JP2019029465A - Die-bonding film, dicing die-bonding film, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Die-bonding film, dicing die-bonding film, and method for manufacturing semiconductor device Download PDF

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Abstract

To provide a die-bonding film, a dicing die-bonding film, and a method for manufacturing a semiconductor device which are suitable for suppressing the scattering of film fragments and achieving good division in an expanding step which is performed with a dicing die-bonding film in order to obtain a die-bonding film-attached semiconductor chip.SOLUTION: As to a die-bonding film 10 of the present invention, a tensile test is performed on a test piece of the die-bonding film of 10 mm in width under the conditions of an initial inter-chuck distance of 10 mm, a temperature of 23°C and a tensile speed of 300 mm/min. In the tensile test, the yield point strength is 15 N or less, the breaking strength is 15 N or less, and the rupture elongation is 40-400%.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体装置の製造過程で使用することのできるダイボンドフィルムおよびダイシングダイボンドフィルム、並びに、半導体装置製造方法、に関する。   The present invention relates to a die bond film and a dicing die bond film that can be used in a manufacturing process of a semiconductor device, and a semiconductor device manufacturing method.

半導体装置の製造過程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを伴う半導体チップ、即ちダイボンドフィルム付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、加工対象である半導体ウエハに対応するサイズを有し、例えば、基材および粘着剤層からなるダイシングテープと、その粘着剤層側に剥離可能に密着しているダイボンドフィルムとを有する。   In the manufacturing process of a semiconductor device, a dicing die-bonding film may be used in order to obtain a semiconductor chip with an adhesive film having a die-corresponding chip size, that is, a semiconductor chip with a die-bonding film. The dicing die-bonding film has a size corresponding to the semiconductor wafer to be processed. Have.

ダイシングダイボンドフィルムを使用してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る手法の一つとして、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドしてダイボンドフィルムを割断するための工程を経る手法が知られている。この手法では、まず、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上にワークである半導体ウエハが貼り合わせられる。この半導体ウエハは、例えば、後にダイボンドフィルムの割断に共だって割断されて複数の半導体チップへと個片化可能なように、加工されたものである。次に、それぞれが半導体チップに密着している複数の接着フィルム小片がダイシングテープ上のダイボンドフィルムから生じるように当該ダイボンドフィルムを割断すべく、ダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープがエキスパンドされる（割断用のエキスパンド工程）。このエキスパンド工程では、ダイボンドフィルム上の半導体ウエハにおけるダイボンドフィルム割断箇所に対応する箇所でも割断が生じ、ダイシングダイボンドフィルムないしダイシングテープ上にて半導体ウエハが複数の半導体チップに個片化される。次に、例えば洗浄工程を経た後、各半導体チップがそれに密着しているチップ相当サイズのダイボンドフィルムと共に、ダイシングテープの下側からピックアップ機構のピン部材によって突き上げられたうえでダイシングテープ上からピックアップされる。このようにして、ダイボンドフィルム付きの半導体チップが得られる。このダイボンドフィルム付き半導体チップは、そのダイボンドフィルムを介して、実装基板等の被着体にダイボンディングによって固着されることとなる。例えば以上のように使用されるダイシングダイボンドフィルムおよびそれに含まれるダイボンドフィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。   As one of techniques for obtaining a semiconductor chip with a die bond film using a dicing die bond film, there is known a technique that undergoes a process for expanding the dicing tape in the dicing die bond film to cleave the die bond film. In this method, first, a semiconductor wafer as a work is bonded onto a die bond film of a dicing die bond film. For example, this semiconductor wafer is processed so that it can be divided into a plurality of semiconductor chips after being cut along with the cutting of the die bond film. Next, the dicing tape of the dicing die-bonding film is expanded so as to cleave the die-bonding film so that a plurality of pieces of adhesive film that are in close contact with the semiconductor chip are generated from the die-bonding film on the dicing tape. Expanding process). In this expanding process, the semiconductor wafer on the die bond film is also cleaved at a location corresponding to the location where the die bond film is cleaved, and the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips on the dicing die bond film or dicing tape. Next, for example, after a cleaning process, each semiconductor chip is picked up from the bottom of the dicing tape by the pin member of the pickup mechanism together with a die-bonding film of a chip-corresponding size and picked up from the dicing tape. The In this way, a semiconductor chip with a die bond film is obtained. The semiconductor chip with the die bond film is fixed to an adherend such as a mounting substrate through the die bond film by die bonding. For example, the dicing die-bonding film used as described above and the technology relating to the die-bonding film included therein are described in, for example, the following Patent Documents 1 to 3.

特開２００７−２１７３号公報JP 2007-2173 A 特開２０１０−１７７４０１号公報JP 2010-177401 A 特開２０１２−２３１６１号公報JP 2012-23161 A

上述のような割断用エキスパンド工程に使用されるダイシングダイボンドフィルムの一構成要素をなすダイボンドフィルムには、当該エキスパンド工程において割断予定箇所で適切に割断されることが要求される。また、ダイボンドフィルムの厚さが大きいほど、そのような割断を生じさせるのが困難となる傾向にある。   The die bond film that forms one component of the dicing die bond film used in the expanding process for cleaving as described above is required to be appropriately cleaved at the planned cleaving position in the expanding process. Moreover, it exists in the tendency for it to become difficult to produce such a cleavage, so that the thickness of a die-bonding film is large.

上述のような割断用エキスパンド工程では、従来、ダイシングダイボンドフィルにおけるダイボンドフィルムの、ワークの貼り合わせられていない領域にて、ダイシングテープ上からのダイボンドフィルム片の飛び散りが生ずる場合がある。また、ダイボンドフィルムの厚さが大きいほど、その飛び散りは生じやすい傾向にある。ダイボンドフィルム片のこのような飛び散りは、ワークの汚染の原因となる場合があり、好ましくない。   In the expanding process for cleaving as described above, conventionally, the die bond film pieces may scatter from the dicing tape in a region of the die bond film in the dicing die bond fill where the workpiece is not bonded. Further, the greater the thickness of the die bond film, the more likely the scattering occurs. Such scattering of the die bond film piece may cause contamination of the workpiece, which is not preferable.

本発明は、以上のような事情のもとで考え出されたものであって、その目的は、ダイボンドフィルム付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程において、良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適したダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法を、提供することにある。   The present invention has been conceived under the circumstances as described above, and the purpose thereof is good cleaving in an expanding process performed using a dicing die bond film to obtain a semiconductor chip with a die bond film. A die bond film, a dicing die bond film, and a semiconductor device manufacturing method suitable for suppressing scattering while realizing the above.

本発明の第１の側面によると、ダイボンドフィルムが提供される。このダイボンドフィルムは、幅１０ｍｍのダイボンドフィルム試験片について初期チャック間距離１０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ／分の条件で行われる引張試験での降伏点強度（降伏点に至らせるのに要する力）が１５Ｎ以下であり、同試験での破断強度（破断させるのに要する力）が１５Ｎ以下であり、且つ同試験での破断伸度（伸張前の長さに対する、破断時の伸張分の長さの割合）が４０〜４００％である。また、本発明において、前記の降伏点強度は、好ましくは１２Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下であり、前記の破断強度は、好ましくは１２Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下であり、前記の破断伸度は、好ましくは４０〜３５０％、より好ましくは４０〜３００％である。このような構成のダイボンドフィルムは、ダイシングテープの粘着剤層側に密着された形態において、半導体装置の製造過程でダイボンドフィルム付き半導体チップを得るのに使用することができる。   According to a first aspect of the present invention, a die bond film is provided. This die bond film has a yield point strength (force required to reach the yield point) in a tensile test performed on a die bond film specimen having a width of 10 mm at an initial chuck distance of 10 mm, 23 ° C., and a tensile speed of 300 mm / min. ) Is 15 N or less, the breaking strength in the same test (the force required for breaking) is 15 N or less, and the breaking elongation in the same test (the length of the extension at break relative to the length before extension) Ratio) is 40 to 400%. In the present invention, the yield point strength is preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less, the breaking strength is preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less, and the breaking elongation described above. Is preferably 40 to 350%, more preferably 40 to 300%. The die-bonding film having such a configuration can be used for obtaining a semiconductor chip with a die-bonding film in the manufacturing process of the semiconductor device in a form in which the die-bonding film is in close contact with the adhesive layer side of the dicing tape.

半導体装置の製造過程においては、上述のように、ダイボンドフィルム付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行う割断用のエキスパンド工程が実施される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムの一構成要素をなすダイボンドフィルムにとり、幅１０ｍｍのダイボンドフィルム試験片について初期チャック間距離１０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ／分の条件で行われる引張試験での降伏点強度が１５Ｎ以下であり、破断強度が１５Ｎ以下であり、且つ破断伸度が４０〜４００％であるという上記構成は、当該ダイボンドフィルムが比較的に分厚い場合であっても、エキスパンド工程にあるダイボンドフィルムについて、その割断予定箇所に割断を生じさせつつもダイシングテープ上からの飛び散りを抑制するのに好適であることを、本発明者らは見いだした。例えば、後記の実施例および比較例をもって示すとおりである。   In the manufacturing process of a semiconductor device, as described above, an expanding process for cleaving performed using a dicing die bond film may be performed to obtain a semiconductor chip with a die bond film. A die bond film which is a constituent element of a dicing die bond film has a yield point strength of 15 N in a tensile test performed on a die bond film test piece having a width of 10 mm at an initial chuck distance of 10 mm, 23 ° C., and a tensile speed of 300 mm / min. The above-described configuration, in which the breaking strength is 15 N or less and the breaking elongation is 40 to 400%, is the case of the die bond film in the expanding step, even when the die bond film is relatively thick. The present inventors have found that it is suitable for suppressing the scattering from the dicing tape while causing the cleaving to occur at the planned cleaving portion. For example, it is as shown in the examples and comparative examples described later.

本ダイボンドフィルムにおける、上記引張試験での破断伸度が４０〜４００％、好ましくは４０〜３５０％、より好ましくは４０〜３００％であるという上記構成は、エキスパンド工程にて、当該ダイボンドフィルムを割断させるための引張り長さが過大となるのを回避しつつ当該ダイボンドフィルムに脆性破壊でなく延性破壊を生じやすくさせるのに適するものと考えられる。エキスパンド工程では、延性破壊の生じやすいダイボンドフィルムほど、割断用応力が当該フィルムの割断予定箇所にまで伝わりやすく、従って、割断予定箇所にて割断されやすい。   In the present die bond film, the above-mentioned configuration in which the elongation at break in the tensile test is 40 to 400%, preferably 40 to 350%, more preferably 40 to 300%, the die bond film is cleaved in the expanding step. It is considered that it is suitable for making the die bond film easily cause ductile fracture rather than brittle fracture while avoiding an excessively long tensile length. In the expanding process, a die bond film that is more likely to undergo ductile fracture is more likely to transmit the cleaving stress to the planned cutting location of the film, and is therefore more likely to be cut at the planned cutting location.

本ダイボンドフィルムにおける、上記引張試験での降伏点強度が１５Ｎ以下、好ましくは１２Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下であり、且つ破断強度が１５Ｎ以下、好ましくは１２Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下であるという上記構成は、割断用エキスパンド工程でのダイボンドフィルムの伸張過程および破断過程で当該フィルム内部に蓄積される歪みエネルギーを抑制するのに適するものと考えられる。エキスパンド工程では、伸張過程および破断過程での内部蓄積歪みエネルギーの小さなダイボンドフィルムほど、その露出領域（ワークに覆われていない領域）にて破断してフィルム片が飛び散るという現象は、生じにくい。   In this die bond film, the yield point strength in the tensile test is 15 N or less, preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less, and the breaking strength is 15 N or less, preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less. The above configuration is considered to be suitable for suppressing the strain energy accumulated in the film during the expansion process and the fracture process of the die bond film in the expanding process for cleaving. In the expanding process, the phenomenon that the die bond film having a smaller internal accumulated strain energy in the stretching process and the breaking process breaks in the exposed area (the area not covered with the workpiece) and the film pieces scatter is less likely to occur.

以上のように、本発明の第１の側面に係るダイボンドフィルムは、ダイシングテープの粘着剤層側に密着された形態で割断用エキスパンド工程に使用される場合に、良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適するのである。   As described above, the die-bonding film according to the first aspect of the present invention scatters while realizing good cleaving when used in the cleaving expanding process in a form in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape. It is suitable to suppress this.

本ダイボンドフィルムの厚さは、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上である。このような構成は、実装基板にワイヤーボンディング実装された第１半導体チップを当該第１半導体チップに接続されたボンディングワイヤーの全体または一部とともに包埋しつつ実装基板に第２半導体チップを接合する接着剤層形成用の接着フィルム（半導体チップ包埋用の分厚い接着フィルム）として本ダイボンドフィルムを使用するうえで、好適である。或いは、ダイボンドフィルムの厚さに関する当該構成は、実装基板にワイヤーボンディング実装された第１半導体チップのボンディングワイヤー接続箇所を覆って当該ボンディングワイヤーの一部を包埋しつつ第１半導体チップに第２半導体チップを接合する接着剤層形成用の接着フィルム（ボンディングワイヤーの部分的包埋を伴う半導体チップ間接合用の分厚い接着フィルム）として本ダイボンドフィルムを使用するうえで、好適である。或いは、ダイボンドフィルムの厚さに関する当該構成は、実装基板にフリップチップ実装された第１半導体チップを包埋しつつ実装基板に第２半導体チップを接合する接着剤層形成用の接着フィルム（チップ包埋用の分厚い接着フィルム）として本ダイボンドフィルムを使用するうえで、好適である。また、本ダイボンドフィルムの厚さは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下、より好ましくは１２０μｍ以下である。このような構成は、本ダイボンドフィルムについての降伏点強度や破断強度、破断伸度が過大となるのを回避して、上記引張試験での降伏点強度が１５Ｎ以下であり、破断強度が１５Ｎ以下であり、且つ破断伸度が４０〜４００％であるという上記構成を実現するうえで好ましい。   The thickness of the die bond film is preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and more preferably 80 μm or more. In such a configuration, the second semiconductor chip is bonded to the mounting substrate while embedding the first semiconductor chip mounted on the mounting substrate by wire bonding together with all or part of the bonding wire connected to the first semiconductor chip. When this die-bonding film is used as an adhesive film for forming an adhesive layer (a thick adhesive film for embedding a semiconductor chip), it is suitable. Alternatively, the configuration relating to the thickness of the die bond film is such that the first semiconductor chip is embedded in the first semiconductor chip while embedding a part of the bonding wire so as to cover the bonding wire connecting portion of the first semiconductor chip mounted on the mounting substrate by wire bonding. This die bond film is suitable for use as an adhesive layer forming adhesive film for bonding semiconductor chips (a thick adhesive film for bonding between semiconductor chips with partial embedding of bonding wires). Alternatively, the configuration relating to the thickness of the die bond film is an adhesive film for forming an adhesive layer (chip wrapping) in which the first semiconductor chip flip-chip mounted on the mounting substrate is embedded and the second semiconductor chip is bonded to the mounting substrate. This die-bonding film is suitable for use as a thick adhesive film for embedding. Moreover, the thickness of this die bond film becomes like this. Preferably it is 200 micrometers or less, More preferably, it is 160 micrometers or less, More preferably, it is 120 micrometers or less. Such a configuration avoids excessive yield point strength, break strength, and break elongation for the die bond film, yield point strength in the tensile test is 15 N or less, and break strength is 15 N or less. In addition, it is preferable for realizing the above configuration in which the elongation at break is 40 to 400%.

本ダイボンドフィルムの未硬化状態における１２０℃での粘度は、好ましくは３００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは７００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上である。本ダイボンドフィルムの未硬化状態における１２０℃での粘度は、好ましくは５０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは４０００Ｐａ・ｓ以下である。ダイボンドフィルムの粘度に関するこれら構成は、半導体チップやボンディングワイヤーの包埋を伴う接着剤層を形成するための上記各種の分厚い接着フィルムとして本ダイボンドフィルムを使用するうえで好適である。   The viscosity of the die bond film at 120 ° C. in an uncured state is preferably 300 Pa · s or more, more preferably 700 Pa · s or more, and more preferably 1000 Pa · s or more. The viscosity of the die bond film at 120 ° C. in an uncured state is preferably 5000 Pa · s or less, more preferably 4500 Pa · s or less, and more preferably 4000 Pa · s or less. These configurations relating to the viscosity of the die bond film are suitable when the die bond film is used as the above various thick adhesive films for forming an adhesive layer accompanied by embedding a semiconductor chip or a bonding wire.

本ダイボンドフィルムは好ましくは無機フィラーを含有し、本ダイボンドフィルムにおける無機フィラーの含有量は、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上、より好ましくは３０質量％以上である。また、本ダイボンドフィルムが無機フィラーを含有する場合の無機フィラー含有量は、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下、より好ましくは４０質量％以下である。接着剤層形成用フィルム内の無機フィラー含有量が増大するほど、当該フィルムの破断伸度は小さくなる傾向にあり且つ降伏点強度は大きくなる傾向にあるところ、本ダイボンドフィルムにおける無機フィラー含有量に関する当該構成は、本ダイボンドフィルムの露出領域（ワークに覆われていない領域）にて破断してフィルム片が飛び散るという上述の現象を抑制するうえで、好適である。   The die bond film preferably contains an inorganic filler, and the content of the inorganic filler in the die bond film is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and more preferably 30% by mass or more. In addition, the content of the inorganic filler when the die bond film contains an inorganic filler is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and more preferably 40% by mass or less. As the inorganic filler content in the adhesive layer forming film increases, the elongation at break of the film tends to decrease and the yield point strength tends to increase, which relates to the inorganic filler content in the die bond film. The said structure is suitable when suppressing the above-mentioned phenomenon that it breaks in the exposure area | region (area | region which is not covered with a workpiece | work) of this die bond film, and a film piece scatters.

本ダイボンドフィルムは好ましくは有機フィラーを含有し、本ダイボンドフィルムにおける有機フィラーの含有量は、好ましくは２質量％以上、より好ましくは５％以上、より好ましくは８質量％以上である。また、本ダイボンドフィルムが有機フィラーを含有する場合の有機フィラー含有量は、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１７質量％以下、より好ましくは１５質量％以下である。本ダイボンドフィルムにおける有機フィラー含有量に関する当該構成は、本ダイボンドフィルムの降伏点強度および破断強度を適正範囲に制御するうえで好適である。   The die bond film preferably contains an organic filler, and the content of the organic filler in the die bond film is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% or more, and more preferably 8% by mass or more. Further, the organic filler content when the die bond film contains an organic filler is preferably 20% by mass or less, more preferably 17% by mass or less, and more preferably 15% by mass or less. The said structure regarding the organic filler content in this die-bonding film is suitable when controlling the yield point strength and breaking strength of this die-bonding film to an appropriate range.

本ダイボンドフィルムは、好ましくは、ガラス転移温度が−４０〜１０℃のアクリル樹脂を含有する。このような構成は、本ダイボンドフィルムについて上記引張試験での降伏点強度が１５Ｎ以下であるという上記構成を実現するうえで好適である。   The die bond film preferably contains an acrylic resin having a glass transition temperature of −40 to 10 ° C. Such a configuration is suitable for realizing the above configuration in which the yield point strength in the tensile test is 15 N or less for the die bond film.

本発明の第２の側面によると、ダイシングダイボンドフィルムが提供される。このダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープと、本発明の第１の側面に係る上述のダイボンドフィルムとを備える。ダイシングテープは、基材および粘着剤層を含む積層構造を有する。ダイボンドフィルムは、ダイシングテープの粘着剤層に剥離可能に密着している。本発明の第１の側面に係るダイボンドフィルムを備えるこのようなダイシングダイボンドフィルムは、割断用エキスパンド工程に使用される場合に、ダイボンドフィルムにおいて良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適する。   According to a second aspect of the present invention, a dicing die bond film is provided. The dicing die bond film includes a dicing tape and the above-described die bond film according to the first aspect of the present invention. The dicing tape has a laminated structure including a base material and an adhesive layer. The die bond film is in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape so as to be peeled off. Such a dicing die-bonding film including the die-bonding film according to the first aspect of the present invention is suitable for suppressing scattering while realizing good cleaving in the die-bonding film when used in the expanding process for cleaving.

本発明の第３の側面によると、半導体装置製造方法が提供される。この半導体装置製造方法は、次の第１工程および第２工程を含む。第１工程では、本発明の第２の側面に係るダイシングダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルム上に、複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハ、または、複数の半導体チップを含む半導体ウエハ分割体を、貼り合わせる。第２工程では、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドすることにより、ダイボンドフィルムを割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る。本発明の第１の側面に係るダイボンドフィルムを備えるダイシングダイボンドフィルムが使用されて行われる第２工程すなわち割断用エキスパンド工程を含む本半導体装置製造方法は、当該エキスパンド工程にあるダイボンドフィルムにおいて良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適する。   According to a third aspect of the present invention, a semiconductor device manufacturing method is provided. This semiconductor device manufacturing method includes the following first step and second step. In the first step, on the die bond film in the dicing die bond film according to the second aspect of the present invention, a semiconductor wafer that can be singulated into a plurality of semiconductor chips, or a semiconductor wafer divided body including a plurality of semiconductor chips, to paste together. In the second step, the dicing tape in the dicing die bond film is expanded to cleave the die bond film to obtain a semiconductor chip with a die bond film. The semiconductor device manufacturing method including the second step, i.e., the cleaving expanding step, which is performed using the dicing die-bonding film including the die-bonding film according to the first aspect of the present invention is a good cleaving in the die-bonding film in the expanding step. Suitable for suppressing scattering while realizing.

