JP2019065155A - Polishing composition and method of manufacturing magnetic disk substrate - Google Patents

Abstract

To provide a polishing composition capable of effectively reducing the number of scratches present on a surface after polishing while maintaining a high polishing rate.SOLUTION: The polishing composition to be used for polishing a magnetic disk substrate is provided. The polishing composition contains abrasive grains, an acid, an oxidizing agent, and water. The abrasive grains include at least silica particles. The average primary particle diameter of the abrasive grains measured by a BET method is 1 nm or more and 50 nm or less. The pH of the polishing composition is 1.8-3.0. The amount of sodium hydroxide required to raise the pH by 1.0 is 0.03 mol/L or more and 0.2 mol/L or less.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、研磨用組成物、該研磨用組成物を用いた磁気ディスク基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a polishing composition and a method of manufacturing a magnetic disk substrate using the polishing composition.

従来、高精度な表面が要求される基板の製造プロセスには、研磨液を用いて該基板の原材料である研磨対象物を研磨する工程が含まれる。例えば、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）の製造においては、一般に、より研磨効率を重視した研磨（一次研磨）と、最終製品の表面精度に仕上げるために行う最終研磨工程（仕上げ研磨工程）とが行われている。磁気ディスク基板等を研磨する用途で使用される研磨用組成物に関する技術文献として特許文献１、２が挙げられる。   Conventionally, the process of manufacturing a substrate requiring a highly accurate surface includes the step of polishing an object to be polished which is a raw material of the substrate using a polishing liquid. For example, in the manufacture of a nickel phosphorous plated disk substrate (Ni-P substrate), generally, polishing with more emphasis on polishing efficiency (primary polishing) and a final polishing step performed to finish the surface accuracy of the final product (Finish polishing process) is performed. Patent documents 1 and 2 are mentioned as technical literature about a constituent for polish used for use which polishes a magnetic disc substrate etc.

特開２００３−１５５４７１号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-155471 特開２００３−１４７３３７号公報Japanese Patent Application Publication No. 2003-147337

近年、Ｎｉ−Ｐ基板等のディスク基板のポリシングに用いられる研磨用組成物について、より高品位の表面を実現する観点から、平均粒子径の小さい砥粒を使用することが検討されている。しかし、微粒子状の砥粒を含む研磨用組成物は、加工力に劣る傾向があり、例えばＮｉ−Ｐ基板等のディスク基板の研磨のように高い研磨レートが要求される研磨において使用される場合に、かかる要求に充分に応えることができない虞がある。また、研磨用組成物中における砥粒の凝集は、基板研磨の際のスクラッチ（研磨傷）を増加させる要因となり得る。したがって、研磨後の表面について高品位（例えばスクラッチ数の低減された表面）を安定して実現するためには、砥粒の凝集が生じにくい研磨用組成物が望ましい。   In recent years, from the viewpoint of achieving a higher quality surface, it has been studied to use abrasive grains having a small average particle diameter for a polishing composition used for polishing a disk substrate such as a Ni-P substrate. However, polishing compositions containing particulate abrasives tend to be inferior in processing power, and are used, for example, in polishing where a high polishing rate is required, such as polishing of disk substrates such as Ni-P substrates. There is a possibility that such a demand can not be sufficiently met. In addition, the aggregation of the abrasive grains in the polishing composition can be a factor to increase scratches (abrasive scratches) during substrate polishing. Therefore, in order to stably realize high quality (for example, a surface having a reduced number of scratches) on the surface after polishing, it is desirable to have a polishing composition in which aggregation of abrasive grains is less likely to occur.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、高い研磨レートを維持しつつ研磨後の表面に存在するスクラッチの数を効果的に低減し得る研磨用組成物を提供することを目的とする。関連する他の目的は、上記研磨用組成物を用いた磁気ディスク基板の製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a polishing composition capable of effectively reducing the number of scratches present on the surface after polishing while maintaining a high polishing rate. I assume. Another related objective is to provide a method of manufacturing a magnetic disk substrate using the polishing composition.

本発明によると、研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、砥粒と酸と酸化剤と水とを含む。ＢＥＴ法により測定される前記砥粒の平均一次粒子径が１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。前記研磨用組成物のｐＨが１．８〜３．０である。そして、前記ｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム量が、０．０３モル／Ｌ以上０．２モル／Ｌ以下である。上記の特性を満足する研磨用組成物によると、高い研磨レートを維持しつつ、研磨後の表面においてスクラッチの数を効果的に低減することができる。   According to the present invention, a polishing composition is provided. The polishing composition contains abrasive grains, an acid, an oxidizing agent and water. The average primary particle diameter of the abrasive grains measured by the BET method is 1 nm or more and 50 nm or less. The pH of the polishing composition is 1.8 to 3.0. The amount of sodium hydroxide required to raise the pH by 1.0 is 0.03 mol / L or more and 0.2 mol / L or less. According to the polishing composition satisfying the above characteristics, the number of scratches on the surface after polishing can be effectively reduced while maintaining a high polishing rate.

ここで開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記砥粒としてシリカ粒子を含む。砥粒としてシリカ粒子を使用することにより、本発明による効果がより好ましく発揮され得る。   In a preferred embodiment of the polishing composition disclosed herein, the abrasive grains include silica particles. By using silica particles as the abrasive, the effects of the present invention can be more preferably exhibited.

ここで開示される研磨用組成物は、磁気ディスク基板の研磨に用いられる。なかでも好ましい研磨対象物として、ニッケルリン基板（Ｎｉ−Ｐ基板）が挙げられる。上記研磨用組成物を上記磁気ディスク基板に適用すると、研磨後の上記磁気ディスク基板表面の面品位が改善され、かつ高い研磨レートが達成され得る。   The polishing composition disclosed herein is used for polishing a magnetic disk substrate. Among them, a nickel phosphorus substrate (Ni-P substrate) is mentioned as a preferable object to be polished. When the polishing composition is applied to the magnetic disk substrate, the surface quality of the surface of the magnetic disk substrate after polishing can be improved, and a high polishing rate can be achieved.

ここで開示される研磨用組成物は、仕上げ研磨工程で用いられる研磨用組成物として好適である。例えば、前記研磨用組成物は、磁気ディスク基板の最終研磨工程に好適に用いられる。ここに開示される研磨用組成物は、研磨後のスクラッチの数が効果的に低減されるため、前記仕上げ研磨のような高い面品位が要求される研磨プロセスにおいて用いられることが特に有用である。   The polishing composition disclosed herein is suitable as a polishing composition used in the final polishing step. For example, the polishing composition is suitably used in the final polishing step of the magnetic disk substrate. The polishing composition disclosed herein is particularly useful to be used in a polishing process that requires high surface quality such as the above-mentioned finish polishing because the number of scratches after polishing is effectively reduced. .

また、本発明によると、磁気ディスク基板の製造方法が提供される。その製造方法は、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する工程を包含する。かかる製造方法によると、高品位な表面を有する磁気ディスク基板が生産性よく製造され得る。   Further, according to the present invention, a method of manufacturing a magnetic disk substrate is provided. The manufacturing method includes the step of polishing a magnetic disk substrate using any of the polishing compositions disclosed herein. According to such a manufacturing method, a magnetic disk substrate having a high quality surface can be manufactured with high productivity.

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. The matters other than the matters specifically mentioned in the present specification and necessary for the implementation of the present invention can be understood as the design matters of those skilled in the art based on the prior art in the relevant field. The present invention can be implemented based on the contents disclosed in the present specification and common technical knowledge in the field.

ここに開示される研磨用組成物は、磁気ディスク基板の研磨（好ましくは仕上げ研磨）に用いられる研磨用組成物であって、砥粒と酸と酸化剤と水とを含む。この研磨用組成物は、ｐＨが１．８〜３．０であり、かつ、該ｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）量αが、０．０３モル／Ｌ以上０．２モル／Ｌ以下である。   The polishing composition disclosed herein is a polishing composition used for polishing (preferably, finish polishing) of a magnetic disk substrate, and contains abrasive grains, an acid, an oxidizing agent, and water. This polishing composition has a pH of 1.8 to 3.0, and an amount of sodium hydroxide (NaOH) α necessary to raise the pH by 1.0 is 0.03 mol / L or more It is 0.2 mol / L or less.

＜水酸化ナトリウム量α＞
ここに開示される技術において、研磨用組成物のｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム量αは、以下のようにして測定するものとする。すなわち、測定対象である研磨用組成物（液温２５℃）にｐＨメーターの電極を漬けて攪拌しながら０．１モル／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（関東化学製）を滴下し、ｐＨが初期値から１．０上昇するまでの０．１モル／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液の滴定量を測定する。そして、以下の式（１）を用いて上記水酸化ナトリウム量αを求めることができる。
α（モル／Ｌ）＝０．１×Ａ÷Ｂ （１）
Ａ：ｐＨを１．０上昇させるのに必要な０．１モル／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液の滴定量（Ｌ）
Ｂ：研磨用組成物の体積（Ｌ） <The amount of sodium hydroxide α>
In the art disclosed herein, the amount of sodium hydroxide α required to raise the pH of the polishing composition by 1.0 is measured as follows. That is, a 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) is dropped while the electrode of the pH meter is immersed in the polishing composition (liquid temperature 25 ° C.) to be measured and stirred, and the pH is an initial value The titration volume of 0.1 mol / L aqueous sodium hydroxide solution from 1.0 to 1.0 is measured. And the said sodium hydroxide amount (alpha) can be calculated | required using the following formula (1).
α (mol / L) = 0.1 × A ÷ B (1)
A: The titration volume (L) of 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution necessary to raise pH 1.0
B: Volume of polishing composition (L)

ここに開示される研磨用組成物は、ｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム量αが、０．０３モル／Ｌ以上である。このことによって、上記水酸化ナトリウム量αが０．０３モル／Ｌを下回る従来の研磨用組成物に比べて、高い研磨レートが実現され得る。このような効果が得られる理由としては、例えば以下のように考えられる。すなわち、加工性の観点からは、研磨用組成物のｐＨを低くして基板表面の溶解に必要な水素イオン量を増やすことが好ましい。しかし、ｐＨが低い研磨用組成物を用いた場合でも、該研磨用組成物を磁気ディスク基板の研磨に適用すると、研磨が進むにつれて基板表面の金属（例えばニッケルリン基板の場合、Ｎｉ）が溶出して水素イオンが消費されることでｐＨが上昇する。その結果、研磨速度が低下傾向になりやすい。これに対して、上記水酸化ナトリウム量αが０．０３モル／Ｌ以上である研磨用組成物を用いた研磨では、研磨用組成物が適度な緩衝能をもつため、研磨が進行しても水素イオンの減少が抑えられ、ｐＨの変動が起こり難い（典型的にはｐＨ１．８〜３．０が維持される）。このことが研磨レートの向上に寄与するものと考えられる。ただし、これに限定解釈されるものではない。   The polishing composition disclosed herein has an amount of sodium hydroxide α necessary to raise the pH of 1.0 by 0.03 mol / L or more. By this, a high polishing rate can be realized as compared with the conventional polishing composition in which the amount of sodium hydroxide α is less than 0.03 mol / L. The reason why such an effect can be obtained is considered as follows, for example. That is, from the viewpoint of processability, it is preferable to lower the pH of the polishing composition to increase the amount of hydrogen ions required to dissolve the substrate surface. However, even when a polishing composition having a low pH is used, when the polishing composition is applied to polishing a magnetic disk substrate, the metal on the substrate surface (for example, Ni in the case of a nickel phosphorous substrate) is eluted as the polishing proceeds. The pH is increased by the consumption of hydrogen ions. As a result, the polishing rate tends to decrease. On the other hand, in the polishing using the polishing composition having the above-mentioned sodium hydroxide amount α of 0.03 mol / L or more, the polishing composition has an appropriate buffer capacity, so even if the polishing proceeds The reduction of hydrogen ions is suppressed, and fluctuation of pH is less likely to occur (typically, pH 1.8 to 3.0 is maintained). This is considered to contribute to the improvement of the polishing rate. However, this should not be construed as limiting.

上記研磨用組成物のｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム量αは、研磨レート等の観点から、好ましくは０．０４モル／Ｌ以上、より好ましくは０．０５モル／Ｌ以上、さらに好ましくは０．０６モル／Ｌ以上である。所定値以上の水酸化ナトリウム量αを有する研磨用組成物は、研磨時におけるｐＨの変動が起こりにくい。したがって、ここに開示される技術の適用効果が適切に発揮される。一方、上記水酸化ナトリウム量αが大きすぎると、研磨用組成物中で砥粒の凝集が生じてスクラッチの数が増大傾向になり得る。高い研磨レートを保ちつつ、より良好な面精度（例えばスクラッチ数の低減された表面）を実現する等の観点からは、上記水酸化ナトリウム量αは、概ね０．２モル／Ｌ以下にすることが適当であり、好ましくは０．１８モル／Ｌ以下、より好ましくは０．１６モル／Ｌ以下、さらに好ましくは０．１５モル／Ｌ以下である。上記水酸化ナトリウム量αは、例えば０．１モル／Ｌ以下、典型的には０．０８モル／Ｌ以下であってもよい。ここに開示される技術は、例えば上記水酸化ナトリウム量αが０．０３モル／Ｌ以上０．２モル／Ｌ以下（好ましくは０．０３モル／Ｌ以上０．１３モル／Ｌ以下）である態様で好ましく実施され得る。   The amount of sodium hydroxide α necessary to raise the pH of the polishing composition by 1.0 is preferably 0.04 mol / L or more, more preferably 0.05 mol / L from the viewpoint of polishing rate and the like. Or more, more preferably 0.06 mol / L or more. The polishing composition having an amount of sodium hydroxide α equal to or more than a predetermined value hardly causes fluctuation of pH at the time of polishing. Therefore, the application effect of the technology disclosed herein is appropriately exhibited. On the other hand, if the amount of sodium hydroxide α is too large, aggregation of abrasive grains may occur in the polishing composition, and the number of scratches may tend to increase. The amount of sodium hydroxide α should be approximately 0.2 mol / L or less from the viewpoint of achieving better surface accuracy (for example, a surface with a reduced number of scratches) while maintaining a high polishing rate. Is preferably 0.18 mol / L or less, more preferably 0.16 mol / L or less, and still more preferably 0.15 mol / L or less. The amount of sodium hydroxide α may be, for example, 0.1 mol / L or less, typically 0.08 mol / L or less. In the technology disclosed herein, for example, the sodium hydroxide amount α is 0.03 mol / L or more and 0.2 mol / L or less (preferably 0.03 mol / L or more and 0.13 mol / L or less). It can be preferably implemented in an aspect.

上記研磨用組成物のｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム量αは、例えば研磨用組成物に含まれる酸の種類や濃度（複数種類の酸を含む場合、それらの種類や配合比）を変えることによって調整することができる。すなわち、酸の種類や濃度や配合比を適切に選択することによって、研磨用組成物のｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム量αをここに開示される適切な範囲に調整することができる。   The amount of sodium hydroxide α necessary to raise the pH of the polishing composition by 1.0 may be, for example, the type and concentration of the acid contained in the polishing composition (when two or more acids are contained, the types and It can be adjusted by changing the blending ratio. That is, by appropriately selecting the type and concentration of the acid and the compounding ratio, the amount of sodium hydroxide α necessary to raise the pH of the polishing composition by 1.0 is adjusted to the appropriate range disclosed herein. can do.

＜ｐＨ＞
上記研磨用組成物におけるｐＨ（初期値）は、概ね３．０以下である。研磨効率等の観点から、研磨用組成物のｐＨは、好ましくは２．８以下、より好ましくは２．６以下である。いくつかの態様において、上記ｐＨは、例えば２．２以下としてもよく、２．０以下（例えば２．０未満）としてもよい。また、研磨用組成物のｐＨは、通常、１．８以上である。研磨後の基板表面のピット欠陥や粗さ等を抑制する観点から、研磨用組成物のｐＨは、好ましくは１．８５以上、より好ましくは１．９以上、さらに好ましくは１．９５以上である。いくつかの態様において、上記ｐＨは、例えば２．０以上としてもよく、２．３以上（例えば２．４以上）としてもよい。ここに開示される技術は、例えば研磨用組成物におけるｐＨが１．８以上２．６以下である態様で好ましく実施され得る。上記ｐＨは、例えば、ニッケルリン基板等の磁気ディスク基板の研磨用の研磨用組成物に好ましく適用され得る。特に仕上げ研磨用の研磨用組成物に好ましく適用され得る。
なお、ここに開示される技術において、研磨用組成物のｐＨは、ｐＨメーターを用いて３点校正した後で、ガラス電極を測定対象の組成物に入れて測定することにより把握することができる。標準液は、例えば、シュウ酸塩ｐＨ標準液：ｐＨ１．６８（２５℃）、フタル酸塩ｐＨ標準液：ｐＨ４．０１（２５℃）、中性リン酸塩ｐＨ標準液：ｐＨ６．８６（２５℃）、炭酸塩ｐＨ標準液：ｐＨ１０．０１（２５℃）である。 <PH>
The pH (initial value) in the polishing composition is about 3.0 or less. From the viewpoint of polishing efficiency etc., the pH of the polishing composition is preferably 2.8 or less, more preferably 2.6 or less. In some embodiments, the pH may be, for example, 2.2 or less, or 2.0 or less (eg, less than 2.0). The pH of the polishing composition is usually 1.8 or more. The pH of the polishing composition is preferably 1.85 or more, more preferably 1.9 or more, and still more preferably 1.95 or more from the viewpoint of suppressing pit defects, roughness, etc. of the substrate surface after polishing. . In some embodiments, the pH may be, for example, 2.0 or more, and may be 2.3 or more (eg, 2.4 or more). The technology disclosed herein can be preferably practiced, for example, in an aspect in which the pH in the polishing composition is 1.8 or more and 2.6 or less. The above pH can be preferably applied to, for example, a polishing composition for polishing a magnetic disk substrate such as a nickel phosphorus substrate. In particular, it can be preferably applied to a polishing composition for finish polishing.
In the technique disclosed herein, the pH of the polishing composition can be grasped by measuring the glass electrode in the composition to be measured after calibration at three points using a pH meter. . The standard solution is, for example, oxalate pH standard solution: pH 1.68 (25 ° C.), phthalate pH standard solution: pH 4.01 (25 ° C.), neutral phosphate pH standard solution: pH 6.86 (25) C), carbonate pH standard solution: pH 10.01 (25 ° C.).

＜研磨用組成物＞
（砥粒）
ここに開示される研磨用組成物は、砥粒を含有する。この砥粒は、特定の平均一次粒子径を有する。すなわち、ＢＥＴ法により測定される砥粒の平均一次粒子径が１ｎｍ以上である。平均一次粒子径の増大によって、より高い研磨速度が実現され得る。研磨効率等の観点から、上記平均一次粒子径は、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは１５ｎｍ以上である。また、より面精度の高い表面を得るという観点から、上記平均一次粒子径は、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４５ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下、特に好ましくは３５ｎｍ以下である。いくつかの態様において、上記平均一次粒子径は、例えば３０ｎｍ以下としてもよく、典型的には２５ｎｍ以下（例えば２０ｎｍ以下）としてもよい。 <Composition for polishing>
(Abrasive)
The polishing composition disclosed herein contains an abrasive. The abrasive has a specific average primary particle size. That is, the average primary particle diameter of the abrasive grains measured by the BET method is 1 nm or more. Higher polishing rates can be achieved by increasing the average primary particle size. From the viewpoint of polishing efficiency etc., the average primary particle diameter is preferably 3 nm or more, more preferably 5 nm or more, still more preferably 10 nm or more, particularly preferably 15 nm or more. The average primary particle diameter is preferably 50 nm or less, more preferably 45 nm or less, still more preferably 40 nm or less, particularly preferably 35 nm or less from the viewpoint of obtaining a surface with higher surface accuracy. In some embodiments, the average primary particle size may be, for example, 30 nm or less, and typically 25 nm or less (eg, 20 nm or less).

なお、ここに開示される技術において、砥粒の平均一次粒子径は、ＢＥＴ法に基づいて求められる平均粒子径をいう。例えば、砥粒がシリカ砥粒（すなわちシリカ粒子からなる砥粒）の場合、シリカ砥粒の平均一次粒子径は、ＢＥＴ法により測定される比表面積Ｓ（ｍ^２／ｇ）から、Ｄ１（ｎｍ）＝（６０００／２．２）／Ｓの式により算出され得る。この式における２．２はシリカの比重の値であり、シリカとしての粒子径となる。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を用いて行うことができる。 In the technique disclosed herein, the average primary particle size of the abrasive grains refers to the average particle size obtained based on the BET method. For example, when the abrasive is a silica abrasive (that is, an abrasive comprising silica particles), the average primary particle diameter of the silica abrasive is D1 (nm) from the specific surface area S (m ² / g) measured by the BET method. ) = (6000 / 2.2) / S. 2.2 in this formula is a value of specific gravity of silica, and it becomes a particle diameter as silica. The measurement of the specific surface area can be performed, for example, using a surface area measurement device manufactured by Micromeritex, trade name "Flow Sorb II 2300".

特に限定するものではないが、砥粒の個数平均アスペクト比は、原理上１以上であり、その下限値は特に限定されないが、例えば１．０３以上、典型的には１．０８以上であってもよい。また、面精度を効率よく高めやすくする観点から、いくつかの態様において、平均アスペクト比は、通常、１．３０以下であることが適当である。粒子全体の平均アスペクト比の低減によって、砥粒が転がり移動しやすくなるため加工が安定し、スクラッチがより好ましく低減され得る。粒子全体の平均アスペクト比は、好ましくは１．２８以下、より好ましくは１．２５以下（例えば１．２以下）である。ここで、砥粒の平均アスペクト比とは、該砥粒を構成する個々の粒子の長径／短径比の平均値、すなわち個数平均アスペクト比をいう。以下、特記しない場合、本明細書において平均アスペクト比とは、上記個数平均アスペクト比を意味するものとする。   Although not particularly limited, the number average aspect ratio of the abrasive is in principle 1 or more, and the lower limit thereof is not particularly limited, and is, for example, 1.03 or more, typically 1.08 or more. It is also good. In addition, from the viewpoint of efficiently enhancing the surface accuracy, in some embodiments, the average aspect ratio is usually suitably 1.30 or less. The reduction of the average aspect ratio of the whole particles facilitates the rolling movement of the abrasive grains, so that the processing is stable and scratches can be more preferably reduced. The average aspect ratio of the whole particles is preferably 1.28 or less, more preferably 1.25 or less (e.g. 1.2 or less). Here, the average aspect ratio of the abrasive grains refers to the average value of the major axis / minor axis ratio of the individual particles constituting the abrasive grains, that is, the number average aspect ratio. Hereinafter, unless otherwise specified, in the present specification, the average aspect ratio means the above-described number average aspect ratio.

