JP2018186179A - 基板処理装置及び基板取り外し方法 - Google Patents
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Abstract
Description
、発生した前記イオン化ガスを通過させるガス供給通路と、前記通過したイオン化ガスを、前記基板と前記静電チャックとの隙間に供給するガス供給管と、前記載置台の内部に設けられ、前記隙間に供給したガスを排気するガス排気通路と、を有する基板処理装置が提供される。
まず、基板処理装置1の一例について、図1を参照しながら説明する。本実施形態にかかる基板処理装置1は、容量結合型の平行平板基板処理装置であり、略円筒形の処理容器10を有している。処理容器10の内面には、アルマイト処理(陽極酸化処理)が施されている。処理容器10の内部は、プラズマによりエッチング処理や成膜処理等のプラズマ処理が行われる処理室となっている。
図2の右側は、左側に示す一実施形態に係るウェハWと静電チャック21の界面の状態を拡大した図である。ウェハWと静電チャック21の界面には、静電チャック21表面のドット状に形成された凹凸により隙間があり、イオン化ガスが流れる空間となっている。
次に、本実施形態にかかる基板処理装置1が有するイオン化ガス供給システムについて、詳しく説明する。イオン化ガス供給システムは、圧力制御部11、イオン化ガス発生部12、ガス供給管16a,16b、ガス供給通路16c及びガス排気通路17を有する。
次に、従来の基板取り外し処理について図4を参照しながら説明した後、本実施形態に係る基板取り外し処理について図5を参照しながら説明する。図4は、従来の基板取り外し処理(除電処理を含む)の一例を示すフローチャートである。
図4に示す従来の基板取り外し処理では、まず、制御部100は、プラズマ処理が終了したかを判定する(ステップS10)。制御部100は、プラズマ処理が終了したと判定した場合、ガス供給源30からヘリウム(He)ガス等の冷却用ガスの供給を停止し、圧力制御部11から冷却用ガスを排気する(ステップS12)。
以上に説明した従来の基板取り外し処理に対して、本実施形態では、図5に示す手順でウェハWの取り外しが行われる。図5は、一実施形態に係る基板取り外し処理(除電処理を含む)の一例を示すフローチャートである。
10 処理容器
11 圧力制御部
12 イオン化ガス発生部
13 ガス供給通路
14 ICPコイル
15 RF電源
16a、16b ガス供給管
17 ガス排気通路
20 載置台(下部電極)
21 静電チャック
21a 吸着電極
21b 絶縁体
24a 冷媒流路
25 フォーカスリング
26 インシュレータリング
30 ガス供給源
32 第1のRF電源
34 第2のRF電源
40 ガスシャワーヘッド(上部電極)
40a 本体部
40b 天板
65 排気装置
70 可変直流電源
100 制御部
112 直流電源
Claims (12)
- 載置台の上の基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
圧力制御されたガスをイオン化させ、イオン化ガスを発生するイオン化ガス発生部と、
絶縁材から形成され又は内側表面が絶縁処理され、発生した前記イオン化ガスを通過させるガス供給通路と、
前記通過したイオン化ガスを、前記基板と前記静電チャックとの隙間に供給するガス供給管と、
前記載置台の内部に設けられ、前記隙間に供給したガスを排気するガス排気通路と、
を有する基板処理装置。 - 前記静電チャックは、前記基板と接触する複数の突起部を表面に有する、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記複数の突起部の配置は、同心円状、格子状、インボリュート曲線形状、放射状又はランダム形状のいずれかである、
請求項2に記載の基板処理装置。 - イオン化させる前記ガスは、酸素含有ガスである、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - イオン化させる前記ガスは、希ガスである、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ガス供給通路は、絶縁物から形成される、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記絶縁物は、セラミックから形成される、
請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記セラミックは、アルミナ、イットリア、ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミニウムのいずれかである、
請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記イオン化ガス発生部は、CCP(Capacitively Coupled Plasma)、ICP(Inductively Coupled Plasma)、マイクロ波プラズマ及び直流(DC)放電によるプラズマのいずれかにより、ガスをイオン化させる、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記イオン化ガス発生部は、前記圧力制御されたガスと非接触にイオン化ガスを発生させる、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板を囲むように前記載置台の上に設けられたフォーカスリングと、
前記フォーカスリングの外周面を囲むように配置される環状部材とを有し、
前記環状部材は、絶縁体から形成されている、
請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 載置台の上の基板を、静電吸着により保持する静電チャックから取り外す基板取り外し方法であって、
圧力制御されたガスをイオン化ガス発生部によりイオン化し、イオン化ガスを発生し、
絶縁材から形成され又は内側表面が絶縁処理されたガス供給通路に、発生した前記イオン化ガスを通過させ、
前記通過したイオン化ガスを、前記基板と前記静電チャックとの隙間に供給し、
前記隙間に供給したガスを、前記載置台の内部に設けられたガス排気通路から排気し、
前記載置台の上の基板を前記静電チャックから取り外す、
基板取り外し方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021108339A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法ならびに素子チップの製造方法 |
JP2021141116A (ja) * | 2020-03-02 | 2021-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャックの製造方法、静電チャック及び基板処理装置 |
WO2022230728A1 (ja) * | 2021-04-26 | 2022-11-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 下部電極機構、基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2023516212A (ja) * | 2020-03-18 | 2023-04-18 | ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッド | 搬送デバイス、半導体装置、及び残留電荷検出方法 |
KR20240051154A (ko) | 2021-08-20 | 2024-04-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전 척, 기판 지지기 및 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11289355B2 (en) | 2017-06-02 | 2022-03-29 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck for use in semiconductor processing |
JP6851270B2 (ja) * | 2017-06-16 | 2021-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着方法 |
US10825645B2 (en) * | 2017-08-17 | 2020-11-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for reduced workpiece adhesion due to electrostatic charge during removal from a processing station |
CN111670491A (zh) | 2018-01-31 | 2020-09-15 | 朗姆研究公司 | 静电卡盘(esc)基座电压隔离 |
US11086233B2 (en) * | 2018-03-20 | 2021-08-10 | Lam Research Corporation | Protective coating for electrostatic chucks |
CN113795912A (zh) * | 2019-05-10 | 2021-12-14 | Asml荷兰有限公司 | 包括静电夹具的设备和方法 |
JP7344726B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09219441A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Fujitsu Ltd | 静電チャックからの被処理基板離脱方法及び製造装置 |
JP2002009139A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Nikon Corp | 静電チャック |
US6500299B1 (en) * | 1999-07-22 | 2002-12-31 | Applied Materials Inc. | Chamber having improved gas feed-through and method |
JP2003282691A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Nec Kyushu Ltd | ウェハ保持用静電チャックおよびウェハの剥離方法 |
JP2004241420A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 処理装置 |
JP2008117850A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ載置用電極 |
JP2011040658A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 処理物保持装置、静電チャックの制御方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2015220413A (ja) * | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5542559A (en) * | 1993-02-16 | 1996-08-06 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Plasma treatment apparatus |
JP3163973B2 (ja) | 1996-03-26 | 2001-05-08 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法 |
JPH1154604A (ja) | 1997-08-08 | 1999-02-26 | Sony Corp | ウエハステージからのウエハ脱着方法 |
JP4666575B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2011-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | セラミック溶射部材の製造方法、該方法を実行するためのプログラム、記憶媒体、及びセラミック溶射部材 |
JP5066730B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2012-11-07 | ヤマハ発動機株式会社 | 船舶用推進システム |
TWI522013B (zh) * | 2009-03-30 | 2016-02-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device and plasma processing method |
US8520360B2 (en) * | 2011-07-19 | 2013-08-27 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck |
JP5829509B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
WO2013108750A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマ処理装置 |
US10654147B2 (en) * | 2017-10-17 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Polishing of electrostatic substrate support geometries |
-
2017
- 2017-04-25 JP JP2017086675A patent/JP6948822B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-23 US US15/959,423 patent/US10651071B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09219441A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Fujitsu Ltd | 静電チャックからの被処理基板離脱方法及び製造装置 |
US6500299B1 (en) * | 1999-07-22 | 2002-12-31 | Applied Materials Inc. | Chamber having improved gas feed-through and method |
JP2002009139A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Nikon Corp | 静電チャック |
JP2003282691A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Nec Kyushu Ltd | ウェハ保持用静電チャックおよびウェハの剥離方法 |
JP2004241420A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 処理装置 |
JP2008117850A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ載置用電極 |
JP2011040658A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 処理物保持装置、静電チャックの制御方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2015220413A (ja) * | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021108339A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法ならびに素子チップの製造方法 |
JP7361306B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-10-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法ならびに素子チップの製造方法 |
JP2021141116A (ja) * | 2020-03-02 | 2021-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャックの製造方法、静電チャック及び基板処理装置 |
JP2023516212A (ja) * | 2020-03-18 | 2023-04-18 | ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッド | 搬送デバイス、半導体装置、及び残留電荷検出方法 |
JP7340114B2 (ja) | 2020-03-18 | 2023-09-06 | ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッド | 搬送デバイス、半導体装置、及び残留電荷検出方法 |
WO2022230728A1 (ja) * | 2021-04-26 | 2022-11-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 下部電極機構、基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20240051154A (ko) | 2021-08-20 | 2024-04-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전 척, 기판 지지기 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6948822B2 (ja) | 2021-10-13 |
US10651071B2 (en) | 2020-05-12 |
US20180308738A1 (en) | 2018-10-25 |
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