JP2019048766A - α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 - Google Patents
α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019048766A JP2019048766A JP2018192199A JP2018192199A JP2019048766A JP 2019048766 A JP2019048766 A JP 2019048766A JP 2018192199 A JP2018192199 A JP 2018192199A JP 2018192199 A JP2018192199 A JP 2018192199A JP 2019048766 A JP2019048766 A JP 2019048766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- substrate
- film
- present
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 164
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 25
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 36
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 216
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract description 17
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000000984 pole figure measurement Methods 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 5
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
水素濃度は、5×1018cm−3以下であってもよい。
アルミニウム濃度は、4×1016cm−3以下であってもよい。
塩素濃度は、1×1018cm−3以下であってもよい。
波長300nm以上の光に対する吸収係数は、500cm−1以下であってもよい。
4価の価数を有する元素をさらに含有してもよい。
本発明によるα−Ga2O3を製造する方法は、ハライド気相成長法により基板上にα−Ga2O3を成長するステップと、前記基板を除去するステップと、前記成長するステップで得られた前記α−Ga2O3を基板として、ハライド気相成長法により前記α−Ga2O3上にα−Ga2O3をさらに成長するステップとを包含し、これにより上記課題を解決する。
前記成長するステップは、前記α−Ga2O3の厚さが200μm以上まで前記α−Ga2O3を成長してもよい。
本発明による半導体素子は、上述のα−Ga2O3単結晶を備え、これにより上記課題を解決する。
前記半導体素子は、発光素子、ダイオード、紫外線検出素子、および、トランジスタからなる群から選択されてもよい。
実施の形態1では、本発明のα−Ga2O3単結晶およびその製造方法について詳述する。
図2は、本発明のα−Ga2O3単結晶を製造するフローチャートを示す図である。
2GaCl(g)+(3/2)O2(g)→Ga2O3(s)+Cl2(g)
2GaCl(g)+3H2O(g)→Ga2O3(s)+2HCl(g)+2H2(g)
2GaCl3(g)+(3/2)O2(g)→Ga2O3(s)+3Cl2(g)
2GaCl3(g)+3H2O(g)→Ga2O3(s)+6HCl(g)
ステップS220:ステップS210の成長するステップに続いて、基板を除去する。
実施の形態2では、本発明のα−Ga2O3単結晶を用いた半導体素子について詳述する。
実施例1では、図1の気相成長装置100を用いた、本発明によるハライド気相成長法(HVPE)により(0001)面(c面)サファイア基板上にα−Ga2O3単結晶を製造した(図2のステップS210)。
比較例2では、成長温度を650℃にした以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。ω−2θスキャンX線回折測定により、このようにして得られた膜を同定した。結果を図7に示す。
比較例2では、成長温度を250℃にした以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。
実施例4では、基板にR(10−12)面サファイア基板を用いた以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。ω−2θスキャンX線回折測定およびX線極点図測定を行い、膜を同定した。
実施例5では、基板にM(10−10)面サファイア基板を用いた以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。ω−2θスキャンX線回折測定およびX線極点図測定を行い、膜を同定した。
実施例6では、基板にA(11−20)面サファイア基板を用いた以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。ω−2θスキャンX線回折測定およびX線極点図測定を行い、膜を同定した。
実施例7では、基板にc面10度オフサファイア基板を用いた以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。ω−2θスキャンX線回折測定およびX線極点図測定を行い、膜を同定した。
図7は、比較例2で得られた膜のω−2θスキャンX線回折パターンを示す図である。
実施例8では、図1の気相成長装置100を用いた、本発明によるハライド気相成長法(HVPE)により、α−Ga2O3単結晶自立基板を製造した。実施例8では、Gaのハロゲン化物(GaCl/GaCl3)の分圧およびO2の分圧を、それぞれ、0.5kPaおよび2.0kPaに維持し、成長時間を5時間(300分)にした以外は、実施例1と同様であった。
実施例9では、図1の気相成長装置100を用いた、本発明によるハライド気相成長法(HVPE)により、複数のα−Ga2O3単結晶自立基板を製造した。実施例9では、基板に実施例8で得た厚さ400μm、10cm2以上の面積を有するα−Ga2O3単結晶自立基板を用い、成長時間を30時間(1800分)にした以外は、実施例8と同様であった。
110 反応炉
120 ヒータ
130 ガリウム原料供給源
140 酸素原料供給源
150 ガス排出部
160 基板ホルダ
170 ガリウム金属
300 発光素子
310、410、510 α−Ga2O3単結晶
320 発光層
330 n電極
340 p電極
370 ワイヤボンディング
380 リード
401、540 サファイア基板
400 トランジスタ
420 ソース
430 ドレイン
440 チャネル
450 絶縁膜
460 ゲート電極
470a、470b n+領域
480a、480b 電極
500、500’ 紫外線検出素子
520 ショットキー電極
530 オーミック電極
Claims (10)
- カーボン濃度は、6×1017cm−3未満である、α−Ga2O3単結晶。
- 水素濃度は、5×1018cm−3以下である、請求項1に記載のα−Ga2O3単結晶。
- アルミニウム濃度は、4×1016cm−3以下である、請求項1または2のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- 塩素濃度は、1×1018cm−3以下である、請求項1〜3のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- 波長300nm以上の光に対する吸収係数は、500cm−1以下である、請求項1〜4のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- 4価の価数を有する元素をさらに含有する、請求項1〜5のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- α−Ga2O3を製造する方法であって、
ハライド気相成長法により基板上にα−Ga2O3を成長するステップと、
前記基板を除去するステップと、
前記成長するステップで得られた前記α−Ga2O3を基板として、ハライド気相成長法により前記α−Ga2O3上にα−Ga2O3をさらに成長するステップと
を包含する、方法。 - 前記成長するステップは、前記α−Ga2O3の厚さが200μm以上まで前記α−Ga2O3を成長する、請求項7に記載の方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶を備えた半導体素子。
