JP2018195658A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】樹脂の熱膨張や熱収縮によってボンディングワイヤが受ける応力を減らしつつ、回路の短絡を防止することが可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板の主面上に載置されている発光素子20と、発光素子と基板とを電気的に接続するボンディングワイヤW2と、ボンディングワイヤを樹脂によって封止した封止部41と、を有する。発光素子は、発光素子上に設けられ、ボンディングワイヤの他端が接続された素子側接続端P4を有する。ボンディングワイヤは、端部が素子側接続端に接続され、素子側接続端から離れる方向に伸長する第1の伸長部E1と、第1の伸長部に続く中間部Mと、中間部に続いて伸長し、端部が基板側接続端に接続された第2の伸長部E2と、を有する。中間部は、ボンディングワイヤが、基板の主面に平行な方向であって発光素子の側面から離れる方向に対して45〜90度の角度で伸長する応力緩和部50を有する。
【選択図】図3
【解決手段】基板と、基板の主面上に載置されている発光素子20と、発光素子と基板とを電気的に接続するボンディングワイヤW2と、ボンディングワイヤを樹脂によって封止した封止部41と、を有する。発光素子は、発光素子上に設けられ、ボンディングワイヤの他端が接続された素子側接続端P4を有する。ボンディングワイヤは、端部が素子側接続端に接続され、素子側接続端から離れる方向に伸長する第1の伸長部E1と、第1の伸長部に続く中間部Mと、中間部に続いて伸長し、端部が基板側接続端に接続された第2の伸長部E2と、を有する。中間部は、ボンディングワイヤが、基板の主面に平行な方向であって発光素子の側面から離れる方向に対して45〜90度の角度で伸長する応力緩和部50を有する。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体発光装置に関する。
LED(Light Emitting Diode)等の発光素子を搭載した半導体発光装置は、照明等に用いられている。このような半導体発光装置では、発光素子は、基板に搭載された後、ボンディングワイヤによって電気的に基板と接続され、樹脂によって封止される。
封止に使用される樹脂は、使用環境に応じて熱膨張や熱収縮を繰り返す。このため、ボンディングワイヤは、樹脂の熱膨張や熱収縮の影響により繰り返し伸縮する。ボンディングワイヤが繰り返し伸縮することは、断線する原因となる。
このような樹脂の熱膨張や熱収縮の影響を抑制する半導体発光装置としては、例えば、発光素子と基板とが金属細線によって電気的に接続され、前記発光素子および前記金属細線が封止部によって樹脂封止された発光装置において、前記金属細線は、前記発光素子および前記基板それぞれの表面に沿って配線されていることを特徴とする、発光装置が特許文献1に開示されている。
特許文献1の発光装置は、金属細線が発光素子や基板に対してほとんど間隔を有せずに設けられている。特に、当該文献の請求項2に記載のように、金属細線と基板および発光素子の離間距離は金属細線の径の3倍以下である。
このように、金属細線と基板等との離間距離を有せずに設けると、わずかな衝撃で金属細線と、発光素子等と接触し、回路が短絡するおそれがある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、樹脂の熱膨張や熱収縮によるボンディングワイヤが受ける応力を減らしつつ、回路の短絡を防止することが可能な半導体発光装置を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するため、本発明の半導体発光装置は、基板と、前記基板の主面上に載置されている発光素子と、前記発光素子と前記基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように、前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止した封止部と、を有し、前記基板は、前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された基板側接続端を有し、前記発光素子は、前記発光素子上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された素子側接続端を有し、前記ボンディングワイヤは、端部が前記素子側接続端に接続され、前記素子側接続端から離れる方向に伸長する第1の伸長部と、前記第1の伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記基板側接続端に接続された第2の伸長部と、を有し、前記中間部は、前記ボンディングワイヤが、前記基板の前記主面に平行な方向であって前記発光素子の前記側面から離れる方向に対して45〜90度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする。
