JP2018527757A - オプトエレクトロニクス部品の製造方法 - Google Patents
オプトエレクトロニクス部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018527757A JP2018527757A JP2018514853A JP2018514853A JP2018527757A JP 2018527757 A JP2018527757 A JP 2018527757A JP 2018514853 A JP2018514853 A JP 2018514853A JP 2018514853 A JP2018514853 A JP 2018514853A JP 2018527757 A JP2018527757 A JP 2018527757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- metallization
- manufacturing
- semiconductor chip
- optoelectronic semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02375—Positioning of the laser chips
- H01S5/0238—Positioning of the laser chips using marks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02461—Structure or details of the laser chip to manipulate the heat flow, e.g. passive layers in the chip with a low heat conductivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
キャリア200は、キャリア集合体300に設けられうる。キャリア集合体300は、図1に図示されている。キャリア集合体300は、互いに並んで平面に配置され、互いに一体に連続して連結された、同一種類の複数のキャリア200を含む。個々のキャリア200はそれぞれ、例えば長方形で、キャリア集合体300において長方形の格子に配置されうる。
110 オプトエレクトロニクス半導体チップ
111 上面
112 下面
120 アノードコンタクト部
130 出射面
200 キャリア
201 上面
210 実装領域
220 凹部領域
230 段差
240 外縁
250 メタライゼーション
260 はんだ
270 分離路
280 境界
300 キャリア集合体
310 分離面
Claims (11)
- 上面(201)を有するキャリア(200)を設ける工程と、
前記キャリア(200)の前記上面(201)に、前記上面(201)の実装領域(210)に対して凹部をなす凹部領域(220)を作る工程であって、前記実装領域(210)と前記凹部領域(220)との間に段差(230)が形成される工程と、
前記キャリア(200)の前記上面(201)に、前記実装領域(210)および前記凹部領域(220)にわたって延在するメタライゼーション(250)を配置する工程と、
前記メタライゼーション(250)に分離路(270)を作る工程であって、前記メタライゼーション(250)は、少なくとも前記実装領域(210)においては完全に切断され、前記凹部領域(220)においては少なくとも完全には切断されない工程と、
オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)を前記上面(201)の前記実装領域(210)上に配置する工程であって、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)は前記分離路(270)に沿って配置される工程と、を含む、オプトエレクトロニクス部品の製造方法。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)は、前記段差(230)から突出するように配置される、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
- 前記分離路(270)に沿って配置する工程は、少なくとも前記実装領域(210)においては完全に切断された前記メタライゼーション(250)と、前記凹部領域(220)においては少なくとも完全には切断されていない前記メタライゼーション(250)との間の境界(280)の位置を光学的に検出する工程を含む、請求項1または2のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
- 前記分離路(270)は、直線的に、かつ前記段差(230)に対して垂直に作られる、請求項1から3のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
- 前記キャリア(200)は、キャリア集合体(300)に設けられ、
前記キャリア集合体(300)は、前記キャリア(200)に個片化するために、前記分離路(270)を作る工程の後に分割され、
前記キャリア(200)の外縁(240)が前記分割によって形成され、
前記凹部領域(220)は、前記外縁(240)に隣接しており、
前記段差(230)は、前記外縁(240)と平行である、請求項1から4のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。 - 前記分離路(270)を作る工程は、ソーイングまたはレーザによって行われる、請求項1から5のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
- 前記分離路(270)は、前記メタライゼーション(250)が前記凹部領域(220)において切断されないように作られる、請求項1から6のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)を配置する前に、はんだ(260)が前記上面(201)の前記実装領域(210)の前記メタライゼーション(250)に配置され、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)は、前記はんだ(110)に配置される、請求項1から7のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)はレーザチップである、請求項1から8のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
- 前記レーザチップは、前記レーザチップの出射面(130)が前記段差(230)から突出するように配置される、請求項9に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
- 前記レーザチップの電極部(120)が、前記キャリア(200)の前記上面(201)と対向する、請求項9または10のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015116092.7A DE102015116092B4 (de) | 2015-09-23 | 2015-09-23 | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
DE102015116092.7 | 2015-09-23 | ||
PCT/EP2016/071847 WO2017050636A1 (de) | 2015-09-23 | 2016-09-15 | Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018527757A true JP2018527757A (ja) | 2018-09-20 |
JP2018527757A5 JP2018527757A5 (ja) | 2019-11-28 |
JP6779283B2 JP6779283B2 (ja) | 2020-11-04 |
Family
ID=56958912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018514853A Active JP6779283B2 (ja) | 2015-09-23 | 2016-09-15 | オプトエレクトロニクス部品の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10454240B2 (ja) |
JP (1) | JP6779283B2 (ja) |
DE (1) | DE102015116092B4 (ja) |
WO (1) | WO2017050636A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017108385A1 (de) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbarren und Halbleiterlaser sowie Verfahren zur Herstellung von Laserbarren und Halbleiterlasern |
DE102020111394A1 (de) | 2020-04-27 | 2021-10-28 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum herstellen einer halbleiterlaseranordnung und halbleiterlaseranordnung |
DE102021131795A1 (de) | 2021-12-02 | 2023-06-07 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laserbauelement und verfahren zur herstellung eines laserbauelements |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0272573U (ja) * | 1988-11-18 | 1990-06-01 | ||
JP2003046181A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Ricoh Co Ltd | サブマウント、半導体装置およびサブマウントの製造方法 |
US20040195297A1 (en) * | 2003-04-03 | 2004-10-07 | Jeffrey Powers | Reliability of heat sink mounted laser diode bars |
JP2008016507A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Toshiba Tec Corp | 電気配線の製造方法 |
JP2009026819A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Ricoh Co Ltd | アレイ型半導体レーザ装置の組み立て方法 |
JP2009103915A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導波路フィルム及びその製造方法、並びに、光送受信モジュール |
JP2015019066A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | エクセリタス カナダ,インコーポレイテッド | 成形境界を制御したllc組立における光半導体デバイス及びこれを形成するための方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63151093A (ja) | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レ−ザ素子のろう付け方法 |
JP4050865B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2008-02-20 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法及びそれを用いた光ピックアップ |
DE10323857A1 (de) * | 2003-05-26 | 2005-01-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein Laserdiodenbauelement, Laserdiodenbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserdiodenbauelements |
JP4470171B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2010-06-02 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体チップ、その製造方法およびその用途 |
JP2006185931A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Tokuyama Corp | 半導体レーザー装置およびその製造方法 |
JP2009212179A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
NL2003785A (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Asml Netherlands Bv | Method of forming a marker, substrate having a marker and device manufacturing method. |
DE102010009455B4 (de) * | 2010-02-26 | 2021-07-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterlaservorrichtung mit einem Halbleiterlaserchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR101284796B1 (ko) * | 2011-10-05 | 2013-07-10 | (주)포인트엔지니어링 | 캔 패지키 타입의 광 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광 디바이스 |
DE102013223115A1 (de) * | 2013-11-13 | 2015-05-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
2015
- 2015-09-23 DE DE102015116092.7A patent/DE102015116092B4/de active Active
-
2016
- 2016-09-15 WO PCT/EP2016/071847 patent/WO2017050636A1/de active Application Filing
- 2016-09-15 JP JP2018514853A patent/JP6779283B2/ja active Active
- 2016-09-15 US US15/761,585 patent/US10454240B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0272573U (ja) * | 1988-11-18 | 1990-06-01 | ||
JP2003046181A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Ricoh Co Ltd | サブマウント、半導体装置およびサブマウントの製造方法 |
US20040195297A1 (en) * | 2003-04-03 | 2004-10-07 | Jeffrey Powers | Reliability of heat sink mounted laser diode bars |
JP2008016507A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Toshiba Tec Corp | 電気配線の製造方法 |
JP2009026819A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Ricoh Co Ltd | アレイ型半導体レーザ装置の組み立て方法 |
JP2009103915A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導波路フィルム及びその製造方法、並びに、光送受信モジュール |
JP2015019066A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | エクセリタス カナダ,インコーポレイテッド | 成形境界を制御したllc組立における光半導体デバイス及びこれを形成するための方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102015116092B4 (de) | 2018-06-14 |
US20180351324A1 (en) | 2018-12-06 |
US10454240B2 (en) | 2019-10-22 |
DE102015116092A1 (de) | 2017-03-23 |
WO2017050636A1 (de) | 2017-03-30 |
JP6779283B2 (ja) | 2020-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7759223B2 (en) | Semiconductor wafer and manufacturing process for semiconductor device | |
JP6779283B2 (ja) | オプトエレクトロニクス部品の製造方法 | |
KR20120127218A (ko) | 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법 | |
KR101823851B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
US9374890B2 (en) | Chip substrate having a lens insert | |
JP2008187153A (ja) | 複数個の半導体装置を製造する方法 | |
CN106486441B (zh) | 表面贴装电子组件 | |
CN113614893A (zh) | 具有侧壁镀层的半导体封装 | |
CN113614879A (zh) | 具有侧壁镀层的半导体封装 | |
JP5588601B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI686909B (zh) | 導線架及製造晶片封裝體的方法以及製造光電組件的方法 | |
JP2018527757A5 (ja) | ||
JP6276681B2 (ja) | 試料固定装置および試料分析装置 | |
CN113035721A (zh) | 用于侧壁镀覆导电膜的封装工艺 | |
JP2007013002A (ja) | 半導体レーザー装置 | |
JP2018515916A (ja) | 基板と半導体レーザとを備える装置 | |
JP2022163007A (ja) | 光学素子を取り付けるためのキャリア及び関連する製造工程 | |
JP6478877B2 (ja) | 高精度サブマウント基板及びその製造方法 | |
JP6336895B2 (ja) | 基板および基板の製造方法 | |
JP3970292B2 (ja) | レーザ装置 | |
US11462667B2 (en) | Electronic component, method of manufacturing electronic component, and electronic device | |
JP2011258870A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US11837844B2 (en) | Method for manufacturing optoelectric semiconductor component and optoelectric semiconductor component device | |
CN111902913B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP2006086404A (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190716 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20190730 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190802 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20191016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200915 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201013 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6779283 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |