thinner toward the outer side, inclined side surfaces 3a and 3b are formed.
That is, the factor in which the angles θ1 and θ2 are formed is, first, a gap between the opening 106a and the array substrate 2 (substrate 21). However, a vapor deposition film of cesium iodide vapor is also formed in the vicinity of the periphery of the opening 106 a of the mask 106. Therefore, the vapor deposition film formed on the mask 106 also affects the formation of the angles θ1 and θ2.
Furthermore, the difference between the thermal expansion coefficient of the mask 106 and the thermal expansion coefficient of the array substrate 2 (substrate 21) also affects the formation of the angles θ1 and θ2.
For example, the thermal expansion coefficient of the array substrate 2 is about 3.8 × 10 −6 / ° C. When the size of the array substrate 2 is about 400 mm, there is a thermal expansion of about 0.2 mm. On the other hand, when stainless steel, aluminum, titanium, or invar material is used as the material of the mask 106, the respective thermal expansion coefficients are 17.3 × 10 −6 / ° C., 23 × 10 −6 / ° C. , 8.4 × 10 −6 / ° C., 0 × 10 −6 / ° C. Therefore, the respective thermal expansions are 1.0 mm, 1.4 mm, 0.5 mm, and 0 mm. Therefore, the mask 106 expands with respect to the array substrate 2 by 0.8 mm, 1.2 mm, 0.3 mm, and -0.2 mm, respectively, by heating in the vapor deposition process. The fact that the relative expansion is negative means that the array substrate 2 is expanded.
Such expansion difference affects the formation of the angles θ1 and θ2.

次に、シンチレータ３の形成、および、角度θ１、θ２の形成についてさらに説明する。
なお、以下においては、アレイ基板２にシンチレータ３を形成する場合を例示するが、基板２１にシンチレータ３を形成する場合も同様とすることができる。
まず、シンチレータ３の形成について説明する。
図７（ａ）〜（ｄ）は、比較例に係るシンチレータ３の形成を例示するための模式工程断面図である。
なお、図７（ａ）〜（ｄ）は、マスク１０６の熱膨張率がアレイ基板２の熱膨張率よりも大きい場合である。 Next, the formation of the scintillator 3 and the formation of the angles θ1 and θ2 will be further described.
In addition, although the case where the scintillator 3 is formed in the array substrate 2 is illustrated below, the case where the scintillator 3 is formed in the substrate 21 can be the same.
First, the formation of the scintillator 3 will be described.
FIGS. 7A to 7D are schematic process sectional views for illustrating the formation of the scintillator 3 according to the comparative example.
FIGS. 7A to 7D show the case where the thermal expansion coefficient of the mask 106 is larger than the thermal expansion coefficient of the array substrate 2.

図７（ａ）は、加熱前（蒸着前）の状態、すなわち、常温時の状態を表している。
図７（ａ）に示すように、アレイ基板２の寸法公差を考慮して、アレイ基板２とマスク１０６の間には、距離Ｌｉが設けられている。また、有効画素領域２ｇよりも少し外側にまで、シンチレータ３の厚みが一定の部分が形成されるように、有効画素領域２ｇと開口１０６ａとの間にも距離Ｄｉを設けている。また、凹状の載置部１０６ｂの底面１０６ｂ１には凹部１０６ｃが設けられている。 FIG. 7A shows the state before heating (before vapor deposition), that is, the state at normal temperature.
As shown in FIG. 7A, in consideration of the dimensional tolerance of the array substrate 2, a distance Li is provided between the array substrate 2 and the mask. Further, a distance Di is also provided between the effective pixel area 2g and the opening 106a so that a portion having a constant thickness of the scintillator 3 is formed to the outside slightly beyond the effective pixel area 2g. Further, a concave portion 106c is provided on the bottom surface 106b1 of the concave mounting portion 106b.

