JP2018195658A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂の熱膨張や熱収縮によってボンディングワイヤが受ける応力を減らしつつ、回路の短絡を防止することが可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板の主面上に載置されている発光素子２０と、発光素子と基板とを電気的に接続するボンディングワイヤＷ２と、ボンディングワイヤを樹脂によって封止した封止部４１と、を有する。発光素子は、発光素子上に設けられ、ボンディングワイヤの他端が接続された素子側接続端Ｐ４を有する。ボンディングワイヤは、端部が素子側接続端に接続され、素子側接続端から離れる方向に伸長する第１の伸長部Ｅ１と、第１の伸長部に続く中間部Ｍと、中間部に続いて伸長し、端部が基板側接続端に接続された第２の伸長部Ｅ２と、を有する。中間部は、ボンディングワイヤが、基板の主面に平行な方向であって発光素子の側面から離れる方向に対して４５〜９０度の角度で伸長する応力緩和部５０を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体発光装置に関する。

ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子を搭載した半導体発光装置は、照明等に用いられている。このような半導体発光装置では、発光素子は、基板に搭載された後、ボンディングワイヤによって電気的に基板と接続され、樹脂によって封止される。

封止に使用される樹脂は、使用環境に応じて熱膨張や熱収縮を繰り返す。このため、ボンディングワイヤは、樹脂の熱膨張や熱収縮の影響により繰り返し伸縮する。ボンディングワイヤが繰り返し伸縮することは、断線する原因となる。

このような樹脂の熱膨張や熱収縮の影響を抑制する半導体発光装置としては、例えば、発光素子と基板とが金属細線によって電気的に接続され、前記発光素子および前記金属細線が封止部によって樹脂封止された発光装置において、前記金属細線は、前記発光素子および前記基板それぞれの表面に沿って配線されていることを特徴とする、発光装置が特許文献１に開示されている。

特開２０１３−１４９９２７号公報

特許文献１の発光装置は、金属細線が発光素子や基板に対してほとんど間隔を有せずに設けられている。特に、当該文献の請求項２に記載のように、金属細線と基板および発光素子の離間距離は金属細線の径の３倍以下である。

このように、金属細線と基板等との離間距離を有せずに設けると、わずかな衝撃で金属細線と、発光素子等と接触し、回路が短絡するおそれがある。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、樹脂の熱膨張や熱収縮によるボンディングワイヤが受ける応力を減らしつつ、回路の短絡を防止することが可能な半導体発光装置を提供することを目的とする。

上述した目的を達成するため、本発明の半導体発光装置は、基板と、前記基板の主面上に載置されている発光素子と、前記発光素子と前記基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように、前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止した封止部と、を有し、前記基板は、前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された基板側接続端を有し、前記発光素子は、前記発光素子上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された素子側接続端を有し、前記ボンディングワイヤは、端部が前記素子側接続端に接続され、前記素子側接続端から離れる方向に伸長する第１の伸長部と、前記第１の伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記基板側接続端に接続された第２の伸長部と、を有し、前記中間部は、前記ボンディングワイヤが、前記基板の前記主面に平行な方向であって前記発光素子の前記側面から離れる方向に対して４５〜９０度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする。

本発明の半導体発光装置は、第１の基板と、前記第１の基板の主面上に形成されている凹部に載置されている第２の基板と、前記第２の基板の主面上に載置されている発光素子と、前記第１の基板と前記第２の基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように、前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止する封止部と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の基板上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された第１の基板側接続端を有し、前記第２の基板は、前記第２の基板の前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された第２の基板側接続端を有し、前記ボンディングワイヤは、端部が前記第２の基板側接続端に接続され、前記第２の基板側接続端から離れる方向に伸長する第１の伸長部と、前記第１の伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記第１の基板側接続端と接続された第２の伸長部と、を有し、前記中間部は、前記第１の基板の前記主面に平行な方向に対して４５〜９０度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする。

