JP2018505568A - ラインビーム形成装置 - Google Patents

ラインビーム形成装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018505568A
JP2018505568A JP2017556497A JP2017556497A JP2018505568A JP 2018505568 A JP2018505568 A JP 2018505568A JP 2017556497 A JP2017556497 A JP 2017556497A JP 2017556497 A JP2017556497 A JP 2017556497A JP 2018505568 A JP2018505568 A JP 2018505568A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
axis
single mirror
laser
mirror set
forming apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017556497A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6649402B2 (ja
Inventor
ムン,ジンベ
キム,ヒョンジュン
リュウ,サンギル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philoptics Co Ltd
Original Assignee
Philoptics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philoptics Co Ltd filed Critical Philoptics Co Ltd
Publication of JP2018505568A publication Critical patent/JP2018505568A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6649402B2 publication Critical patent/JP6649402B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/0977Reflective elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0905Dividing and/or superposing multiple light beams
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/0977Reflective elements
    • G02B27/0983Reflective elements being curved
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0057Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

複数のミラーからなる単一のミラーセットを用いて、入射したレーザービームを、レーザービームの進行方向(z軸)に対して直角な第1方向(y軸)に分割して一定の大きさのビームセグメントを出射し、前記レーザービームの進行方向(z軸)に対して直角な第2方向(x軸)に前記ビームセグメントを一定の間隔で配列して出射することができるように構成したラインビーム形成装置が提供される。本発明のラインビーム形成装置は、マルチモードレーザービームとして、ビームダイバージェンスの高いエキシマレーザー、高出力DPSSレーザー、または、レーザーダイオード、に利用でき、ビームが密に集光されることで高密度のエネルギーを得ることができ、長軸と短軸の両方向において強度が均一なビームプロファイルを形成することができ、入射ビームの性質に影響を受けずに複数のレーザービームを組み合わせることができる。

Description

本発明は、ラインビーム形成装置に関する。より具体的には、複数のミラーからなる単一のミラーセットを用いて、レーザービームの進行方向(z軸)に対して直角な第1方向(y軸)に、ビームを一定の大きさのビームセグメントに分割し、前記レーザービームの進行方向(z軸)に対して直角な第2方向(x軸)に、前記ビームセグメントを一定の間隔で配列して出射することができるように構成したラインビーム形成装置に関する。
近年、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)などの素子を形成するために、レーザービームを用いて基板上の薄膜を分離するレーザーリフトオフ(LLO:Laser Lift Off)工程において、UV高出力レーザーであるエキシマレーザーまたはUV DPSS(Diode Pumped Solid State)レーザーが使用される。また、液晶パネルのスイッチング素子として使用されるLTPS(Low Temperature Poly Silicon)薄膜トランジスタの製造工程において、アモルファスシリコン層を蒸着した後、これを結晶化する方法にエキシマレーザーまたはDPSSレーザーが使用される。
高出力のエネルギーが必要な工程では、密に集光された、あるいは、高度に解像された、ビームスポットを得るために、ビームスポットのサイズを小さくする必要がある。併せて、均一な加工のためには、形成されたビーム内においてビームの強度が均一に分布する必要がある。
米国特許第7286308号明細書では、レーザーダイオードバー光源を集束させるためにプリズムアレイを使用することで長軸と短軸のビーム品質を交換する技法を紹介している。米国特許第7286308号明細書の方法に基づいてプリズムアレイを使用すると、製作、組立、および、整列、が複雑になり、精密な光学系の製造が難しく、光学系のサイズが非常に大きくなって実用性が低下する、という問題点がある。
また、米国特許第5513201号明細書では、レーザーダイオードアレイシステムで光源を光ファイバーに集束させるために光の経路を回転させるデバイスを使用している。この際、光の経路を回転させる手段として、レンズ、プリズム、および、ミラー、を複合的に使用する方法を提案しているが、やはり製作、組立、および、整列、が複雑であり、精密な光学系の製造が難しく、光学系のサイズが非常に大きくなる、という問題点がある。特に円筒状レンズアレイを使用する場合には、焦点距離が長ければ光損失が多くなり、焦点距離が短ければ光学収差が発生する、という問題点がある。
また、特定の値以上に高いパワー閾値を必要とするシステムでは、レーザー光源自体の最大出力値に限界があるため、二つのレーザーを組み合わせなければならない場合がある。したがって、二つ以上のレーザーを組み合わせて同時に全領域にわたって一定に加工することが可能なフラットトップラインビームプロファイルを形成する光学系が必要である。しかし、プリズムアレイを使用する米国特許第7286308号明細書または米国特許第5513201号明細書の方法では、一つの光学系で二つ以上のレーザーを組み合わせることが難しいため、別の光学系を備える必要がある。
また、高エネルギー密度のラインビームを形成し、その強度分布を均一にするためには、短軸(y軸)方向のスポットサイズを非常に小さく維持するとともに、長軸(x軸)と短軸(y軸)との両方向にフラットトッププロファイルを持つ光学系を構築する必要がある。
米国特許第7286308号明細書 米国特許第5513201号明細書
本発明は、レーザーのエネルギー源に関係なく使用できるためメンテナンス費用を抑制でき、製作が簡便であり、さらに、光損失を小さくすることができ、ビームスポットサイズを小さくするとともに、短軸と長軸の両方向に均一なラインビームを形成する、ことができる装置を提示しようとする。
ところが、本発明が解決しようとする課題は上述した課題に制限されず、上述していない別の課題は以降の記載から当業者に明確に理解されるだろう。
上記の目的を達成するために、本発明は、作動面にラインビームを形成するビーム形成装置であって、レーザービームを放出するレーザー光源と、複数のミラーからなる単一のミラーセットと、を含んでなり、前記単一のミラーセットは、入射したレーザービームを前記レーザービームの進行方向(z軸)に対して直角な第1方向(y軸)に分割して一定の大きさのビームセグメントを出射し、残りのビームを前記単一のミラーセット内で再反射させて前記第1方向(y軸)に一定の距離だけ前記残りのビームを移動させるプロセスを繰り返し行うことにより、一定の大きさのビームセグメントを順次出射し、前記レーザービームの進行方向(z軸)に対して直角な第2方向(x軸)に前記ビームセグメントを一定の間隔で配列することができるように前記ビーム形成装置内に配置されるラインビーム形成装置を提供する。
本発明のラインビーム形成装置は、マルチモードレーザービームとして、ビームダイバージェンスが大きいエキシマレーザー、高出力DPSSレーザー、または、レーザーダイオード、に利用でき、ビームが密に集光されることで高密度のエネルギーを得ることができ、長軸と短軸の両方向において強度が均一なビームプロファイルを形成することができ、入射ビームの性質に影響を受けずに複数のレーザービームを組み合わせることができる。
本発明の一実施形態に係る、二つのミラーからなる単一のミラーセットにおけるビームの入射、反射、および、出射過程、の模式図(側面図(図1a)および平面図(図1b))。 本発明の一実施形態に係る、三つのミラーからなる単一のミラーセットにおけるビームの入射、反射、および、出射過程、の模式図(側面図(図2a)および平面図(図2b))。 本発明の一実施形態に係る、四つのミラーからなる単一のミラーセットにおけるビームの入射、反射、および、出射過程、の模式図(側面図(図3a)および平面図(図3b))。 本発明の一実施形態に係る、単一のミラーセットが光軸に対して傾いて位置する光学系におけるビームの入射、反射、および、出射過程、の模式図(平面図)。 本発明の一実施形態に係る、ビームを第1方向(y軸)に拡大した後に単一のミラーセットを通過した後の、ビームの整列模様を示す模式図。 本発明の一実施形態に係る、単一のミラーセットの出射ビーム経路に無反射コーティングを施して光損失を最小化した光学系の構成図(図6aおよび図6b)。 本発明の一実施形態に係る、二つの単一のミラーセットを用いて入射ビームを二分して通過させる光学系の構成図(平面図(図7a)および正面図(図7b))。 本発明の一実施形態に係る、隣接する複数のビームを入射ビームとして利用する光学系の構成図。 本発明の一実施形態に係るラインビーム形成装置の構成概略図。 本発明の一実施形態に係る、ビームを第1方向(y軸)に拡大した後のビームプロファイル(図10a)と、その後に単一のミラーセットを通過した後のビームプロファイル(図10b)。 本発明の一実施形態に係るレーザーパルスストレッチャーの原理を説明する図。 本発明の一実施形態に係る、円筒状ミラーアレイを用いたレーザーパルスストレッチャーの模式図。 本発明の一実施形態に係る、単一のミラーセットを第2方向(x軸)のホモジナイザーとして用いた光学系の模式図である。 本発明の一実施形態に係る、単一のミラーセットを円筒状ミラーアレイで構成した光学系の例(図14a、図14b、図14c)。
以下、添付図面を参照して、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施し得るように、本発明の実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明は、様々な異なる形態で実現でき、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。そして、図面において、本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、明細書全体にわたり、類似している部分については同様の図面符号を付した。
本願明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
本明細書において、「構成される」または「含む」などの用語は、明細書上に記載された種々の構成要素または種々の段階を必ず全て含むものと解釈されてはならず、その中の一部の構成要素または一部の段階を含まなくてもよく、追加的な構成要素または段階をさらに含んでもよい、と解釈されるべきである。
また、本明細書で使用される「第1」、「第2」などの序数を含む用語は様々な構成要素を説明するために使用できるが、これらの構成要素はこれらの用語により限定されてはならない。これらの用語は、ある構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるだけである。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しない範疇内で、第1構成要素は第2構成要素と命名することができ、これと同様に、第2構成要素も第1構成要素と命名することができる。
本発明は、レーザー光源を用いて高エネルギー密度のラインビームを形成する光学系を含むビーム形成装置に関する。
前述したような光学系の大きな特徴は、ビームの進行方向(z軸)に対して垂直な第1方向(y軸または短軸)と、第2方向(x軸または長軸)と、のビーム強度分布が異なることである。物質の均一な加工のためにはビーム強度分布を均一にする必要があり、そのために、第2方向(x軸)にホモジナイザーを用いて、システムに適合する幅(5〜1500mm)で強度が均一なビームに視準する必要がある。また、効果的な物質加工のためには高エネルギー密度のラインビームを形成する必要があり、そのためには第1方向(y軸)に集光または集束してスポットサイズを小さくする必要がある。
レーザービームはガウス分布を有するが、そのスポットサイズはビームウエストサイズ(w)の2倍に相当する大きさと定義される。レンズによって集光されるスポットサイズ(2w)は、レーザー波長(λ)、レンズに入射するビームサイズ(D)、レンズ焦点距離(F)、および、ビーム品質因子(M)の関係から、数式1によって決定される。
数式1を参照すると、スポットサイズ(2w)を小さくするための方法として、次の方法が考えられる。
第一の方法は、レンズに入射するビームサイズ(D)を大きくする方法である。この場合、光学系が大きくなり、レンズ収差が大きくなるため、ビームサイズ(D)を大きくすることには限界がある。よって、スポットサイズを一定以上に小さくすることができない。
第二の方法は、レンズ焦点距離(F)が小さいレンズを使用する方法である。この場合には、レンズ収差が大きくなるため、スポットサイズを小さくするには限界がある。また、レンズと加工物質との距離が小さくなり、加工時の使いやすさが損なわれる。
第三の方法は、ビームサイズ(D)とレンズ焦点距離(F)とは変化させずに、ビーム品質因子(M)を小さくすることによる方法である。本発明では、ビーム品質因子を小さくする方法により、上述のビームサイズ(D)またはレンズ焦点距離(F)を変化させることによりスポットサイズを小さくする方法の問題点を克服しようとする。
前記ビーム品質因子(M)はビームダイバージェンス(Θ)が大きいほど大きくなる特性があるが、TEM00モードのガウシアンビーム(M=1)と、通常のレーザービーム(M>1)と、におけるビーム品質因子(M)およびビームダイバージェンス(Θ)は、それぞれ数式2および数式3で定義される。
したがって、ビームダイバージェンスを小さくすることによりビーム品質因子を小さくすることができ、結果としてスポットサイズも小さくなり、高エネルギー密度のビームを形成することができる。
一般なレーザーのビーム品質因子(M)は2以下であるが、高出力レーザーの場合は、ビームダイバージェンスが非常に大きいため、高出力DPSSレーザーまたはエキシマレーザーのビーム品質因子(M)は25以上であって、ビームダイバージェンスに換算すると2mrad以上である。
高出力レーザーにおける波長を0.5μm、ビームサイズを5mm、集光レンズの焦点距離を100mm、と仮定すると、集光レンズによって集光されるスポットサイズは300μm以上になる。上述したように、スポットサイズが大きいと、エネルギー(またはパワー)密度が低いため、基板または物質の加工に適さない。高いエネルギー密度を得るためには、集光されるスポットサイズを数十μmまたは数μm以内にしなければならない。
一般なレンズを用いた光学系では、エテンデュの保存則(エテンデュ=光学系長さ×光学系NA)に基づいてレーザービームダイバージェンスを小さくするためにはビームサイズを増加させなければならない。よって、レーザーのビームサイズを維持しながらビームダイバージェンスを小さくすることはできない。
したがって、本発明では、単一のミラーセットによってレーザービームを繰り返し反射させることでレーザービームの位置を一定の距離だけ移動させながら分割して一定の大きさのビームセグメントを透過させる方法によって、レンズを用いた前記光学系との差別化を図ろうとする。
このため、本発明で提供される作動面にラインビームを形成するビーム形成装置は、
レーザービームを放出するレーザー光源と、
複数のミラーからなる単一のミラーセットと、を含み、
前記単一のミラーセットは、
入射したレーザービームを前記レーザービームの進行方向(z軸)に対して直角な第1方向(y軸)に分割して一定の大きさのビームセグメントを出射し、
残りのビームを前記単一のミラーセット内で再反射して前記第1方向(y軸)に一定の距離だけ前記残りのビームを移動させる過程を繰り返し行うことにより、一定の大きさのビームセグメントを順次出射し、
前記レーザービームの進行方向(z軸)に対して直角な第2方向(x軸)に前記ビームセグメントを一定の間隔で配列することができる
ように前記ビーム形成装置内に配置される。
前記単一のミラーセットの前段にビーム変換手段をさらに備え、前記レーザービームが前記ビーム変換手段を通過することにより、前記レーザービームの第1方向(y軸)の大きさが拡大し、前記第1方向(y軸)のビームダイバージェンスが小さくなる、ように変形する。
前記ビーム変換手段としては、円筒状レンズセットまたは異なる光学系を用いることができる。例えば、光源から放出される原レーザービーム(図5a)の幅が第1方向(y軸)および第2方向(x軸)にそれぞれ5mmであり、ビームダイバージェンスは第1方向(y軸)および第2方向(x軸)においてそれぞれ0.5°であると仮定したとき、前記ビーム変換手段を通過したビーム(図5b)は、第1方向(y軸)の幅が25mm(5倍)に増し、第2方向(x軸)の幅は5mmのままであり、ビームダイバージェンスは、第1方向(y軸)においては0.1°(1/5倍)に低下し、第2方向(x軸)においては0.5°のままでありうる。
したがって、前記単一のミラーセットに入射するビームは、光源から放出される原レーザービーム(図5a)と比較して、第2方向(x軸)のビームサイズとビームダイバージェンスは変化せず、第1方向(y軸)のビームサイズは拡大し、ビームダイバージェンスは低下した状態(図5b)に変形したものである。
図1〜図3に例示するように、前記単一のミラーセットは、
前記第1方向(y軸)に水平(入射角度0°)に入射したレーザービームを受け入れ、分割されたビームセグメントを出射部を介して出射し、残りのビームを反射する第1ミラー(M11、M21、M31)と、
前記第1ミラーに反射されたビームを受け入れて再反射する第2ミラー(M12、M23、M34)と、を含み、
前記第1ミラーは前記第2ミラーから前記レーザービームの進行方向(z軸)に離隔して位置し、前記第1方向(y軸)に前記出射部の幅(d)だけ差が生じるように位置することができる。前記出射部の幅(d)を調節することにより、前記ビームセグメントの前記第1方向(y軸)の幅を調節することができる。
つまり、出射するビームセグメントの第1方向(y軸)の幅は、前記第1ミラーと前記第2ミラーとの第1方向(y軸)の高さの差によって調節可能である。第1ミラーと第2ミラーとの第1方向(y軸)の高さの差が大きければビームセグメントの第1方向(y軸)の幅が大きくなり、高さの差が小さければ第1方向(y軸)の幅が小さくなる。
前記出射部は、空気で満たされた空間であってもよい。この場合、前記分割されたビームセグメントは前記空間を介して出射する。
しかし、図1〜図3の単一のミラーセットでは、出射部からビームが出射するとき、ミラーの端部における微細クラックまたは角部などによる乱反射により光損失が発生するおそれがある。このような点を補完するために、図6aに示すような方法を提案する。
つまり、ビームが出射する出射部を、空気で満たされた空間ではなく、出射側ミラー(すなわち、第1ミラー)が延長されたもので構成し、出射部の透過率を大幅に改善させる反射防止(AR;anti−reflective)コーティング処理を施すことにより、端部で発生する光損失を防ぐことができる。
しかし、図6bに示すように、スネルの法則によって、屈折率の異なる表面を通過するとビームが屈折して進行する。この現象により、出射ビームの位置が移動するおそれがある。これを防止するために、前記ビームセグメントの出射経路上に屈折補正手段(G1)がさらに配置される。前記屈折補正手段(G1)は、前記反射防止コーティング処理された、前記出射部(M’)と同じ厚さの同一物質からなり、前記出射部と反対の角度を形成するように配置され、ビームを元の位置に出射することができる。
一方、本発明によれば、前記第2方向(x軸)に前記レーザービームが入射する角度、または、前記単一のミラーセットの組立角度、を調節することにより、前記第2方向(x軸)に前記ビームセグメントが配列される間隔、および、前記第2方向(x軸)の出射ビームの全幅、を調節することができる。すなわち、前記角度が大きくなると、前記ビームセグメントが配列される間隔、および、前記第2方向(x軸)の出射ビームの全幅が大きくなり、前記角度が小さくなると、前記ビームセグメントが配列される間隔、および、前記第2方向(x軸)の出射ビームの全幅が小さくなる。
前記単一のミラーセットを構成するそれぞれのミラーに入射するレーザービームは、前記第2方向(x軸)には第1ミラーに対して垂直ではない一定の角度で入射し、前記単一のミラーセット内で反射または再反射が1サイクル行われるたびに第1方向(y軸)に一定の幅(d)、例えば5mmだけ位置移動する。位置移動した部分は、前記一定の幅(d)だけの空間、すなわち出射部を介して出射する。このようにして、前記第1方向(y軸)に一定の大きさ(d、例えば、5mm)に分割されたビームセグメントが形成される。
また、分割されたビームセグメントが前記第2方向(x軸)に一定の間隔(w、例えば、5mm)で配列され、全幅は25mmに拡大する。よって、前記単一のミラーセットを通過したビームは、5mm(x軸)×25mm(y軸)から25mm(x軸)×5mm(y軸)に変わるが、前記第2方向(x軸)と前記第1方向(y軸)のビームダイバージェンスはそのまま維持されるので、前記第1方向(y軸)のビームダイバージェンスは0.1°となる。
その結果、前記ビーム変換手段と前記単一のミラーセットをすべて通過したビームは、原レーザービームと比較すると、前記第1方向(y軸)については、ビームサイズは変化せず、ビームダイバージェンスが1/5に低下し、前記第2方向(x軸)については、ビームサイズが拡大し、ビームダイバージェンスは変化しない。
前記第1ミラーに反射されるビームは、前記第2ミラーに直接入射して前記第1ミラーへ向けて再反射されるか、あるいは、
前記単一のミラーセット内に配置された少なくとも一つの追加的なミラーを経て前記第2ミラーに入射して前記第1ミラーへ向けて再反射されてもよい。
すなわち、図1aおよび図1bに示すように、単一のミラーセットが向かい合う二つのミラーから構成された場合には、前記第1ミラーに入射したビームは一部ビームセグメントが出射し、残りのビームが前記第1ミラーに反射されて前記第2ミラーに直接入射した後に、前記第1ミラーへ向けて再反射される過程を繰り返し行うことにより、ビームの分割および位置移動が行われる。
一方、前記単一のミラーセットは、第1ミラーおよび第2ミラーに加えて、さらに一つ以上のミラーを含むことができる。
図2および図3に示すように、単一のミラーセットが、第1ミラーおよび第2ミラー以外に、ミラーをさらに一つまたは二つ配置して、三つまたは四つのミラーから構成された場合には、前記第1ミラーに入射したビームは、一部のビームセグメントが出射し、残りのビームは前記第1ミラーから反射されて追加的なミラーを経て前記第2ミラーに入射した後に、前記第1ミラーへ向けて再反射される過程を繰り返し行うことにより、ビームの分割および位置移動が行われる。
次に、四つのミラーから構成された単一のミラーセットにおけるビームの分割および位置移動(図3aおよび図3b)を、さらに具体的に説明する。
上述したビーム変換手段を通過して第1方向(y軸)にビームサイズが拡大しビームダイバージェンスが低下するように変形したビームを、第2方向(x軸)に垂直ではない一定の角度で単一のミラーセットに入射させる。単一のミラーセット内で1サイクルの反射または再反射が行われるたびに、前記第1方向(y軸)に一定の幅d(5mm)だけ移動する。
また、図3aに示すように、単一のミラーセットにおいてミラーM33とミラーM34との位置を一定の幅d(5mm)だけずらして配置すると、レーザービームは、前記第1方向(y軸)の下にdだけ移動し、幅d(5mm)だけ前記第1方向(y軸)に分割されたビームセグメントがM31ミラーの外へ出射する。このような過程を繰り返し行うと、単一のミラーセットに最初に入射したレーザービームと比較して、出射するレーザービームのサイズは5mm(x軸)×25mm(y軸)から25mm(x軸)×5mm(y軸)に変わるが、第1方向(y軸)と第2方向(x軸)とのビームダイバージェンスは変化しない。また、前記第1方向(y軸)へのビーム移動距離に該当する空間(d)、すなわち、出射部の幅を調節すると、出射ビームの第1方向(y軸)の幅を調節することができる。
したがって、前述の方法によれば、レーザービームを一定の間隔で第1方向(y軸)に移動させた後、同じ高さまたは位置で一部を通過させる方法で、第1方向(y軸)のビームダイバージェンスを小さくすることができる。
次に、三つのミラーから構成された単一のミラーセットにおけるビームの分割および位置移動(図2aおよび図2b)を、より具体的に説明する。
図2aの単一のミラーセットは、ミラーM21の位置と、ミラーM22の角度と、を調節して、ビームをM23に入射し、反射する過程を繰り返し行うことにより、第1方向(y軸)に距離dだけ移動するようにする。よって、ミラーM21の出射部を介して透過されるレーザービームは、図3aおよび図3bの光学系と同じ形状で平行ビームとして出射する。
また、図1aに示すように、二つのミラーから構成された単一のミラーセットの場合でも、同様の効果を奏する光学系を構成することが可能である。図1においてミラーM11とミラーM12との角度を同一に上方または下方に傾け、ミラーM12の位置をミラーM11よりも上または下に幅dだけ移動させると、ミラーM11の出射部を介して透過されるレーザービームは図3の光学系と同じ形状で平行ビームとして出射する。
入射ビームの角度を傾けて単一のミラーセットの光学系に入射させる代わりに、図4に示すように、単一のミラーセット光学系を入射ビームに対して傾けることによっても、同様の効果を奏することができる。
上記で提示した単一のミラーセット光学系を通過したレーザービームは、第1方向(y軸)のビームダイバージェンスを小さくするだけでなく、第1方向(y軸)に強度が均一なフラットトッププロファイルを形成する役割も果たす。
前記単一のミラーセットの後段に、第2方向(x軸)にホモジナイザーをさらに備え、前記第2方向(x軸)に配列されたビームセグメントが通過すると、前記第1方向(y軸)および前記第2方向(x軸)にビーム強度が均一なフラットトッププロファイルを形成する。つまり、単一のミラーセット光学系を通過した平行ビームが、第2方向(x軸)の円筒状レンズアレイを用いたホモジナイザーを通過すると、第2方向(x軸)についてシステムに適合する幅にわたって強度が均一なラインビームになる。また、第2方向(x軸)についてのみ広がりを持ったビームが互いに均一化され、第1方向(y軸)については平行ビームであることを維持するので、第1方向(y軸)にも強度が均一なフラットトッププロファイルになる。これは、単一のミラーセット光学系が第1方向(y軸)に一定の大きさに分割されたビームセグメントが同じ高さで均一化されるようにする円筒状レンズアレイと同様の役割を果たすことで可能になる。しかも、単一のミラーセット光学系を通過したビームは、円筒状レンズアレイ方式のホモジナイザーとは異なり、平行ビームとして出射し、第1方向(y軸)に広がりを持たない。
本発明の一実施形態によれば、図7aおよび図7bに示すように、前記単一のミラーセットと同じ構造の追加的な単一のミラーセットを備え、前記単一のミラーセットと前記追加的な単一のミラーセットは、前記第2方向(x軸)に互いに反対の角度を形成するように配置され、入射ビームを二分して、それぞれが再反射と出射プロセスを行うようにすることもできる。
単一のミラーセットと追加的な単一のミラーセットは、第2方向(x軸)に互いに反対の角度を形成するように配置され、入射したレーザービームは、二つに分割され、第2方向(x軸)について互いに反対の方向に向かう。第1方向(y軸)にも、単一のミラーセットと追加的な単一のミラーセットは互いに反対の方向にレーザービームを移動させ、最終的には同じ第1方向(y軸)の高さ(入射ビームの中央)から第2方向(x軸)に整列されたレーザービームを出射する。この方式によれば、ミラー反射回数を半減してミラー反射による光損失を小さくする効果、に加えて、入射ビームの高さと出射ビームの高さとを同一にしてレーザービームの整列を容易にする効果が得られる。単一のミラーセットと追加的な単一のミラーセットとして、それぞれ図1aおよび図1bに示すような二つの向かい合う単一のミラーセット光学系を採用すると、四つのミラーからなる光学系を構成することができる。構成された光学系は、ミラー反射回数を最小にしてミラー反射による光損失を最小限に抑えることができる。たとえば、ミラー反射率が99.8%であり、分割されたレーザービームがそれぞれ10回ずつ反射するとすれば、光損失は2%である。または、ミラー反射率が99.5%であれば、光損失は5%未満になる。
上記で提示した単一のミラーセットを介して一定の幅(d)のみ通過したレーザービームは、上述したように、第1方向(y軸)に同一の高さで通過するので、第1方向(y軸)には幅が小さくなるが、ビームダイバージェンスは変化しない。また、第2方向(x軸)は、ミラーで繰り返し反射しながら横に一定の幅(w)だけ移動してビームセグメントが配列するため、幅は大きくなるが、ビームダイバージェンスは変化しない。第1方向(y軸)に集光レンズを使用する場合、本発明の単一のミラーセットを使用しない従来の光学系と比較してスポットサイズを大幅に小さくすることができるため、高エネルギー密度を得ることができる。
本発明の他の実施形態によれば、図8に示すように、隣接する複数のレーザービーム(第1入射ビームと第2入射ビーム)を同じ位置、および、同じ角度、で、単一のミラーセットに入射することができる。
これは、一つのレーザービームで物質を加工するにはパワーが足りない場合に、レーザー最大出力の限界を克服するためである。既存の光学系では、複数のレーザービームを結合して光学系に導入するには別の追加的な光学系が必要である問題、入射ビームの特性、特に偏光特性により、組み合わせることが可能なビームの数には限界がある問題、および、同じ位置にレーザービームを出射するために光学系への入射前に使用するビームスプリッタなどの光学部品における吸収または反射などにより光損失が発生する問題、があった。
異なる角度で入射する方法で複数のレーザーを組み合わせる場合、入射する角度は円筒状レンズアレイのNA制限を受けることができる。よって、図8の方法を用いて複数のレーザービームを単純に組み合わせる場合、単一のミラーセット光学系の後段に位置した円筒状レンズアレイの光学系特性に関係なく、複数のレーザーを組み合わせることができる。二つ以上の複数のレーザーを隣接するようにした後、単一のミラーセット光学系を通過させると、複数のレーザービームは同じ位置、同じ角度で単一のミラーセット光学系から出射する。
本発明の一実施形態によれば、単一のミラーセット内でビームが進行する距離を調節して前記ビームセグメントの出射時間間隔を調節することにより、レーザーパルス持続時間を調節することができる。
例えば、図11に示すように、単一のミラーセット光学系を構成するミラー間の間隔を調節すると、レーザーパルス持続時間を調節することができる。第1レーザービームが前記単一のミラーセット光学系から出射した後、第2レーザービームは、前記単一のミラーセット光学系で反射される距離(L)のために時間(τ)だけ遅延して前記単一のミラーセット光学系から出射する。同じ方式で第3レーザービームは2τだけ、第4レーザービームは3τだけ、第5レーザービームは4τだけ、それぞれ遅延して前記単一のミラーセットから出射する。遅延する時間は単一のミラーセット光学系で反射される距離(L)と光の速度(v)によってτ=L/vと決定される。よって、遅延して出射したレーザービームは、単一のミラーセット光学系の後段に位置したホモジナイザーによって均一化され、レーザーパルス持続時間が長くなる。
一般に、作動面でピークエネルギー(またはパワー)が必要な工程では、レーザーパルス持続時間が短いほうが工程に有利である。このような工程では、単一のミラーセット光学系で反射される距離をできる限り短くする必要がある。一例として、単一のミラーセット光学系で反射される幅を30mmと仮定すると、単一のミラーセット光学系から出射するビームセグメント間の遅延時間は0.1nsに過ぎないので、一般な原レーザーパルス持続時間である15ns〜20nsに比べて短い。よって、単一のミラーセット光学系で反射される幅を短くすれば、レーザーパルス持続時間には影響を与えない。
しかし、高いピークエネルギー(またはパワー)によって加工物質または界面に損傷が生じる工程、あるいは、長いレーザーパルス持続時間が必要な工程、では、レーザーパルス持続時間を延長するストレッチャー光学系が必要である。シリコン基板のアニーリング工程やリソグラフィー工程などは、レーザーパルスストレッチャー光学系が必要な工程であって、原レーザーパルス持続時間である15ns〜20nsよりも長い30ns以上が必要である。よって、単一のミラーセット光学系で反射される距離が少なくとも1m以上である必要がある。単一のミラーセット光学系におけるミラー間の距離が長く、ビームダイバージェンスが大きい場合、ミラーによる反射に伴ってレーザービームのサイズがますます拡大するため、レーザービームの一部分が単一のミラーセット光学系を通過せず、光損失が大きくなる。
したがって、前記単一のミラーセットを構成する複数のミラーのうち少なくとも一つを円筒状ミラーアレイとして構成することができる。
例えば、図12に示すように、平面ミラーの代わりに円筒状ミラーアレイを使用すると、レーザービームが単一のミラーセット光学系による反射に伴って拡大することを防ぐことができる。円筒状ミラーアレイの焦点距離が、単一のミラーセット光学系の長さの1/2となるように、円筒状ミラーアレイの曲率を設定する。平行に入射されたレーザービームは、第1円筒状ミラーアレイによって反射されて単一のミラーセット光学系の中心に焦点を結んだ後、第2円筒状ミラーアレイに入射する。第2円筒状ミラーアレイは、第2円筒状ミラーアレイと焦点距離が同じ光学系である第1円筒状ミラーアレイに向けて平行ビームとなるように反射させた後、レーザービームの一部分であるビームセグメントを単一のミラーセットから出射させる。出射されたビームセグメントは、単一のミラーセット光学系の後段に位置したホモジナイザーによって均一化され、パルス持続時間が長くなる。
したがって、単一のミラーセットを構成するミラーを円筒状ミラーアレイに置き換えた場合、レーザーパルス持続時間ストレッチャー光学系の役割を果たすことができる。
上記で提示した単一のミラーセットから出射された一定の大きさのビームセグメントは、第2方向(x軸)に一定の間隔で整列される。よって、図13に示すように、単一のミラーセットの前段に第2方向(x軸)の集光レンズ(例えば、第2方向(x軸)の円筒状レンズ)を位置させると、単一のミラーセットから一定の大きさで出射するビームセグメントは一定の角度で広がる。
単一のミラーセットの後段に第2方向(x軸)に視準レンズをさらに備え、前記一定の角度で広がって出射するビームセグメントから同じ幅の平行ビームを形成することで、第2方向(x軸)にビーム強度が均一なフラットトッププロファイルを形成することができる。
しかし、図13の方式において、集光されて単一のミラーセットから出射するビームが広がり始める位置は、単一のミラーセット光学系で反射される回数に応じて変わる。単一のミラーセットを図14aの如く円筒状ミラーアレイで構成すると、円筒状レンズアレイ方式のホモジナイザーにおける位置と同じ位置で焦点を結んだ後にビームが広がり、第2方向(x軸)のホモジナイザー光学系を実現することができる。
このとき、単一のミラーセット光学系の前段に位置した集光レンズの焦点距離は、単一のミラーセット光学系の中央にくるように設定する。また、円筒状ミラーアレイの焦点距離が、単一のミラーセット光学系の長さの1/2となるように、円筒状ミラーアレイの曲率を設定する。集光レンズによって単一のミラーセット光学系の中心で焦点を結んだ後に広がったビームは、第1円筒状ミラーアレイによって平行ビームとして第2円筒状ミラーアレイへ向けて反射される。第2円筒状ミラーアレイは、第2円筒状ミラーアレイと焦点距離が同じ光学系である第1円筒状ミラーアレイへ、再び単一のミラーセット光学系の中央に焦点を結び、反射させた後、ビームセグメントを単一のミラーセット光学系から出射する。このような方式で反射されて単一のミラーセット光学系を通過した平行ビームは、単一のミラーセット光学系の中央で焦点が結ばれて広がるようになり、円筒状レンズアレイによるホモジナイザーと同じ方式で強度が均一なラインビームを形成する。
したがって、第1方向(y軸)にも上述の如くガウス分布がフラットトップをなすため、別途のホモジナイザーを用いることなく、単一のミラーセット自体で第1方向(y軸)と第2方向(x軸)についてのホモジナイザー光学系の役割を兼ねることができる。
図14aは二つの円筒状ミラーアレイの焦点距離が同じ光学系で構成された方法を示すが、二つの円筒状ミラーアレイの焦点距離が異なるように設計して使用してもよい。
図14bのように二つの円筒状ミラーアレイの焦点距離が異なる場合は、第2円筒状ミラーアレイによって結ばれる焦点が単一のミラーセット光学系の中心ではないところに位置するようにすることができる。
または、図14cのように、単一のミラーセット光学系の外側の、円筒状ミラーアレイの焦点距離だけ離れた位置に、焦点を位置させることもできる。この場合、図14bにおける第1円筒状ミラーアレイの代わりに平面ミラーを使用しても、光学系の構成が可能である。また、円筒状ミラーアレイと平面ミラーの位置を入れ替えても、効果は同様である。このような光学系の構成によって円筒状ミラーアレイの使用個数を一つ減らすことにより、光学系の構成を単純化する効果に加え、円筒状ミラーアレイによる収差を小さくする効果が得られる。
単一のミラーセット光学系の外側に位置した第2方向(x軸)の円筒状レンズアレイは、フィールドレンズであって、三つの役割がある。
第一は、ラインビームの均一度を高める役割である。第二は、ビーム変換光学系と単一のミラーセット光学系を通過した後、第2方向(x軸)に非平行ビームとして出射する場合、円筒状レンズアレイの通過後に平行ビームとして入射するようにする役割である。第三は、円筒状レンズアレイの位置調整により、ラインビームのサイズを調節する役割である。円筒状レンズアレイを、円筒状ミラーアレイによって結ばれる焦点よりも前方に位置させると、ラインビームの幅は設計値よりも拡大し、焦点位置よりも後方に位置させると、ラインビームの幅は設計値よりも縮小する。
本発明に係る単一のミラーセットを含むラインビーム形成装置は、図9に示すように、5つの光学系から構成できる。レーザー光源1から放出された原レーザービームをビームサイズおよびビームダイバージェンスの変動なしにラインビーム光学系へ移動させるリレー光学系2、単一のミラーセットに入射する前に第1方向(y軸)に原レーザービームのサイズを拡大して短軸(y軸)のビームダイバージェンスを小さくするビーム形成光学系3、第1方向(y軸)の低下したビームダイバージェンスを変化させずに第1方向(y軸)のビーム幅を小さくする単一のミラーセット光学系4、および、第2方向(x軸)と第1方向(y軸)の強度を均一にするホモジナイザー光学系5、から構成される。最後に、第1方向(y軸)に集光してスポットサイズを小さくするフォーカシング光学系6が必要である。フォーカシング光学系は、一つのレンズまたは一つ以上のレンズ群を用いてスポットサイズを数μm〜数十μmにすることができる。
リレー光学系2はテレセントリック光学系を用いる。一つのレンズまたは一つのレンズ群を用いると、レンズの焦点距離の2倍の距離である2Fで原レーザービームとサイズおよびビームダイバージェンスが同じイメージを得ることができる。ダブルテレセントリック光学系は二つのレンズまたは二つのレンズ群を用いる。ダブルテレセントリック光学系は、原レーザービームの位置に敏感ではない特徴があるため、レーザービームとビーム形成光学系3との距離が遠い場合に使用しやすい。
ビーム形成光学系3は、単一のミラーセット光学系に入射する前にビームのサイズを変形させる光学系であって、一般に円筒状レンズを用いて第2方向(x軸)と第1方向(y軸)のビームのサイズが異なるように変形させる。
第1方向(y軸)のビームダイバージェンスを小さくするために、第1方向(y軸)のビームのサイズを拡大し、第2方向(x軸)の幅は変化しないか、または、単一のミラーセット光学系4を通過し易いように変形させることができる。
単一のミラーセット光学系4は、上述したように、第1方向(y軸)の幅およびビームダイバージェンスを小さくし、複数のレーザービームを組み合わせることができ、第1方向(y軸)に均一な強度を有するようにフラットトッププロファイルを形成する。
単一のミラーセット光学系4を通過したレーザービームは、第2方向(x軸)に強度を均一にする光学系が必要である。このため、ホモジナイザー光学系5を使用することができる。ホモジナイザー光学系5は、第2方向(x軸)について円筒状レンズアレイと視準レンズとを設けることで構成できる。
円筒状レンズアレイによってセグメント化されたレーザービームは、視準レンズを介して所望の幅に調整され、強度の均一なラインビームになる。
最後に、フォーカシング光学系6は、一つのレンズまたは一つ以上のレンズ群から構成されており、スポットサイズを数μm〜数十μmに集束または縮小結像する。単一のミラーセット光学系4とホモジナイザー光学系5を通過したフラットトッププロファイルのレーザービームを、レンズを介して集束すると、焦点面においてSinc関数の強度プロファイルになる。Sinc関数の強度プロファイルはガウスプロファイルに類似しており、損傷閾値の高い物質または界面加工に有用である。しかし、レーザー加工方式によっては、加工面でフラットトッププロファイルが必要な場合がある。その場合は、単一のミラーセット光学系を通過したフラットトッププロファイルのレーザービームに縮小結像光学系を使用すると、結像面で数μm〜数十μmのフラットトッププロファイルのラインビームを形成することができる。
図10は上述した光学系をシミュレートした結果である。ビーム形成光学系を通過したレーザービーム(図10a)は、第1方向(y軸)および第2方向(x軸)にガウス強度プロファイルを示すが、単一のミラーセット光学系と円筒状レンズアレイを通過したレーザービーム(図10b)は、第2方向(x軸)だけではなく、第1方向(y軸)にもフラットトッププロファイルを示すことが確認できる。
上述したように、本発明の単一のミラーセットを含むラインビーム形成装置は、一つのレーザーを使用することも、複数のレーザーを簡単に組み合わせることも可能な光学系として提供できる。また、レーザービームの短軸(y軸)方向にフラットトッププロファイルを作成するホモジナイザーの役割も兼ねることができ、単一のミラーセット内での繰り返し反射とビームセグメントの順次的な出射プロセスによって、短軸(y軸)方向にビームを一定の距離だけ移動させながら一定の幅のビームセグメントを出射し、長軸(x軸)方向に前記ビームセグメントを一定の間隔で配列することができる。また、前記単一のミラーセットの前段にビーム変換手段を追加して短軸(y軸)方向の幅を拡大し、ビームダイバージェンスを小さくして前記単一のミラーセットにビームを入射することにより、最終的に短軸(y軸)方向のビームダイバージェンスを小さくして高エネルギー密度のビームを形成することができる。また、長軸(x軸)方向に円筒状レンズアレイまたはこれに類似したホモジナイザー光学系と組み合わせることで、長軸(x軸)および短軸(y軸)の両方向についてフラットトッププロファイルを実現することができるため、活用度が大きいものと予想される。

Claims (17)

  1. 作動面にラインビームを形成するビーム形成装置であって、
    レーザービームを放出するレーザー光源と、
    複数のミラーからなる単一のミラーセットと、を含み、
    前記単一のミラーセットは、
    入射した前記レーザービームを前記レーザービームの進行方向(z軸)に対して直角な第1方向(y軸)に分割して一定の大きさのビームセグメントを出射し、
    残りのビームを前記単一のミラーセット内で再反射して前記第1方向(y軸)に一定の距離だけ前記残りのビームを移動させる過程を繰り返し行うことにより、一定の大きさの前記ビームセグメントを順次出射し、
    前記レーザービームの進行方向(z軸)に対して直角な第2方向(x軸)に前記ビームセグメントを一定の間隔で配列することができる
    ように前記ビーム形成装置内に配置されるものであるラインビーム形成装置。
  2. 前記単一のミラーセットの前段にビーム変換手段をさらに備え、前記レーザービームが前記ビーム変換手段を通過することにより、前記レーザービームの前記第1方向(y軸)の大きさが拡大し、前記第1方向(y軸)のビームダイバージェンスが小さくなる、ように変形し、変形したレーザービームが前記単一のミラーセットに入射する請求項1に記載のラインビーム形成装置。
  3. 前記単一のミラーセットは、
    入射した前記レーザービームを受け入れ、分割されたビームセグメントを出射部を介して出射し、残りのビームを反射する第1ミラーと、
    前記第1ミラーに反射されたビームを受け入れて再反射する第2ミラーと、を含み、
    前記第1ミラーは、前記第2ミラーから前記レーザービームの進行方向(z軸)に離隔して位置し、前記第1方向(y軸)に前記出射部の幅(d)だけ差が生じるように位置する請求項1に記載のラインビーム形成装置。
  4. 前記出射部の幅(d)を調節することにより、前記ビームセグメントの前記第1方向(y軸)の幅を調節する請求項3に記載のラインビーム形成装置。
  5. 前記出射部は空気で満たされた空間である請求項3に記載のラインビーム形成装置。
  6. 前記出射部は前記第1ミラーが延長されたもので構成され、反射防止コーティング処理されたものである請求項3に記載のラインビーム形成装置。
  7. 前記ビームセグメントの出射経路上に屈折補正手段がさらに配置され、
    前記屈折補正手段は、前記反射防止コーティング処理された、前記出射部と同じ厚さの同一物質からなり、前記出射部と反対の角度を形成するように配置されたものである請求項6に記載のラインビーム形成装置。
  8. 前記第2方向(x軸)に前記レーザービームが入射する角度、または、前記単一のミラーセットの組立角度、を調節することにより、前記第2方向(x軸)に前記ビームセグメントが配列される間隔、および、前記第2方向(x軸)の出射ビームの全幅を調節する請求項1に記載のラインビーム形成装置。
  9. 前記レーザービームは、前記第2方向(x軸)には前記単一のミラーセットを構成するミラーに垂直ではない角度で入射する請求項1に記載のラインビーム形成装置。
  10. 前記第1ミラーから反射されるビームは、前記第2ミラーに直接入射して前記第1ミラーへ向けて再反射されるか、あるいは、
    前記単一のミラーセット内に配置された少なくとも一つの追加的なミラーを経て前記第2ミラーに入射して前記第1ミラーへ向けて再反射される請求項3に記載のラインビーム形成装置。
  11. 前記ラインビーム形成装置は、前記単一のミラーセットと同じ構造の追加的な単一のミラーセットを備え、
    前記単一のミラーセットと前記追加的な単一のミラーセットは、前記第2方向(x軸)に互いに反対の角度を形成するように配置され、
    入射した前記レーザービームを二つに分割して、それぞれ再反射と出射プロセスを行う請求項1に記載のラインビーム形成装置。
  12. 前記単一のミラーセットの後段に、前記第2方向(x軸)にホモジナイザーをさらに備え、前記第2方向(x軸)に配列されたビームセグメントが通過すると、前記第1方向(y軸)および前記第2方向(x軸)にビーム強度が均一なフラットトッププロファイルを形成する請求項1に記載のラインビーム形成装置。
  13. 前記単一のミラーセットに入射する前記レーザービームは、隣接する複数のレーザービームを同じ位置、および、同じ角度、で、前記単一のミラーセットに入射する請求項1に記載のラインビーム形成装置。
  14. 前記単一のミラーセット内でビームが進行する距離を調節して前記ビームセグメントの出射時間間隔を調節することにより、レーザーパルス持続時間を調節する請求項1に記載のラインビーム形成装置。
  15. 前記単一のミラーセットを構成する複数のミラーのうち少なくとも一つが円筒状ミラーアレイとして構成された請求項1に記載のラインビーム形成装置。
  16. 前記単一のミラーセットの前段に前記第2方向(x軸)の集光レンズをさらに備え、出射するビームセグメントが一定の角度で広がる請求項15に記載のラインビーム形成装置。
  17. 前記単一のミラーセットの後段に前記第2方向(x軸)に視準レンズをさらに備え、前記一定の角度で広がって出射するビームセグメントから同じ幅の平行ビームを形成することで、前記第2方向(x軸)にビーム強度が均一なフラットトッププロファイルを形成する請求項16に記載のラインビーム形成装置。
JP2017556497A 2015-06-10 2015-06-19 ラインビーム形成装置 Active JP6649402B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0082119 2015-06-10
KR1020150082119A KR101738155B1 (ko) 2015-06-10 2015-06-10 라인 빔 형성 장치
PCT/KR2015/006268 WO2016199971A1 (ko) 2015-06-10 2015-06-19 라인 빔 형성 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018505568A true JP2018505568A (ja) 2018-02-22
JP6649402B2 JP6649402B2 (ja) 2020-02-19

Family

ID=57503656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017556497A Active JP6649402B2 (ja) 2015-06-10 2015-06-19 ラインビーム形成装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10437072B2 (ja)
JP (1) JP6649402B2 (ja)
KR (1) KR101738155B1 (ja)
CN (1) CN107112707B (ja)
WO (1) WO2016199971A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101891756B1 (ko) * 2017-03-22 2018-08-28 명지대학교 산학협력단 라인 빔 발생장치
WO2019094722A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 Boston Scientific Scimed, Inc. Apparatus and methodology for reshaping a laser beam
CN111258076A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 福州高意光学有限公司 一种可实现激光光束匀化功能的光学***
DE102019107146B4 (de) 2019-01-30 2021-02-25 Jenoptik Optical Systems Gmbh Athermale Laseroptik aus Kunststoff
CN112513706A (zh) * 2019-07-08 2021-03-16 Limo显示有限责任公司 用于激光辐射的转变设备
DE102021209734A1 (de) 2021-09-03 2022-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Auskoppelvorrichtung, Verfahren zur Abzweigung einer äußeren Strahlung, Beleuchtungssysteme, Vorrichtung zur Bereitstellung und Weiterleitung einer Projektionsstrahlung für ein Beleuchtungssystem und Lithografiesystem
TW202315695A (zh) * 2021-09-30 2023-04-16 美商晶典有限公司 雷射塑形裝置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5037450A (ja) * 1973-06-21 1975-04-08
JPS5421753A (en) * 1977-07-19 1979-02-19 Mitsubishi Electric Corp Linear pattern projector
US5224200A (en) * 1991-11-27 1993-06-29 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Coherence delay augmented laser beam homogenizer
JPH09506715A (ja) * 1993-11-30 1997-06-30 ユニバーシテイ オブ サウサンプトン ビーム整形装置
JP2000261076A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Fuji Electric Co Ltd レーザ出力調整装置
JP2001257434A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ光源及びこれを用いた半導体レーザ加工装置
JP2002176006A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置及び方法
JP2005502209A (ja) * 2001-08-29 2005-01-20 サイマー インコーポレイテッド 超狭帯域2室式高繰返し率放電ガスレーザシステム
JP2008177372A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Sumitomo Heavy Ind Ltd ラインビーム成形方法、ラインビーム成形装置、及び該装置を具備したレーザ加工装置
JP2012047766A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Mitsubishi Electric Corp 光ビーム再配置光学系、光学素子および光源装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3506334A (en) * 1966-02-17 1970-04-14 Zenith Radio Corp Phased array-type beam scanning
US3675985A (en) * 1970-08-03 1972-07-11 Bell Telephone Labor Inc Optical autocorrelator for autocorrelating picosecond optical pulses
US4362361A (en) * 1980-09-15 1982-12-07 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Collimated beam manifold with the number of output beams variable at a given output angle
JPS6019101A (ja) * 1983-07-13 1985-01-31 Hoya Corp ビ−ムスプリツタ
US4871232A (en) * 1987-12-07 1989-10-03 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for ultra high frequency spectrum analysis
DE4124311A1 (de) * 1991-07-23 1993-01-28 Zeiss Carl Fa Anordnung zur kohaerenzreduktion und strahlformung eines laserstrahls
JP3069703B1 (ja) 1999-11-24 2000-07-24 郵政省通信総合研究所長 光分岐方法
US7035012B2 (en) 2004-03-01 2006-04-25 Coherent, Inc. Optical pulse duration extender
CN1909305A (zh) * 2006-07-14 2007-02-07 中国科学院上海光学精密机械研究所 高功率大能量超短激光脉冲展宽装置及其调节方法
CN201044033Y (zh) * 2007-06-01 2008-04-02 中国科学院上海光学精密机械研究所 折叠的反射式单光栅展宽装置
KR100864017B1 (ko) 2007-06-28 2008-10-16 삼성전기주식회사 라인 빔 발생 장치
KR100900685B1 (ko) 2007-07-19 2009-06-01 삼성전기주식회사 다중 빔 레이저 장치 및 빔 스플리터
KR101081370B1 (ko) 2010-05-31 2011-11-08 고려대학교 산학협력단 평행 되반사형 광학소자를 이용한 다중반사 고분해능 광학 간섭계 및 이를 이용한 거리 측정 장치
KR101632939B1 (ko) * 2011-09-30 2016-06-23 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피 지그-재그부를 포함한 광 파워 스플리터
US8599485B1 (en) * 2012-05-25 2013-12-03 Corning Incorporated Single-emitter etendue aspect ratio scaler

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5037450A (ja) * 1973-06-21 1975-04-08
JPS5421753A (en) * 1977-07-19 1979-02-19 Mitsubishi Electric Corp Linear pattern projector
US5224200A (en) * 1991-11-27 1993-06-29 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Coherence delay augmented laser beam homogenizer
JPH09506715A (ja) * 1993-11-30 1997-06-30 ユニバーシテイ オブ サウサンプトン ビーム整形装置
JP2000261076A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Fuji Electric Co Ltd レーザ出力調整装置
JP2001257434A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ光源及びこれを用いた半導体レーザ加工装置
JP2002176006A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置及び方法
JP2005502209A (ja) * 2001-08-29 2005-01-20 サイマー インコーポレイテッド 超狭帯域2室式高繰返し率放電ガスレーザシステム
JP2008177372A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Sumitomo Heavy Ind Ltd ラインビーム成形方法、ラインビーム成形装置、及び該装置を具備したレーザ加工装置
JP2012047766A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Mitsubishi Electric Corp 光ビーム再配置光学系、光学素子および光源装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
W.A.CLARKSON AND D.C.HANNA: ""Two-mirror beam-shaping technique for high-power diode bars"", OPTICS LETTERS, vol. 21, no. 6, JPN6018019849, 15 March 1996 (1996-03-15), pages 375 - 377, XP000587031, ISSN: 0003807494 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP6649402B2 (ja) 2020-02-19
CN107112707B (zh) 2020-07-14
US20180011330A1 (en) 2018-01-11
KR101738155B1 (ko) 2017-05-22
KR20160145910A (ko) 2016-12-21
CN107112707A (zh) 2017-08-29
WO2016199971A1 (ko) 2016-12-15
US10437072B2 (en) 2019-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6649402B2 (ja) ラインビーム形成装置
US7842565B2 (en) Beam homogenizer and laser irradiation apparatus
US7277229B2 (en) Linear light beam generating optical system
US8270084B2 (en) Device for beam shaping
US8662761B2 (en) Laser optical system using optical fiber transmission
JP6165366B1 (ja) 平行光発生装置
TWI465775B (zh) 照明系統
TWI834736B (zh) 雷射加工系統
KR20140020776A (ko) 프레넬 영역 소자를 이용한 레이저 가공 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
JP2002239773A (ja) 半導体レーザー加工装置および半導体レーザー加工方法
JP6614882B2 (ja) レーザラインジェネレータのための導光体ベースの光学システム
KR102589766B1 (ko) 레이저 장치
KR102219614B1 (ko) 레이저 시스템 또는 레이저 노광 시스템
TWI792876B (zh) 雷射鑽孔裝置
JP2017013081A (ja) レーザ加工装置、および、レーザ加工方法
TWI697162B (zh) 用於產生線狀的強度分佈的雷射輻射的裝置
CN109494551B (zh) 一种碟片激光器
JP7453328B2 (ja) レーザ放射用の変換装置
JP2016124022A (ja) レーザ加工ヘッド及びレーザ加工装置
TWI844700B (zh) 用於雷射照射的轉換裝置及雷射裝置
US20210364769A1 (en) Laser device
TW202117392A (zh) 用於雷射照射的轉換裝置
JP2004356282A (ja) 光照射装置、レーザアニール装置、およびコリメータ調整装置
TW202415478A (zh) 組合雙波長之雷射光加工裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170714

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180903

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190129

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190425

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190619

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190729

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6649402

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250