本発明の半導体発光装置は、第1の基板と、前記第1の基板の主面上に形成されている凹部に載置されている第2の基板と、前記第2の基板の主面上に載置されている発光素子と、前記第1の基板と前記第2の基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように、前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止する封止部と、を有し、前記第1の基板は、前記第1の基板上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された第1の基板側接続端を有し、前記第2の基板は、前記第2の基板の前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された第2の基板側接続端を有し、前記ボンディングワイヤは、端部が前記第2の基板側接続端に接続され、前記第2の基板側接続端から離れる方向に伸長する第1の伸長部と、前記第1の伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記第1の基板側接続端と接続された第2の伸長部と、を有し、前記中間部は、前記第1の基板の前記主面に平行な方向に対して45〜90度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする。
本発明の半導体発光装置は、支持基板と、前記支持基板の主面上に載置されている第1の基板と、前記支持基板の前記主面上に載置されている第2の基板と、前記第2の基板の主面上に載置されている発光素子と、前記第1の基板と前記第2の基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止する封止部と、を有し、前記第1の基板は、前記第1の基板上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された第1の基板側接続端を有し、前記第2の基板は、前記第2の基板の前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された第2の基板側接続端を有し、前記ボンディングワイヤは、端部が前記第2の基板側接続端に接続され、前記第2の基板側接続端から離れる方向に伸長する第1の伸長部、前記伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記第2の基板側接続端と接続された第2の伸長部と、を有し、前記中間部は、前記支持基板の前記主面に平行な方向に対して45〜90度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする。
以下に本発明の好適な実施例を詳細に説明する。尚、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。
図1ないし図3に示すように、半導体発光装置10は、ベース基板11(第1の基板)と、ベース基板11の主面11a上に載置されるサブマウント基板13(第2の基板)と、サブマウント基板13の主面13a上に載置されている発光素子20と、を有して構成される。
ベース基板11は、熱伝導性の高い材料、例えばCuなどの金属材料からなる。ベース基板11の上には、絶縁材料からなる絶縁層(図示せず)が形成されている。
この絶縁層上には、外部(例えば電源回路や駆動回路)との接続端子(図示せず)に接続された配線T1及び配線T1に接続されたパッド電極P1(第1の基板側接続端)が設けられている。配線T1及びパッド電極P1は、例えばAu、Cuなどの金属を用いることができる。後述する他の配線及び他の電極も同一素材である。
ベース基板11の主面11a上には、サブマウント基板13の全体及びパッド電極P1を取り囲むように環状に形成された第1の囲い部FL1が設けられている。
尚、ベース基板11は、金属材料からなる場合に限定されず、例えば絶縁材料から構成されていてもよい。この場合、絶縁層が設けられている必要はなく、ベース基板11上に配線T1及びパッド電極P1が形成するとよい。
ベース基板11の主面11a上には、サブマウント基板13を搭載するために設けられた凹部14が形成されている。
凹部14は、断面視が略U字状に形成されている。凹部14の底面には、サブマウント基板13が接着層(図示せず)を介して固定されている。
サブマウント基板13は、熱伝導性の高い材料、例えばセラミックスなどを用いることができる。
サブマウント基板13の主面13a上には、パッド電極P2(第2の基板側接続端)と、パッド電極P3(基板側接続端としての発光素子側接続端)と、が設けられている。また、サブマウント基板13の主面13a上には、発光素子20の全体と、パッド電極P3と、後述するパッド電極P4とを取り囲むように環状に形成された第2の囲い部FL2が設けられている。パッド電極P2とパッド電極P3は、配線T2を介して互いに電気的に接続されている。
ベース基板11のパッド電極P1にボンディングワイヤW1の先端が接続され、サブマウント基板13のパッド電極P2ボンディングワイヤW1の基端が接続されることにより、パッド電極P1とパッド電極P2は、互いに電気的に接続されている。
発光素子20は、サブマウント基板13の主面13a上に実装されている。発光素子20は、例えば、発光ダイオードや半導体レーザなどを用いることができる。
発光素子20は、順次積層されたn型半導体層、発光層及びp型半導体層と、を含む。n型半導体層、発光層及びp型半導体層は、例えば、窒化物系半導体からなる。
したがって、発光素子20のp型半導体層の上面が発光素子20の光取り出し面として機能する。
また、発光素子20の主面20a上には、n型半導体層及びp型半導体層にそれぞれ接続されたパッド電極P4(素子側接続端)が設けられている。
発光素子20のパッド電極P4にボンディングワイヤW2の先端が接続され、サブマウント基板13のパッド電極P3にボンディングワイヤW2の基端が接続されていることにより、パッド電極P3とパッド電極P4は、互いに電気的に接続されている。
尚、発光素子20の主面13aの上に発光素子20からの放出光に対して波長変換板30が設けられてもよい。この場合には、波長変換板30は、この発光素子20の光取り出し面上に形成されている。
波長変換板30は、例えば、蛍光体粒子及びバインダ(図示せず)を含む板状の部材、又は単結晶の蛍光体プレートを含む。
第1の囲い部FL1と第2の囲い部FL2の間には、ボンディングワイヤW1の全体を覆うように、ボンディングワイヤを樹脂によって封止した第1の封止部40が設けられている。樹脂は、例えばシリコーン樹脂を用いることができる。
第1の封止部40は、ベース基板11に垂直な面内において単調な凸形状を有している。より具体的には、この凸形状は、例えば、発光素子20の光取出し方向に対して孤を描くように湾曲して形成されている。
波長変換板30の側面と第2の囲い部FL2の間には、ボンディングワイヤW2の全体を覆うように、ボンディングワイヤW2を樹脂によって封止した第2の封止部41が設けられている。
第2の封止部41は、サブマウント基板13に垂直な面内において単調な凸形状を有している。より具体的には、この凸形状は、例えば、発光素子20の光取出し方向に対して孤を描くように湾曲して形成されている。樹脂は、例えばシリコーン樹脂などの透光性の樹脂を用いることができる。
尚、波長変換板30を設けない場合は、第2の封止部41は、第2の囲い部FL2の内側において、ボンディングワイヤW2の全体を覆うように設けられている。
図4は、図2に示した図1のA−A線拡大断面図において、第1の封止部40の樹脂が温度変化により膨張又は収縮する方向を示したものである。図5は、図3に示した図1のA−A線拡大断面図において、第2の封止部41の樹脂が温度変化により膨張又は収縮する方向を示したものである。
ボンディングワイヤW1,W2は、例えば、Au、Al、Cuなどの材料からなる。
ボンディングワイヤW1は、端部がパッド電極P2に接続され、パッド電極P2から離れる方向に向かって伸長する第1の伸長部E1と、この第1の伸長部E1に続く中間部Mと、中間部Mに続いて伸長し、端部がパッド電極P1と接続する第2の伸長部E2と、を有して構成される。
ボンディングワイヤW1の第1の伸長部E1は、ベース基板11の主面11aに略平行に伸長し、第1の伸長部E1が中間部に移行するボンディングワイヤW1の部分である移行部Sは湾曲して形成されている。また、第2の伸長部E2は、パッド電極P1からサブマウント基板13の主面13aに垂直な方向に伸長するワイヤ部分E2aを有していてもよい。同様に、第1の伸長部E1は、パッド電極P2からサブマウント基板13の主面13aに垂直な方向に伸長するワイヤ部分E1aを有していてもよい。ボンディングワイヤW1の第2の伸長部E2は、湾曲して形成されている。
図4において示される太い矢印は、第1の封止部40の樹脂が温度変化により膨張・収縮する方向を示す。このように、第1の封止部40の膨張又は収縮方向に作用する力は、ベース基板11の主面11aに平行な方向αに対して略90度の角度をなしてボンディングワイヤW1に作用する。
これに対して、ボンディングワイヤW1の中間部Mは、ベース基板11の主面11aに平行な方向αに対して、45〜90度の角度(θ1)(45°≦θ1≦90°)で伸長する応力緩和部50を有する。本実施例においてθ1は90°である。
ボンディングワイヤW2は、端部がパッド電極P4に接続され、パッド電極P4から離れる方向に伸長する第1の伸長部E1と、第1の伸長部E1に続く中間部Mと、この中間部Mに続いて伸長しパッド電極P3と接続された第2の伸長部E2と、を有して構成される。
ボンディングワイヤW2の第1の伸長部E1は、サブマウント基板13の主面13aに略平行に伸長し、第1の伸長部E1が中間部に移行するボンディングワイヤW2の部分である移行部Sは湾曲して形成されている。また、第2の伸長部E2は、パッド電極P3からサブマウント基板13の主面13aに垂直な方向に伸長するワイヤ部分E2aを有していてもよい。同様に、第1の伸長部E1は、パッド電極P4から発光素子10の主面20aに垂直な方向に伸長するワイヤ部分E1aを有していてもよい。ボンディングワイヤW2の第2の伸長部E2は、湾曲して形成されている。
また図5において示される太い矢印は、第2の封止部41の樹脂が温度変化により膨張・収縮する方向を示す。このように、第2の封止部41の膨張又は収縮方向に作用する力は、サブマウント基板13の主面13aと平行な方向に対して略45度の角度をなしてボンディングワイヤW2に作用する。
これに対して、ボンディングワイヤW2の中間部Mは、サブマウント基板13の主面13aに平行な方向であって、発光素子20の側面21から離れる方向βに対して45〜90度の角度(θ2)(45°≦θ2≦90°)で伸長する応力緩和部50を有する。本実施例においてθ2は90°である。
すなわち、応力緩和部50は、樹脂の熱膨張又は熱収縮によって樹脂内に生じる膨張又は収縮方向に作用する力の方向に対して、略平行ないし45度の形成角度を有して形成されている。
したがって、応力緩和部50は、樹脂の膨張又は収縮方向に対して長く伸長することにより、ボンディングワイヤW1,W2が受ける樹脂の膨張又は収縮方向に作用する力に対する抗力を高めることができる。このため、ボンディングワイヤW1,W2の断線を防ぐことが可能となる。
また、応力緩和部50が設けられることにより、ボンディングワイヤW1,W2の全長がパッド電極間P1、P2及びパッド電極間P3,P4の距離よりも長くなる(ボンディングワイヤW1,W2が弛む)ため、樹脂の膨張又は収縮方向に作用する力によって生じるボンディングワイヤW1,W2の張力を弱くすることができる。
また、ボンディングワイヤW1,W2の移行部S及び第2の伸長部E2が湾曲して形成されていることにより、移行部S及び第2の伸長部E2が、あたかもスプリングのように作用して樹脂の膨張又は収縮方向に作用する力を吸収し、ボンディングワイヤW1,W2の断線を防止することができる。
さらに、ボンディングワイヤW1は、パッド電極P2からサブマウント基板13の主面13aに垂直な方向に伸長するワイヤ部分E1a及びパッド電極P1からサブマウント基板13の主面13aに垂直な方向に伸長するワイヤ部分E2aを有することで、サブマウント基板13及びベース基板11に対してクリアランスを設けることができる。
このように、ボンディングワイヤW1は、サブマウント基板13及びベース基板11の間にクリアランスを設けることより、ボンディングワイヤW1が、サブマウント基板13又はサブマウント基板13に接触して回路が短絡する等の不具合を防ぐことができる。
同様に、ボンディングワイヤW2は、パッド電極P3からサブマウント基板13の主面13aに垂直な方向に伸長するワイヤ部分E2a及びパッド電極P4から発光素子10の主面20aに垂直な方向に伸長するワイヤ部分E1aを有することで、サブマウント基板13及び発光素子20に対してクリアランスを設けることができる。
このように、ボンディングワイヤW2は、サブマウント基板13及び発光素子20との間にクリアランスを設けることより、ボンディングワイヤW2がサブマウント基板13又は発光素子20に接触して回路が短絡する等の不具合を防ぐことができる。
このクリアランスの量は、半導体発光装置10が受ける振動等の外力によってボンディングワイヤW1,W2が発光素子20、ベース基板11、サブマウント基板13に接触しないように設定するとよく、好ましくは、第1の封止部40及び第2の封止部41に用いられる樹脂が熱膨張や熱収縮によって変位する量や熱膨張率等も考慮して定めるとよい。
ここで、図6は、ボンディングワイヤW2の変形例を示す、図1のA−A線断面図である。応力緩和部50は、例えば、図6に示すように、サブマウント基板13の主面13aに対して90度未満の角度を有して形成されている。このとき移行部Sは、発光素子20の側面21方向に向かって湾曲して伸長するようにしてもよい。
尚、第1の封止部40及び第2の封止部41の樹脂の厚い箇所においては、ボンディングワイヤW1,W2は、特に樹脂の熱膨張及び熱収縮方向に作用する力の影響を受ける。
したがって、応力緩和部50は、第1の封止部40及び第2の封止部41の樹脂が最も厚い領域に設けられるとよい。
具体的には、図2に示すように、第1の封止部40は、第1の封止部40内に画定されるベース基板11の主面11a上の領域であって、ベース基板11の凹部14の側面からサブマウント基板13の側面において(領域R1)は、第1の封止部40のベース基板11の主面からの厚さが最も厚い領域R2を含むようにするとよい。
このように、第2の封止部41のベース基板11の主面11aからの厚さが最も厚い領域R2に、応力緩和部50が設けられることによって、より効果的にボンディングワイヤW1の断線を防ぐことができる。
同様に、図3に示すように、第2の封止部41は、第2の封止部41内に画定されるサブマウント基板13の主面13a上の領域であって、発光素子20の側面21からパッド電極P3の間において(領域R3)は、第2の封止部41のサブマウント基板13の主面からの厚さが最も厚い領域R4を含むようにするとよい。
尚、中間部Mは、複数の応力緩和部50を有するようにしてもよい。ここで、図7ないし図9は、ボンディングワイヤW1,W2の変形例を示す、図1のA−A線断面図である。
例えば、図7及び図8に示すように、側面視が略U字状になるように中間部Mを形成し、ベース基板11の主面11a又は、サブマウント基板13の主面13aの形成方向に対して90度の角度をなす応力緩和部50を2か所に設けてもよい。また、応力緩和部50は、このような態様に限られず、例えば、側面視が階段状(多段階状)になるように形成し、2か所以上に設けてもよい。
同様に、図9に示すように、側面視が略逆U字状になるように中間部Mを形成し、ベース基板11の主面11a又はサブマウント基板13の主面13aの形成方向に対して90度の角度をなす応力緩和部50を2か所に設けてもよい。また、応力緩和部50は、このような態様に限られず、例えば、側面視が階段状(多段階状)になるように形成し、2か所以上に設けてもよい。
このように、中間部Mの複数個所に応力緩和部50を設けることにより、ボンディングワイヤW1,W2をより断線しにくくすることができる。
実施例1においては、ベース基板11の凹部14の上にサブマウント基板13が設けられる態様であった。しかし、ベース基板11とサブマウント基板13は、支持基板15の上に設けられているようにしてもよい。
図10は、実施例2に係るボンディングワイヤW2の変形例を示す、半導体発光装置10の断面図である。
具体的には、図10に示すように、半導体発光装置は、支持基板15と、支持基板15の主面15a上に載置されているベース基板11と、ベース基板11の主面11a上に載置されている発光素子20と、支持基板15の上に載置されているサブマウント基板13と、を有して構成される。他の構成は、実施例1と同一であるので説明を省略する。
このように半導体発光装置10を構成したときは、第1の封止部内40は、第1の封止部40に画定されている支持基板15の主面15aの上の領域であって、ベース基板11の側面からサブマウント基板13の側面の間においては(領域R5)は、支持基板15の主面15aからの厚さが最も厚い領域R6を含むようにするとよい。