砥粒の個数平均アスペクト比は、例えば次の方法で測定される。すなわち、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ、日立ハイテクノロジーズ社製ＳＴＥＭ ＨＤ−２７００）を用いて、測定対象の砥粒（１種類の砥粒粒子であってもよく、２種類以上の砥粒粒子の混合物であってもよい。）に含まれるＴＥＭにて観察可能な１０００個以上の粒子を、１視野内に１００個程度観察可能な倍率（例えば２０００００倍〜４０００００倍）で撮影し、ＴＥＭ画像を取得する。そして、各粒子画像に外接する最小の長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を各粒子の長径／短径比（アスペクト比）として算出する。また、各粒子の画像から各粒子の面積を算出し、算出された面積と同一の面積を有する理想円（真円）の直径を各粒子の粒子径として算出する。すなわち、測定対象とする砥粒の累積粒度分布は、当該砥粒を構成する個々の粒子について上記算出された粒子径を横軸に、累積個数（％）を縦軸にプロットすることにより求められる。そして、上記所定個数の粒子のアスペクト比から、小径側からの上記累積粒度分布における所定の累積範囲の粒子の個数平均アスペクト比を算術平均することにより、全粒子の平均アスペクト比を求めることができる。上記各アスペクト比は、マウンテック社製画像解析ソフトウエアＭａｃＶｉｅｗを用いて求めることができる。   The number average aspect ratio of the abrasive grains is measured, for example, by the following method. That is, using a transmission electron microscope (Transmission Electron Microscope: TEM, STEM HD-2700 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), the abrasive particles to be measured (one type of abrasive particle may be used, and two or more types of abrasives may be used. And 1000 or more particles that can be observed by TEM contained in a mixture of particle particles) can be observed at a magnification (for example, 200,000 to Acquire a TEM image. Then, for the smallest rectangle circumscribing each particle image, the value obtained by dividing the length of the long side (value of the long diameter) by the length of the short side (value of the short diameter) is the long diameter / short diameter ratio of each particle ( Calculated as aspect ratio). The area of each particle is calculated from the image of each particle, and the diameter of an ideal circle (perfect circle) having the same area as the calculated area is calculated as the particle diameter of each particle. That is, the cumulative particle size distribution of the abrasive particles to be measured can be obtained by plotting the particle diameter calculated above for each particle constituting the abrasive particles on the horizontal axis and the cumulative number (%) on the vertical axis. . Then, from the aspect ratio of the predetermined number of particles, the average aspect ratio of all particles can be determined by arithmetically averaging the number average aspect ratio of particles in a predetermined cumulative range in the cumulative particle size distribution from the small diameter side. . The above aspect ratios can be obtained using image analysis software MacView manufactured by Mountech Co.

砥粒の材質や性状は、前記平均一次粒子径を有する限りにおいて特に制限はない。例えば、砥粒は無機粒子、有機粒子および有機無機複合粒子のいずれかであり得る。無機粒子の具体例としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩；等が挙げられる。上記アルミナ粒子としては、α−アルミナ、α−アルミナ以外の中間アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。中間アルミナとは、α−アルミナ以外のアルミナ粒子の総称であり、具体例としてはγ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、η−アルミナ、κ−アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子やポリ（メタ）アクリル酸粒子、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。砥粒は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。   The material and properties of the abrasive are not particularly limited as long as they have the average primary particle diameter. For example, the abrasive may be any of inorganic particles, organic particles and organic-inorganic composite particles. Specific examples of the inorganic particles include silica particles, alumina particles, cerium oxide particles, chromium oxide particles, titanium dioxide particles, zirconium oxide particles, magnesium oxide particles, manganese dioxide particles, zinc oxide particles, oxide particles such as bengara particles; Nitride particles such as silicon nitride particles and boron nitride particles; carbide particles such as silicon carbide particles and boron carbide particles; diamond particles; carbonates such as calcium carbonate and barium carbonate; Examples of the alumina particles include α-alumina, intermediate alumina other than α-alumina, and composites thereof. Intermediate alumina is a general term for alumina particles other than α-alumina, and specific examples include γ-alumina, δ-alumina, θ-alumina, η-alumina, κ-alumina, and composites of these. Specific examples of the organic particles include poly (methyl methacrylate) (PMMA) particles, poly (meth) acrylic acid particles, and polyacrylonitrile particles. Here, (meth) acrylic acid is a meaning that generally refers to acrylic acid and methacrylic acid. Abrasive grains can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

ここに開示される技術において使用し得る砥粒の好適例としてシリカ粒子が挙げられる。上記砥粒に含まれるシリカ粒子は、シリカを主成分とする各種のシリカ粒子であり得る。ここで、シリカを主成分とするシリカ粒子とは、該粒子の９０重量％以上、通常は９５重量％以上、典型的には９８重量％以上がシリカである粒子をいう。使用し得るシリカ粒子の例としては、特に限定されないが、コロイダルシリカ（例えば、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ等）、フュームドシリカ、沈降シリカ等が挙げられる。表面改質としては、例えば、官能基の導入、金属修飾等の化学的修飾が挙げられる。ここに開示される技術における砥粒は、このようなシリカ粒子の１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて含むものであり得る。   Preferred examples of the abrasive that can be used in the technology disclosed herein include silica particles. The silica particles contained in the abrasive grains may be various silica particles containing silica as a main component. Here, the silica particles containing silica as a main component refer to particles in which at least 90 wt%, usually at least 95 wt%, typically at least 98 wt% of the particles are silica. Although it does not specifically limit as an example of the silica particle which can be used, Colloidal silica (For example, a sodium silicate method silica, an alkoxide method silica etc.), fumed silica, precipitated silica etc. are mentioned. The surface modification includes, for example, introduction of a functional group, and chemical modification such as metal modification. Abrasive grains in the art disclosed herein may contain one of such silica particles alone or in combination of two or more.

ここに開示される技術におけるシリカ砥粒の構成成分として使用し得るシリカ粒子の一好適例として、コロイダルシリカが挙げられる。なかでも、ケイ酸ソーダ法シリカやアルコキシド法シリカのように、水相での粒子成長を経て合成されたコロイダルシリカの使用が好ましい。この種のコロイダルシリカを含むシリカ砥粒によると、高い研磨レートと良好な面精度とが好適に達成され得る。ここに開示されるシリカ砥粒がコロイダルシリカを含む場合、該シリカ砥粒に含まれるコロイダルシリカは、１種であってもよく、製造条件および／または物性の異なる２種以上であってもよい。また、上記シリカ砥粒は、１種または２種以上のコロイダルシリカからなる構成であってもよく、コロイダルシリカと、他のシリカ粒子すなわちコロイダルシリカ以外のシリカ粒子とを組み合わせて含む構成であってもよい。好ましい一態様では、研磨用組成物に含まれる砥粒が、コロイダルシリカを単独で含む。コロイダルシリカを単独で用いることにより、高い研磨レートを保ちつつ、より良好な面精度（例えばスクラッチ数の低減された表面）が実現され得る。   Colloidal silica is mentioned as a suitable example of silica particles which can be used as a component of silica abrasives in art indicated here. Among them, use of colloidal silica synthesized through particle growth in an aqueous phase, such as sodium silicate silica and alkoxide silica, is preferable. According to the silica abrasive containing this kind of colloidal silica, high polishing rate and good surface accuracy can be suitably achieved. When the silica abrasive grains disclosed herein contain colloidal silica, the colloidal silica contained in the silica abrasive grains may be one kind, and may be two or more kinds different in production conditions and / or physical properties. . Further, the above-mentioned silica abrasive grains may be composed of one or two or more types of colloidal silica, and are a configuration including a combination of colloidal silica and other silica particles, that is, silica particles other than colloidal silica, It is also good. In a preferred embodiment, the abrasive grains contained in the polishing composition contain colloidal silica alone. By using colloidal silica alone, better surface accuracy (e.g., a surface with a reduced number of scratches) can be realized while maintaining a high polishing rate.

コロイダルシリカの粒子形状は特に限定されず、例えば球形であってもよく、非球形であってもよいが、研磨用組成物を仕上げ研磨工程に使用する場合は球形に近い形状が好ましい。   The particle shape of the colloidal silica is not particularly limited, and may be, for example, spherical or non-spherical. However, when the polishing composition is used in the final polishing step, a shape close to a spherical shape is preferable.

ここに開示される研磨用組成物において、該研磨用組成物に含まれる固形分に占めるシリカ粒子の含有量は、特に限定されない。上記シリカ粒子の含有量は、本発明による効果を発揮しやすくする観点から、上記固形分全体の４０重量％以上であることが好ましく、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは６０重量％以上、さらにより好ましくは８０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上、例えば９９重量％以上である。なお、本明細書において研磨用組成物に含まれる固形分とは、結合水が除去されない程度の温度、例えば６０℃で研磨用組成物から水分を蒸発させた後の残留分すなわち不揮発分をいう。   In the polishing composition disclosed herein, the content of the silica particles in the solid content contained in the polishing composition is not particularly limited. The content of the silica particles is preferably 40% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and still more preferably 60% by weight or more from the viewpoint of facilitating the effects of the present invention. It is even more preferably 80% by weight or more, particularly preferably 90% by weight or more, for example 99% by weight or more. In the present specification, the solid content contained in the polishing composition refers to the residual content after evaporating water from the polishing composition at a temperature at which bound water is not removed, for example, 60 ° C., ie, non-volatile content. .

研磨用組成物における砥粒の含有量は特に制限されないが、典型的には０．１重量％以上であり、０．５重量％以上であることが好ましく、１重量％以上であることがより好ましく、３１重量％以上であることがさらに好ましい。上記含有量は、複数種類の砥粒を含む場合には、それらの合計含有量である。砥粒の含有量の増大によって、より高い研磨レートが実現される傾向にある。研磨後の基板の表面平滑性や研磨の安定性の観点から、通常、上記含有量は、２５重量％以下が適当であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下、例えば８重量％以下である。   The content of the abrasive grains in the polishing composition is not particularly limited, but is typically 0.1% by weight or more, preferably 0.5% by weight or more, and more preferably 1% by weight or more. Preferably, it is 31% by weight or more. The above-mentioned content is the total content of those kinds, when it contains two or more kinds of abrasives. Higher abrasive rates tend to be achieved by increasing the abrasive content. From the viewpoint of the surface smoothness of the substrate after polishing and the stability of polishing, the content is usually 25% by weight or less, preferably 20% by weight or less, more preferably 15% by weight or less, more preferably Is 10% by weight or less, for example, 8% by weight or less.

