JP2019050239A

JP2019050239A - 半導体パッケージ

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Publication number: JP2019050239A
Application number: JP2017172387A
Authority: JP
Inventors: 孟明玉山; Takeaki Tamayama; 章博元木; Akihiro Motoki
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2017-09-07
Filing date: 2017-09-07
Publication date: 2019-03-28
Anticipated expiration: 2037-09-07
Also published as: JP6984252B2

Abstract

【課題】放熱性に優れ、耐衝撃性が高い半導体パッケージの提供。【解決手段】配線板と、前記配線板の一方主面上に配置された半導体素子と、前記半導体素子を覆い、前記配線板に接合されたケースとを備えた半導体パッケージであって、前記ケースは、内部空間を有する面状の筐体と、前記内部空間内に配置されたウィックと、前記内部空間内に封入された作動媒体とを有して成るベーパーチャンバーである、半導体パッケージ。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体パッケージに関する。

ＣＰＵ（中央処理装置）などの半導体素子は、一般的に、素子の保護のために金属ケースに収容され、半導体パッケージとして取り扱われている。また、半導体素子は、発熱性であるため、半導体パッケージには高い放熱性が求められる。

例えば、特許文献１には、半導体素子と金属ケース間を、金属部材などの良熱伝導性部材で熱的に接続した半導体パッケージが開示されている。また、半導体素子と金属ケース間の熱的接続を、サーマルグリースにより行った半導体パッケージも知られている。

特開２００１−２９８１３１号公報

従来の半導体パッケージは、放熱性向上のために金属ケースを用いているが、単なる金属板では、次第に高まる放熱性向上の要求を満たすには十分であるとは言えない。また、金属板から形成される金属ケースは、一般的に剛性が高いので、半導体パッケージの取り付けの際などに金属ケースに衝撃が加わると、この衝撃が他の部分に直接的に伝わってしまう。その結果、半導体素子が破損したり、各部材間の接合が外れたりする問題を引き起こす可能性がある。

従って、本発明の目的は、放熱性に優れ、耐衝撃性が高い半導体パッケージを提供することにある。

本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、上記金属ケースの代わりに、平板状のベーパーチャンバーを用いることにより、放熱性を高め、さらに、耐衝撃性も高めることができることを見出し、本発明を創作するに至った。

本発明の要旨によれば、
配線板と、
前記配線板の一方主面上に配置された半導体素子と、
前記半導体素子を覆い、前記配線板に接合されたケースと
を備えた半導体パッケージであって、
前記ケースは、内部空間を有する面状の筐体と、前記内部空間内に配置されたウィックと、前記内部空間内に封入された作動媒体とを有して成るベーパーチャンバーである、半導体パッケージ
が提供される。

本発明によれば、配線板と、該配線板の一方主面に配置された半導体素子と、該半導体素子を覆い、配線板に接合されたケースとを備えた半導体パッケージにおいて、ケースを、内部空間を有する面状の筐体と、前記内部空間内に配置されたウィックと、前記内部空間内に封入された作動媒体とを有して成る平板状のベーパーチャンバーで形成することにより、放熱性および耐衝撃性が向上した半導体パッケージを提供することができる。

図１は、本発明の一の実施形態における半導体パッケージ１ａの断面図である。図２は、図１に示す半導体パッケージ１ａの平面図である。図３は、図１に示す半導体パッケージ１ａに用いられるベーバーチャンバーの断面図である。図４は、本発明の別の実施形態における半導体パッケージ１ｂの断面図である。図５は、本発明の別の実施形態における半導体パッケージ１ｃの断面図である。図６は、本発明の別の実施形態における半導体パッケージ１ｄの斜視図である。

以下、本発明の半導体パッケージについて詳細に説明する。

（実施形態１）
本実施形態の半導体パッケージ１ａの断面図を図１に、平面図を図２に示す。また、本発明の半導体パッケージに用いられるベーバーチャンバー３の断面図を図３に示す。

図１および図２に示されるように、本実施形態の半導体パッケージ１ａは、半導体素子２、ベーパーチャンバー（ケース）３、および配線板４を有して成る。当該半導体パッケージ１ａにおいて、配線板４の一方主面上に半導体素子２が配置されており、さらにその上にベーパーチャンバー３が、半導体素子２を覆うように配置される。即ち、上記ベーパーチャンバー３は、ケースの役割を果たす。ベーパーチャンバー３は、可撓性を有し、その縁部に位置する接合部２４において配線板４に接合されている。接合部２４は、ベーパーチャンバー３の縁全体に形成されている。即ち、本実施形態の半導体パッケージ１ａは、半導体素子２が位置する中央部分が盛り上がった形状であり、その頂部、即ち平面視で半導体素子２が位置する部分は平面状である。図３に示されるように、上記ベーパーチャンバー３は、内部空間１３を有する面状の筐体１１と、該内部空間内に配置されたウィック１２と、該内部空間内に封入された作動媒体とを有して成る。また、上記ベーパーチャンバー３は、平面視で、作動媒体が封入された内部空間からなる作動領域２１と、該作動領域の周囲に形成された準作動領域２２とを有して成る。

本発明の半導体パッケージは、ケースがベーパーチャンバーにより構成されているので、従来の金属板から構成されるケースと比較して、熱伝導性が非常に高い。従って、半導体素子で生じた熱を効率よく拡散し、放熱することができる。また、ベーパーチャンバーは、内部空間の存在によりクッション性を有し、また、筐体が柔軟性、可撓性等を有するので、耐衝撃性に優れる。耐衝撃性に優れる本発明の半導体パッケージは、他の電子部品に取り付ける場合や、放熱フィンなどを取り付ける場合に、衝撃により半導体素子が損傷したり、半導体素子が配線板から脱落したりするのを防止することができる。

また、図１および図２に示されるように、本実施形態の半導体パッケージ１ａにおいて、ベーパーチャンバー３は、準作動領域２２の一部において配線板４側に湾曲し、その縁部において配線板４に接合されている。従って、半導体素子２の側面とベーパーチャンバー３の間には、空間５が形成されている。この空間５とベーパーチャンバー３の可撓性により高いクッション性が得られるので、半導体パッケージ１ａは、高い耐衝撃性を有する。

上記半導体素子２としては、特に限定されず、ＡＰＵ（Accelerated Processing Unit）、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＰＭＩＣ（Power Management Integrated Circuit）、メモリなどの発熱性の半導体集積回路が挙げられる。

本実施形態の半導体パッケージ１ａにおいて、配線板４上に配置される半導体素子２の数は、１つであるが、本発明は特にこの態様に限定されない。例えば、配線板４上に２つ以上の半導体素子２が存在し、これらが１つのベーパーチャンバー３により覆われていてもよい。

上記配線板４としては、半導体パッケージに用いられる配線板であれば特に限定されず、好ましくはプリント配線基板が用いられる。

上記ベーパーチャンバー３は、内部空間１３を有する面状の筐体１１と、該内部空間内に配置されたウィック１２と、該内部空間内に封入された作動媒体とを有して成る。ここに、「面状」とは、板状およびシート状を包含し、高さ（厚み）に対して長さおよび幅が相当に大きい形状、例えば長さおよび幅が、厚みの１０倍以上、好ましくは１００倍以上である形状を意味する。

好ましい態様において、図３に示されるように、上記ベーパーチャンバー３は、
外縁部２３が接合された対向する第１シート１６および第２シート１７から成る筐体１１と、
上記第１シート１６および第２シート１７の間にこれらを内側から支持するように設けられた柱１８と、
上記筐体１１の内部空間１３内に配置されたウィック１２と、
上記筐体１１の内部空間１３内に封入された作動媒体と
を有して成る。

上記ベーパーチャンバー３は、平面視で、作動媒体が封入された内部空間からなる作動領域２１と、該作動領域の周囲に形成された準作動領域２２とを有して成る。典型的には、準作動領域は、第１シートと第２シートが接合された外縁部２３に相当する。作動領域は、ベーパーチャンバーとしての機能を発揮する領域であるので、非常に高い熱輸送能を有する。従って、作動領域は、可能な限り広範囲に設置することが好ましい。一方、準作動領域は、ベーパーチャンバーとしての機能を発揮する領域ではないが、熱伝導性の高い材料により形成されているので、ある程度の熱輸送能を有する。また、準作動領域は、シート状であるので、耐久性、可撓性、加工性に優れる。従って、配線板との接合は、準作動領域にて行うことが好ましい。