本発明の半導体発光装置は、支持基板と、前記支持基板の主面上に載置されている第１の基板と、前記支持基板の前記主面上に載置されている第２の基板と、前記第２の基板の主面上に載置されている発光素子と、前記第１の基板と前記第２の基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止する封止部と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の基板上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された第１の基板側接続端を有し、前記第２の基板は、前記第２の基板の前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された第２の基板側接続端を有し、前記ボンディングワイヤは、端部が前記第２の基板側接続端に接続され、前記第２の基板側接続端から離れる方向に伸長する第１の伸長部、前記伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記第２の基板側接続端と接続された第２の伸長部と、を有し、前記中間部は、前記支持基板の前記主面に平行な方向に対して４５〜９０度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする。

実施例１に係る半導体発光装置の上面図である。 図１のＡ−Ａ線の拡大断面図である。 図１のＡ−Ａ線の拡大断面図である。 図１のＡ−Ａ線の拡大断面図である。 図１のＡ−Ａ線の拡大断面図である。 図１のＡ−Ａ線の拡大断面図である。 図１のＡ−Ａ線の拡大断面図である。 図１のＡ−Ａ線の拡大断面図である。 図１のＡ−Ａ線の拡大断面図である。 実施例２に係る半導体発光装置の拡大断面図である。

以下に本発明の好適な実施例を詳細に説明する。尚、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。

図１ないし図３に示すように、半導体発光装置１０は、ベース基板１１（第１の基板）と、ベース基板１１の主面１１ａ上に載置されるサブマウント基板１３（第２の基板）と、サブマウント基板１３の主面１３ａ上に載置されている発光素子２０と、を有して構成される。

ベース基板１１は、熱伝導性の高い材料、例えばＣｕなどの金属材料からなる。ベース基板１１の上には、絶縁材料からなる絶縁層（図示せず）が形成されている。

この絶縁層上には、外部（例えば電源回路や駆動回路）との接続端子（図示せず）に接続された配線Ｔ１及び配線Ｔ１に接続されたパッド電極Ｐ１（第１の基板側接続端）が設けられている。配線Ｔ１及びパッド電極Ｐ１は、例えばＡｕ、Ｃｕなどの金属を用いることができる。後述する他の配線及び他の電極も同一素材である。

ベース基板１１の主面１１ａ上には、サブマウント基板１３の全体及びパッド電極Ｐ１を取り囲むように環状に形成された第１の囲い部ＦＬ１が設けられている。

尚、ベース基板１１は、金属材料からなる場合に限定されず、例えば絶縁材料から構成されていてもよい。この場合、絶縁層が設けられている必要はなく、ベース基板１１上に配線Ｔ１及びパッド電極Ｐ１が形成するとよい。

ベース基板１１の主面１１ａ上には、サブマウント基板１３を搭載するために設けられた凹部１４が形成されている。

凹部１４は、断面視が略Ｕ字状に形成されている。凹部１４の底面には、サブマウント基板１３が接着層（図示せず）を介して固定されている。

サブマウント基板１３は、熱伝導性の高い材料、例えばセラミックスなどを用いることができる。

サブマウント基板１３の主面１３ａ上には、パッド電極Ｐ２（第２の基板側接続端）と、パッド電極Ｐ３（基板側接続端としての発光素子側接続端）と、が設けられている。また、サブマウント基板１３の主面１３ａ上には、発光素子２０の全体と、パッド電極Ｐ３と、後述するパッド電極Ｐ４とを取り囲むように環状に形成された第２の囲い部ＦＬ２が設けられている。パッド電極Ｐ２とパッド電極Ｐ３は、配線Ｔ２を介して互いに電気的に接続されている。

ベース基板１１のパッド電極Ｐ１にボンディングワイヤＷ１の先端が接続され、サブマウント基板１３のパッド電極Ｐ２ボンディングワイヤＷ１の基端が接続されることにより、パッド電極Ｐ１とパッド電極Ｐ２は、互いに電気的に接続されている。

