JP2019067873A - 回路基板及び回路モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】電極パッドにボンディングワイヤを安定して接合できる回路基板及び回路モジュールを提供する。【解決手段】本発明の一形態に係る回路基板は、第１多層配線層と、護層とを具備する。上記第１多層配線層は、素子を収容することが可能な凹部と、上記凹部の周縁に一軸方向に配列された複数の第１ボンディングパッドとを有する。上記保護層は、上記第１多層配線層に設けられ、上記複数の第１ボンディングパッドを共通して開口する開口部を有し、上記開口部が上記一軸方向に直交する方向において上記複数の第１ボンディングパッドのそれぞれの長さよりも短い開口幅を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、素子を搭載可能な回路基板及び回路モジュールに関する。

カメラ機能等を備えたモバイル機器のモジュール基板は、部品の多機能化、薄型化を実現するために、より一層の小型化、薄型化が求められている。中でも、メイン基板とモジュールとの接続にフレキシブル基板等を用いる場合、コネクタを用いる手法、モジュール基板とフレキシブル基板とを貼り合わせる手法が知られているが、実装面積の低下、モジュール全体の厚みが増すことが課題となっている。そのため、フレキシブル基板にリジッド部を設けた複合回路基板（リジッド−フレキシブル基板）の採用が進んでいる。

例えば、変形可能なフレキシブル部と、絶縁基材及び絶縁基材に形成された電気回路を含み、フレキシブル部が接続されたリジッド部と、絶縁基材の周縁部に形成され、絶縁基材に内部応力を加えるとともに、絶縁基材よりも剛性の高い絶縁性樹脂から形成された補強部材とを備えた回路基板が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１１−１０８９２９号公報

このような小型化、薄型化が求められる回路基板には、例えば、半導体素子が搭載され、半導体素子と電気的に接続される電極パッドが配置される場合がある。該回路基板において、ボンディングワイヤを電極パッドに確実に接合させるには、電極パッドが所望の面積を有し、さらにワイヤボンディング後に、電極パッドが回路基板から剥がれにくくなっていることが望ましい。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、小型化、薄型化が求められる回路基板において、電極パッドにボンディングワイヤを安定して接合できる回路基板及び回路モジュールを提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る回路基板は、第１多層配線層と、護層とを具備する。上記第１多層配線層は、素子を収容することが可能な凹部と、上記凹部の周縁に一軸方向に配列された複数の第１ボンディングパッドとを有する。上記保護層は、上記第１多層配線層に設けられ、上記複数の第１ボンディングパッドを共通して開口する開口部を有し、上記開口部が上記一軸方向に直交する方向において上記複数の第１ボンディングパッドのそれぞれの長さよりも長い開口幅を有する。

このような回路基板であれば、第１ボンディングパッドと素子とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する場合、上記一対の側部以外の第１ボンディングパッドの上面が保護層から開放されている。この結果、ボンディングワイヤと第１ボンディングパッドとを接合させる面積が稼げる。さらに、ワイヤボンディング工程でボンディングワイヤを第１ボンディングパッド上で引きちぎる際、第１ボンディングパッドの上記一対の側部が保護層により被覆されているので、第１ボンディングパッドが回路基板から剥がれにくくなっている。

上記の回路基板においては、厚さ方向に直交する第１主面及び第２主面を有する第１端部と、上記第１端部とは反対側の第２の端部とを有する可撓性配線基材をさらに具備してもよい。上記第１多層配線層及び上記保護層は、上記第１端部の上記第１主面に設けられてもよい。

このような回路基板であれば、回路基板がフレキシブル部を有し、回路基板のフレキシブル性が向上する。

上記の回路基板においては、上記第１端部の上記第２主面に設けられた第２多層配線層をさらに具備してもよい。

このような回路基板であれば、第１端部の第２主面に第２多層配線層が設けられているため、回路基板の強度がさらに増加する。また、回路基板における配線数が増加する。

上記の回路基板においては、上記第１端部に埋設された板状の補強部材をさらに具備してもよい。上記凹部において上記補強部材が露出されてもよい。

このような回路基板であれば、回路基板が補強部材により補強されたリジッド部とフレキシブル部とを兼ね備える。さらに、補強部材上に素子を搭載することが可能になり、素子の位置あわせ、光学的精度が向上する。

上記の回路基板においては、上記第１多層配線層は、上記凹部の周縁に配列された複数の第２ボンディングパッドをさらに有してもよい。上記複数の第２ボンディングパッドは、上記凹部とは反対側の上記複数の第１ボンディングパッドの外側に配置されてもよい。

このような回路基板であれば、複数の第１ボンディングパッドの外側に複数の第２ボンディングパッドが配列されているので、素子からボンディングワイヤを引き回す自由度が増す。また、第２ボンディングパッドに接続されるボンディングワイヤは、第１ボンディングパッドを選択的に被覆する保護層の存在により、第１ボンディングパッドに接触しにくくなる。

上記の回路基板においては、上記保護層は、上記凹部の内壁に連設する側壁を有し、上記内壁と上記側壁とは段差なく構成されてもよい。

このような回路基板であれば、凹部の内壁と保護層の側壁とが段差なく構成されているので、凹部が保護層によって塞がれることなく凹部内の素子搭載領域が確保される。また、保護層によって被覆された状態で第１ボンディングパッドを凹部近郊に配置することができ、ボンディングワイヤの引き回しが容易になる。

上記の回路基板においては、上記凹部の深さは、上記素子の厚みよりも深く構成されてもよい。

このような回路基板であれば、凹部の深さが記半導体素子の厚みよりも深く構成されているので、凹部に素子が収容されても回路基板からの半導体素子の突出が防止される。

上記の回路基板においては、上記複数の第１ボンディングパッド及び上記複数の第２ボンディングパッドは、上記補強部材の直上に配置されてもよい。

このような回路基板であれば、各ボンディングパッドが補強部材の直上に配置されているため、各ボンディングパッドの下地の剛性が増している。これにより、ボンディングパッドにワイヤボンディングを施しても、ボンディングパッドが沈んだり、ずれたりしにくくなる。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る回路モジュールは、上記回路基板と、半導体素子とを具備する。上記半導体素子は、上記凹部に収容され、ワイヤボンディングを介して上記複数の第１ボンディングパッドのそれぞれに電気的に接続されている。

このような回路モジュールであれば、第１ボンディングパッドと素子とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する場合、上記一対の側部以外の第１ボンディングパッドの上面が保護層から開放されている。この結果、ボンディングワイヤと第１ボンディングパッドとを接合させる面積が稼げる。さらに、ワイヤボンディング工程でボンディングワイヤを第１ボンディングパッド上で引きちぎる際、第１ボンディングパッドの上記一対の側部が保護層により被覆されているので、第１ボンディングパッドが回路基板から剥がれにくくなっている。

上記の回路モジュールにおいては、上記凹部の深さは、上記半導体素子の厚みよりも深く構成されてもよい。

このような回路モジュールであれば、凹部の深さが記半導体素子の厚みよりも深く構成されているので、回路モジュールの薄型化が実現する。

上記の回路モジュールにおいては、上記半導体素子は、固体撮像素子でもよい。

このような回路モジュールであれば、半導体素子が固体撮像素子であるため、該回路モジュールが撮像モジュールとして機能する。

以上述べたように、本発明によれば、小型化、薄型化が求められる回路基板において、電極パッドにボンディングワイヤを安定して接合できる回路基板及び回路モジュールが提供される。

図（ａ）は、第１実施形態に係る回路基板の構成を示す概略平面図である。図（ｂ）は、回路基板の保護層の開口部周辺を示す概略平面図である。 図（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ線方向に沿った断面図である。図（ｂ）は、図１におけるＢ−Ｂ線方向に沿った断面図である。 回路基板の製造方法を説明する概略断面図である。 回路基板の製造方法を説明する概略断面図である。 回路基板のワイヤボンディングの一例を示す模式図である。 第２実施形態に係る回路基板の構成を示す概略平面図である。 図（ａ）は、図６におけるＡ−Ａ線方向に沿った断面図である。図（ｂ）は、図６におけるＢ−Ｂ線方向に沿った断面図である。 回路基板の製造方法を説明する概略断面図である。 回路基板の製造方法を説明する概略断面図である。 回路基板の製造方法を説明する概略断面図である。 第３実施形態に係る回路基板の構成を示す概略平面図である。 第３実施形態に係る回路基板のワイヤボンディングの一例を示す模式図である。 第４実施形態に係る回路基板の構成を示す概略平面図である。 第５実施形態に係る回路基板の構成を示す概略断面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。各図においてＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、相互に直交する３軸方向を示しており、Ｚ軸方向は、回路基板の厚み方向に相当する。Ｘ軸、Ｙ軸は、水平方向に相当する。

（第１実施形態）

図１（ａ）は、第１実施形態に係る回路基板の構成を示す概略平面図である。図１（ｂ）は、回路基板の保護層の開口部周辺を示す概略平面図である。

図２（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ線方向に沿った断面図である。図２（ｂ）は、図１におけるＢ−Ｂ線方向に沿った断面図である。

［回路基板］

図１（ａ）に示すように、回路基板１は、第１基板本体１０と、第２基板本体２０とを有する。第２基板本体２０は、第１基板本体１０を介して制御基板３０に接続されている。回路基板１は、第１基板本体１０、第２基板本体２０及び制御基板３０が一体的に構成される。第１基板本体１０には、半導体素子２７１を収容することが可能な凹部２８ｈが設けられる。図１（ａ）には、半導体素子２７１が凹部２８ｈに収容された状態が例示されている。第１基板本体１０及び第２基板本体２０と、制御基板３０とは別部品として構成されてもよい。

凹部２８ｈの周縁には、一軸方向に配列された複数のボンディングパッド２６１（第１ボンディングパッド）が配置される。ここで、一軸方向とは、例えば、Ｘ軸方向またはＹ軸方向を意味し、1つの方向に限らない。例えば、図１（ａ）の例では、Ｘ軸方向に配列された複数のボンディングパッド２６１の２つの群がＹ軸方向で対向している。一方、Ｙ軸方向に配列された複数のボンディングパッド２６１の２つの群がＸ軸方向で対向している。

回路基板１の表面には、保護層３００が設けられる。保護層３００は、複数のボンディングパッド２６１を共通して開口する複数の開口部３０１を有する。例えば、Ｘ軸方向に延在する開口部３０１は、Ｙ軸方向に対向し、Ｙ軸方向に延在する開口部３０１は、Ｘ軸方向に対向する。図１（ｂ）には、開口部３０１として、Ｘ軸方向に延在する開口部３０１付近を拡大した図が示されている。

Ｘ軸方向に沿って延在する開口部３０１は、Ｘ軸方向における開口幅ＷＸと、Ｙ軸方向における開口幅ＷＹとを有する。開口幅ＷＸは、開口幅ＷＹよりも広い。開口幅ＷＹは、Ｙ軸方向において複数のボンディングパッド２６１のそれぞれの長さよりも長くなっている。

ボンディングパッド２６１は、上面２６１１と、Ｘ軸方向に沿って相対する側面２６１２、２６１３と、Ｙ軸方向に沿って相対する側面２６１４、２６１５とを有する。ボンディングパッド２６１は、上面２６１１に相対する位置に下面を有している。

ボンディングパッド２６１において、側面２６１４と、側面２６１４に連なる上面２６１１の一部と、側面２６１４に連なる側面２６１２の一部と、側面２６１４に連なる側面２６１３の一部とが保護層３００により被覆されている。ボンディングパッド２６１における、この被覆された部分を側部２６１ａとする。

また、ボンディングパッド２６１において、側面２６１５と、側面２６１５に連なる上面２６１１の一部と、側面２６１５に連なる側面２６１２の一部と、側面２６１５に連なる側面２６１３の一部とが保護層３００により被覆されている。ボンディングパッド２６１における、この被覆された部分を側部２６１ｂとする。

すなわち、ボンディングパッド２６１は、Ｙ軸方向に相対する一対の側部２６１ａ、２６１ｂが保護層３００により被覆されている。なお、Ｙ軸方向に延在する開口部３０１においては、Ｘ軸方向に相対する一対の側部２６１ａ、２６１ｂが保護層３００により被覆されている。

ボンディングパッド２６１は、Ｘ軸方向に沿った長さＬＸと、Ｙ軸方向に沿った長さＬＹとを有する。長さＬＹは、長さＬＸよりも長い。例えば、ボンディングパッド２６１は、ボンディングワイヤ２６５が延在する方向が長手方向になる。複数のボンディングパッド２６１のそれぞれの上面２６１１には、半導体素子２７１に電気的に接続されたボンディングワイヤ２６５が接続されている。

回路基板１と半導体素子２７１とにより、回路モジュールが構成される。半導体素子２７１が固体撮像素子の場合、該回路モジュールは、撮像モジュールとして機能する。

（第１基板本体）

第１基板本体１０は、可撓性配線基材１１の第２端部１１ｂを含む。可撓性配線基材１１は、第１基板本体１０のみを構成するのではなく、第２基板本体２０及び制御基板３０のそれぞれにも組み込まれる。可撓性配線基材１１の構成について説明する。

可撓性配線基材１１は、例えば、Ｘ軸方向を長手方向とし、Ｙ軸方向を短手方向（幅方向）とする。可撓性配線基材１１は、第１端部１１ａと、第１端部１１ａに接続され、第１端部１１ａとは反対側の第２の端部１１ｂとを有する。第１端部１１ａは、主面１１ｕ（第１主面）及び主面１１ｄ（第２主面）を有する。第１端部１１ａは、主面１１ｕは、可撓性配線基材１１の上面であり、主面１１ｄは、可撓性配線基材１１の下面である。主面１１ｕ、１１ｄのそれぞれは、厚さ方向（Ｚ軸方向）に直交する。

可撓性配線基材１１は、積層体であって、樹脂コア１１０と、樹脂コア１１０の両面に設けられた配線層１１１、１１２と、配線層１１１、１１２を被覆する絶縁層１１３、１１４とを有する。

樹脂コア１１０は、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート等の単層又は多層の可撓性プラスチックフィルムで構成される。配線層１１１、１１２は、例えば、銅、アルミニウム等の金属材料で構成される。また、絶縁層１１３、１１４は、接着層を有するポリイミド等の可撓性プラスチックフィルムで構成される。

配線層１１１は、樹脂コア１１０の適宜の位置に設けられたスルーホールあるいはビアを介して配線層１１２に電気的に接続される。可撓性配線基材１１の配線層は、図示する２層に限られず、１層または３層以上であってもよい。

可撓性配線基材１１の第２端部１１ｂは、第１基板本体１０の一部となし、制御基板３０に組み込まれる。可撓性配線基材１１の第１端部１１ａは、第２基板本体２０に組み込まれる。第１基板本体１０は、回路基板１におけるフレキシブル部を構成する。すなわち、第１基板本体１０が第２基板本体２０と制御基板３０との間に介在することで、第２基板本体２０と制御基板３０との相対距離、制御基板３０に対する第２基板本体２０の角度等を所定の範囲で変えることができる。

（第２基板本体）

第２基板本体２０は、可撓性配線基材１１の第１端部１１ａと、多層配線層２８１（第１多層配線層）と、多層配線層２８２（第２多層配線層）とを有する。可撓性配線基材１１の第１端部１１ａは、第２基板本体２０の芯材（コア）を構成する。回路基板１においては、多層配線層２８１、２８２によって機会的強度が補強される。すなわち、第１端部１１ａの双方の主面１１ｕ、１１ｄに多層配線層が設けられているため、第１端部１１ａが補強される。また、第１端部１１ａの双方の主面１１ｕ、１１ｄに多層配線層が設けられる結果、配線数も増加する。

第２基板本体２０において、第１端部１１ａの主面１１ｄの反対側には、凹部２８ｈが設けられる。凹部２８ｈには、半導体素子２７１が収容される。凹部２８ｈの底面は、例えば、半導体素子２７１を搭載可能な平坦面となっている。凹部２８ｈの底面には、接合部材２７５を介して半導体素子２７１がフェイスアップ方式で実装される。さらに、半導体素子２７１は、ボンディングワイヤ２６５を介してボンディングパッド２６１に電気的に接続されている。凹部２８ｈの深さは、半導体素子２７１の厚みよりも深く構成されている。半導体素子２７１の厚みは、特に限定されず、例えば、１５０μｍ以下とされる。これにより、回路モジュールの薄型化が実現する。

図２（ａ）、（ｂ）の例では、凹部２８ｈの底面が第１端部１１ａの主面１１ｕにより構成されているが、凹部２８ｈの底面は、第１端部１１ａの主面１１ｕからさらに掘り下げられた面により構成されてもよく、多層配線層２８１の途中まで掘り下げられた面により構成されてもよい。半導体素子２７１は、半導体素子２７１の撮像面２７１ａと、凹部２８ｈの底面とが相互に平行となるように第２基板本体２０上に搭載される。

半導体素子２７１は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ（Complementary MOS）等の固体撮像素子（光学センサ）である。回路基板１と半導体素子２７１とを含めて、回路モジュールとすることができる。半導体素子が固体撮像素子であるときは、この回路モジュールは、撮像モジュールとして機能する。なお、半導体素子２７１としては、圧力センサ、加速度センサ等のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）センサ等が採用されてもよい。

凹部２８ｈの平面形状は、特に限定されず、半導体素子２７１の平面形状に応じて設定される。例えば、凹部２８ｈ及び半導体素子２７１のそれぞれを半導体素子２７１の厚み方向（Ｚ軸方向）に投影した場合、半導体素子２７１は、凹部２８ｈに包含されている。例えば、凹部２８ｈの平面形状は、半導体素子２７１を収容可能な大きさの矩形状に形成される。凹部２８ｈの平面形状の大きさは、特に限定されず、例えば、各辺の長さが５ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定される。凹部２８ｈの深さは、特に限定されず、例えば、１３０μｍ以上１５０μｍ以下に設定される。

多層配線層２８１は、絶縁層２１１と、配線２２１と、絶縁層２５１と、複数のボンディングパッド２６１とを含む。多層配線層２８２は、絶縁層２１２と、配線２２２と、絶縁層２５２とを含む。多層配線層２８１は、第１端部１１ａの主面１１ｕに設けられている。多層配線層２８２は、第１端部１１ａの主面１１ｄに設けられている。

多層配線層２８１、２８２において、絶縁層２１１は、第１端部１１ａの主面１１ｕに配置され、絶縁層２１２は、第１端部１１ａの主面１１ｄに配置される。配線２２１は、絶縁層２１１の表面に設けられる。配線２２２は、絶縁層２１２の表面に設けられる。配線２２１、２２２は、いわゆる導体パターンである。

配線２２１、２２２は、第１基板本体１０を構成する可撓性配線基材１１に電気的に接続される。さらに、配線２２１、２２２は、第２基板本体２０の表面に配置されたボンディングパッド２６１に電気的に接続されたり、半導体素子２７１を可撓性配線基材１１に電気的に接続する再配線層等を構成したりする。

配線２２１、２２２は、単層構造に限られず、多層構造であってもよい。また、配線２２１、２２２の双方が設けられる場合に限られず、いずれか一方のみが設けられてもよい。

絶縁層２５１は、絶縁層２１１及び配線２２１を被覆する。絶縁層２５２は、絶縁層２１２及び配線２２２を被覆する。絶縁層２５１、２５２のそれぞれは、適宜の位置に配線２２１、２２２の表面の一部が露出する開口部を有してもよい。

ボンディングパッド２６１は、絶縁層２５１上に配置される。ボンディングパッド２６１は、例えば、ワイヤボンディング用のボンディングパッドである。

保護層３００は、第１端部１１ａの第１主面１１ｕ側に設けられる。例えば、保護層３００は、多層配線層２８１上に設けられる。保護層３００は、複数のボンディングパッド２６１のそれぞれを選択的に被覆する。保護層３００は、凹部２８ｈの内壁２８ｗに連設する側壁３００ｗを有する。

内壁２８ｗと側壁３００ｗとは、Ｚ軸方向に沿って段差なく構成されている。これにより、凹部２８ｈは、保護層３００によって塞がれることなく凹部２８ｈ内の素子搭載領域が確保される。また、ボンディングパッド２６１が保護層３００によって被覆された状態でボンディングパッド２６１を凹部２８ｈ近郊に配置することができ、ボンディングワイヤ２６５の引き回しが容易になる。

回路基板１においては、多層配線層２８１、２８２によって、第２基板本体２０の外形が構成される。多層配線層２８１、２８２の平面形状は、例えば、図１に示すようにＸ軸方向に長手の矩形状に形成される。多層配線層２８１、２８２の平面形状の大きさは、特に限定されない。例えば、多層配線層２８１、２８２の平面形状において、長辺は、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下、短辺は、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下、厚みは、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とされる。第１端部１１ａは、図１に示すように、第２基板本体２０と同一の形状、大きさに形成されるが、これに限られず、第２基板本体２０よりも大きく、または小さく構成されてもよい。

絶縁層２１１、２１２、２５１、２５２は、合成樹脂材料によって構成される。合成樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ＢＴレジン等の汎用の熱硬化性樹脂材料が用いられる。これらの合成樹脂材料には、所望とする機械的強度を付与するために、例えば、ガラス繊維、ガラスクロス、酸化物粒子等のフィラー（充填材）が含有されてもよい。絶縁層２１１、２１２、２５１、２５２は、それぞれ同一の樹脂材料で構成されてもよいし、相互に異なる樹脂材料で構成されてもよい。

配線２２１、２２２は、例えば、銅、アルミニウム等の金属材料あるいは金属ペーストの硬化物で構成される。

保護層３００は、例えば、絶縁材料を含み、その材料としては、エポキシ樹脂等があげられるが、この例に限らない。

接合部材２７５は、例えば、ハンダ材、金属ペースト、樹脂製接着剤、両面テープ等で構成される。

（制御基板）

制御基板３０は、ＩＣ等の集積回路、その周辺部品等が搭載されるメイン基板に相当し、第１基板本体１０を介して第２基板本体２０と電気的に接続される。制御基板３０は、例えば、第２基板本体２０よりも大面積の両面基板で構成される。

制御基板３０は、可撓性配線基材１１の第２端部１１ｂと、その両面にそれぞれ設けられた多層配線部３１、３２との積層体で構成される。多層配線部３１、３２は、例えば、ビルドアップ法によって作製される。多層配線部３１、３２を構成する層間絶縁膜は、ガラスエポキシ系のリジッド性を有する材料で構成されてもよく、この場合、制御基板３０は、リジッド基板として構成される。

（回路基板の製造方法）

回路基板１の製造方法について説明する。

図３（ａ）〜図４（ｄ）は、回路基板の製造方法を説明する概略断面図である。

まず、図３（ａ）に示すように、第１基板本体１０及び第２基板本体２０を構成する可撓性配線基材１１が準備される。

次に、図３（ｂ）に示すように、可撓性配線基材１１の主面１１ｕを被覆する絶縁層２１１と、可撓性配線基材１１の主面１１ｄを被覆する絶縁層２１２が形成される。絶縁層２１１、２１２の形成方法は、特に限定されず、塗布法、転写法、ラミネート法等の適宜の手法が採用可能である。

続いて、絶縁層２１１の表面に配線２２１が形成され、絶縁層２１２の表面に、配線２２２が形成される。配線２２１、２２２は、メッキ法、エッチング法等の適宜のパターン形成方法が採用可能である。

次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁層２１１、２１２を部分的に被覆する絶縁層２５１、２５２がそれぞれ形成され、さらに、第１基板本体１０の形成領域内にある絶縁層２１１、２１２が部分的に除去される。

次に、図３（ｄ）に示すように、絶縁層２５１上に、ボンディングパッド２６１がパターニングされる。ボンディングパッド２６１は、メッキ法、エッチング法等の適宜のパターン形成方法が採用可能である。ボンディングパッド２６１は、例えば、配線２２１に電気的に接続される。ボンディングパッド２６１は、配線２２２に電気的に接続されてもよい。

続いて、絶縁層２５１を被覆するとともに、ボンディングパッド２６１を選択的に被覆する保護層３００が形成される。保護層３００の形成方法は、特に限定されず、塗布法、転写法、ラミネート法等の適宜の手法が採用可能である。

次に、図４（ａ）に示すように、第１端部１１ａの所定領域に、凹部２８ｈが形成される。凹部２８ｈの形成方法は、特に限定されず、打ち抜き、切削等の機械加工、レーザ加工等の適宜の手法が採用可能である。この加工によって、内壁２８ｗと側壁３００ｗとは、Ｚ軸方向に沿って段差なく形成される。

これにより、第１基板本体１０及び第２基板本体２０、及び制御基板３０を備えた回路基板１が作製される。

この後、図４（ｂ）に示すように、凹部２８ｈに半導体素子２７１が実装される。例えば、半導体素子２７１は、フェイスアップ方式により、接合部材２７５を介して凹部２８ｈの底面に実装される。

さらに、図４（ｃ）に示すように、ワイヤボンディングによって、半導体素子２７１と、ボンディングパッド２６１とがボンディングワイヤ２６５を介して電気的に接続される。

（回路基板の作用）

図５（ａ）〜図５（ｃ）は、回路基板のワイヤボンディングの一例を示す模式図である。

図５（ａ）に示すように、半導体素子２７１の電極端子２７１ｅにボンディングワイヤ２６５の一端を電気的に接続した後、キャピラリ５００の先端からボンディングワイヤ２６５を繰り出しながら、キャピラリ５００の先端をボンディングパッド２６１の直上に位置させる。

次に、図５（ｂ）に示すように、キャピラリ５００を降下させ、ボンディングワイヤ２６５の他端をボンディングパッド２６１に押圧するとともに、ボンディングパッド２６１に超音波を印加し、ボンディングワイヤ２６５の他端をボンディングパッド２６１に接合させる。この際、ボンディングワイヤ２６５がキャピラリ５００によってボンディングパッド２６１側に押圧されることから、ボンディングワイヤ２６５には負荷力Ｆ１が与えられる。例えば、負荷力Ｆ１の向きは、Ｘ−Ｚ軸平面に略平行である。

次に、図５（ｃ）に示すように、クランプ５０１を閉じキャピラリ５００をボンディングパッド２６１から上昇させ、ボンディングワイヤ２６５を接合箇所から切断する。切断の際、接合箇所には、必要に応じて超音波を印加してもよい。ボンディングワイヤ２６５が接合箇所から切断から切断された後、キャピラリ５００の押圧力から開放されたボンディングワイヤ２６５には、負荷力Ｆ１と反対側の復元力Ｆ２が発生する。復元力Ｆ２は、例えば、ボンディングワイヤ２６５に沿って働く。例えば、復元力Ｆ２の向きは、Ｘ−Ｚ軸平面に略平行である。

ここで、ボンディングパッド２６１が保護層３００によって被覆されなく、保護層３００が島状に露出されている場合、ボンディングワイヤ２６５の復元力Ｆ２によってボンディングパッド２６１が引っ張られると、ボンディングパッド２６１がボンディングワイヤ２６５とともに、絶縁層２５１から剥離する可能性がある。

これに対して、回路基板１では、Ｙ軸方向に相対するボンディングパッド２６１の側部２６１ａ、２６１ｂが保護層３００によって被覆されている。このため、ボンディングワイヤ２６５の復元力Ｆ２によってボンディングパッド２６１が引っ張られたとしても、ボンディングパッド２６１の側部２６１ａ、２６１ｂが保護層３００によって係止され、ボンディングパッド２６１が絶縁層２５１から剥がれにくくなっている。

さらに、回路基板１においては、側部２６１ａ、２６１ｂ以外のボンディングパッド２６１の上面２６１１が保護層３００から開放されている（図１（ｂ））。これにより、ボンディングワイヤ２６５とボンディングパッド２６１とを接合させる面積が稼げ、ボンディングワイヤ２６５によるワイヤボンディングを確実に遂行し得る。

なお、図５（ａ）〜図５（ｃ）では、一例として、Ｘ軸方向に延在する開口部３０１から開放されたボンディングパッド２６１を示したが、Ｙ軸方向に延在する開口部３０１から開放されたボンディングパッド２６１も同様の作用をする。

（第２実施形態）

図６は、第２実施形態に係る回路基板の構成を示す概略平面図である。図７（ａ）は、図６におけるＡ−Ａ線方向に沿った断面図である。図７（ｂ）は、図６におけるＢ−Ｂ線方向に沿った断面図である。

回路基板２において、第１基板本体１０、制御基板３０は、回路基板１と同じなので、その説明を省略する。

（第２基板本体）

回路基板２においては、第２基板本体２０に補強部材２３が設けられている。すなわち、第２基板本体２０は、可撓性配線基材１１の第１端部１１ａと、板状の補強部材２３と、多層配線層２８１と、多層配線層２８２とを有する。可撓性配線基材１１の第１端部１１ａは、補強部材２３とともに第２基板本体２０の芯材（コア）を構成する。回路基板２においては、多層配線層２８１、２８２及び補強部材２３によって補強部１２が構成される。補強部１２は、回路基板２におけるリジッド部である。

第２基板本体２０において、半導体素子２７１の下方には、補強部材２３が配置されている。半導体素子２７１は、半導体素子２７１の撮像面２７１ａと、補強部材２３の主面２３ｕ（または、主面２３ｄ）が相互に平行となるように第２基板本体２０上に搭載される。ここで、主面２３ｕは、補強部材２３の上面であり、主面２３ｄは、補強部材２３の下面である。

凹部２８ｈの平面形状は、特に限定されず、補強部材２３の平面形状に応じて設定される。例えば、凹部２８ｈ及び補強部材２３のそれぞれを補強部１２の厚み方向（Ｚ軸方向）に投影した場合、凹部２８ｈは、補強部材２３の領域内に包含されている。例えば、凹部２８ｈの平面形状は、補強部材２３の内部に収容可能な大きさの矩形状に形成される。凹部２８ｈの平面形状の大きさは、特に限定されず、例えば、各辺の長さが５ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定される。凹部２８ｈの深さは、特に限定されず、例えば、１３０μｍ以上１５０μｍ以下に設定される。

多層配線層２８１は、第１端部１１ａの主面１１ｕ及び補強部材２３の主面２３ｕに設けられている。多層配線層２８２は、第１端部１１ａの主面１１ｄ及び補強部材２３の主面２３ｄに設けられている。多層配線層２８１には、補強部材２３を露出させ、半導体素子２７１を収容することが可能な凹部２８ｈが設けられている。

多層配線層２８１、２８２において、絶縁層２１１は、補強部材２３の主面２３ｕ及び第１端部１１ａの主面１１ｕに配置され、絶縁層２１２は、補強部材２３の主面２３ｄ及び第１端部１１ａの主面１１ｄに配置される。

配線２２１は、絶縁層２１１の表面に設けられ、その一部は、絶縁層２１１の適宜の位置に形成されたビアを介して補強部材２３に電気的に接続される。配線２２２は、絶縁層２１２の表面に設けられ、その一部は、絶縁層２１２の適宜の位置に形成されたビアを介して補強部材２３に電気的に接続される。配線２２１と、配線２２２との間は、層間接続部２２３によって電気的に接続されている。

ボンディングパッド２６１は、補強部材２３の主面２３ｕ上の多層配線層２８１に配置されている。例えば、ボンディングパッド２６１は、絶縁層２５１上に配置され、補強部材２３の直上に配置されている。

補強部材２３は、第１端部１１ａに埋設されている。補強部材２３は、主面２３ｕと、主面２３ｕとは反対側の主面２３ｄとを有する。補強部材２３は、第２基板本体２０に所望の強度を付与する。補強部材２３の主面２３ｕは、半導体素子２７１を搭載可能な平坦面となっている。例えば、補強部材２３の主面２３ｕ上には、接合部材２７５を介して半導体素子２７１がフェイスアップ方式で実装される。

補強部材２３は、配線２２１、２２２のいずれかの一部として構成されてもよく、例えば、接地用配線の一部として用いられてもよい。特に、補強部材２３が接地電位の場合、回路基板２内に補強部材２３を避けて接地用配線を引き回す手間が省ける。さらに、補強部材２３によって、回路基板２外または半導体素子２７１からの電磁波が遮蔽される。また、補強部材２３は、第２基板本体２０に搭載される半導体素子２７１の放熱用部品とされる。

補強部材２３の平面形状は、特に限定されず、例えば、可撓性配線基材１１の第１端部１１ａ内に収容可能な大きさの矩形状に形成される。補強部材２３の平面形状の大きさは、特に限定されず、例えば、各辺の長さが５ｍｍ以上２０ｍｍ以下、厚みが０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下とされる。補強部材２３の厚みは、特に限定されず、本実施形態では可撓性配線基材１１と同等の厚みとされる。

補強部材２３を可撓性配線基材１１の第１端部１１ａの略全領域をカバーできる大きさで形成されることで、補強部材２３は第２基板本体２０の芯材としての機能を効果的に果たすことができる。また、補強部材２３の全体が第１端部１１ａの内部に収容されることで、補強部材２３が第１端部１１ａの周縁部から露出されず、第２基板本体２０の周縁部からの絶縁性を確保することができる。特に、補強部材２３の両面は、絶縁層２１１、２１２で被覆されるため、第２基板本体２０の両面からの補強部材２３の露出が防止される。

補強部材２３は、可撓性配線基材１１の第１端部１１ａの面内に形成された収容部２１３に内蔵される。収容部２１３は、補強部材２３を収容し得る大きさの有底または無底の凹部からなり、本実施形態では、第１端部１１ａを貫通する矩形の凹部（無底凹部）で構成される。

補強部材２３は、例えば、金属製、セラミック製等である。但し、回路基板２の電気的特性、放熱性の観点からは、補強部材２３が金属製であることが好ましい。例えば、補強部材２３は、電気、熱の良導体で構成され、例えば、銅（Ｃｕ）、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料で構成される。

また、凹部２８ｈにおいて露出される補強部材２３の主面２３ｕは、導電性層によって被覆されてもよい。例えば、その導電性層は、最表面が金膜の積層体で構成される。例えば、導電性層は、下層から、Ｃｕ膜／Ｎｉ膜／Ａｕ膜、または、Ａｇ膜／Ｐｄ膜／Ａｕ膜で構成された積層体で構成される。このような構成であれば、補強部材２３の主面２３ｕが凹部２８ｈで露出されても、補強部材２３の表面が酸化しにくくなる。

接合部材２７５は、例えば、ハンダ材、金属ペースト、樹脂製接着剤、両面テープ等で構成される。特に、半導体素子２７１の半導体基板の底面から半導体材が露出され、この半導体基板と補強部材２３との直接的な電気的な接続を図ったり、半導体素子２７１の放熱性を高めたりするときは、接合部材２７５としてハンダ材、金属ペースト等の導電性接合部材を用いることが望ましい。

補強部材２３には、その面内を貫通する溝２３１が設けられてよい。例えば、補強部材２３は、溝２３１の内部に充填された第１絶縁材２４１と、補強部材２３の外周面と収容部２１３の内周面との間に充填された第２絶縁材２４２とを介して、第１端部１１ａの内部に固定されている。

また、補強部材２３には、その面内を貫通する単数または複数の貫通孔２３２が設けられてよい。例えば、貫通孔２３２は、補強部材２３の面内の適宜の位置に形成され、補強部材２３の周縁部と溝２３１の形成領域との間に設けられる。貫通孔２３２は、層間接続部２２３を収容し得る大きさの丸孔で形成される。層間接続部２２３は、例えば、貫通孔２３２の内周面に絶縁層を挟んで形成された銅メッキで構成される。上記絶縁層としては、例えば、第１絶縁材２４１で構成される。

例えば、第１絶縁材２４１は、絶縁層２１１、２１２を構成する樹脂材料よりも熱膨張係数が小さく、かつ、弾性率が高い樹脂材料で構成される。第１絶縁材２４１が絶縁層２１１、２１２よりも熱膨張係数が小さい樹脂材料で構成されることにより、収容部２１３と補強部材２３との間の密着性を確保でき、第２基板本体２０の反りを抑制することが可能となる。また、第１絶縁材２４１が、絶縁層２１１、２１２よりも弾性率が高い樹脂材料で構成されることにより、第１絶縁材２４１の剛性が高まり、第２基板本体２０の強度の向上を図ることができる。

第１絶縁材２４１を構成する材料は、特に限定されず、例えば、絶縁層２１１、２１２を構成する樹脂材料と同種の材料であってもよい。この場合、絶縁層２１１、２１２よりもフィラーの含有量を高めることで、絶縁層２１１、２１２よりも熱膨張係数が小さく、かつ、弾性率が高い第１絶縁材２４１を構成することができる。

一方、第２絶縁材２４２は、絶縁層２１１、２１２を構成する樹脂材料よりも弾性率が低い材料で構成される。これにより、第２基板本体２０の周縁部に加わる曲げ応力が第２絶縁材２４２で緩和されるため、収容部２１３に対する補強部材２３の剥離を抑えることが可能となる。また、第２絶縁材２４２は、絶縁層２１１、２１２よりも吸水率の低い材料で構成されてもよい。これにより、第２絶縁材２４２の吸水による体積膨張あるいは膨潤が抑えられる。

第２絶縁材２４２を構成する材料は、特に限定されないが、可撓性配線基材１１との親和性が高い材料が好ましく、例えば、エポキシ、ポリイミド、液晶ポリマー、ＢＴレジン、ＰＰＳ等が挙げられる。

第２絶縁材２４２は、補強部材２３の外周面と収容部２１３の内周面との間に充填される。第２絶縁材２４２は、補強部材２３の外周面の全周にわたって設けられる必要はなく、少なくとも可撓性配線基材１１の第２端部１１ｂ側に設けられてもよい。これにより、例えば、第１基板本体１０からの引張応力等を第２絶縁材２４２で吸収あるいは緩和でき、第２基板本体２０の破損、第１端部１１ａからの補強部１２の離脱を抑制することが可能となる。

また、補強部材２３と収容部２１３との間における上記一端部の全領域が第２絶縁材２４２で充填される場合に限られず、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、第１絶縁材２４１と第２絶縁材２４２との積層部２４３が設けられてもよい。この場合、当該領域は、適度な剛性と適度な弾性とを合わせ持つことから、可撓性配線基材１１と補強部１２との間の接続信頼性を高めることが可能となる。

なお、要求される特性、仕様等に応じて、第２絶縁材２４２は、省略されてもよく、第２絶縁材２４２に代えて第１絶縁材２４１が補強部材２３と収容部２１３との間に充填されてもよい。また、積層部２４３も必要に応じて省略されてもよく、上記一端部の全領域は第１絶縁材２４１または第２絶縁材２４２で充填されてもよい。

［回路基板の製造方法］

回路基板２の製造方法について説明する。

図８（ａ）〜図１０（ｄ）は、回路基板の製造方法を説明する概略断面図である。

まず、図８（ａ）に示すように、可撓性配線基材１１が準備される。

次に、図８（ｂ）に示すように、第１端部１１ａの所定領域に、補強部材２３を収容するための収容部２１３（凹部）が形成される。収容部２１３の形成方法は、特に限定されず、打ち抜き、切削等の機械加工、レーザ加工等の適宜の手法が採用可能である。

次に、図８（ｃ）に示すように、可撓性配線基材１１の主面１１ｄに、収容部２１３を被覆する絶縁層２１２が形成される。絶縁層２１２の形成方法は特に限定されず、塗布法、転写法、ラミネート法等の適宜の手法が採用可能である。

次に、図８（ｄ）に示すように、収容部２１３の内周面であって絶縁層２１２との境界部に第２絶縁材２４２を構成する材料が塗布される。

次に、図９（ａ）に示すように、収容部２１３内の絶縁層２１２上に補強部材２３が配置されるとともに、補強部材２３の外周面部と収容部２１３の内周面との間に第２絶縁材２４２が所定の高さに充填される。なお、この場合、第２絶縁材２４２の一部が補強部材２３と絶縁層２１２との間に介在していても構わない。

次に、図９（ｂ）に示すように、補強部材２３の溝２３１と貫通孔２３２に、第１絶縁材２４１を構成する材料が充填される。この際、補強部材２３の外周面と収容部２１３の内周面と第２絶縁材２４２との間の隙間にも第１絶縁材２４１が設けられることで、第１及び第２絶縁材２４１、２４２の積層構造からなる積層部２４３が形成される。

その後、可撓性配線基材１１の主面１１ｕに、補強部材２３を被覆する絶縁層２１１が形成される。絶縁層２１１の形成方法は特に限定されず、絶縁層２１２の形成方法と同様な手法が採用可能である。

次に、図９（ｃ）に示すように、絶縁層２１１の表面に配線２２１が形成され、絶縁層２１２の表面に、配線２２２が形成される。さらに、補強部材２３を貫通する層間接続部２２３が形成される。配線２２１、２２２は、メッキ法、エッチング法等の適宜のパターン形成方法が採用可能であり、その一部は、絶縁層２１１、２１２に形成されたビアを介して補強部材２３に接続される。層間接続部２２３は、補強部材２３の貫通孔２３２に充填された第１絶縁材２４１に貫通孔を形成し、その内壁面に導体層をメッキ成長させたり、導体ペーストを充填したりすることによって形成される。

次に、図９（ｄ）に示すように、絶縁層２１１、２１２を部分的に被覆する絶縁層２５１、２５２がそれぞれ形成され、さらに、第１基板本体１０の形成領域内にある絶縁層２１１、２１２が部分的に除去される。

次に、図１０（ａ）に示すように、補強部材２３の直上の絶縁層２５１上に、ボンディングパッド２６１がパターニングされる。ボンディングパッド２６１は、例えば、配線２２１に電気的に接続される。ボンディングパッド２６１は、配線２２２に電気的に接続されてもよい。

続いて、絶縁層２５１を被覆するとともに、ボンディングパッド２６１を選択的に被覆する保護層３００が形成される。保護層３００の形成方法は、特に限定されず、塗布法、転写法、ラミネート法等の適宜の手法が採用可能である。

次に、図１０（ｂ）に示すように、第１端部１１ａの所定領域に、凹部２８ｈが形成される。凹部２８ｈの形成方法は、特に限定されず、打ち抜き、切削等の機械加工、レーザ加工等の適宜の手法が採用可能である。凹部２８ｈの底では、補強部材２３の主面２３ｕが露出される。これにより、回路基板２が形成される。

この後、図１０（ｃ）に示すように、凹部２８ｈに半導体素子２７１が収容される。例えば、半導体素子２７１は、フェイスアップ方式により、接合部材２７５を介して補強部材２３上に実装される。

次に、図１０（ｄ）に示すように、ワイヤボンディングによって、半導体素子２７１と、ボンディングパッド２６１とがボンディングワイヤ２６５を介して電気的に接続される。

以上のように構成される回路基板２においては、回路基板１の作用に加えて、以下のような作用を奏する。

例えば、回路基板２の第２基板本体２０においては、可撓性配線基材１１の第１端部１１ａに板状の補強部材２３が埋設されているため、第２基板本体２０の強度が向上する。

さらに、回路基板２によれば、補強部材２３上に半導体素子２７１が実装されるので、半導体素子２７１の下地の平坦性が向上している。

仮に、固体撮像素子が可撓性配線基板１１上（または、多層配線層２８１上）に実装されると、可撓性配線基板１１（または、多層配線層２８１）を形成する工程ごとの多層配線層２８１（または、多層配線層２８１）の厚みのばらつき、多層配線層２８１（または、多層配線層２８１）の面内における厚みのばらつきによって、固体撮像素子のアライメント、光学的精度が劣る場合がある。

これに対して、回路基板２によれば、板状の補強部材２３上に固体撮像素子等の半導体素子２７１が配置されるので、可撓性配線基板１１または多層配線層２８１の厚みのばらつき、面内における厚みのばらつきを無視することができる。これにより、固体撮像素子のアライメント、光学的精度が優れたものになる。さらに、半導体素子２７１の下地が金属製の補強部材２３であれば、補強部材２３による放熱効果も向上し、半導体素子２７１が効率よく冷却される。

また、補強部材２３が接地電位の場合、回路基板２内に補強部材２３を避けて接地用配線を引き回す手間が省ける。さらに、補強部材２３によって、回路基板２外または半導体素子２７１からの電磁波が遮蔽される。

また、本実施形態によれば、補強部材２３の主面２３ｕを適宜粗面化することにより、接合部材２７５と補強部材２３との接合強度をアンカー効果により増加させることも可能である。

また、回路基板２においては、ボンディングパッド２６１が補強部材２３の直上に配置されるので、ボンディングパッド２６１の下地強度が強くなっている。これにより、ボンディングワイヤ２６５をボンディングパッド２６１に接合する際には、ボンディングワイヤ２６５と接触するボンディングパッド２６１がずれにくくなる。ここで、「ずれ」とは、例えば、ワイヤボンディング時におけるボンディングパッド２６１の沈み、横ずれ等である。

（第３実施形態）

図１１は、第３実施形態に係る回路基板の構成を示す概略平面図である。

回路基板３においては、多層配線層２８１が凹部２８ｈの周縁に、一軸方向に配列された複数のボンディングパッド２６２（第２ボンディングパッド）がさらに配列されている。図１１では、ボンディングパッド２６１に接続されるボンディングワイヤをボンディングワイヤ２６５ａとし、ボンディングパッド２６２に接続されるボンディングワイヤをボンディングワイヤ２６５ｂとしている。複数のボンディングパッド２６２は、凹部２８ｈとは反対側のボンディングパッド２６１の外側に配置されている。例えば、Ｘ軸方向に配列された複数のボンディングパッド２６２の２つの群は、Ｙ軸方向で対向している。一方、Ｙ軸方向に配列された複数のボンディングパッド２６２の２つの群は、Ｘ軸方向で対向している。

保護層３００は、複数のボンディングパッド２６２を共通して開口する複数の開口部３０２を有する。例えば、Ｘ軸方向に延在する開口部３０２は、Ｙ軸方向に対向し、Ｙ軸方向に延在する開口部３０２は、Ｘ軸方向に対向する。複数のボンディングパッド２６２のそれぞれには、半導体素子２７１に電気的に接続されたボンディングワイヤ２６５ｂが接続されている。

ここで、開口部３０２の形状は、開口部３０１の形状と同じであってもよく、異なってもよい。また、開口部３０２から開放されるボンディングパッド２６２は、ボンディングパッド２６１と同様に、相対する一対の側部が保護層３００により被覆されている。

このような回路基板３であれば、複数のボンディングパッド２６１の外側に、複数の第２ボンディングパッド２６２が配列されているので、半導体素子２７１からボンディングワイヤを引き回す自由度が増す。

さらに、回路基板３では、以下の作用を奏する。

図１２は、第３実施形態に係る回路基板のワイヤボンディングの一例を示す模式図である。

例えば、回路基板３では、ボンディングパッド２６２がボンディングパッド２６１より外側に配置されることから、ボンディングワイヤ２６５ｂは、ボンディングワイヤ２６５ａよりも長くクランプ５００から繰り出される。特に、回路基板３では、凹部２８ｈの深さが半導体素子２７１の厚みよりも深く構成されているため、ボンディングワイヤ２６５ｂは、ボンディングパッド２６１の下側から這い上がるように繰り出される。

このため、ボンディングワイヤ２６５ｂは、ボンディングワイヤ２６５ａよりも下側に垂れ下がる場合があり、このような場合、ボンディングワイヤ２６５ｂがボンディングワイヤ２６５ａに接続されたボンディングパッド２６１に接近する場合がある。

しかしながら回路基板３では、例えば、破線で囲む位置Ｐ３において、ボンディングワイヤ２６５ｂがボンディングパッド２６１を被覆する保護層３００によって受け止められる。これにより、ボンディングワイヤ２６５ｂは、ボンディングパッド２６１に直接的に接触しにくくなり、ボンディングワイヤ２６５ｂと、ボンディングパッド２６１との電気的な短絡がおきにくくなる。この結果、回路基板３を用いた回路モジュールを安定して動作させることができる。

また、回路基板３においても第１端部１１ａに補強部材２３が設けられてもよい。この場合、ボンディングパッド２６１、２６２が補強部材２３の直上に配置される。

（第４実施形態）

図１３は、第４実施形態に係る回路基板の構成を示す概略平面図である。

図１３に示す回路基板４においては、第１端部１１ａに複数の半導体素子２７１が搭載されている。例えば、図１３では、２つの半導体素子２７１がＹ軸方向に併設された例が示されている。また、図１３の例では、２つの半導体素子２７１のそれぞれが補強部材２３上に設けられた状態が示されているが、補強部材２３を含まない構成も本実施形態に含まれる。

例えば、回路基板４では、２つの半導体素子２７１のそれぞれの撮像面２７１ａが相互に平行となるように第２基板本体２０に２つの半導体素子２７１が搭載される。本実施形態では、補強部材２３を用いるため、第２基板本体２０の高強度化を図ることができ、回路基板の大型化が容易となる。これにより、回路基板全体の薄型化を図りつつ、多機能、高機能の回路モジュールを構成することができる。このような構成も本発明に含まれる。

（第５実施形態）

図１４は、第５実施形態に係る回路基板の構成を示す概略断面図である。図１４は、図１におけるＢ−Ｂ線方向断面図に対応している。

回路基板５において、収容部２１３に補強部材２３が収容されている点で回路基板３と共通する。但し、回路基板５においては、補強部材２３の主面２３ｕ側に、配線２２５が設けられ、補強部材２３の主面２３ｄ側に、配線２２６が設けられている。例えば、収容部２１３において補強部材２３の主面２３ｕに絶縁層２１５が設けられ、主面２３ｄに絶縁層２１６が設けられている。さらに、絶縁層２１５には、配線２２５が設けられ、絶縁層２１６には、配線２２６が設けられている。配線２２５は、例えば、ビアを介して配線２２１に電気的に接続され、配線２２６は、例えば、ビアを介して配線２２２に電気的に接続されている。このような構成も本発明に含まれる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合させることができる。

例えば、以上の実施形態では、第２基板本体２０及び補強部材２３の平面形状がいずれも矩形状に形成されたが、これに限られず、矩形以外の多角形、円形その他の幾何学的形状に形成されてもよい。

また、可撓性配線基材１１の第２端部１１ｂに制御基板３０が設けられたが、制御基板３０に代えて、コネクタ等のコンタクト部品が設けられてもよい。

１、２、３、４、５…回路基板
１０…第１基板本体
１１…可撓性配線基材
１１ｕ、１１ｄ、２３ｕ、２３ｄ…主面
１１ａ…第１端部
１１ｂ…第２端部
１２…補強部
２０…第２基板本体
２３…補強部材
２８ｈ…凹部
２８ｗ…内壁
３０…制御基板
３１…多層配線部
１１０…樹脂コア
１１１、１１２…配線層
１１３、１１４、２１１、２１２、２１５、２１６、２５１、２５２…絶縁層
２１３…収容部
２２１、２２２、２２５、２２６…配線
２２３…層間接続部
２３１…溝
２３２…貫通孔
２４１、２４２…絶縁材
２４３…積層部
２６１、２６２…ボンディングパッド
２６１ａ、２６１ｂ…側部
２６１１…上面
２６１２、２６１３、２６１４、２６１５…側面
２６５、２６５ａ、２６５ｂ…ボンディングワイヤ
２７１…半導体素子
２７１ａ…撮像面
２７１ｅ…電極端子
２７５…接合部材
２８１、２８２…多層配線層
３００…保護層
３００ｗ…側壁
３０１、３０２…開口部
５００…キャピラリ
５０１…クランプ

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る回路基板は、第１多層配線層と、護層とを具備する。上記第１多層配線層は、素子を収容することが可能な凹部と、上記凹部の周縁に一軸方向に配列された複数の第１ボンディングパッドとを有する。上記保護層は、上記第１多層配線層に設けられ、上記複数の第１ボンディングパッドを共通して開口する開口部を有し、上記開口部が上記一軸方向に直交する方向において上記複数の第１ボンディングパッドのそれぞれの長さよりも短い開口幅を有する。

Ｘ軸方向に沿って延在する開口部３０１は、Ｘ軸方向における開口幅ＷＸと、Ｙ軸方向における開口幅ＷＹとを有する。開口幅ＷＸは、開口幅ＷＹよりも広い。開口幅ＷＹは、Ｙ軸方向において複数のボンディングパッド２６１のそれぞれの長さよりも短くなっている。

Claims (11)

1. 素子を収容することが可能な凹部と、前記凹部の周縁に一軸方向に配列された複数の第１ボンディングパッドとを有する第１多層配線層と、
   前記第１多層配線層に設けられ、前記複数の第１ボンディングパッドを共通して開口する開口部を有し、前記開口部が前記一軸方向に直交する方向において前記複数の第１ボンディングパッドのそれぞれの長さよりも長い開口幅を有する保護層と
   を具備する回路基板。
2. 請求項１に記載された回路基板であって、
   厚さ方向に直交する第１主面及び第２主面を有する第１端部と、前記第１端部とは反対側の第２の端部とを有する可撓性配線基材をさらに具備し、
   前記第１多層配線層及び前記保護層が前記第１端部の前記第１主面に設けられた
   回路基板。
3. 請求項２に記載された回路基板であって、
   前記第１端部の前記第２主面に設けられた第２多層配線層をさらに具備する
   回路基板。
4. 請求項２または３に記載された回路基板であって、
   前記第１端部に埋設された板状の補強部材をさらに具備し、
   前記凹部において前記補強部材が露出されている
   回路基板。
5. 請求項１〜４のいずれか1つに記載された回路基板であって、
   前記第１多層配線層は、前記凹部の周縁に配列された複数の第２ボンディングパッドをさらに有し、
   前記複数の第２ボンディングパッドは、前記凹部とは反対側の前記複数の第１ボンディングパッドの外側に配置されている
   回路基板。
6. 請求項１〜５のいずれか1つに記載された回路基板であって、
   前記保護層は、前記凹部の内壁に連設する側壁を有し、
   前記内壁と前記側壁とが段差なく構成されている
   回路基板。
7. 請求項１〜６のいずれか1つに記載された回路基板であって、
   前記凹部の深さは、前記素子の厚みよりも深く構成されている
   回路基板。
8. 請求項５〜７のいずれか1つに記載された回路基板であって、
   前記複数の第１ボンディングパッド及び前記複数の第２ボンディングパッドは、前記補強部材の直上に配置されている
   回路基板。
9. 素子を収容することが可能な凹部と、前記凹部の周縁に一軸方向に配列された複数の第１ボンディングパッドとを有する第１多層配線層と、前記第１多層配線層に設けられ、前記複数の第１ボンディングパッドを共通して開口する開口部を有し、前記開口部が前記一軸方向に直交する方向において前記複数の第１ボンディングパッドのそれぞれの長さよりも長い開口幅を有する保護層とを有する回路基板と、
   前記凹部に収容され、ボンディングワイヤを介して前記複数の第１ボンディングパッドのそれぞれに電気的に接続された半導体素子と
   を具備する回路モジュール。
10. 請求項９に記載された回路モジュールであって、
    前記凹部の深さは、前記半導体素子の厚みよりも深く構成されている
    回路モジュール。
11. 請求項９または１０に記載された回路モジュールであって、
    前記半導体素子は、固体撮像素子である
    回路モジュール。

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