図７（ｂ）は、蒸着開始直後の状態を表している。
蒸着時には、蒸着前よりも温度が上昇する。この場合、マスク１０６の膨張量はアレイ基板２の膨張量よりも大きいので、距離Ｌｆは距離Ｌｉよりも大きくなり、距離Ｄｆは距離Ｄｉよりも大きくなる。アレイ基板２の上には蒸着膜３１が形成される。また、蒸着膜３１はマスク１０６の上にも形成される。
この場合、マスク１０６の開口１０６ａの周縁を回り込んで凹部１０６ｃ側に侵入した蒸気は、アレイ基板２の外側になるほどアレイ基板２の表面に到達し難くなるので、シンチレータの側面が傾斜する。 FIG. 7 (b) shows the state immediately after the start of vapor deposition.
During vapor deposition, the temperature rises more than before vapor deposition. In this case, since the expansion amount of the mask 106 is larger than the expansion amount of the array substrate 2, the distance Lf is larger than the distance Li, and the distance Df is larger than the distance Di. A vapor deposition film 31 is formed on the array substrate 2. The vapor deposition film 31 is also formed on the mask 106.
In this case, the vapor that has entered the periphery of the opening 106a of the mask 106 and has entered the recess 106c side is less likely to reach the surface of the array substrate 2 as it gets closer to the outside of the array substrate 2, and the side surface of the scintillator is inclined.

図７（ｃ）は、蒸着膜３１が所望の厚みとなった場合、すなわち、シンチレータ３が形成された場合を表している。
温度は、図７（ｂ）の場合よりも上昇する。そのため、距離Ｄｌは距離Ｄｆよりも大きくなる。 FIG. 7C shows the case where the vapor deposition film 31 has a desired thickness, that is, the case where the scintillator 3 is formed.
The temperature is higher than in the case of FIG. 7 (b). Therefore, the distance Dl is larger than the distance Df.

図７（ｄ）は、冷却時の状態を表している。
温度が下降すると、マスク１０６の膨張量はアレイ基板２の膨張量よりも小さくなるので、距離Ｄｉは距離Ｄｌよりも小さくなる。この際、マスク１０６の開口１０６ａの内壁に形成された蒸着膜と、シンチレータ３の側面との間の距離が短くなり、干渉による剥がれが発生するおそれがある。しかしながら、マスク１０６には凹部１０６ｃが設けられているので、凹部１０６ｃの内部にシンチレータ３の最周辺部が収納される。そのため、蒸着膜とシンチレータ３の側面との干渉を抑制し、剥がれの発生を防止することができる。
以上は、マスク１０６の熱膨張率がアレイ基板２の熱膨張率よりも大きい場合である。
マスク１０６の熱膨張率がアレイ基板２の熱膨張率よりも小さい場合には、膨張量の関係が逆になるが、シンチレータの側面が傾斜することに変わりはない。 FIG. 7 (d) shows the state at the time of cooling.
When the temperature decreases, the expansion amount of the mask 106 becomes smaller than the expansion amount of the array substrate 2, so the distance Di becomes smaller than the distance Dl. At this time, the distance between the vapor deposition film formed on the inner wall of the opening 106 a of the mask 106 and the side surface of the scintillator 3 becomes short, and there is a possibility that peeling due to interference may occur. However, since the concave portion 106 c is provided in the mask 106, the outermost peripheral portion of the scintillator 3 is accommodated in the concave portion 106 c. Therefore, interference with a vapor deposition film and the side surface of the scintillator 3 can be suppressed, and generation | occurrence | production of peeling can be prevented.
The above is the case where the thermal expansion coefficient of the mask 106 is larger than the thermal expansion coefficient of the array substrate 2.
When the thermal expansion coefficient of the mask 106 is smaller than the thermal expansion coefficient of the array substrate 2, the relation of the expansion amount is reversed, but the side of the scintillator is not inclined.