10 半導体発光装置
11 ベース基板(第1の基板)
11a ベース基板の主面
13 サブマウント基板(第2の基板)
13a サブマウント基板の主面
14 凹部
15 支持基板
20 発光素子
21 発光素子の側面
40 第1の封止部
41 第2の封止部
50 応力緩和部
W1,W2 ボンディングワイヤ
E1 第1の伸長部
E1a 第1の伸長部のワイヤ部分
E2 第2の伸長部
M 中間部
S 移行部
P1 パッド電極(第1の基板側接続端)
P2 パッド電極(第2の基板側接続端)
P3 パッド電極(基板側接続端としての発光素子側接続端)
P4 パッド電極(素子側接続端)
α ベース基板の主面に平行な方向
β サブマウント基板の主面に平行な方向であって発光素子の側面から離れる方向
11 ベース基板(第1の基板)
11a ベース基板の主面
13 サブマウント基板(第2の基板)
13a サブマウント基板の主面
14 凹部
15 支持基板
20 発光素子
21 発光素子の側面
40 第1の封止部
41 第2の封止部
50 応力緩和部
W1,W2 ボンディングワイヤ
E1 第1の伸長部
E1a 第1の伸長部のワイヤ部分
E2 第2の伸長部
M 中間部
S 移行部
P1 パッド電極(第1の基板側接続端)
P2 パッド電極(第2の基板側接続端)
P3 パッド電極(基板側接続端としての発光素子側接続端)
P4 パッド電極(素子側接続端)
α ベース基板の主面に平行な方向
β サブマウント基板の主面に平行な方向であって発光素子の側面から離れる方向
Claims (18)
- 基板と、前記基板の主面上に載置されている発光素子と、前記発光素子と前記基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように、前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止した封止部と、を有し、
前記基板は、前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された基板側接続端を有し、
前記発光素子は、前記発光素子上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された素子側接続端を有し、
前記ボンディングワイヤは、端部が前記素子側接続端に接続され、前記素子側接続端から離れる方向に伸長する第1の伸長部と、前記第1の伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記基板側接続端に接続された第2の伸長部と、を有し、
前記中間部は、前記ボンディングワイヤが、前記基板の前記主面に平行な方向であって前記発光素子の前記側面から離れる方向に対して45〜90度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする半導体発光装置。 - 前記封止部は、前記基板に垂直な面において単調な凸形状を有し、前記封止部内に画定されている前記基板の前記主面上の領域であって、前記発光素子の側面から前記基板側接続端の間において、前記基板の前記主面からの厚さが最も厚い領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記第1の伸長部は、前記基板の前記主面に略平行に伸長し、
前記第1の伸長部が前記中間部に移行する前記ボンディングワイヤの部分である移行部は、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。 - 前記第2の伸長部は、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記第2の伸長部は、前記基板側接続端から前記基板の前記主面に垂直な方向に伸長するワイヤ部分を有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記中間部は、複数の前記応力緩和部を有することを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 第1の基板と、前記第1の基板の主面上に形成されている凹部に載置されている第2の基板と、前記第2の基板の主面上に載置されている発光素子と、前記第1の基板と前記第2の基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように、前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止する封止部と、を有し、
前記第1の基板は、前記第1の基板上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された第1の基板側接続端を有し、
前記第2の基板は、前記第2の基板の前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された第2の基板側接続端を有し、
前記ボンディングワイヤは、端部が前記第2の基板側接続端に接続され、前記第2の基板側接続端から離れる方向に伸長する第1の伸長部と、前記第1の伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記第1の基板側接続端と接続された第2の伸長部と、を有し、
前記中間部は、前記第1の基板の前記主面に平行な方向に対して45〜90度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする半導体発光装置。 - 前記封止部は、前記第1の基板に垂直な面において単調な凸形状を有し、前記封止部内に画定されている前記第1の基板の前記主面上の領域であって、前記第1の基板の前記凹部の側面から前記第2の基板の側面の間において、前記基板の前記主面からの厚さが最も厚い領域を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置。
- 前記第1の伸長部は、前記第1の基板の前記主面に略平行に伸長し、
前記第1の伸長部が前記第中間部に移行する前記ボンディングワイヤの部分である移行部は、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体発光装置。 - 前記第2の伸長部は、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項7ないし9のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記第1の伸長部は、前記第2の基板側接続端から前記第2の基板の前記主面に垂直な方向に伸長するワイヤ部分を有することを特徴とする請求項7ないし10のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記中間部は、複数の前記応力緩和部を有することを特徴とする請求項7ないし11のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 支持基板と、前記支持基板の主面上に載置されている第1の基板と、前記支持基板の前記主面上に載置されている第2の基板と、前記第2の基板の主面上に載置されている発光素子と、前記第1の基板と前記第2の基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止する封止部と、を有し、
前記第1の基板は、前記第1の基板上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された第1の基板側接続端を有し、
前記第2の基板は、前記第2の基板の前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された第2の基板側接続端を有し、
前記ボンディングワイヤは、端部が前記第2の基板側接続端に接続され、前記第2の基板側接続端から離れる方向に伸長する第1の伸長部、前記伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記第2の基板側接続端と接続された第2の伸長部と、を有し、
前記中間部は、前記支持基板の前記主面に平行な方向に対して45〜90度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする半導体発光装置。 - 前記封止部は、前記第支持基板に垂直な面において単調な凸形状を有し、前記封止部内に画定されている前記支持基板の前記主面上の領域であって、前記第1の基板の側面から前記第2の基板の側面の間において、前記支持基板の前記主面からの厚さが最も厚い領域を含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体発光装置。
- 前記第1の伸長部は、前記支持基板の前記主面と略平行に伸長し、
前記第1の伸長部が前記中間部に移行する前記ボンディングワイヤの部分である移行部は湾曲していることを特徴とする請求項13又は14に記載の半導体発光装置。 - 前記第2の伸長部は、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項13ないし15のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記第1の伸長部は、前記第2の基板側接続端から前記第2の基板の前記主面に垂直な方向に伸長するワイヤ部分を有することを特徴とする請求項13ないし16のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記中間部は、複数の前記応力緩和部を有することを特徴とする請求項13ないし17のいずれかに記載の半導体発光装置。
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JP2017096967A JP2018195658A (ja) | 2017-05-16 | 2017-05-16 | 半導体発光装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2021220559A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体素子及び半導体素子製造方法 |
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2017
- 2017-05-16 JP JP2017096967A patent/JP2018195658A/ja active Pending
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WO2021220559A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体素子及び半導体素子製造方法 |
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