JP2018200977A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 412
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 172
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 95
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 77
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 59
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 42
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 24
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 330
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 19
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 5
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate such as a semiconductor substrate, a glass substrate for liquid crystal display, a glass substrate for photomask, and a substrate for optical disk.
従来の基板処理装置は、スピンチャック、回転機構、処理液ノズル、および洗浄ブラシを備えている。スピンチャックは、回転可能なスピンベースと、スピンベースの外周側にリング状に立設された複数の支持部材とを備えている。スピンチャックは、複数の支持部材によって、スピンベースから離して基板を保持する。回転機構は、スピンチャックを回転させる。スピンチャックに保持されて回転する基板の上面に、処理液ノズルから処理液が供給される。この際、洗浄ブラシを基板の上面に接触させて基板をスクラブ洗浄する。 A conventional substrate processing apparatus includes a spin chuck, a rotation mechanism, a processing liquid nozzle, and a cleaning brush. The spin chuck includes a rotatable spin base and a plurality of support members provided in a ring shape on the outer peripheral side of the spin base. The spin chuck holds the substrate apart from the spin base by a plurality of support members. The rotation mechanism rotates the spin chuck. The processing liquid is supplied from the processing liquid nozzle onto the upper surface of the substrate held and rotated by the spin chuck. At this time, the cleaning brush is brought into contact with the upper surface of the substrate to scrub the substrate.
また、処理液ノズルおよび洗浄ブラシの代わりに二流体ノズルを用いて、基板の上面に処理液をスプレーして、基板の上面を洗浄する場合もある。 In some cases, the upper surface of the substrate is cleaned by spraying the processing liquid on the upper surface of the substrate using a two-fluid nozzle instead of the processing liquid nozzle and the cleaning brush.
基板の上面に処理液を供給して行うスクラブ洗浄などの基板処理を行う場合、処理液のミストが発生する。処理液ミストが基板の下面に回り込むと、基板の下面に処理液が付着する。そのため、基板処理装置は、保護ディスクと気体吐出部とを備えている。保護ディスクは、スピンチャックに保持された基板とスピンベースとの間に設けられ、昇降可能である。また、保護ディスクは、基板処理のときに基板に近い位置に配置される。この状態のとき、基板中心の下方に設けられた気体吐出部は、スピンチャックに保持された基板と保護ディスクとの間に不活性ガスを吐出する。これにより、基板の下面への処理液の回り込みを抑制している(例えば、特許文献1参照)。 When performing substrate processing such as scrub cleaning performed by supplying the processing liquid to the upper surface of the substrate, mist of the processing liquid is generated. When the processing liquid mist reaches the lower surface of the substrate, the processing liquid adheres to the lower surface of the substrate. Therefore, the substrate processing apparatus includes a protective disk and a gas discharge unit. The protective disk is provided between the substrate held by the spin chuck and the spin base and can be moved up and down. Further, the protective disk is disposed at a position close to the substrate during substrate processing. In this state, the gas discharge unit provided below the center of the substrate discharges an inert gas between the substrate held by the spin chuck and the protective disk. This suppresses the processing liquid from entering the lower surface of the substrate (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、基板の下面への処理液の回り込みが十分に抑制できていない問題がある。例えば、洗浄ブラシによるスクラブ洗浄では、支持部材付近で基板の下面への洗浄液ミストの回り込みが発生する。これは、気体吐出部から吐出された不活性ガスの基板外周側への流れを支持部材が妨げたり、支持部材が基板と共に回転することで負圧が生じたりして、回り込み抑制の効果が低下していることが原因であると考えられている。基板の下面に処理液が回り込んで基板の下面(デバイス面)に処理液が付着すると、パーティクル発生の原因になる。なお、パーティクルの発生は、歩留まり低下を引き起こすので好ましくない。 However, there is a problem that the treatment liquid does not sufficiently suppress the lower surface of the substrate. For example, in scrub cleaning with a cleaning brush, cleaning liquid mist wraps around the lower surface of the substrate near the support member. This is because the support member hinders the flow of the inert gas discharged from the gas discharge part to the outer peripheral side of the substrate, or the support member rotates together with the substrate to generate a negative pressure, thereby reducing the effect of suppressing the wraparound. It is thought that the cause is. If the processing liquid wraps around the lower surface of the substrate and adheres to the lower surface (device surface) of the substrate, particles are generated. The generation of particles is not preferable because it causes a decrease in yield.
図13は、支持部材付近で発生するパーティクルの様子を示す図である。図13は、基板Wを上面側から見た図であり、点は、基板Wの下面に発生したパーティクルを示している。パーティクルは、支持部材から基板Wの内側に発生する。 FIG. 13 is a diagram illustrating a state of particles generated near the support member. FIG. 13 is a view of the substrate W viewed from the upper surface side, and dots indicate particles generated on the lower surface of the substrate W. FIG. Particles are generated inside the substrate W from the support member.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板の下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the effect of suppressing the flow of the processing liquid to the lower surface of the substrate.
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、鉛直方向の軸線周りに回転可能なスピンベースおよび、前記スピンベースの外周側でかつ前記軸線周りに立設された複数の支持部材を有する基板保持部であって、前記複数の支持部材によって、前記スピンベースと基板とを離した状態で、基板を保持する前記基板保持部と、前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、前記基板保持部で保持された基板の中心の下方に設けられ、基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出する第1気体吐出部と、前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記軸線周りに立設された前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられ、前記第1気体吐出部による気体の吐出に加えて、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近に前記気体を吐出する第2気体吐出部と、を備えていることものである。 In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration. That is, the substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate holding unit having a spin base rotatable around a vertical axis and a plurality of support members erected on the outer peripheral side of the spin base and around the axis. The substrate holding unit that holds the substrate in a state where the spin base and the substrate are separated by the plurality of support members, a rotation drive mechanism that rotates the substrate holding unit around the axis, and the substrate Provided on the upper surface of the substrate held and rotated by the holding unit is a processing unit that supplies the processing liquid and processes the substrate, and is provided below the center of the substrate held by the substrate holding unit. The first gas discharge unit that discharges gas to the lower surface of the substrate so that the gas flows toward the outer peripheral side, and the substrate that is held by the substrate holding unit when the substrate is held in plan view, Multiple supports In addition to gas discharge by the first gas discharge portion, the gas is provided near the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate. And a second gas discharge part for discharging the gas.
本発明に係る基板処理装置によれば、第2気体吐出部は、基板保持部で保持された基板を平面視した際に、軸線周りに立設された複数の支持部材よりも軸線側でかつ、基板の外周側に設けられている。第2気体吐出部は、第1気体吐出部による気体の吐出に加えて、複数の支持部材の各々と基板の端との接触部分付近に気体を吐出する。すなわち、第2気体吐出部は、回り込み抑制効果が低下し、基板の下面に処理液が回り込むと考えられる支持部材と基板の端との接触部分付近に、支持部材の近くから気体を吐出する。そのため、第1気体吐出部による気体の流れをピンポイントに強化することで、基板の下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, the second gas ejection unit is closer to the axis than the plurality of support members erected around the axis when the substrate held by the substrate holding unit is viewed in plan view. , Provided on the outer peripheral side of the substrate. The second gas discharge unit discharges gas in the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate, in addition to the gas discharge by the first gas discharge unit. That is, the second gas discharge unit discharges gas from the vicinity of the support member in the vicinity of the contact portion between the support member and the end of the substrate, where the effect of suppressing the wraparound decreases and the processing liquid flows around the lower surface of the substrate. Therefore, by strengthening the gas flow by the first gas discharge unit to a pinpoint, it is possible to improve the effect of suppressing the flow of the processing liquid to the lower surface of the substrate.
また、上述の基板処理装置において、前記第2気体吐出部は、前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手に形成された少なくとも1つのスリット状の吐出口を有することが好ましい。 Moreover, in the above-described substrate processing apparatus, the second gas discharge portion has a ring shape around the axis, and has at least one slit-like discharge port formed longitudinally along the outer periphery of the ring. Is preferred.
例えば、二流体ノズルによる洗浄においては、基板下面の外周側の全周に処理液が回り込んで基板の下面に処理液が付着する。これにより、基板下面の外周側の全周にリング状のパーティクルが発生する。これは、上述の支持部材の影響とは別に、ブラシによるスクラブ洗浄に比べて、処理液ミストの量が多いことが原因であると考えられる。本発明のスリット状の吐出口によれば、支持部材と基板の端との接触部分を含む基板の端付近に広範囲に気体を吐出することができる。そのため、基板下面の外周側の全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。 For example, in cleaning with a two-fluid nozzle, the processing liquid wraps around the entire outer periphery of the lower surface of the substrate and adheres to the lower surface of the substrate. Thereby, ring-shaped particles are generated on the entire outer periphery of the lower surface of the substrate. This is considered to be caused by the fact that the amount of the treatment liquid mist is larger than the scrub cleaning with the brush, apart from the influence of the support member described above. According to the slit-like discharge port of the present invention, gas can be discharged over a wide range near the end of the substrate including the contact portion between the support member and the end of the substrate. Therefore, it is possible to improve the effect of suppressing the treatment liquid from flowing around the entire outer periphery of the lower surface of the substrate.
また、上述の基板処理装置において、前記第2気体吐出部は、前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手でかつ前記リングの全周にかけて形成された1つのスリット状の吐出口を有することが好ましい。これにより、第2気体吐出部は、支持部材と基板の端との接触部分を含む基板の端付近の全周に気体を吐出することができる。 Moreover, in the above-described substrate processing apparatus, the second gas discharge portion has a ring shape around the axis, and is formed in a single slit shape that is long along the outer periphery of the ring and extends over the entire periphery of the ring. It is preferable to have a discharge port. Thereby, the 2nd gas discharge part can discharge gas to the perimeter of the edge vicinity of the board | substrate including the contact part of a support member and the edge of a board | substrate.