本発明の一の実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムの断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the dicing die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法における一部の工程を表す。4 illustrates some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

図１は、本発明の一の実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムＸの断面模式図である。ダイシングダイボンドフィルムＸは、本発明の一の実施形態に係るダイボンドフィルム１０とダイシングテープ２０とを含む積層構造を有する。ダイシングテープ２０は、基材２１と粘着剤層２２とを含む積層構造を有する。粘着剤層２２は、ダイボンドフィルム１０側に粘着面２２ａを有する。ダイボンドフィルム１０は、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２ないしその粘着面２２ａに剥離可能に密着している。ダイシングダイボンドフィルムＸは、半導体装置の製造においてダイボンドフィルム付き半導体チップを得る過程での例えば後記のようなエキスパンド工程に使用することのできるものである。また、ダイシングダイボンドフィルムＸは、半導体装置の製造過程におけるワークである半導体ウエハに対応するサイズの円板形状を有し、その直径は、例えば、３４５〜３８０ｍｍの範囲内（１２インチウエハ対応型）、２４５〜２８０ｍｍの範囲内（８インチウエハ対応型）、４９５〜５３０ｍｍの範囲内（１８インチウエハ対応型）、または、１９５〜２３０ｍｍの範囲内（６インチウエハ対応型）にある。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a dicing die bond film X according to an embodiment of the present invention. The dicing die bond film X has a laminated structure including the die bond film 10 and the dicing tape 20 according to an embodiment of the present invention. The dicing tape 20 has a laminated structure including a base material 21 and an adhesive layer 22. The pressure-sensitive adhesive layer 22 has a pressure-sensitive adhesive surface 22a on the die bond film 10 side. The die bond film 10 is in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 or the pressure-sensitive adhesive surface 22a so as to be peeled off. The dicing die-bonding film X can be used in an expanding process as described later in the process of obtaining a semiconductor chip with a die-bonding film in the manufacture of a semiconductor device. Further, the dicing die-bonding film X has a disk shape having a size corresponding to a semiconductor wafer that is a workpiece in the manufacturing process of the semiconductor device, and the diameter thereof is, for example, within a range of 345 to 380 mm (12-inch wafer compatible type). , 245 to 280 mm (8 inch wafer compatible type), 495 to 530 mm (18 inch wafer compatible type), or 195 to 230 mm (6 inch wafer compatible type).

ダイシングダイボンドフィルムＸにおけるダイボンドフィルム１０は、熱硬化性を示すダイボンディング用接着剤として機能しうる構成を有する。ダイボンドフィルム１０は、樹脂成分として、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む組成を有してもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有してもよい。熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成をダイボンドフィルム１０が有する場合、当該ダイボンドフィルム１０は熱硬化性樹脂を更に含む必要はない。このようなダイボンドフィルム１０は、単層構造を有してもよいし、隣接層間で組成の異なる多層構造を有してもよい。   The die bond film 10 in the dicing die bond film X has a configuration that can function as an adhesive for die bonding that exhibits thermosetting properties. The die bond film 10 may have a composition containing a thermosetting resin and a thermoplastic resin as a resin component, or a thermoplastic resin with a thermosetting functional group that can react with a curing agent to form a bond. You may have the composition which contains. When the die bond film 10 has a composition including a thermoplastic resin with a thermosetting functional group, the die bond film 10 does not need to further include a thermosetting resin. Such a die bond film 10 may have a single layer structure or a multilayer structure having different compositions between adjacent layers.

ダイボンドフィルム１０が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む組成を有する場合の当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、および熱硬化性ポリイミド樹脂が挙げられる。ダイボンドフィルム１０は、一種類の熱硬化性樹脂を含有してもよいし、二種類以上の熱硬化性樹脂を含有してもよい。エポキシ樹脂は、ダイボンディング対象である半導体チップの腐食原因となりうるイオン性不純物等の含有量が少ない傾向にあることから、ダイボンドフィルム１０中の熱硬化性樹脂として好ましい。また、エポキシ樹脂に熱硬化性を発現させるための硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましい。   Examples of the thermosetting resin when the die bond film 10 has a composition including a thermosetting resin and a thermoplastic resin include, for example, an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, And thermosetting polyimide resin. The die bond film 10 may contain one type of thermosetting resin, or may contain two or more types of thermosetting resins. Epoxy resins are preferred as thermosetting resins in the die bond film 10 because they tend to have a low content of ionic impurities or the like that can cause corrosion of the semiconductor chip that is the object of die bonding. Moreover, as a hardening | curing agent for making an epoxy resin express thermosetting, a phenol resin is preferable.

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、およびグリシジルアミン型の、エポキシ樹脂が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、およびテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、ダイボンドフィルム１０中のエポキシ樹脂として好ましい。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, and orthocresol. Examples include novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resins. Phenol novolac type epoxy resin, orthocresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, and tetraphenylol ethane type epoxy resin are rich in reactivity with phenol resin as curing agent and heat resistant Since it is excellent in property, it is preferable as an epoxy resin in the die bond film 10.

エポキシ樹脂の硬化剤として作用しうるフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、および、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ-ブチルフェノールノボラック樹脂、およびノニルフェノールノボラック樹脂が挙げられる。ダイボンドフィルム１０は、エポキシ樹脂の硬化剤として、一種類のフェノール樹脂を含有してもよいし、二種類以上のフェノール樹脂を含有してもよい。フェノールノボラック樹脂やフェノールアラルキル樹脂は、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にあるので、ダイボンドフィルム１０中のエポキシ樹脂用硬化剤として好ましい。   Examples of the phenol resin that can act as a curing agent for the epoxy resin include novolac-type phenol resins, resol-type phenol resins, and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. Examples of the novolak type phenol resin include phenol novolak resin, phenol aralkyl resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, and nonylphenol novolak resin. The die bond film 10 may contain one type of phenol resin or two or more types of phenol resins as a curing agent for the epoxy resin. Since phenol novolac resin and phenol aralkyl resin tend to improve the connection reliability of the adhesive when used as a curing agent for epoxy resin as an adhesive for die bonding, curing for epoxy resin in die bond film 10 Preferred as an agent.

ダイボンドフィルム１０がエポキシ樹脂とその硬化剤としてのフェノール樹脂とを含有する場合、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対してフェノール樹脂中の水酸基が好ましくは０.５〜２.０当量、より好ましくは０.８〜１.２当量である割合で、両樹脂は配合される。このような構成は、ダイボンドフィルム１０の硬化にあたって当該エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の硬化反応を充分に進行させるうえで好ましい。   When the die bond film 10 contains an epoxy resin and a phenol resin as its curing agent, the hydroxyl group in the phenol resin is preferably 0.5 to 2.0 equivalents, more preferably 1 equivalent to the epoxy group in the epoxy resin. Both are blended at a ratio of 0.8 to 1.2 equivalents. Such a configuration is preferable in sufficiently curing the curing reaction of the epoxy resin and the phenol resin when the die bond film 10 is cured.

ダイボンドフィルム１０における熱硬化性樹脂の含有割合は、ダイボンドフィルム１０において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点からは、好ましくは５〜６０質量％、より好ましくは１０〜５０質量％である。   The content of the thermosetting resin in the die bond film 10 is preferably 5 to 60% by mass, more preferably 10 to 50% by mass from the viewpoint of appropriately expressing the function as a thermosetting adhesive in the die bond film 10. %.

ダイボンドフィルム１０中の熱可塑性樹脂は例えばバインダー機能を担うものであり、ダイボンドフィルム１０が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む組成を有する場合の当該熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６-ナイロンや６,６-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびフッ素樹脂が挙げられる。ダイボンドフィルム１０は、一種類の熱可塑性樹脂を含有してもよいし、二種類以上の熱可塑性樹脂を含有してもよい。アクリル樹脂は、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いことから、ダイボンドフィルム１０中の熱可塑性樹脂として好ましい。   The thermoplastic resin in the die bond film 10 has, for example, a binder function, and as the thermoplastic resin when the die bond film 10 has a composition including a thermosetting resin and a thermoplastic resin, for example, an acrylic resin, Natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, 6-nylon And polyamide resins such as 6,6-nylon, phenoxy resins, saturated polyester resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polyamideimide resins, and fluorine resins. The die bond film 10 may contain one type of thermoplastic resin or may contain two or more types of thermoplastic resins. The acrylic resin is preferable as the thermoplastic resin in the die bond film 10 because it has few ionic impurities and high heat resistance.

ダイボンドフィルム１０が熱可塑性樹脂としてアクリル樹脂を含有する場合の当該アクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。「(メタ)アクリル」は、「アクリル」および／または「メタクリル」を意味するものとする。   When the die-bonding film 10 contains an acrylic resin as a thermoplastic resin, the acrylic resin preferably contains the largest amount of monomer units derived from (meth) acrylic acid esters by mass. “(Meth) acryl” means “acryl” and / or “methacryl”.

アクリル樹脂のモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステル、即ち、アクリル樹脂の構成モノマーである(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、および(メタ)アクリル酸アリールエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ-ブチルエステル、ｔ-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル（即ちラウリルエステル）、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、およびエイコシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のシクロペンチルエステルおよびシクロヘキシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸フェニルおよび(メタ)アクリル酸ベンジルが挙げられる。アクリル樹脂の構成モノマーとして、一種類の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよいし、二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよい。また、アクリル樹脂は、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、および懸濁重合が挙げられる。   Examples of (meth) acrylic acid ester for forming an acrylic resin monomer unit, that is, (meth) acrylic acid ester that is a constituent monomer of acrylic resin, include (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cyclohexane. Examples include alkyl esters and (meth) acrylic acid aryl esters. Examples of (meth) acrylic acid alkyl esters include (meth) acrylic acid methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Pentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester (ie lauryl ester), tridecyl ester, tetradecyl ester , Hexadecyl ester, octadecyl ester, and eicosyl ester. Examples of (meth) acrylic acid cycloalkyl ester include cyclopentyl ester and cyclohexyl ester of (meth) acrylic acid. Examples of the (meth) acrylic acid aryl ester include phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate. As a constituent monomer of the acrylic resin, one kind of (meth) acrylic acid ester may be used, or two or more kinds of (meth) acrylic acid esters may be used. The acrylic resin can be obtained by polymerizing raw material monomers for forming the acrylic resin. Examples of the polymerization technique include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization.

アクリル樹脂は、例えばその凝集力や耐熱性の改質のために、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な一種類の又は二種類以上の他のモノマーを構成モノマーとしてもよい。そのようなモノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、およびアクリロニトリルが挙げられる。カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、(メタ)アクリル酸カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸カルボキシペンチル、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびクロトン酸が挙げられる。酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸および無水イタコン酸が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸４-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸６-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸８-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸１０-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸１２-ヒドロキシラウリル、および(メタ)アクリル酸(４-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチルが挙げられる。エポキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジルおよび(メタ)アクリル酸メチルグリシジルが挙げられる。スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２-(メタ)アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、および(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸が挙げられる。リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートが挙げられる。   The acrylic resin may contain, as a constituent monomer, one or two or more other monomers copolymerizable with (meth) acrylic acid ester, for example, in order to improve cohesive strength and heat resistance. Examples of such monomers include carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxy group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphate group-containing monomers, acrylamide, and acrylonitrile. Examples of the carboxy group-containing monomer include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Examples of the acid anhydride monomer include maleic anhydride and itaconic anhydride. Examples of the hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, ( Examples include 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate. Examples of the epoxy group-containing monomer include glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate. Examples of the sulfonic acid group-containing monomer include styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, and (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid. Can be mentioned. Examples of the phosphate group-containing monomer include 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate.

ダイボンドフィルム１０において高い凝集力を実現するという観点からは、ダイボンドフィルム１０に含まれるアクリル樹脂は、好ましくは、アクリル酸ブチルとアクリル酸エチルとアクリロニトリルとの共重合体である。   From the viewpoint of realizing a high cohesive force in the die bond film 10, the acrylic resin contained in the die bond film 10 is preferably a copolymer of butyl acrylate, ethyl acrylate, and acrylonitrile.

ダイボンドフィルム１０が、熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有する場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすためのアクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。そのような(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、ダイボンドフィルム１０に含有されるアクリル樹脂の構成モノマーとして上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルを用いることができる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすための熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、およびイソシアネート基が挙げられる。これらのうち、グリシジル基およびカルボキシ基を好適に用いることができる。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂やカルボキシ基含有アクリル樹脂を好適に用いることができる。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基の種類に応じて、それと反応を生じうる硬化剤が選択される。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂の熱硬化性官能基がグリシジル基である場合、硬化剤としては、エポキシ樹脂用硬化剤として上記したのと同様のフェノール樹脂を用いることができる。   When the die bond film 10 has a composition including a thermoplastic resin with a thermosetting functional group, for example, a thermosetting functional group-containing acrylic resin can be used as the thermoplastic resin. The acrylic resin for forming the thermosetting functional group-containing acrylic resin preferably contains the largest amount of monomer units derived from (meth) acrylic acid ester by mass ratio. As such (meth) acrylic acid ester, for example, the same (meth) acrylic acid ester as described above as the constituent monomer of the acrylic resin contained in the die bond film 10 can be used. On the other hand, examples of the thermosetting functional group for forming the thermosetting functional group-containing acrylic resin include a glycidyl group, a carboxy group, a hydroxy group, and an isocyanate group. Of these, a glycidyl group and a carboxy group can be preferably used. That is, as the thermosetting functional group-containing acrylic resin, a glycidyl group-containing acrylic resin or a carboxy group-containing acrylic resin can be suitably used. Moreover, the hardening | curing agent which can produce a reaction with it according to the kind of thermosetting functional group in a thermosetting functional group containing acrylic resin is selected. When the thermosetting functional group of the thermosetting functional group-containing acrylic resin is a glycidyl group, as the curing agent, the same phenol resin as described above as the curing agent for epoxy resin can be used.

ダイボンディングのために硬化される前のダイボンドフィルム１０について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、ダイボンドフィルム１０に含まれる上述の樹脂成分の分子鎖末端の官能基等と反応して結合を生じうる多官能性化合物を架橋剤としてダイボンドフィルム形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、ダイボンドフィルム１０について、高温下での接着特性を向上させるうえで、また、耐熱性の改善を図るうえで、好適である。そのような架橋剤としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ-フェニレンジイソシアネート、１,５-ナフタレンジイソシアネート、および、多価アルコールとジイソシアネートの付加物が挙げられる。ダイボンドフィルム形成用樹脂組成物における架橋剤含有量は、当該架橋剤と反応して結合を生じうる上記官能基を有する樹脂１００質量部に対し、形成されるダイボンドフィルム１０の凝集力向上の観点からは好ましくは０.０５質量部以上であり、形成されるダイボンドフィルム１０の接着力向上の観点からは好ましくは７質量部以下である。また、ダイボンドフィルム１０における架橋剤としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。   In order to achieve a certain degree of cross-linking with respect to the die bond film 10 before being cured for die bonding, for example, it reacts with a functional group at the molecular chain terminal of the above-described resin component contained in the die bond film 10. It is preferable to blend a polyfunctional compound capable of forming a bond into the resin composition for forming a die bond film as a crosslinking agent. Such a configuration is suitable for the die bond film 10 in improving the adhesive properties at high temperatures and in improving heat resistance. Examples of such a crosslinking agent include polyisocyanate compounds. Examples of the polyisocyanate compound include tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, and adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate. The content of the crosslinking agent in the resin composition for forming a die bond film is from the viewpoint of improving the cohesive strength of the formed die bond film 10 with respect to 100 parts by mass of the resin having the functional group that can react with the crosslinking agent to form a bond. Is preferably 0.05 parts by mass or more, and preferably 7 parts by mass or less from the viewpoint of improving the adhesive strength of the die bond film 10 to be formed. Moreover, as a crosslinking agent in the die-bonding film 10, you may use together other polyfunctional compounds, such as an epoxy resin, with a polyisocyanate compound.

ダイボンドフィルム１０に配合される上記のアクリル樹脂および上記の熱硬化性官能基含有アクリル樹脂のガラス転移温度は、好ましくは−４０〜１０℃である。ポリマーのガラス転移温度については、下記のＦｏｘの式に基づき求められるガラス転移温度（理論値）を用いることができる。Ｆｏｘの式は、ポリマーのガラス転移温度Ｔｇと、当該ポリマーにおける構成モノマーごとの単独重合体のガラス転移温度Ｔｇｉとの関係式である。下記のＦｏｘの式において、Ｔｇはポリマーのガラス転移温度（℃）を表し、Ｗｉは当該ポリマーを構成するモノマーｉの重量分率を表し、Ｔｇｉはモノマーｉの単独重合体のガラス転移温度（℃）を示す。単独重合体のガラス転移温度については文献値を用いることができ、例えば「新高分子文庫７ 塗料用合成樹脂入門」（北岡協三 著，高分子刊行会，１９９５年）や「アクリルエステルカタログ（１９９７年度版）」（三菱レイヨン株式会社）には、各種の単独重合体のガラス転移温度が挙げられている。一方、モノマーの単独重合体のガラス転移温度については、特開２００７−５１２７１号公報に具体的に記載されている手法によって求めることも可能である。   The glass transition temperature of the acrylic resin and the thermosetting functional group-containing acrylic resin blended in the die bond film 10 is preferably −40 to 10 ° C. As the glass transition temperature of the polymer, the glass transition temperature (theoretical value) obtained based on the following Fox equation can be used. The formula of Fox is a relational expression between the glass transition temperature Tg of the polymer and the glass transition temperature Tgi of the homopolymer for each constituent monomer in the polymer. In the following Fox formula, Tg represents the glass transition temperature (° C.) of the polymer, Wi represents the weight fraction of monomer i constituting the polymer, and Tgi represents the glass transition temperature (° C. of the homopolymer of monomer i. ). Literature values can be used for the glass transition temperature of homopolymers, such as “New Polymer Bunko 7 Introduction to Synthetic Resins for Paints” (Kyozo Kitaoka, Polymer Publishing Society, 1995) and “Acrylic Ester Catalog (1997)”. Fiscal Year Version) ”(Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) lists the glass transition temperatures of various homopolymers. On the other hand, the glass transition temperature of the monomer homopolymer can also be determined by a technique specifically described in JP-A-2007-51271.

Ｆｏｘの式 １／（２７３＋Ｔｇ）＝Σ［Ｗｉ／（２７３＋Ｔｇｉ）］ Fox equation 1 / (273 + Tg) = Σ [Wi / (273 + Tgi)]

ダイボンドフィルム１０は、フィラーを含有してもよい。ダイボンドフィルム１０へのフィラーの配合は、ダイボンドフィルム１０の弾性率や、降伏点強度、破断伸度などの物性を調整するうえで好ましい。フィラーとしては、無機フィラーおよび有機フィラーが挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状など各種形状を有していてもよい。また、ダイボンドフィルム１０は、一種類のフィラーを含有してもよいし、二種類以上のフィラーを含有してもよい。   The die bond film 10 may contain a filler. The blending of the filler into the die bond film 10 is preferable for adjusting the physical properties of the die bond film 10, such as the elastic modulus, yield point strength, and elongation at break. Examples of the filler include inorganic fillers and organic fillers. The filler may have various shapes such as a spherical shape, a needle shape, and a flake shape. Moreover, the die-bonding film 10 may contain one type of filler, or may contain two or more types of fillers.

上記の無機フィラーの構成材料としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、および非晶質シリカが挙げられる。無機フィラーの構成材料としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の単体金属や、合金、アモルファスカーボン、グラファイトなども挙げられる。ダイボンドフィルム１０が無機フィラーを含有する場合の当該無機フィラーの含有量は、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上、より好ましくは３０質量％以上である。また、同含有量は、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下、より好ましくは４０質量％以下である。   Examples of the constituent material of the inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, and aluminum borate whisker. Boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica. Examples of the constituent material of the inorganic filler include simple metals such as aluminum, gold, silver, copper, and nickel, alloys, amorphous carbon, and graphite. When the die-bonding film 10 contains an inorganic filler, the content of the inorganic filler is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and more preferably 30% by mass or more. The content is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and more preferably 40% by mass or less.

上記の有機フィラーの構成材料としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、およびポリエステルイミドが挙げられる。ダイボンドフィルム１０が有機フィラーを含有する場合の当該有機フィラーの含有量は、好ましくは２質量％以上、より好ましくは５質量％以上、より好ましくは８質量％以上である。また、同含有量は、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１７質量％以下、より好ましくは１５質量％以下である。   Examples of the constituent material of the organic filler include polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide, polyamide imide, polyether ether ketone, polyether imide, and polyester imide. When the die-bonding film 10 contains an organic filler, the content of the organic filler is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and more preferably 8% by mass or more. The content is preferably 20% by mass or less, more preferably 17% by mass or less, and more preferably 15% by mass or less.

ダイボンドフィルム１０がフィラーを含有する場合の当該フィラーの平均粒径は、好ましくは０.００５〜１０μｍ、より好ましくは０.０５〜１μｍである。当該フィラーの平均粒径が０.００５μｍ以上であるという構成は、ダイボンドフィルム１０において、半導体ウエハ等の被着体に対する高い濡れ性や接着性を実現するうえで好適である。当該フィラーの平均粒径が１０μｍ以下であるという構成は、ダイボンドフィルム１０において充分なフィラー添加効果を得るとともに耐熱性を確保するうえで好適である。フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（商品名「ＬＡ−９１０」，株式会社堀場製作所製）を使用して求めることができる。   When the die bond film 10 contains a filler, the average particle size of the filler is preferably 0.005 to 10 μm, more preferably 0.05 to 1 μm. The configuration in which the average particle size of the filler is 0.005 μm or more is suitable for realizing high wettability and adhesion to an adherend such as a semiconductor wafer in the die bond film 10. The structure that the average particle diameter of the said filler is 10 micrometers or less is suitable when securing heat resistance while obtaining sufficient filler addition effect in the die-bonding film 10. The average particle size of the filler can be determined using, for example, a photometric particle size distribution meter (trade name “LA-910”, manufactured by Horiba, Ltd.).