発光素子２０は、サブマウント基板１３の主面１３ａ上に実装されている。発光素子２０は、例えば、発光ダイオードや半導体レーザなどを用いることができる。

発光素子２０は、順次積層されたｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層と、を含む。ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層は、例えば、窒化物系半導体からなる。

したがって、発光素子２０のｐ型半導体層の上面が発光素子２０の光取り出し面として機能する。

また、発光素子２０の主面２０ａ上には、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層にそれぞれ接続されたパッド電極Ｐ４（素子側接続端）が設けられている。

発光素子２０のパッド電極Ｐ４にボンディングワイヤＷ２の先端が接続され、サブマウント基板１３のパッド電極Ｐ３にボンディングワイヤＷ２の基端が接続されていることにより、パッド電極Ｐ３とパッド電極Ｐ４は、互いに電気的に接続されている。

尚、発光素子２０の主面１３ａの上に発光素子２０からの放出光に対して波長変換板３０が設けられてもよい。この場合には、波長変換板３０は、この発光素子２０の光取り出し面上に形成されている。

波長変換板３０は、例えば、蛍光体粒子及びバインダ（図示せず）を含む板状の部材、又は単結晶の蛍光体プレートを含む。

第１の囲い部ＦＬ１と第２の囲い部ＦＬ２の間には、ボンディングワイヤＷ１の全体を覆うように、ボンディングワイヤを樹脂によって封止した第１の封止部４０が設けられている。樹脂は、例えばシリコーン樹脂を用いることができる。

第１の封止部４０は、ベース基板１１に垂直な面内において単調な凸形状を有している。より具体的には、この凸形状は、例えば、発光素子２０の光取出し方向に対して孤を描くように湾曲して形成されている。

波長変換板３０の側面と第２の囲い部ＦＬ２の間には、ボンディングワイヤＷ２の全体を覆うように、ボンディングワイヤＷ２を樹脂によって封止した第２の封止部４１が設けられている。

第２の封止部４１は、サブマウント基板１３に垂直な面内において単調な凸形状を有している。より具体的には、この凸形状は、例えば、発光素子２０の光取出し方向に対して孤を描くように湾曲して形成されている。樹脂は、例えばシリコーン樹脂などの透光性の樹脂を用いることができる。

尚、波長変換板３０を設けない場合は、第２の封止部４１は、第２の囲い部ＦＬ２の内側において、ボンディングワイヤＷ２の全体を覆うように設けられている。

図４は、図２に示した図１のＡ−Ａ線拡大断面図において、第１の封止部４０の樹脂が温度変化により膨張又は収縮する方向を示したものである。図５は、図３に示した図１のＡ−Ａ線拡大断面図において、第２の封止部４１の樹脂が温度変化により膨張又は収縮する方向を示したものである。

ボンディングワイヤＷ１，Ｗ２は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの材料からなる。

ボンディングワイヤＷ１は、端部がパッド電極Ｐ２に接続され、パッド電極Ｐ２から離れる方向に向かって伸長する第１の伸長部Ｅ１と、この第１の伸長部Ｅ１に続く中間部Ｍと、中間部Ｍに続いて伸長し、端部がパッド電極Ｐ１と接続する第２の伸長部Ｅ２と、を有して構成される。

ボンディングワイヤＷ１の第１の伸長部Ｅ１は、ベース基板１１の主面１１ａに略平行に伸長し、第１の伸長部Ｅ１が中間部に移行するボンディングワイヤＷ１の部分である移行部Ｓは湾曲して形成されている。また、第２の伸長部Ｅ２は、パッド電極Ｐ１からサブマウント基板１３の主面１３ａに垂直な方向に伸長するワイヤ部分Ｅ２ａを有していてもよい。同様に、第１の伸長部Ｅ１は、パッド電極Ｐ２からサブマウント基板１３の主面１３ａに垂直な方向に伸長するワイヤ部分Ｅ１ａを有していてもよい。ボンディングワイヤＷ１の第２の伸長部Ｅ２は、湾曲して形成されている。

図４において示される太い矢印は、第１の封止部４０の樹脂が温度変化により膨張・収縮する方向を示す。このように、第１の封止部４０の膨張又は収縮方向に作用する力は、ベース基板１１の主面１１ａに平行な方向αに対して略９０度の角度をなしてボンディングワイヤＷ１に作用する。

これに対して、ボンディングワイヤＷ１の中間部Ｍは、ベース基板１１の主面１１ａに平行な方向αに対して、４５〜９０度の角度（θ１）（４５°≦θ１≦９０°）で伸長する応力緩和部５０を有する。本実施例においてθ１は９０°である。

ボンディングワイヤＷ２は、端部がパッド電極Ｐ４に接続され、パッド電極Ｐ４から離れる方向に伸長する第１の伸長部Ｅ１と、第１の伸長部Ｅ１に続く中間部Ｍと、この中間部Ｍに続いて伸長しパッド電極Ｐ３と接続された第２の伸長部Ｅ２と、を有して構成される。

ボンディングワイヤＷ２の第１の伸長部Ｅ１は、サブマウント基板１３の主面１３ａに略平行に伸長し、第１の伸長部Ｅ１が中間部に移行するボンディングワイヤＷ２の部分である移行部Ｓは湾曲して形成されている。また、第２の伸長部Ｅ２は、パッド電極Ｐ３からサブマウント基板１３の主面１３ａに垂直な方向に伸長するワイヤ部分Ｅ２ａを有していてもよい。同様に、第１の伸長部Ｅ１は、パッド電極Ｐ４から発光素子１０の主面２０ａに垂直な方向に伸長するワイヤ部分Ｅ１ａを有していてもよい。ボンディングワイヤＷ２の第２の伸長部Ｅ２は、湾曲して形成されている。

また図５において示される太い矢印は、第２の封止部４１の樹脂が温度変化により膨張・収縮する方向を示す。このように、第２の封止部４１の膨張又は収縮方向に作用する力は、サブマウント基板１３の主面１３ａと平行な方向に対して略４５度の角度をなしてボンディングワイヤＷ２に作用する。

これに対して、ボンディングワイヤＷ２の中間部Ｍは、サブマウント基板１３の主面１３ａに平行な方向であって、発光素子２０の側面２１から離れる方向βに対して４５〜９０度の角度（θ２）（４５°≦θ２≦９０°）で伸長する応力緩和部５０を有する。本実施例においてθ２は９０°である。

すなわち、応力緩和部５０は、樹脂の熱膨張又は熱収縮によって樹脂内に生じる膨張又は収縮方向に作用する力の方向に対して、略平行ないし４５度の形成角度を有して形成されている。

したがって、応力緩和部５０は、樹脂の膨張又は収縮方向に対して長く伸長することにより、ボンディングワイヤＷ１，Ｗ２が受ける樹脂の膨張又は収縮方向に作用する力に対する抗力を高めることができる。このため、ボンディングワイヤＷ１，Ｗ２の断線を防ぐことが可能となる。

また、応力緩和部５０が設けられることにより、ボンディングワイヤＷ１，Ｗ２の全長がパッド電極間Ｐ１、Ｐ２及びパッド電極間Ｐ３，Ｐ４の距離よりも長くなる（ボンディングワイヤＷ１，Ｗ２が弛む）ため、樹脂の膨張又は収縮方向に作用する力によって生じるボンディングワイヤＷ１，Ｗ２の張力を弱くすることができる。

また、ボンディングワイヤＷ１，Ｗ２の移行部Ｓ及び第２の伸長部Ｅ２が湾曲して形成されていることにより、移行部Ｓ及び第２の伸長部Ｅ２が、あたかもスプリングのように作用して樹脂の膨張又は収縮方向に作用する力を吸収し、ボンディングワイヤＷ１，Ｗ２の断線を防止することができる。

さらに、ボンディングワイヤＷ１は、パッド電極Ｐ２からサブマウント基板１３の主面１３ａに垂直な方向に伸長するワイヤ部分Ｅ１ａ及びパッド電極Ｐ１からサブマウント基板１３の主面１３ａに垂直な方向に伸長するワイヤ部分Ｅ２ａを有することで、サブマウント基板１３及びベース基板１１に対してクリアランスを設けることができる。

このように、ボンディングワイヤＷ１は、サブマウント基板１３及びベース基板１１の間にクリアランスを設けることより、ボンディングワイヤＷ１が、サブマウント基板１３又はサブマウント基板１３に接触して回路が短絡する等の不具合を防ぐことができる。

同様に、ボンディングワイヤＷ２は、パッド電極Ｐ３からサブマウント基板１３の主面１３ａに垂直な方向に伸長するワイヤ部分Ｅ２ａ及びパッド電極Ｐ４から発光素子１０の主面２０ａに垂直な方向に伸長するワイヤ部分Ｅ１ａを有することで、サブマウント基板１３及び発光素子２０に対してクリアランスを設けることができる。

このように、ボンディングワイヤＷ２は、サブマウント基板１３及び発光素子２０との間にクリアランスを設けることより、ボンディングワイヤＷ２がサブマウント基板１３又は発光素子２０に接触して回路が短絡する等の不具合を防ぐことができる。

このクリアランスの量は、半導体発光装置１０が受ける振動等の外力によってボンディングワイヤＷ１，Ｗ２が発光素子２０、ベース基板１１、サブマウント基板１３に接触しないように設定するとよく、好ましくは、第１の封止部４０及び第２の封止部４１に用いられる樹脂が熱膨張や熱収縮によって変位する量や熱膨張率等も考慮して定めるとよい。

ここで、図６は、ボンディングワイヤＷ２の変形例を示す、図１のＡ−Ａ線断面図である。応力緩和部５０は、例えば、図６に示すように、サブマウント基板１３の主面１３ａに対して９０度未満の角度を有して形成されている。このとき移行部Ｓは、発光素子２０の側面２１方向に向かって湾曲して伸長するようにしてもよい。

尚、第１の封止部４０及び第２の封止部４１の樹脂の厚い箇所においては、ボンディングワイヤＷ１，Ｗ２は、特に樹脂の熱膨張及び熱収縮方向に作用する力の影響を受ける。

したがって、応力緩和部５０は、第１の封止部４０及び第２の封止部４１の樹脂が最も厚い領域に設けられるとよい。

具体的には、図２に示すように、第１の封止部４０は、第１の封止部４０内に画定されるベース基板１１の主面１１ａ上の領域であって、ベース基板１１の凹部１４の側面からサブマウント基板１３の側面において（領域Ｒ１）は、第１の封止部４０のベース基板１１の主面からの厚さが最も厚い領域Ｒ２を含むようにするとよい。

このように、第２の封止部４１のベース基板１１の主面１１ａからの厚さが最も厚い領域Ｒ２に、応力緩和部５０が設けられることによって、より効果的にボンディングワイヤＷ１の断線を防ぐことができる。

同様に、図３に示すように、第２の封止部４１は、第２の封止部４１内に画定されるサブマウント基板１３の主面１３ａ上の領域であって、発光素子２０の側面２１からパッド電極Ｐ３の間において（領域Ｒ３）は、第２の封止部４１のサブマウント基板１３の主面からの厚さが最も厚い領域Ｒ４を含むようにするとよい。

尚、中間部Ｍは、複数の応力緩和部５０を有するようにしてもよい。ここで、図７ないし図９は、ボンディングワイヤＷ１，Ｗ２の変形例を示す、図１のＡ−Ａ線断面図である。

例えば、図７及び図８に示すように、側面視が略Ｕ字状になるように中間部Ｍを形成し、ベース基板１１の主面１１ａ又は、サブマウント基板１３の主面１３ａの形成方向に対して９０度の角度をなす応力緩和部５０を２か所に設けてもよい。また、応力緩和部５０は、このような態様に限られず、例えば、側面視が階段状（多段階状）になるように形成し、２か所以上に設けてもよい。

同様に、図９に示すように、側面視が略逆Ｕ字状になるように中間部Ｍを形成し、ベース基板１１の主面１１ａ又はサブマウント基板１３の主面１３ａの形成方向に対して９０度の角度をなす応力緩和部５０を２か所に設けてもよい。また、応力緩和部５０は、このような態様に限られず、例えば、側面視が階段状（多段階状）になるように形成し、２か所以上に設けてもよい。

このように、中間部Ｍの複数個所に応力緩和部５０を設けることにより、ボンディングワイヤＷ１，Ｗ２をより断線しにくくすることができる。

実施例１においては、ベース基板１１の凹部１４の上にサブマウント基板１３が設けられる態様であった。しかし、ベース基板１１とサブマウント基板１３は、支持基板１５の上に設けられているようにしてもよい。

図１０は、実施例２に係るボンディングワイヤＷ２の変形例を示す、半導体発光装置１０の断面図である。

具体的には、図１０に示すように、半導体発光装置は、支持基板１５と、支持基板１５の主面１５ａ上に載置されているベース基板１１と、ベース基板１１の主面１１ａ上に載置されている発光素子２０と、支持基板１５の上に載置されているサブマウント基板１３と、を有して構成される。他の構成は、実施例１と同一であるので説明を省略する。

このように半導体発光装置１０を構成したときは、第１の封止部内４０は、第１の封止部４０に画定されている支持基板１５の主面１５ａの上の領域であって、ベース基板１１の側面からサブマウント基板１３の側面の間においては（領域Ｒ５）は、支持基板１５の主面１５ａからの厚さが最も厚い領域Ｒ６を含むようにするとよい。

１０ 半導体発光装置
１１ ベース基板（第１の基板）
１１ａ ベース基板の主面
１３ サブマウント基板（第２の基板）
１３ａ サブマウント基板の主面
１４ 凹部
１５ 支持基板
２０ 発光素子
２１ 発光素子の側面
４０ 第１の封止部
４１ 第２の封止部
５０ 応力緩和部
Ｗ１，Ｗ２ ボンディングワイヤ
Ｅ１ 第１の伸長部
Ｅ１ａ 第１の伸長部のワイヤ部分
Ｅ２ 第２の伸長部
Ｍ 中間部
Ｓ 移行部
Ｐ１ パッド電極（第１の基板側接続端）
Ｐ２ パッド電極（第２の基板側接続端）
Ｐ３ パッド電極（基板側接続端としての発光素子側接続端）
Ｐ４ パッド電極（素子側接続端）
α ベース基板の主面に平行な方向
β サブマウント基板の主面に平行な方向であって発光素子の側面から離れる方向

Claims (18)

1. 基板と、前記基板の主面上に載置されている発光素子と、前記発光素子と前記基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように、前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止した封止部と、を有し、
   前記基板は、前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された基板側接続端を有し、
   前記発光素子は、前記発光素子上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された素子側接続端を有し、
   前記ボンディングワイヤは、端部が前記素子側接続端に接続され、前記素子側接続端から離れる方向に伸長する第１の伸長部と、前記第１の伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記基板側接続端に接続された第２の伸長部と、を有し、
   前記中間部は、前記ボンディングワイヤが、前記基板の前記主面に平行な方向であって前記発光素子の前記側面から離れる方向に対して４５〜９０度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記封止部は、前記基板に垂直な面において単調な凸形状を有し、前記封止部内に画定されている前記基板の前記主面上の領域であって、前記発光素子の側面から前記基板側接続端の間において、前記基板の前記主面からの厚さが最も厚い領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記第１の伸長部は、前記基板の前記主面に略平行に伸長し、
   前記第１の伸長部が前記中間部に移行する前記ボンディングワイヤの部分である移行部は、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
4. 前記第２の伸長部は、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装置。
5. 前記第２の伸長部は、前記基板側接続端から前記基板の前記主面に垂直な方向に伸長するワイヤ部分を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体発光装置。
6. 前記中間部は、複数の前記応力緩和部を有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体発光装置。
7. 第１の基板と、前記第１の基板の主面上に形成されている凹部に載置されている第２の基板と、前記第２の基板の主面上に載置されている発光素子と、前記第１の基板と前記第２の基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように、前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止する封止部と、を有し、
   前記第１の基板は、前記第１の基板上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された第１の基板側接続端を有し、
   前記第２の基板は、前記第２の基板の前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された第２の基板側接続端を有し、
   前記ボンディングワイヤは、端部が前記第２の基板側接続端に接続され、前記第２の基板側接続端から離れる方向に伸長する第１の伸長部と、前記第１の伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記第１の基板側接続端と接続された第２の伸長部と、を有し、
   前記中間部は、前記第１の基板の前記主面に平行な方向に対して４５〜９０度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする半導体発光装置。
8. 前記封止部は、前記第１の基板に垂直な面において単調な凸形状を有し、前記封止部内に画定されている前記第１の基板の前記主面上の領域であって、前記第１の基板の前記凹部の側面から前記第２の基板の側面の間において、前記基板の前記主面からの厚さが最も厚い領域を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光装置。
9. 前記第１の伸長部は、前記第１の基板の前記主面に略平行に伸長し、
   前記第１の伸長部が前記第中間部に移行する前記ボンディングワイヤの部分である移行部は、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体発光装置。
10. 前記第２の伸長部は、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記載の半導体発光装置。
11. 前記第１の伸長部は、前記第２の基板側接続端から前記第２の基板の前記主面に垂直な方向に伸長するワイヤ部分を有することを特徴とする請求項７ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
12. 前記中間部は、複数の前記応力緩和部を有することを特徴とする請求項７ないし１１のいずれかに記載の半導体発光装置。
13. 支持基板と、前記支持基板の主面上に載置されている第１の基板と、前記支持基板の前記主面上に載置されている第２の基板と、前記第２の基板の主面上に載置されている発光素子と、前記第１の基板と前記第２の基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記ボンディングワイヤの全体を覆うように前記ボンディングワイヤを樹脂によって封止する封止部と、を有し、
    前記第１の基板は、前記第１の基板上に設けられ、前記ボンディングワイヤの一端が接続された第１の基板側接続端を有し、
    前記第２の基板は、前記第２の基板の前記主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤの他端が接続された第２の基板側接続端を有し、
    前記ボンディングワイヤは、端部が前記第２の基板側接続端に接続され、前記第２の基板側接続端から離れる方向に伸長する第１の伸長部、前記伸長部に続く中間部と、前記中間部に続いて伸長し、端部が前記第２の基板側接続端と接続された第２の伸長部と、を有し、
    前記中間部は、前記支持基板の前記主面に平行な方向に対して４５〜９０度の角度で伸長する応力緩和部を有することを特徴とする半導体発光装置。
14. 前記封止部は、前記第支持基板に垂直な面において単調な凸形状を有し、前記封止部内に画定されている前記支持基板の前記主面上の領域であって、前記第１の基板の側面から前記第２の基板の側面の間において、前記支持基板の前記主面からの厚さが最も厚い領域を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光装置。
15. 前記第１の伸長部は、前記支持基板の前記主面と略平行に伸長し、
    前記第１の伸長部が前記中間部に移行する前記ボンディングワイヤの部分である移行部は湾曲していることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の半導体発光装置。
16. 前記第２の伸長部は、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれかに記載の半導体発光装置。
17. 前記第１の伸長部は、前記第２の基板側接続端から前記第２の基板の前記主面に垂直な方向に伸長するワイヤ部分を有することを特徴とする請求項１３ないし１６のいずれかに記載の半導体発光装置。
18. 前記中間部は、複数の前記応力緩和部を有することを特徴とする請求項１３ないし１７のいずれかに記載の半導体発光装置。

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