次に、角度θ１、θ２の形成について説明する。
図８（ａ）〜（ｃ）は、角度θ１、θ２の形成を例示するための模式図である。
図７（ａ）〜（ｄ）に例示をした比較例においては、アレイ基板２の側端面と、載置部１０６ｂの側壁との間に隙間を設けている。
これに対して、図８（ａ）〜（ｃ）に例示をしたものにおいては、アレイ基板２の一方の側端面と、載置部１０６ｂの側壁とを接触させている。
また、図８（ａ）〜（ｃ）は、マスク１０６の熱膨張率がアレイ基板２の熱膨張率よりも大きい場合である。 Next, formation of the angles θ1 and θ2 will be described.
FIGS. 8A to 8C are schematic views for illustrating the formation of the angles θ1 and θ2.
In the comparative example illustrated in FIGS. 7A to 7D, a gap is provided between the side end surface of the array substrate 2 and the side wall of the mounting portion 106b.
On the other hand, in the examples illustrated in FIGS. 8A to 8C, one side end surface of the array substrate 2 is in contact with the side wall of the mounting portion 106b.
8A to 8C show cases where the thermal expansion coefficient of the mask 106 is larger than the thermal expansion coefficient of the array substrate 2.

図８（ａ）は、加熱前（蒸着前）の状態、すなわち、常温時の状態を表している。
図８（ａ）に示すように、有効画素領域２ｇは、左側に偏在している。すなわち、右側が配線パッド２ｄ１または配線パッド２ｄ２が設けられた側となる。
この場合、アレイ基板２の右側の端面を載置部１０６ｂの側壁に接触させることができる。すなわち、前述した距離Ｌｉを０（ゼロ）としている。そのため、左側の距離Ｌｉは、図７（ａ）の場合よりも大きくなっている。また、有効画素領域２ｇと左側の開口１０６ａとの間の距離Ｄｉａは、有効画素領域２ｇと右側の開口１０６ａとの間の距離Ｄｉｂよりも大きくなっている。 FIG. 8A shows a state before heating (before vapor deposition), that is, a state at normal temperature.
As shown in FIG. 8A, the effective pixel area 2g is unevenly distributed on the left side. That is, the right side is the side on which the wiring pad 2d1 or the wiring pad 2d2 is provided.
In this case, the right end face of the array substrate 2 can be brought into contact with the side wall of the mounting portion 106 b. That is, the above-described distance Li is set to 0 (zero). Therefore, the distance Li on the left side is larger than in the case of FIG. 7 (a). Further, the distance Dia between the effective pixel area 2g and the left opening 106a is larger than the distance Dib between the effective pixel area 2g and the right opening 106a.

図８（ｂ）は、蒸着開始直後の状態を表している。
蒸着時には、蒸着前よりも温度が上昇する。そのため、マスク１０６が膨張し、距離Ｌｆは距離Ｌｉよりも大きくなる。アレイ基板２の右側の端面は載置部１０６ｂの側壁に接触しているので、距離Ｄｆａは距離Ｄｉａと同じとなる。一方、距離Ｄｆｂは距離Ｄｉｂよりも大きくなる。 FIG. 8B shows the state immediately after the start of vapor deposition.
During vapor deposition, the temperature rises more than before vapor deposition. Therefore, the mask 106 expands and the distance Lf becomes larger than the distance Li. The right end face of the array substrate 2 is in contact with the side wall of the mounting portion 106b, so the distance Dfa is equal to the distance Dia. On the other hand, the distance Dfb is larger than the distance Dib.

図８（ｃ）は、蒸着膜３１が所望の厚みとなった場合、すなわち、シンチレータ３が形成された場合を表している。
温度は、図８（ｂ）の場合よりも上昇する。そのため、距離Ｌｌはさらに大きくなる。
アレイ基板２の右側の端面は載置部１０６ｂの側壁に接触しているので、距離Ｄｌａは距離Ｄｆａと同じとなる。一方、距離Ｄｌｂは距離Ｄｆｂよりも大きくなる。マスク１０６に付着した膜も厚くなる。距離Ｄｌｂが大きくなるとシンチレータ３の側面に蒸気が供給されやすくなるので、角度θ１が図７（ｃ）の場合に比べて大きくなる。一方、角度θ２は、図７（ｃ）の場合と同じか小さくなる。
この様にすれば、シンチレータ３の一方の側の側面３ａとアレイ基板２とがなす角度θ１が、これと反対側の側面３ｂとアレイ基板２とがなす角度θ２よりも大きくなる。 FIG. 8C shows the case where the vapor deposition film 31 has a desired thickness, that is, the case where the scintillator 3 is formed.
The temperature is higher than in the case of FIG. 8 (b). Therefore, the distance Ll is further increased.
Since the right end face of the array substrate 2 is in contact with the side wall of the mounting portion 106b, the distance Dla is equal to the distance Dfa. On the other hand, the distance Dlb is larger than the distance Dfb. The film attached to the mask 106 also becomes thicker. As the distance Dlb increases, steam is easily supplied to the side surface of the scintillator 3, so the angle θ1 becomes larger than that in the case of FIG. 7C. On the other hand, the angle θ2 is the same as or smaller than that in the case of FIG. 7 (c).
In this way, the angle θ1 formed by the side surface 3a on one side of the scintillator 3 and the array substrate 2 is larger than the angle θ2 formed by the side surface 3b on the opposite side and the array substrate 2.

なお、マスク１０６の熱膨張率がアレイ基板２の熱膨張率よりも小さい場合には、アレイ基板２と載置部１０６ｂが接触する側の角度が大きくなる。例えば、図８（ｃ）におけるシンチレータ３の右側の側面の角度が大きくなる。そのため、左側が配線パッド２ｄ１または配線パッド２ｄ２が設けられた側とすればよい。   When the thermal expansion coefficient of the mask 106 is smaller than the thermal expansion coefficient of the array substrate 2, the angle on the side where the array substrate 2 and the placement unit 106b are in contact is large. For example, the angle of the right side surface of the scintillator 3 in FIG. 8C is increased. Therefore, the left side may be the side on which the wiring pad 2d1 or the wiring pad 2d2 is provided.

図９は、マスク１０６に載置されたアレイ基板２を例示するための模式平面図である。
なお、図９は、平面形状が長方形のアレイ基板２の場合である。
図９は、マスク１０６の熱膨張率がアレイ基板２の熱膨張率よりも大きい場合である。
例えば、マスク１０６の材料がステンレスの場合である。
図９に示すように、有効画素領域２ｇとアレイ基板２の端面との間の距離が長く、シンチレータ３の側面の角度を小さくできる側の端面を、載置部１０６ｂの側壁に接触させる。 FIG. 9 is a schematic plan view for illustrating the array substrate 2 mounted on the mask 106. As shown in FIG.
FIG. 9 shows the case of the array substrate 2 having a rectangular planar shape.
FIG. 9 shows the case where the thermal expansion coefficient of the mask 106 is larger than the thermal expansion coefficient of the array substrate 2.
For example, the material of the mask 106 is stainless steel.
As shown in FIG. 9, the distance between the effective pixel area 2g and the end face of the array substrate 2 is long, and the end face on the side where the angle of the side face of the scintillator 3 can be reduced is brought into contact with the side wall of the mounting portion 106b.

図１０（ａ）〜（ｃ）は、シンチレータ３が形成されたアレイ基板２を例示するための模式図である。
なお、図１０（ａ）は、シンチレータ３が形成されたアレイ基板２の模式平面図である。
図１０（ｂ）、（ｃ）は、当該アレイ基板２の模式側面図である。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、有効画素領域２ｇは、アレイ基板２の左上側に偏在している。また、シンチレータ３の、角度が小さい側面３ｂは、アレイ基板２の、配線パッド２ｄ１、２ｄ２が設けられる側にある。シンチレータ３の、角度が大きい側面３ａは、アレイ基板２の、配線パッド２ｄ１、２ｄ２が設けられる側とは反対側にある。
なお、以上に説明したものは、アレイ基板２を備えたＸ線検出モジュール１０の場合であるが、基板２１を備えたシンチレータパネル２０の場合も同様である。 FIGS. 10A to 10C are schematic views for illustrating the array substrate 2 on which the scintillator 3 is formed.
FIG. 10A is a schematic plan view of the array substrate 2 on which the scintillator 3 is formed.
FIGS. 10B and 10C are schematic side views of the array substrate 2.
As shown in FIGS. 10A to 10C, the effective pixel area 2g is unevenly distributed on the upper left side of the array substrate 2. The side surface 3 b of the scintillator 3 having a small angle is located on the side of the array substrate 2 where the wiring pads 2 d 1 and 2 d 2 are provided. The side surface 3a of the scintillator 3 having a large angle is opposite to the side of the array substrate 2 on which the wiring pads 2d1 and 2d2 are provided.
Although the above description is for the X-ray detection module 10 provided with the array substrate 2, the same applies to the scintillator panel 20 provided with the substrate 21.

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。   While certain embodiments of the present invention have been illustrated, these embodiments have been presented by way of example only, and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in other various forms, and various omissions, replacements, changes, and the like can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and the gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalent scope thereof. In addition, the embodiments described above can be implemented in combination with each other.

１ Ｘ線検出器、２ アレイ基板、２ａ 基板、２ｂ 光電変換部、２ｄ１ 配線パッド、２ｄ２ 配線パッド、２ｇ 有効画素領域、３ シンチレータ、３ａ 側面、３ｂ 側面、４ 防湿体、５ 回路基板、６ 画像処理部、１０ Ｘ線検出モジュール、２０ シンチレータパネル、２１ 基板、２２ 防湿体、１０６ マスク、１０６ａ 開口、θ１ 角度、θ２ 角度   1 X-ray detector, 2 array substrate, 2a substrate, 2b photoelectric conversion unit, 2d1 wiring pad, 2d2 wiring pad, 2g effective pixel area, 3 scintillator, 3a side surface, 3b side surface, 4 moistureproof body, 5 circuit substrate, 6 images Processing unit, 10 X-ray detection module, 20 scintillator panel, 21 substrate, 22 moistureproof body, 106 mask, 106a opening, θ1 angle, θ2 angle

Claims (5)

複数の光電変換部を有するアレイ基板と、
前記複数の光電変換部の上に設けられたシンチレータと、
を備え、
前記シンチレータの第１の側面と、前記アレイ基板とがなす角度は、前記第１の側面と反対側の第２の側面と、前記アレイ基板とがなす角度よりも大きい放射線検出モジュール。 An array substrate having a plurality of photoelectric conversion units,
A scintillator provided on the plurality of photoelectric conversion units,
Equipped with
A radiation detection module, wherein an angle formed by a first side surface of the scintillator and the array substrate is larger than an angle formed by a second side surface opposite to the first side surface and the array substrate. 前記アレイ基板の、前記第２の側面が設けられる側の周縁近傍には、複数の配線パッドが設けられている請求項１記載の放射線検出モジュール。   The radiation detection module according to claim 1, wherein a plurality of wiring pads are provided in the vicinity of the peripheral edge of the array substrate on the side where the second side surface is provided. 基板と、
前記基板の上に設けられたシンチレータと、
を備え、
前記シンチレータの第１の側面と、前記基板とがなす角度は、前記第１の側面と反対側の第２の側面と、前記基板とがなす角度よりも大きいシンチレータパネル。 A substrate,
A scintillator provided on the substrate;
Equipped with
A scintillator panel, wherein an angle formed by a first side surface of the scintillator and the substrate is larger than an angle formed by a second side surface opposite to the first side surface and the substrate. 請求項１または２に記載の放射線検出モジュールと、
前記放射線検出モジュールに設けられたアレイ基板に電気的に接続された回路基板と、
を備えた放射線検出器。 A radiation detection module according to claim 1 or 2;
A circuit substrate electrically connected to an array substrate provided in the radiation detection module;
Radiation detector with. 複数の光電変換部を有するアレイ基板と、
前記複数の光電変換部の上に設けられた請求項３記載のシンチレータパネルと、
前記アレイ基板に電気的に接続された回路基板と、
を備えた放射線検出器。 An array substrate having a plurality of photoelectric conversion units,
4. The scintillator panel according to claim 3, provided on the plurality of photoelectric conversion units,
A circuit substrate electrically connected to the array substrate;
Radiation detector with.
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