上記ベーパーチャンバー３の平面寸法は、特に限定されないが、配線板４の寸法に可能な限り近い大きさであることが好ましい。即ち、ベーパーチャンバー３の縁から配線板４の縁までの距離は、可能な限り小さいことが好ましく、例えば１０ｍｍ以下、より好ましくは５ｍｍ以下、さらに好ましくは３ｍｍ以下、さらにより好ましくは１ｍｍ以下であり得る。一の態様において、ベーパーチャンバー３の平面寸法は、配線板４の平面寸法と実質的に同じである。ベーパーチャンバー３の平面寸法をより大きくすることにより、放熱効果がより向上する。

上記したように、ベーパーチャンバー３は、その縁部に位置する接合部２４において配線板４に接合されている。上記接合部４の幅は、ベーパーチャンバー３を固定できる幅であれば特に限定されないが、例えば０．５ｍｍ以上２０ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上１０ｍｍ以下、さらに好ましくは１ｍｍ以上６ｍｍ以下であり得る。

上記ベーパーチャンバー３の厚さは、好ましくは１００μｍ以上６００μｍ以下であり、より好ましくは２００μｍ以上５００μｍ以下であり得る。

上記第１シート１６および第２シート１７を構成する材料は、ベーパーチャンバーとして用いるのに適した特性、例えば熱伝導性、強度、柔軟性、可撓性等を有するものであれば、特に限定されない。上記第１シート１６および第２シート１７を構成する材料は、好ましくは金属であり、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、マグネシウム、チタン、鉄、またはそれらを主成分とする合金等であり、特に好ましくは銅であり得る。第１シート１６および第２シート１７を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよいが、好ましくは同じである。

上記第１シートまたは第２シートの一方または両方は、内部空間側の主面に複数の凸部１９または柱１８、あるいは凸部１９および柱１８を有している。シートがかかる複数の凸部および／または柱を有することにより、凸部間に作動媒体を保持することができ、本発明のベーパーチャンバーの作動媒体の量を多くすることが容易になる。作動媒体の量を多くすることにより、ベーパーチャンバーの熱輸送能が向上する。ここで、凸部および／または柱とは、周囲よりも相対的に高さが高い部分をいい、主面から突出した部分に加え、主面に形成された凹部、例えば溝などにより相対的に高さが高くなっている部分も含む。

上記柱１８の高さは、上記凸部１９の高さよりも大きい。一の態様において、上記柱１８の高さは、上記凸部１９の高さの、好ましくは１．５倍以上１００倍以下、より好ましくは２倍以上５０倍以下、さらに好ましくは３倍以上２０倍以下、さらにより好ましくは３倍以上１０倍以下であり得る。

上記凸部１９の高さは、特に限定されないが、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以上３０μｍ以下であり得る。凸部の高さをより高くすると、作動媒体の保持量をより多くすることができる。また、凸部の高さをより低くすることにより、作動媒体の蒸気が移動するための空間をより広く確保することができる。従って、凸部の高さを調整することにより、ベーパーチャンバーの熱輸送能を調整することができる。

上記凸部１９間の距離は、特に限定されないが、好ましくは１μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上３００μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以上１５０μｍ以下であり得る。凸部間の距離を小さくすることにより、より毛細管力を大きくすることができる。また、凸部間の距離を大きくすることにより、透過率をより高くすることができる。

上記凸部１９の形状は、特に限定されないが、円柱形状、角柱形状、円錐台形状、角錐台形状等であり得る。また、上記凸部７の形状は、壁状であってもよく、即ち、隣接する凸部の間に溝が形成されるような形状であってもよい。

尚、本発明で用いられるベーパーチャンバーにおいて、上記凸部１９は必須の構成ではなく、存在してなくてもよい。

上記柱１８は、第１シートと第２シート間の距離が所定の距離となるように、第１シート１６および第２シート１７を内側から支持している。柱１８を筐体１１の内部に設置することにより、筐体の内部が減圧された場合、筐体外部からの外圧が加えられた場合等に筐体が変形することを抑制することができる。

上記柱１８を形成する材料は、特に限定されないが、例えば金属であり、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、マグネシウム、チタン、鉄、またはそれらを主成分とする合金等であり、特に好ましくは銅であり得る。好ましい態様において、柱を形成する材料は、第１シートおよび第２シートのいずれかまたは両方と同じ材料である。