ダイボンドフィルム１０は、熱硬化触媒を含有してもよい。ダイボンドフィルム１０への熱硬化触媒の配合は、ダイボンドフィルム１０の硬化にあたって樹脂成分の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めるうえで、好ましい。そのような熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。イミダゾール系化合物としては、例えば、２-メチルイミダゾール、２-ウンデシルイミダゾール、２-ヘプタデシルイミダゾール、１,２-ジメチルイミダゾール、２-エチル-４-メチルイミダゾール、２-フェニルイミダゾール、２-フェニル-４-メチルイミダゾール、１-ベンジル-２-メチルイミダゾール、１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール、１-シアノエチル-２-メチルイミダゾール、１-シアノエチル-２-ウンデシルイミダゾール、１-シアノエチル-２-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２,４-ジアミノ-６-[２'-メチルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジン、２,４-ジアミノ-６-[２'-ウンデシルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジン、２,４-ジアミノ-６-[２'-エチル-４'-メチルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジン、２,４-ジアミノ-６-[２'-メチルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジンイソシアヌル酸付加物、２-フェニル-４,５-ジヒドロキシメチルイミダゾール、および２-フェニル-４-メチル-５-ヒドロキシメチルイミダゾールが挙げられる。トリフェニルフォスフィン系化合物としては、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ(ｐ-メチルフェニル)フォスフィン、トリ(ノニルフェニル)フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウム、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム、およびベンジルトリフェニルホスホニウムクロライドが挙げられる。トリフェニルフォスフィン系化合物には、トリフェニルフォスフィン構造とトリフェニルボラン構造とを併有する化合物も含まれるものとする。そのような化合物としては、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ-ｐ-トリボレート、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、およびトリフェニルホスフィントリフェニルボランが挙げられる。アミン系化合物としては、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレートおよびジシアンジアミドが挙げられる。トリハロゲンボラン系化合物としては、例えばトリクロロボランが挙げられる。ダイボンドフィルム１０は、一種類の熱硬化触媒を含有してもよいし、二種類以上の熱硬化触媒を含有してもよい。   The die bond film 10 may contain a thermosetting catalyst. Mixing the thermosetting catalyst into the die bond film 10 is preferable in sufficiently curing the resin component in curing the die bond film 10 or increasing the curing reaction rate. Examples of such a thermosetting catalyst include imidazole compounds, triphenylphosphine compounds, amine compounds, and trihalogen borane compounds. Examples of imidazole compounds include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- 4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazo Lithium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ')]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- -[2'-Methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adducts, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole Is mentioned. Examples of triphenylphosphine compounds include triphenylphosphine, tributylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, diphenyltolylphosphine, tetraphenylphosphonium bromide, methyltriphenylphosphonium. Methyltriphenylphosphonium chloride, methoxymethyltriphenylphosphonium, and benzyltriphenylphosphonium chloride. The triphenylphosphine compound includes a compound having both a triphenylphosphine structure and a triphenylborane structure. Such compounds include, for example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate, benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate, and triphenylphosphine triphenylborane. Examples of the amine compound include monoethanolamine trifluoroborate and dicyandiamide. An example of the trihalogen borane compound is trichloroborane. The die bond film 10 may contain one type of thermosetting catalyst, or may contain two or more types of thermosetting catalysts.

ダイボンドフィルム１０は、必要に応じて、一種類の又は二種類以上の他の成分を含有してもよい。当該他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、および臭素化エポキシ樹脂が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β-(３,４-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、およびγ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ-３００」）、特定構造のリン酸ジルコニウム（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ-１００」）、ケイ酸マグネシウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード６００」）、およびケイ酸アルミニウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード７００」）が挙げられる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、およびビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、１,２,３-ベンゾトリアゾール、１-{Ｎ,Ｎ-ビス(２-エチルヘキシル)アミノメチル}ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-ブチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３-ｔ-ブチル-５-メチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、６-(２-ベンゾトリアゾリル)-４-ｔ-オクチル-６'-ｔ-ブチル-４'-メチル-２,２'-メチレンビスフェノール、１-(２,３-ジヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、１-(１,２-ジカルボキシジエチル)ベンゾトリアゾール、１-(２-エチルヘキシルアミノメチル)ベンゾトリアゾール、２,４-ジ-ｔ-ペンチル-６-{(Ｈ-ベンゾトリアゾール-１-イル)メチル}フェノール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-ブチルフェニル)-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、オクチル-３-[３-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ-５-(５-クロロ-２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)フェニル]プロピオネート、２-エチルヘキシル-３-[３-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ-５-(５-クロロ-２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)フェニル]プロピオネート、２-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-６-(１-メチル-１-フェニルエチル)-４-(１,１,３,３-テトラメチルブチル)フェノール、２-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-４-ｔ-ブチルフェノール、２-(２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-オクチルフェニル)-ベンゾトリアゾール、２-(３-ｔ-ブチル-２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-ブチルフェニル)-５-クロロ-ベンゾトリアゾール、２-［２-ヒドロキシ-３,５-ジ(１,１-ジメチルベンジル)フェニル］-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、２,２'-メチレンビス[６-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-４-(１,１,３,３-テトラメチルブチル)フェノール]、(２-[２-ヒドロキシ-３,５-ビス(α,α-ジメチルベンジル)フェニル]-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、および、メチル-３-[３-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-５-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシフェニル]プロピオネートが挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物などの所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、１,２-ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、およびピロガロールが挙げられる。   The die bond film 10 may contain one type or two or more types of other components as necessary. Examples of the other components include a flame retardant, a silane coupling agent, and an ion trap agent. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin. Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites, bismuth hydroxide, hydrous antimony (eg, “IXE-300” manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.), and zirconium phosphate having a specific structure (eg, “ IXE-100 "), magnesium silicate (for example," Kyoward 600 "manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.), and aluminum silicate (for example," Kyoword 700 "manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.) A compound capable of forming a complex with a metal ion can also be used as an ion trapping agent. Examples of such compounds include triazole compounds, tetrazole compounds, and bipyridyl compounds. Among these, a triazole compound is preferable from the viewpoint of the stability of a complex formed with a metal ion. Examples of such triazole compounds include 1,2,3-benzotriazole, 1- {N, N-bis (2-ethylhexyl) aminomethyl} benzotriazole, carboxybenzotriazole, 2- (2-hydroxy- 5-Methylphenyl) benzotriazole, 2- (2-hydroxy-3,5-di-tert-butylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2-hydroxy-3-tert-butyl-5-methylphenyl) ) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2-hydroxy-3,5-di-t-amylphenyl) benzotriazole, 2- (2-hydroxy-5-t-octylphenyl) benzotriazole, 6- (2 -Benzotriazolyl) -4-t-octyl-6'-t-butyl-4'-methyl-2,2'-methylenebisphenol, 1- (2,3-dihydroxypropyl) benzotriazole, 1- (1 , 2-Dicarboxydiethyl) ben Triazole, 1- (2-ethylhexylaminomethyl) benzotriazole, 2,4-di-t-pentyl-6-{(H-benzotriazol-1-yl) methyl} phenol, 2- (2-hydroxy-5- t-butylphenyl) -2H-benzotriazole, octyl-3- [3-t-butyl-4-hydroxy-5- (5-chloro-2H-benzotriazol-2-yl) phenyl] propionate, 2-ethylhexyl- 3- [3-t-Butyl-4-hydroxy-5- (5-chloro-2H-benzotriazol-2-yl) phenyl] propionate, 2- (2H-benzotriazol-2-yl) -6- (1 -Methyl-1-phenylethyl) -4- (1,1,3,3-tetramethylbutyl) phenol, 2- (2H-benzotriazol-2-yl) -4-tert-butylphenol, 2- (2- Hydroxy-5-methylphenyl) benzotriazole, 2- (2-hydroxy-5-t-o Tylphenyl) -benzotriazole, 2- (3-t-butyl-2-hydroxy-5-methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2-hydroxy-3,5-di-t-amylphenyl) benzo Triazole, 2- (2-hydroxy-3,5-di-t-butylphenyl) -5-chloro-benzotriazole, 2- [2-hydroxy-3,5-di (1,1-dimethylbenzyl) phenyl] -2H-benzotriazole, 2,2'-methylenebis [6- (2H-benzotriazol-2-yl) -4- (1,1,3,3-tetramethylbutyl) phenol], (2- [2- Hydroxy-3,5-bis (α, α-dimethylbenzyl) phenyl] -2H-benzotriazole and methyl-3- [3- (2H-benzotriazol-2-yl) -5-t-butyl-4 -Hydroxyphenyl] propionate. In addition, a predetermined hydroxyl group-containing compound such as a quinol compound, a hydroxyanthraquinone compound, or a polyphenol compound can also be used as an ion trapping agent. Specific examples of such a hydroxyl group-containing compound include 1,2-benzenediol, alizarin, anthralphine, tannin, gallic acid, methyl gallate, and pyrogallol.

ダイボンドフィルム１０の厚さは、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上である。また、本ダイボンドフィルムの厚さは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下、より好ましくは１２０μｍ以下である。   The thickness of the die bond film 10 is preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and more preferably 80 μm or more. Moreover, the thickness of this die bond film becomes like this. Preferably it is 200 micrometers or less, More preferably, it is 160 micrometers or less, More preferably, it is 120 micrometers or less.

ダイボンドフィルム１０は、幅１０ｍｍのダイボンドフィルム試験片について初期チャック間距離１０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ／分の条件で行われる引張試験での降伏点強度が、１５Ｎ以下であり、好ましくは１２Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下である。これとともに、ダイボンドフィルム１０は、同試験での破断強度が、１５Ｎ以下であり、好ましくは１２Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下である。これとともに、ダイボンドフィルム１０は、同試験での破断伸度が、４０〜４００％であり、好ましくは４０〜３５０％、より好ましくは４０〜３００％である。これら降伏点強度、破断強度、および破断伸度については、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して測定することができる。また、ダイボンドフィルム１０における降伏点強度、破断強度、および破断伸度の調整は、ダイボンドフィルム１０における無機フィラーおよび／または有機フィラーの配合量の制御や、ダイボンドフィルム１０中の上述のアクリル樹脂のガラス転移温度の制御などによって、行うことが可能である。   The die bond film 10 has a yield point strength of 15 N or less, preferably 12 N in a tensile test performed on a die bond film specimen having a width of 10 mm at an initial chuck distance of 10 mm, 23 ° C., and a tensile speed of 300 mm / min. Below, more preferably 10N or less. At the same time, the die bond film 10 has a breaking strength in the same test of 15 N or less, preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less. At the same time, the die bond film 10 has a breaking elongation in the same test of 40 to 400%, preferably 40 to 350%, more preferably 40 to 300%. The yield strength, breaking strength, and breaking elongation can be measured using a tensile tester (trade name “Autograph AGS-J”, manufactured by Shimadzu Corporation). In addition, the yield point strength, breaking strength, and breaking elongation of the die bond film 10 are adjusted by controlling the amount of inorganic filler and / or organic filler in the die bond film 10 and the above-described acrylic resin glass in the die bond film 10. This can be done by controlling the transition temperature.

ダイボンドフィルム１０の未硬化状態における１２０℃での粘度は、好ましくは３００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは７００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上である。また、ダイボンドフィルム１０の未硬化状態における１２０℃での粘度は、好ましくは５０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは４０００Ｐａ・ｓ以下である。   The viscosity at 120 ° C. in the uncured state of the die bond film 10 is preferably 300 Pa · s or more, more preferably 700 Pa · s or more, and more preferably 1000 Pa · s or more. Moreover, the viscosity at 120 ° C. in the uncured state of the die bond film 10 is preferably 5000 Pa · s or less, more preferably 4500 Pa · s or less, and more preferably 4000 Pa · s or less.

以上のようなダイボンドフィルム１０は、温度２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、例えば０.３〜２０Ｎ/１０ｍｍの１８０°剥離粘着力を示す。このような構成は、ダイシングダイボンドフィルムＸないしそのダイボンドフィルム１０によるワークの保持を確保するうえで好適である。   The die bond film 10 as described above has a 180 ° peel adhesive strength of, for example, 0.3 to 20 N / 10 mm with respect to the SUS plane in a peel test under conditions of a temperature of 23 ° C., a peel angle of 180 °, and a tensile speed of 300 mm / min. Indicates. Such a configuration is suitable for securing the work held by the dicing die bond film X or the die bond film 10.

ダイシングダイボンドフィルムＸにおけるダイシングテープ２０の基材２１は、ダイシングテープ２０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおいて支持体として機能する要素である。基材２１は例えばプラスチック基材であり、当該プラスチック基材としてはプラスチックフィルムを好適に用いることができる。プラスチック基材の構成材料としては、例えば、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、アラミド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、およびシリコーン樹脂が挙げられる。ポリオレフィンとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ブテン共重合体、およびエチレン−ヘキセン共重合体が挙げられる。ポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリブチレンテレフタレートが挙げられる。基材２１は、一種類の材料からなってもよし、二種類以上の材料からなってもよい。基材２１は、単層構造を有してもよいし、多層構造を有してもよい。基材２１上の粘着剤層２２が後述のように紫外線硬化性である場合、基材２１は紫外線透過性を有するのが好ましい。また、基材２１は、プラスチックフィルムよりなる場合、無延伸フィルムであってもよいし、一軸延伸フィルムであってもよいし、二軸延伸フィルムであってもよい。   The substrate 21 of the dicing tape 20 in the dicing die bond film X is an element that functions as a support in the dicing tape 20 or the dicing die bond film X. The substrate 21 is, for example, a plastic substrate, and a plastic film can be suitably used as the plastic substrate. For example, polyolefin, polyester, polyurethane, polycarbonate, polyether ether ketone, polyimide, polyether imide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyphenyl sulfide, aramid , Fluororesin, cellulosic resin, and silicone resin. Examples of the polyolefin include low density polyethylene, linear low density polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, Examples include ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, ethylene-butene copolymer, and ethylene-hexene copolymer. It is done. Examples of the polyester include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polybutylene terephthalate. The base material 21 may be made of one kind of material or may be made of two or more kinds of materials. The base material 21 may have a single layer structure or a multilayer structure. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 on the substrate 21 is ultraviolet curable as described later, the substrate 21 preferably has ultraviolet transparency. Moreover, when the base material 21 consists of a plastic film, an unstretched film may be sufficient, a uniaxially stretched film may be sufficient, and a biaxially stretched film may be sufficient.

ダイシングダイボンドフィルムＸの使用に際してダイシングテープ２０ないし基材２１を例えば部分的な加熱によって収縮させる場合には、基材２１は熱収縮性を有するのが好ましい。また、基材２１がプラスチックフィルムよりなる場合、ダイシングテープ２０ないし基材２１について等方的な熱収縮性を実現するうえでは、基材２１は二軸延伸フィルムであるのが好ましい。ダイシングテープ２０ないし基材２１は、加熱温度１００℃および加熱処理時間６０秒の条件で行われる加熱処理試験による熱収縮率が好ましくは２〜３０％、より好ましくは２〜２５％、より好ましくは３〜２０％、より好ましくは５〜２０％である。当該熱収縮率は、いわゆるＭＤ方向の熱収縮率およびいわゆるＴＤ方向の熱収縮率の少なくとも一方の熱収縮率をいうものとする。   When using the dicing die-bonding film X, when the dicing tape 20 or the base material 21 is shrunk by, for example, partial heating, the base material 21 preferably has heat shrinkability. Moreover, when the base material 21 consists of a plastic film, in order to implement | achieve isotropic heat-shrinkability about the dicing tape 20 thru | or the base material 21, it is preferable that the base material 21 is a biaxially stretched film. The dicing tape 20 to the base material 21 preferably have a heat shrinkage rate of 2 to 30%, more preferably 2 to 25%, more preferably a heat treatment test performed under conditions of a heating temperature of 100 ° C. and a heat treatment time of 60 seconds. 3 to 20%, more preferably 5 to 20%. The heat shrinkage rate means a heat shrinkage rate of at least one of a so-called MD direction heat shrinkage rate and a so-called TD direction heat shrinkage rate.

基材２１における粘着剤層２２側の表面は、粘着剤層２２との密着性を高めるための物理的処理、化学的処理、または下塗り処理が施されていてもよい。物理的処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、およびイオン化放射線処理が挙げられる。化学的処理としては例えばクロム酸処理が挙げられる。   The surface on the pressure-sensitive adhesive layer 22 side of the base material 21 may be subjected to physical treatment, chemical treatment, or undercoating treatment for enhancing the adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer 22. Examples of the physical treatment include corona treatment, plasma treatment, sand mat processing treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, high piezoelectric impact exposure treatment, and ionizing radiation treatment. Examples of chemical treatment include chromic acid treatment.

基材２１の厚さは、ダイシングテープ２０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおける支持体として基材２１が機能するための強度を確保するという観点からは、好ましくは４０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは５５μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上である。また、ダイシングテープ２０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材２１の厚さは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１８０μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。   The thickness of the base material 21 is preferably 40 μm or more, preferably 50 μm or more, more preferably from the viewpoint of ensuring strength for the base material 21 to function as a support in the dicing tape 20 or the dicing die bond film X. It is 55 μm or more, more preferably 60 μm or more. Further, from the viewpoint of realizing appropriate flexibility in the dicing tape 20 or the dicing die bond film X, the thickness of the substrate 21 is preferably 200 μm or less, more preferably 180 μm or less, and more preferably 150 μm or less. .

ダイシングテープ２０の粘着剤層２２は、粘着剤を含有する。この粘着剤は、ダイシングダイボンドフィルムＸの使用過程において外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤（粘着力低減可能型粘着剤）であってもよいし、ダイシングダイボンドフィルムＸの使用過程において外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤（粘着力非低減型粘着剤）であってもよい。粘着剤層２２中の粘着剤として粘着力低減可能型粘着剤を用いるか或いは粘着力非低減型粘着剤を用いるかについては、ダイシングダイボンドフィルムＸを使用して個片化される半導体チップの個片化の手法や条件など、ダイシングダイボンドフィルムＸの使用態様に応じて、適宜に選択することができる。   The pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 contains a pressure-sensitive adhesive. This pressure-sensitive adhesive may be a pressure-sensitive adhesive (adhesive strength-reducing type pressure-sensitive adhesive) capable of intentionally reducing the pressure-sensitive adhesive force by an external action in the process of using the dicing die-bonding film X. In the process of using the film X, it may be an adhesive (adhesive strength non-reducing adhesive) in which the adhesive strength is hardly or not reduced at all by an external action. Whether to use a pressure-reducible pressure-sensitive adhesive or a non-reducible pressure-sensitive adhesive as the pressure-sensitive adhesive in the pressure-sensitive adhesive layer 22 depends on whether the dicing die-bonding film X is used to separate individual semiconductor chips. It can select suitably according to the usage aspect of the dicing die-bonding film X, such as the singulation method and conditions.

粘着剤層２２中の粘着剤として粘着力低減可能型粘着剤を用いる場合、ダイシングダイボンドフィルムＸの使用過程において、粘着剤層２２が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを、使い分けることが可能である。例えば、ダイシングダイボンドフィルムＸが後記のエキスパンド工程に使用される時には、粘着剤層２２からのダイボンドフィルム１０の浮きや剥離を抑制・防止するために粘着剤層２２の高粘着力状態を利用する一方で、それより後、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ２０からダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップするための後記のピックアップ工程では、粘着剤層２２からダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップしやすくするために粘着剤層２２の低粘着力状態を利用することが可能である。   When using a pressure-reducible pressure-sensitive adhesive as the pressure-sensitive adhesive in the pressure-sensitive adhesive layer 22, in the process of using the dicing die-bonding film X, the state in which the pressure-sensitive adhesive layer 22 exhibits a relatively high pressure and a relatively low pressure-sensitive adhesive force. It is possible to properly use the state indicating. For example, when the dicing die-bonding film X is used in the expanding process described later, the high-adhesive force state of the pressure-sensitive adhesive layer 22 is used to suppress / prevent floating and peeling of the die-bonding film 10 from the pressure-sensitive adhesive layer 22. After that, in the pickup process described later for picking up the semiconductor chip with the die bond film from the dicing tape 20 of the dicing die bond film X, the adhesive is used to make it easy to pick up the semiconductor chip with the die bond film from the adhesive layer 22. It is possible to utilize the low adhesion state of the layer 22.

このような粘着力低減可能型粘着剤としては、例えば、ダイシングダイボンドフィルムＸの使用過程において放射線照射によって硬化させることが可能な粘着剤（放射線硬化性粘着剤）や加熱発泡型粘着剤などが挙げられる。本実施形態の粘着剤層２２では、一種類の粘着力低減可能型粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着力低減可能型粘着剤が用いられてもよい。また、粘着剤層２２の全体が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層２２の一部が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよい。例えば、粘着剤層２２が単層構造を有する場合、粘着剤層２２の全体が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層２２における所定の部位（例えば、ワークの貼着対象領域である中央領域）が粘着力低減可能型粘着剤から形成され、他の部位（例えば、リングフレームの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域）が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。また、粘着剤層２２が多層構造を有する場合、多層構造をなす全ての層が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよいし、多層構造中の一部の層が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよい。   Examples of such adhesive-reducing adhesives include adhesives (radiation curable adhesives) that can be cured by irradiation in the course of use of the dicing die bond film X, and heat-foaming adhesives. It is done. In the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the present embodiment, one type of pressure-sensitive adhesive capable of reducing the adhesive force may be used, or two or more types of pressure-sensitive adhesive capable of reducing the adhesive strength may be used. Further, the entire pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed from a pressure-sensitive adhesive-reducing type pressure-sensitive adhesive, or a part of the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed from a pressure-sensitive adhesive-reducible type pressure-sensitive adhesive. For example, when the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a single-layer structure, the whole pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed of a pressure-sensitive adhesive-reducing type pressure-sensitive adhesive, or a predetermined part (for example, a workpiece sticking) in the pressure-sensitive adhesive layer 22. The center area, which is the target area, is formed from a pressure-reducing adhesive, and the other part (for example, the target area of the ring frame that is outside the central area) is not reduced. It may be formed from a mold adhesive. In addition, when the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a multilayer structure, all the layers forming the multilayer structure may be formed from a pressure-sensitive adhesive-reducing type adhesive, or a part of the layers in the multilayer structure is capable of reducing the adhesive strength. You may form from an adhesive.

粘着剤層２２のための放射線硬化性粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射によって硬化するタイプの粘着剤が挙げられ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化性粘着剤）を特に好適に用いることができる。   Examples of the radiation curable pressure sensitive adhesive for the pressure sensitive adhesive layer 22 include a type of pressure sensitive adhesive that is cured by irradiation with electron beams, ultraviolet rays, α rays, β rays, γ rays, or X rays. A curable pressure sensitive adhesive (ultraviolet curable pressure sensitive adhesive) can be used particularly preferably.

粘着剤層２２のための放射線硬化性粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤たるアクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する、添加型の放射線硬化性粘着剤が挙げられる。   Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22 include a base polymer such as an acrylic polymer that is an acrylic pressure-sensitive adhesive, and radiation-polymerizable having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond. Addition-type radiation-curable pressure-sensitive adhesives containing the monomer component and oligomer component are mentioned.

上記のアクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステル、即ち、アクリル系ポリマーの構成モノマーである(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、および(メタ)アクリル酸アリールエステルが挙げられ、より具体的には、ダイボンドフィルム１０のためのアクリル樹脂に関して上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。アクリル系ポリマーの構成モノマーとして、一種類の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよいし、二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよい。アクリル系ポリマーの構成モノマーとしては、好ましくは、アクリル酸２-エチルヘキシルおよびアクリル酸ラウリルが挙げられる。また、(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層２２にて適切に発現させるうえでは、アクリル系ポリマーの構成モノマー全体における(メタ)アクリル酸エステルの割合は、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上である。   The acrylic polymer preferably contains the largest amount of monomer units derived from (meth) acrylic acid ester in mass ratio. Examples of (meth) acrylic acid esters for forming monomer units of acrylic polymers, that is, (meth) acrylic acid esters that are constituent monomers of acrylic polymers include, for example, (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic esters Acid cycloalkyl esters and (meth) acrylic acid aryl esters, and more specifically, (meth) acrylic esters similar to those described above with respect to the acrylic resin for the die-bonding film 10. As a constituent monomer of the acrylic polymer, one kind of (meth) acrylic acid ester may be used, or two or more kinds of (meth) acrylic acid esters may be used. The constituent monomer of the acrylic polymer preferably includes 2-ethylhexyl acrylate and lauryl acrylate. Further, in order to appropriately express the basic characteristics such as adhesiveness due to (meth) acrylic acid ester in the pressure-sensitive adhesive layer 22, the ratio of (meth) acrylic acid ester to the whole monomer constituting the acrylic polymer is preferably It is 40 mass% or more, More preferably, it is 60 mass% or more.

アクリル系ポリマーは、例えばその凝集力や耐熱性の改質のために、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な一種類の又は二種類以上の他のモノマーを構成モノマーに含んでもよい。そのようなモノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、およびアクリロニトリルが挙げられ、より具体的には、ダイボンドフィルム１０のためのアクリル樹脂に関して上記したのと同様の共重合性モノマーが挙げられる。   The acrylic polymer may contain, as a constituent monomer, one or two or more other monomers copolymerizable with (meth) acrylic acid ester, for example, in order to improve the cohesive strength and heat resistance. Examples of such monomers include carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxy group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphate group-containing monomers, acrylamide, and acrylonitrile, and more Specifically, the same copolymerizable monomer as described above with respect to the acrylic resin for the die bond film 10 may be mentioned.

アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、(メタ)アクリル酸エステルなどのモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ポリグリシジル(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、およびウレタン(メタ)アクリレートが挙げられる。「(メタ)アクリレート」は、「アクリレート」および／または「メタクリレート」を意味するものとする。アクリル系ポリマーの構成モノマーとして、一種類の多官能性モノマーが用いられてもよいし、二種類以上の多官能性モノマーが用いられてもよい。(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層２２にて適切に発現させるうえでは、アクリル系ポリマーの構成モノマー全体における多官能性モノマーの割合は、好ましくは４０質量％以下、好ましくは３０質量％以下である。   The acrylic polymer may contain a monomer unit derived from a polyfunctional monomer copolymerizable with a monomer component such as (meth) acrylic acid ester in order to form a crosslinked structure in the polymer skeleton. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, polyglycidyl (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, and urethane ( And (meth) acrylate. “(Meth) acrylate” shall mean “acrylate” and / or “methacrylate”. As a constituent monomer of the acrylic polymer, one kind of polyfunctional monomer may be used, or two or more kinds of polyfunctional monomers may be used. In order to appropriately develop basic characteristics such as adhesiveness due to (meth) acrylic acid ester in the pressure-sensitive adhesive layer 22, the ratio of the polyfunctional monomer in the entire constituent monomers of the acrylic polymer is preferably 40% by mass or less. , Preferably it is 30 mass% or less.

アクリル系ポリマーは、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、および懸濁重合が挙げられる。ダイシングテープ２０ないしダイシングダイボンドフィルムＸの使用される半導体装置製造方法における高度の清浄性の観点からは、ダイシングテープ２０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層２２中の低分子量物質は少ない方が好ましいところ、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは１０万以上、より好ましくは２０万〜３００万である。   The acrylic polymer can be obtained by polymerizing raw material monomers for forming the acrylic polymer. Examples of the polymerization technique include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization. From the viewpoint of high cleanliness in the semiconductor device manufacturing method in which the dicing tape 20 or the dicing die bond film X is used, it is preferable that the low molecular weight substance in the adhesive layer 22 in the dicing tape 20 or the dicing die bond film X is smaller. The number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 100,000 or more, more preferably 200,000 to 3,000,000.

粘着剤層２２ないしそれをなすための粘着剤は、アクリル系ポリマーなどベースポリマーの数平均分子量を高めるために例えば、外部架橋剤を含有してもよい。アクリル系ポリマーなどベースポリマーと反応して架橋構造を形成するための外部架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、およびメラミン系架橋剤が挙げられる。粘着剤層２２ないしそれをなすための粘着剤における外部架橋剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対して、好ましくは５質量部以下、より好ましくは０.１〜５質量部である。   The pressure-sensitive adhesive layer 22 or the pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive adhesive layer 22 may contain, for example, an external crosslinking agent in order to increase the number average molecular weight of the base polymer such as an acrylic polymer. Examples of the external crosslinking agent for reacting with a base polymer such as an acrylic polymer to form a crosslinked structure include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, polyol compounds, aziridine compounds, and melamine crosslinking agents. The content of the external crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive layer 22 or the pressure-sensitive adhesive forming the same is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer.

放射線硬化性粘着剤をなすための上記の放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、および１,４-ブタンジオールジ(メタ)アクリレートが挙げられる。放射線硬化性粘着剤をなすための上記の放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーが挙げられ、分子量１００〜３００００程度のものが適当である。放射線硬化性粘着剤中の放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分の総含有量は、形成される粘着剤層２２の粘着力を適切に低下させ得る範囲で決定され、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して、好ましくは５〜５００質量部であり、より好ましくは４０〜１５０質量部である。また、添加型の放射線硬化性粘着剤としては、例えば特開昭６０−１９６９５６号公報に開示のものを用いてもよい。   Examples of the radiation-polymerizable monomer component for forming the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol tetra (meth). Acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate. Examples of the radiation-polymerizable oligomer component for forming the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based, having a molecular weight of about 100 to 30000. Things are appropriate. The total content of the radiation-polymerizable monomer component and oligomer component in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is determined within a range in which the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 22 to be formed can be appropriately reduced. Preferably it is 5-500 mass parts with respect to 100 mass parts, More preferably, it is 40-150 mass parts. Further, as the additive type radiation curable pressure-sensitive adhesive, for example, those disclosed in JP-A-60-196956 may be used.

粘着剤層２２のための放射線硬化性粘着剤としては、例えば、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化性粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化性粘着剤は、形成される粘着剤層２２内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制するうえで好適である。   Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22 include, for example, a base polymer having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond at the polymer side chain or at the polymer main chain terminal in the polymer main chain. Intrinsic radiation-curable pressure-sensitive adhesives containing Such an internal radiation curable pressure-sensitive adhesive is suitable for suppressing an unintended change in the pressure-sensitive adhesive property due to movement of a low molecular weight component in the pressure-sensitive adhesive layer 22 to be formed.

内在型の放射線硬化性粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。そのような基本骨格をなすアクリル系ポリマーとしては、上述のアクリル系ポリマーを採用することができる。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素−炭素二重結合の導入手法としては、例えば、所定の官能基（第１の官能基）を有するモノマーを含む原料モノマーを共重合させてアクリル系ポリマーを得た後、第１の官能基との間で反応を生じて結合しうる所定の官能基（第２の官能基）と放射線重合性炭素−炭素二重結合とを有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応または付加反応させる方法が、挙げられる。   As the base polymer contained in the internal radiation-curable pressure-sensitive adhesive, those having an acrylic polymer as a basic skeleton are preferable. As the acrylic polymer having such a basic skeleton, the above-mentioned acrylic polymer can be employed. As a method for introducing a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond into an acrylic polymer, for example, a raw material monomer including a monomer having a predetermined functional group (first functional group) is copolymerized to form an acrylic polymer. After obtaining, a compound having a predetermined functional group (second functional group) that can react and bond with the first functional group and a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond is converted to carbon-carbon. Examples thereof include a method of subjecting an acrylic polymer to a condensation reaction or an addition reaction while maintaining the radiation polymerization property of a double bond.

第１の官能基と第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基が挙げられる。これら組み合わせのうち、反応追跡の容易さの観点からは、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせや、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが、好ましい。また、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製するのは技術的難易度が高いので、アクリル系ポリマーの作製または入手のしやすさの観点からは、アクリル系ポリマー側の上記第１の官能基がヒドロキシ基であり且つ上記第２の官能基がイソシアネート基である場合が、より好ましい。この場合、放射線重合性炭素−炭素二重結合と第２の官能基たるイソシアネート基とを併有するイソシアネート化合物、即ち、放射線重合性の不飽和官能基含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）、およびｍ-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネートが挙げられる。   Examples of the combination of the first functional group and the second functional group include, for example, carboxy group and epoxy group, epoxy group and carboxy group, carboxy group and aziridyl group, aziridyl group and carboxy group, hydroxy group and isocyanate group, and isocyanate group. And a hydroxy group. Of these combinations, a combination of a hydroxy group and an isocyanate group or a combination of an isocyanate group and a hydroxy group is preferable from the viewpoint of easy reaction tracking. In addition, since it is technically difficult to prepare a polymer having a highly reactive isocyanate group, from the viewpoint of easy preparation or availability of the acrylic polymer, the first functional group on the acrylic polymer side is used. More preferably, the group is a hydroxy group and the second functional group is an isocyanate group. In this case, as an isocyanate compound having both a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond and an isocyanate group as the second functional group, that is, a radiation-polymerizable unsaturated functional group-containing isocyanate compound, for example, methacryloyl isocyanate, 2 -Methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) and m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate.

粘着剤層２２のための放射線硬化性粘着剤は、好ましくは光重合開始剤を含有する。光重合開始剤としては、例えば、α-ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、およびアシルホスフォナートが挙げられる。α-ケトール系化合物としては、例えば、４-(２-ヒドロキシエトキシ)フェニル(２-ヒドロキシ-２-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α'-ジメチルアセトフェノン、２-メチル-２-ヒドロキシプロピオフェノン、および１-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが挙げられる。アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２,２-ジメトキシ-１,２-ジフェニルエタン-１-オン、２,２-ジエトキシアセトフェノン、および２-メチル-１-[４-(メチルチオ)-フェニル]-２-モルホリノプロパン-１が挙げられる。ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、およびアニソインメチルエーテルが挙げられる。ケタール系化合物としては、例えばベンジルジメチルケタールが挙げられる。芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば２-ナフタレンスルホニルクロリドが挙げられる。光活性オキシム系化合物としては、例えば、１-フェニル-１,２-プロパンジオン-２-(Ｏ-エトキシカルボニル)オキシムが挙げられる。ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、および３,３'-ジメチル-４-メトキシベンゾフェノンが挙げられる。チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２-クロロチオキサントン、２-メチルチオキサントン、２,４-ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２,４-ジクロロチオキサントン、２,４-ジエチルチオキサントン、および２,４-ジイソプロピルチオキサントンが挙げられる。粘着剤層２２における放射線硬化性粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して例えば０.０５〜２０質量部である。   The radiation curable pressure sensitive adhesive for the pressure sensitive adhesive layer 22 preferably contains a photopolymerization initiator. Examples of photopolymerization initiators include α-ketol compounds, acetophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, benzophenone compounds, thioxanthone compounds, camphors. Examples include quinones, halogenated ketones, acyl phosphinoxides, and acyl phosphonates. Examples of α-ketol compounds include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α'-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypro Piophenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone are mentioned. Examples of acetophenone compounds include methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 2,2-diethoxyacetophenone, and 2-methyl-1- [4- (methylthio)- Phenyl] -2-morpholinopropane-1. Examples of benzoin ether compounds include benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether. Examples of the ketal compound include benzyl dimethyl ketal. Examples of the aromatic sulfonyl chloride compound include 2-naphthalenesulfonyl chloride. Examples of the photoactive oxime compound include 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime. Examples of the benzophenone-based compound include benzophenone, benzoylbenzoic acid, and 3,3′-dimethyl-4-methoxybenzophenone. Examples of thioxanthone compounds include thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, and 2,4-diisopropyl. Thioxanthone is mentioned. The content of the photopolymerization initiator in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive in the pressure-sensitive adhesive layer 22 is, for example, 0.05 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer such as an acrylic polymer.

粘着剤層２２のための上記の加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分（発泡剤、熱膨張性微小球など）を含有する粘着剤である。発泡剤としては、種々の無機系発泡剤および有機系発泡剤が挙げられる。熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、およびアジド類が挙げられる。有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタンやジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン、アゾビスイソブチロニトリルやアゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ系化合物、パラトルエンスルホニルヒドラジドやジフェニルスルホン-３,３'-ジスルホニルヒドラジド、４,４'-オキシビス(ベンゼンスルホニルヒドラジド)、アリルビス(スルホニルヒドラジド)などのヒドラジン系化合物、ρ-トルイレンスルホニルセミカルバジドや４,４'-オキシビス(ベンゼンスルホニルセミカルバジド)などのセミカルバジド系化合物、５-モルホリル-１,２,３,４-チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物、並びに、Ｎ,Ｎ'-ジニトロソペンタメチレンテトラミンやＮ,Ｎ'-ジメチル-Ｎ,Ｎ'-ジニトロソテレフタルアミドなどのＮ-ニトロソ系化合物が、挙げられる。上記のような熱膨張性微小球をなすための、加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、およびペンタンが挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルベーション法や界面重合法などによって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、およびポリスルホンが挙げられる。   The above-mentioned heat-foamable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22 is a pressure-sensitive adhesive containing components (foaming agents, thermally expandable microspheres, etc.) that foam or expand when heated. Examples of the foaming agent include various inorganic foaming agents and organic foaming agents. Examples of the thermally expandable microsphere include a microsphere having a configuration in which a substance that is easily gasified and expanded by heating is enclosed in a shell. Examples of the inorganic foaming agent include ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, ammonium nitrite, sodium borohydride, and azides. Examples of the organic foaming agent include chloroalkanes such as trichloromonofluoromethane and dichloromonofluoromethane, azo compounds such as azobisisobutyronitrile, azodicarbonamide, barium azodicarboxylate, and paratoluenesulfonyl. Hydrazine compounds such as hydrazide, diphenylsulfone-3,3′-disulfonylhydrazide, 4,4′-oxybis (benzenesulfonylhydrazide), allylbis (sulfonylhydrazide), ρ-toluylenesulfonyl semicarbazide and 4,4′-oxybis Semicarbazide compounds such as (benzenesulfonyl semicarbazide), triazole compounds such as 5-morpholyl-1,2,3,4-thiatriazole, and N, N′-dinitrosopentamethylenetetramine and N, N′-dimethyl -N, N'-Dinitrosote N- nitroso compounds such as phthalamide may be mentioned. Examples of the material that can be easily gasified by heating to expand to form the above-described thermally expandable microspheres include isobutane, propane, and pentane. Thermally expandable microspheres can be produced by encapsulating a substance that expands easily by heating into a shell-forming substance by a coacervation method or an interfacial polymerization method. As the shell forming substance, a substance exhibiting heat melting property or a substance that can be ruptured by the action of thermal expansion of the encapsulated substance can be used. Such materials include, for example, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymers, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, and polysulfone.

上述の粘着力非低減型粘着剤としては、例えば、粘着力低減可能型粘着剤に関して上述した放射線硬化性粘着剤を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤や、感圧型粘着剤などが、挙げられる。放射線硬化性粘着剤は、その含有ポリマー成分の種類および含有量によっては、放射線硬化されて粘着力が低減された場合においても当該ポリマー成分に起因する粘着性を示し得て、所定の使用態様で被着体を粘着保持するのに利用可能な粘着力を発揮することが可能である。本実施形態の粘着剤層２２においては、一種類の粘着力非低減型粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着力非低減型粘着剤が用いられてもよい。また、粘着剤層２２の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層２２の一部が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。例えば、粘着剤層２２が単層構造を有する場合、粘着剤層２２の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、上述のように、粘着剤層２２における所定の部位（例えば、リングフレームの貼着対象領域であって、ウエハの貼着対象領域の外側にある領域）が粘着力非低減型粘着剤から形成され、他の部位（例えば、ウエハの貼着対象領域である中央領域）が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよい。また、粘着剤層２２が多層構造を有する場合、多層構造をなす全ての層が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、多層構造中の一部の層が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。   As the above-mentioned adhesive strength non-reducing adhesive, for example, a pressure-sensitive adhesive in a form in which the radiation-curable adhesive described above with respect to an adhesive-reducible adhesive is previously cured by radiation irradiation, Can be mentioned. Depending on the type and content of the contained polymer component, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive can exhibit adhesiveness due to the polymer component even when it is cured by radiation and the adhesive strength is reduced. It is possible to exhibit an adhesive force that can be used to hold the adherend. In the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the present embodiment, one type of non-reducing adhesive may be used, or two or more types of non-reducing adhesive may be used. Moreover, the whole adhesive layer 22 may be formed from a non-adhesive pressure-reducing adhesive, or a part of the adhesive layer 22 may be formed from a non-reducing adhesive. For example, when the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a single-layer structure, the entire pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed of a pressure-sensitive adhesive non-reducing type pressure-sensitive adhesive, or, as described above, a predetermined portion ( For example, an adhesion target area of a ring frame, which is an area outside the adhesion target area of the wafer, is formed from a non-adhesive adhesive, and other parts (for example, an adhesion target area of the wafer) A certain central region) may be formed from a pressure-sensitive adhesive capable of reducing the adhesive force. Further, when the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a multilayer structure, all the layers forming the multilayer structure may be formed from a non-adhesive pressure-reducing adhesive, or some of the layers in the multilayer structure are non-adhesive power type. You may form from an adhesive.

一方、粘着剤層２２のための感圧型粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を用いることができる。粘着剤層２２が感圧型粘着剤としてアクリル系粘着剤を含有する場合、当該アクリル系粘着剤のベースポリマーたるアクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。そのようなアクリル系ポリマーとしては、例えば、放射線硬化性粘着剤に関して上述したアクリル系ポリマーが挙げられる。   On the other hand, as the pressure-sensitive adhesive for the adhesive layer 22, for example, an acrylic adhesive or a rubber adhesive having an acrylic polymer as a base polymer can be used. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains an acrylic pressure-sensitive adhesive as a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive, the acrylic polymer that is the base polymer of the acrylic pressure-sensitive adhesive is preferably a mass ratio of monomer units derived from (meth) acrylic acid esters. Including the most. As such an acrylic polymer, the acrylic polymer mentioned above regarding the radiation-curable adhesive is mentioned, for example.

粘着剤層２２ないしそれをなすための粘着剤は、上述の各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料や染料などの着色剤などを、含有してもよい。着色剤は、放射線照射を受けて着色する化合物であってもよい。そのような化合物としては、例えばロイコ染料が挙げられる。   The pressure-sensitive adhesive layer 22 or the pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive adhesive layer may contain, in addition to the above-described components, a crosslinking accelerator, a tackifier, an anti-aging agent, a colorant such as a pigment or a dye, and the like. The colorant may be a compound that is colored by irradiation. Examples of such a compound include leuco dyes.

粘着剤層２２の厚さは、好ましくは１〜５０μｍ、より好ましくは２〜３０μｍ、より好ましくは５〜２５μｍである。このような構成は、例えば、粘着剤層２２が放射線硬化性粘着剤を含む場合に当該粘着剤層２２の放射線硬化の前後におけるダイボンドフィルム１０に対する接着力のバランスをとるうえで、好適である。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 22 is preferably 1 to 50 μm, more preferably 2 to 30 μm, and more preferably 5 to 25 μm. Such a configuration is suitable, for example, when the adhesive layer 22 includes a radiation curable adhesive and balances the adhesive force to the die bond film 10 before and after the radiation curing of the adhesive layer 22.

以上のような構成を有するダイシングダイボンドフィルムＸは、例えば以下のようにして製造することができる。   The dicing die-bonding film X having the above configuration can be manufactured, for example, as follows.

ダイシングダイボンドフィルムＸのダイボンドフィルム１０の作製においては、まず、ダイボンドフィルム１０形成用の接着剤組成物を調製した後、所定のセパレータ上に当該組成物を塗布して接着剤組成物層を形成する。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、並びに、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類などが、挙げられる。接着剤組成物の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。次に、この接着剤組成物層において、加熱によって、必要に応じて乾燥させ、また、必要に応じて架橋反応を生じさせる。加熱温度は例えば７０〜１６０℃であり、加熱時間は例えば１〜５分間である。以上のようにして、セパレータを伴う形態で上述のダイボンドフィルム１０を作製することができる。   In the production of the die bond film 10 of the dicing die bond film X, first, after preparing an adhesive composition for forming the die bond film 10, the composition is applied onto a predetermined separator to form an adhesive composition layer. . Examples of the separator include a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyethylene film, a polypropylene film, and a plastic film or paper whose surface is coated with a release agent such as a fluorine-type release agent or a long-chain alkyl acrylate release agent. Can be mentioned. Examples of the method for applying the adhesive composition include roll coating, screen coating, and gravure coating. Next, in this adhesive composition layer, it is dried as necessary by heating, and a crosslinking reaction is caused as necessary. The heating temperature is, for example, 70 to 160 ° C, and the heating time is, for example, 1 to 5 minutes. As described above, the above-described die bond film 10 can be produced in a form involving a separator.

ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ２０については、用意した基材２１上に粘着剤層２２を設けることによって作製することができる。例えば樹脂製の基材２１は、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法などの製膜手法によって、作製することができる。製膜後のフィルムないし基材２１には、必要に応じて所定の表面処理が施される。粘着剤層２２の形成においては、例えば、粘着剤層形成用の粘着剤組成物を調製した後、まず、当該組成物を基材２１上または所定のセパレータ上に塗布して粘着剤組成物層を形成する。粘着剤組成物の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。次に、この粘着剤組成物層において、加熱によって、必要に応じて乾燥させ、また、必要に応じて架橋反応を生じさせる。加熱温度は例えば８０〜１５０℃であり、加熱時間は例えば０.５〜５分間である。粘着剤層２２がセパレータ上に形成される場合には、当該セパレータを伴う粘着剤層２２を基材２１に貼り合わせ、その後、セパレータが剥離される。これにより、基材２１と粘着剤層２２との積層構造を有する上述のダイシングテープ２０が作製される。   The dicing tape 20 of the dicing die bond film X can be produced by providing the pressure-sensitive adhesive layer 22 on the prepared base material 21. For example, the resin base material 21 is produced by a film forming method such as a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a co-extrusion method, or a dry lamination method. can do. The film or substrate 21 after film formation is subjected to a predetermined surface treatment as necessary. In the formation of the pressure-sensitive adhesive layer 22, for example, after preparing a pressure-sensitive adhesive composition for forming a pressure-sensitive adhesive layer, first, the composition is applied onto the substrate 21 or a predetermined separator, and then the pressure-sensitive adhesive composition layer. Form. Examples of the method for applying the pressure-sensitive adhesive composition include roll coating, screen coating, and gravure coating. Next, the pressure-sensitive adhesive composition layer is dried by heating as necessary, and a crosslinking reaction is caused as necessary. The heating temperature is, for example, 80 to 150 ° C., and the heating time is, for example, 0.5 to 5 minutes. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 is formed on the separator, the pressure-sensitive adhesive layer 22 with the separator is bonded to the base material 21, and then the separator is peeled off. Thereby, the above-mentioned dicing tape 20 having a laminated structure of the base material 21 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 is produced.

ダイシングダイボンドフィルムＸの作製においては、次に、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２側にダイボンドフィルム１０を例えば圧着して貼り合わせる。貼合わせ温度は、例えば３０〜５０℃であり、好ましくは３５〜４５℃である。貼合わせ圧力（線圧）は、例えば０.１〜２０ｋｇｆ／ｃｍであり、好ましくは１〜１０ｋｇｆ／ｃｍである。粘着剤層２２が上述のような放射線硬化性粘着剤を含む場合、当該貼り合わせの前に粘着剤層２２に対して紫外線等の放射線を照射してもよいし、当該貼り合わせの後に基材２１の側から粘着剤層２２に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。或いは、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程では、そのような放射線照射を行わなくてもよい（この場合、ダイシングダイボンドフィルムＸの使用過程で粘着剤層２２を放射線硬化させることが可能である）。粘着剤層２２が紫外線硬化型粘着剤層である場合、粘着剤層２２を硬化させるための紫外線照射量は、例えば５０〜５００ｍＪ/ｃｍ2であり、好ましくは１００〜３００ｍＪ/ｃｍ2である。ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて粘着剤層２２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（照射領域Ｒ）は、例えば図１に示すように、粘着剤層２２におけるダイボンドフィルム貼合せ領域内のその周縁部を除く領域である。 In the production of the dicing die bond film X, the die bond film 10 is next bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 22 side of the dicing tape 20 by, for example, pressure bonding. Lamination temperature is 30-50 degreeC, for example, Preferably it is 35-45 degreeC. The bonding pressure (linear pressure) is, for example, 0.1 to 20 kgf / cm, and preferably 1 to 10 kgf / cm. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 includes the radiation-curable pressure-sensitive adhesive as described above, the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be irradiated with radiation such as ultraviolet rays before the bonding, or the base material after the bonding. You may irradiate radiation, such as an ultraviolet-ray, with respect to the adhesive layer 22 from the 21 side. Or in the manufacturing process of the dicing die-bonding film X, it is not necessary to perform such irradiation (in this case, the adhesive layer 22 can be radiation-cured in the process of using the dicing die-bonding film X). If the adhesive layer 22 is an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer, the amount of ultraviolet irradiation for curing the adhesive layer 22 is, for example, 50 to 500 mJ / cm 2, preferably 100~300mJ / cm 2. In the dicing die-bonding film X, the region where the pressure-sensitive adhesive layer 22 is irradiated as a measure for reducing the adhesive strength (irradiation region R) is, for example, as shown in FIG. This is an area excluding the part.

以上のようにして、ダイシングダイボンドフィルムＸを作製することができる。ダイシングダイボンドフィルムＸには、ダイボンドフィルム１０側に、少なくともダイボンドフィルム１０を被覆する形態でセパレータ（図示略）が設けられていてもよい。ダイシングテープ２０の粘着剤層２２よりもダイボンドフィルム１０が小サイズで粘着剤層２２においてダイボンドフィルム１０の貼り合わされていない領域がある場合には例えば、セパレータは、ダイボンドフィルム１０および粘着剤層２２を少なくとも被覆する形態で設けられていてもよい。セパレータは、ダイボンドフィルム１０や粘着剤層２２が露出しないように保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルムＸを使用する際には当該フィルムから剥がされる。   The dicing die bond film X can be produced as described above. The dicing die bond film X may be provided with a separator (not shown) on the die bond film 10 side so as to cover at least the die bond film 10. When the die bond film 10 is smaller than the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 and there is a region where the die-bonding film 10 is not bonded in the pressure-sensitive adhesive layer 22, for example, the separator includes the die bond film 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22. It may be provided in the form of covering at least. The separator is an element for protecting the die bond film 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 from being exposed, and is peeled off from the film when the dicing die bond film X is used.

図２から図８は、本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法を表す。   2 to 8 show a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

本半導体装置製造方法においては、まず、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに分割溝３０ａが形成される（分割溝形成工程）。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａおよび第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。本工程では、粘着面Ｔ１ａを有するウエハ加工用テープＴ１が半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝３０ａがダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成される。分割溝３０ａは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための空隙である（図２から図４では、分割溝３０ａを模式的に太線で表す）。   In this semiconductor device manufacturing method, first, as shown in FIGS. 2A and 2B, the division grooves 30a are formed in the semiconductor wafer W (division groove formation step). The semiconductor wafer W has a first surface Wa and a second surface Wb. Various semiconductor elements (not shown) are already formed on the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, and wiring structures and the like (not shown) necessary for the semiconductor elements are already formed on the first surface Wa. Has been. In this step, after the wafer processing tape T1 having the adhesive surface T1a is bonded to the second surface Wb side of the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T1. A dividing groove 30a having a predetermined depth is formed on the first surface Wa side using a rotating blade such as a dicing device. The dividing groove 30a is a space for separating the semiconductor wafer W in units of semiconductor chips (the dividing groove 30a is schematically indicated by a thick line in FIGS. 2 to 4).

次に、図２（ｃ）に示すように、粘着面Ｔ２ａを有するウエハ加工用テープＴ２の、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのウエハ加工用テープＴ１の剥離とが、行われる。   Next, as shown in FIG. 2C, the wafer processing tape T2 having the adhesive surface T2a is bonded to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, and the wafer processing tape T1 from the semiconductor wafer W is bonded. Is peeled off.

次に、図２（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化される（ウエハ薄化工程）。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ａが形成される。半導体ウエハ３０Ａは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ３１へと個片化されることとなる部位を第２面Ｗｂ側にて連結する部位（連結部）を有する。半導体ウエハ３０Ａにおける連結部の厚さ、即ち、半導体ウエハ３０Ａの第２面Ｗｂと分割溝３０ａの第２面Ｗｂ側先端との間の距離は、例えば１〜３０μｍであり、好ましくは３〜２０μｍである。   Next, as shown in FIG. 2D, in a state where the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T2, thinning is performed by grinding from the second surface Wb until the semiconductor wafer W reaches a predetermined thickness. (Wafer thinning process). Grinding can be performed using a grinding apparatus equipped with a grinding wheel. By this wafer thinning step, in this embodiment, a semiconductor wafer 30A that can be singulated into a plurality of semiconductor chips 31 is formed. Specifically, the semiconductor wafer 30A has a portion (connecting portion) for connecting, on the second surface Wb side, a portion to be separated into a plurality of semiconductor chips 31 on the wafer. The thickness of the connecting portion in the semiconductor wafer 30A, that is, the distance between the second surface Wb of the semiconductor wafer 30A and the tip of the dividing groove 30a on the second surface Wb side is, for example, 1 to 30 μm, preferably 3 to 20 μm. It is.

次に、図３（ａ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ３０Ａが、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイボンドフィルム１０に対して貼り合わせられる。この後、図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａからウエハ加工用テープＴ２が剥がされる。ダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層２２が放射線硬化性粘着剤層である場合には、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程での上述の放射線照射に代えて、半導体ウエハ３０Ａのダイボンドフィルム１０への貼り合わせの後に、基材２１の側から粘着剤層２２に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば５０〜５００ｍＪ/ｃｍ2であり、好ましくは１００〜３００ｍＪ/ｃｍ2である。ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて粘着剤層２２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（図１に示す照射領域Ｒ）は、例えば、粘着剤層２２におけるダイボンドフィルム１０貼合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。 Next, as shown in FIG. 3A, the semiconductor wafer 30 </ b> A held on the wafer processing tape T <b> 2 is bonded to the die bond film 10 of the dicing die bond film X. Thereafter, as shown in FIG. 3B, the wafer processing tape T2 is peeled off from the semiconductor wafer 30A. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 in the dicing die-bonding film X is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer, the semiconductor wafer 30A is bonded to the die-bonding film 10 instead of the above-described radiation irradiation in the manufacturing process of the dicing die-bonding film X. After that, the adhesive layer 22 may be irradiated with radiation such as ultraviolet rays from the substrate 21 side. Irradiation dose is, for example, 50 to 500 mJ / cm 2, preferably 100~300mJ / cm 2. In the dicing die-bonding film X, the region (irradiation region R shown in FIG. 1) on which the pressure-sensitive adhesive layer 22 is irradiated as a measure for reducing the adhesive strength is, for example, the peripheral portion in the die-bonding film 10 bonding region in the pressure-sensitive adhesive layer 22 This area is excluded.

次に、ダイシングダイボンドフィルムＸにおけるダイボンドフィルム１０上にリングフレーム４１が貼り付けられた後、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａを伴う当該ダイシングダイボンドフィルムＸがエキスパンド装置の保持具４２に固定される。   Next, after the ring frame 41 is attached on the die bond film 10 in the dicing die bond film X, the dicing die bond film X with the semiconductor wafer 30A is held in the expander 42 as shown in FIG. 4A. Fixed to.

次に、相対的に低温の条件下での第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）が、図４（ｂ）に示すように行われ、半導体ウエハ３０Ａが複数の半導体チップ３１へと個片化されるとともに、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイボンドフィルム１０が小片のダイボンドフィルム１１に割断されて、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１が得られる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ２０に当接して上昇され、半導体ウエハ３０Ａの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ２０が、半導体ウエハ３０Ａの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ２０において例えば１５〜３２ＭＰａの引張応力が生ずる条件で行われる。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば０.１〜１００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば３〜１６ｍｍである。   Next, a first expanding process (cool expanding process) under relatively low temperature conditions is performed as shown in FIG. At the same time, the die bond film 10 of the dicing die bond film X is cleaved into small pieces of the die bond film 11 to obtain the semiconductor chip 31 with the die bond film. In this step, the hollow cylindrical push-up member 43 provided in the expanding device is raised in contact with the dicing tape 20 on the lower side of the dicing die bond film X in the drawing, and the dicing of the dicing die bond film X to which the semiconductor wafer 30A is bonded is dicing. The tape 20 is expanded so as to be stretched in a two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer 30A. This expansion is performed under conditions where a tensile stress of, for example, 15 to 32 MPa is generated in the dicing tape 20. The temperature condition in the cool expanding step is, for example, 0 ° C. or less, preferably −20 to −5 ° C., more preferably −15 to −5 ° C., and more preferably −15 ° C. The expansion speed (speed at which the push-up member 43 ascends) in the cool expanding process is, for example, 0.1 to 100 mm / second. The amount of expansion in the cool expanding step is, for example, 3 to 16 mm.

本工程では、半導体ウエハ３０Ａにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ２０の粘着剤層２２に密着しているダイボンドフィルム１０において各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ２０に生ずる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム１０において半導体チップ３１間の分割溝に対向する箇所が割断されることとなる。本工程の後、図４（ｃ）に示すように、突き上げ部材４３が下降されて、ダイシングテープ２０におけるエキスパンド状態が解除される。   In this step, the semiconductor wafer 30A is cleaved at a thin and easily broken portion, and the semiconductor chip 31 is separated. At the same time, in this step, in the die bond film 10 in close contact with the adhesive layer 22 of the dicing tape 20 to be expanded, deformation is suppressed in each region where the semiconductor chips 31 are in close contact, while the semiconductor chip 31 is suppressed. Tensile stress generated in the dicing tape 20 acts on a portion facing the dividing groove between them without causing such a deformation suppressing action. As a result, the part which opposes the division | segmentation groove | channel between the semiconductor chips 31 in the die-bonding film 10 will be cleaved. After this step, as shown in FIG. 4C, the push-up member 43 is lowered and the expanded state of the dicing tape 20 is released.

次に、相対的に高温の条件下での第２エキスパンド工程が、図５（ａ）に示すように行われ、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１間の距離（離間距離）が広げられる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が再び上昇され、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ２０がエキスパンドされる。第２エキスパンド工程における温度条件は、例えば１０℃以上であり、好ましくは１５〜３０℃である。第２エキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば０.１〜１０ｍｍ／秒である。また、第２エキスパンド工程におけるエキスパンド量は例えば３〜１６ｍｍである。後記のピックアップ工程にてダイシングテープ２０からダイボンドフィルム付き半導体チップ３１を適切にピックアップ可能な程度に、本工程ではダイボンドフィルム付き半導体チップ３１の離間距離が広げられる。本工程の後、図５（ｂ）に示すように、突き上げ部材４３が下降されて、ダイシングテープ２０におけるエキスパンド状態が解除される。エキスパンド状態解除後にダイシングテープ２０上のダイボンドフィルム付き半導体チップ３１の離間距離が狭まることを抑制するうえでは、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ２０における半導体チップ３１保持領域より外側の部分を加熱して収縮させるのが好ましい。   Next, a second expanding step under relatively high temperature conditions is performed as shown in FIG. 5A, and the distance (separation distance) between the semiconductor chips 31 with the die bond film is increased. In this step, the hollow cylindrical push-up member 43 provided in the expanding device is raised again, and the dicing tape 20 of the dicing die-bonding film X is expanded. The temperature condition in the second expanding step is, for example, 10 ° C. or higher, and preferably 15 to 30 ° C. The expansion speed (speed at which the push-up member 43 rises) in the second expanding process is, for example, 0.1 to 10 mm / second. Moreover, the amount of expansion in the second expanding step is, for example, 3 to 16 mm. In this process, the separation distance of the semiconductor chip 31 with the die bond film is increased to such an extent that the semiconductor chip 31 with the die bond film can be appropriately picked up from the dicing tape 20 in the pickup process described later. After this step, as shown in FIG. 5B, the push-up member 43 is lowered and the expanded state of the dicing tape 20 is released. In order to prevent the separation distance of the semiconductor chip 31 with the die bond film on the dicing tape 20 from being reduced after the expanded state is released, the portion outside the holding region of the semiconductor chip 31 in the dicing tape 20 is removed before the expanded state is released. It is preferable to shrink by heating.

次に、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１を伴うダイシングテープ２０における半導体チップ３１側を水などの洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて経た後、図６に示すように、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１をダイシングテープ２０からピックアップする（ピックアップ工程）。例えば、ピックアップ対象のダイボンドフィルム付き半導体チップ３１について、ダイシングテープ２０の図中下側においてピックアップ機構のピン部材４４を上昇させてダイシングテープ２０を介して突き上げた後、吸着治具４５によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材４４の突き上げ速度は例えば１〜１００ｍｍ／秒であり、ピン部材４４の突き上げ量は例えば５０〜３０００μｍである。   Next, after performing a cleaning process for cleaning the semiconductor chip 31 side of the dicing tape 20 with the semiconductor chip 31 with the die bond film using a cleaning liquid such as water as needed, as shown in FIG. The semiconductor chip 31 is picked up from the dicing tape 20 (pickup process). For example, a semiconductor chip 31 with a die bond film to be picked up is lifted through the dicing tape 20 by raising the pin member 44 of the pickup mechanism on the lower side of the dicing tape 20 in the figure, and then sucked and held by the suction jig 45. . In the pickup process, the push-up speed of the pin member 44 is 1 to 100 mm / second, for example, and the push-up amount of the pin member 44 is 50 to 3000 μm, for example.

次に、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１の実装基板５１上への仮固着が行われる。この仮固着は、実装基板５１上の半導体チップ３１'等が、半導体チップ３１に伴うダイボンドフィルム１１に埋め込まれるように、行われる。実装基板５１としては、例えば、リードフレーム、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）フィルム、および配線基板が挙げられる。半導体チップ３１'は、接着剤層５２を介して実装基板５１に固定されている。半導体チップ３１'の電極パッド（図示略）と実装基板５１の有する端子部（図示略）とが、ボンディングワイヤー５３を介して電気的に接続されている。ボンディングワイヤー５３としては、例えば金線、アルミニウム線、または銅線を用いることができる。本工程では、このようにワイヤーボンディング実装された半導体チップ３１'と、それに接続されたボンディングワイヤー５３の全体とが、半導体チップ３１に伴うダイボンドフィルム１１内に埋め込まれる。また、本工程では、半導体チップ３１'およびボンディングワイヤー５３がダイボンドフィルム１１内に押し入りやすい状態とするために、ダイボンドフィルム１１を加熱して軟化させてもよい。加熱温度は、ダイボンドフィルム１１が完全な熱硬化状態に至らない温度であって、例えば８０〜１４０℃である。   Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, the semiconductor chip 31 with the die bond film is temporarily fixed onto the mounting substrate 51. This temporary fixing is performed such that the semiconductor chip 31 ′ and the like on the mounting substrate 51 are embedded in the die bond film 11 associated with the semiconductor chip 31. Examples of the mounting substrate 51 include a lead frame, a TAB (Tape Automated Bonding) film, and a wiring substrate. The semiconductor chip 31 ′ is fixed to the mounting substrate 51 through the adhesive layer 52. An electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 31 ′ and a terminal part (not shown) of the mounting substrate 51 are electrically connected via a bonding wire 53. As the bonding wire 53, for example, a gold wire, an aluminum wire, or a copper wire can be used. In this step, the semiconductor chip 31 ′ thus mounted by wire bonding and the entire bonding wire 53 connected thereto are embedded in the die bond film 11 associated with the semiconductor chip 31. In this step, the die bond film 11 may be heated and softened so that the semiconductor chip 31 ′ and the bonding wire 53 can be easily pushed into the die bond film 11. The heating temperature is a temperature at which the die bond film 11 does not reach a complete thermosetting state, and is, for example, 80 to 140 ° C.

次に、図７（ｃ）に示すように、加熱によってダイボンドフィルム１１が硬化される（熱硬化工程）。本工程において、加熱温度は例えば１００〜２００℃であり、加熱時間は例えば０.５〜１０時間である。本工程を経ることにより、ダイボンドフィルム１１が熱硬化してなる接着剤層が形成される。この接着剤層は、実装基板５１にワイヤーボンディング実装された半導体チップ３１'（第１半導体チップ）を、それに接続されたボンディングワイヤー５３の全体とともに包埋しつつ、実装基板５１に半導体チップ３１を接合するものである。   Next, as shown in FIG.7 (c), the die-bonding film 11 is hardened by heating (thermosetting process). In this step, the heating temperature is, for example, 100 to 200 ° C., and the heating time is, for example, 0.5 to 10 hours. By passing through this process, the adhesive bond layer formed by thermosetting the die bond film 11 is formed. The adhesive layer embeds the semiconductor chip 31 ′ (first semiconductor chip) wire-bonded and mounted on the mounting substrate 51 together with the entire bonding wire 53 connected thereto, while the semiconductor chip 31 is mounted on the mounting substrate 51. It is what is joined.

次に、図８（ａ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッド（図示略）と、実装基板５１の有する端子部（図示略）とが、ボンディングワイヤー５３を介して電気的に接続される（ワイヤーボンディング工程）。半導体チップ３１の電極パッドとボンディングワイヤー５３との結線、および、実装基板５１の端子部とボンディングワイヤー５３との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現される。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は例えば８０〜２５０℃であり、その加熱時間は例えば数秒〜数分間である。このようなワイヤーボンディング工程は、上述の熱硬化工程よりも前に行ってもよい。   Next, as shown in FIG. 8A, the electrode pads (not shown) of the semiconductor chip 31 and the terminal portions (not shown) of the mounting substrate 51 are electrically connected via bonding wires 53. (Wire bonding process). The connection between the electrode pad of the semiconductor chip 31 and the bonding wire 53 and the connection between the terminal portion of the mounting substrate 51 and the bonding wire 53 are realized by ultrasonic welding with heating. The wire heating temperature in wire bonding is, for example, 80 to 250 ° C., and the heating time is, for example, several seconds to several minutes. Such a wire bonding process may be performed before the above-described thermosetting process.

次に、図８（ｂ）に示すように、実装基板５１上の半導体チップ３１等を封止するための封止樹脂５４が形成される（封止工程）。本工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂５４が形成される。封止樹脂５４の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂が挙げられる。本工程において、封止樹脂５４を形成するための加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒〜数分間である。本工程で封止樹脂５４の硬化が充分には進行しない場合には、本工程の後に封止樹脂５４を更なる加熱処理によって完全に硬化させるための後硬化工程が行われる。後硬化工程において、加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば０.５〜８時間である。図７（ｃ）を参照して上述した工程においてダイボンドフィルム１１が完全には熱硬化しない場合であっても、封止工程や後硬化工程では、封止樹脂５４とともにダイボンドフィルム１１について完全な熱硬化を実現することが可能である。   Next, as shown in FIG. 8B, a sealing resin 54 for sealing the semiconductor chip 31 and the like on the mounting substrate 51 is formed (sealing step). In this step, for example, the sealing resin 54 is formed by a transfer molding technique performed using a mold. An example of the constituent material of the sealing resin 54 is an epoxy resin. In this step, the heating temperature for forming the sealing resin 54 is, for example, 165 to 185 ° C., and the heating time is, for example, 60 seconds to several minutes. If the curing of the sealing resin 54 does not proceed sufficiently in this step, a post-curing step for completely curing the sealing resin 54 by further heat treatment is performed after this step. In the post-curing step, the heating temperature is, for example, 165 to 185 ° C., and the heating time is, for example, 0.5 to 8 hours. Even if the die bond film 11 is not completely heat-cured in the process described above with reference to FIG. Curing can be achieved.

以上のようにして、複数の半導体チップが多段実装された半導体装置を製造することができる。本実施形態では、半導体チップ３１'と、それに接続されたボンディングワイヤー５２の全体とが、ダイボンドフィルム１１が硬化してなる接着剤層内に埋め込まれている。これに対し、半導体チップ３１'と、それに接続されたボンディングワイヤー５２における半導体チップ３１'側の一部とが、ダイボンドフィルム１１が硬化してなる接着剤層内に埋め込まれてもよい。また、本実施形態では、ワイヤーボンディング実装された半導体チップ３１'に代えて、例えば図９に示すように、フリップチップ実装された半導体チップ３１'を採用してもよい。図９に示す半導体チップ３１'は、実装基板５１に対してバンプ５５を介して電気的に接続されており、当該半導体チップ３１'と実装基板５１との間には、アンダーフィル剤５６が充填されて熱硬化されている。図９に示す半導体装置においては、ダイボンドフィルム１１が熱硬化してなる接着剤層は、実装基板５１にフリップチップ実装された半導体チップ３１'（第１半導体チップ）を包埋しつつ実装基板５１に半導体チップ３１（第２半導体チップ）を接合するものである。   As described above, a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are mounted in multiple stages can be manufactured. In the present embodiment, the semiconductor chip 31 ′ and the entire bonding wire 52 connected to the semiconductor chip 31 ′ are embedded in an adhesive layer formed by curing the die bond film 11. On the other hand, the semiconductor chip 31 ′ and a part of the bonding wire 52 connected to the semiconductor chip 31 ′ side may be embedded in an adhesive layer formed by curing the die bond film 11. Further, in this embodiment, instead of the semiconductor chip 31 ′ mounted by wire bonding, for example, a semiconductor chip 31 ′ mounted by flip chip mounting may be adopted as shown in FIG. The semiconductor chip 31 ′ shown in FIG. 9 is electrically connected to the mounting substrate 51 via bumps 55, and an underfill agent 56 is filled between the semiconductor chip 31 ′ and the mounting substrate 51. Has been heat cured. In the semiconductor device shown in FIG. 9, the adhesive layer formed by thermosetting the die bond film 11 embeds the semiconductor chip 31 ′ (first semiconductor chip) flip-chip mounted on the mounting substrate 51 while mounting the mounting substrate 51. The semiconductor chip 31 (second semiconductor chip) is joined to the substrate.

図１０および図１１は、本発明に係る半導体装置製造方法の他の実施形態における一部の工程を表す。本実施形態では、まず、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、実装基板５１にワイヤーボンディング実装された半導体チップ３１'上へのダイボンドフィルム付き半導体チップ３１の仮固着が行われる。半導体チップ３１'は、接着剤層５２を介して実装基板５１に固定されている。半導体チップ３１'の電極パッド（図示略）と実装基板５１の有する端子部（図示略）とが、ボンディングワイヤー５３を介して電気的に接続されている。本工程では、このようにワイヤーボンディング実装された半導体チップ３１'のボンディングワイヤー５３接続箇所をダイボンドフィルム１１が覆い、当該ダイボンドフィルム１１内にボンディングワイヤー５３の一部が埋め込まれる。また、本工程では、ボンディングワイヤー５３がダイボンドフィルム１１内に押し入りやすい状態とするために、ダイボンドフィルム１１を加熱して軟化させてもよい。加熱温度は、ダイボンドフィルム１１が完全な熱硬化状態に至らない温度であって、例えば８０〜１４０℃である。   10 and 11 show some steps in another embodiment of the semiconductor device manufacturing method according to the present invention. In this embodiment, first, as shown in FIG. 10A and FIG. 10B, the semiconductor chip 31 with the die bond film is temporarily fixed onto the semiconductor chip 31 ′ mounted on the mounting substrate 51 by wire bonding. Is called. The semiconductor chip 31 ′ is fixed to the mounting substrate 51 through the adhesive layer 52. An electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 31 ′ and a terminal part (not shown) of the mounting substrate 51 are electrically connected via a bonding wire 53. In this step, the die bonding film 11 covers the bonding wire 53 connecting portion of the semiconductor chip 31 ′ thus mounted by wire bonding, and a part of the bonding wire 53 is embedded in the die bonding film 11. In this step, the die bond film 11 may be heated and softened so that the bonding wire 53 can be easily pushed into the die bond film 11. The heating temperature is a temperature at which the die bond film 11 does not reach a complete thermosetting state, and is, for example, 80 to 140 ° C.

次に、図１０（ｃ）に示すように、加熱によってダイボンドフィルム１１が硬化される（熱硬化工程）。本工程において、加熱温度は例えば１００〜２００℃であり、加熱時間は例えば０.５〜１０時間である。本工程を経ることにより、ダイボンドフィルム１１が熱硬化してなる接着剤層が形成される。この接着剤層は、実装基板５１にワイヤーボンディング実装された半導体チップ３１'のボンディングワイヤー５３接続箇所を覆ってボンディングワイヤー５３の一部を包埋しつつ半導体チップ３１'（第１半導体チップ）に半導体チップ３１（第２半導体チップ）を接合するものである。   Next, as shown in FIG.10 (c), the die-bonding film 11 is hardened by heating (thermosetting process). In this step, the heating temperature is, for example, 100 to 200 ° C., and the heating time is, for example, 0.5 to 10 hours. By passing through this process, the adhesive bond layer formed by thermosetting the die bond film 11 is formed. This adhesive layer covers the bonding wire 53 connection portion of the semiconductor chip 31 ′ mounted on the mounting substrate 51 by wire bonding and embeds a part of the bonding wire 53 on the semiconductor chip 31 ′ (first semiconductor chip). The semiconductor chip 31 (second semiconductor chip) is joined.

次に、図１１（ａ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッド（図示略）と、実装基板５１の有する端子部（図示略）とが、ボンディングワイヤー５３を介して電気的に接続される（ワイヤーボンディング工程）。半導体チップ３１の電極パッドとボンディングワイヤー５３との結線、および、実装基板５１の端子部とボンディングワイヤー５３との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現される。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は例えば８０〜２５０℃であり、その加熱時間は例えば数秒〜数分間である。このようなワイヤーボンディング工程は、本実施形態における上述の熱硬化工程よりも前に行ってもよい。   Next, as shown in FIG. 11A, the electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 31 and the terminal portion (not shown) of the mounting substrate 51 are electrically connected via the bonding wire 53. (Wire bonding process). The connection between the electrode pad of the semiconductor chip 31 and the bonding wire 53 and the connection between the terminal portion of the mounting substrate 51 and the bonding wire 53 are realized by ultrasonic welding with heating. The wire heating temperature in wire bonding is, for example, 80 to 250 ° C., and the heating time is, for example, several seconds to several minutes. Such a wire bonding step may be performed before the above-described thermosetting step in the present embodiment.

次に、図１１（ｂ）に示すように、実装基板５１上の半導体チップ３１,３１'およびボンディングワイヤー５３を封止するための封止樹脂５４が形成される（封止工程）。本工程において、封止樹脂５４を形成するための加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒〜数分間である。本工程で封止樹脂５４の硬化が充分には進行しない場合には、本工程の後に封止樹脂５４を更なる加熱処理によって完全に硬化させるための後硬化工程が行われる。後硬化工程において、加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば０.５〜８時間である。図１０（ｃ）を参照して上述した工程においてダイボンドフィルム１１が完全には熱硬化しない場合であっても、封止工程や後硬化工程では、封止樹脂５４とともにダイボンドフィルム１１について完全な熱硬化を実現することが可能である。   Next, as shown in FIG. 11B, a sealing resin 54 for sealing the semiconductor chips 31, 31 ′ and the bonding wires 53 on the mounting substrate 51 is formed (sealing step). In this step, the heating temperature for forming the sealing resin 54 is, for example, 165 to 185 ° C., and the heating time is, for example, 60 seconds to several minutes. If the curing of the sealing resin 54 does not proceed sufficiently in this step, a post-curing step for completely curing the sealing resin 54 by further heat treatment is performed after this step. In the post-curing step, the heating temperature is, for example, 165 to 185 ° C., and the heating time is, for example, 0.5 to 8 hours. Even if the die bond film 11 is not completely heat-cured in the process described above with reference to FIG. Curing can be achieved.

以上のようにして、複数の半導体チップが多段実装された半導体装置を製造することができる。   As described above, a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are mounted in multiple stages can be manufactured.

本発明に係る半導体装置製造方法おいては、図２（ｄ）を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図１２に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図２（ｃ）を参照して上述した過程を経た後、図１２に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化されて、複数の半導体チップ３１を含んでウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ分割体３０Ｂが形成される。本工程では、分割溝３０ａそれ自体が第２面Ｗｂ側に露出するまでウエハを研削する手法（第１の手法）を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝３０ａに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝３０ａと第２面Ｗｂとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する手法（第２の手法）を採用してもよい。採用される手法に応じて、図２（ａ）および図２（ｂ）を参照して上述したように形成される分割溝３０ａの、第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。図１２では、第１の手法を経た分割溝３０ａ、または、第２の手法を経た分割溝３０ａおよびこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。このようにして作製される半導体ウエハ分割体３０Ｂが半導体ウエハ３０Ａの代わりにダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされたうえで、図３から図６を参照して上述した各工程が行われてもよい。   In the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, a wafer thinning process shown in FIG. 12 may be performed instead of the wafer thinning process described above with reference to FIG. After the process described above with reference to FIG. 2C, in the wafer thinning process shown in FIG. 12, the wafer is reduced to a predetermined thickness while the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T2. The semiconductor wafer divided body 30B that is thinned by the grinding process from the second surface Wb and is held by the wafer processing tape T2 including the plurality of semiconductor chips 31 is formed. In this step, a technique of grinding the wafer (first technique) until the dividing groove 30a itself is exposed on the second surface Wb side may be adopted, or the dividing groove 30a may reach the dividing groove 30a from the second surface Wb side. A method of grinding the wafer to the front and then forming a semiconductor wafer divided body 30B by generating a crack between the divided groove 30a and the second surface Wb by the action of the pressing force from the rotary grindstone to the wafer (second Method). Depending on the method employed, the depth from the first surface Wa of the dividing groove 30a formed as described above with reference to FIGS. 2 (a) and 2 (b) is appropriately determined. . In FIG. 12, the dividing groove 30a that has undergone the first technique, or the dividing groove 30a that has undergone the second technique and cracks connected thereto are schematically represented by thick lines. Each process described above with reference to FIGS. 3 to 6 may be performed after the semiconductor wafer divided body 30 </ b> B thus manufactured is bonded to the dicing die bond film X instead of the semiconductor wafer 30 </ b> A.

図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、半導体ウエハ分割体３０ＢがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされた後に行われる第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を具体的に表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ２０に当接して上昇され、半導体ウエハ分割体３０Ｂの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ２０が、半導体ウエハ分割体３０Ｂの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ２０において、例えば１〜１００ＭＰａの引張応力が生ずる条件で行われる。本工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。本工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば１〜５００ｍｍ／秒である。また、本工程におけるエキスパンド量は、例えば５０〜２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイボンドフィルム１０が小片のダイボンドフィルム１１に割断されてダイボンドフィルム付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ２０の粘着剤層２２に密着しているダイボンドフィルム１０において、半導体ウエハ分割体３０Ｂの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝３０ａに対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ２０に生ずる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム１０において半導体チップ３１間の分割溝３０ａに対向する箇所が割断されることとなる。こうして得られるダイボンドフィルム付き半導体チップ３１は、図６を参照して上述したピックアップ工程を経た後、半導体装置製造過程における実装工程に供されることとなる。   FIG. 13A and FIG. 13B specifically show a first expanding process (cool expanding process) performed after the semiconductor wafer divided body 30B is bonded to the dicing die bond film X. In this step, the hollow cylindrical push-up member 43 provided in the expanding device is raised in contact with the dicing tape 20 on the lower side of the dicing die bond film X in the figure, and the dicing die bond film X to which the semiconductor wafer divided body 30B is bonded is attached. The dicing tape 20 is expanded so as to be stretched in a two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer divided body 30B. This expansion is performed on the dicing tape 20 under conditions where a tensile stress of, for example, 1 to 100 MPa is generated. The temperature condition in this step is, for example, 0 ° C. or less, preferably −20 to −5 ° C., more preferably −15 to −5 ° C., and more preferably −15 ° C. The expanding speed (speed at which the push-up member 43 moves up) in this step is, for example, 1 to 500 mm / second. Moreover, the amount of expand in this process is 50-200 mm, for example. By such a cool expanding process, the die bond film 10 of the dicing die bond film X is cleaved into small pieces of the die bond film 11 to obtain the semiconductor chip 31 with the die bond film. Specifically, in this step, in the die bond film 10 that is in close contact with the adhesive layer 22 of the expanded dicing tape 20, deformation is suppressed in each region where the semiconductor chips 31 of the semiconductor wafer divided body 30B are in close contact. On the other hand, tensile stress generated in the dicing tape 20 acts on the portion facing the dividing groove 30a between the semiconductor chips 31 in a state where such a deformation suppressing action does not occur. As a result, a portion of the die bond film 10 that faces the dividing groove 30a between the semiconductor chips 31 is cleaved. The die-bonded film-attached semiconductor chip 31 thus obtained is subjected to the mounting process in the semiconductor device manufacturing process after the pickup process described above with reference to FIG.

本発明に係る半導体装置製造方法おいては、半導体ウエハ３０Ａまたは半導体ウエハ分割体３０ＢがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされるという上述の構成に代えて、次のようにして作製される半導体ウエハ３０ＣがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされてもよい。   In the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, instead of the above-described configuration in which the semiconductor wafer 30A or the semiconductor wafer divided body 30B is bonded to the dicing die-bonding film X, a semiconductor wafer 30C manufactured as follows is provided. It may be bonded to the dicing die bond film X.

半導体ウエハ３０Ｃの作製においては、まず、図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに改質領域３０ｂが形成される。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａおよび第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。本工程では、粘着面Ｔ３ａを有するウエハ加工用テープＴ３が半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光がウエハ加工用テープＴ３とは反対の側から半導体ウエハＷに対してその分割予定ラインに沿って照射され、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ｂが形成される。改質領域３０ｂは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ｂを形成する方法については、例えば特開２００２−１９２３７０号公報に詳述されているところ、本実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３.１４×１０-8ｃｍ2
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０.５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下 In the manufacture of the semiconductor wafer 30C, first, the modified region 30b is formed in the semiconductor wafer W as shown in FIGS. 14 (a) and 14 (b). The semiconductor wafer W has a first surface Wa and a second surface Wb. Various semiconductor elements (not shown) are already formed on the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, and wiring structures and the like (not shown) necessary for the semiconductor elements are already formed on the first surface Wa. Has been. In this process, after the wafer processing tape T3 having the adhesive surface T3a is bonded to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T3 and collected inside the wafer. A laser beam with a light spot aligned is irradiated along the planned dividing line to the semiconductor wafer W from the side opposite to the wafer processing tape T3, and the semiconductor wafer W is irradiated into the semiconductor wafer W due to ablation by multiphoton absorption. A modified region 30b is formed. The modified region 30b is a weakened region for separating the semiconductor wafer W into semiconductor chips. The method for forming the modified region 30b on the division line by laser light irradiation in the semiconductor wafer is described in detail in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-192370. The laser light irradiation conditions in this embodiment are, for example, It adjusts suitably within the range of the following conditions.
<Laser irradiation conditions>
(A) Laser light Laser light source Semiconductor laser excitation Nd: YAG laser Wavelength 1064 nm
Laser light spot cross section 3.14 × 10 -8 cm 2
Oscillation form Q switch pulse Repetition frequency 100 kHz or less Pulse width 1 μs or less Output 1 mJ or less Laser light quality TEM00
Polarization characteristics Linearly polarized light (B) condenser lens Magnification 100 times or less NA 0.55
Transmittance with respect to laser light wavelength: 100% or less (C) Moving speed of the table on which the semiconductor substrate is placed

次に、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化され、これにより、図１４（ｃ）に示すように、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ｃが形成される（ウエハ薄化工程）。以上のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃが半導体ウエハ３０Ａの代わりにダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされたうえで、図３から図６を参照して上述した各工程が行われてもよい。   Next, in a state where the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T3, the semiconductor wafer W is thinned by grinding from the second surface Wb until it reaches a predetermined thickness, whereby FIG. ), A semiconductor wafer 30C that can be singulated into a plurality of semiconductor chips 31 is formed (wafer thinning step). Each process described above with reference to FIGS. 3 to 6 may be performed after the semiconductor wafer 30C manufactured as described above is bonded to the dicing die-bonding film X instead of the semiconductor wafer 30A.

図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、半導体ウエハ３０ＣがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされた後に行われる第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を具体的に表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ２０に当接して上昇され、半導体ウエハ３０Ｃの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ２０が、半導体ウエハ３０Ｃの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ２０において、例えば１〜１００ＭＰａの引張応力が生ずる条件で行われる。本工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。本工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば１〜５００ｍｍ／秒である。また、本工程におけるエキスパンド量は、例えば５０〜２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイボンドフィルム１０が小片のダイボンドフィルム１１に割断されてダイボンドフィルム付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、本工程では、半導体ウエハ３０Ｃにおいて脆弱な改質領域３０ｂにクラックが形成されて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ２０の粘着剤層２２に密着しているダイボンドフィルム１０において、半導体ウエハ３０Ｃの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ２０に生ずる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム１０において半導体チップ３１間のクラック形成箇所に対向する箇所が割断されることとなる。こうして得られるダイボンドフィルム付き半導体チップ３１は、図６を参照して上述したピックアップ工程を経た後、半導体装置製造過程における実装工程に供されることとなる。   FIG. 15A and FIG. 15B specifically show a first expanding process (cool expanding process) performed after the semiconductor wafer 30C is bonded to the dicing die bond film X. In this step, the hollow cylindrical push-up member 43 provided in the expanding device is raised in contact with the dicing tape 20 on the lower side of the dicing die bond film X in the figure, and the dicing die bond film X with the semiconductor wafer 30C bonded thereto is diced. The tape 20 is expanded so as to be stretched in a two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer 30C. This expansion is performed on the dicing tape 20 under conditions where a tensile stress of, for example, 1 to 100 MPa is generated. The temperature condition in this step is, for example, 0 ° C. or less, preferably −20 to −5 ° C., more preferably −15 to −5 ° C., and more preferably −15 ° C. The expanding speed (speed at which the push-up member 43 moves up) in this step is, for example, 1 to 500 mm / second. Moreover, the amount of expand in this process is 50-200 mm, for example. By such a cool expanding process, the die bond film 10 of the dicing die bond film X is cleaved into small pieces of the die bond film 11 to obtain the semiconductor chip 31 with the die bond film. Specifically, in this step, cracks are formed in the fragile modified region 30b in the semiconductor wafer 30C, and the semiconductor chips 31 are separated. At the same time, in this step, in the die bond film 10 in close contact with the adhesive layer 22 of the expanded dicing tape 20, deformation is suppressed in each region in which the semiconductor chips 31 of the semiconductor wafer 30C are in close contact. Thus, tensile stress generated in the dicing tape 20 acts on a portion of the wafer facing the crack formation portion in a state where such a deformation suppressing action does not occur. As a result, a portion of the die bond film 10 that opposes a crack formation portion between the semiconductor chips 31 is cleaved. The die-bonded film-attached semiconductor chip 31 thus obtained is subjected to the mounting process in the semiconductor device manufacturing process after the pickup process described above with reference to FIG.