（水）
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には、上述のような砥粒の他に、該砥粒を分散させる水を含有する。水としては、イオン交換水、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。イオン交換水は、典型的には脱イオン水であり得る。 (water)
The polishing composition disclosed herein typically contains, in addition to the abrasive as described above, water for dispersing the abrasive. As water, ion exchange water, pure water, ultrapure water, distilled water and the like can be preferably used. Ion exchange water can typically be deionized water.

ここに開示される研磨用組成物は、例えば、その固形分含量が０．５重量％〜３０．０重量％である形態で好ましく実施され得る。上記固形分含量が１．０重量％〜２０．０重量％である形態がより好ましい。研磨用組成物は、典型的にはスラリー状の組成物であり得る。   The polishing composition disclosed herein can be preferably practiced, for example, in the form of a solid content of 0.5% to 30.0% by weight. More preferably, the solid content is 1.0% to 20.0% by weight. The polishing composition may typically be a slurry composition.

（酸）
ここに開示される研磨用組成物は、研磨促進剤として酸を含む態様で実施される。使用され得る酸としては、研磨用組成物のｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム量αが前記範囲を満たす限りにおいて特に制限はなく、無機酸および有機酸のいずれも使用可能である。有機酸としては、例えば、炭素原子数が１〜１８程度、典型的には１〜１０程度の有機カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸、アミノ酸等が挙げられる。酸は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。 (acid)
The polishing composition disclosed herein is carried out in an aspect including an acid as a polishing accelerator. The acid that can be used is not particularly limited as long as the amount of sodium hydroxide α necessary to raise the pH of the polishing composition by 1.0 satisfies the above range, and any of inorganic acids and organic acids can be used. It is. Examples of organic acids include organic carboxylic acids, organic phosphonic acids, organic sulfonic acids, amino acids and the like having about 1 to 18 carbon atoms, and typically about 1 to 10 carbon atoms. An acid can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

無機酸の具体例としては、リン酸（オルトリン酸）、硝酸、硫酸、塩酸、ホウ酸、スルファミン酸、ホスフィン酸、ホスホン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、テトラポリリン酸、ヘキサメタリン酸、炭酸、フッ化水素酸、亜硫酸、チオ硫酸、塩素酸、過塩素酸、亜塩素酸、ヨウ化水素酸、過ヨウ素酸、ヨウ素酸、臭化水素酸、過臭素酸、臭素酸、クロム酸、亜硝酸等が挙げられる。   Specific examples of inorganic acids include phosphoric acid (orthophosphoric acid), nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, boric acid, sulfamic acid, phosphinic acid, phosphonic acid, pyrophosphoric acid, tripolyphosphoric acid, tetrapolyphosphoric acid, hexametaphosphoric acid, carbonic acid, fluorinated acid Hydrogen acid, sulfurous acid, thiosulfuric acid, chloric acid, perchloric acid, chlorous acid, hydroiodic acid, periodic acid, iodic acid, hydrobromic acid, perbromic acid, bromic acid, chromic acid, nitrous acid, etc. It can be mentioned.

有機酸の具体例としては、マレイン酸、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、アジピン酸、シュウ酸、吉草酸、エナント酸、カプロン酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、シクロヘキサンカルボン酸、フェニル酢酸、安息香酸、クロトン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、リシノレン酸、メタクリル酸、グルタル酸、フマル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、タルトロン酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシ酢酸、ヒドロキシ安息香酸、サリチル酸、イソクエン酸、メチレンコハク酸、没食子酸、アスコルビン酸、ニトロ酢酸、オキサロ酢酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸等の有機カルボン酸；グリシン、アラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、メチオニン、フェニルアラニン、トリプトファン、チロシン、プロリン、シスチン、グルタミン、アスパラギン、リシン、アルギニン等のアミノ酸；ニコチン酸；ピクリン酸；ピコリン酸；メチルアシッドホスフェート、エチルアシッドホスフェート、エチルグリコールアシッドホスフェート、イソプロピルアシッドホスフェート、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタンヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸、アミノポリ（メチレンホスホン酸）等の有機ホスホン酸；エタンスルホン酸、アミノエタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、１０−カンファースルホン酸、タウリン等の有機スルホン酸等が挙げられる。   Specific examples of organic acids include maleic acid, malic acid, glycolic acid, succinic acid, itaconic acid, malonic acid, iminodiacetic acid, gluconic acid, lactic acid, mandelic acid, tartaric acid, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, adipine Acid, oxalic acid, valeric acid, enanthate, caproic acid, caprylic acid, pelargonic acid, capric acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, margaric acid, stearic acid, cyclohexane carboxylic acid, phenylacetic acid, benzoic acid, crotonic acid , Oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, ricinoleic acid, methacrylic acid, glutaric acid, glutaric acid, fumaric acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, thalthronic acid, glyceric acid, hydroxybutyric acid, hydroxyacetic acid, hydroxybenzoic acid, salicylic acid, isocitene Acid, Methylene Succinic Acid, Gallic Acid, Ascorbic Organic carboxylic acids such as acid, nitroacetic acid, oxaloacetic acid, chloroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid; glycine, alanine, glutamic acid, aspartic acid, valine, leucine, isoleucine, serine, threonine, cysteine, methionine, phenylalanine, tryptophan, tyrosine Amino acids such as proline, cystine, glutamine, asparagine, lysine and arginine; nicotinic acid; picric acid; picolinic acid; methyl acid phosphate, ethyl acid phosphate, ethyl glycol acid phosphate, isopropyl acid phosphate, phytic acid, 1-hydroxyethylidene 1,1-diphosphonic acid, amino tri (methylene phosphonic acid), ethylene diamine tetra (methylene phosphonic acid), diethylene triamine triacetate (Methylene phosphonic acid), ethane-1,1-diphosphonic acid, ethane-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1-diphosphonic acid, ethanehydroxy-1,1,2-triphosphonic acid Acid, ethane-1,2-dicarboxy-1,2-diphosphonic acid, methanehydroxyphosphonic acid, 2-phosphonobutane-1,2-dicarboxylic acid, 1-phosphonobutane-2,3,4-tricarboxylic acid, α-methyl Organic phosphonic acids such as phosphonosuccinic acid, aminopoly (methylene phosphonic acid); ethane sulfonic acid, amino ethane sulfonic acid, benzene sulfonic acid, p-toluene sulfonic acid, 2-naphthalene sulfonic acid, sulfosuccinic acid, 10-camphor sulfonic acid And organic sulfonic acids such as taurine.

研磨レートの観点から好ましい酸として、リン酸、マロン酸、マレイン酸、塩酸、硝酸、硫酸、スルファミン酸、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸等が例示される。なかでもリン酸、マロン酸、マレイン酸、硝酸、硫酸が好ましい。   Examples of preferred acids from the viewpoint of polishing rate include phosphoric acid, malonic acid, maleic acid, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, sulfamic acid, phytic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid and the like. Among them, phosphoric acid, malonic acid, maleic acid, nitric acid and sulfuric acid are preferable.

好ましい一態様では、酸として、リン酸と、分子構造内に１または２以上のヒドロキシル基を有するカルボン酸とが組み合わせて用いられる。カルボン酸は、モノカルボン酸、ポリカルボン酸（ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸等）のいずれであってもよいが、ジカルボン酸が好ましい。ジカルボン酸としては、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、酒石酸、フマル酸、メチルマロン酸、ジメチルマロン酸、メチレンコハク酸、グルコン酸、タルトロン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、オキサロ酢酸、シスチンが挙げられる。なかでも、マロン酸、マレイン酸が好ましい。これらのジカルボン酸とリン酸とを組み合わせて用いることにより、前述した効果がより良く発揮され得る。   In a preferred embodiment, as the acid, phosphoric acid and a carboxylic acid having one or more hydroxyl groups in the molecular structure are used in combination. The carboxylic acid may be any of monocarboxylic acid and polycarboxylic acid (dicarboxylic acid, tricarboxylic acid, tetracarboxylic acid, etc.), with preference given to dicarboxylic acid. Examples of dicarboxylic acids include malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, tartaric acid, fumaric acid Examples include acids, methyl malonic acid, dimethyl malonic acid, methylene succinic acid, gluconic acid, thaltonic acid, glutamic acid, aspartic acid, oxaloacetic acid and cystine. Among them, malonic acid and maleic acid are preferable. By using these dicarboxylic acid and phosphoric acid in combination, the above-mentioned effects can be exhibited better.

ここで開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、上記酸として、第１の酸（典型的には弱酸）と、それよりも解離しやすい第２の酸（典型的には強酸）とが組み合わせて用いられる。このように第１の酸とそれよりも解離しやすい第２の酸とを組み合わせて用いることにより、酸の解離がより良く抑制され、ここに開示される技術の適用効果がより効果的に発揮され得る。第１の酸のｐＫａ１（第１段の酸解離指数、２５℃）は特に限定されないが、例えば１．８以上５．０以下であり得る。いくつかの態様において、第１の酸のｐＫａ１は、例えば１．９以上であってもよく、典型的には２．０以上であってもよい。第１の酸の例としては、リン酸、マレイン酸、亜硫酸、亜塩素酸、亜硝酸、トリポリリン酸、ニコチン酸、オキサロ酢酸、クロロ酢酸、フタル酸、フマル酸、マロン酸、酒石酸、ポリスルホン酸、グルタミン酸、サリチル酸、アスパラギン酸、グリシン、アルギニン、チロシン、バリン、メチオニン、リシン、ロイシン等が例示される。なかでも、リン酸、マロン酸、マレイン酸が好ましい。第２の酸のｐＫａ１（第１段の酸解離指数、２５℃）は、第１の酸のｐＫａ１よりも小さければよく特に限定されないが、例えば−１０．０以上２．５以下であり得る。いくつかの態様において、第２の酸のｐＫａ１は、例えば２．３以下であってもよく、典型的には２．０以下であってもよい。第２の酸のｐＫａ１は、１．８未満であってもよく、１．５以下であってもよく、典型的には１．２以下であってもよい。第２の酸の例としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、マレイン酸、シュウ酸、ピロリン酸、ホスフィン酸、ホスホン酸、ピクリン酸、ピコリン酸、チオ硫酸、塩素酸、過塩素酸、ヨウ素水素酸、過ヨウ素水素酸、ヨウ素酸、臭化水素酸、過臭素酸、臭素酸、クロム酸、ニトロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が例示される。なかでも、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、マレイン酸、が好ましい。   In a preferred embodiment of the polishing composition disclosed herein, the acid includes a first acid (typically a weak acid) and a second acid (typically a strong acid) that is more likely to dissociate. Are used in combination. Thus, by using the first acid in combination with the second acid which is more likely to dissociate, the dissociation of the acid is better suppressed, and the application effect of the technology disclosed herein is more effectively exhibited. It can be done. The pKa 1 (first stage acid dissociation index, 25 ° C.) of the first acid is not particularly limited, but may be, for example, 1.8 or more and 5.0 or less. In some embodiments, the pKa1 of the first acid may be, for example, 1.9 or more, and typically 2.0 or more. Examples of the first acid include phosphoric acid, maleic acid, sulfite, chlorite, nitrite, tripolyphosphate, nicotinic acid, oxaloacetate, chloroacetic acid, phthalic acid, fumaric acid, malonic acid, tartaric acid, polysulfonic acid, Glutamate, salicylic acid, aspartic acid, glycine, arginine, tyrosine, valine, methionine, lysine, leucine and the like are exemplified. Among them, phosphoric acid, malonic acid and maleic acid are preferable. The pKa1 of the second acid (first stage acid dissociation index, 25 ° C.) is not particularly limited as long as it is smaller than the pKa1 of the first acid, but may be, for example, -10.0 or more and 2.5 or less. In some embodiments, the pKa 1 of the second acid may be, for example, 2.3 or less, and typically 2.0 or less. The pKa1 of the second acid may be less than 1.8, less than or equal to 1.5, and typically less than or equal to 1.2. Examples of the second acid include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, maleic acid, oxalic acid, pyrophosphoric acid, phosphinic acid, phosphonic acid, picric acid, picolinic acid, thiosulfuric acid, chloric acid, perchloric acid, iodine Examples thereof include hydrogen acid, periodic hydrogen acid, iodic acid, hydrobromic acid, perbromic acid, bromic acid, chromic acid, nitroacetic acid, trichloroacetic acid, dichloroacetic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid and the like. Among them, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and maleic acid are preferable.