上記柱１８の高さは、所望のベーパーチャンバーの厚みに応じて適宜設定することができ、好ましくは５０μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以上４００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以上２００μｍ以下、例えば１２５μｍ以上１５０μｍ以下である。ここに、柱の高さとは、ベーパーチャンバーの厚み方向の高さ（図３において上下方向の高さ）をいう。

上記柱１８の形状は、特に限定されないが、円柱形状、角柱形状、円錐台形状、角錐台形状等であり得る。

上記柱１８の太さは、ベーパーチャンバーの筐体の変形を抑制できる強度を与えるものであれば特に限定されないが、例えば柱の高さ方向に垂直な断面の円相当径は、１００μｍ以上２０００μｍ以下、好ましくは３００μｍ以上１０００μｍ以下であり得る。上記柱の円相当径を大きくすることにより、ベーパーチャンバーの筐体の変形をより抑制することができる。また、上記柱の円相当径を小さくすることにより、作動媒体の蒸気が移動するための空間をより広く確保することができる。

上記柱１８の配置は、特に限定されないが、好ましくは均等に、例えば柱間の距離が一定となるように格子点状に配置される。柱を均等に配置することにより、ベーパーチャンバー全体にわたって均一な強度を確保することができる。

上記柱１８の数および間隔は、特に限定されないが、ベーパーチャンバーの内部空間を規定する一のシートの主面の面積１ｍｍ^２あたり、好ましくは０．１２５本以上０．５本以下、より好ましくは０．２本以上０．３本以下であり得る。上記柱の数を多くすることにより、ベーパーチャンバー（または筐体）の変形をより抑制することができる。また、上記柱の数をより少なくすることにより、作動媒体の蒸気が移動するための空間をより広く確保することができる。

上記柱１８は、第１シートまたは第２シートと一体に形成されていてもよく、また、第１シートまたは第２シートと別個に製造し、その後、所定の箇所に固定してもよい。

上記ウィック１２は、毛細管力により作動媒体を移動させることができる構造を有するものであれば特に限定されない。作動媒体を移動させる毛細管力を発揮する毛細管構造は、特に限定されず、従来のベーパーチャンバーにおいて用いられている公知の構造であってもよい。例えば、上記毛細管構造は、細孔、溝、突起などの凹凸を有する微細構造、例えば、繊維構造、溝構造、網目構造等が挙げられる。

上記ウィック１２の厚みは、特に限定されないが、例えば５μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上８０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以上５０μｍ以下であり得る。

上記ウィック１２の大きさおよび形状は、特に限定されないが、例えば、筐体の内部において蒸発部から凝縮部まで連続して設置できる大きさおよび形状を有することが好ましい。

図３において、ウィック１２は、一の独立した部材であるが、筐体と一体に形成されていてもよい。例えば、図３に示したベーバーチャンバーにおいてウィック１２を設けずに、筐体の壁面に形成された凸部１９をウィックとして用いることができる。

上記作動媒体は、筐体内の環境下において気−液の相変化を生じ得るものであれば特に限定されず、例えば水、アルコール類、代替フロン等を用いることができる。一の態様において、作動媒体は水性化合物であり、好ましくは水である。

本実施形態の半導体パッケージ１ａにおいて、ベーパーチャンバー３は、半導体素子２上に作動領域２１が配置され、半導体素子２とベーパーチャンバー３は、熱的に接続されている。半導体素子２とベーパーチャンバー３の熱的接続は、両者を直接接触させることにより行ってもよく、他の熱伝導性部材、例えばサーマルグリース、はんだ等の金属部材等を介して行ってもよい。ここに、「サーマルグリース」とは、熱伝導性の高い粘性物質であり、例えば変性シリコーンなどに熱伝導性の高い金属または金属酸化物の粒子を分散させたものが用いられる。

他の熱伝導性部材、例えばサーマルグリース、はんだ等の金属部材等を介して半導体素子２とベーパーチャンバー３の熱的接続を行った場合は、両者を直接接触させる場合と同等またはそれ以上の熱的接続を行うことができる。これは半導体素子２とベーパーチャンバー３を直接接触させる構成では、その間に小さな隙間が発生する可能性があるためである。サーマルグリース、はんだ等を介して両者を熱的に接続すれば、半導体素子２とベーパーチャンバー３の間に隙間が発生しても、サーマルグリース、はんだ等で埋めることができる。そのため、半導体素子２とベーパーチャンバー３を直接接触させる場合と同等またはそれ以上の熱的接続を行うことができる。

一の態様において、半導体素子２の天面とベーパーチャンバー３の作動領域２１は、接合される。接合方法は、特に限定されず、溶接（例えば、抵抗溶接、レーザー溶接）、超音波接合、はんだ、接着剤などによる接合等が挙げられる。

一の態様において、ベーパーチャンバー３は、準作動領域２２において、配線板４に接合される。接合方法は、特に限定されず、溶接（例えば、抵抗溶接、レーザー溶接）、超音波接合、はんだ、接着剤などによる接合等が挙げられる。

（実施形態２）
本実施形態の半導体パッケージ１ｂの断面図を図４に示す。尚、簡単のためベーパーチャンバー３の内部構造は省略している。

図４に示されるように、本実施形態の半導体パッケージ１ｂは、ベーパーチャンバー３の内部空間３が、半導体素子２の天面全体にわたって存在する。即ち、ベーパーチャンバー３の作動領域が、半導体素子２の天面全体を覆っている。さらに、作動領域は、半導体素子２の天面の縁を越えて延在し、なだらかに下方に折り曲がっていてもよい。ベーパーチャンバー３は、準作動領域である縁部において接合されている。このように作動領域を半導体素子の天面全体を覆うように配置することにより、放熱性および耐衝撃性がより向上する。

また、本実施形態においては、半導体素子２とベーパーチャンバー３の熱的接続は、サーマルグリース２５を用いて行っている。サーマルグリースを用いることにより、放熱性がより向上する。

尚、本発明において、半導体素子２とベーパーチャンバー３の熱的接続は、サーマルグリース２５によるものが好ましいが、これに限定されない。例えば、半導体素子２とベーパーチャンバー３の熱的接続は、直接接触による熱的接続、はんだ等の金属部材等を用いることによる熱的接続、接合による熱的接続であってもよい。

（実施形態３）
本実施形態の半導体パッケージ１ｃの断面図を図５に示す。尚、簡単のためベーパーチャンバー３の内部構造は省略している。

図５に示されるように、本実施形態の半導体パッケージ１ｃは、作動領域２１が、半導体素子２の天面上から側面上にまで延在し、半導体素子２の天面および側面の両者に熱的に接続された状態に配置されている。即ち、半導体パッケージ１ｃにおいて、作動領域は半導体素子の天面および側面を覆うように配置されている。従って、半導体パッケージ１ｃにおいて、半導体素子２の側面とベーパーチャンバー３の間には、上記半導体パッケージ１ａおよび１ｂにおける空間５のような空間が存在しない。その結果、半導体素子２の側面の熱が直接ベーパーチャンバー３に移動するので、半導体パッケージ１ｃは、より高い放熱性を有する。

本実施形態において、ベーパーチャンバー３の作動領域は、半導体素子２の天面から側面を超えて、配線板４上まで延在していてもよい。

（実施形態４）
本実施形態の半導体パッケージ１ｄの斜視図を図６に示す。

図６に示されるように、本発明の半導体パッケージは、ベーパーチャンバー３（ケース）上にさらに放熱フィン２６を有していてもよい。図６には示されていないが、配線板４上には半導体素子が配置され、該半導体素子は、ベーパーチャンバー３により覆われている。即ち、ベーパーチャンバー３が盛り上がった部分の内部には、半導体素子２が存在する。上記放熱フィン２６と上記ベーパーチャンバー３は、熱的に接続されている。放熱フィンを設けることにより、半導体素子で生じた熱が、ベーパーチャンバーに伝わり、さらに表面積の大きな放熱フィンに伝わるので、放熱性がより向上する。