また、上述の基板処理装置において、前記スリット状の吐出口は、前記複数の支持部材の各々に対向する部分のスリット幅が、前記対向する部分以外の部分のスリット幅よりも広くなるように構成されていることが好ましい。これにより、スリット状の吐出口は、複数の支持部材の各々に対向する部分で、対向する部分以外の部分よりも多くの気体を吐出することができる。 In the substrate processing apparatus described above, the slit-shaped discharge port is configured such that a slit width of a portion facing each of the plurality of support members is wider than a slit width of a portion other than the facing portion. It is preferable that Thereby, the slit-shaped discharge port can discharge more gas at a portion facing each of the plurality of support members than at a portion other than the facing portion.
また、上述の基板処理装置において、前記第2気体吐出部は、前記軸線周りにリング状に複数の吐出口を有し、前記複数の吐出口は、前記回転駆動機構によって前記複数の支持部材と一緒に前記軸線周りに回転されるように構成されていることが好ましい。これにより、複数の支持部材と複数の吐出口の相対位置を維持できる。 In the substrate processing apparatus described above, the second gas discharge unit has a plurality of discharge ports in a ring shape around the axis, and the plurality of discharge ports are connected to the plurality of support members by the rotation drive mechanism. It is preferable to be configured to be rotated around the axis together. Thereby, the relative positions of the plurality of support members and the plurality of discharge ports can be maintained.
また、上述の基板処理装置は、前記スピンベースと基板との間に昇降可能に設けられた板状保護部材と、基板処理する場合に前記板状保護部材を上昇させる昇降機構とを更に備え、前記第1気体吐出部は、基板と前記板状保護部材との間を基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出し、前記第2気体吐出部は、前記板状保護部材に設けられ、前記第2気体吐出部には、前記板状保護部材の内部に設けられた空間を通じて気体が供給されることが好ましい。 In addition, the substrate processing apparatus described above further includes a plate-like protective member provided so as to be movable up and down between the spin base and the substrate, and an elevating mechanism that raises the plate-like protective member when the substrate is processed, The first gas discharge unit discharges gas to the lower surface of the substrate so that the gas flows between the substrate and the plate-shaped protective member from the center side of the substrate toward the outer peripheral side of the substrate, and the second gas discharge unit Preferably, the part is provided in the plate-like protection member, and gas is supplied to the second gas discharge part through a space provided in the plate-like protection member.
これにより、昇降可能な板状保護部材に設けられた第2気体吐出部に、板状保護部材の内部に設けられた空間を通じて気体を供給することができる。 Thereby, gas can be supplied to the 2nd gas discharge part provided in the plate-shaped protection member which can be raised / lowered through the space provided in the inside of the plate-shaped protection member.
また、上述の基板処理装置において、前記板状保護部材は、前記スピンベースと基板との間に昇降可能に設けられた保護板と、前記保護板と前記スピンベースとの間に昇降可能に設けられた気体案内板とを備え、前記第1気体吐出部は、基板と前記保護板との間を基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出し、前記第2気体吐出部は、前記保護板と前記気体案内板との隙間で形成された少なくとも1つの吐出口を有し、前記第2気体吐出部には、前記保護板と前記気体案内板との間に形成された空間を通じて気体が供給され、前記昇降機構は、基板処理する場合に前記保護板および気体案内板を上昇させることが好ましい。 In the substrate processing apparatus described above, the plate-shaped protection member is provided so as to be movable up and down between the spin base and the substrate, and to be movable up and down between the protection plate and the spin base. The first gas discharge unit discharges gas to the lower surface of the substrate so that the gas flows between the substrate and the protective plate from the center side of the substrate toward the outer periphery side of the substrate. The second gas discharge part has at least one discharge port formed by a gap between the protection plate and the gas guide plate, and the second gas discharge part includes the protection plate and the gas guide. It is preferable that gas is supplied through a space formed between the plate and the elevating mechanism raises the protective plate and the gas guide plate when the substrate is processed.
これにより、昇降可能な保護板と気体案内板との隙間で形成された吐出口を有する第2気体吐出部に、保護板と気体案内板との間に形成された空間を通じて気体を供給することができる。 Thereby, gas is supplied to the second gas discharge portion having the discharge port formed by the gap between the vertically movable protection plate and the gas guide plate through the space formed between the protection plate and the gas guide plate. Can do.
また、上述の基板処理装置において、前記気体案内板は、前記保護板に対して独立して昇降可能であり、前記昇降機構は、基板処理する場合に前記保護板および気体案内板を個々に上昇させると共に、前記吐出口を形成する前記隙間の幅を調整することが好ましい。昇降機構は、吐出口を形成する隙間の幅を調整することで、例えば、第2気体吐出部により吐出される気体の流速を調整することができる。 Further, in the above-described substrate processing apparatus, the gas guide plate can be moved up and down independently with respect to the protection plate, and the lifting mechanism raises the protection plate and the gas guide plate individually when processing the substrate. It is preferable to adjust the width of the gap forming the discharge port. The elevating mechanism can adjust the flow rate of the gas discharged by the second gas discharge unit, for example, by adjusting the width of the gap forming the discharge port.
また、上述の基板処理装置において、前記第2気体吐出部は、前記スピンベースに設けられ、前記第2気体吐出部には、前記スピンベースの内部に設けられた空間を通じて気体が供給されることが好ましい。これにより、スピンベースに設けられた第2気体吐出部に、スピンベースの内部に設けられた空間を通じて気体を供給することができる。 In the above-described substrate processing apparatus, the second gas discharge unit is provided in the spin base, and gas is supplied to the second gas discharge unit through a space provided in the spin base. Is preferred. Thereby, gas can be supplied to the 2nd gas discharge part provided in the spin base through the space provided in the inside of the spin base.
また、本発明に係る基板処理装置は、鉛直方向の軸線周りに回転可能なスピンベースおよび、前記スピンベースの外周側でかつ前記軸線周りに立設された複数の支持部材を有する基板保持部であって、前記複数の支持部材によって、前記スピンベースと基板とを離した状態で、基板を保持する前記基板保持部と、前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手に形成された少なくとも1つのスリット状の吐出口を有する気体吐出部であって、前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記軸線周りに立設された前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられ、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近を含む前記基板の端付近の全周に前記気体を吐出する前記気体吐出部と、を備えていることを特徴とするものである。 Further, the substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate holding unit having a spin base rotatable around a vertical axis and a plurality of support members erected on the outer peripheral side of the spin base and around the axis. The substrate holding unit that holds the substrate in a state where the spin base and the substrate are separated by the plurality of support members, a rotation drive mechanism that rotates the substrate holding unit around the axis, and the substrate A processing unit for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate held and rotated by the holding unit and processing the substrate, and a ring shape around the axis, and at least one formed longitudinally along the outer periphery of the ring A gas discharge part having two slit-like discharge ports, when the substrate held by the substrate holding part is viewed in plan, on the axis side than the plurality of support members erected around the axis Or And the gas discharge section that is provided on the outer peripheral side of the substrate and discharges the gas to the entire periphery near the end of the substrate including the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate. It is characterized by that.
本発明に係る基板処理装置によれば、気体吐出部は、軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手に形成された少なくとも1つのスリット状の吐出口を有する。また、気体吐出部は、基板保持部で保持された基板を平面視した際に、軸線周りに立設された複数の支持部材よりも軸線側でかつ、基板の外周側に設けられている。気体吐出部は、複数の支持部材の各々と基板の端との接触部分付近を含む基板の端付近に広範囲に気体を吐出することができる。なお、複数の支持部材の各々と基板の端との接触部分付近は、基板の下面に処理液が回り込みやすいと考えられる部分である。すなわち、気体吐出部は、支持部材の近くから基板の端付近にピンポイントで気体を吐出する。そのため、基板下面の外周側の全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, the gas discharge section has a ring shape around the axis, and has at least one slit-shaped discharge port formed longitudinally along the outer periphery of the ring. In addition, the gas discharge unit is provided on the axis side of the plurality of support members standing around the axis line and on the outer peripheral side of the substrate when the substrate held by the substrate holding unit is viewed in plan. The gas discharge unit can discharge gas over a wide range near the end of the substrate including the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate. Note that the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate is a portion where the processing liquid is likely to flow around the lower surface of the substrate. In other words, the gas discharge unit discharges the gas pinpoint from the vicinity of the support member to the vicinity of the end of the substrate. Therefore, it is possible to improve the effect of suppressing the treatment liquid from flowing around the entire outer periphery of the lower surface of the substrate.
また、本発明に係る基板処理方法は、鉛直方向の軸線周りに回転可能なスピンベースおよび、前記スピンベースの外周側でかつ前記軸線周りに立設された複数の支持部材を有する基板保持部であって、前記複数の支持部材によって、前記スピンベースと基板とを離した状態で、基板を保持する前記基板保持部と、前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、を備えた基板処理装置による基板処理方法において、前記基板保持部で保持された基板の中心の下方に設けられた第1気体吐出部により、基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出する第1気体吐出工程と、前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられた第2気体吐出部により、前記第1気体吐出部による気体の吐出に加えて、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近に気体を吐出する第2気体吐出工程と、を備えていることを特徴とするものである。 Further, the substrate processing method according to the present invention is a substrate holding unit having a spin base rotatable around an axis in a vertical direction and a plurality of support members erected on the outer peripheral side of the spin base and around the axis. The substrate holding unit that holds the substrate in a state where the spin base and the substrate are separated by the plurality of support members, a rotation drive mechanism that rotates the substrate holding unit around the axis, and the substrate In a substrate processing method by a substrate processing apparatus, comprising: a processing unit that supplies a processing liquid to a top surface of a substrate that is held and rotated by a holding unit and processes the substrate; A first gas discharge step that discharges gas to the lower surface of the substrate so that the gas flows from the center side of the substrate toward the outer peripheral side of the substrate by the first gas discharge portion provided below, and held by the substrate holding portion When the obtained substrate is viewed in plan, the second gas discharge portion provided on the axis side of the plurality of support members and on the outer peripheral side of the substrate, in addition to the gas discharge by the first gas discharge portion. And a second gas discharge step of discharging gas in the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate.
本発明に係る基板処理方法によれば、第2気体吐出部は、基板保持部で保持された基板を平面視した際に、軸線周りに立設された複数の支持部材よりも軸線側でかつ、基板の外周側に設けられている。第2気体吐出部は、第1気体吐出部による気体の吐出に加えて、複数の支持部材の各々と基板の端との接触部分付近に気体を吐出する。すなわち、第2気体吐出部は、回り込み抑制効果が低下し、基板の下面に処理液が回り込むと考えられる支持部材と基板の端との接触部分付近に、支持部材の近くから気体を吐出する。そのため、第1気体吐出部による気体の流れをピンポイントに強化することで、基板の下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。 According to the substrate processing method of the present invention, the second gas ejection unit is closer to the axis side than the plurality of support members erected around the axis when the substrate held by the substrate holding unit is viewed in plan view. , Provided on the outer peripheral side of the substrate. The second gas discharge unit discharges gas in the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate, in addition to the gas discharge by the first gas discharge unit. That is, the second gas discharge unit discharges gas from the vicinity of the support member in the vicinity of the contact portion between the support member and the end of the substrate, where the effect of suppressing the wraparound decreases and the processing liquid flows around the lower surface of the substrate. Therefore, by strengthening the gas flow by the first gas discharge unit to a pinpoint, it is possible to improve the effect of suppressing the flow of the processing liquid to the lower surface of the substrate.
本発明に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、第2気体吐出部は、回り込み抑制効果が低下し、基板の下面に処理液が回り込むと考えられる支持部材と基板の端との接触部分付近に、支持部材の近くから気体を吐出する。そのため、基板の下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。 According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention, the second gas discharge unit has a contact portion between the support member and the edge of the substrate, which is considered to have a reduced wraparound effect and the processing liquid wraps around the lower surface of the substrate. A gas is discharged near the support member in the vicinity. Therefore, it is possible to improve the effect of suppressing the treatment liquid from flowing into the lower surface of the substrate.
以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。図1は、基板処理装置1の概略構成図である。図2は、スピンチャック2の構成(第2吐出口83を除く)を示す平面図である。図3は、第2気体吐出部81と気体流路を示す縦断面図である。
<基板処理装置1の構成>
基板処理装置1は、1枚の基板Wを順次処理する枚葉式の装置である。基板Wは、例えば直径300mmである円形基板が用いられる。基板処理装置1は、スピンチャック2、回転駆動機構3、飛散防止カップ5、処理機構7、および処理液供給機構9を備えている。
<Configuration of
The
スピンチャック2は、後述する6本の支持ピン13によって、スピンベース11と基板Wとを離した状態で、基板Wを水平姿勢で保持するものである。また、スピンチャック2は、基板Wを鉛直方向の軸線P1周りに回転可能に構成されている。スピンチャック2は、基板Wよりも大径のスピンベース11と、支持ピン13とを備えている。
The
なお、スピンチャック2は、本発明の基板保持部に相当する。処理機構7および処理液供給機構9は、本発明の処理部に相当する。支持ピン13は、本発明の支持部材に相当する。
The
スピンベース11は、鉛直方向の軸線P1周りに回転可能に構成されている。スピンベース11の下方には、ボス15を介して回転軸17が連結されている。回転軸17は、回転駆動機構3からの駆動力を受けて軸線P1周りに回転する。すなわち、回転駆動機構3は、基板Wを保持するスピンチャック2を回転させるものである。回転駆動機構3は、電動モータ等を備えている。
The
6本の支持ピン13は、図2のように、スピンベース11の外周側でかつ、軸線P1周りにリング状に立設されている。すなわち、平面視で、6本の支持ピン13は、周方向に等間隔に配置されている。なお、支持ピン13は、6本で構成されているが、少なくとも3本以上で構成されていればよい。
As shown in FIG. 2, the six support pins 13 are erected in a ring shape on the outer peripheral side of the
支持ピン13は、胴部19、傾斜部21および当接部23を備えている。胴部19は、円柱状に形成されている。傾斜部21は、胴部19の上端に設けられ、略円錐状に形成されている。傾斜部21は、スピンベース11の回転中心(軸線P1)側の傾斜が緩やかになるように形成されている。6本の支持ピン13の傾斜部21には、橋を掛けるように、基板Wが載置される。当接部23は、傾斜部21の上端に設けられ、平面視で支持ピン13の中心から外方に偏心した位置に設けられている。また、当接部23は、基板Wを保持するときに、基板Wの端と当接する。
The
図1、図2において、6本の支持ピン13のうち隣接する2つの支持ピン13は、鉛直軸P2周りに回転可能に構成された可動支持ピン25である。その他の支持ピン13は固定支持ピン26A,26Bである。なお、固定支持ピン26A,26Bを区別しない場合は、固定支持ピン26として説明する。可動支持ピン25は、スピンベース11を貫通する回転軸27と連結する。また、回転軸27の下端には、磁石保持部29が形成されている。磁石保持部29は、ピン駆動用永久磁石31が埋設されている。
In FIG. 1 and FIG. 2, two adjacent support pins 13 among the six support pins 13 are movable support pins 25 configured to be rotatable around the vertical axis P2. The other support pins 13 are fixed support pins 26A and 26B. The fixed support pins 26 </ b> A and 26 </ b> B will be described as the fixed support pins 26 when not distinguished from each other. The
ピン駆動用永久磁石31は、後述するカップ側永久磁石103または解除用永久磁石105の磁力により鉛直軸P2周りに回転される。ピン駆動用永久磁石31等により可動支持ピン25が回転されると、可動支持ピン25と固定支持ピン26とで挟み込んで保持したり、この保持を解除したりする。
The pin driving
なお、図2において、実際、6本の支持ピン13のうち、2つの可動支持ピン25と2つの固定支持ピン26Aとによって、基板Wを保持する。すなわち、残りの2つの固定支持ピン26Bは、基板Wが載置されるだけで、基板Wの挟み込みに参加していない。しかしながら、可動支持ピン25の本数は、任意である。例えば、可動支持ピン25が3本であれば、3本の可動支持ピン25は、他の3本の固定支持ピン26と共に基板Wを挟み込んでもよい。そのため、実際は4本の支持ピン13によって基板Wを保持しているが、6本の支持ピン13によって基板Wを保持すると説明する。 In FIG. 2, the substrate W is actually held by the two movable support pins 25 and the two fixed support pins 26A among the six support pins 13. That is, the remaining two fixed support pins 26 </ b> B are merely placed on the substrate W and do not participate in the sandwiching of the substrate W. However, the number of movable support pins 25 is arbitrary. For example, if there are three movable support pins 25, the three movable support pins 25 may sandwich the substrate W together with the other three fixed support pins 26. Therefore, although the substrate W is actually held by the four support pins 13, it will be described that the substrate W is held by the six support pins 13.
図1において、スピンベース11の上面には、基板Wと略同径の保護ディスク33が載置されている。なお、保護ディスク33は、基板Wよりも大径で構成されてもよい。保護ディスク33は、円板状の部材である。保護ディスク33は、スピンベース11の上面と、スピンチャック2で保持された基板Wとの間に、支持ピン13に沿って昇降可能に設けられている。保護ディスク33は、図2のように、1つの中央開口部35と、6つの周辺切り欠き部37とが形成されている。中央開口部35には、後述する第1気体吐出部65が配置されている。各周辺切り欠き部37には、支持ピン13が配置されている。保護ディスク33については、後で説明する。保護ディスク33は、本発明の板状保護部材に相当する。
In FIG. 1, a
図1に示すスピンベース11には、支持ピン13と後述する第1気体吐出部65との間でかつ支持ピン13側に、6つの開口部39が形成されている。各開口部39には、保護ディスク33の下面に設けられた磁石保持下垂片41が通されている。磁石保持下垂片41には、磁極方向を上下方向に向けたディスク用永久磁石43が埋設されている。図2の平面視において、6つのディスク用永久磁石43は、軸線P1周りにリング状に配置されている。
In the
スピンベース11の下面には、移動ガイド部45が設けられている。移動ガイド部45は、リニア軸受け47と規制ピン49とを備えている。リニア軸受け47は、規制ピン49の軸部を鉛直方向に昇降自在に案内する。規制ピン49は、その軸部の上端部がスピンベース11を貫通して保護ディスク33の下面に連結されている。規制ピン49の軸部の下端には、フランジが形成されている。図2に示す平面視において、移動ガイド部45は、3つ設けられている。3つの移動ガイド部45は、軸線P1周りにリング状に等間隔に配置されている。
A
図1、図3において、回転軸17には、ボス15が連結されている。回転軸17は中空に形成されている。その中空の回転軸17の内部には、気体供給内側管51と気体供給外側管53が通されている。気体供給外側管53は、気体供給内側管51の外周で気体を通すように構成されている。気体供給内側管51および気体供給外側管53は、回転軸17の内周面に当接しておらず、静止した状態を維持する。ボス15の上面には、先端保持部55が取り付けられている。先端保持部55は、その中央に開口部57を備えている。開口部57には、軸受け部59およびシール61を介して保持筒63が取り付けられている。保持筒63は、気体供給内側管51の先端側に取り付けられている。保持筒64は、同様に、気体供給外側管53の先端側に取り付けられている。
1 and 3, a
第1気体吐出部65は、スピンチャック2で保持された基板Wの中心(軸線P1)の下方に設けられている。第1気体吐出部65は、基板Wと保護ディスク33との間を基板Wの中心側から基板Wの外周側に向けて気体が流れるように、基板Wの下面に気体を吐出する(噴き出す)。これにより、後述するように基板Wの上面に供給される処理液が基板Wの下面に回り込むことを抑制している。
The first
第1気体吐出部65は、上部吐出部材66と下部吐出部材67とを備えている。先端保持部55の上面には、下部吐出部材67が取り付けられている。また、下部吐出部材67の上面には、複数の脚部68を介して、上部吐出部材66が取り付けられている。下部吐出部材67は、軸線P1が交わる部分に凹部69および孔部71が形成されている。上部吐出部材66と下部吐出部材67は、軸線P1周りのリングの全周を囲うようなスリット状の第1吐出口73と、第1吐出口73に気体を供給するための第1気体流路75を形成する。気体供給内側管51で送られた気体は、第1気体流路75を通って、第1吐出口73から、平面視で全方向に噴き出される。
The first
なお、図3に示す第1気体流路75において、脚部68が気体を通さないように見える。しかしながら、複数の脚部68は、軸線P1周りに配置されており、隣接する2つの脚部68の間を通過して気体供給内側管51から第1吐出口73に送られる。
In addition, in the 1st
図1において、基板処理装置1は、第1気体供給源77A、第1気体供給配管77B、および開閉弁77Cを備えている。第1気体供給配管77Bの一端は、第1気体供給源77Aに接続され、第1気体供給配管77Bの他端は、気体供給内側管51に接続されている。第1気体供給配管77Bには、気体の供給およびその供給停止を行う開閉弁77Cが設けられている。供給する気体は、例えば窒素(N2)、アルゴン(Ar)、ホーミングガス(N2+H2)等の不活性ガス、あるいは空気が用いられる。なお、供給する気体は、後述する第2気体供給源92Aの場合も同じである。
In FIG. 1, the
上述の第1気体吐出部65による気体の吐出では、処理液の回り込み抑制効果が不十分な場合がある。そこで、基板処理装置1は、第1気体吐出部65に加えて、第2気体吐出部81とその供給系を備えている。
In the gas discharge by the first
図4は、第2気体吐出部81のスリット状の第2吐出口83とその周辺の構成を示す平面図である。第2気体吐出部81は、スリット状の第2吐出口83を備えている。スリット状の第2吐出口83は、図4のように、スピンチャック2で保持された基板Wを平面視した際に、6本の支持ピン13よりも軸線P1側でかつ、基板Wまたはスピンベース11の外周側に設けられている。すなわち、第2吐出口83は、6本の支持ピン13の内側でかつ6本の支持ピン13の近くに設けられている。第2吐出口83は、第1吐出口73よりも外周に設けられている。第2気体吐出部81は、図3のように、第1気体吐出部65による気体の吐出に加えて、6本の支持ピン13の各々と基板Wの端との接触部分付近に気体を吐出する。なお、第2吐出口83は、本発明の吐出口に相当する。
FIG. 4 is a plan view showing the configuration of the slit-like
スリット状の第2吐出口83は、単一で構成され、リング状に形成されている。すなわち、1つのスリット状の第2吐出口83は、軸線P1周りにリング状であって、このリングCRの外周に沿って長手でかつリングCRの略全周にかけて形成されている。これにより、スリット状の第2吐出口83は、支持ピン13と基板Wの端との接触部分を含む基板Wの下面の端付近の略全周に気体を吐出することができる。そのため、基板Wの下面の外周側の全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。なお、リングCRは、真円であることが好ましい。
The slit-like
また、図5は、スリット状の第2吐出口83の一部を拡大した図である。スリット状の第2吐出口83は、図4、図5のように、6本の支持ピン13の各々に対向する部分83Aのスリット幅HB1が、対向する部分83A以外の部分83Bのスリット幅HB2よりも広くなるように構成されている(スリット幅HB1>スリット幅HB2)。これにより、スリット状の第2吐出口83は、6本の支持ピン13の各々に対向する部分83Aで、対向する部分83A以外の部分83Bよりも多くの気体を吐出することができる。
FIG. 5 is an enlarged view of a part of the slit-like
第2気体吐出部81の第2吐出口83は、6本の支持ピン13の各々と基板Wの端との接触部分付近(例えば基板Wの下面の端EG)を個々に通過するように平面視で放射状に気体を吐出する。部分83Aは、支持ピン13と対向するが、部分83A以外の部分83Bは、支持ピン13と対向しない。そのため、部分83Bから吐出された気体が基板の下面の端EG付近(図3参照)を通過するように、部分83Bは形成されている。すなわち、支持ピン13が存在すれば、部分83Bから吐出される気体が支持ピン13と接触する基板Wの端EG付近を通過するように、部分83Bは形成されている。スリット状の第2吐出口83は、基板Wの外周側でかつ斜め上を向くように形成されている。第2吐出口83は、例えば、接触部分(または、基板Wの下面の端EG)付近を向くように形成されている。また、第1気体吐出部65による気体の流れの影響があるので、第2吐出口83は、接触部分(または、基板Wの下面の端EG)よりも基板Wの中心側の位置を向くように形成してもよい。すなわち、第2吐出口83は、基板Wの端EGより内側の基板Wの下面に吐出してもよい。
The
図3のように、保護ディスク33の内部には、空間SP1が設けられている。空間SP1は、略円板状の空間である。保護ディスク33の軸線P1側の端部は、下方に延びたガイド部85が設けられている。空間SP1は、ガイド部85の内部にまで延びている。ガイド部85には、空間SP1と第2気体流路79とを連通させるための連通口87が設けられている。ボス15には、ガイド部85が収まるガイド溝89が形成されている。下部吐出部材67には、上規制部67Aが設けられている。ガイド部85を除く保護ディスク33は、スピンベース11の上面と上規制部67Aとの間で昇降可能である。
As shown in FIG. 3, a space SP1 is provided inside the
また、ボス15と先端保持部55は、第2気体流路79を形成する。第2気体流路79は、気体供給外側管53で送られた気体を空間SP2に送るものである。なお、図3において、ボス15と先端保持部55は、分離しているように見える。しかしながら、例えば、第2気体流路79は、気体供給内側管51周りに等間隔に8方向に分岐して形成されており、第2気体流路79が形成されていない部分で、ボス15と先端保持部55は連結されている。
Further, the
また、基板処理装置1は、図1のように、第2気体供給源92A、第2気体供給配管92B、および開閉弁92Cを備えている。第2気体供給配管92Bの一端は、第2気体供給源92Aに接続され、第2気体供給配管92Bの他端は気体供給外側管53に接続されている。第2気体供給配管92Bには、気体の供給およびその供給停止を行う開閉弁92Cが設けられている。なお、第2気体供給配管92Bには、流量調整弁が設けられていてもよい。
Further, as shown in FIG. 1, the
飛散防止カップ5は、スピンチャック2の周囲に設けられており、スピンチャック2に支持された基板Wから周囲に処理液が飛散することを防止する。飛散防止カップ5は、カップ昇降機構CMにより鉛直方向に昇降可能に構成されている。カップ昇降機構CMは、基板Wを受け渡す際の下位置と、基板Wを処理する際の上位置とにわたって飛散防止カップ5を昇降させる。カップ昇降機構CMは、エアシリンダまたは電動モータ等を備えている。カップ昇降機構CMは、本発明の昇降機構に相当する。
The splash prevention cup 5 is provided around the
具体的には、飛散防止カップ5は、円筒部93、下案内部95、上案内部97、および上縁部98を備えている。上案内部97と下案内部95とで区切られた空間は、基板Wの処理時に周囲に飛散した処理液を回収する排液部101を形成する。下案内部95は、内周側の先端部にカップ側永久磁石103が埋設されている。
Specifically, the anti-scattering cup 5 includes a cylindrical portion 93, a
図2のように、カップ側永久磁石103は、平面視で軸線P1周りにリング状に形成されている。カップ側永久磁石103の半径方向の位置は、ディスク用永久磁石43よりも外側であって、ピン駆動用永久磁石31よりも内側(軸線P1側)である。カップ側永久磁石103は、その磁極方向が半径方向を向くように埋設されている。
As shown in FIG. 2, the cup-side
上縁部98には、解除用永久磁石105が埋設されている。解除用永久磁石105は、平面視で軸線P1周りにリング状に形成されている。解除用永久磁石105の半径方向の位置は、ピン駆動用永久磁石31よりも外側である。解除用永久磁石105は、その磁極方向が半径方向に向くように埋設されている。また、解除用永久磁石105の半径方向内側の磁極は、カップ側永久磁石103の半径方向外側の磁極と同じ磁極(例えばN極)となるように構成されている。
A release
カップ側永久磁石103は、可動支持ピン25のピン駆動用永久磁石31に近づいた際に、磁力によって可動支持ピン25を平面視で回転させて保持位置へ駆動し、その状態を維持させる。一方、解除用永久磁石105は、ピン駆動用永久磁石31に近づいた際に、磁力によって可動支持ピン25を平面視で回転させて開放位置に駆動し、その状態を維持させる。
When the cup-side
図1に示す処理機構7および処理液供給機構9は、スピンチャック2で保持されて回転駆動機構3で回転される基板Wの上面に、処理液を供給してブラシ107によるスクラブ処理するように構成されている。
The processing mechanism 7 and the processing liquid supply mechanism 9 shown in FIG. 1 supply a processing liquid to the upper surface of the substrate W held by the
処理機構7は、本実施例において、ブラシ107、揺動アーム109、およびアーム駆動機構AMを備えている。ブラシ107は、処理液を介して、基板Wの上面をスクラブ洗浄する。揺動アーム109の一端には、ブラシ107が取り付けられ、揺動アーム109は、その他端の軸線P3周りに揺動(旋回)可能に構成されている。アーム駆動機構AMは、ブラシ107および揺動アーム109を軸線P3周りに回転させる。アーム駆動機構AMは、電動モータ等を備えている。なお、ブラシ107は、電動モータ等を有する駆動機構(図示しない)により、鉛直方向の軸線P4周りに回転駆動される。また、ブラシ107から処理液を供給できるように構成されていてもよい。
In this embodiment, the processing mechanism 7 includes a
処理液供給機構9は、処理液供給源111A、処理液配管111B、開閉弁111C、および処理液ノズル111Dを備えている。処理液供給源111Aは、処理液を供給する。処理液は、例えば、APM(アンモニア過酸化水素水混合溶液)、純水(DIW)、炭酸水、水素水、アンモニア水(NH4OH)、SC1、SC2、クエン酸水溶液、FOM(フッ化水素酸/オゾンの混合薬液)、FPM(フッ化水素酸/過酸化水素水/純水の混合薬液)、フッ化水素酸(HF)、HCl、IPA(イソプロピルアルコール)、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)、トリメチル−2−ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(CHOLINE)が用いられる。
The processing liquid supply mechanism 9 includes a processing
処理液配管111Bの一端には、処理液供給源111Aが接続され、処理液配管111Bの他端には、処理液ノズル111Dが接続されている。処理液配管111Bには、処理液の供給およびその供給停止を行う開閉弁111Cが設けられている。処理液ノズル111Dの先端は、基板Wの上面の回転中心(軸線P1)に向けられ、開閉弁111Cが開かれると、処理液ノズル111Dから吐出された処理液は、基板Wの上面の回転中心付近に着液する。
A processing
上述した基板処理装置1の各構成は、制御部113によって統括的に制御される。制御部113は、CPU(中央演算処理装置)やメモリなどを備えている。制御部113は、例えば、カップ昇降機構CMを操作して、飛散防止カップ5を昇降させる。また、制御部113は、アーム駆動機構AMを操作してブラシ107を揺動させる。また、制御部113は、開閉弁77C,92C,111Cを操作して、各配管を開閉する。また、制御部113は、回転駆動機構3を操作して、スピンチャック2に保持された基板Wを回転する。
Each configuration of the above-described
<基板処理装置1の動作>
次に、基板処理装置1の動作について説明する。図1において、保護ディスク33は、スピンベース11側に位置する。また、飛散防止カップ5は、下位置に位置する。ブラシ107は、平面視でスピンチャック2の外方の待機位置に位置する。
<Operation of
Next, the operation of the
〔ステップS01〕スピンチャック2への基板Wの載置
図示しない基板搬送機構は、スピンチャック2に基板Wを搬送する。図1において、基板Wを保持するための基板搬送機構のハンドは、符号HDで示される。基板Wは、例えばデバイス面が下向きになるように、6本の支持ピン13の傾斜部21に載置される。飛散防止カップ5が下位置に位置しているので、解除用永久磁石105とピン駆動用永久磁石31とが各々の磁力により反発または引き合って、可動支持ピン25が開放位置に維持される。すなわち、スピンチャック2は、基板Wの保持を解除した状態で維持される。
[Step S01] Placement of Substrate W on Spin Chuck 2 A substrate transport mechanism (not shown) transports the substrate W to the
〔ステップS02〕スピンチャック2による基板Wの保持、および保護ディスク33の上昇
基板Wを傾斜部21に載置して基板搬送機構のハンドHDを退避した後、カップ昇降機構CMは、飛散防止カップ5を上昇させる。飛散防止カップ5は、基板処理時の上位置に位置される。これにより、カップ側永久磁石103とピン駆動用永久磁石31とが反発または引き合って、可動支持ピン25が鉛直軸P2周りに回転して保持位置に維持される。これにより、図2において、6本の支持ピン13の当接部23で基板Wの端を当接しつつ、基板Wを挟み込む。すなわち、スピンチャック2は、6本の支持ピン13によって、スピンベース11と基板Wを離した状態で、基板Wを保持する。
[Step S02] Holding the substrate W by the
また、飛散防止カップ5が上昇すると、カップ側永久磁石103と、保護ディスク33のディスク用永久磁石43とが反発して、飛散防止カップ5と共に保護ディスク33が上昇する。そして、飛散防止カップ5が上位置に位置されると、保護ディスク33は、図3に示す上規制部67Aに接触しつつ、処理位置に維持される。
When the anti-scattering cup 5 is raised, the cup-side
〔ステップS03〕気体の吐出
第1気体吐出部65および第2気体吐出部81は、スピンチャック2に保持された基板Wの下面に気体を吐出する。具体的に説明する。
[Step S03] Gas Discharge The first
第1気体吐出部65は、基板Wの下面に回り込むことを抑制するために、基板Wと保護ディスク33との間を基板Wの中心側から基板Wの外周側に向けて気体が流れるように、基板Wの下面に気体を吐出する。開閉弁77Cが開かれると、第1気体供給源77Aから第1気体供給配管77Bを通じて、気体供給内側管51に気体が送られる。気体供給内側管51に送られた気体は、上部吐出部材66と下部吐出部材67とで形成される第1気体流路75に送られて、第1吐出口73から吐出される。平面視で、スリット状の第1吐出口73から全方向に気体が吐出される。
In order to prevent the first
吐出された気体は、基板Wの下面と保護ディスク33との間を基板Wの中心側から基板Wの外側に向けて流れる。そして、気体は、基板Wおよび保護ディスク33の端から支持ピン13を除く全方向に噴き出される。これにより、基板Wの上面に供給される処理液が基板の下面に回り込むことを抑制する。
The discharged gas flows from the center side of the substrate W toward the outside of the substrate W between the lower surface of the substrate W and the
第1気体吐出部65による気体の吐出は、処理液の回り込みを抑制する。しかしながら、第1気体吐出部65による気体の吐出では、処理液の回り込み抑制効果が不十分な場合がある。そこで、第1気体吐出部65により気体を吐出する際に、第2気体吐出部81からも気体と吐出する。
The discharge of the gas by the first
第2気体吐出部81は、基板Wを平面視した際に、リング状に立設された6本の支持ピンよりも軸線P1側でかつ、基板Wの外周側に設けられている。このように構成された第2気体吐出部81は、6本の支持ピン13の各々と基板Wの端との接触部分付近に気体を吐出する。
The second
図1において、開閉弁92Cが開かれると、第2気体供給源92Aから第2気体供給配管92Bを通じて、気体供給外側管53に気体が送られる。図3において、気体供給外側管53に送られた気体は、ボス15と先端保持部55とで形成される第2気体流路79、連通口87、空間SP1と順番に送られて、スリット状の第2吐出口83から吐出される。また、平面視で、スリット状の第2吐出口83から全方向に気体が吐出される。さらに、第2吐出口83は、6本の支持ピン13の各々に対向する部分83Aのスリット幅HB1が、対向する部分83A以外の部分83Bのスリット幅HB2よりも広くなるように構成されている。そのため、第2吐出口83の対向する部分83Aからは、対向する部分83A以外の部分83Bよりも多くの気体を吐出できる。また、スピンベース11に立設された支持ピン13と保護ディスク33は一緒に回転するので、支持ピン13と、スリット幅HB1の部分とが対向された状態が維持される。すなわち、支持ピン13と部分B1との相対位置が維持される。
In FIG. 1, when the on-off
〔ステップS04〕ブラシ107による洗浄処理
図1において、基板Wの下面への回り込み抑制効果が強化された状態で、基板Wの上面対してブラシ107によるスクラブ洗浄を実施する。回転駆動機構3は、回転軸17およびスピンベース11等のスピンチャック2を回転させる。これにより、基板Wは軸線P1周りに回転する。基板Wの回転後、回転する基板Wの上面の中心(軸線P1)に向けて、図示しないノズルにより、純水を供給するプレリンス処理を実施する。この処理は、ブラシ107の動作なしで行われる。プレリンス処理後、回転する基板Wの上面の中心(軸線P1)向けて、処理液ノズル111Dから処理液を吐出する。開閉弁111Cを開けると、処理液供給源111Aから処理液配管111Bを通じて、処理液が処理液ノズル111Dに送られる。
[Step S04] Cleaning Process with
処理液の吐出開始の際、アーム駆動機構AMは、ブラシ107および揺動アーム109を飛散防止カップ5の外側の軸線P3周りに揺動させて、基板Wの上面の中心(軸線P1)付近の上方にブラシ107を移動させておく。ブラシ107を基板Wの上面に下降させた後、基板Wの上面に処理液を供給しながら、ブラシ107によるスクラブ洗浄を実施する。洗浄中、アーム駆動機構AMは、基板Wの中心から基板Wの端までブラシ107を移動させる。なお。この移動は、往復移動であってもよい。ブラシ107の上昇および処理液供給の停止(開閉弁111Cを閉じる)により、スクラブ洗浄は終了する。アーム駆動機構AMは、ブラシ107を待機位置に移動させる。
At the start of the discharge of the processing liquid, the arm drive mechanism AM swings the
ブラシ107によるスクラブ洗浄(基板処理)する場合に、第1気体吐出部65による気体の吐出に加えて、第2気体吐出部81からも気体を吐出している。第2気体吐出部81は、回り込み抑制効果が低下し、基板Wの下面に処理液が回り込むと考えられる支持ピン13と基板Wの端との接触部分付近に、支持ピン13の近くから直接気体を吐出する。そのため、第1気体吐出部65による気体の流れをピンポイントに強化することで、基板Wの下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。
In the case of scrub cleaning (substrate processing) with the
スクラブ洗浄後、回転する基板Wの上面の中心(軸線P1)に向けて、図示しないノズルにより、純水を供給するポストリンス処理を実施する。この処理は、ブラシ107の動作なしで行われる。ポストリンス処理後、回転駆動機構3は、スクラブ洗浄時よりも速い回転速度で基板Wを回転させて、基板Wを乾燥させる。乾燥後、回転駆動機構3は、基板Wの回転を停止する。その後、開閉弁77C,92Cと閉じ、第1気体吐出部65および第2気体吐出部81による気体の吐出を停止する。
After the scrub cleaning, a post rinse process for supplying pure water is performed by a nozzle (not shown) toward the center (axis line P1) of the upper surface of the rotating substrate W. This process is performed without the operation of the
気体の吐出停止後、カップ昇降機構CMは、飛散防止カップ5を上位置から下位置に下降させる。この際、カップ側永久磁石103も下降し、6本の支持ピン13による基板Wの保持を解除しつつ、保護ディスク33をスピンベース11上の待機位置に下降させる。飛散防止カップ5が下位置に位置すると、ピン駆動用永久磁石31は、カップ側永久磁石103に代えて、解除用永久磁石105の磁力を受ける。そして、ピン駆動用永久磁石31と解除用永久磁石105とが各々の磁力により反発または引き合い、可動支持ピン25は、開放位置に維持される。その後、図示しない基板搬送機構のハンドHDが基板Wと保護ディスク33との間に進入し、基板Wを保持して他の装置等に搬送する。
After the gas discharge is stopped, the cup lifting mechanism CM lowers the anti-scattering cup 5 from the upper position to the lower position. At this time, the cup-side
本実施例によれば、第2気体吐出部81は、スピンチャック2で保持された基板Wを平面視した際に、軸線P1周りに立設された6本の支持ピン13よりも軸線P1側でかつ、基板Wの外周側に設けられている。第2気体吐出部81は、第1気体吐出部65による気体の吐出に加えて、6本の支持ピン13の各々と基板Wの端との接触部分付近に気体を吐出する。すなわち、第2気体吐出部81は、回り込み抑制効果が低下し、基板Wの下面に処理液が回り込むと考えられる支持ピン13と基板Wの端との接触部分付近に、支持ピン13の近くから直接気体を吐出する。そのため、第1気体吐出部65による気体の流れをピンポイントに強化することで、基板Wの下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。
According to the present embodiment, the second
また、第2気体吐出部81は、軸線P1周りにリング状であって、このリングCRの外周に沿って長手でかつリングCRの略全周にかけて形成された1つのスリット状の第2吐出口83を有している。これにより、第2気体吐出部81は、支持ピン13と基板Wの端との接触部分を含む基板Wの下面の端付近の略全周に気体を吐出することができる。そのため、基板Wの下面の外周側の略全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。
The second
また、基板処理装置1は、スピンベース11と基板Wとの間に昇降可能に設けられた保護ディスク33と、基板処理する場合に保護ディスク33を上昇させるカップ昇降機構CMとを更に備えている。第1気体吐出部65は、基板Wと保護ディスク33との間を基板Wの中心側から基板Wの外周側に向けて気体が流れるように基板Wの下面に気体を吐出し、第2気体吐出部81は、保護ディスク33に設けられ、第2気体吐出部81には、保護ディスク33の内部に設けられた空間SP1を通じて気体が供給される。
The
これにより、昇降可能な保護ディスク33に設けられた第2気体吐出部81に、保護ディスク33の内部に設けられた空間SP1を通じて気体を供給することができる。
Thereby, the gas can be supplied to the second
次に、図面を参照して本発明の実施例2を説明する。なお、実施例1と重複する説明は省略する。図6は、基板処理装置のスピンチャックとその周辺構成を概略構成図である。図7は、第2気体吐出部81とその流路を示す縦断面図である。
Next,
実施例1では、第2気体吐出部81には、保護ディスク33の内部に設けられた空間SP1を通じて、気体が供給された。この点、第2気体吐出部120には、保護ディスク122と気体案内板124との間に形成された空間SP2を通じて、気体が供給される。具体的に説明する。
In Example 1, the gas was supplied to the second
基板処理装置1は、保護ディスク122と気体案内板124とを備えている。保護ディスク122は、本発明の保護板に相当する。保護ディスク122は、円板状の部材である。保護ディスク122は、スピンベース11と、スピンチャック2で保持された基板Wとの間に、昇降可能に設けられている。なお、保護ディスク122は、実施例1のように、気体を送るための空間SP1を内部に備えていない。
The
気体案内板124は、保護ディスク122とスピンベース11との間に設けられている。気体案内板124は、保護ディスク122と独立して昇降可能に設けられている。保護ディスク122と気体案内板124は、これらの間に空間SP2を形成する。気体案内板124は、保護ディスク122よりも大径で構成される。保護ディスク122は、空間SP2の天井面USを形成する。気体案内板124は、空間SP2の底面BSと基板Wの外周側の側面GSを形成する。また、後述する連通口143等が基板Wの中心側の側面TSを形成する。
The
なお、側面GSは、傾斜しており、例えば、側面GSを基板Wの下面に向けて延長すると、基板Wの端付近を通過するようになっている。また、気体案内板124の周縁部124Aは、保護ディスク122の上面に沿うように、水平に延びて形成されている。この点、周縁部124Aは、水平に延びずに、基板Wの外周側に斜め上に延びるように構成されていてもよい。
The side surface GS is inclined. For example, when the side surface GS is extended toward the lower surface of the substrate W, the side surface GS passes through the vicinity of the end of the substrate W. Further, the
第2気体吐出部120は、図2に示す第2吐出口83と同様に、スリット状の第2吐出口126を備えている。スリット状の第2吐出口126は、保護ディスク122と気体案内板124との隙間GPによって形成されている。
Similar to the
次に、気体案内板124の昇降駆動について説明する。気体案内板124は、保護ディスク122と独立して昇降する。図6のように、気体案内板124の下面には、第2磁石保持下垂片128が設けられている。第2磁石保持下垂片128には、磁極方向を上下方向に向けた案内板用永久磁石129が埋設されている。スピンベース11には、第2磁石保持下垂片128を通すための6つの開口部131が設けられている。また、気体案内板124には、保護ディスク122の下面に設けられた磁石保持下垂片41を通すための6つの開口部133が設けられている。
Next, raising / lowering driving of the
本実施例の基板処理装置1は、昇降部材135と案内板昇降機構GMとを備えている。昇降部材135には、昇降用永久磁石136が埋設されている。案内板昇降機構GMは、電動モータ等を備えており、気体案内板124を駆動させる。案内板昇降機構GMは、本発明の昇降機構に相当する。移動ガイド部45の規制ピン49は、スピンベース11および気体案内板124を貫通して保護ディスク122の下面に連結される。
The
次に、第2気体吐出部120への気体の供給経路について説明する。図7のように、ボス15と先端保持部55は、第2気体流路141および連通口143を形成する。気体供給外側管53を通じて送られた気体は、第2気体流路141を通って連通口143から空間SP2に送られる。
Next, a gas supply path to the second
次に、基板処理装置1の動作に関し、本実施例に係る部分について説明する。図5において、カップ昇降機構CMは、下位置から上位置に飛散防止カップ5を上昇させる。飛散防止カップ5が上昇されると、カップ側永久磁石103の磁力により、6本の支持ピン13によって基板Wを保持し、また、保護ディスク122を処理位置に上昇させる。また、この際、案内板昇降機構GMは、昇降用永久磁石136を昇降させて、気体案内板124の上下方向の位置を調整する。
Next, regarding the operation of the
すなわち、案内板昇降機構GMにより昇降用永久磁石136を上昇させると、昇降用永久磁石136と、気体案内板124の案内板用永久磁石129とが反発して、昇降用永久磁石136の上昇と共に、案内板用永久磁石129も上昇する。スリット状の第2吐出口126は、保護ディスク122と気体案内板124との隙間GPで形成されている。カップ昇降機構CMおよび案内板昇降機構GMにより、スリット状の第2吐出口126は、隙間GPが予め設定された幅になるように調整される。
That is, when the elevating
図7において、第1気体吐出部65は、気体を吐出する。気体供給外側管53に送られた気体は、ボス15と先端保持部55と下部吐出部材67で形成される第2気体流路141、連通口143、空間SP2と順番に送られて、スリット状の第2吐出口126から吐出される。
In FIG. 7, the 1st
本実施例によれば、基板処理装置1は、スピンベース11と基板Wとの間に昇降可能に設けられた保護ディスク122と、保護ディスク122とスピンベース11との間に、昇降可能に設けられた気体案内板124とを備えている。第1気体吐出部65は、基板Wと保護ディスク122との間を基板Wの中心側から基板Wの外周側に向けて気体が流れるように基板Wの下面に気体を吐出する。第2気体吐出部120は、保護ディスク122と気体案内板124との隙間GPで形成された第2吐出口126を有し、第2気体吐出部120には、保護ディスク122と気体案内板124との間に形成された空間SP2を通じて気体が供給される。カップ昇降機構CMおよび案内板昇降機構GMは、基板処理する場合に保護ディスク122および気体案内板124を上昇させる。
According to the present embodiment, the
これにより、昇降可能な保護ディスク122と気体案内板124との隙間GPで形成された第2吐出口126を有する第2気体吐出部120に、保護ディスク122と気体案内板124との間に形成された空間SP2を通じて気体を供給することができる。
Thus, the second
また、気体案内板124は、保護ディスク122に対して独立して昇降可能である。カップ昇降機構CMおよび案内板昇降機構GMは、基板処理する場合に保護ディスク122および気体案内板124を個々に上昇させると共に、第2吐出口126を形成する隙間GPの幅を調整する(図7の丸で囲まれた図参照)。カップ昇降機構CMおよび案内板昇降機構GMは、第2吐出口126を形成する隙間GPの幅を調整することで、例えば、第2気体吐出部120により吐出される気体の流速を調整することができる。
The
次に、図面を参照して本発明の実施例3を説明する。なお、実施例1および2と重複する説明は省略する。図8は、第2気体吐出部150とその流路を示す縦断面図である。
Next,
実施例1では、第2気体吐出部81(第2吐出口83)は、保護ディスク33に設けられ、第2気体吐出部81には、保護ディスク33の内部に設けられた空間SP1を通じて気体が供給された。この点、実施例3では、保護ディスク33は設けられていない。第2気体吐出部150(第2吐出口151)は、スピンベース153に設けられ、第2気体吐出部150には、スピンベース153の内部に設けられた空間SP3を通じて気体が供給される。
In the first embodiment, the second gas discharge unit 81 (second discharge port 83) is provided in the
図8を参照する。第2気体吐出部150は第2吐出口151を備えている。本実施例のスピンベース153の上面には、第2気体吐出部150、すなわち第2吐出口151が設けられている。スピンベース153の内部には、気体を流すための空間SP3が設けられている。空間SP3と連通する第2気体流路155は、例えば、ボス15と先端保持部55と下部吐出部材67によって形成されている。気体供給外側管53から送られた気体は第2気体流路155を通じて空間SP3に送られ、第2吐出口151から吐出される。
Please refer to FIG. The second
本実施例によれば、スピンベース11に設けられた第2気体吐出部150に、スピンベース153の内部に設けられた空間SP3を通じて気体を供給することができる。
According to the present embodiment, gas can be supplied to the second
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.
(1)上述した各実施例では、例えばスリット状の第2吐出口83は、6本の支持ピン13の各々に対向する部分83Aのスリット幅HB1が、対向する部分83A以外の部分83Bのスリット幅HB2よりも広くなるように構成されていた。この点、図9のように、スリット状の第2吐出口160は、リングCRの略全周にかけて同じスリット幅で形成されてもよい。これにより、略全方向に均等に気体を吐出することができる。なお、図9〜図11において、保護ディスク33にハッチングを付して示し、保護ディスク33のうち第2吐出口160等は、ハッチングを付していない。
(1) In each of the above-described embodiments, for example, the slit-like
(2)上述した各実施例および変形例(1)では、スリット状の1つの第2吐出口83,126,151は、リング状に形成されていた。この点、スリット状の複数の第2吐出口によって、軸線P1周りにリング状に形成されてもよい。例えば、図10において、支持ピン13と第2吐出口162とが1対1の関係になるように、スリット状の6つの第2吐出口162でリング状に形成されてもよい。これにより、スリット状の第2吐出口162は、支持ピン13と基板Wの端との接触部分を含む基板Wの下面の端付近に広範囲に気体を吐出することができる。なお、支持ピン13に対応する部分は符号162Aで示し、対応する部分162A以外の部分を符号162Bで示す。
(2) In each of the above-described embodiments and modification (1), one slit-like
また、図10において、スリット状の6つの第2吐出口162によってリング状に形成されているが、次のように構成してもよい。すなわち、略半円のスリット状の2つの第2吐出口によってリング状に形成されてもよい。また、略1/4円のスリット状の4つの第2吐出口によってリング状に形成されてもよい。なお、これらの場合、各第2吐出口は、支持ピン13に対向するように配置される。
In FIG. 10, the slit-shaped six
(3)上述した各実施例は、第2吐出口83,126,151は、スリット状であった。この点、図11のように、第2吐出口164は、スリット状でなく、例えば、正方形、多角形、円形、および楕円形で形成されていてもよい。この場合、支持ピンと第2吐出口とが1対1の関係になるように構成される。なお、吐出口162(または上述の吐出口164)は、回転駆動機構3によって支持ピン13と一緒に軸線P1周りに回転されるように構成されている。これにより、支持ピン13と第2吐出口164(または上述の吐出口164)の相対位置を維持できる。
(3) In each of the above-described embodiments, the
(4)上述した各実施例および各変形例では、本発明の処理部に相当する処理機構7および処理液供給機構9は、処理液ノズル111Dから処理液を基板Wの上面に供給し、ブラシ107によるスクラブ処理を行っていた。しかしながら、基板処理は、そのような処理に限定されない。
(4) In each of the embodiments and modifications described above, the processing mechanism 7 and the processing liquid supply mechanism 9 corresponding to the processing unit of the present invention supply the processing liquid from the processing
図1において、揺動アーム109の先端には、ブラシ107が取り付けられている。このブラシ107に代えて、二流体ノズルを取り付けてもよい。すなわち、この変形例の処理機構(図示しない)は、二流体ノズル(図示しない)、揺動アーム109、およびアーム駆動機構AMを備えている。また、二流体ノズルには、処理液供給機構9からの処理液と、不活性ガス供給源(図示しない)からの不活性ガスとが供給されるように構成されている。制御部113は、処理液供給のための開閉弁と、不活性ガス供給のための開閉弁を各々操作して、二流体ノズルから処理液を不活性ガスと共に噴射する。すなわち、処理液と不活性ガスとを混合して気液混合流体を生成し、生成した気液混合流体を噴射する(スプレーする)。
In FIG. 1, a
二流体ノズルを用いて基板処理する場合、図2,9,10のように、第2気体吐出部81は、軸線P1周りにリング状であって、このリングCRの外周に沿って長手に形成された少なくとも1つのスリット状の第2吐出口83,126,151を有することが好ましい。
When processing a substrate using a two-fluid nozzle, as shown in FIGS. 2, 9, and 10, the second
二流体ノズルによる洗浄においては、基板W下面の外周側の全周に処理液が回り込んで基板Wの下面に処理液が付着する。これにより、基板W下面の外周側の全周にリング状のパーティクルが発生する。これは、上述の支持ピン13の影響とは別に、ブラシ107によるスクラブ洗浄に比べて、処理液ミストの量が多いことが原因であると考えられる。本発明のスリット状の第2吐出口83等は、例えば支持ピン13と基板Wの端との接触部分を含む基板Wの下面の端付近に広範囲に気体を吐出することができる。そのため、基板W下面の外周側の全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。
In the cleaning with the two-fluid nozzle, the processing liquid flows around the entire outer periphery of the lower surface of the substrate W and adheres to the lower surface of the substrate W. Thereby, ring-shaped particles are generated on the entire outer periphery of the lower surface of the substrate W. This is considered to be caused by the fact that the amount of the processing liquid mist is larger than the scrub cleaning by the
(5)上述した各実施例および各変形例では、例えば図3のように、第2気体吐出部81の第2吐出口83は、保護ディスク33に直接設けられていた。この点、図12のように、第2吐出口83は、気体を案内するため、保護ディスク33から突出する案内部材166を介して保護ディスク33に設けられていてもよい。この場合、第2気体吐出部81は、第2吐出口83と案内部材166とを備えている。
(5) In each of the above-described embodiments and modifications, for example, as shown in FIG. 3, the
(6)上述した実施例1では、保護ディスク33には、ガイド部85が設けられ、ボス15には、ガイド溝89が設けられていた。この点、図7、図8のように、ガイド部85およびガイド溝89が設けられていない構成であってもよい。
(6) In the first embodiment described above, the
(7)上述した各実施例および各変形例において、図1等に示すスピンチャック2は、上下逆のものであってもよい。この場合、基板Wの下面を基板処理した際に、保護ディスク33と対向する基板Wの上面に処理液が回り込むことを抑制する。
(7) In the above-described embodiments and modifications, the
(8)上述した各実施例および各変形例において、図1等のように、第1気体吐出部65が設けられていたが、第1気体吐出部65および第1気体吐出部65に気体を送るための構成を省略してもよい。この場合、第2気体吐出部81は、本発明の気体吐出部に相当する。
(8) In each of the above-described embodiments and modifications, the first
本変形例によれば、第2気体吐出部81,120,150は、軸線P1周りにリング状であって、このリングCRの外周に沿って長手に形成された少なくとも1つのスリット状の第2吐出口83,126,151,160,162を有する。また、第2気体吐出部81,120,150は、スピンチャック2で保持された基板Wを平面視した際に、軸線P1周りに立設された6本の支持ピン13よりも軸線P1側でかつ、基板Wの外周側に設けられている。第2気体吐出部81等は、6本の支持ピン13の各々と基板Wの端との接触部分付近を含む基板Wの下面の端付近に広範囲に気体を吐出することができる。なお、6本の支持ピン13の各々と基板Wの端との接触部分付近は、基板Wの下面に処理液が回り込みやすいと考えられる部分である。すなわち、第2気体吐出部81等は、支持ピン13の近くから基板Wの下面の端付近にピンポイントで気体を吐出する。そのため、基板Wの下面の外周側の全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。
According to this modification, the second
なお、第2気体吐出部81等は、軸線P1周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手でかつそのリングの全周にかけて形成された1つのスリット状の第2吐出口83,126,151を有する場合があるとする。この場合、第2気体吐出部81等は、6本の支持ピン13の各々と基板Wの端との接触部分付近を含む基板Wの下面の端付近の全周に気体を吐出することができる。
The second
1 … 基板処理装置
2 … スピンチャック
3 … 回転駆動機構
7 … 処理機構
9 … 処理液供給機構
11,153 … スピンベース
13 … 支持ピン
33,122 … 保護ディスク
65 … 第1気体吐出部
73 … 第1吐出口
81,120,150 … 第2気体吐出部
83,126,151,160,162,164 … 第2吐出口
83A,162A … 支持ピンに対向する部分
83B,162B … 対向する部分以外の部分
113 … 制御部
124 … 気体案内板
CR … リング
CM … カップ昇降機構
GM … 案内板昇降機構
GP … 隙間
HB1,HB2 … スリット幅
P1 … 軸線
SP1〜SP3 … 空間
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、
前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、
前記基板保持部で保持された基板の中心の下方に設けられ、基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出する第1気体吐出部と、
前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記軸線周りに立設された前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられ、前記第1気体吐出部による気体の吐出に加えて、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近に前記気体を吐出する第2気体吐出部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holder having a spin base rotatable around a vertical axis, and a plurality of support members erected on an outer peripheral side of the spin base and around the axis, wherein the plurality of support members The substrate holding unit for holding the substrate in a state in which the spin base and the substrate are separated from each other;
A rotation drive mechanism for rotating the substrate holding portion around the axis;
A processing unit for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate held and rotated by the substrate holding unit and processing the substrate;
A first gas discharge unit that is provided below the center of the substrate held by the substrate holding unit and discharges gas to the lower surface of the substrate so that gas flows from the center side of the substrate toward the outer peripheral side of the substrate;
When the substrate held by the substrate holding part is viewed in plan, the first gas discharge is provided on the axis side and on the outer peripheral side of the substrate with respect to the plurality of support members erected around the axis. In addition to gas discharge by the unit, a second gas discharge unit that discharges the gas in the vicinity of a contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate;
A substrate processing apparatus comprising:
前記第2気体吐出部は、前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手に形成された少なくとも1つのスリット状の吐出口を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the second gas discharge section has a ring shape around the axis, and has at least one slit-shaped discharge port formed longitudinally along the outer periphery of the ring.
前記第2気体吐出部は、前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手でかつ前記リングの全周にかけて形成された1つのスリット状の吐出口を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
The second gas discharge section has a ring shape around the axis, and has one slit-shaped discharge port that is long along the outer periphery of the ring and is formed over the entire periphery of the ring. Substrate processing apparatus.
前記スリット状の吐出口は、前記複数の支持部材の各々に対向する部分のスリット幅が、前記対向する部分以外の部分のスリット幅よりも広くなるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 2 or 3,
The slit-shaped discharge port is configured such that a slit width of a portion facing each of the plurality of support members is wider than a slit width of a portion other than the facing portion. Processing equipment.
前記第2気体吐出部は、前記軸線周りにリング状に複数の吐出口を有し、
前記複数の吐出口は、前記回転駆動機構によって前記複数の支持部材と一緒に前記軸線周りに回転されるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The second gas discharge part has a plurality of discharge ports in a ring shape around the axis,
The substrate processing apparatus, wherein the plurality of discharge ports are configured to be rotated about the axis together with the plurality of support members by the rotation driving mechanism.
前記スピンベースと基板との間に昇降可能に設けられた板状保護部材と、基板処理する場合に前記板状保護部材を上昇させる昇降機構とを更に備え、
前記第1気体吐出部は、基板と前記板状保護部材との間を基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出し、
前記第2気体吐出部は、前記板状保護部材に設けられ、前記第2気体吐出部には、前記板状保護部材の内部に設けられた空間を通じて気体が供給されることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus in any one of Claim 1 to 5,
A plate-like protection member provided between the spin base and the substrate so as to be movable up and down, and a lifting mechanism for raising the plate-like protection member when the substrate is processed;
The first gas discharge unit discharges gas to the lower surface of the substrate so that gas flows between the substrate and the plate-shaped protective member from the center side of the substrate toward the outer peripheral side of the substrate,
The substrate is characterized in that the second gas discharge part is provided on the plate-like protective member, and gas is supplied to the second gas discharge part through a space provided inside the plate-like protective member. Processing equipment.
前記板状保護部材は、前記スピンベースと基板との間に昇降可能に設けられた保護板と、前記保護板と前記スピンベースとの間に昇降可能に設けられた気体案内板とを備え、
前記第1気体吐出部は、基板と前記保護板との間を基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出し、
前記第2気体吐出部は、前記保護板と前記気体案内板との隙間で形成された少なくとも1つの吐出口を有し、前記第2気体吐出部には、前記保護板と前記気体案内板との間に形成された空間を通じて気体が供給され、
前記昇降機構は、基板処理する場合に前記保護板および気体案内板を上昇させることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6,
The plate-like protective member includes a protective plate provided to be movable up and down between the spin base and the substrate, and a gas guide plate provided to be movable up and down between the protective plate and the spin base,
The first gas discharge unit discharges gas to the lower surface of the substrate so that the gas flows from the center side of the substrate toward the outer peripheral side of the substrate between the substrate and the protective plate,
The second gas discharge part has at least one discharge port formed by a gap between the protection plate and the gas guide plate, and the second gas discharge part includes the protection plate, the gas guide plate, Gas is supplied through the space formed between
The lifting mechanism raises the protective plate and the gas guide plate when processing a substrate.
前記気体案内板は、前記保護板に対して独立して昇降可能であり、
前記昇降機構は、基板処理する場合に前記保護板および気体案内板を個々に上昇させると共に、前記吐出口を形成する前記隙間の幅を調整することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 7,
The gas guide plate can be moved up and down independently of the protection plate,
In the substrate processing apparatus, the lifting mechanism raises the protective plate and the gas guide plate individually when the substrate is processed, and adjusts the width of the gap forming the discharge port.
前記第2気体吐出部は、前記スピンベースに設けられ、前記第2気体吐出部には、前記スピンベースの内部に設けられた空間を通じて気体が供給されることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus in any one of Claim 1 to 5,
The substrate processing apparatus, wherein the second gas discharge unit is provided in the spin base, and gas is supplied to the second gas discharge unit through a space provided in the spin base.
前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、
前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、
前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手に形成された少なくとも1つのスリット状の吐出口を有する気体吐出部であって、前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記軸線周りに立設された前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられ、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近を含む前記基板の端付近の全周に前記気体を吐出する前記気体吐出部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holder having a spin base rotatable around a vertical axis, and a plurality of support members erected on an outer peripheral side of the spin base and around the axis, wherein the plurality of support members The substrate holding unit for holding the substrate in a state in which the spin base and the substrate are separated from each other;
A rotation drive mechanism for rotating the substrate holding portion around the axis;
A processing unit for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate held and rotated by the substrate holding unit and processing the substrate;
A gas discharge part having a ring shape around the axis and having at least one slit-like discharge port formed longitudinally along the outer periphery of the ring, the substrate held by the substrate holding part being planar When viewed, the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate is provided on the axis side of the plurality of support members erected around the axis and on the outer peripheral side of the substrate. The gas discharge part for discharging the gas to the entire periphery near the end of the substrate including the vicinity;
A substrate processing apparatus comprising:
前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、
前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、を備えた基板処理装置による基板処理方法において、
前記基板保持部で保持された基板の中心の下方に設けられた第1気体吐出部により、基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出する第1気体吐出工程と、
前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられた第2気体吐出部により、前記第1気体吐出部による気体の吐出に加えて、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近に気体を吐出する第2気体吐出工程と、
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
A substrate holder having a spin base rotatable around a vertical axis, and a plurality of support members erected on an outer peripheral side of the spin base and around the axis, wherein the plurality of support members The substrate holding unit for holding the substrate in a state in which the spin base and the substrate are separated from each other;
A rotation drive mechanism for rotating the substrate holding portion around the axis;
In a substrate processing method by a substrate processing apparatus comprising: a processing unit that supplies a processing liquid to a top surface of a substrate that is held and rotated by the substrate holding unit;
A first gas discharge unit provided below the center of the substrate held by the substrate holding unit discharges gas to the lower surface of the substrate so that gas flows from the center side of the substrate toward the outer periphery side of the substrate. 1 gas discharge step;
When the substrate held by the substrate holding part is viewed in plan, the first gas discharging part is provided by the second gas discharging part provided on the axis side of the plurality of support members and on the outer peripheral side of the substrate. In addition to gas discharge by the second gas discharge step of discharging gas near the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate;
A substrate processing method characterized by comprising:
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017105630A JP6899703B2 (en) | 2017-05-29 | 2017-05-29 | Substrate processing equipment and substrate processing method |
PCT/JP2018/018358 WO2018221166A1 (en) | 2017-05-29 | 2018-05-11 | Substrate processing device and substrate processing method |
TW107117231A TWI680500B (en) | 2017-05-29 | 2018-05-21 | Substrate processing device and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017105630A JP6899703B2 (en) | 2017-05-29 | 2017-05-29 | Substrate processing equipment and substrate processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018200977A true JP2018200977A (en) | 2018-12-20 |
JP6899703B2 JP6899703B2 (en) | 2021-07-07 |
Family
ID=64455377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017105630A Active JP6899703B2 (en) | 2017-05-29 | 2017-05-29 | Substrate processing equipment and substrate processing method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6899703B2 (en) |
TW (1) | TWI680500B (en) |
WO (1) | WO2018221166A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN215390401U (en) * | 2019-12-19 | 2022-01-04 | 株式会社斯库林集团 | Slit nozzle and substrate processing apparatus |
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JP2017069531A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate holding rotating device and substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
JP2017069263A (en) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate holding device |
JP2017069532A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate holding rotating device and substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11289002A (en) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Toshiba Microelectronics Corp | Single wafer processing mechanism |
US9589818B2 (en) * | 2012-12-20 | 2017-03-07 | Lam Research Ag | Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and liquid control ring for use in same |
-
2017
- 2017-05-29 JP JP2017105630A patent/JP6899703B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-11 WO PCT/JP2018/018358 patent/WO2018221166A1/en active Application Filing
- 2018-05-21 TW TW107117231A patent/TWI680500B/en active
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JP2017069532A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate holding rotating device and substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201901744A (en) | 2019-01-01 |
JP6899703B2 (en) | 2021-07-07 |
TWI680500B (en) | 2019-12-21 |
WO2018221166A1 (en) | 2018-12-06 |
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Legal Events
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