例えば以上のような半導体装置製造過程において使用されうるダイシングダイボンドフィルムＸにおけるダイボンドフィルム１０にとり、幅１０ｍｍのダイボンドフィルム試験片について初期チャック間距離１０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ／分の条件で行われる引張試験での降伏点強度が１５Ｎ以下であり、破断強度が１５Ｎ以下であり、且つ破断伸度が４０〜４００％であるという上述の構成は、当該ダイボンドフィルム１０が比較的に分厚い場合であっても、エキスパンド工程にあるダイボンドフィルム１０について、その割断予定箇所に割断を生じさせつつもダイシングテープ２０上からの飛び散りを抑制するのに好適であることを、本発明者らは見いだした。例えば、後記の実施例および比較例をもって示すとおりである。   For example, for the die bond film 10 in the dicing die bond film X that can be used in the semiconductor device manufacturing process as described above, a die bond film test piece having a width of 10 mm is performed under the conditions of an initial chuck distance of 10 mm, 23 ° C., and a tensile speed of 300 mm / min. The above-described configuration in which the yield strength in a tensile test is 15 N or less, the breaking strength is 15 N or less, and the breaking elongation is 40 to 400% is when the die bond film 10 is relatively thick. Even if it exists, the present inventors discovered that it was suitable for suppressing the scattering from on the dicing tape 20 about the die-bonding film 10 in an expanding process, producing a cleaving in the part to be cleaved. For example, it is as shown in the examples and comparative examples described later.

ダイボンドフィルム１０における、上記引張試験での破断伸度が４０〜４００％であり、好ましくは４０〜３５０％、より好ましくは４０〜３００％であるという上述の構成は、割断用のエキスパンド工程にて、ダイボンドフィルム１０を割断させるための引張り長さが過大となるのを回避しつつ当該ダイボンドフィルム１０に脆性破壊でなく延性破壊を生じやすくさせるうえで好ましいものと考えられる。延性破壊の生じやすいダイボンドフィルムほど、割断用エキスパンド工程にて割断用応力が当該フィルムの割断予定箇所にまで伝わりやすく、従って、割断予定箇所にて割断されやすい。   In the die bonding film 10, the above-described configuration in which the elongation at break in the tensile test is 40 to 400%, preferably 40 to 350%, more preferably 40 to 300%, is an expanding process for cleaving. It is considered preferable for making the die bond film 10 susceptible to ductile fracture rather than brittle fracture while avoiding an excessive tensile length for cleaving the die bond film 10. As the die bond film is more susceptible to ductile fracture, the cleaving stress is more easily transmitted to the cleaving planned portion of the film in the cleaving expanding step, and therefore, cleaved at the cleaved planned location.

ダイボンドフィルム１０における、上記引張試験での降伏点強度が１５Ｎ以下であり、好ましくは１２Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下であり、且つ、同引張試験での破断強度が１５Ｎ以下であり、好ましくは１２Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下であるという上述の構成は、割断用エキスパンド工程でのダイボンドフィルム１０の伸張過程および破断過程で当該フィルム内部に蓄積される歪みエネルギーを抑制するうえで好ましいものと考えられる。割断用エキスパンド工程では、伸張過程および破断過程での内部蓄積歪みエネルギーの小さなダイボンドフィルムほど、その露出領域（ワークに覆われていない領域）にて破断してフィルム片が飛び散るという現象は、生じにくい。   In the die bond film 10, the yield point strength in the tensile test is 15N or less, preferably 12N or less, more preferably 10N or less, and the breaking strength in the tensile test is 15N or less, preferably 12N. Hereinafter, the above-described configuration of 10N or less is more preferable for suppressing the strain energy accumulated in the film during the expansion process and the fracture process of the die bond film 10 in the cleaving expanding process. . In the expanding process for cleaving, a phenomenon in which a die bond film having a smaller internal accumulated strain energy in an extension process and a fracture process breaks in an exposed area (an area not covered with a workpiece) and a film piece scatters is less likely to occur. .

以上のように、ダイボンドフィルム１０は、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２側に密着された形態で割断用エキスパンド工程に使用される場合に、良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適するのである。また、ダイシングダイボンドフィルムＸは、割断用エキスパンド工程に使用される場合に、ダイボンドフィルム１０において良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適する。   As described above, when the die-bonding film 10 is used in the expanding process for cleaving in a form in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer 22 side of the dicing tape 20, it is suitable for suppressing scattering while realizing good cleaving. It is. Moreover, the dicing die-bonding film X is suitable for suppressing scattering while realizing good cleaving in the die-bonding film 10 when used in the expanding process for cleaving.

ダイボンドフィルム１０の厚さは、上述のように、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上である。このような構成は、半導体チップ包埋用の接着フィルムや、ボンディングワイヤーの部分的包埋を伴う半導体チップ間接合用の接着フィルムとして、ダイボンドフィルム１０を使用するうえで好適である。また、ダイボンドフィルム１０の厚さは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下、より好ましくは１２０μｍ以下である。このような構成は、ダイボンドフィルム１０についての降伏点強度や破断強度、破断伸度が過大となるのを回避して、上記引張試験での降伏点強度が１５Ｎ以下であり、破断強度が１５Ｎ以下であり、且つ破断伸度が４０〜４００％であるという上記構成を実現するうえで好ましい。   As described above, the thickness of the die bond film 10 is preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and more preferably 80 μm or more. Such a configuration is suitable when the die bond film 10 is used as an adhesive film for embedding a semiconductor chip or an adhesive film for bonding between semiconductor chips accompanied by partial embedding of bonding wires. Further, the thickness of the die bond film 10 is preferably 200 μm or less, more preferably 160 μm or less, and more preferably 120 μm or less. Such a configuration avoids excessive yield point strength, break strength, and break elongation for the die bond film 10, and yield point strength in the above tensile test is 15 N or less, and break strength is 15 N or less. In addition, it is preferable for realizing the above configuration in which the elongation at break is 40 to 400%.

ダイボンドフィルム１０の未硬化状態における１２０℃での粘度は、上述のように、好ましくは３００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは７００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上である。ダイボンドフィルム１０の未硬化状態における１２０℃での粘度は、好ましくは５０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは４０００Ｐａ・ｓ以下である。ダイボンドフィルム１０の未硬化状態での粘度ないし軟質さに関するこれら構成は、半導体チップ包埋用の接着フィルムや、ボンディングワイヤーの部分的包埋を伴う半導体チップ間接合用の接着フィルムとして、ダイボンドフィルム１０を使用するうえで好適である。   As described above, the viscosity of the die bond film 10 at 120 ° C. in an uncured state is preferably 300 Pa · s or more, more preferably 700 Pa · s or more, and more preferably 1000 Pa · s or more. The viscosity of the die bond film 10 at 120 ° C. in an uncured state is preferably 5000 Pa · s or less, more preferably 4500 Pa · s or less, and more preferably 4000 Pa · s or less. These configurations relating to the viscosity or softness of the die-bonded film 10 in an uncured state are obtained by using the die-bonded film 10 as an adhesive film for embedding a semiconductor chip or an adhesive film for bonding between semiconductor chips with partial embedding of bonding wires. It is suitable for use.

ダイボンドフィルム１０が無機フィラーを含有する場合のその無機フィラー含有量は、上述のように、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上、より好ましくは３０質量％以上である。また、同含有量は、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下、より好ましくは４０質量％以下である。接着剤層形成用フィルム内の無機フィラー含有量が増大するほど、当該フィルムの破断伸度は小さくなる傾向にあり且つ降伏点強度は大きくなる傾向にあるところ、ダイボンドフィルム１０における無機フィラー含有量に関する当該構成は、ダイボンドフィルム１０の露出領域（ワークに覆われていない領域）にて破断してフィルム片が飛び散るという上述の現象を抑制するうえで、好適である。   When the die-bonding film 10 contains an inorganic filler, the inorganic filler content is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and more preferably 30% by mass or more, as described above. The content is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and more preferably 40% by mass or less. As the inorganic filler content in the adhesive layer forming film increases, the breaking elongation of the film tends to decrease and the yield strength tends to increase. The said structure is suitable when suppressing the above-mentioned phenomenon that it breaks in the exposure area | region (area | region which is not covered with a workpiece | work) of the die-bonding film 10, and a film piece scatters.

ダイボンドフィルム１０は好ましくは有機フィラーを含有し、ダイボンドフィルム１０における有機フィラーの含有量は、好ましくは２質量％以上、より好ましくは５質量％以上、より好ましくは８質量％以上である。また、ダイボンドフィルム１０が有機フィラーを含有する場合のその含有量は、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１７質量％以下、より好ましくは１５質量％以下である。ダイボンドフィルム１０における有機フィラー含有量に関する当該構成は、ダイボンドフィルム１０の降伏点強度および破断強度を適正範囲に制御するうえで好適である。   The die bond film 10 preferably contains an organic filler, and the content of the organic filler in the die bond film 10 is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and more preferably 8% by mass or more. Moreover, the content when the die-bonding film 10 contains an organic filler becomes like this. Preferably it is 20 mass% or less, More preferably, it is 17 mass% or less, More preferably, it is 15 mass% or less. The said structure regarding the organic filler content in the die-bonding film 10 is suitable when controlling the yield point strength and breaking strength of the die-bonding film 10 to an appropriate range.

ダイボンドフィルム１０は、好ましくは、ガラス転移温度が−４０〜１０℃のアクリル樹脂を含有する。このような構成は、ダイボンドフィルム１０について上記引張試験での降伏点強度が１５Ｎ以下であるという上記構成を実現するうえで好適である。   The die bond film 10 preferably contains an acrylic resin having a glass transition temperature of −40 to 10 ° C. Such a configuration is suitable for realizing the above-described configuration in which the die bond film 10 has a yield point strength of 15 N or less in the tensile test.

〔実施例１〕
〈ダイボンドフィルム（ＤＡＦ）の作製〉
アクリル樹脂Ａ1（商品名「テイサンレジン ＳＧ-７０８-６」，重量平均分子量は７０万，ガラス転移温度Ｔｇは４℃，ナガセケムテックス株式会社製）１８質量部と、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ-３０００-４」，新日鉄住金化学株式会社製）２８質量部と、フェノール樹脂（商品名「ＬＶＲ８２１０-ＤＬ」，群栄化学工業株式会社製）１４質量部と、無機フィラー（商品名「ＳＥ-２０５０ＭＣ」，シリカ，平均粒径は０.５μｍ，株式会社アドマテックス製）４０質量部と、硬化触媒である有機触媒（商品名「ＴＰＰ-ＭＫ」，北興化学株式会社製）０.１質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、接着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して接着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１００μｍの実施例１のダイボンドフィルムを作製した。実施例１ならびに後記の各実施例および各比較例におけるダイボンドフィルムの組成を表１に掲げる（表１において、ダイボンドフィルムの組成を表す各数値の単位は、当該組成内での相対的な“質量部”である）。 [Example 1]
<Production of die bond film (DAF)>
Acrylic resin A 1 (trade name “Taisan Resin SG-708-6”, weight average molecular weight is 700,000, glass transition temperature Tg is 4 ° C., manufactured by Nagase ChemteX Corporation) and 18 parts by mass of epoxy resin (trade name “ KI-3000-4 ”, manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., 28 parts by mass, phenol resin (trade name“ LVR8210-DL ”, manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.), 14 parts by mass, and inorganic filler (trade name“ SE ” -2050MC ”, silica, average particle size is 0.5 μm, manufactured by Admatex Co., Ltd.) 40 parts by mass, and organic catalyst (trade name“ TPP-MK ”, manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.) 0.1 mass Part was added to and mixed with methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition. Next, an adhesive composition layer was formed by applying an adhesive composition on a silicone release treatment surface of a PET separator (thickness 38 μm) having a silicone release treatment surface using an applicator. . Next, this composition layer was heat-dried at 130 ° C. for 2 minutes to produce a die bond film of Example 1 having a thickness of 100 μm on a PET separator. The composition of the die bond film in Example 1 and each example and each comparative example described later is listed in Table 1 (in Table 1, the unit of each numerical value representing the composition of the die bond film is relative “mass” in the composition) Part ").

〈ダイシングテープの作製〉
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸２-エチルヘキシル８６.４質量部と、アクリル酸２-ヒドロキシエチル１３.６質量部と、重合開始剤たる過酸化ベンゾイル０.２質量部と、重合溶媒たるトルエン６５質量部とを含む混合物を、６１℃で６時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。これにより、アクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液を得た。次に、このアクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液と、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、５０℃で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。当該反応溶液において、ＭＯＩの配合量は、上記アクリル系ポリマーＰ1１００質量部に対して１４.６質量部であり、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーＰ1１００質量部に対して０.５質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーＰ2を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ2１００質量部に対して２質量部のポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，東ソー株式会社製）と、５質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、粘着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について１２０℃で２分間の加熱乾燥を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）製の基材（商品名「ファンクレア ＮＲＢ＃１１５」，厚さ１１５μｍ，グンゼ株式会社製）を室温で貼り合わせた。以上のようにしてダイシングテープを作製した。 <Production of dicing tape>
In a reaction vessel equipped with a cooling pipe, a nitrogen introduction pipe, a thermometer, and a stirring device, 86.4 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 13.6 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and initiation of polymerization A mixture containing 0.2 part by mass of benzoyl peroxide as an agent and 65 parts by mass of toluene as a polymerization solvent was stirred at 61 ° C. for 6 hours in a nitrogen atmosphere (polymerization reaction). Thus, a polymer solution containing the acrylic polymer P 1 was obtained. Next, a mixture containing the polymer solution containing the acrylic polymer P 1 , 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) and dibutyltin dilaurate as an addition reaction catalyst was allowed to stand at 50 ° C. for 48 hours in an air atmosphere. (Addition reaction). In the reaction solution, the amount of the MOI is 14.6 parts by mass relative to the acrylic polymer P 1 100 parts by weight, the amount of dibutyltin dilaurate, relative to the acrylic polymer P 1 100 parts by weight 0.5 parts by mass. By this addition reaction, a polymer solution containing an acrylic polymer P 2 having a methacrylate group in the side chain was obtained. Next, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Tosoh Corporation) and 5 parts by mass of a photopolymerization initiator (100 parts by mass) are added to the polymer solution. Trade name “Irgacure 651” (manufactured by BASF) was added and mixed to obtain an adhesive composition. Next, the pressure-sensitive adhesive composition layer was formed by applying the pressure-sensitive adhesive composition onto the silicone release-treated surface of the PET separator (thickness 38 μm) having the surface subjected to the silicone release treatment by using an applicator. . Next, the composition layer was heat-dried at 120 ° C. for 2 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 10 μm on the PET separator. Next, using a laminator, an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) base material (trade name “Fanclea NRB # 115”, thickness 115 μm, manufactured by Gunze Co., Ltd.) is used on the exposed surface of the adhesive layer. ) At room temperature. A dicing tape was produced as described above.

〈ダイシングダイボンドフィルムの作製〉
ＰＥＴセパレータを伴う実施例１の上述のダイボンドフィルムを直径３３０ｍｍの円形に打ち抜き加工した。次に、当該ダイボンドフィルムからＰＥＴセパレータを剥離し且つ上述のダイシングテープからＰＥＴセパレータを剥離した後、当該ダイシングテープにおいて露出した粘着剤層と、ダイボンドフィルムにおいてＰＥＴセパレータの剥離によって露出した面とを、ロールラミネーターを使用して貼り合わせた。この貼り合わせにおいて、貼合わせ速度を１０ｍｍ/分とし、温度条件を４０℃とし、圧力条件を０.１５ＭＰａとした。次に、このようにしてダイボンドフィルムと貼り合わせられたダイシングテープを、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とが一致するように、直径３９０ｍｍの円形に打ち抜き加工した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対し、ＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を４００ｍＪ/ｃｍ2とした。以上のようにして、ダイシングテープとダイボンドフィルムとを含む積層構造を有する実施例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。 <Production of dicing die bond film>
The above-described die bond film of Example 1 with a PET separator was punched into a circle having a diameter of 330 mm. Next, after peeling the PET separator from the die bond film and peeling the PET separator from the above-mentioned dicing tape, the pressure-sensitive adhesive layer exposed in the dicing tape and the surface exposed by peeling the PET separator in the die bond film, Bonding was performed using a roll laminator. In this bonding, the bonding speed was 10 mm / min, the temperature condition was 40 ° C., and the pressure condition was 0.15 MPa. Next, the dicing tape thus bonded to the die bond film was punched into a circle having a diameter of 390 mm so that the center of the dicing tape coincided with the center of the die bond film. Next, the adhesive layer in the dicing tape was irradiated with ultraviolet rays from the EVA substrate side. In ultraviolet irradiation, a high-pressure mercury lamp was used, and the irradiation integrated light quantity was set to 400 mJ / cm 2 . As described above, the dicing die bond film of Example 1 having a laminated structure including the dicing tape and the die bond film was produced.

〔実施例２〕
アクリル樹脂Ａ1１８質量部に代えてアクリル樹脂Ａ2（商品名「テイサンレジン ＳＧ-７０Ｌ」，重量平均分子量は９０万，ガラス転移温度Ｔｇは−１３℃，ナガセケムテックス株式会社製）１８質量部を用いたこと以外は実施例１のダイボンドフィルムと同様にして、実施例２のダイボンドフィルム（厚さ１００μｍ）を作製した。また、この実施例２のダイボンドフィルムを実施例１の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例２のダイシングダイボンドフィルムを作製した。 [Example 2]
Instead of 18 parts by mass of acrylic resin A 1 , acrylic resin A 2 (trade name “Taisan Resin SG-70L”, weight average molecular weight is 900,000, glass transition temperature Tg is −13 ° C., manufactured by Nagase ChemteX Corporation), 18 mass A die bond film (thickness: 100 μm) of Example 2 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that the part was used. Moreover, the dicing die-bonding film of Example 2 was produced like the dicing die-bonding film of Example 1 except having used the die-bonding film of Example 2 instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1.

〔実施例３〕
アクリル樹脂Ａ1１８質量部に代えてアクリル樹脂Ａ3（商品名「テイサンレジン ＳＧ-２８０」，重量平均分子量は９０万，ガラス転移温度Ｔｇは−２９℃，ナガセケムテックス株式会社製）１８質量部を用いたこと以外は実施例１のダイボンドフィルムと同様にして、実施例３のダイボンドフィルム（厚さ１００μｍ）を作製した。また、この実施例３のダイボンドフィルムを実施例１の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例３のダイシングダイボンドフィルムを作製した。 Example 3
Acrylic resin A 3 instead of 18 parts by mass of acrylic resin A 1 (trade name “Taisin Resin SG-280”, weight average molecular weight is 900,000, glass transition temperature Tg is −29 ° C., manufactured by Nagase ChemteX Corporation) 18 mass A die bond film (thickness: 100 μm) of Example 3 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that the part was used. Moreover, the dicing die-bonding film of Example 3 was produced like the dicing die-bonding film of Example 1 except having used this die-bonding film of Example 3 instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1.

〔実施例４〕
アクリル樹脂Ａ1１８質量部に代えてアクリル樹脂Ａ2（商品名「テイサンレジン ＳＧ-７０Ｌ」，ナガセケムテックス株式会社製）１８質量部を用いたこと、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ-３０００-４」，新日鉄住金化学株式会社製）の配合量を２８質量部に代えて２２質量部としたこと、フェノール樹脂（商品名「ＬＶＲ８２１０-ＤＬ」，群栄化学工業株式会社製）の配合量を１４質量部に代えて１０質量部としたこと、および、無機フィラー（商品名「ＳＥ-２０５０ＭＣ」，株式会社アドマテックス製）の配合量を４０質量部に代えて５０質量部としたこと以外は、実施例１のダイボンドフィルムと同様にして、実施例４のダイボンドフィルム（厚さ１００μｍ）を作製した。また、この実施例４のダイボンドフィルムを実施例１の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例４のダイシングダイボンドフィルムを作製した。 Example 4
Instead of 18 parts by mass of acrylic resin A 1, 18 parts by mass of acrylic resin A 2 (trade name “Taisan Resin SG-70L”, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used, and epoxy resin (trade name “KI-3000-”). 4 ”, made by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) was changed to 22 parts by mass instead of 28 parts by mass, and the amount of phenolic resin (trade name“ LVR8210-DL ”, made by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.) Except that it was 10 parts by mass instead of 14 parts by mass and that the blending amount of the inorganic filler (trade name “SE-2050MC”, manufactured by Admatex Co., Ltd.) was 50 parts by mass instead of 40 parts by mass. A die bond film (thickness: 100 μm) of Example 4 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1. Moreover, the dicing die-bonding film of Example 4 was produced like the dicing die-bonding film of Example 1 except having used the die-bonding film of Example 4 instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1.

〔実施例５〕
無機フィラー（商品名「ＳＥ-２０５０ＭＣ」，株式会社アドマテックス製）の配合量を４０質量部に代えて３０質量部としたこと、および、有機フィラー（商品名「アートパール Ｊ-４ＰＹ」，ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ），根上工業株式会社製）１０質量部を更に配合したこと以外は、実施例１のダイボンドフィルムと同様にして、実施例５のダイボンドフィルム（厚さ１００μｍ）を作製した。また、この実施例５のダイボンドフィルムを実施例１の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例５のダイシングダイボンドフィルムを作製した。 Example 5
The amount of inorganic filler (trade name “SE-2050MC”, manufactured by Admatex Co., Ltd.) was changed to 30 parts by mass instead of 40 parts by mass, and the organic filler (trade name “Art Pearl J-4PY”, poly A die bond film (thickness: 100 μm) of Example 5 was prepared in the same manner as the die bond film of Example 1 except that 10 parts by mass of methyl methacrylate (PMMA), manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd. was further added. Moreover, the dicing die-bonding film of Example 5 was produced like the dicing die-bonding film of Example 1 except having used the die-bonding film of Example 5 instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1.

