JP2018529238A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- フリップチップの電極表面およびパッケージ基板の表面に同時に金属を電鋳し、フリップチップの電極とパッケージ基板との間の前記金属による接続を実現することを特徴とする、フリップチップのパッケージ方法。
- フリップチップの周囲にパッケージ基板を設置するステップＳ１と、
フリップチップの電極表面とパッケージ基板の表面に金属導電膜をコーティングするステップＳ２と、
金属導電膜の表面にフォトレジストを塗布するステップＳ３と、
マスクアライナにおいて、フォトリソグラフィプレート上での電極構造とフリップチップの電極構造をアライメントしてフォトエッチングし、露光及び現像した後に、フリップチップの電極表面とパッケージ基板の表面が同一領域にあるフォトレジスト構造モールドを得ると共に、フリップチップの電極間の絶縁箇所をフォトレジストが被覆するようにするステップＳ４と、
前記金属導電膜を電極とし、前記フォトレジスト構造モールド内におけるフリップチップの電極表面およびパッケージ基板の表面に同時に前記金属を電鋳して、前記フォトレジスト構造モールド内を前記金属で覆われるようにし、フリップチップの電極とパッケージ基板との間の前記金属による接続を実現するステップＳ５と、
ステップＳ４で前記絶縁箇所を被覆するフォトレジストおよびフォトレジストで被覆される金属導電膜を除去するステップＳ６とを含むことを特徴とする、請求項１に記載のパッケージ方法。 - ステップＳ６の後に、
前記パッケージ基板を除去するステップＳ７を更に含むことを特徴とする、請求項２に記載のパッケージ方法。 - 前記金属導電膜は、フリップチップの電極表面およびパッケージ基板の表面の上方に位置するクロム導電層と、前記クロム導電層の上方に位置する金導電層とを含むことを特徴とする、請求項２又は３に記載のパッケージ方法。
- 前記金導電層は、厚さが２０〜４００ｎｍであり、前記クロム導電層は、厚さが２０〜４００ｎｍであることを特徴とする、請求項４に記載のパッケージ方法。
- 前記フォトレジストは、ＡＺ４６２０フォトレジスト、ＡＺ−５０ＸＴフォトレジスト、ＳＵ８フォトレジスト、又はＰＭＭＡフォトレジストであることを特徴とする、請求項２〜５のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
- ステップＳ３において、シャロートレンチ方式で前記フォトレジストを塗布することを特徴とする、請求項２〜６のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
- ステップＳ３において、スピン方式で、２００〜６０００回転／分の回転速度で前記フォトレジストを塗布することを特徴とする、請求項２〜６のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
- 前記金属は、銅、ニッケルまたは金であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
- ステップＳ６は、
ゾル溶液で前記絶縁箇所を被覆しているフォトレジストを溶解するステップＳ６１と、
金腐食液によりフォトレジストで被覆されている金導電層を腐食するステップＳ６２と、
クロム腐食液により金導電層で被覆されているクロム導電層を腐食するステップＳ６３とを含むことを特徴とする、請求項４または５に記載のパッケージ方法。 - 前記フリップチップの電極表面に金属層を設置することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
- 前記フリップチップの電極表面に金属層を設置しないことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
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