JP2018524808A - ハライドシラン化合物及び組成物並びにそれを使用してケイ素含有膜を堆積するためのプロセス - Google Patents
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Abstract
Description
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.(例えば、ハライドシラン前駆体を化学的に吸収するのに十分な条件下で、)モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、モノヨードトリシラン(MITS)、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるハライドシラン前駆体に、基材を接触させる工程と、
c.未反応のハライドシラン前駆体をパージする工程と、
d.吸収したハライドシラン前駆体を有する基材を窒素含有源に接触させて、Si−N−Si結合を形成する工程と、
e.未反応の窒素含有源をパージする工程とを含み、
方法がプラズマ又は熱堆積プロセスであり、窒化ケイ素膜の所望の厚さが得られるまで方法の工程b〜eが繰り返される方法が提供される。幾つかの実施形態において、窒素含有源は、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、有機アミン、有機ジアミン、アンモニアプラズマ、窒素/アルゴンプラズマ、窒素/ヘリウムプラズマ、水素/窒素プラズマ、有機アミンプラズマ、有機ジアミンプラズマ、及びそれらの組み合わせを含む。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.(例えば、ハライドシラン前駆体を化学的に吸収するのに十分な条件下で、)モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、モノヨードトリシラン(MITS)、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるハライドシラン前駆体に、基材を接触させる工程と、
c.未反応のハライドシラン前駆体をパージする工程と、
d.吸収したハライドシラン前駆体を有する基材を酸素含有源に接触させて、Si−O−Si結合を形成する工程と、
e.未反応の酸素含有源をパージする工程とを含み、
方法がプラズマ又は熱堆積プロセスであり、酸化ケイ素膜の所望の厚さが得られるまで方法の工程b〜eが繰り返される方法が提供される。幾つかの実施形態において、酸素含有源は、オゾン、水(H2O)(例えば、脱イオン化水、精製水、及び/又は蒸留水)、酸素(O2)、酸素プラズマ、NO、N2O、NO2、一酸化炭素(CO)、二酸化炭素(CO2)、及びそれらの組み合わせを含む。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.(例えば、ハライドシラン前駆体を化学的に吸収するのに十分な条件下で、)モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、モノヨードトリシラン(MITS)、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるハライドシラン前駆体に、基材を接触させる工程と、
c.未反応のハライドシラン前駆体をパージする工程と、
d.任意選択で、吸収したハライドシラン前駆体を有する基材を水素含有源に接触させて、ケイ素膜を形成する工程と、
e.反応副産物をパージする工程とを含み、
方法がプラズマ又は熱堆積プロセスであり、非晶質ケイ素膜の所望の厚さが得られるまで方法の工程b〜eが繰り返される方法が提供される。幾つかの実施形態において、水素含有源は、水素プラズマ、アルゴンプラズマ、ヘリウムプラズマ、キセノンプラズマ、及びそれらの混合物を含むプラズマ源である。他の実施形態において、水素含有源は、水素、水素/ヘリウム、水素/アルゴン、塩化水素、水素/塩化水素、及びそれらの混合物からなる群より選択される。
(a)機械研磨から生じた表面、
(b)電解研磨から生じた表面、
(c)有機分子の疎水性保護層の形成から生じた表面、
(d)ステンレス鋼の内面を提供することから生じた表面、
(e)アルミニウムの内面を提供することから生じた表面、
(f)ニッケルの内面を提供することから生じた表面、
(g)ポリマーコーティングから生じた表面、
(h)酸化ケイ素コーティングを有する表面、
(i)金属に分子結合した結晶性炭素層を有する表面、
(j)金属フッ化物の不動態層を有する表面、
(k)シランへの暴露により金属に結合したシランの不動態層を有する表面、
(l)不活性化ヒドロキシル基を有する表面
からなる群より選択され、ハライドシラン前駆体化合物の容積が、モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、及びモノヨードトリシラン(MITS)からなる群より選択される容器が提供される。容器の内面を改質するための方法は、米国特許8590705で開示され、これは参照することにより組み込まれる。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、モノヨードトリシラン(MITS)、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるハライドシラン前駆体に、基材を接触させて、ハライドシラン前駆体を化学的に吸収させる工程と、
c.未反応のハライドシラン前駆体をパージする工程と、
d.吸収したハライドシラン前駆体を有する基材を窒素含有源に接触させて、Si−N−Si結合を形成する工程と、
e.未反応の窒素含有源をパージする工程とを含み、
方法がプラズマ又は熱堆積プロセスであり、窒化ケイ素膜の所望の厚さが得られるまで方法の工程b〜eが繰り返される方法が提供される。幾つかの実施形態において、窒素含有源は、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、有機アミン、有機ジアミン、アンモニアプラズマ、窒素/アルゴンプラズマ、窒素/ヘリウムプラズマ、水素/窒素プラズマ、有機アミンプラズマ、有機ジアミンプラズマ、及びそれらの組み合わせを含む。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、モノヨードトリシラン(MITS)、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるハライドシラン前駆体に基材を接触させて、ハライドシラン前駆体を化学的に吸収させる工程と、
c.未反応のハライドシラン前駆体をパージする工程と、
d.吸収したハライドシラン前駆体を有する基材を酸素含有源に接触させて、Si−O−Si結合を形成する工程と、
e.未反応の酸素含有源をパージする工程とを含み、
方法がプラズマ又は熱堆積プロセスであり、酸化ケイ素膜の所望の厚さが得られるまで方法の工程b〜eが繰り返される方法が提供される。幾つかの実施形態において、酸素含有源は、オゾン、水(H2O)(例えば、脱イオン化水、精製水、及び/又は蒸留水)、酸素(O2)、酸素プラズマ、NO、N2O、NO2、一酸化炭素(CO)、二酸化炭素(CO2)、及びそれらの組み合わせを含む。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、モノヨードトリシラン(MITS)、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるハライドシラン前駆体に基材を接触させて、ハライドシラン前駆体を化学的に吸収させる工程と、
c.未反応のハライドシラン前駆体をパージする工程と、
d.任意選択で、吸収したハライドシラン前駆体を有する基材を水素含有源に接触させて、ケイ素膜を形成する工程と、
e.反応副産物をパージする工程とを含み、
方法がプラズマ又は熱堆積プロセスであり、ケイ素膜の所望の厚さが得られるまで方法の工程b〜eが繰り返される方法が提供される。幾つかの実施形態において、水素含有源は、水素プラズマ、水素/アルゴンプラズマ、水素/ヘリウムプラズマ、水素、水素/ヘリウム、水素/アルゴン、水素/塩化水素、塩化水素、及びそれらの混合物を含む。
a.基材を金属含有前駆体に接触させて、金属含有前駆体を化学的に吸収させる工程と、
b.未反応の金属含有前駆体をパージする工程と、
c.吸収した金属含有前駆体を有する基材を窒素含有源と接触させて、金属−NH又は金属−NH2を形成する工程と、
d.未反応の窒素含有源をパージする工程と、
e.ハライドシラン前駆体を導入して、ケイ素含有前駆体を化学的に吸収させる工程と、
f.未反応のハライドシラン前駆体をパージする工程と、
g.吸収したハライドシラン前駆体を有する基材を窒素含有源と接触させて、Si−N−Si結合を形成する工程と、
h.未反応の窒素含有源をパージする工程と
を含み、堆積プロセスはプラズマ又は熱プロセスであり、膜の所望の厚さに達するまで方法の工程a〜hが繰り返される。窒素含有源は、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、有機アミン、有機ジアミン、アンモニアプラズマ、窒素/アルゴンプラズマ、窒素/ヘリウムプラズマ、水素/窒素プラズマ及びそれらの組み合わせを含む。幾つかの実施形態において、工程eの前に工程a〜dを複数回繰り返して、金属ドープ窒化ケイ素を含むナノラミネート構造を作ることができる。この又は別の実施形態において、工程e〜hを複数回繰り返して、金属ドープ窒化ケイ素を含むナノラミネート構造を作る。1つの特定の実施形態において、アルミニウム含有前駆体、例えば、AlCl3、トリメチルアルミニウム(TMA)又はトリス(ジメチルアミノ)アルミニウム(TDMAA)は、金属含有前駆体として使用することができ、それは、AlCl3、TMA又はTDMAAが表面上のNH又はNH2に対してより反応的になるため、10nm以下の小さな特徴サイズでコンフォーマルな窒化ケイ素膜を堆積するのを助けることができ、また、表面上のNH又はNH2とSi−Hとの間の反応に触媒作用を及ぼし、半加工の半導体基材中のトレンチ又はビアの頂部、側壁及び底部のコンフォーマルな堆積を提供することができる。本明細書で使用される場合、コンフォーマルな堆積とは、特徴部の底部の厚さを特徴部の頂部の厚さで割った割合(%)である底部段差被覆率、及び特徴部の側壁の厚さを特徴部の頂部の厚さで割った割合(%)である中央部段差被覆率を用いて、ビア若しくはトレンチのいずれか又は両方を有する構造化した又は特徴化した基材における、堆積した金属ドープ窒化ケイ素誘電体膜の2つの厚さの割合として規定される。本明細書で説明される方法を使用して堆積された膜は、膜がコンフォーマルであることを示す約60%以上、約70%以上、約80%以上、又は約90%以上の段差被覆率を示す。
a.基材を金属含有前駆体と接触させて、金属含有前駆体を化学的に吸収させる工程と、
b.未反応の金属含有前駆体をパージする工程と、
c.化学的に吸収した金属含有前駆体を有する基材をハライドシラン前駆体と接触させて、ハライドシラン前駆体を化学的に吸収させる工程と、
d.未反応のハライドシラン前駆体をパージする工程と、
e.吸収した金属含有前駆体及び吸収したハライドシラン前駆体を有する基材を窒素含有源と接触させて、Si−N−Si及び金属−N−Si結合を形成する工程と、
f.未吸収の窒素含有源をパージする工程と
を含み、プロセスは、プラズマ又は熱プロセスであり、膜の所望の厚さに達するまで工程a〜fが繰り返されるプロセスである。幾つかの実施形態において、ハライドシラン前駆体は、金属含有前駆体の前に導入することができる。窒素含有源は、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、有機アミン、有機ジアミン、アンモニアプラズマ、窒素/アルゴンプラズマ、窒素/ヘリウムプラズマ、又は水素/窒素プラズマ、及びそれらの組み合わせを含む。
(a)機械研磨から生じた表面、
(b)電解研磨から生じた表面、
(c)有機分子の疎水性保護層の形成から生じた表面、
(d)ステンレス鋼の内面を提供することから生じた表面、
(e)アルミニウムの内面を提供することから生じた表面、
(f)ニッケルの内面を提供することから生じた表面、
(g)ポリマーコーティングから生じた表面、
(h)酸化ケイ素コーティングを有する表面、
(i)金属に分子結合した結晶性炭素層を有する表面、
(j)金属フッ化物の不動態層を有する表面、
(k)シランへの暴露により金属に結合したシランの不動態層を有する表面、
(l)不活性化ヒドロキシル基を有する表面
からなる群より選択される。
Si2H6+HCl→Si2H5Cl+H2(式1)
Si2H6+2HCl→Si2H4Cl2+2H2(式2)
この又は他の実施形態において、フローシステムにおいて反応ガス混合物と触媒との間の接触時間を最適化して、前駆体の消費を最大化し、並びに副産物の形成を最小化することで、本明細書で説明されるプロセスを高い選択性及び収率で連続的に行うことができる。以下の条件:HCl/ジシランの供給比、ガス−触媒の接触(滞留時間)、触媒の消費(例えば、サイズ、多孔度、担持及び事前処理手順)、温度及び圧力のうち1つ又は複数を変化させることで、最終生成物の消費及び収率を最適化することができる。
1”の内径を持つ管状反応器を、12”床のペレット化したゼオライトH−ZSM−5(ゼオライトZSM−5 H−ZSM−5(Si/Al=25)の酸形態)で充填した。触媒床を、減少した濃度のステンレス鋼ショット(2mm直径)で4つの領域に充填した。触媒床の前面端部から3つの領域でのステンレス鋼ショット/触媒比は3:1、2:1、1:1であった。第4領域を未希釈の触媒で充填した。触媒を窒素流下で8時間かけて250度に加熱して、触媒を脱水した。反応器にHClを追加する前に、ジシラン(50sccm)及びヘリウム(50sccm)流を開始した。一連の実験からのデータを表1にまとめた。反応器中の圧力は、全ての実験でおよそ1気圧であった。第2欄の温度は、反応器の外面温度(℃)に対応する。領域1〜3と表した欄のデータは、3つの位置、触媒床の前面端部の領域1、触媒床の中心部の領域2、及び触媒床の最後の領域3における触媒床で測定した温度(℃)である。ガス流を、標準立法センチメートル毎分(sccm)で測定した。報告された変換率は、モノクロロジシラン又はより高度に塩素化したジシランに変換したジシランの割合である。選択性は、モノクロロジシランを含む塩素化したジシランの割合として規定される。計算された収率は、変換率に選択性を掛けた値である。
1”の内径を持つ管状反応器を12”床のゼオライトHY(ゼオライトYの酸性型)で充填した。触媒を窒素流下で8時間かけて250℃に加熱して、触媒を脱水した。反応器にHClを追加する前に、ジシラン流(50sccm)及びヘリウム流(50sccm)を開始した。一連の実験からのデータを表2にまとめた。反応器中の圧力はすべての実験でおよそ1気圧であった。第2欄の温度は反応器の外面温度(℃)に対応する。領域1〜3と表した欄のデータは、3つの位置、触媒床の前面端部の領域1、触媒床の中心部の領域2、及び触媒床の最後の領域3における触媒床で測定した温度(℃)である。ジシラン及びHClのガス流は25〜150sccmで変化させた。ヘリウム流は様々な実験において0〜100sccmで変化させた。報告された変換率は、モノクロロジシラン又はより高度に塩素化したジシランに変換したジシランの割合である。選択性は、モノクロロジシランを含む塩素化したジシランの割合として規定される。計算された収率は、変換率に選択性を掛けた値である。
周期的に200mmDXLチャンバー中でApplied Materals Precision5000システムを用いて実験を行い、ALDプロセスをシミュレーションした。PECVDチャンバーは、直接液体噴射(DLI)輸送能力及び蒸気ドロー(vapor draw)輸送システムを備えていた。以下の例において、前駆体の沸点に依存する温度を用いて、化学品を蒸気ドローシステムにより輸送した。堆積条件は以下:約10〜約100標準立法センチメートル毎分(sccm)の範囲の典型的な前駆体蒸気流量;約0.75〜約3.5ワット/平方センチメートル(W/cm2)の範囲のプラズマ電力密度;及び約0.75〜約15Torrの範囲の圧力であった。632nmでの厚さ及び反射率(RI)を、反射率計(SCI−2000)及びエリプソメーター(J.A.Woolam M2000UI)により測定した。典型的な膜厚は10〜200nmであった。ケイ素系膜の水素含有物(Si−H、C−H及びN−H)の結合特性を、Nicoletの透過型フーリエ変換赤外分光光度計(FTIR)ツールで測定及び分析した。X線反射率法(XRR)を使用して全ての密度測定を行った。X線光電子分光計(XPS)及び二次イオン質量分析(SIMS)分析を行い、膜の元素組成を決定した。水銀プローブを誘電率、漏れ電流及び破壊電界を含む電気特性に適合させた。ウェットエッチ速度(WER)は1:100希釈HFで測定した。
プラズマ原子層堆積(PEALD)型プロセスを、例3と同一のパラメータを用いて、250℃で、P−5000DXLチャンバーで行った。堆積速度は2.20Å/サイクルであり、反射率は1.75〜1.76であった。膜密度は2.36g/cm3であった。断面のSEMはまた、250℃のPEALD窒化物は良好な段差被覆率を提供することを示している。膜被覆率は、側壁上で80%超であった。
熱原子層堆積(ALD)型プロセスを、P−5000DXLチャンバーで行った。この実験では、MCDSを20sccmの流量で20秒間流し、その後に浸漬工程及びパージ/ポンピング工程を行った。プロセスを35サイクルまで繰り返した。プロセスのエハの温度は500℃であった。
ALDプロセスを、390℃で、P−5000DXLチャンバーで319サイクル行った。100nmの膜をケイ素基材上に堆積した。ラマンスペクトルの479nm-1でのピークは、非晶質ケイ素膜の存在を示している。断面画像は、頂部の堆積が大きく減少したことを示す。膜は極めて低いRMS粗さ、すなわち0.2〜0.4nmを有していた。XPSプロファイリング試験では、膜内に塩化物信号は検出されず、これは、純粋な非晶質ケイ素膜の形成を示している。
Claims (20)
- 化学気相堆積プロセス及び原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスにより、基材の少なくとも1つの表面上に窒化ケイ素又は炭窒化ケイ素の膜を形成するための方法であって、
反応器中に前記基材の少なくとも1つの表面を提供する工程と、
モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、及びモノヨードトリシラン(MITS)からなる群から少なくとも1つのハライドシラン前駆体を導入する工程と、
前記反応器中に窒素含有源を導入する工程と
を含み、前記少なくとも1つのケイ素含有前駆体と前記窒素含有源とが反応して、前記少なくとも1つの表面上に窒化ケイ素を形成する、方法。 - 前記窒素含有源が、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、有機アミン、有機ジアミン、アンモニアプラズマ、ヒドラジンプラズマ、窒素プラズマ、窒素/水素プラズマ、有機アミンプラズマ、有機ジアミンプラズマ、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマがその場で生成される、請求項2に記載の方法。
- 前記プラズマが遠隔で生成される、請求項2に記載の方法。
- 前記窒化ケイ素の膜が、窒化ケイ素及び炭窒化ケイ素からなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 金属含有前駆体を前記反応器中に導入して、金属ドープ窒化ケイ素の膜を堆積することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記金属含有前駆体が、塩化アルミニウム(AlCl3)、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム、トリス(ジエチルアミノ)アルミニウム、塩化ホウ素(BCl3)、トリメチルボラン、トリメチルボロン、トリエチルボラン、トリス(ジメチルアミノ)ボラン、トリス(ジエチルアミノ)ボラン、塩化ガリウム(GaCl3)、トリメチルガリウム、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリス(ジメチルアミノ)ガリウム、トリス(ジエチルアミノ)ガリウムからなる群より選択される、請求項6に記載の方法。
- モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、及びモノヨードトリシラン(MITS)からなる群より選択されるハライドシラン化合物を調製するための方法であって、
ジシラン又はトリシランからなる群より選択されるポリシランと、塩化水素及び臭化水素からなる群より選択されるハロゲン化水素との反応混合物を提供する工程と、
前記ハライドシランの最終生成物を提供するための温度及び時間で、前記反応混合物を触媒と接触させる工程と
を含み、前記触媒が、分子篩、AlCl3を含むシリカ担持体、AlnCl(3n+1)(n≧1)を含むイオン性液体、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも1つを含む、方法。 - 化学気相堆積プロセス及び原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスにより、基材の少なくとも1つの表面上にケイ素膜を形成するための方法であって、
反応器中に前記基材の少なくとも1つの表面を提供する工程と、
モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、及びモノヨードトリシラン(MITS)からなる群から選択される少なくとも1つの要素を含む少なくとも1つのハライドシラン前駆体を導入する工程と、
任意選択で、前記反応器中に水素含有源を導入する工程と
を含み、前記少なくとも1つのケイ素含有前駆体と前記水素含有源とが反応して、前記少なくとも1つの表面上にケイ素膜を形成する、方法。 - 前記水素含有源が、水素プラズマ、水素/アルゴンプラズマ、水素/ヘリウムプラズマ、水素、水素/アルゴン、水素/ヘリウム、水素/塩化水素、塩化水素、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項9に記載の方法。
- 前記プラズマがその場で生成される、請求項9に記載の方法。
- 前記プラズマが遠隔で生成される、請求項9に記載の方法。
- 前記ケイ素膜が、非晶質ケイ素、多結晶ケイ素、微結晶ケイ素、ホウ素ドープケイ素、ゲルマニウムドープケイ素からなる群より選択される、請求項9に記載の方法。
- ハライドシラン前駆体化合物の容積を含み、安定条件で前記ハライドシラン前駆体化合物を収容することができる内面の改質を有する容器であって、前記内面が、
(a)機械研磨から生じた表面、
(b)電解研磨から生じた表面、
(c)有機分子の疎水性保護層の形成から生じた表面、
(d)ステンレス鋼の内面を提供することから生じた表面、
(e)アルミニウムの内面を提供することから生じた表面、
(f)ニッケルの内面を提供することから生じた表面、
(g)ポリマーコーティングから生じた表面、
(h)酸化ケイ素コーティングを有する表面、
(i)金属に分子結合した結晶性炭素層を有する表面、
(j)金属フッ化物の不動態層を有する表面、
(k)シランへの曝露により金属に結合したシランの不動態層を有する表面、
(l)不活性化ヒドロキシル基を有する表面
からなる群より選択され、前記ハライドシラン前駆体化合物の容積が、モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、及びモノヨードトリシラン(MITS)からなる群から選択される、容器。 - モノクロロジシラン(MCDS)、モノブロモジシラン(MBDS)、モノヨードジシラン(MIDS)、モノクロロトリシラン(MCTS)、モノブロモトリシラン(MBTS)、及びモノヨードトリシラン(MITS)を含み、かつ、ハライドイオン、ハロゲン化水素、又はそれらの組み合わせからなる少なくとも1つの不純物を実質的に含まない、組成物。
- 前記ハロゲン化水素を含む少なくとも1つの不純物を実質的に含まないモノクロロジシラン(MCDS)である、請求項15に記載の組成物。
- 前記組成物がモノクロロジシラン(MCDS)であり、前記ハロゲン化水素が塩化水素である、請求項15に記載の組成物。
- 前記分子篩が、ゼオライトH−ZSM−5及びゼオライトH−Yからなる群より選択される少なくとも1つの要素を含む、請求項8に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法に関連して形成された、基材上の窒化ケイ素膜。
- 請求項9に記載の方法に関連して形成された、基材上のケイ素膜。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2020071175A1 (ja) | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 株式会社Adeka | 原子層堆積法用薄膜形成用原料、薄膜形成用原料、薄膜の製造方法および化合物 |
JP2022543382A (ja) * | 2019-08-08 | 2022-10-12 | シュミット シリコン テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | シリコン含有材料を製造するための方法及び装置 |
JP7399964B2 (ja) | 2018-12-13 | 2023-12-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | リンをドープされた窒化ケイ素膜の堆積方法 |
WO2024070858A1 (ja) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
Families Citing this family (11)
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US10867788B2 (en) * | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10242866B2 (en) * | 2017-03-08 | 2019-03-26 | Lam Research Corporation | Selective deposition of silicon nitride on silicon oxide using catalytic control |
US10867859B2 (en) * | 2017-11-17 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods of fabricating semiconductor devices having isolation structures with liners |
JP6787875B2 (ja) * | 2017-12-20 | 2020-11-18 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
US10483099B1 (en) * | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US20210395896A1 (en) * | 2018-09-28 | 2021-12-23 | Corning Incorporated | Methods for sub-austenite transformation temperture deposition of inorganic particles and articles produced by the same |
KR102671466B1 (ko) * | 2018-11-13 | 2024-06-03 | 주성엔지니어링(주) | 저온 결정질 실리콘 형성방법 |
JP7246284B2 (ja) * | 2019-08-15 | 2023-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
CN112802737A (zh) * | 2019-11-13 | 2021-05-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理方法和基片处理装置 |
WO2023133075A1 (en) * | 2022-01-07 | 2023-07-13 | Lam Research Corporation | Silicon nitride deposition |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050145177A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Mcswiney Michael | Method and apparatus for low temperature silicon nitride deposition |
JP2005534181A (ja) * | 2002-07-19 | 2005-11-10 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 超高品質シリコン含有化合物層の形成方法 |
JP2006515955A (ja) * | 2002-10-18 | 2006-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積 |
JP2009260151A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Ltd | 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体 |
JP2013100262A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-05-23 | Air Products & Chemicals Inc | ハロゲン化オルガノアミノシラン前駆体及びそれを含む膜の堆積方法 |
JP2014179607A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Asm Ip Holding B V | 低温でのSiNの蒸着用Si前駆体 |
JP2014532304A (ja) * | 2011-09-23 | 2014-12-04 | ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドNovellus Systems Incorporated | プラズマ活性化されるコンフォーマル誘電体膜 |
JP2015054853A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社Adeka | 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
JP2015097255A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置 |
JP2015096489A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-05-21 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 有機アミノシラン前駆体およびこれを含む膜の堆積方法 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6014248A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真用感光体 |
US6313035B1 (en) * | 1996-05-31 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition using organometallic precursors |
KR20010032764A (ko) * | 1997-12-02 | 2001-04-25 | 베리 아이클스 | 아이오도사일렌 전구체로부터 형성된 실리콘계 필름과 그제조방법 |
US7531679B2 (en) * | 2002-11-14 | 2009-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride |
US20050181633A1 (en) * | 2004-02-17 | 2005-08-18 | Hochberg Arthur K. | Precursors for depositing silicon-containing films and processes thereof |
US20050287747A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | International Business Machines Corporation | Doped nitride film, doped oxide film and other doped films |
JP4179311B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2008-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
US20080026149A1 (en) | 2006-05-31 | 2008-01-31 | Asm America, Inc. | Methods and systems for selectively depositing si-containing films using chloropolysilanes |
US7775508B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor |
DE102007050573A1 (de) | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Evonik Degussa Gmbh | Großgebinde zur Handhabung und für den Transport von hochreinen und ultra hochreinen Chemikalien |
US7939447B2 (en) * | 2007-10-26 | 2011-05-10 | Asm America, Inc. | Inhibitors for selective deposition of silicon containing films |
US7772097B2 (en) * | 2007-11-05 | 2010-08-10 | Asm America, Inc. | Methods of selectively depositing silicon-containing films |
US8298628B2 (en) * | 2008-06-02 | 2012-10-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature deposition of silicon-containing films |
US20100119734A1 (en) | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Applied Materials, Inc. | Laminar flow in a precursor source canister |
US8168123B2 (en) * | 2009-02-26 | 2012-05-01 | Siliken Chemicals, S.L. | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon |
US8206676B2 (en) * | 2009-04-15 | 2012-06-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for making a chlorosilane |
US8535760B2 (en) * | 2009-09-11 | 2013-09-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Additives to silane for thin film silicon photovoltaic devices |
US8367528B2 (en) * | 2009-11-17 | 2013-02-05 | Asm America, Inc. | Cyclical epitaxial deposition and etch |
JP2011108921A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
US8590705B2 (en) | 2010-06-11 | 2013-11-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cylinder surface treated container for monochlorosilane |
DE202012013052U1 (de) * | 2011-02-23 | 2014-09-29 | Schott Ag | Saphirglas-Scheibe mit Antireflexionsbeschichtung sowie deren Verwendung |
US9337018B2 (en) * | 2012-06-01 | 2016-05-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors |
US9299956B2 (en) * | 2012-06-13 | 2016-03-29 | Aixtron, Inc. | Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices |
JP2015528011A (ja) * | 2012-07-20 | 2015-09-24 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | Ald/cvdシリコン含有膜用のオルガノシラン前駆体 |
WO2014105557A1 (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | First Solar, Inc. | Method and system for in-line real-time measurements of layers of multilayered front contacts of photovoltaic devices and calculation of opto-electronic properties and layer thicknesses thereof |
US20140273531A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Asm Ip Holding B.V. | Si PRECURSORS FOR DEPOSITION OF SiN AT LOW TEMPERATURES |
US9796739B2 (en) * | 2013-06-26 | 2017-10-24 | Versum Materials Us, Llc | AZA-polysilane precursors and methods for depositing films comprising same |
US20150125628A1 (en) * | 2013-11-06 | 2015-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film |
US10023958B2 (en) | 2013-11-22 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of films comprising silicon, carbon and nitrogen using halogenated silicon precursors |
US9233990B2 (en) * | 2014-02-28 | 2016-01-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilanes and methods for making same |
US9777025B2 (en) * | 2015-03-30 | 2017-10-03 | L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
JP6529348B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2019-06-12 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6959147B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2021-11-02 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | ハライドシラン化合物及び組成物並びにそれを使用してケイ素含有膜を堆積するためのプロセス |
KR20180032678A (ko) * | 2015-08-21 | 2018-03-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고온 열적 ald 실리콘 질화물 막들 |
US10283348B2 (en) * | 2016-01-20 | 2019-05-07 | Versum Materials Us, Llc | High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films |
JP6942188B2 (ja) * | 2017-01-13 | 2021-09-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 低温窒化ケイ素膜のための方法及び装置 |
JP7061432B2 (ja) * | 2017-02-16 | 2022-04-28 | レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | Si含有膜の成膜方法 |
KR102541454B1 (ko) * | 2018-04-26 | 2023-06-09 | 삼성전자주식회사 | 저유전막의 형성 방법, 및 반도체 소자의 형성방법 |
US11572620B2 (en) * | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
KR20210094694A (ko) * | 2020-01-21 | 2021-07-30 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치, 물질막 증착 장치, 및 상압 화학 기상 증착 장치 |
-
2016
- 2016-06-14 JP JP2017564891A patent/JP6959147B2/ja active Active
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-
2022
- 2022-01-27 US US17/586,497 patent/US11913112B2/en active Active
-
2024
- 2024-02-20 US US18/582,396 patent/US20240191346A1/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005534181A (ja) * | 2002-07-19 | 2005-11-10 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 超高品質シリコン含有化合物層の形成方法 |
JP2006515955A (ja) * | 2002-10-18 | 2006-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積 |
US20050145177A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Mcswiney Michael | Method and apparatus for low temperature silicon nitride deposition |
JP2009260151A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Ltd | 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体 |
JP2014532304A (ja) * | 2011-09-23 | 2014-12-04 | ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドNovellus Systems Incorporated | プラズマ活性化されるコンフォーマル誘電体膜 |
JP2013100262A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-05-23 | Air Products & Chemicals Inc | ハロゲン化オルガノアミノシラン前駆体及びそれを含む膜の堆積方法 |
JP2014179607A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Asm Ip Holding B V | 低温でのSiNの蒸着用Si前駆体 |
JP2015054853A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社Adeka | 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
JP2015096489A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-05-21 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 有機アミノシラン前駆体およびこれを含む膜の堆積方法 |
JP2015097255A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020071175A1 (ja) | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 株式会社Adeka | 原子層堆積法用薄膜形成用原料、薄膜形成用原料、薄膜の製造方法および化合物 |
KR20210070318A (ko) | 2018-10-04 | 2021-06-14 | 가부시키가이샤 아데카 | 원자층 퇴적법용 박막 형성용 원료, 박막 형성용 원료, 박막의 제조 방법 및 화합물 |
US11555044B2 (en) | 2018-10-04 | 2023-01-17 | Adeka Corporation | Thin-film forming raw material for use in atomic layer deposition method, thin-film forming raw material, method for producing thin-film, and compound |
JP7399964B2 (ja) | 2018-12-13 | 2023-12-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | リンをドープされた窒化ケイ素膜の堆積方法 |
JP2022543382A (ja) * | 2019-08-08 | 2022-10-12 | シュミット シリコン テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | シリコン含有材料を製造するための方法及び装置 |
JP7377949B2 (ja) | 2019-08-08 | 2023-11-10 | シュミット シリコン テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | シリコン含有材料を製造するための方法及び装置 |
WO2024070858A1 (ja) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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