〔実施例６〕
アクリル樹脂Ａ1１８質量部に代えてアクリル樹脂Ａ3（商品名「テイサンレジン ＳＧ-２８０」，ナガセケムテックス株式会社製）１８質量部を用いたこと、無機フィラー（商品名「ＳＥ-２０５０ＭＣ」，株式会社アドマテックス製）の配合量を４０質量部に代えて３０質量部としたこと、および、有機フィラー（商品名「アートパール Ｊ-４ＰＹ」，ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ），根上工業株式会社製）１０質量部を更に配合したこと以外は、実施例１のダイボンドフィルムと同様にして、実施例６のダイボンドフィルム（厚さ１００μｍ）を作製した。また、この実施例６のダイボンドフィルムを実施例１の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例６のダイシングダイボンドフィルムを作製した。 Example 6
Instead of 18 parts by mass of acrylic resin A 1, 18 parts by mass of acrylic resin A 3 (trade name “Taisin Resin SG-280”, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used, and an inorganic filler (trade name “SE-2050MC”). , Manufactured by Admatechs Co., Ltd. instead of 40 parts by mass, and 30 parts by mass, and an organic filler (trade name “Art Pearl J-4PY”, polymethyl methacrylate (PMMA), Negami Industrial Co., Ltd. A die bond film (thickness: 100 μm) of Example 6 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that 10 parts by mass of the company) was further blended. Moreover, the dicing die-bonding film of Example 6 was produced like the dicing die-bonding film of Example 1 except having used the die-bonding film of Example 6 instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1.

〔実施例７〕
アクリル樹脂Ａ1１８質量部に代えてアクリル樹脂Ａ3（商品名「テイサンレジン ＳＧ-２８０」，ナガセケムテックス株式会社製）１８質量部を用いたこと、無機フィラー（商品名「ＳＥ-２０５０ＭＣ」，株式会社アドマテックス製）の配合量を４０質量部に代えて３０質量部としたこと、有機フィラー（商品名「アートパール Ｊ-４ＰＹ」，ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ），根上工業株式会社製）１０質量部を更に配合したこと、および、厚さを１００μｍに代えて２００μｍとしたこと以外は、実施例１のダイボンドフィルムと同様にして、実施例７のダイボンドフィルムを作製した。また、この実施例７のダイボンドフィルムを実施例１の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例７のダイシングダイボンドフィルムを作製した。 Example 7
Instead of 18 parts by mass of acrylic resin A 1, 18 parts by mass of acrylic resin A 3 (trade name “Taisin Resin SG-280”, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used, and an inorganic filler (trade name “SE-2050MC”). , Manufactured by Admatechs Co., Ltd., instead of 40 parts by mass, it was 30 parts by mass, organic filler (trade name “Art Pearl J-4PY”, polymethyl methacrylate (PMMA), manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd. ) A die bond film of Example 7 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that 10 parts by mass was further blended, and the thickness was changed to 200 μm instead of 100 μm. Moreover, the dicing die-bonding film of Example 7 was produced like the dicing die-bonding film of Example 1 except having used this die-bonding film of Example 7 instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1.

〔比較例１〕
エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ-３０００-４」，新日鉄住金化学株式会社製）の配合量を２８質量部に代えて２２質量部としたこと、フェノール樹脂（商品名「ＬＶＲ８２１０-ＤＬ」，群栄化学工業株式会社製）の配合量を１４質量部に代えて１０質量部としたこと、および、無機フィラー（商品名「ＳＥ-２０５０ＭＣ」，株式会社アドマテックス製）の配合量を４０質量部に代えて５０質量部としたこと以外は、実施例１のダイボンドフィルムと同様にして、比較例１のダイボンドフィルム（厚さ１００μｍ）を作製した。また、この比較例１のダイボンドフィルムを実施例１の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。 [Comparative Example 1]
The epoxy resin (trade name “KI-3000-4”, manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) was changed to 22 parts by mass instead of 28 parts by mass, phenol resin (trade name “LVR8210-DL”, Gunei) The compounding amount of Chemical Industry Co., Ltd. was changed to 10 parts by mass instead of 14 parts by mass, and the compounding amount of inorganic filler (trade name “SE-2050MC”, manufactured by Admatex Co., Ltd.) was 40 parts by mass. Instead, the die bond film of Comparative Example 1 (thickness: 100 μm) was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that the amount was 50 parts by mass. Moreover, the dicing die-bonding film of the comparative example 1 was produced like the dicing die-bonding film of the example 1 except having used this die-bonding film of the comparative example 1 instead of the above-mentioned die-bonding film of the example 1.

〔比較例２〕
アクリル樹脂Ａ1１８質量部に代えてアクリル樹脂Ａ2（商品名「テイサンレジン ＳＧ-７０Ｌ」，ナガセケムテックス株式会社製）２４質量部を用いたこと、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ-３０００-４」，新日鉄住金化学株式会社製）の配合量を２８質量部に代えて２４質量部としたこと、および、フェノール樹脂（商品名「ＬＶＲ８２１０-ＤＬ」，群栄化学工業株式会社製）の配合量を１４質量部に代えて１２質量部としたこと以外は、実施例１のダイボンドフィルムと同様にして、比較例２のダイボンドフィルム（厚さ１００μｍ）を作製した。また、この比較例２のダイボンドフィルムを実施例１の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例２のダイシングダイボンドフィルムを作製した。 [Comparative Example 2]
Instead of 18 parts by mass of acrylic resin A 1, 24 parts by mass of acrylic resin A 2 (trade name “Taisan Resin SG-70L”, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used, and epoxy resin (trade name “KI-3000-”). 4 ”, manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) instead of 28 parts by mass, and 24 parts by mass, and a phenolic resin (trade name“ LVR8210-DL ”, manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.) A die bond film (thickness: 100 μm) of Comparative Example 2 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that the amount was changed to 12 parts by mass instead of 14 parts by mass. Moreover, the dicing die-bonding film of the comparative example 2 was produced like the dicing die-bonding film of the example 1 except having used this die-bonding film of the comparative example 2 instead of the above-mentioned die-bonding film of the example 1.

〔比較例３〕
厚さを１００μｍに代えて２００μｍとしたこと以外は実施例１のダイボンドフィルムと同様にして、比較例３のダイボンドフィルムを作製した。また、この比較例３のダイボンドフィルムを実施例１の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例３のダイシングダイボンドフィルムを作製した。 [Comparative Example 3]
A die bond film of Comparative Example 3 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that the thickness was changed to 200 μm instead of 100 μm. Moreover, the dicing die-bonding film of the comparative example 3 was produced like the dicing die-bonding film of the example 1 except having used this die-bonding film of the comparative example 3 instead of the above-mentioned die-bonding film of the example 1.

〈ダイボンドフィルムの引張試験〉
実施例１〜７および比較例１〜３の上述のダイボンドフィルムから切り出された各ダイボンドフィルム試験片（幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍ）について、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して引張試験を行い、降伏点強度、破断強度、および破断伸度を測定した。この引張試験において、初期チャック間距離は１０ｍｍであり、温度条件は２３℃であり、引張速度は３００ｍｍ/分である。測定された降伏点強度（Ｎ）、破断強度（Ｎ）、および破断伸度（％）の各値を表１に掲げる。 <Density test of die bond film>
About each die-bonding film test piece (width 10mm x length 30mm) cut out from the above-mentioned die-bonding films of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, a tensile tester (trade name "Autograph AGS-J", stock Tensile test was performed using Shimadzu Corporation, and yield strength, breaking strength, and elongation at break were measured. In this tensile test, the initial chuck distance is 10 mm, the temperature condition is 23 ° C., and the tensile speed is 300 mm / min. The measured yield point strength (N), breaking strength (N), and elongation at break (%) are listed in Table 1.

〈ダイボンドフィルムの粘度測定〉
実施例１〜７および比較例１〜３の上述の各ダイボンドフィルムについて、未硬化状態における１２０℃での粘度を測定した。具体的には、ダイボンドフィルムから採取された０.１ｇの試料を測定プレートであるパラレルプレート（直径２０ｍｍ）に仕込み、レオメーター（商品名「ＲＳ-１」，ＨＡＡＫＥ社製）を使用して、パラレルプレート法によって当該試料の溶融粘度（Ｐａ・ｓ）を測定した。本測定において、パラレルプレート間のギャップは０.１ｍｍであり、ひずみ速度は５/秒であり、昇温速度は１０℃/分であり、測定温度範囲は９０〜１５０℃である。測定結果を表１に掲げる。 <Die bond film viscosity measurement>
About each said die-bonding film of Examples 1-7 and Comparative Examples 1-3, the viscosity in 120 degreeC in an unhardened state was measured. Specifically, a 0.1 g sample collected from a die bond film was charged into a parallel plate (diameter 20 mm) as a measurement plate, and a rheometer (trade name “RS-1”, manufactured by HAAKE) was used. The melt viscosity (Pa · s) of the sample was measured by a parallel plate method. In this measurement, the gap between the parallel plates is 0.1 mm, the strain rate is 5 / sec, the temperature rise rate is 10 ° C./min, and the measurement temperature range is 90 to 150 ° C. The measurement results are listed in Table 1.

〈ダイボンドフィルムの割断性と飛び散りの評価〉
実施例１〜７および比較例１〜３の上述の各ダイシングダイボンドフィルムを使用して、以下のような貼合わせ工程、割断のための第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）、および、離間のための第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）を行った。 <Evaluation of cleaving property and scattering of die bond film>
For each of the above-mentioned dicing die bond films of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, the following laminating step, the first expanding step for cutting (cool expanding step), and for separation The second expanding step (normal temperature expanding step) was performed.

貼合わせ工程では、ウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）に保持された半導体ウエハ分割体をダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルムに対して貼り合わせ、その後、半導体ウエハ分割体からウエハ加工用テープを剥離した。貼合わせにおいては、ラミネーターを使用し、貼合わせ速度を１０ｍｍ/秒とし、温度条件を５０〜８０℃とし、圧力条件を０.１５ＭＰａとした。また、半導体ウエハ分割体は、次のようにして形成して用意したものである。まず、ウエハ加工用テープ（商品名「Ｖ１２Ｓ-Ｒ２-Ｐ」，日東電工株式会社製）にリングフレームと共に保持された状態にあるベアウエハ（直径１２インチ，厚さ７８０μｍ，東京化工株式会社製）について、その一方の面の側から、ダイシング装置（商品名「ＤＦＤ６３６１」，株式会社ディスコ製）を使用してその回転ブレードによって個片化用の分割溝（幅２５μｍ，深さ５０μｍ，一区画６ｍｍ×１２ｍｍの格子状をなす）を形成した。次に、分割溝形成面にウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた後、上記のウエハ加工用テープ（商品名「Ｖ１２Ｓ-Ｒ２-Ｐ」）をウエハから剥離した。この後、バックグラインド装置（商品名「ＤＧＰ８７６０」，株式会社ディスコ製）を使用して、ウエハの他方の面（分割溝の形成されていない面）の側からの研削によって当該ウエハを厚さ２０μｍに至るまで薄化し、続いて、同装置を使用して行うドライポリッシュによって当該研削面に対して鏡面仕上げを施した。以上のようにして、半導体ウエハ分割体（ウエハ加工用テープに保持された状態にある）を形成した。この半導体ウエハ分割体には、複数の半導体チップ（６ｍｍ×１２ｍｍ）が含まれている。   In the bonding process, the semiconductor wafer divided body held on the wafer processing tape (trade name “UB-3083D”, manufactured by Nitto Denko Corporation) is bonded to the die bond film of the dicing die bond film, and then the semiconductor wafer is divided. The wafer processing tape was peeled from the body. In laminating, a laminator was used, the laminating speed was 10 mm / sec, the temperature condition was 50 to 80 ° C., and the pressure condition was 0.15 MPa. The semiconductor wafer divided body is prepared and prepared as follows. First, a bare wafer (12 inches in diameter, 780 μm in thickness, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) held with a ring frame on a wafer processing tape (trade name “V12S-R2-P”, manufactured by Nitto Denko Corporation) From one side, using a dicing device (trade name “DFD6361”, manufactured by Disco Corporation), the rotating blades provide a dividing groove (width 25 μm, depth 50 μm, section 6 mm × A 12 mm grid). Next, a wafer processing tape (trade name “UB-3083D”, manufactured by Nitto Denko Corporation) is bonded to the split groove forming surface, and then the wafer processing tape (trade name “V12S-R2-P”) is used. Was peeled from the wafer. Thereafter, using a back grinding apparatus (trade name “DGP8760”, manufactured by DISCO Corporation), the wafer is ground by grinding from the other side (surface where no split grooves are formed) side to a thickness of 20 μm. Then, the ground surface was mirror-finished by dry polishing performed using the same apparatus. As described above, a semiconductor wafer divided body (held on a wafer processing tape) was formed. The semiconductor wafer divided body includes a plurality of semiconductor chips (6 mm × 12 mm).

クールエキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ ＤＤＳ２３００」，株式会社ディスコ製）を使用して、そのクールエキスパンドユニットにて行った。具体的には、まず、半導体ウエハ分割体を伴う上述のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープ粘着剤層に、直径１２インチのＳＵＳ製リングフレーム(株式会社ディスコ製)を室温で貼り付けた。次に、当該ダイシングダイボンドフィルムを装置内にセットし、同装置のクールエキスパンドユニットにて、半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープをエキスパンドした。このクールエキスパンド工程において、温度は−１５℃であり、エキスパンド速度は３００ｍｍ/秒であり、エキスパンド量は１０ｍｍである。   The cool expanding process was performed in the cool expanding unit using a die separation apparatus (trade name “Die Separator DDS2300”, manufactured by DISCO Corporation). Specifically, first, a 12-inch diameter SUS ring frame (manufactured by DISCO Corporation) was attached to the dicing tape pressure-sensitive adhesive layer in the above-described dicing die-bonding film accompanied with the semiconductor wafer divided body at room temperature. Next, the dicing die-bonding film was set in an apparatus, and a dicing tape of a dicing die-bonding film with a semiconductor wafer divided body was expanded by a cool expanding unit of the apparatus. In this cool expanding step, the temperature is −15 ° C., the expanding speed is 300 mm / sec, and the expanding amount is 10 mm.

常温エキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ ＤＤＳ２３００」，株式会社ディスコ製）を使用して、その常温エキスパンドユニットにて行った。具体的には、上述のクールエキスパンド工程を経た半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープを、同装置の常温エキスパンドユニットにてエキスパンドした。この常温エキスパンド工程において、温度は２３℃であり、エキスパンド速度は１ｍｍ/秒であり、エキスパンド量は１０ｍｍである。この後、常温エキスパンドを経たダイシングダイボンドフィルムにおける、ワーク貼着領域より外側の周縁部について、加熱収縮処理を施した。   The room temperature expanding process was performed in the room temperature expanding unit using a die separation apparatus (trade name “Die Separator DDS2300”, manufactured by DISCO Corporation). Specifically, the dicing tape of the dicing die-bonding film with the semiconductor wafer divided body that has undergone the above-described cool expanding process was expanded in the room temperature expanding unit of the same apparatus. In this room temperature expanding step, the temperature is 23 ° C., the expanding speed is 1 mm / sec, and the expanding amount is 10 mm. Then, the heat shrink process was performed about the peripheral part outside a workpiece | work sticking area | region in the dicing die-bonding film which passed through normal temperature expansion.

ダイボンドフィルムの割断性については、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行った以上のような過程を経た後に、割断予定ライン全域において割断が生じた場合を良（○）と評価し、そうでない場合を不良（×）と評価した。ダイボンドフィルムの飛び散り関しては、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行った以上のような過程を経た後に、ダイシングテープ上から剥離して半導体ウエハ上に飛び散ったダイボンドフィルム片が確認された場合を不良（×）と評価し、そうでない場合を良（○）と評価した。これら評価結果を表１に掲げる。   Regarding the cleaving property of the die bond film, after passing through the process as described above using a dicing die bond film, the case where cleaving occurs in the entire cleaving line is evaluated as good (○), and the case where it is not is poor. (×) was evaluated. Regarding the scattering of the die bond film, after passing through the process as described above using the dicing die bond film, the case where a die bond film piece peeled off from the dicing tape and scattered on the semiconductor wafer was confirmed ( X) and the case where it was not so was evaluated as good (◯). These evaluation results are listed in Table 1.

［評価］
実施例１〜７のダイボンドフィルムによると、ダイボンドフィルム付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程において、良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制することができた。 [Evaluation]
According to the die bond film of Examples 1-7, in the expanding process performed using a dicing die bond film in order to obtain a semiconductor chip with a die bond film, it was possible to suppress scattering while realizing good cleaving.

Figure 2019029465
Figure 2019029465

Ｘ ダイシングダイボンドフィルム
１０，１１ ダイボンドフィルム
２０ ダイシングテープ
２１ 基材
２２ 粘着剤層
Ｗ，３０Ａ，３０Ｃ 半導体ウエハ
３０Ｂ 半導体ウエハ分割体
３０ａ 分割溝
３０ｂ 改質領域
３１ 半導体チップ X Dicing die bond film 10, 11 Die bond film 20 Dicing tape 21 Base material 22 Adhesive layer W, 30A, 30C Semiconductor wafer 30B Semiconductor wafer divided body 30a Divided groove 30b Modified region 31 Semiconductor chip

Claims (11)

幅１０ｍｍのダイボンドフィルム試験片について初期チャック間距離１０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ／分の条件で行われる引張試験での降伏点強度が１５Ｎ以下であり、破断強度が１５Ｎ以下であり、破断伸度が４０〜４００％である、ダイボンドフィルム。   A die bond film specimen having a width of 10 mm has a yield strength of 15 N or less, a breaking strength of 15 N or less, and a breaking strength in a tensile test performed under conditions of an initial chuck distance of 10 mm, 23 ° C., and a tensile speed of 300 mm / min. A die-bonding film having an elongation of 40 to 400%. ４０〜２００μｍの厚さを有する、請求項１に記載のダイボンドフィルム。   The die-bonding film according to claim 1, having a thickness of 40 to 200 μm. １２０℃での粘度が３００〜５０００Ｐａ・ｓである、請求項１または２に記載のダイボンドフィルム。   The die bond film according to claim 1 or 2 whose viscosity in 120 ° C is 300-5000 Pa.s. 無機フィラーを１０〜５０質量％の割合で含有する、請求項１から３のいずれか一つに記載のダイボンドフィルム。   The die-bonding film as described in any one of Claim 1 to 3 which contains an inorganic filler in the ratio of 10-50 mass%. 有機フィラーを２〜２０質量％の割合で含有する、請求項１から４のいずれか一つに記載のダイボンドフィルム。   The die-bonding film as described in any one of Claim 1 to 4 which contains an organic filler in the ratio of 2-20 mass%. ガラス転移温度が−４０〜１０℃のアクリル樹脂を含有する、請求項１から５のいずれか一つに記載のダイボンドフィルム。   The die-bonding film according to any one of claims 1 to 5, comprising an acrylic resin having a glass transition temperature of -40 to 10 ° C. 実装基板にワイヤーボンディング実装された第１半導体チップを当該第１半導体チップに接続されたボンディングワイヤーの全体または一部とともに包埋しつつ前記実装基板に第２半導体チップを接合する接着剤層形成用の、請求項１から６のいずれか一つに記載のダイボンドフィルム。   For forming an adhesive layer for bonding the second semiconductor chip to the mounting substrate while embedding the first semiconductor chip wire-bonded to the mounting substrate together with all or part of the bonding wires connected to the first semiconductor chip. The die-bonding film according to any one of claims 1 to 6. 実装基板にワイヤーボンディング実装された第１半導体チップのボンディングワイヤー接続箇所を覆って当該ボンディングワイヤーの一部を包埋しつつ前記第１半導体チップに第２半導体チップを接合する接着剤層形成用の、請求項１から６のいずれか一つに記載のダイボンドフィルム。   Covering the bonding wire connecting portion of the first semiconductor chip mounted by wire bonding on the mounting substrate and embedding a part of the bonding wire, for bonding the second semiconductor chip to the first semiconductor chip The die-bonding film according to any one of claims 1 to 6. 実装基板にフリップチップ実装された第１半導体チップを包埋しつつ前記実装基板に第２半導体チップを接合する接着剤層形成用の、請求項１から６のいずれか一つに記載のダイボンドフィルム。   The die bond film according to any one of claims 1 to 6, for forming an adhesive layer for embedding the first semiconductor chip flip-chip mounted on the mounting substrate and bonding the second semiconductor chip to the mounting substrate. . 基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している、請求項１から９のいずれか一つに記載のダイボンドフィルムとを備える、ダイシングダイボンドフィルム。 A dicing tape having a laminated structure including a base material and an adhesive layer;
A dicing die-bonding film comprising the die-bonding film according to any one of claims 1 to 9, which is detachably adhered to the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape. 請求項１０に記載のダイシングダイボンドフィルムにおける前記ダイボンドフィルム上に、複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハ、または、複数の半導体チップを含む半導体ウエハ分割体を、貼り合わせる、第１工程と、
前記ダイシングダイボンドフィルムにおける前記ダイシングテープをエキスパンドすることにより、前記ダイボンドフィルムを割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る、第２工程と、を含む半導体装置製造方法。 A first step of bonding a semiconductor wafer that can be singulated into a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer divided body including a plurality of semiconductor chips on the die bond film in the dicing die bond film according to claim 10. ,
A method of manufacturing a semiconductor device comprising: a second step of expanding the dicing tape in the dicing die bond film to cleave the die bond film to obtain a semiconductor chip with a die bond film.
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