本実施形態において、半導体素子２、ベーパーチャンバー３および配線板４の構成は、特に限定されないが、好ましくは上記実施形態１〜３に示す構成である。特に好ましくは、半導体パッケージ１ｄは、図５に示される半導体パッケージ１ｃの構成を有する。即ち、当該半導体パッケージ１ｄは、上記図５に示される半導体パッケージ１ｃの上部に放熱フィンが取り付けられた構成を有する。かかる半導体パッケージ１ｃの構成を取り入れることにより、半導体素子２の側面上にもベーパーチャンバー３の作動領域が存在するので、半導体素子の側面の熱を速やかに天面上に位置する放熱フィン２６に伝えることができる。その結果、本実施形態における半導体パッケージ１ｄは、より効率的に放熱することができる。

上記放熱フィンとしては、コルゲートフィン、オフセットフィン、ウェービングフィン、スリットフィン、フォールディングフィンなどの各種フィンなどの公知のフィンを用いることができる。

上記放熱フィン２６とベーパーチャンバー３の熱的接続は、両者を直接接触させることにより行ってもよく、他の熱伝導性部材、例えばサーマルグリース、はんだ等の金属部材等を介して行ってもよい。

他の熱伝導性部材、例えばサーマルグリース、はんだ等の金属部材等を介して放熱フィン２６とベーパーチャンバー３の熱的接続を行った場合は、両者を直接接触させる場合と同等またはそれ以上の熱的接続を行うことができる。これは放熱フィン２６とベーパーチャンバー３を直接接触させる構成では、その間に小さな隙間が発生する可能性があるためである。サーマルグリース、はんだ等を介して両者を熱的に接続すれば、放熱フィン２６とベーパーチャンバー３の間に隙間が発生しても、サーマルグリース、はんだ等で埋めることができる。そのため、放熱フィン２６とベーパーチャンバー３を直接接触させる場合と同等またはそれ以上の熱的接続を行うことができる。

以上、本発明の半導体パッケージについて、いくつかの実施形態を示して説明したが、本発明は上記の半導体パッケージに限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。

本発明は、特に限定されないが、以下の態様を開示する。
１．配線板と、
前記配線板の一方主面に配置された半導体素子と、
前記半導体素子を覆い、前記配線板に接合されたケースと
を備えた半導体パッケージであって、
前記ケースは、内部空間を有する面状の筐体と、前記内部空間内に配置されたウィックと、前記内部空間内に封入された作動媒体とを有して成るベーパーチャンバーである、半導体パッケージ。
２．前記ベーパーチャンバーは、平面視で前記内部空間からなる作動領域と、該作動領域の周囲に形成された準作動領域とを有してなり、前記作動領域は、前記半導体素子の天面上に位置し、前記準作動領域は、前記配線板に接合されている、態様１に記載の半導体パッケージ。
３．前記作動領域は、前記半導体素子の側面上に位置する、態様１に記載の半導体パッケージ。
４．前記作動領域は、前記半導体素子の天面全体を覆っている態様１〜３のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
５．さらに、前記ケース上に放熱フィンを有する、態様１〜４のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。

本発明の半導体パッケージは、放熱性および耐衝撃性が高いことから、様々な用途において好適に用いることができる。

１ａ，１ｂ，１ｃ…半導体パッケージ
２…半導体素子、３…ベーパーチャンバー（ケース）、４…配線板、５…空間
１１…筐体、１２…ウィック、１３…内部空間、１６…第１シート、１７…第２シート
１８…柱、１９…凸部、２１…作動領域、２２…準作動領域、２３…外縁部
２４…接合部、２５…サーマルグリース、２６…放熱フィン

Claims

配線板と、
前記配線板の一方主面上に配置された半導体素子と、
前記半導体素子を覆い、前記配線板に接合されたケースと
を備えた半導体パッケージであって、
前記ケースは、内部空間を有する面状の筐体と、前記内部空間内に配置されたウィックと、前記内部空間内に封入された作動媒体とを有して成るベーパーチャンバーである、半導体パッケージ。
前記ベーパーチャンバーは、平面視で前記内部空間からなる作動領域と、該作動領域の周囲に形成された準作動領域とを有してなり、前記作動領域は、前記半導体素子の天面上に位置し、前記準作動領域は、前記配線板に接合されている、請求項１に記載の半導体パッケージ。
前記作動領域は、前記半導体素子の側面上に位置する、請求項２に記載の半導体パッケージ。
前記作動領域は、前記半導体素子の天面全体を覆っている請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
さらに、前記ケース上に放熱フィンを有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。