JP2018527205A - 反転させたマイクロストリップ伝送線路を有するrf微小電子機械システムおよび作製方法 - Google Patents
反転させたマイクロストリップ伝送線路を有するrf微小電子機械システムおよび作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018527205A JP2018527205A JP2018510069A JP2018510069A JP2018527205A JP 2018527205 A JP2018527205 A JP 2018527205A JP 2018510069 A JP2018510069 A JP 2018510069A JP 2018510069 A JP2018510069 A JP 2018510069A JP 2018527205 A JP2018527205 A JP 2018527205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mems
- ground
- pair
- signal line
- ground pads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 156
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 4
- QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au].[Au] QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000109 continuous material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
- H01P1/127—Strip line switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H55/00—Magnetostrictive relays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H57/00—Electrostrictive relays; Piezoelectric relays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H61/00—Electrothermal relays
- H01H61/01—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/54—Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
- H01P3/084—Suspended microstriplines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H57/00—Electrostrictive relays; Piezoelectric relays
- H01H2057/006—Micromechanical piezoelectric relay
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H61/00—Electrothermal relays
- H01H2061/006—Micromechanical thermal relay
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
5−5 線
6−6 線
6a−6a 線
7−7 線
10−10 線
12−12 線
13−13 線
15−15 線
16−16 線
18−18 線
40 RF MEMSパッケージ
41 MEMSダイ組立体
42 MEMS実装基板、MEMS基板、第1の基板、誘電体基板
43 接地面組立体
44 接地実装基板
46 信号線
48 MEMSデバイス
50 頂面
52 第1の対の接地パッド
53 長さ
54 第1の対の接地パッド
55 接地コンタクト面
56 第2の対の接地パッド
57 長さ
58 第2の対の接地パッド
60 底面
62 接地面/領域
63 RF伝送線路
64 底面
66 相互接続部、スタッドバンプ
68 第1の部分、第1の信号コンタクト面
69 長さ
70 第2の部分、第2の信号コンタクト面
71 長さ
72 間隙
74 全長の第1の部分
75 MEMSダイ組立体の全長
76 全長の第2の部分
77 接地面組立体の全長
78 全長の第3の部分
80 キャビティ
82 側方成分
84 信号線
85 MEMSダイ組立体
86 第1の接地パッド
88 第2の接地パッド
90 第1の部分
92 第2の部分
94 MEMSウェーハ構造体
96 MEMSウェーハ基板
97 導電性バイア
98 信号線
99 信号線プローブパッド
100 信号線
101 接地線プローブパッド
102 ウェーハ基板の頂面
104 第1の部分
106 第1の部分
108 第2の部分
110 第2の部分
111 第3の部分
112 第4の部分
113 第3の部分
114 第4の部分
116 第1の間隙
118 第2の間隙
120 第1の間隙
122 第2の間隙
124 MEMSデバイス
126 MEMSデバイス
128 MEMSデバイス
130 MEMSデバイス
132 接地パッド
134 接地パッド
136 接地パッド
138 接地パッド
140 接地パッド
141 MEMSウェーハ組立体
142 接地パッド
143 接地面組立体
144 接地パッド
145 導電性接合部
146 接地パッド
147 導電性接合部
148 接地パッド
149 気密封止
150 接地パッド
151 気密封止
152 接地パッド
154 接地パッド
155 キャビティ
156 切断線
157 キャビティ
158 RF MEMSダイパッケージ
160 RF MEMSダイパッケージ
162 RF MEMSダイパッケージ
164 RF MEMSダイパッケージ
165 幅
166 スタッドバンプ
167 全幅
168 接地基板
169 接地領域、接地面
170 RF MEMSパッケージ
171 MEMSダイ組立体
172 接地組立体
173 全幅
174 ディスクリートパッケージ
176 本体
178 リッド
180 本体の内部底面、本体の頂面
182 接地パッド領域
184 信号パッド
186 信号パッド
188 信号線
190 相互接続部
192 表面
194 MEMS基板
195 接地パッド
196 第1の部分
197 間隙
198 第2の部分
199 接地パッド
200 MEMSデバイス
202 気密封止
204 キャビティ
206 導電性バイア
208 信号パッド
209 接続部
210 信号パッド
211 接続部
212 外側表面
214 RF MEMSパッケージ
215 MEMSダイ組立体
216 信号線
217 接地面組立体、接地組立体
218 MEMS実装基板の頂面
220 MEMS実装基板
222 MEMSデバイス
224 接地実装基板
226 接地面
227 RF伝送線路
228 底面
230 金属相互接続部
232 接地基板の頂面
234 ポスト
236 第1の部分
238 第2の部分
240 間隙
242 キャビティ
244 側方成分
246 側方成分
247 MEMSウェーハ組立体
248 RF MEMSウェーハ構造体
249 接地面組立体
252 接地面
254 底面
256 接地基板
258 相互接続部
278 MEMSウェーハ基板
304 気密封止
312 キャビティ
324 切断線
Claims (22)
- 第1の実装基板(42、96、194、220、278)、
前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)の頂面(50、102、192、218)に形成された信号線(46、84、98、100、188、216)であって、前記信号線(46、84、98、100、188、216)の第1の部分(68、90、104、106、196、236)を前記信号線(46、84、98、100、188、216)の第2の部分(70、92、108、110、198、238)に選択的に電気的に結合するMEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)を備える、信号線(46、84、98、100、188、216)、
前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)に隣接して前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)の前記頂面(50、102、192、218)に形成された第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)、および
前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第2の部分(70、92、108、110、198、238)に隣接して前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)の前記頂面(50、102、192、218)に形成された第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)、
を備える、MEMSダイ組立体(41、85、171、215)と、
前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)および前記第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)に電気的に結合された接地組立体(43、143、172、217、249)であって、
第2の実装基板(44、168、224、256)、ならびに
前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)の前記頂面(50、102、192、218)に面する前記第2の実装基板(44、168、224、256)の表面に形成され、前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)および前記第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)に電気的に結合された接地領域(62、169、182)、
を備える、接地組立体(43、143、172、217、249)と、
を備え、
キャビティ(80、155、157、204、242、312)が前記接地領域(62、169、182)と前記信号線(46、84、98、100、188、216)との間に形成され、
前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)が前記MEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)の第1の側に隣接して位置し、前記第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)が前記MEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)の第2の側に隣接して位置する、
高周波(RF)微小電気機械システム(MEMS)パッケージ(40、158、160、162、164、170、214)。 - 前記MEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)が開位置および閉位置を有するスイッチを備え、
前記スイッチが前記閉位置にある場合、前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)と前記信号線((46、84、98、100、188、216)の前記第2の部分(70、92、108、110、198、238)が電気的に結合され、
前記スイッチが前記開位置にある場合、前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)と前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第2の部分(70、92、108、110、198、238)が電気的に切り離される
請求項1記載のRF MEMSパッケージ(40、158、160、162、164、170、214)。 - 前記接地領域(62、169、182)を前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)および前記第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)に電気的および機械的に結合する複数の相互接続部(66、190)をさらに備える請求項1記載のRF MEMSパッケージ(40、158、160、162、164、170、214)。
- 前記複数の相互接続部(66、190)がはんだバンプ、金バンプ、および超音波熱バンプの少なくとも1つを備える請求項3記載のRF MEMSパッケージ(40、158、160、162、164、170、214)。
- 前記接地領域(62、169、182)と前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)との間に気密封止(149、151、202)が形成されている請求項1記載のRF MEMSパッケージ(40、158、160、162、164、170、214)。
- 前記気密封止(149、151、202)がガラスフリット封止、金−金熱圧縮封止、および気密はんだ封止のうちの1つである請求項5記載のRF MEMSパッケージ(40、158、160、162、164、170、214)。
- 前記キャビティ(80、155、157、204、242、312)内部に設けられた誘電気体をさらに備える請求項5記載のRF MEMSパッケージ(40、158、160、162、164、170、214)。
- 前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)の各接地パッドが前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)の長さよりも小さい長さを有し、
前記第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)の各接地パッドが前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第2の部分(70、92、108、110、198、238)の長さよりも小さい長さを有する
請求項1記載のRF MEMSパッケージ(40、158、160、162、164、170、214)。 - 前記接地組立体(43、143、172、217、249)が本体(176)および前記本体(176)に結合されたリッド(178)を備え、
前記MEMSダイ組立体(41、85、171、215)が前記本体(176)と前記リッド(178)との間に形成されたキャビティ(80、155、157、204、242、312)内部に位置する
請求項1記載のRF MEMSパッケージ(40、158、160、162、164、170、214)。 - 前記接地組立体(43、143、172、217、249)の前記本体(176)を貫いて延在し、前記接地領域(62、169、182)を前記本体(176)の外部入力/出力接続部(209、211)に電気的に結合する少なくとも1つの導電性バイア(206)をさらに備える請求項9記載のRF MEMSパッケージ(40、158、160、162、164、170、214)。
- 第1の実装基板(42、96、194、220、278)を用意するステップと、
前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)の頂面(50、102、192、218)に信号線(46、84、98、100、188、216)を形成するステップであって、
前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)の前記頂面(50、102、192、218)に前記信号線(46、84、98、100、188、216)の第1の部分(68、90、104、106、196、236)を形成するステップ、
前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)と前記第2の部分(70、92、108、110、198、238)との間に間隙(72、116、120、197、240)に設けるように前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)の前記頂面(50、102、192、218)に前記信号線(46、84、98、100、188、216)の第2の部分(70、92、108、110、198、238)を形成するステップ、ならびに
前記間隙(72、116、120、197、240)をブリッジするためにMEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)を前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)および前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第2の部分(70、92、108、110、198、238)に結合するステップ、を含むステップと、
前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)に隣接して前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)の前記頂面(50、102、192、218)に第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)を形成するステップと、
前記信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第2の部分(70、92、108、110、198、238)に隣接して前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)の前記頂面(50、102、192、218)に第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)を形成するステップであって、前記第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)が前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)から離間されている、ステップと、
接地組立体(43、143、172、217、249)を前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)および前記第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)に結合するステップであって、前記接地組立体(43、143、172、217、249)が第2の実装基板(44、168、224、256)の底面(64、228、254)に形成された接地領域(62、169、182)を備える、ステップと、
間にキャビティ(80、155、157、204、242、312)を設けるように前記接地領域(62、169、182)を前記信号線(46、84、98、100、188、216)から離間させるステップと、
を含む高周波(RF)微小電気機械システム(MEMS)パッケージ(40、158、160、162、164、170、214)を製造する方法。 - 前記接地組立体(43、143、172、217、249)を前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)および前記第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)に結合するステップが複数のスタッドバンプ(66、166)を介したはんだ付け、ろう付け、および超音波熱接合の少なくとも1つを含む請求項11記載の方法。
- 前記第1の実装基板(42、96、194、220、278)と前記接地面(62、169、226、252)との間に気密封止(149、151、202)を形成するステップをさらに含む請求項11記載の方法。
- 前記キャビティ(80、155、157、204、242、312)を誘電気体で充填するステップをさらに含む請求項13記載の方法。
- 前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)を前記実装基板の幅にわたって前記第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)から離間させるステップをさらに含む請求項11記載の方法。
- ウェーハ基板(96、278)の頂面(50、102、192、218)に配置された複数のMEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)、
各信号線(46、84、98、100、188、216)が
それぞれのMEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)の第1の側に位置する第1の部分(68、90、104、106、196、236)、および
前記それぞれのMEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)の第2の側に位置する第2の部分(70、92、108、110、198、238)であって、第1の間隙(116、120)によって前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)から分離された第2の部分(70、92、108、110、198、238)
を備える、前記ウェーハ基板(96、278)の前記頂面(50、102、192、218)に形成された複数の信号線(46、84、98、100、188、216)、
それぞれの信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)の両側に隣接する第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)、ならびに
前記それぞれの信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第2の部分(70、92、108、110、198、238)の両側に隣接する第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)、
を備えるMEMSウェーハ組立体(141、247)と、
接地基板(168、256)の底面(64、228、254)に形成された接地面(62、169、226、252)であって、前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)および第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)に接合された接地面(62、169、226、252)を備える接地面組立体(143、217、249)と、
を備え、
前記接地面(62、169、226、252)と複数の信号パッドが、各キャビティがそれぞれのMEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)を含む複数のキャビティ(80、155、157、204、242、312)によって離間され、
前記複数のMEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)に隣接するMEMS基板(42、194)の頂面(50、102、192、218)には接地パッドがない、
高周波(RF)微小電気機械システム(MEMS)ウェーハ構造体(94、248)。 - 前記第1の対の接地パッド(52、54、86、132、134、136、138、195)が前記ウェーハ基板(96、278)の幅にわたって前記第2の対の接地パッド(56、58、88、140、142、144、146、199)から電気的に切り離されている請求項16記載のRF MEMSウェーハ構造体(94、248)。
- 前記ウェーハ基板(96、278)がシリコンおよび石英のうちの1つを含む請求項16記載のRF MEMSウェーハ構造体(94、248)。
- 各MEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)がそれぞれの信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)と前記第2の部分(70、92、108、110、198、238)を切り離すように構成された開位置と、前記それぞれの信号線(46、84、98、100、188、216)の前記第1の部分(68、90、104、106、196、236)と前記第2の部分(70、92、108、110、198、238)を結合するように構成された閉位置と、を有する請求項16記載のRF MEMSウェーハ構造体(94、248)。
- 前記複数のキャビティ(80、155、157、204、242、312)が気密封止されている請求項16記載のRF MEMSウェーハ構造体(94、248)。
- 前記MEMSウェーハ(96、278)および前記接地ウェーハ(168、256)の少なくとも1つに形成された複数の切断線(156、324)をさらに備え、前記複数の切断線(156、324)が前記RF MEMSウェーハ構造体(94、248)内部の個々のRF MEMSパッケージ(158、160、162、164)の境界を画成し、それぞれの個々のRF MEMSパッケージが少なくとも1つのMEMSデバイス(48、124、126、128、130、200、222)を備える、請求項16記載のRF MEMSウェーハ構造体(94、248)。
- 前記接地面(62、169、226、252)および前記複数の信号線(46、84、98、100、188、216)のそれぞれがRF伝送線路を形成する請求項16記載のRF MEMSウェーハ構造体(94、248)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/839,402 | 2015-08-28 | ||
US14/839,402 US9570783B1 (en) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | Radio frequency micro-electromechanical systems having inverted microstrip transmission lines and method of making the same |
PCT/US2016/042706 WO2017039851A1 (en) | 2015-08-28 | 2016-07-18 | Rf micro-electromechanical systems having inverted microstrip transmission lines and method of making |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018527205A true JP2018527205A (ja) | 2018-09-20 |
JP6863965B2 JP6863965B2 (ja) | 2021-04-21 |
Family
ID=56684727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018510069A Active JP6863965B2 (ja) | 2015-08-28 | 2016-07-18 | 反転させたマイクロストリップ伝送線路を有するrf微小電子機械システムおよび作製方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9570783B1 (ja) |
EP (1) | EP3341996B1 (ja) |
JP (1) | JP6863965B2 (ja) |
TW (1) | TWI654793B (ja) |
WO (1) | WO2017039851A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015112796A1 (en) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | The Florida State University Research Foundation, Inc. | Ultrafast electromechanical disconnect switch |
EP3018092A1 (en) * | 2014-11-10 | 2016-05-11 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | MEMS package |
US9954263B2 (en) | 2015-08-28 | 2018-04-24 | General Electric Company | Radio frequency micro-electromechanical systems having inverted microstrip transmission lines and method of making the same |
US9570783B1 (en) * | 2015-08-28 | 2017-02-14 | General Electric Company | Radio frequency micro-electromechanical systems having inverted microstrip transmission lines and method of making the same |
CN107799360A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-03-13 | 东南大学 | 一种集成式无源无线微机械开关及其制备方法 |
CA3078581A1 (en) * | 2017-10-05 | 2019-04-11 | Google Llc | Low footprint resonator in flip chip geometry |
US10996082B2 (en) | 2019-06-19 | 2021-05-04 | General Electric Company | Sensor system for a rotor assembly |
US10749612B1 (en) | 2019-06-19 | 2020-08-18 | General Electric Company | Rotor assembly sensor system with interference isolation |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004517741A (ja) * | 2001-01-10 | 2004-06-17 | レイセオン・カンパニー | ウエハーレベルでの相互接続物及びその作製方法 |
JP2007027126A (ja) * | 2005-07-18 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Memsスイッチ及びその製造方法 |
JP2007042741A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
US20090246929A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Emag Technologies, Inc. | Membrane suspended mems structures |
US20100019872A1 (en) * | 2006-06-09 | 2010-01-28 | Bozler Carl O | Wide band and radio frequency waveguide and hybrid integration in a silicon package |
JP2010225431A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 伝送線路 |
WO2011074099A1 (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | トヨタ自動車株式会社 | 角速度検出装置 |
JP2011243363A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 配線構造を備えた構造体およびmemsリレー |
JP2014205235A (ja) * | 2014-06-02 | 2014-10-30 | 国立大学法人東北大学 | 機能デバイス |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6184463B1 (en) | 1998-04-13 | 2001-02-06 | Harris Corporation | Integrated circuit package for flip chip |
US6627999B2 (en) | 2000-08-31 | 2003-09-30 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip with matched signal lines, ground plane and ground bumps adjacent signal bumps |
US6621387B1 (en) * | 2001-02-23 | 2003-09-16 | Analatom Incorporated | Micro-electro-mechanical systems switch |
EP1251577B1 (en) | 2001-04-19 | 2007-04-25 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Fabrication of integrated tunable/switchable passive microwave and millimeter wave modules |
US6815739B2 (en) * | 2001-05-18 | 2004-11-09 | Corporation For National Research Initiatives | Radio frequency microelectromechanical systems (MEMS) devices on low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates |
US6426687B1 (en) * | 2001-05-22 | 2002-07-30 | The Aerospace Corporation | RF MEMS switch |
US6808955B2 (en) * | 2001-11-02 | 2004-10-26 | Intel Corporation | Method of fabricating an integrated circuit that seals a MEMS device within a cavity |
JP3818176B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2006-09-06 | 株式会社村田製作所 | Rfmems素子 |
US6909589B2 (en) * | 2002-11-20 | 2005-06-21 | Corporation For National Research Initiatives | MEMS-based variable capacitor |
US6936918B2 (en) * | 2003-12-15 | 2005-08-30 | Analog Devices, Inc. | MEMS device with conductive path through substrate |
US20050224942A1 (en) | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Fan Ho | Semiconductor device with a plurality of ground planes |
US7960804B1 (en) * | 2004-05-24 | 2011-06-14 | The United States of America as respresented by the Secretary of the Air Force | Latching zip-mode actuated mono wafer MEMS switch |
CN101454873B (zh) | 2006-05-24 | 2010-09-22 | 恩吉迈特公司 | 具有改进的接地结构的射频装置 |
WO2008018870A1 (en) | 2006-08-09 | 2008-02-14 | Geomat Insights, Llc | Integral charge storage basement and wideband embedded decoupling structure for integrated circuit |
US7674646B2 (en) | 2006-11-07 | 2010-03-09 | Freescale Semiconductor, Inc. | Three dimensional integrated passive device and method of fabrication |
US7893798B2 (en) | 2007-05-09 | 2011-02-22 | Innovative Micro Technology | Dual substrate MEMS plate switch and method of manufacture |
US7662669B2 (en) | 2007-07-24 | 2010-02-16 | Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp. | Method of exposing circuit lateral interconnect contacts by wafer saw |
US7956302B1 (en) | 2008-01-16 | 2011-06-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Hermetically packaged MEMS G-switch |
US8115283B1 (en) | 2009-07-14 | 2012-02-14 | Amkor Technology, Inc. | Reversible top/bottom MEMS package |
KR20110062583A (ko) * | 2009-12-03 | 2011-06-10 | 주식회사 엠에스솔루션 | 고주파용 정전형 스위치 및 그 제조 방법 |
US8866291B2 (en) | 2012-02-10 | 2014-10-21 | Raytheon Company | Flip-chip mounted microstrip monolithic microwave integrated circuits (MMICs) |
JP6294024B2 (ja) | 2013-07-30 | 2018-03-14 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびこれを用いた実装構造体 |
US9570783B1 (en) * | 2015-08-28 | 2017-02-14 | General Electric Company | Radio frequency micro-electromechanical systems having inverted microstrip transmission lines and method of making the same |
-
2015
- 2015-08-28 US US14/839,402 patent/US9570783B1/en active Active
-
2016
- 2016-07-18 EP EP16751390.2A patent/EP3341996B1/en active Active
- 2016-07-18 JP JP2018510069A patent/JP6863965B2/ja active Active
- 2016-07-18 WO PCT/US2016/042706 patent/WO2017039851A1/en active Application Filing
- 2016-08-15 TW TW105125938A patent/TWI654793B/zh active
-
2017
- 2017-02-10 US US15/429,227 patent/US9806390B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004517741A (ja) * | 2001-01-10 | 2004-06-17 | レイセオン・カンパニー | ウエハーレベルでの相互接続物及びその作製方法 |
JP2007027126A (ja) * | 2005-07-18 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Memsスイッチ及びその製造方法 |
JP2007042741A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
US20100019872A1 (en) * | 2006-06-09 | 2010-01-28 | Bozler Carl O | Wide band and radio frequency waveguide and hybrid integration in a silicon package |
US20090246929A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Emag Technologies, Inc. | Membrane suspended mems structures |
JP2010225431A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 伝送線路 |
WO2011074099A1 (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | トヨタ自動車株式会社 | 角速度検出装置 |
JP2011243363A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 配線構造を備えた構造体およびmemsリレー |
JP2014205235A (ja) * | 2014-06-02 | 2014-10-30 | 国立大学法人東北大学 | 機能デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI654793B (zh) | 2019-03-21 |
WO2017039851A1 (en) | 2017-03-09 |
US9570783B1 (en) | 2017-02-14 |
US20170062890A1 (en) | 2017-03-02 |
EP3341996A1 (en) | 2018-07-04 |
US20170155179A1 (en) | 2017-06-01 |
US9806390B2 (en) | 2017-10-31 |
JP6863965B2 (ja) | 2021-04-21 |
TW201725779A (zh) | 2017-07-16 |
EP3341996B1 (en) | 2021-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6863965B2 (ja) | 反転させたマイクロストリップ伝送線路を有するrf微小電子機械システムおよび作製方法 | |
JP6868006B2 (ja) | 反転させたマイクロストリップ伝送線路を有する無線周波数微小電気機械システムおよびその製造方法 | |
US20180048285A1 (en) | Resonator device | |
JPH04256203A (ja) | マイクロ波帯ic用パッケージ | |
CN104115395A (zh) | 表面安装型压电振荡器 | |
JP4741621B2 (ja) | 電子部品封止用基板およびそれを用いた電子装置、並びに電子装置の製造方法 | |
JP4126459B2 (ja) | 電子部品封止用基板およびそれを用いた電子装置、並びに電子装置の製造方法 | |
JP4761713B2 (ja) | 電子部品封止用基板および多数個取り用電子部品封止用基板ならびに電子装置の製造方法 | |
JP3601462B2 (ja) | 電子部品のパッケージ構造 | |
CN109494212A (zh) | 电子部件 | |
JP4116954B2 (ja) | 電子部品封止用基板およびそれを用いた電子装置 | |
JP2014195133A (ja) | 圧電発振器 | |
JP6341662B2 (ja) | 圧電発振器及び圧電発振器の製造方法 | |
US10573478B2 (en) | Electronic component | |
JP3671907B2 (ja) | 封止構造、開閉器、パッケージ、計測装置及び無線機 | |
JP2006185968A (ja) | 電子装置 | |
JP2010225431A (ja) | 伝送線路 | |
JP2022086505A (ja) | 圧電共振デバイス | |
JP2005260099A (ja) | 半導体デバイスの気密封止構造 | |
JP5152062B2 (ja) | 電気部品およびその製造方法、並びにマイクロスイッチデバイス | |
WO2006103475A1 (en) | Guided electromagnetic wave filter device | |
JP2018148505A (ja) | 圧電振動片及び圧電振動子 | |
JP2003218601A (ja) | 高周波用配線基板 | |
WO2010110315A1 (ja) | 伝送線路 | |
JP2011217406A (ja) | 圧電振動片 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190708 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20190708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210317 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6863965 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |