JP2018529238A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- フリップチップの電極表面およびパッケージ基板の表面に同時に金属を電鋳し、フリップチップの電極とパッケージ基板との間の前記金属による接続を実現することを特徴とする、フリップチップのパッケージ方法。
- フリップチップの周囲にパッケージ基板を設置するステップS1と、
フリップチップの電極表面とパッケージ基板の表面に金属導電膜をコーティングするステップS2と、
金属導電膜の表面にフォトレジストを塗布するステップS3と、
マスクアライナにおいて、フォトリソグラフィプレート上での電極構造とフリップチップの電極構造をアライメントしてフォトエッチングし、露光及び現像した後に、フリップチップの電極表面とパッケージ基板の表面が同一領域にあるフォトレジスト構造モールドを得ると共に、フリップチップの電極間の絶縁箇所をフォトレジストが被覆するようにするステップS4と、
前記金属導電膜を電極とし、前記フォトレジスト構造モールド内におけるフリップチップの電極表面およびパッケージ基板の表面に同時に前記金属を電鋳して、前記フォトレジスト構造モールド内を前記金属で覆われるようにし、フリップチップの電極とパッケージ基板との間の前記金属による接続を実現するステップS5と、
ステップS4で前記絶縁箇所を被覆するフォトレジストおよびフォトレジストで被覆される金属導電膜を除去するステップS6とを含むことを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ方法。 - ステップS6の後に、
前記パッケージ基板を除去するステップS7を更に含むことを特徴とする、請求項2に記載のパッケージ方法。 - 前記金属導電膜は、フリップチップの電極表面およびパッケージ基板の表面の上方に位置するクロム導電層と、前記クロム導電層の上方に位置する金導電層とを含むことを特徴とする、請求項2又は3に記載のパッケージ方法。
- 前記金導電層は、厚さが20〜400nmであり、前記クロム導電層は、厚さが20〜400nmであることを特徴とする、請求項4に記載のパッケージ方法。
- 前記フォトレジストは、AZ4620フォトレジスト、AZ−50XTフォトレジスト、SU8フォトレジスト、又はPMMAフォトレジストであることを特徴とする、請求項2〜5のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
- ステップS3において、シャロートレンチ方式で前記フォトレジストを塗布することを特徴とする、請求項2〜6のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
- ステップS3において、スピン方式で、200〜6000回転/分の回転速度で前記フォトレジストを塗布することを特徴とする、請求項2〜6のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
- 前記金属は、銅、ニッケルまたは金であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
- ステップS6は、
ゾル溶液で前記絶縁箇所を被覆しているフォトレジストを溶解するステップS61と、
金腐食液によりフォトレジストで被覆されている金導電層を腐食するステップS62と、
クロム腐食液により金導電層で被覆されているクロム導電層を腐食するステップS63とを含むことを特徴とする、請求項4または5に記載のパッケージ方法。 - 前記フリップチップの電極表面に金属層を設置することを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
- 前記フリップチップの電極表面に金属層を設置しないことを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
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