- 前記半導体素子は、発光素子、ダイオード、紫外線検出素子、および、トランジスタからなる群から選択される、請求項9に記載の半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018192199A JP6618216B2 (ja) | 2018-10-11 | 2018-10-11 | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018192199A JP6618216B2 (ja) | 2018-10-11 | 2018-10-11 | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015035140A Division JP6422159B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019175454A Division JP6842128B2 (ja) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | α−Ga2O3単結晶の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019048766A true JP2019048766A (ja) | 2019-03-28 |
JP6618216B2 JP6618216B2 (ja) | 2019-12-11 |
Family
ID=65905501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018192199A Active JP6618216B2 (ja) | 2018-10-11 | 2018-10-11 | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6618216B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110164769A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-08-23 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 氧化镓场效应晶体管及其制备方法 |
WO2021106811A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体システム |
WO2021106810A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体システム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016025256A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
JP2016098166A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | 株式会社Flosfia | 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法 |
-
2018
- 2018-10-11 JP JP2018192199A patent/JP6618216B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016025256A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
JP2016098166A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | 株式会社Flosfia | 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110164769A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-08-23 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 氧化镓场效应晶体管及其制备方法 |
WO2021106811A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体システム |
WO2021106810A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6618216B2 (ja) | 2019-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6422159B2 (ja) | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 | |
JP6436538B2 (ja) | ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 | |
US11982016B2 (en) | Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal film, and crystalline layered structure | |
JP5018423B2 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス | |
JP6835113B2 (ja) | 窒化ガリウム基板、および、窒化物半導体結晶の製造方法 | |
CN1148810C (zh) | 氮化镓单晶衬底及其制造方法 | |
JP5068423B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法 | |
JP2009126723A (ja) | Iii族窒化物半導体結晶の成長方法、iii族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびiii族窒化物半導体結晶基板 | |
JP4714192B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ | |
US20160254391A1 (en) | N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device | |
JP6618216B2 (ja) | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 | |
JP5045388B2 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶の成長方法およびiii族窒化物半導体結晶基板の製造方法 | |
CN108987257B (zh) | 利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga2O3薄膜的方法 | |
JP2010141037A (ja) | 窒化ガリウム系半導体電子デバイス、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及びエピタキシャル基板を作製する方法 | |
JP6842128B2 (ja) | α−Ga2O3単結晶の製造装置 | |
JPH0513342A (ja) | 半導体ダイヤモンド | |
JP2004296640A (ja) | GaN系半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法 | |
JP2011213557A (ja) | 導電性iii族窒化物単結晶基板の製造方法 | |
JP4513421B2 (ja) | AlxGayIn1−x−yN結晶の製造方法 | |
JP5110117B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ | |
WO2020241760A1 (ja) | GaN基板ウエハおよびその製造方法 | |
WO2023100540A1 (ja) | 窒化物半導体基板及びその製造方法 | |
JPH0529653A (ja) | 半導体素子 | |
TW202020940A (zh) | n型GaN結晶、GaN晶圓、及GaN結晶、GaN晶圓和氮化物半導體裝置的製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6618216 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |