JP2018512573A - 光を検出するための装置のダイナミックレンジを改善するための方法 - Google Patents

光を検出するための装置のダイナミックレンジを改善するための方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、少なくとも2つの検出領域(8、9)を用いる、とりわけ顕微鏡において使用するための、光を検出するための装置のダイナミックレンジを改善するための方法に関する。本方法においては、検出領域(8、9)が、それぞれ、複数の単一光子アバランシェダイオード(SPAD)から成る装置(アレイ)(4)から形成され、また検出領域(8、9)が、それぞれ、少なくとも1つの信号出力端(10、11)を有しており、また検出領域(8、9)それぞれに対して、特性曲線(12、13)が求められ、補正曲線(15)および/または補正率(17)を得るために特性曲線(12、13)が相互に組み合わされる、および/または、相互にオフセットされる。さらに本発明は、特に顕微鏡において使用するための、光を検出するための装置に関する。また本発明は、相応の装置に関する。

Description

本発明は、光を検出するための装置のダイナミックレンジを改善するための方法に関する。さらに本発明は、相応の装置に関する。また本発明は、相応の装置を備えている顕微鏡に関する。
本発明の主旨における光とは、シリコン光電子倍増管(SiPM:Silicon Photomultipliers)ないし単一光子アバランシェダイオード(SPAD:Single Photon Avalanche Diode)によって検出することができる、あらゆる電磁ビーム、特に可視光、赤外線光、紫外線光、X線ビームおよびガンマ線ビームを表している。したがって、本願明細書の枠内での光強度の概念は、ビーム強度の概念と同義である。一例であって限定を全く意図するものではないが、本発明をレーザ走査型顕微鏡に使用することができる。
光を検出するための装置および方法は、以前より実務から公知であり、また例えばレーザ走査型顕微鏡において使用されている。ここで、顕微鏡検査すべき試料の検出信号を検出する相応の装置は、画像品質にとって決定的に重要なものである。これは特に、(共焦点)蛍光顕微鏡、SHG顕微鏡またはラマン顕微鏡では一般的であるように、検出信号が比較的弱い場合に該当する。
光検出にとって、2つの特性量、つまり検出器ノイズと、量子収率、すなわち検出効率と、が特に重要である。ここで量子収率は、利用可能な電気信号を実際に生成する、検出器に入射する光の割合を表している。ノイズは、本来の検出信号に重畳された妨害成分である電子的なベース信号を表している。それら2つの特性量の比率、いわゆる信号対雑音比(SNR:Signal to Noise Ratio)は、光検出器の最も重要な特性量である。
実務では、以前より、光電子倍増管(PMT)が、レーザ走査型顕微鏡における主要な光検出器である。半導体を基礎とする検出器、例えばフォトダイオードに比べて、PMTでは量子収率が低い。しかしながらPMTは、ノイズが低いことから、非常に良好なSNRを提供する。さらに近年では、感光媒体としてGaAsP(ガリウムヒ素リン)層を用いる、改良されたヴァリエーションが使用されている。
さらにここ数年では、代替的に半導体検出器を蛍光顕微鏡において使用することが公知になっている。この場合、特に、単一光子アバランシェダイオード、いわゆるSPADが重要な役割を担う。SPADは、ガイガーモードで動作する。
この場合、降伏電圧を僅かに上回る阻止電圧がSPADに印加される。降伏電圧は数百ボルトになる。
このモードにおいては、吸収された光子が電子正孔対を形成し、この電子正孔対が高電場で加速され、さらなる衝突電離が実現される。このプロセスは雪崩のように続き、数百倍に増幅された、測定可能な電荷雪崩を引き起こす。したがって、吸収された個々の光子を測定することができ、これによってそれらの検出器は測定のために、例えば蛍光顕微鏡においては一般的であるような、極めて少ない光量を使用することができる。
この際、単一光子によって放電が生じ、この放電が短い電圧パルスの形態で測定される。基本的に2つの測定モードが存在している。ディジタル測定モードにおいては電圧パルスが計数され、この際、電圧上昇縁がトリガ計数信号として使用される。択一的に、いわゆるアナログ測定モードにおいては、測定抵抗を介して電荷を積分して、すべてのパルスの総電荷量を測定信号として利用することができる。典型的には、規定された期間(画素露光時間)のすべてのパルスの積分された電荷量が、さらなるディジタル処理のために、アナログ・ディジタル変換器によってディジタル化される。
どちらの測定モードが選択されたかにかかわらず、SPADにおいては、信号の飽和が生じることが問題になる。具体的には、測定信号は、検出器に入射する光量が増大した際に、もはや同じ割合で上昇しない。したがって、入力信号と出力信号との間の所望の線形の関係性はもはや与えられていない。飽和は、SPADのアバランシェ放電の間に、さらに吸収された光子が同時に第2のアバランシェ放電を惹起できないことから生じる。したがってパルストリガ後には、検出を行うことができない、SPADの不感時間が発生する。この不感時間は、アバランシェ放電の間に減少した電荷担体が半導体に再び補充されるために必要とされる時間に相当する。したがって、不感時間内に多数の光子が到来する大量の光をもはや完全に検出することはできず、また検出器は非線形の飽和特性曲線を示す。
この結果として生じる、毎秒数106〜数107光子の最大計数率を有している検出器の低ダイナミックレンジは、この高感度の検出器の問題を表していることから、近年、いわゆるSPADアレイが開発された。それらのSPADアレイは、例えば、MPPC検出器(Multi−Pixel Photon Counting Detector)の名称で浜松ホトニクス株式会社より販売されている。文献においては、それらの検出器は、特にシリコン光電子倍増管(SiPM)とも記載されている。相応の検出器の機能は、例えばhttps://www.hamamatsu.com/resources/pdf/ssd/mppc_techinfo_e.pdfに記載されている。