第１の酸と第２の酸とを併用する場合、研磨用組成物における第１の酸のモル濃度Ｘ（モル／Ｌ）と第２の酸のモル濃度Ｙ（モル／Ｌ）との比の値（Ｘ／Ｙ）は特に限定されないが、通常は３以下であり、好ましくは２．６以下である。第１の酸と第２の酸とを特定のモル比となるように組み合わせて用いることにより、前述した効果がより好適に発揮され得る。いくつかの態様において、上記比の値（Ｘ／Ｙ）は、例えば２以下、典型的には１．８以下（例えば１．７以下）であってもよい。上記比の値（Ｘ／Ｙ）の下限は特に限定されないが、通常は０．０１以上が適当であり、好ましくは０．０５以上、より好ましくは０．１以上である。ここに開示される技術は、例えば研磨用組成物における第１の酸のモル濃度Ｘと第２の酸のモル濃度Ｙとの比の値（Ｘ／Ｙ）が０．１２以上２．６以下（好ましくは１以上１．７以下）である態様で好ましく実施され得る。   When the first acid and the second acid are used in combination, the ratio of the molar concentration X (mol / L) of the first acid to the molar concentration Y (mol / L) of the second acid in the polishing composition The value (X / Y) of is not particularly limited, but is usually 3 or less, preferably 2.6 or less. By combining and using the first acid and the second acid so as to have a specific molar ratio, the above-described effects can be more suitably exhibited. In some embodiments, the value of the ratio (X / Y) may be, for example, 2 or less, typically 1.8 or less (eg, 1.7 or less). The lower limit of the value (X / Y) of the above ratio is not particularly limited, but usually 0.01 or more is suitable, preferably 0.05 or more, and more preferably 0.1 or more. In the technology disclosed herein, for example, the value (X / Y) of the ratio of the molar concentration X of the first acid to the molar concentration Y of the second acid in the polishing composition is 0.12 or more and 2.6 or less It can be preferably implemented in the aspect which is (preferably 1 or more and 1.7 or less).

酸は、該酸の塩の形態で用いられてもよい。塩の例としては、上述した無機酸や有機酸の、金属塩、アンモニウム塩、アルカノールアミン塩等が挙げられる。金属塩としては、例えば、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が挙げられる。アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等の第四級アンモニウム塩が挙げられる。アルカノールアミン塩としては、例えば、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩が挙げられる。
塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩およびアルカリ金属リン酸水素塩；上記で例示した有機酸のアルカリ金属塩；その他、グルタミン酸二酢酸のアルカリ金属塩、ジエチレントリアミン五酢酸のアルカリ金属塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸のアルカリ金属塩、トリエチレンテトラミン六酢酸のアルカリ金属塩；等が挙げられる。これらのアルカリ金属塩におけるアルカリ金属は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等であり得る。 The acid may be used in the form of a salt of the acid. Examples of the salt include metal salts, ammonium salts and alkanolamine salts of the above-mentioned inorganic acids and organic acids. Examples of the metal salt include alkali metal salts such as lithium salt, sodium salt and potassium salt. Examples of the ammonium salt include quaternary ammonium salts such as tetramethyl ammonium salt and tetraethyl ammonium salt. As an alkanolamine salt, a monoethanolamine salt, a diethanolamine salt, a triethanolamine salt is mentioned, for example.
Specific examples of the salt include alkali metal phosphates and alkali metals such as tripotassium phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, trisodium phosphate, disodium hydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate and the like Hydrogen phosphate; alkali metal salts of organic acids exemplified above; other, alkali metal salts of glutamic acid diacetic acid, alkali metal salts of diethylene triamine pentaacetic acid, alkali metal salts of hydroxyethyl ethylenediamine triacetic acid, triethylene tetramine hexaacetic acid Alkali metal salts; and the like. The alkali metal in these alkali metal salts can be, for example, lithium, sodium, potassium and the like.

ここに開示される研磨用組成物に含まれ得る塩としては、無機酸の塩、例えば、アルカリ金属塩やアンモニウム塩を好ましく採用し得る。例えば、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム、リン酸カリウム等を好ましく使用し得る。   As a salt that can be included in the polishing composition disclosed herein, salts of inorganic acids such as alkali metal salts and ammonium salts can be preferably employed. For example, potassium chloride, sodium chloride, ammonium chloride, potassium nitrate, sodium nitrate, ammonium nitrate, potassium phosphate and the like can be preferably used.

酸およびその塩は、１種を単独でまたは２種以上（例えば２種または３種）を組み合わせて用いることができる。好ましい一態様において、酸と、該酸とは異なる酸の塩とを組み合わせて用いることができる。好ましい他の一態様では、上記酸は、好ましくは無機酸である。上記酸の塩は、好ましくは無機酸の塩である。   The acids and their salts can be used alone or in combination of two or more (for example, two or three). In a preferred embodiment, an acid and a salt of an acid different from the acid can be used in combination. In another preferred embodiment, the acid is preferably an inorganic acid. The salts of the above acids are preferably salts of inorganic acids.

研磨用組成物における酸のモル濃度（複数種類の酸を含む場合には、それらの合計モル濃度）は、研磨用組成物のｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム量αについて前記範囲を満たす限りにおいて特に制限はないが、典型的には０．０１モル／Ｌ以上であり、０．０５モル／Ｌ以上が好ましく、０．１モル／Ｌ以上がより好ましく、０．１５モル／Ｌ以上がさらに好ましい。いくつかの態様において、酸のモル濃度は、例えば０．１８モル／Ｌ以上であってもよく、典型的には０．２５モル／Ｌ以上であってもよい。酸のモル濃度の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。研磨後の面精度や研磨の安定性等の観点から、通常、上記酸のモル濃度は、２モル／Ｌ以下が適当であり、いくつかの態様において、酸のモル濃度は、例えば１モル／Ｌ以下であってもよく、典型的には０．５モル／Ｌ以下であってもよい。   The molar amount of sodium hydroxide (α) required to increase the pH of the polishing composition by 1.0 is the molar concentration of the acids in the polishing composition (the total molar concentration of the acids if they contain multiple types of acids) There is no particular limitation as long as the above range is satisfied, but it is typically 0.01 mol / L or more, preferably 0.05 mol / L or more, and more preferably 0.1 mol / L or more, 0.15 More preferably, mol / L or more. In some embodiments, the molar concentration of the acid may be, for example, 0.18 mol / L or more, and typically 0.25 mol / L or more. Higher polishing rates can be achieved by increasing the molar concentration of the acid. From the viewpoint of surface accuracy after polishing, stability of polishing, etc., the molar concentration of the acid is usually 2 mol / L or less. In some embodiments, the molar concentration of the acid is, for example, 1 mol / l. It may be L or less, and typically 0.5 mol / L or less.

（酸化剤）
ここに開示される研磨用組成物は、酸化剤を含有する。酸化剤の例としては、過酸化物、硝酸またはその塩、過ヨウ素酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩、酸素酸またはその塩、金属塩類、硫酸類等が挙げられるが、これらに限定されない。酸化剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、硝酸、硝酸鉄、硝酸アルミニウム、硝酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸金属塩、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、過マンガン酸カリウム、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩、塩化鉄、硫酸鉄、クエン酸鉄、硫酸アンモニウム鉄等が挙げられる。好ましい酸化剤として、過酸化水素、硝酸鉄、過ヨウ素酸、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ二硫酸および硝酸が例示される。少なくとも過酸化水素を含むことが好ましく、過酸化水素からなることがより好ましい。 (Oxidant)
The polishing composition disclosed herein contains an oxidizing agent. Examples of oxidizing agents include peroxides, nitric acid or salts thereof, periodic acid or salts thereof, peroxy acids or salts thereof, permanganic acid or salts thereof, chromic acid or salts thereof, oxygen acid or salts thereof, metal salts And sulfuric acid, etc., but not limited thereto. An oxidizing agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Specific examples of the oxidizing agent include hydrogen peroxide, sodium peroxide, barium peroxide, nitric acid, iron nitrate, aluminum nitrate, ammonium nitrate, peroxymonosulfuric acid, ammonium peroxomonosulfate, metal salt of peroxomonosulfuric acid, peroxodisulfuric acid, peroxodisulfuric acid Ammonium sulfate, metal peroxodisulfate, peroxophosphoric acid, peroxosulfuric acid, sodium perborate, perforic acid, peracetic acid, perbenzoic acid, perphthalic acid, hypobromous acid, hypoiodic acid, chloric acid, bromic acid, Iodic acid, periodic acid, perchloric acid, hypochlorous acid, sodium hypochlorite, calcium hypochlorite, potassium permanganate, metal salts of chromate, metal salts of dichromate, iron chloride, iron sulfate, Examples include iron citrate and ammonium iron sulfate. Examples of preferable oxidizing agents include hydrogen peroxide, iron nitrate, periodic acid, peroxomonosulfuric acid, peroxodisulfuric acid and nitric acid. It is preferable to include at least hydrogen peroxide, and more preferable to be composed of hydrogen peroxide.

研磨用組成物における酸化剤の含有量は、有効成分量基準で０．０１重量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．３重量％以上である。酸化剤の含有量が少なすぎると、研磨対象物を酸化する速度が遅くなり、研磨レートが低下するため、実用上好ましくない場合がある。また、研磨用組成物における酸化剤の含有量は、有効成分量基準で５重量％以下であることが好ましく、より好ましくは１重量％以下である。酸化剤の含有量が多すぎると、研磨対象物の面精度が低下しやすくなり、実用上好ましくない場合がある。   The content of the oxidizing agent in the polishing composition is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, and still more preferably 0.3% by weight or more, based on the amount of the active ingredient. . If the content of the oxidizing agent is too small, the rate at which the object to be polished is oxidized becomes slow, and the polishing rate decreases, which may be undesirable in practice. The content of the oxidizing agent in the polishing composition is preferably 5% by weight or less, more preferably 1% by weight or less, based on the amount of the active ingredient. If the content of the oxidizing agent is too large, the surface accuracy of the object to be polished tends to be reduced, which may be undesirable in practice.

（塩基性化合物）
研磨用組成物には、必要に応じて塩基性化合物を含有させることができる。ここで塩基性化合物とは、研磨用組成物に添加されることによって該組成物のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物の例としては、アルカリ金属水酸化物、炭酸塩や炭酸水素塩、第四級アンモニウムまたはその塩、アンモニア、アミン、リン酸塩やリン酸水素塩、有機酸塩等が挙げられる。塩基性化合物は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。 (Basic compound)
The polishing composition can contain a basic compound as required. Here, the basic compound refers to a compound having a function of increasing the pH of the composition by being added to the polishing composition. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxides, carbonates and hydrogencarbonates, quaternary ammonium or salts thereof, ammonia, amines, phosphates and hydrogenphosphates, organic acid salts and the like. The basic compounds can be used alone or in combination of two or more.

アルカリ金属水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。
炭酸塩や炭酸水素塩の具体例としては、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる。
第四級アンモニウムまたはその塩の具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の水酸化第四級アンモニウム；このような水酸化第四級アンモニウムのアルカリ金属塩；等が挙げられる。上記アルカリ金属塩としては、例えばナトリウム塩、カリウム塩が挙げられる。
アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、グアニジン、イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類、等が挙げられる。
リン酸塩やリン酸水素塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属塩が挙げられる。
有機酸塩の具体例としては、シュウ酸カリウム、酒石酸カリウム、酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸アンモニウム等が挙げられる。 Specific examples of the alkali metal hydroxide include potassium hydroxide and sodium hydroxide.
Specific examples of carbonates and hydrogencarbonates include ammonium hydrogencarbonate, ammonium carbonate, potassium hydrogencarbonate, potassium carbonate, sodium hydrogencarbonate, sodium carbonate and the like.
Specific examples of the quaternary ammonium or salts thereof include quaternary ammonium hydroxides such as tetramethyl ammonium hydroxide, tetraethyl ammonium hydroxide and tetrabutyl ammonium hydroxide; alkali metals of such quaternary ammonium hydroxides Salt; and the like. Examples of the alkali metal salt include sodium salt and potassium salt.
Specific examples of the amine include methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine, monoethanolamine, N- (β-aminoethyl) ethanolamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, anhydrous piperazine And piperazine hexahydrate, 1- (2-aminoethyl) piperazine, N-methyl piperazine, guanidine, azoles such as imidazole and triazole, and the like.
Specific examples of phosphate and hydrogen phosphate include alkalis such as tripotassium phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, trisodium phosphate, disodium hydrogen phosphate and sodium dihydrogen phosphate Metal salts are mentioned.
Specific examples of the organic acid salt include potassium oxalate, potassium tartrate, potassium sodium tartrate, ammonium tartrate and the like.

（その他の成分）
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、界面活性剤、キレート剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物（例えば、Ｎｉ−Ｐ基板等のような磁気ディスク基板用の研磨用組成物）に使用され得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。 (Other ingredients)
The polishing composition disclosed herein may be a polishing composition (e.g., a Ni-P substrate) such as a surfactant, a chelating agent, an antiseptic agent, an antifungal agent, etc., to the extent that the effects of the present invention are not significantly impaired. And the like, known additives which can be used in the polishing composition for magnetic disk substrates) may be further contained, as needed.

研磨用組成物には、必要に応じて界面活性剤を含有させることができる。ここでいう界面活性剤とは、１分子中に少なくとも一つ以上の親水部位（典型的には親水基）と一つ以上の疎水部位（典型的には疎水基）とを有する化合物をいう。界面活性剤としては、特に限定されず、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤のいずれも使用可能である。界面活性剤の使用により、研磨用組成物の分散安定性が向上し得る。界面活性剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
アニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、アルキル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、ポリアクリル酸、ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム等が挙げられる。
アニオン性界面活性剤の他の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物等が挙げられる。塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が好ましい。
ノニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。
カチオン性界面活性剤の具体例としては、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、アルキルアミン塩等が挙げられる。
両性界面活性剤の具体例としては、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシド等が挙げられる。 The polishing composition can optionally contain a surfactant. The term "surfactant" as used herein refers to a compound having at least one or more hydrophilic sites (typically, hydrophilic groups) and one or more hydrophobic sites (typically, hydrophobic groups) in one molecule. The surfactant is not particularly limited, and any of anionic surfactants, nonionic surfactants, cationic surfactants and amphoteric surfactants can be used. The use of a surfactant can improve the dispersion stability of the polishing composition. The surfactant may be used alone or in combination of two or more.
Specific examples of the anionic surfactant include polyoxyethylene alkyl ether acetic acid, polyoxyethylene alkyl sulfate, alkyl sulfate, polyoxyethylene alkyl sulfate, alkyl sulfate, alkyl benzene sulfonic acid, alkyl phosphate, polyoxyethylene Alkyl phosphate ester, polyoxyethylene sulfosuccinic acid, alkyl sulfosuccinic acid, alkyl naphthalene sulfonic acid, alkyl diphenyl ether disulfonic acid, polyacrylic acid, sodium lauryl sulfate, ammonium lauryl sulfate, sodium dodecyl benzene sulfonate, sodium polyoxyethylene alkyl ether sulfate, Polyoxyethylene alkyl phenyl ether ammonium sulfate, polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfur Sodium and the like.
Other specific examples of the anionic surfactant include polyalkyl aryl sulfonic acid compounds such as naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, methyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, anthracene sulfonic acid formaldehyde condensate, benzene sulfonic acid formaldehyde condensate and the like Melamine formalin resin sulfonic acid type compounds such as melamine sulfonic acid formaldehyde condensate; lignin sulfonic acid type compounds such as lignin sulfonic acid and denatured lignin sulfonic acid; aromatic amino sulfonic acid such as aminoaryl sulfonic acid-phenol-formaldehyde condensate And compounds such as such. As the salt, alkali metal salts such as sodium salt and potassium salt are preferable.
Specific examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyalkylene alkyl ether, sorbitan fatty acid ester, glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine, alkyl alkanolamide and the like. .
Specific examples of the cationic surfactant include alkyl trimethyl ammonium salts, alkyl dimethyl ammonium salts, alkyl benzyl dimethyl ammonium salts, alkyl amine salts and the like.
Specific examples of amphoteric surfactants include alkyl betaines, alkylamine oxides and the like.

界面活性剤を含む態様の研磨用組成物では、界面活性剤の含有量を、例えば０．０００５重量％以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の表面の平滑性等の観点から、好ましくは０．００１重量％以上、より好ましくは０．０１重量％以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量は、１重量％以下とすることが適当であり、好ましくは０．５重量％以下、例えば０．１重量％以下である。   In the polishing composition of the embodiment including the surfactant, the content of the surfactant is suitably, for example, 0.0005% by weight or more. The content is preferably 0.001% by weight or more, more preferably 0.01% by weight or more, from the viewpoint of surface smoothness and the like after polishing. Further, from the viewpoint of polishing rate etc., the content is suitably 1 wt% or less, preferably 0.5 wt% or less, for example 0.1 wt% or less.

キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸およびα−メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましく、なかでも好ましいものとしてエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）が挙げられる。   Examples of chelating agents include aminocarboxylic acid-based chelating agents and organic phosphonic acid-based chelating agents. Examples of aminocarboxylic acid chelating agents include ethylenediaminetetraacetic acid, sodium ethylenediaminetetraacetate, nitrilotriacetic acid, sodium nitrilotriacetate, ammonium nitrilotriacetate, ammonium hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, sodium hydroxyethylethylenediaminetriacetate, diethylenetriaminepentaacetic acid Sodium diethylene triamine pentaacetate, triethylene tetramine hexaacetic acid and sodium triethylene tetramine hexaacetate. Examples of organic phosphonic acid type chelating agents include 2-aminoethyl phosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylene phosphonic acid), ethylene diamine tetrakis (methylene phosphonic acid), diethylene triamine penta (methylene phosphonic acid) Acid), ethane-1,1-diphosphonic acid, ethane-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1-diphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1,2-triphosphonic acid Ethane-1,2-dicarboxy-1,2-diphosphonic acid, methanehydroxyphosphonic acid, 2-phosphonobutane-1,2-dicarboxylic acid, 1-phosphonobutane-2,3,4-tricarboxylic acid and α-methylphosphorus Includes nosuccinic acid. Among these, organic phosphonic acid type chelating agents are more preferable, and ethylenediamine tetrakis (methylene phosphonic acid) and diethylene triamine penta (methylene phosphonic acid) are mentioned as preferable one among them. Particularly preferred chelating agents include ethylenediamine tetrakis (methylene phosphonic acid).

防腐剤および防カビ剤の例としては、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン、５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノール等が挙げられる。   Examples of preservatives and fungicides include isothiazoline preservatives such as 2-methyl-4-isothiazolin-3-one and 5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one, and p-hydroxybenzoic acid esters And phenoxyethanol.

（研磨液）
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物（例えば磁気ディスク基板）に供給されて、該研磨対象物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、研磨用組成物を希釈（典型的には、水により希釈）して調製されたものであり得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨対象物に供給されて該研磨対象物の研磨に用いられる研磨液（ワーキングスラリー）と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液との双方が包含される。このような濃縮液の形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば１．５倍〜５０倍程度とすることができる。濃縮液の貯蔵安定性等の観点から、通常は２倍〜２０倍（典型的には２倍〜１０倍）程度の濃縮倍率が適当である。 (Abrasive fluid)
The polishing composition disclosed herein is typically supplied to a polishing target (for example, a magnetic disk substrate) in the form of a polishing liquid containing the polishing composition, and used for polishing the polishing target. . The polishing liquid may be prepared, for example, by diluting the polishing composition (typically, by dilution with water). Alternatively, the polishing composition may be used as it is as a polishing liquid. That is, in the concept of the polishing composition in the art disclosed herein, a polishing liquid (working slurry) supplied to a polishing object and used for polishing the polishing object is diluted and used as a polishing liquid Both with the concentrate are included. The polishing composition in the form of such a concentrated solution is advantageous from the viewpoint of convenience, cost reduction, and the like at the time of production, distribution, storage, and the like. The concentration factor can be, for example, about 1.5 times to 50 times. From the viewpoint of storage stability and the like of the concentrate, a concentration ratio of about 2 to 20 times (typically 2 to 10 times) is usually appropriate.

（多剤型研磨用組成物）
なお、ここに開示される研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、該研磨用組成物の構成成分（典型的には、水以外の成分）のうち一部の成分を含むＡ液と、残りの成分を含むＢ液とが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。好ましい一態様に係る多剤型研磨用組成物は、砥粒を含むＡ液（典型的には、分散剤を含んでもよい砥粒分散液）と、砥粒以外の成分（例えば、酸、水溶性高分子その他の添加剤）を含むＢ液とから構成されている。通常、これらは、使用前は分けて保管されており、使用時（研磨対象基板の研磨時）に混合され得る。混合時には、例えば過酸化水素等の酸化剤がさらに混合され得る。例えば、上記酸化剤（例えば過酸化水素）が水溶液（例えば過酸化水素水）の形態で供給される場合、当該水溶液は、多剤型研磨用組成物を構成するＣ液となり得る。 (Multi-component type polishing composition)
The polishing composition disclosed herein may be one-component type or multi-component type including two-component type. For example, solution A containing a part of components of the polishing composition (typically, components other than water) and solution B containing the remaining components are mixed to polish the object to be polished. It may be configured to be used for A multi-component type polishing composition according to a preferred embodiment includes a solution A containing abrasive grains (typically, an abrasive grain dispersion which may contain a dispersant) and components other than abrasive grains (eg, acid, water-soluble matter) And B) containing the polymer (other polymers and other additives). Usually, these are stored separately before use, and can be mixed at the time of use (during polishing of a substrate to be polished). At the time of mixing, an oxidizing agent such as, for example, hydrogen peroxide may be further mixed. For example, when the oxidizing agent (for example, hydrogen peroxide) is supplied in the form of an aqueous solution (for example, hydrogen peroxide solution), the aqueous solution can be the liquid C that constitutes the multi-agent polishing composition.

（用途）
ここに開示される技術の適用対象は特に限定されない。ここに開示される技術によれば、高い研磨レートを維持しつつ研磨後のスクラッチを高度に低減可能な研磨用組成物を提供し得る。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、磁気ディスク基板、シリコンウェーハ（例えば、シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコン単結晶ウェーハ）等の半導体基板、レンズや反射ミラー等の光学材料等のように、高精度な表面が要求される各種研磨対象物の研磨に好ましく使用され得る。なかでも磁気ディスク基板を研磨する用途に好適である。ここでいう磁気ディスク基板の例には、Ｎｉ−Ｐ基板（アルミニウム合金製等の基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板をいう。）やガラス磁気ディスク基板が含まれる。このような磁気ディスク基板を研磨する用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。Ｎｉ−Ｐ基板への適用が特に好ましい。 (Use)
The application target of the technology disclosed herein is not particularly limited. According to the technology disclosed herein, it is possible to provide a polishing composition capable of highly reducing scratches after polishing while maintaining a high polishing rate. The polishing composition disclosed herein is, for example, a semiconductor substrate such as a magnetic disk substrate, a silicon wafer (for example, a silicon single crystal wafer obtained by slicing a silicon single crystal ingot), an optical such as a lens or a reflection mirror. It can be preferably used for polishing various objects to be polished that require highly accurate surfaces, such as materials. Above all, it is suitable for use in polishing a magnetic disk substrate. Examples of the magnetic disk substrate mentioned here include a Ni-P substrate (refers to a magnetic disk substrate having a nickel phosphorus plating layer on the surface of a base disk made of aluminum alloy or the like) and a glass magnetic disk substrate. In the application of polishing such a magnetic disk substrate, it is particularly significant to apply the technology disclosed herein. Application to Ni-P substrates is particularly preferred.

ここに開示される研磨用組成物は、研磨後の表面においてスクラッチを高度に低減し得ることから、研磨対象物のファイナルポリシング工程（仕上げ研磨工程）に特に好ましく使用され得る。この明細書によると、ここに開示される研磨用組成物を用いたファイナルポリシング工程を備える研磨物の製造方法（例えば磁気ディスク基板の製造方法）および該方法により製造された磁気ディスク基板が提供され得る。なお、ファイナルポリシングとは、目的物の製造プロセスにおける最後のポリシング工程（すなわち、その工程の後にはさらなるポリシングを行わない工程）を指す。   The polishing composition disclosed herein can be particularly preferably used in the final polishing step (finish polishing step) of an object to be polished because scratching can be highly reduced on the surface after polishing. According to this specification, there is provided a method of producing an abrasive (for example, a method of producing a magnetic disk substrate) comprising a final polishing step using the polishing composition disclosed herein, and a magnetic disk substrate produced by the method. obtain. In addition, final polishing refers to the last polishing process (namely, process which does not perform additional polishing after the process) in the manufacturing process of an object.

ここに開示される研磨用組成物は、また、ファイナルポリシングよりも上流のポリシング工程に用いられてもよい。ここで、ファイナルポリシングよりも上流のポリシング工程とは、粗研磨工程と最終研磨工程との間の予備研磨工程を指す。予備研磨工程は、典型的には少なくとも１次ポリシング工程を含み、さらに２次、３次・・・等のポリシング工程を含み得る。上記研磨用組成物は、いずれのポリシング工程にも使用可能であり、これらのポリシング工程において同一のまたは異なる研磨用組成物を用いることができる。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、ファイナルポリシングの直前に行われるポリシング工程に用いられてもよい。   The polishing composition disclosed herein may also be used in the polishing step upstream of final polishing. Here, the polishing process upstream of the final polishing refers to a pre-polishing process between the rough polishing process and the final polishing process. The preliminary polishing step typically includes at least a primary polishing step, and may further include a second, third,... Polishing step. The above-mentioned polishing composition can be used for any polishing step, and the same or different polishing composition can be used in these polishing steps. The polishing composition disclosed herein may be used, for example, in a polishing step performed immediately before final polishing.

＜研磨プロセス＞
ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物（例えば磁気ディスク基板）の研磨に好適に使用することができる。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物（典型的には研磨対象基板）を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（ワーキングスラリー）を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に濃度調整（例えば希釈）やｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。 Polishing process
The polishing composition disclosed herein can be suitably used for polishing an object to be polished (for example, a magnetic disk substrate) in a mode including, for example, the following operations. Hereinafter, a preferred embodiment of a method for polishing an object to be polished (typically, a substrate to be polished) using the polishing composition disclosed herein will be described.
That is, a polishing liquid (working slurry) containing any of the polishing compositions disclosed herein is prepared. The preparation of the polishing solution may include preparing the polishing solution by performing operations such as concentration adjustment (for example, dilution) and pH adjustment on the polishing composition. Alternatively, the polishing composition may be used as it is as a polishing liquid.

次いで、その研磨液を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。例えば、一般的な研磨装置に研磨対象物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記研磨対象物の表面（研磨対象面）に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て研磨対象物の研磨が完了する。   Then, the polishing liquid is supplied to the object to be polished and polished by a conventional method. For example, the object to be polished is set in a general polishing apparatus, and the polishing liquid is supplied to the surface (surface to be polished) of the object to be polished through the polishing pad of the polishing apparatus. Typically, while the polishing liquid is continuously supplied, the polishing pad is pressed against the surface of the object to be moved relative to each other (e.g., rotational movement). Polishing of the object to be polished is completed through this polishing process.

上述のような研磨工程は、基板（例えば磁気ディスク基板、典型的にはＮｉ−Ｐ基板）の製造プロセスの一部であり得る。したがって、この明細書によると、上記研磨工程を含む基板の製造方法および研磨方法が提供される。   The polishing process as described above may be part of the process of manufacturing a substrate (e.g. a magnetic disk substrate, typically a Ni-P substrate). Therefore, according to this specification, a method of manufacturing a substrate and a method of polishing including the above-mentioned polishing step are provided.

ここに開示される磁気ディスク基板製造方法は、前述した研磨用組成物を用いるポリシング工程よりも前に行われる上流のポリシング工程（以下「工程（Ｐ）」ともいう。）をさらに含み得る。工程（Ｐ）を含む態様によると、ポリシング工程全体の所要時間を短縮して生産性を高める効果が実現され得る。工程（Ｐ）は、１種類の研磨用組成物を使用する１つのポリシング工程であってもよく、２種以上の研磨用組成物を順次に使用して行われる２以上のポリシング工程を含んでもよい。   The magnetic disk substrate manufacturing method disclosed herein can further include an upstream polishing step (hereinafter also referred to as “step (P)”) performed prior to the polishing step using the above-described polishing composition. According to the aspect including the step (P), the effect of shortening the time required for the entire polishing step and enhancing the productivity can be realized. Step (P) may be one polishing step using one type of polishing composition, or may include two or more polishing steps performed using two or more types of polishing compositions in sequence. Good.

工程（Ｐ）に使用する研磨用組成物（以下「研磨用組成物（Ｐ）」ともいう。）は特に限定されない。例えば、砥粒としては、前述した研磨用組成物に使用し得る材料として例示した砥粒を使用可能である。研磨用組成物がシリカ粒子を含む場合、該シリカ粒子は、前述した研磨用組成物に含まれるシリカ粒子と同一であってもよく、異なってもよい。研磨用組成物（Ｐ）に含まれるシリカ粒子と、前述した研磨用組成物に含まれるシリカ粒子との相違は、例えば、粒子径、粒子形状、密度その他の特性の１または２以上における相違であり得る。   The polishing composition (hereinafter, also referred to as “polishing composition (P)”) used in the step (P) is not particularly limited. For example, as the abrasive, it is possible to use the abrasive illustrated as a material that can be used for the above-described polishing composition. When the polishing composition contains silica particles, the silica particles may be the same as or different from the silica particles contained in the above-described polishing composition. The difference between the silica particles contained in the polishing composition (P) and the silica particles contained in the above-mentioned polishing composition is, for example, the difference in one or more of the particle diameter, particle shape, density and other characteristics. possible.

研磨用組成物（Ｐ）は、典型的には砥粒の他に水を含む。その他、研磨用組成物（Ｐ）には、上述した研磨用組成物と同様の成分（酸、酸化剤、塩基性化合物、ポリマー、界面活性剤、各種添加剤等）を含有させることができる。特に限定するものではないが、研磨用組成物（Ｐ）のｐＨは、例えば１２．０以下（典型的には０．５〜１２．０）とすることができ、好ましくは７．０以下（例えば０．５〜７．０）、より好ましくは５．０以下（典型的には１．０〜５．０）、さらに好ましくは４．０以下（例えば１．０〜４．０）である。好ましい一態様において、研磨用組成物（Ｐ）のｐＨを３．０以下（典型的には１．０〜３．０）とすることができる。   The polishing composition (P) typically contains water in addition to the abrasive grains. In addition, components (acid, oxidizing agent, basic compound, polymer, surfactant, various additives, etc.) similar to the above-mentioned polishing composition can be contained in the polishing composition (P). Although not particularly limited, the pH of the polishing composition (P) can be, for example, 12.0 or less (typically 0.5 to 12.0), preferably 7.0 or less For example, 0.5 to 7.0), more preferably 5.0 or less (typically 1.0 to 5.0), still more preferably 4.0 or less (eg 1.0 to 4.0) . In a preferred embodiment, the pH of the polishing composition (P) can be 3.0 or less (typically 1.0 to 3.0).

以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。   The following examples illustrate some of the embodiments of the present invention, but are not intended to limit the present invention to those shown.

＜例１〜２０＞
［研磨用組成物の調製］
複数種類の酸を用意した。これらの酸の１種または２種以上と砥粒と３１％過酸化水素水と脱イオン水とを混合して、砥粒を５重量％の割合で含む例１〜２０の研磨用組成物を調製した。砥粒としては、平均一次粒子径が１８ｎｍのコロイダルシリカを使用した。各例に係る研磨用組成物のｐＨは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）にて調整した。各例で使用した酸の種類、濃度、過酸化水素の濃度、研磨用組成物のｐＨを表１に示す。また、各例の研磨用組成物について、ｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム量αを前述の方法により算出した。結果を表１の「ＮａＯＨ量α」欄に示す。 <Examples 1 to 20>
[Preparation of polishing composition]
Several kinds of acids were prepared. The polishing composition of Examples 1 to 20 containing 5% by weight of abrasive grains by mixing one or more of these acids, abrasive grains, 31% aqueous hydrogen peroxide and deionized water Prepared. As the abrasive grains, colloidal silica having an average primary particle diameter of 18 nm was used. The pH of the polishing composition according to each example was adjusted with potassium hydroxide (KOH). The type and concentration of acid used in each example, the concentration of hydrogen peroxide, and the pH of the polishing composition are shown in Table 1. Further, with respect to the polishing composition of each example, the amount α of sodium hydroxide necessary to raise the pH by 1.0 was calculated by the above-mentioned method. The results are shown in the “NaOH amount α” column of Table 1.

［ディスクの研磨］
各例に係る研磨用組成物をそのまま研磨液に使用して、下記の条件で、研磨対象物の研磨を行った。研磨対象物としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えたハードディスク用アルミニウム基板を使用した。ここでは、Ｓｃｈｍｉｔｔ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定される表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））の値が６Åとなるように予備研磨したものを使用した。上記研磨対象物（以下「Ｎｉ−Ｐ基板」ともいう。）の直径は３．５インチ（外径約９５ｍｍ、内径約２５ｍｍのドーナツ型）、厚さは１．２７ｍｍであった。 Disc polishing
Using the polishing composition according to each example as it was as a polishing liquid, the object to be polished was polished under the following conditions. As an object to be polished, an aluminum substrate for a hard disk provided with an electroless nickel phosphorus plating layer on the surface was used. Here, the one that has been pre-polished so that the value of the surface roughness (arithmetic average roughness (Ra)) measured by a laser scanning type surface roughness meter “TMS-3000 WRC” manufactured by Schmitt Measurement System, is 6 Å is used. did. The above-mentioned object to be polished (hereinafter also referred to as "Ni-P substrate") had a diameter of 3.5 inches (a donut shape having an outer diameter of about 95 mm and an inner diameter of about 25 mm) and a thickness of 1.27 mm.

（研磨条件）
研磨装置：システム精工社製の両面研磨機、型式「９Ｂ−５Ｐ」
研磨パッド：スウェードノンバフタイプ
研磨対象基板の投入枚数：２０枚（２枚／キャリア ×５キャリア ×２バッチ）
研磨液の供給レート：１３０ｍＬ／分
研磨荷重：１２０ｇ／ｃｍ^２
下定盤回転数：２５ｒｐｍ
研磨時間：５分 (Polishing conditions)
Polishing system: Double side polishing machine manufactured by System Seiko Co., Ltd., model "9B-5P"
Polishing pad: Suede non-buffing type Loading number of substrates to be polished: 20 sheets (2 sheets / carrier x 5 carriers x 2 batches)
Polishing fluid supply rate: 130 mL / min Polishing load: 120 g / cm ²
Lower surface plate rotation speed: 25 rpm
Polishing time: 5 minutes

［研磨レート］
各例に係る研磨用組成物を用いて上記研磨条件で研磨対象基板を研磨したときの研磨レートを算出した。研磨レートは、次の計算式に基づいて求めた。
研磨レート［μｍ／ｍｉｎ］＝研磨による基板の重量減少量［ｇ］／（基板の面積［ｃｍ^２］×ニッケルリンめっきの密度［ｇ／ｃｍ^３］×研磨時間［ｍｉｎ］）×１０^４
（基板片面面積：６６ｃｍ^２、Ｎｉ−Ｐめっき密度：７．９ｇ／ｃｍ^２として算出）
得られた値を表１の「研磨レート」の欄に示す。ここでは研磨レートが０．１２μｍ／ｍｉｎ以上のものを「◎」、０．０６μｍ／ｍｉｎ以上０．１２μｍ／ｍｉｎ未満のものを「◎」、０．０６μｍ／ｍｉｎ未満のものを「×」と評価した。 [Polishing rate]
The polishing rate when the substrate to be polished was polished under the above-described polishing conditions was calculated using the polishing composition according to each example. The polishing rate was determined based on the following formula.
Polishing rate [μm / min] = weight loss of substrate due to polishing [g] / (area of substrate [cm ² ] × density of nickel phosphorus plating [g / cm ³ ] × polishing time [min]) × 10 ⁴
(One side area of the substrate: 66 cm ² , Ni-P plating density: calculated as 7.9 g / cm ² )
The obtained values are shown in the column of "Polishing rate" in Table 1. Here, those with polishing rates of 0.12 μm / min or more are considered as “「 ”, those with a polishing rate of 0.06 μm / min or more and less than 0.12 μm / min as“ ◎ ”, those with less than 0.06 μm / min as“ × ”. evaluated.

［スクラッチ］
上記研磨した基板の中から計６枚（３枚／１バッチ）を無作為に選択し、各基板の両面にあるスクラッチ数を下記測定条件で測定し、６枚（計１２面）のスクラッチ数の合計を１２で除して基板片面あたりのスクラッチ数（本／面）を算出した。そして、例９のスクラッチ数を１００としたときの各例のスクラッチ数の相対値を評価した。ここでは上記スクラッチ数の相対値が５０未満のものを「◎」、５０以上１００未満のものを「○」、１００以上のものを「×」と評価した。結果を表１の「スクラッチ」の欄に示す。 [scratch]
A total of 6 sheets (3 sheets / 1 batch) are randomly selected from the polished substrates, the number of scratches on both sides of each substrate is measured under the following measurement conditions, and the number of 6 sheets (12 sheets in total) The total number of was divided by 12 to calculate the number of scratches (face / surface) per one side of the substrate. And the relative value of the number of scratches of each example when the number of scratches of example 9 is 100 was evaluated. Here, those having a relative value of the number of scratches of less than 50 were evaluated as “◎”, those having 50 or more and less than 100 as “○”, and those having 100 or more as “X”. The results are shown in the "Scratch" column of Table 1.

［スクラッチの測定条件］
測定装置：ケーエルエー・テンコール株式会社製 Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００Ｇ
Ｓｐｉｎｄｌｅ ｓｐｅｅｄ： １００００ｒｐｍ
測定範囲：１７０００‐４７０００μｍ
Ｓｔｅｐ ｓｉｚｅ：４μｍ
Ｅｎｃｏｄｅｒ ｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ：×１６
検出チャンネル：Ｐ‐Ｓｃ ｃｈａｎｎｅｌ [Measurement condition of scratch]
Measuring device: CALA Tencor Co., Ltd. Candela OSA 7100G
Spindle speed: 10000 rpm
Measurement range: 17000-47000 μm
Step size: 4 μm
Encoder multiplier: x 16
Detection channel: P-Sc channel

表１に示されるように、研磨用組成物のｐＨが１．８〜３．０であり、そこからｐＨを１．０上昇させるのに必要なＮａＯＨ量αが０．０３モル／Ｌ未満である例８、１１〜１４、１６〜２０の研磨用組成物は、研磨レートが不適であった。また、上記ＮａＯＨ量αを０．２モル／Ｌ超とした例９の研磨用組成物やｐＨを１．５とした例１０、１５の研磨用組成物は、研磨レートは高かったものの、研磨後のスクラッチ数は増大傾向を示した。これに対して、研磨用組成物のｐＨが１．８〜３．０であり、そこからｐＨを１．０上昇させるのに必要なＮａＯＨ量αを０．０３モル／Ｌ以上０．２モル／Ｌ以下とした例１〜７の研磨用組成物は、研磨レートが良好であり、かつ、例１０、１５に比べて、研磨後のスクラッチ数が低減されていた。この結果から、ｐＨが１．８〜３．０であり、そこからｐＨを１．０上昇させるのに必要なＮａＯＨ量αが０．０３モル／Ｌ以上０．２モル／Ｌ以下である研磨用組成物によると、スクラッチ数が低減された高品質な研磨後の表面を効率よく実現し得ることが確かめられた。   As shown in Table 1, the pH of the polishing composition is 1.8 to 3.0, and the amount of NaOH α necessary to increase the pH by 1.0 is less than 0.03 mol / L. The polishing compositions of certain Examples 8, 11 to 14 and 16 to 20 had inappropriate polishing rates. Further, the polishing composition of Example 9 in which the amount of NaOH α was more than 0.2 mol / L and the polishing compositions of Examples 10 and 15 in which the pH was 1.5 was high although the polishing rate was high. The number of later scratches showed a tendency to increase. On the other hand, the pH of the polishing composition is 1.8 to 3.0, and the amount of NaOH α necessary to raise the pH by 1.0 is 0.03 mol / L or more and 0.2 mol or more. The polishing compositions of Examples 1 to 7 in which L / L or less were used had good polishing rates, and the number of scratches after polishing was reduced as compared with Examples 10 and 15. From this result, pH is 1.8 to 3.0, and the amount of NaOH necessary to raise the pH by 1.0 is 0.03 mol / L or more and 0.2 mol / L or less. According to the composition for use, it has been confirmed that a high quality polished surface with a reduced number of scratches can be efficiently realized.

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。   As mentioned above, although the specific example of this invention was described in detail, these are only an illustration and do not limit a claim. The art set forth in the claims includes various variations and modifications of the specific examples illustrated above.

Claims (4)

磁気ディスク基板の研磨に用いられる研磨用組成物であって、
砥粒と酸と酸化剤と水とを含み、
ＢＥＴ法により測定される前記砥粒の平均一次粒子径が１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、
ｐＨが１．８〜３．０であり、
前記ｐＨを１．０上昇させるのに必要な水酸化ナトリウム量が、０．０３モル／Ｌ以上０．２モル／Ｌ以下である、研磨用組成物。 A polishing composition used for polishing a magnetic disk substrate, comprising:
Containing abrasive grains, acid, oxidant and water,
The average primary particle diameter of the abrasive grains measured by BET method is 1 nm or more and 50 nm or less,
pH is 1.8 to 3.0,
The polishing composition whose sodium hydroxide amount required in order to raise said pH 1.0 is 0.03 mol / L or more and 0.2 mol / L or less. 前記砥粒として、シリカ粒子を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。   The polishing composition according to claim 1, comprising silica particles as the abrasive grains. 仕上げ研磨工程で用いられる、請求項１または２に記載の研磨用組成物。   The polishing composition according to claim 1, which is used in a finish polishing step. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。   A method for manufacturing a magnetic disk substrate, comprising the step of polishing a magnetic disk substrate using the polishing composition according to any one of claims 1 to 3.