SPADアレイの基本原理は、複数の個々のSPADを相互に並列接続して1つのフィールドを形成することである。1つの光子が1つのSPADに入射すると、そのSPADは不感時間に起因して、典型的には数ナノ秒の時間にわたり感応性ではなくなる。しかしながら、その時間内に、または同時に別の光子が入射する別のSPADは、その別の光子を検出し、測定可能な電荷パルスを形成することができる。したがって、検出器の出力端において、単一のSPADにおける計数率よりも高い計数率を有しているパルス列を生じさせることができる。
したがって、従来技術からは、総検出光を並列接続されている複数のSPADに分配することが公知である。このことは、個々のSPADには検出光の一部しか供給されず、したがってそれらのSPADの飽和の発生が遅延されるという利点を有している。さらに、個々のSPADの不感時間の間に、受光の準備ができた別のSPADを使用できる。したがって、それらの検出器のダイナミックレンジは、並列接続されているSPADの数に応じて著しく高められている。市販のSPADアレイは、例えば20×20個またはそれ以上の数のSPADを有している。
しかしながら、公知のSPADアレイにおいても、それらのSPADアレイが飽和特性を示すという問題が生じる。飽和は、不感時間内に過度に多くの光子が同一のSPADに入射した場合に発生する可能性がある。この場合の飽和は、単一のSPADの飽和に類似する。さらにディジタル検出モードにおいては、1つのパルスの(上昇)トリガ縁が先行のパルスの間に、その先行のパルスの電圧レベルは、カウンタトリガのための電圧閾値を、いわゆるトリガレベルを上回っており、したがってカウンタユニットによってパルス縁として検出されないことから、ディジタルカウンタの新たなトリガをもたらさない場合にも飽和が発生する可能性がある。
前述の2つの効果は、SPADアレイの飽和ももたらす。実務から、例えば入射する光子が毎秒約108を超えると、出力信号(放電の回数)はほぼ一定の値を取り、その結果、光量の測定をもはや正確に実現できないことが公知である。所定の設計の検出器に対して固有である特性曲線が既知である場合、その特性曲線を、計算による補正でもって線形化することができる。しかしながら、ほぼ完全な飽和の領域(例えば毎秒約1011光子を上回る領域)においては、計算による補正をもはや十分正確に実現することはできない。アナログ測定モードにおける特性曲線は、ディジタル測定モードにおける特性曲線とほぼ同じ経過を示すので、以下では、飽和の異なる原因についての区別は行わない。
したがって、多数のSPADを並列接続して1つのSPADアレイを形成することは、確かに飽和の問題の改善策ではあるが、しかしながら飽和の問題は依然として存在している。結果として、公知のSPADアレイのダイナミックレンジは依然として光電子倍増管のダイナミックレンジよりも遙かに低いので、したがって、SPAD検出器よりも検出効率が悪いにもかかわらず、光電子倍増管が少量の光量の検出に依然として使用されている。
したがって本発明が基礎とする課題は、有効ダイナミックレンジの拡大、検出効率の向上ならびに特性曲線の線形化を、高感度、最適化された信号対雑音比および低製造コストで実現することができる、光を検出するための方法および装置を提供することである。この際、本方法は、装置の基礎となる特性を変更すべきではない。相応に構成された顕微鏡が提供されるべきである。
前述の課題は、本発明による方法に関しては、請求項1の特徴部分に記載の構成によって解決される。本発明による装置に関しては、上記の課題は独立請求項8の特徴部分に記載の構成によって解決される。さらに独立請求項19でもって、相応の顕微鏡が提供される。
本発明によれば、本方法は、少なくとも2つの検出領域を用いて光を検出するための装置の使用を含んでおり、この場合、各検出領域は、複数の単一光子アバランシェダイオード(SPAD)から成る装置(アレイ)から形成され、また各検出領域は、少なくとも1つの信号出力端を有している。ここで、各検出領域に対して特性曲線が求められ、それらの特性曲線が補正曲線および/または補正率を得るために相互に組み合わされる、および/または、相互にオフセットされる。
ここで本発明によれば、本来は欠点を含む、複数のSPADから成るアレイの不均一な照明を有利に利用して、光を検出するための装置を、通常の場合のように均一な照明が行われた場合のダイナミックレンジよりも遙かに広範なダイナミックレンジにわたり、つまり入射する全光量の範囲にわたり、線形の特性曲線でもって動作させることができるか、または線形の特性曲線を用いて補正することができる。
従来技術から公知であるSPADアレイは、検出光が共焦点ピンホールの後方において、古典的な光学素子によって検出面に焦点合わせされるように、(共焦点)レーザ走査型顕微鏡において使用されてきた。ピンホールの後方において発散されて現れる光は、レンズを用いて検出器に結像され、その結果、ガウス状の光分布(より正確にはエアリー分布)が検出器表面において生じる。ここで重要であることは、ほぼすべての光が検出面に入射し、無視できる程度の極僅かな光だけが検出面外に入射することである。このことは、高い検出効率を達成するために必要である。検出光の分布がガウス状である場合、結果として、外側に位置するSPADには、検出面の中心領域に位置するSPADに入射する光よりも遙かに低い強度の光が入射する。例えば、外側のSPADは、中心強度(幾何学的にSPADアレイの中心における光強度)の10%未満の強度で照明される。さらに内側に位置する次のSPADは、例えば、中心強度の約31%でしか照明されない。本発明によれば、内側のSPADは、外側に位置するSPADよりも遙かに早期に飽和作用を示すことが分かった。したがって、相応に照明された検出器は、総光量が少ない場合であっても、既に非線形の特性曲線を示す。
しかしながら画像形成に関して、線形の特性曲線は、顕微鏡検査すべき試料の量的に正確な撮像にとって非常に重要である。簡単で公知のアプローチは、補正率による既知の非線形の特性曲線の線形化である。このことは、飽和の開始後の移行領域においても良好に実現される。しかしながら、特性曲線が過度に大きく平坦になると、すなわち上昇する光量にもはや敏感に反応しなくなると、この単純な補正は即座にその限界に達する。
本発明による別のやり方では、検出領域の特性曲線が補正曲線および/または補正率を求めるために相互に組み合わされる、および/または、相互にオフセットされることによって、線形補正を驚くべき程簡単に実施できることが分かった。この際、比較的少ない割合の光が供給される検出領域が、「線形センサ」の意味において利用される。何故ならば、その特性曲線は、より高い強度の光が供給される検出領域が既に飽和しているときに、依然として線形の出力信号ないし飽和の少ない出力信号を示すからである。
有利には、複数の信号出力端の出力信号から形成される総特性曲線を、補正曲線および/または補正率に基づいて補正することができ、特に線形化することができる。これによって、僅かな手間でもって、また光を検出するための装置の基本的な特性を維持したまま、ダイナミックレンジが少なくとも1オーダ改善されている。
この場合、補正曲線および/または補正率を、個々の検出領域の特性曲線の除算によって求めることができる。したがって、より低い強度の光が供給される検出領域の線形の経過が、驚くべき程簡単なやり方で、ダイナミックレンジの改善に使用される。
さらに、出力信号の補正が、光の本来の検出後に、例えばディジタルシグナルプロセッサ(DSP)またはフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)またはコンピュータによる、ディジタル信号処理によって行われることも考えられる。
有利には、検出領域の特性曲線が、較正測定によって一度決定される。特に、本発明による方法を顕微鏡に使用する場合には、光を検出するための装置および顕微鏡の光学系の所定の設計で、特性曲線が規定される。したがって、所定の設計の機器に関しては、較正測定は、ただ一度だけ実施されればよい。
ダイナミックレンジを非常に良好に改善するために、種々の検出領域に、検出すべき光を異なる強度で供給することができる、および/または、異なるスペクトル領域の、検出すべき光を供給することができる。理想的には、高い強度の光が供給される検出領域が問題となる飽和領域に入ると即座に、より弱い強度の光が供給される検出領域が既に十分に良好なSNRを供給する。
さらにフレキシブルにするために、出力信号の補正が必要に応じて実行される場合には有利である。
本発明による装置は、冒頭で述べた課題を、独立請求項8の特徴部分に記載の構成によって解決する。これによれば、光を検出するための装置は、少なくとも2つの検出領域を有しており、この場合、各検出領域が、複数の単一光子アバランシェダイオード(SPAD)から成る装置(アレイ)から形成されており、かつ各検出領域が少なくとも1つの信号出力端を有している。
ここでは、本発明による方法について説明したことと同じことが当てはまり、その際に重要であることは、別個に読み出されるべき少なくとも2つの検出領域が設けられていることによって、より低い強度の光が供給される検出領域を「線形センサ」として利用できるということである。
特に、ガウス状の光分布の場合、内側の第1の検出領域と、その第1の検出領域を包囲する、外側の第2の検出領域と、が配置されていれば特に有利である。これによって、内側の検出領域にはより高い強度の光が供給されるので、その結果、外側の第2の検出範囲が「線形センサ」として利用される。
さらに、少なくとも2つの検出領域を、それぞれ、シリコン光電子倍増管(SiPM)の部分アレイとして形成することができる。したがって、少なくとも2つの検出領域を実現するただ1つのSiPMが必要とされる。
さらに、少なくとも2つの検出領域が、それぞれ1つのSiPMのアレイとして形成されていることが考えられる。したがって、現行のSiPMを、検出領域の実現のために使用することができるので、装置が非常に有利に製造される。ここで、ビームスプリッタが配置されて、検出すべき光を少なくとも2つのSiPMに分配できる場合には特に有利である。
さらに、各検出領域に検出すべき光の異なるスペクトル成分を供給できるように、分散素子、特にプリズムまたは格子が配置されていることも考えられる。この場合、各スペクトル領域を例えば別個に線形化することができるので、例えば色素混合物において顕微鏡検査によりスペクトル分布をより良好に推定することができる。
有利には、検出領域を相互に対称的または非対称的に配置することができ、その結果、可能な限りフレキシブルに別の成分に適合させることができる。この場合、検出領域が円形またはほぼ円形の検出面を形成することも考えられる。
有利には、信号出力端の出力信号をディジタル信号処理するための処理モジュールを配置することができる。処理モジュールをディジタルシグナルプロセッサ(DSP)として、またはフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)として形成することができる。
装置のさらなるフレキシビリティを実現するために、複数の検出領域の信号出力端の出力信号を、例えば電子式に、または後段に接続されているコンピュータにおいて結合または統合して、単一の総信号を形成することができる。
顕微鏡における、特に走査型顕微鏡における、とりわけレーザ走査型顕微鏡における本発明による装置の使用は特に有利である。この場合、顕微鏡は、蛍光顕微鏡検査および/またはラマン顕微鏡検査のための顕微鏡である。択一的または付加的に、顕微鏡が二次高調波発生(SHG)顕微鏡検査のための顕微鏡であることも考えられる。
本発明の教示を有利に構成かつ発展させることができる種々の可能性が存在する。これに関しては、一方では、請求項1および請求項8に従属する請求項を、また他方では、図面に基づく本発明の好適な実施例の以下の説明を参照されたい。図面に基づく、本発明の好適な実施例の説明と関連させて、一般的に、上記の教示の好適な構成および発展形態を説明する。
SPADによって測定された電圧信号を時間の関数として示す。 複数のSPADから形成されているアレイの基本的な構造を概略的に示す。 ディジタル測定モードで動作する、従来技術から公知のアレイの特性曲線を示す。 レーザ走査型顕微鏡に配置されているアレイに入射する光を概略的に示す。 本発明による装置の第1の実施例のアレイを概略的に示す。 図5に示した本発明による装置によって形成されたパルス列を概略的に示す。 図5に示した本発明による装置の特性曲線を示す。 図5に示した本発明による装置のための、本発明による方法によって形成された補正曲線の一例を示す。 本発明による方法によって線形化された、図7に示した補正曲線を示す。
図1には、SPADによって測定された電圧信号が、時間の関数として示されている。図1に基づいて、従来技術から公知のSPADの測定信号の飽和が見て取れる。単一光子によって放電が生じ、この放電が短い電圧パルス1の形態で測定される。SPADのアバランシェ放電の間、それと同時に、さらに吸収された光子は第2のアバランシェ放電を惹起できない。このことは、点線で表されている電圧パルス2によって示唆されている。したがってパルストリガ後には、SPADがさらなる光を検出できない不感時間が存在する。
図2には、複数のSPAD3から形成されている公知のアレイ4の基本的な構造が概略的に示されている。図面をより見易くするために、図2においては、また後続の図面においては、1つのSPAD3にのみ参照番号を付している。ここでは、複数の個々のSPAD3が相互に並列接続されることによって、1つのアレイ4が形成されている。1つの光子5aが1つのSPAD3に入射すると、そのSPAD3は不感時間に起因して、数ナノ秒にわたり感応性ではなくなる。しかしながら、その時間内に、または同時に別の光子5bが入射する別のSPAD3は、その別の光子5bを検出し、測定可能な電荷パルスを形成することができる。それによって、検出器の出力端において、単一のSPAD3における計数率よりも高い計数率を有しているパルス列6を生じさせることができる。
図3には、ディジタル測定モードで動作する、従来技術から公知のアレイ4の特性曲線7が示されている。この図においては具体的に、全体のSPADフィールド(アレイ)に入射する光子の毎秒当りの数に対する、全体のSPADフィールドにおける放電の回数が、両対数スケールでプロットされている。入射する光子が毎秒約108を超えると、曲線は飽和特性に起因して非線形になる。それどころか、毎秒約1011光子を超えると、出力信号(放電の回数)はほぼ一定になり、その結果、光量の測定をもはや正確に実現できなくなる。所定の設計の検出器に対して固有である特性曲線7が既知である場合、その特性曲線を、計算による補正でもって線形化することができる。しかしながら、ほぼ完全な飽和の領域においては、つまり毎秒約1011光子を上回る領域においては、計算による補正をもはや十分正確に実現することはできない。図3には、ディジタル測定モードに関する特性曲線7が示されているが、同一のことがアナログ測定モードに対しても当てはまる。
図4には、(共焦点)レーザ走査型顕微鏡に配置されている公知のアレイ4に入射する光が概略的に示されている。ここでは、例えばアレイ4の縁部領域に配置されているSPAD3は、中心強度の10%未満で照明されることがはっきりと見て取れる。さらに内側に位置する次のSPAD3は、同様に中心強度の約33%でしか照明されない。したがって、内側のSPAD3は、図3に示した特性曲線7の性質に従い、外側に位置するSPAD3よりも遙かに早期に飽和作用を示すことになる。
図5には、本発明による装置のアレイ4の第1の実施例が概略的に示されている。全体のアレイ4は、内側に位置する第1の検出領域8および外側に位置する第2の検出領域9が配置されているように形成されている。第1の検出領域8および第2の検出領域9は、それぞれ全体のアレイ4の部分アレイとして実現されている。第1の検出領域8は、第1の信号出力端10を有しており、第2の検出領域9は、第2の信号出力端11を有している。したがって、個々の検出領域8、9を相互に依存せずに読み出すことができる。第1の信号出力端10の出力信号および第2の信号出力端11の出力信号の各出力信号が、さらに処理される前に電子的に統合されるならば、本装置は、図2に示した従来技術による装置と同じ挙動を示すことになる。
図5に示した装置が、レーザ走査型顕微鏡の古典的な光路に使用される場合、図4に示したビームプロフィールを前提とするならば、外側の第2の検出領域9には、内側の第1の検出領域8よりも弱い強度の光が供給される。
図6には、図5に示した本発明による装置によって形成されたパルス列6b、6cが概略的に示されている。内側の第1の検出領域8においては、入射する光子の密度がより高く、また同時に、すなわち不感時間内に光子がSPAD3に入射する確率もより高い。それら多数の光子は、SPAD3において電気的なアバランシェ放電を1回だけ生じさせる。したがって第1の検出領域8は、少なくとも既に部分的に飽和している。外側の第2の検出領域9においては、光子密度がより低く、すべての光子またはほぼすべての光子が依然として個別に検出される。したがって、第2の検出領域9は、特性曲線7の線形の領域、またはほぼ線形の領域にある。2つの検出領域8、9は、信号列6b、6cを形成する。ここで、大量にパルスが重畳されている、第1の検出領域8の信号列6bは、単に説明を目的として、そのように重畳して図示されている。実際には、重畳したパルスは形成されない。何故ならば、この場合、同時に単一のSPAD3に入射する光子を基礎としなければならないからである。2つの光子が異なるSPAD3に入射する場合に、パルスの重畳が実現される。
第1の検出領域8および第2の検出領域9に関しては、図3に示した特性曲線が該当する。装置全体に入射する総光量に対する第1の検出領域8の第1の特性曲線12および第2の検出領域9の第2の特性曲線13が図7に示されている。特性曲線12、13は、異なる光量分配およびフィールドサイズに起因して相互にずれている。さらに、図7においては、2つの特性曲線12、13の和としての総特性曲線14が示されている。
本発明の核心部は、第1の検出領域8の出力信号および第2の検出領域9の出力信号が適切に評価され、また比較されて相互に関連付けられて、それによって総特性曲線14の非線形の形状が補正されることである。図7をより詳細に考察すると、第2の検出領域9には、より大きいフィールド面積を有しているにもかかわらず、全体としてより弱い光が供給されるので、毎秒7×107光子よりも低い計数率では、第2の検出領域9の第2の特性曲線13は、第1の検出領域8の第1の特性曲線12よりも下に位置していることが分かる。水平方向において平坦になった第1の特性曲線12から見て取れるように、比較的多い光量によって第1の検出領域8が既に飽和させられるので、7×107よりも高い計数率では、第2の検出領域9の第2の特性曲線13は、第1の検出領域8の第1の特性曲線12よりも上に位置している。しかしながら、第2の検出領域9は、依然として飽和していないか、またはそれ程強く飽和していない。第2の検出領域9の第2の特性曲線13は、まだ完全には平坦になっておらず、また第2の検出領域9における出力信号は、光量が増大すればさらに上昇する。
図8には、図5に示した本発明による装置のための、本発明による方法によって形成された補正曲線15の一例が示されている。ここでは、検出領域8、9全体に入射する光の総量に対して、第1の特性曲線12と第2の特性曲線13の比率がプロットされている。これにより得られる補正曲線15に基づいて、装置の飽和の度合いを推定することができる。低い計数率では、比率は1よりも大きい。高い計数率では、比率は1よりも小さい。第1の検出領域8および第2の検出領域9の完全に飽和した領域では、すなわち限りなく多い光量に関する限界値の領域では、計数率の比率は、2つの検出領域8、9におけるSPAD3の個数によって表される。装置の飽和を明確に識別できる関連領域16においては、補正曲線15が大きい勾配で、少ない光量に関する限界値(>1)から、多い光量に関する限界値(<1)へと降下する。つまり補正曲線15は、まさに、生じた飽和の関連領域16において、全体の検出領域に実際に入射した総光量を推定するための、非常に敏感な測定量を表している。すなわち、この測定量の値から、入射した総光量を直接的に読み出すことができる。計数率が低い領域においては、測定量が殆ど変化しないことから、この測定量は余り敏感ではない。しかしながらこのことは重要ではない。何故ならば、計数率が低い領域は飽和していない領域であって、すべての検出領域8、9の直接的な信号を補正せずに利用することができるからである。
図9に示されているような補正率17が補正曲線の関連領域16を用いて求められることによって、第1の検出領域8の飽和が開始する領域において、出力信号を線形化することができる。補正率17に基づいて、総特性曲線14の非線形性を補正し、それによって装置の線形の特性を達成することができる。
この補正は、好適には、本来の装置の後段に接続されているディジタル信号処理部を用いて行われる。この場合、処理モジュールを装置に統合することができ、例えばディジタルシグナルプロセッサまたはフィールドプログラマブルゲートアレイによって実現することができる。特性曲線8、9およびそこから得られる補正曲線15を、較正測定によって決定することができる。装置の所定の設計および顕微鏡の光学系の所定の設計に対して特性曲線8、9が規定されているので、特性曲線8、9およびそこから得られる補正曲線15は、所定の装置タイプに関して一度決定されればよい。補正を、例えば後段においてコンピュータにおいて行うことができ、またそれどころか、選択的にオン・オフすることができる。
補正の結果、SNRが変化する。信号は、補正率17を用いて補正され、それと共に、この信号のノイズも増幅される。これによって、装置の出力信号のSNRが変化する。しかしながらこのことは、光学顕微鏡における画像形成にとっては重大なことではない。何故ならば、操作は出力信号が比較的大きくなったときに初めて行われ、そのような大きい出力信号ではSNRも既に大きく、画像品質に対するノイズの影響は極めて小さいからである。
本発明による装置の別の有利な構成に関しては、繰り返しの説明を回避するために、明細書の冒頭部の記載ならびに添付の特許請求の範囲を参照されたい。
最後に、本発明による方法および本発明による装置の上記において説明した実施例は、権利主張する教示を詳論するためにのみ役立つものであって、本発明による装置をそれらの実施例に限定されることは意図していない。

Claims (20)

  1. 少なくとも2つの検出領域(8、9)を用いる、とりわけ顕微鏡において使用するための、光を検出するための装置のダイナミックレンジを改善するための方法において、
    前記検出領域(8、9)は、それぞれ、複数の単一光子アバランシェダイオード(SPAD)(3)から成る装置(アレイ)(4)から形成され、
    前記検出領域(8、9)は、それぞれ、少なくとも1つの信号出力端(10、11)を有し、
    前記検出領域(8、9)それぞれに対して、特性曲線(12、13)を求め、
    前記特性曲線(12、13)を、補正曲線(15)および/または補正率(17)を得るために相互に組み合わせる、および/または、相互にオフセットさせる、
    方法。
  2. 複数の前記信号出力端(10、11)の出力信号から形成された総特性曲線(14)を、前記補正曲線(15)および/または前記補正率(17)に基づいて補正する、特に線形化する、
    請求項1記載の方法。
  3. 前記補正曲線(15)および/または前記補正率(17)を、前記特性曲線(12、13)の除算によって求める、
    請求項1または2記載の方法。
  4. 出力信号の補正を、前記光の本来の検出後に、例えばDSP、FPGAまたはコンピュータによる、ディジタル信号処理によって行う、
    請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
  5. 前記検出領域(8、9)の前記特性曲線(12、13)を、較正測定によって一度決定する、
    請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
  6. 複数の前記検出領域(8、9)に、検出すべき前記光を異なる強度で供給する、および/または、異なるスペクトル領域の、検出すべき前記光を供給する、
    請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
  7. 前記出力信号の補正を、必要に応じて実行する、
    請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
  8. 少なくとも2つの検出領域(8、9)を用いる、とりわけ請求項1から7までのいずれか1項記載の方法を実施するための、特に顕微鏡において使用するための、光を検出するための装置において、
    前記検出領域(8、9)は、それぞれ、複数の単一光子アバランシェダイオード(SPAD)(3)から成る装置(アレイ)(4)から形成されており、
    前記検出領域(8、9)は、それぞれ、少なくとも1つの信号出力端(10、11)を有している、
    装置。
  9. 内側の第1の検出領域(8)と、前記第1の検出領域(8)を包囲する、外側の第2の検出領域(9)と、が配置されている、
    請求項8記載の装置。
  10. 前記少なくとも2つの検出領域(8、9)が、それぞれ、シリコン光電子倍増管(SiPM)の部分アレイとして形成されている、
    請求項8または9記載の装置。
  11. 前記少なくとも2つの検出領域(8、9)が、それぞれ1つのシリコン光電子倍増管(SiPM)のアレイ(8、9)として形成されている、
    請求項8または9記載の装置。
  12. ビームスプリッタが配置されており、それにより、検出すべき前記光が少なくとも2つのSiPMに分配される、
    請求項11記載の装置。
  13. 複数の前記検出領域(8、9)に検出すべき前記光の異なるスペクトル成分が供給されるように、分散素子、特にプリズムまたは格子が配置されている、
    請求項8から12までのいずれか1項記載の装置。
  14. 前記検出領域(8、9)は、相互に対称的または非対称的に配置されている、
    請求項8から13までのいずれか1項記載の装置。
  15. 前記検出領域(8、9)は、円形またはほぼ円形の検出面を形成する、
    請求項8から14までのいずれか1項記載の装置。
  16. 前記信号出力端(10、11)の出力信号をディジタル信号処理するための処理モジュールが配置されている、
    請求項8から15までのいずれか1項記載の装置。
  17. 前記処理モジュールは、ディジタルシグナルプロセッサ(DSP)として、または、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)として形成されている、
    請求項16記載の装置。
  18. 前記検出領域(8、9)の前記信号出力端(10、11)の出力信号が、電子式に、または後段に接続されているコンピュータにおいて結合または統合されて、単一の総信号が形成される、
    請求項8から17までのいずれか1項記載の装置。
  19. 請求項8から18までのいずれか1項記載の光を検出するための装置が設けられていることを特徴とする、顕微鏡、特に走査型顕微鏡、とりわけレーザ走査型顕微鏡。
  20. 蛍光顕微鏡検査および/またはSHG顕微鏡検査および/またはラマン顕微鏡検査のための顕微鏡である、
    請求項19記載の顕微鏡。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020128889A (ja) * 2019-02-07 2020-08-27 株式会社東芝 分子検出装置
US11333747B2 (en) 2019-03-14 2022-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Light detector and distance measuring device comprising plural seets of light detection elements with plural selection circuits
US11554589B2 (en) 2020-02-19 2023-01-17 Canon Kabushiki Kaisha Liquid container and method of manufacturing the same
US11658197B2 (en) 2019-08-08 2023-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and moving object
US11695022B2 (en) 2019-11-20 2023-07-04 Canon Kabushiki Kaisha Image capturing apparatus, image capturing system, and moving body
US11846542B2 (en) 2020-06-11 2023-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus using avalanche photodiodes with different sensitivity to light

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6898729B2 (ja) * 2016-12-09 2021-07-07 オリンパス株式会社 検出装置、顕微鏡システムおよび検出方法
WO2019221776A2 (en) * 2017-11-15 2019-11-21 OPSYS Tech Ltd. Noise adaptive solid-state lidar system
DE102018104693A1 (de) 2018-03-01 2019-09-05 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zur beschleunigten, hochauflösenden Scanning-Mikroskopie
WO2020261278A1 (en) * 2019-06-25 2020-12-30 5D Sensing Ltd. Digital readout enabling 2d and 3d analysis for silicon photo multiplier
DE102019127775A1 (de) * 2019-10-15 2021-04-15 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Lichtmikroskop und Verfahren zur Bildaufnahme mit einem Lichtmikroskop
US11536812B2 (en) 2020-06-23 2022-12-27 Aptiv Technologies Limited Increased dynamic range for time-of-flight (ToF) lidar systems
CN111930166B (zh) * 2020-09-27 2021-01-08 深圳市海创光学有限公司 一种控制电路、线性补偿方法及固态光电倍增模组

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0342976A (ja) * 1989-07-10 1991-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 画像入力装置
JPH08223491A (ja) * 1995-02-10 1996-08-30 Hitachi Ltd イメージセンサ
JP2003530701A (ja) * 2000-04-10 2003-10-14 ポリテクニコ ディ ミラノ 共焦点顕微鏡のための統合ピンホールを有する超高感度光検出器
JP2007501934A (ja) * 2003-08-12 2007-02-01 ライカ ミクロジュステムス ツェーエムエス ゲーエムベーハー 光ビームの光子検出装置
JP2007518991A (ja) * 2004-01-14 2007-07-12 ルミネックス・コーポレーション ダイナミックレンジを拡大する方法及びシステム
US20100133427A1 (en) * 2007-07-09 2010-06-03 Bio-Rad Laboratories Extended dynamic range light detection systems and methods
JP2012190021A (ja) * 2011-03-08 2012-10-04 Carl Zeiss Microimaging Gmbh レーザ走査顕微鏡およびその動作方法
JP2013020972A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Leica Microsystems Cms Gmbh 光検出装置および方法
JP2013504051A (ja) * 2009-09-04 2013-02-04 ラディセンズ ダイアグノスティクス リミテッド 集積型サイトメトリーセンサシステム及び方法
WO2013093035A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 Radisens Diagnostics Ltd. System and method for high resolution, instantaneous wide dynamic range, multi-colour luminescence detection of biological samples in a microfluidic system
JP2014081254A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Toyota Central R&D Labs Inc 光学的測距装置
JP2014081253A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Toyota Central R&D Labs Inc 光検出器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006057726B4 (de) * 2006-12-02 2008-12-04 Jena-Optronik Gmbh Verfahren zur Messung elektromagnetischer Strahlung in Instrumenten der Luft- und Raumfahrt
US20110095192A1 (en) * 2009-10-26 2011-04-28 Johnson Kurtis F Method to increase dynamic range of segmented non-linear devices
US9086389B2 (en) * 2012-10-26 2015-07-21 Kla-Tencor Corporation Sample inspection system detector

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0342976A (ja) * 1989-07-10 1991-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 画像入力装置
JPH08223491A (ja) * 1995-02-10 1996-08-30 Hitachi Ltd イメージセンサ
JP2003530701A (ja) * 2000-04-10 2003-10-14 ポリテクニコ ディ ミラノ 共焦点顕微鏡のための統合ピンホールを有する超高感度光検出器
JP2007501934A (ja) * 2003-08-12 2007-02-01 ライカ ミクロジュステムス ツェーエムエス ゲーエムベーハー 光ビームの光子検出装置
JP2007518991A (ja) * 2004-01-14 2007-07-12 ルミネックス・コーポレーション ダイナミックレンジを拡大する方法及びシステム
US20100133427A1 (en) * 2007-07-09 2010-06-03 Bio-Rad Laboratories Extended dynamic range light detection systems and methods
JP2013504051A (ja) * 2009-09-04 2013-02-04 ラディセンズ ダイアグノスティクス リミテッド 集積型サイトメトリーセンサシステム及び方法
JP2012190021A (ja) * 2011-03-08 2012-10-04 Carl Zeiss Microimaging Gmbh レーザ走査顕微鏡およびその動作方法
JP2013020972A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Leica Microsystems Cms Gmbh 光検出装置および方法
WO2013093035A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 Radisens Diagnostics Ltd. System and method for high resolution, instantaneous wide dynamic range, multi-colour luminescence detection of biological samples in a microfluidic system
JP2014081254A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Toyota Central R&D Labs Inc 光学的測距装置
JP2014081253A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Toyota Central R&D Labs Inc 光検出器

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020128889A (ja) * 2019-02-07 2020-08-27 株式会社東芝 分子検出装置
JP7008653B2 (ja) 2019-02-07 2022-01-25 株式会社東芝 分子検出装置
US11333747B2 (en) 2019-03-14 2022-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Light detector and distance measuring device comprising plural seets of light detection elements with plural selection circuits
US11774562B2 (en) 2019-03-14 2023-10-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Light detector and distance measuring device comprising plural sets of light detection elements with plural selection circuits
US11658197B2 (en) 2019-08-08 2023-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and moving object
US12021108B2 (en) 2019-08-08 2024-06-25 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and moving object
US11695022B2 (en) 2019-11-20 2023-07-04 Canon Kabushiki Kaisha Image capturing apparatus, image capturing system, and moving body
US11554589B2 (en) 2020-02-19 2023-01-17 Canon Kabushiki Kaisha Liquid container and method of manufacturing the same
US11846542B2 (en) 2020-06-11 2023-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus using avalanche photodiodes with different sensitivity to light

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